JP6654232B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする半導体装置の製造方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4〜図7を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
処理室201内の基板としてのウエハ200に対して原料ガスとしてHCDSガスを供給するステップ1と、
処理室201内からHCDSガスを排出するステップ1pと、
処理室201内のウエハ200に対してC含有ガスとしてC3H6ガスを供給するステップ2と、
処理室201内からC3H6ガスを排出するステップ2pと、
処理室201内のウエハ200に対してO含有ガスとしてO2ガスを供給するステップ3と、
処理室201内からO2ガスを排出するステップ3pと、
処理室201内のウエハ200に対してH含有ガスとしてNH3ガスを供給するステップ4と、
処理室201内からNH3ガスを排出するステップ4pと、
を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回)行うことで、ウエハ200上に、Si、O、CおよびNを含む膜、すなわち、シリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)を形成する。なお、SiOCN膜を、Cを含むシリコン酸窒化膜(SiON膜)、Cが添加(ドープ)されたSiON膜、C含有SiON膜と称することもできる。
O2ガスを排出するステップ3pおよびNH3ガスを排出するステップ4pにおけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、HCDSガスを排出するステップ1pおよびC3H6ガスを排出するステップ2pにおけるそれ若しくはそれらよりも大きくする。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次の8つのステップ、すなわち、ステップ1,1p、ステップ2,2p、ステップ3,3p、ステップ4,4pを順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対し、HCDSガスを供給する。
第1の層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の層の形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排出する。このとき、バルブ243c,243dは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスを処理室201内から排出する効果を高めることができる。
ステップ1pが終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1の層に対し、熱で活性化させたC3H6ガスを供給する。
第2の層が形成された後、バルブ243aを閉じ、C3H6ガスの供給を停止する。そして、ステップ1pと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内に残留する未反応もしくはC含有層の形成に寄与した後のC3H6ガスや反応副生成物を処理室201内から排出する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排出しなくてもよい点は、ステップ1pと同様である。不活性ガスとしては、N2ガスの他、例えば、ステップ1で例示した各種希ガスを用いることができる。
ステップ2pが終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第2の層に対し、熱で活性化させたO2ガスを供給する。
第3の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、O2ガスの供給を停止する。そして、処理室201内に残留する未反応もしくは第3の層の形成に寄与した後のO2ガスや反応副生成物を処理室201内から排出する。このときの処理手順、処理条件については後述する。不活性ガスとしては、N2ガスの他、例えば、ステップ1pで例示した各種希ガスを用いることができる。
ステップ3pが終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第3の層に対し、熱で活性化させたNH3ガスを供給する。
第4の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。そして、処理室201内に残留する未反応もしくは第4の層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排出する。このときの処理手順、処理条件については後述する。不活性ガスとしては、N2ガスの他、例えば、ステップ1pで例示した各種希ガスを用いることができる。
上述した8つのステップを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回)行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiOCN膜を形成することができる。なお、上述のサイクルは複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、上述のサイクルを1回行う際に形成される第4の層(SiOCN層)の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、第4の層(SiOCN層)を積層することで形成されるSiOCN膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
SiOCN膜の形成が完了した後、バルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
上述の成膜シーケンスでは、ステップ1〜4を非同時に行うようにしている。すなわち、ステップ1p〜4pを行うことで処理室201内の残留ガス等を除去した後に、処理室201内へ原料ガス(HCDSガス)や反応ガス(O2ガス、NH3ガス等)を供給するようにしている。これにより、処理室201内における原料ガスと反応ガスとの気相反応、例えば、HCDSガスとO2ガスとの気相反応や、HCDSガスとNH3ガスとの気相反応等を回避することが可能となる。結果として、処理室201内におけるパーティクルの発生を抑制することが可能となる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態における成膜シーケンスは、図4〜図7に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
図8に示す各成膜シーケンス(上から順に変形例1〜7)により、ウエハ200上にSiOCN膜を形成するようにしてもよい。
図9に示す各成膜シーケンス(上から順に変形例8〜10)により、ウエハ200上にSiOCN膜、或いは、シリコン酸炭化膜(SiOC膜)を形成するようにしてもよい。これらの変形例においても、TEAガス或いはO2ガスの供給を停止した後にノズル249b内にTEAガス或いはO2ガスが残留したままとなると、その後に行われるO2ガス或いはTEAガスを供給するステップにおいて、ノズル249b内でパーティクルが発生することがある。そのため、変形例8〜10に示したA,Bのタイミングでは、それぞれ、図4〜図7に示す成膜シーケンスのステップ3p,4pと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内からTEAガス或いはO2ガスを排出する。これらの変形例によっても、図4〜図7に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。なお、変形例8〜10において、O2ガスの酸化力を高めるには、O2ガスをプラズマ励起して供給するようにしてもよい。この場合、ウエハ200上にN非含有のSiOC膜を形成することが容易となる。
図10に示す各成膜シーケンス(上から順に変形例11〜13)により、ウエハ200上にシリコン酸窒化膜(SiON膜)を形成するようにしてもよい。これらの変形例においても、NH3ガス或いはO2ガスの供給を停止した後にノズル249b内にNH3ガス或いはO2ガスが残留したままとなると、その後に行われるO2ガス或いはNH3ガスを供給するステップにおいて、ノズル249b内でパーティクルが発生することがある。そのため、変形例11〜13に示したA,Bのタイミングでは、それぞれ、図4〜図7に示す成膜シーケンスのステップ3p,4pと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内からNH3ガス或いはO2ガスを排出する。これらの変形例によっても、図4〜図7に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。
図11に示す各成膜シーケンス(上から順に変形例14〜16)により、ウエハ200上にシリコン酸化膜(SiO膜)を形成するようにしてもよい。これらの変形例においても、H2ガス或いはO2ガスの供給を停止した後にノズル249b内にH2ガス或いはO2ガスが残留したままとなると、その後に行われるO2ガス或いはH2ガスを供給するステップにおいて、ノズル249b内でパーティクルが発生することがある。そのため、変形例14〜16に示したA,Bのタイミングでは、それぞれ、図4〜図7に示す成膜シーケンスのステップ3p,4pと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内からH2ガス或いはO2ガスを排出する。これらの変形例によっても、図4〜図7に示す成膜シーケンスと同様の効果を得ることができる。なお、変形例14〜16では、H2ガスやO2ガスをプラズマ励起して供給するようにしてもよい。
上述の変形例において、ウエハ200に対して熱で活性化させたTEAガスを供給するステップでは、MFC241bで制御するTEAガスの供給流量を、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とする。処理室201内の圧力を、例えば1〜5000Pa、好ましくは1〜4000Paの範囲内の圧力とする。また、処理室201内におけるTEAガスの分圧は、例えば0.01〜4950Paの範囲内の圧力とする。TEAガスをウエハ200に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間(照射時間)は、例えば1〜200秒、好ましくは1〜120秒、より好ましくは1〜60秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、例えば、図4〜図7に示す成膜シーケンスのステップ4と同様の処理条件とする。N、CおよびHを含むガスとしては、TEAガスの他、例えば、ジエチルアミン((C2H5)2NH、略称:DEA)ガス、モノエチルアミン(C2H5NH2、略称:MEA)ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン((CH3)3N、略称:TMA)ガス、ジメチルアミン((CH3)2NH、略称:DMA)ガス、モノメチルアミン(CH3NH2、略称:MMA)ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記原料ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記原料ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする。
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する工程と、前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する工程を行い、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する工程を不実施とする。なお、前記排気は減圧排気を含む。
付記1乃至3のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスを排出する工程と、前記水素含有ガスを供給する工程と、前記水素含有ガスを排出する工程と、をこの順に連続的に行い、
前記酸素含有ガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記水素含有ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする。
付記4に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記水素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記水素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする。
付記4または5に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記酸素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数を、前記水素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数よりも多くする。なお、前記排気は減圧排気を含む。
付記1乃至3のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する工程と、前記水素含有ガスを排出する工程と、前記酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスを排出する工程と、をこの順に連続的に行い、
前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記酸素含有ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記酸素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記水素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記酸素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする。
付記7または8に記載の方法であって、好ましくは、
前記水素含有ガスを排出する工程および前記酸素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記水素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数を、前記酸素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数よりも多くする。なお、前記排気は減圧排気を含む。
付記1乃至9のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
少なくとも前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを同一ノズルを介して前記基板に対して供給する。
付記1乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを、第1ノズルを介して供給し、
前記酸素含有ガスを、前記第1ノズルとは異なる第2ノズルを介して供給し、
前記水素含有ガスを、前記第2ノズルを介して供給する。
付記1乃至11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記水素含有ガスは、窒素および水素を含むガスである。
付記1乃至12のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルは、さらに、
前記処理室内の前記基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記炭素含有ガスを排出する工程と、
を前記各工程と非同時に行う工程を含み、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガス(前記窒素および水素を含むガス)を排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する工程および前記炭素含有ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする。
付記13に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガス(前記窒素および水素を含むガス)を排出する工程におけるガス排出時間を、前記原料ガスを排出する工程および前記炭素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガス(前記窒素および水素を含むガス)を排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記原料ガスを排出する工程および前記炭素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする。
付記13または14に記載の方法であって、好ましくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガス(前記窒素および水素を含むガス)を排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する工程と、前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程および前記炭素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する工程を行い、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する工程を不実施とする。なお、前記排気は減圧排気を含む。
付記3,6,9または15のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内へパージガスを供給(しつつ前記処理室内を排気)する工程の実施時間を、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する工程の実施時間よりも短くする。
本発明の他の態様によれば、
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して窒素および水素を含むガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記窒素および水素を含むガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記窒素および水素を含むガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記炭素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して窒素および水素を含むガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記窒素および水素を含むガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記窒素および水素を含むガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する工程および前記炭素含有ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する処理におけるそれ若しくはそれらよりも大きくするように、前記原料ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記水素含有ガス供給系、および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する手順におけるそれ若しくはそれらよりも大きくするプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a〜232d ガス供給管
Claims (25)
- 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記原料ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記原料ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする半導体装置の製造方法。 - 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記膜を形成する工程では、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスを排出する工程と、前記水素含有ガスを供給する工程と、前記水素含有ガスを排出する工程と、をこの順に連続的に行い、
前記酸素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記水素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記酸素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記水素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする半導体装置の製造方法。 - 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記膜を形成する工程では、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスを排出する工程と、前記水素含有ガスを供給する工程と、前記水素含有ガスを排出する工程と、をこの順に連続的に行い、
前記酸素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数を、前記水素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数よりも多くする半導体装置の製造方法。 - 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記膜を形成する工程では、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する工程と、前記水素含有ガスを排出する工程と、前記酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスを排出する工程と、をこの順に連続的に行い、
前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記酸素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記水素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記酸素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする半導体装置の製造方法。 - 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記膜を形成する工程では、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する工程と、前記水素含有ガスを排出する工程と、前記酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスを排出する工程と、をこの順に連続的に行い、
前記水素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数を、前記酸素含有ガスを排出する工程において前記第1工程と前記第2工程とを行う回数よりも多くする半導体装置の製造方法。 - 少なくとも前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを同一ノズルを介して前記基板に対して供給する請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスを、第1ノズルを介して供給し、
前記酸素含有ガスを、前記第1ノズルとは異なる第2ノズルを介して供給し、
前記水素含有ガスを、前記第2ノズルを介して供給する請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記水素含有ガスは、窒素および水素を含むガスである請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記サイクルは、さらに、
前記処理室内の前記基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記炭素含有ガスを排出する工程と、
を前記各工程と非同時に行う工程を含み、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出時間を、前記炭素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記炭素含有ガスを排出する工程におけるそれよりも大きくする半導体装置の製造方法。 - 前記サイクルは、さらに、
前記処理室内の前記基板に対して炭素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記炭素含有ガスを排出する工程と、
を前記各工程と非同時に行う工程を含み、
前記炭素含有ガスを排出する工程では、前記第3工程を行う請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1工程と、前記処理室内へパージガスを供給する第2工程と、を非同時に所定回数行い、
前記原料ガスを排出する工程では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3工程を行い、
前記第2工程の実施時間を、前記第1工程の実施時間よりも短くする半導体装置の製造方法。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理におけるガス排出時間を、前記原料ガスを排出する処理におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記原料ガスを排出する処理におけるそれよりも大きくするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記膜を形成する処理では、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する処理と、前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記水素含有ガスを供給する処理と、前記水素含有ガスを排出する処理と、をこの順に連続的に行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理におけるガス排出時間を、前記水素含有ガスを排出する処理におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する処理において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記水素含有ガスを排出する処理におけるそれよりも大きくするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記膜を形成する処理では、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する処理と、前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記水素含有ガスを供給する処理と、前記水素含有ガスを排出する処理と、をこの順に連続的に行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理において前記第1処理と前記第2処理とを行う回数を、前記水素含有ガスを排出する処理において前記第1処理と前記第2処理とを行う回数よりも多くするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記膜を形成する処理では、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する処理と、前記水素含有ガスを排出する処理と、前記酸素含有ガスを供給する処理と、前記酸素含有ガスを排出する処理と、をこの順に連続的に行わせ、前記水素含有ガスを排出する処理におけるガス排出時間を、前記酸素含有ガスを排出する処理におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記水素含有ガスを排出する処理において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記酸素含有ガスを排出する処理におけるそれよりも大きくするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記膜を形成する処理では、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する処理と、前記水素含有ガスを排出する処理と、前記酸素含有ガスを供給する処理と、前記酸素含有ガスを排出する処理と、をこの順に連続的に行わせ、前記水素含有ガスを排出する処理において前記第1処理と前記第2処理とを行う回数を、前記酸素含有ガスを排出する処理において前記第1処理と前記第2処理とを行う回数よりも多くするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記サイクルでは、さらに、前記処理室内の前記基板に対して炭素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記炭素含有ガスを排出する処理と、を前記各処理と非同時に行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理におけるガス排出時間を、前記炭素含有ガスを排出する処理におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記炭素含有ガスを排出する処理におけるそれよりも大きくするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対してガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排出する排気系と、
前記処理室内の基板に対して原料ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記原料ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する処理と、前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する処理と、前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記酸素含有ガスを排出する処理および前記水素含有ガスを排出する処理では、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1処理と、前記処理室内へパージガスを供給する第2処理と、を非同時に所定回数行わせ、前記原料ガスを排出する処理では、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3処理を行わせ、前記第2処理の実施時間を、前記第1処理の実施時間よりも短くするように、前記ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順におけるガス排出時間を、前記原料ガスを排出する手順におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記原料ガスを排出する手順におけるそれよりも大きくする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記膜を形成する手順において、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する手順と、前記酸素含有ガスを排出する手順と、前記水素含有ガスを供給する手順と、前記水素含有ガスを排出する手順と、をこの順に連続的に行わせる手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順におけるガス排出時間を、前記水素含有ガスを排出する手順におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記酸素含有ガスを排出する手順において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記水素含有ガスを排出する手順におけるそれよりも大きくする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記膜を形成する手順において、少なくとも、前記酸素含有ガスを供給する手順と、前記酸素含有ガスを排出する手順と、前記水素含有ガスを供給する手順と、前記水素含有ガスを排出する手順と、をこの順に連続的に行わせる手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順において前記第1手順と前記第2手順とを行わせる回数を、前記水素含有ガスを排出する手順において前記第1手順と前記第2手順とを行わせる回数よりも多くする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記膜を形成する手順において、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する手順と、前記水素含有ガスを排出する手順と、前記酸素含有ガスを供給する手順と、前記酸素含有ガスを排出する手順と、をこの順に連続的に行わせる手順と、
前記水素含有ガスを排出する手順におけるガス排出時間を、前記酸素含有ガスを排出する手順におけるそれよりも長くするか、もしくは、
前記水素含有ガスを排出する手順において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記酸素含有ガスを排出する手順におけるそれよりも大きくする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記膜を形成する手順において、少なくとも、前記水素含有ガスを供給する手順と、前記水素含有ガスを排出する手順と、前記酸素含有ガスを供給する手順と、前記酸素含有ガスを排出する手順と、をこの順に連続的に行わせる手順と、
前記水素含有ガスを排出する手順において前記第1手順と前記第2手順とを行わせる回数を、前記酸素含有ガスを排出する手順において前記第1手順と前記第2手順とを行わせる回数よりも多くする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記サイクルにおいて、さらに、
前記処理室内の前記基板に対して炭素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記炭素含有ガスを排出する手順と、
を前記各手順と非同時に行う手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順におけるガス排出時間を、前記炭素含有ガスを排出する手順におけるそれよりも長くするか、もしくは、前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において前記処理室内へ供給するパージガスの供給流量を、前記炭素含有ガスを排出する手順におけるそれよりも大きくする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記原料ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する手順と、
前記酸素含有ガスを排出する手順および前記水素含有ガスを排出する手順において、前記処理室内へガスを供給することなく前記処理室内を排気する第1手順と、前記処理室内へパージガスを供給する第2手順と、を非同時に所定回数行わせる手順と、
前記原料ガスを排出する手順において、パージガスを前記処理室内へ供給しつつ前記処理室内から排気する第3手順と、
前記第2手順の実施時間を、前記第1手順の実施時間よりも短くする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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