JP2014236129A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の基板を収容した処理室内へ水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して基板を処理する際、基板処理の生産性を低下させることなく、基板処理の面間均一性および面内均一性を向上させる。
【解決手段】 間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、基板の配列方向に沿って延在するように配設され、処理室内へ水素含有ガスを供給する第１ノズルと、基板の配列方向に沿って延在するように配設され、処理室内へ酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、を備え、第１ノズルは、複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、第２ノズルは、複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。

半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、間隔を空けて配列された複数の基板を収容した処理室内へ処理ガスを供給し、複数の基板を一括して処理（バッチ処理）する基板処理工程が行われることがある。

上述の基板処理工程においては、処理室内への処理ガスの供給を、複数の基板の一枚一枚に対応するように複数のガス供給孔を備えた多孔ノズルを用いて行う手法が知られている。多孔ノズルを用いることで、複数の基板の一枚一枚に対して均等な流量で処理ガスを供給することが可能となり、また、各基板の中心付近への処理ガスの供給を促すことが可能となる。その結果、基板処理の基板間均一性（面間均一性）や面内均一性を向上させることが可能となる。

しかしながら、処理ガスの種類によっては、多孔ノズルを用いてガスの供給を行っているにも関わらず、基板処理の面間均一性や面内均一性が充分に改善されない場合がある。具体的には、処理ガスとして水素含有ガス及び酸素含有ガスを用いると、多孔ノズルを用いてガスの供給を行っているにも関わらず、基板処理の面内均一性や面間均一性が充分に改善されない場合がある。一括して処理する基板の数を減らすことで、面内均一性や面間均一性の低下を回避することも可能であるが、この場合、基板処理の生産性低下を招いてしまう。

本発明は、複数の基板を収容した処理室内へ水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して基板を処理する際、基板処理の生産性を低下させることなく、基板処理の面間均一性および面内均一性を向上させることを目的とする。

本発明の一態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ水素含有ガスを供給する第１ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、を備え、
前記第１ノズルは、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、
前記第２ノズルは、前記複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える基板処理装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、
前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給し、
前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する手順と、
加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理する手順と、をコンピュータに実行させ、
前記基板を処理する手順では、
前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給させ、
前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給させるプログラムが提供される。

本発明によれば、複数の基板を収容した処理室内へ水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して基板を処理する際、基板処理の生産性を低下させることなく、基板処理の面間均一性および面内均一性を向上させることができる。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。 （ａ）は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の第２ノズルの概略構成を示す図であり、（ｂ）〜（ｅ）はその変形例をそれぞれ示す図である。 （ａ）は本発明の一実施形態の成膜シーケンスにおけるガス供給タイミングを示す図であり、（ｂ）、（ｃ）は本発明の他の実施形態の成膜シーケンスにおけるガス供給タイミングをそれぞれ示す図である。 従来の基板処理装置の縦型処理炉の断面構成図である。 従来の基板処理装置を用いて成膜したシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）の面間膜厚均一性を示す図である。 従来の基板処理装置の縦型処理炉内における原子状酸素の分布を示す図である。 原子状酸素が生成されるまでの距離（時間）を分析するための解析モデルとその解析結果を示す図である。 ＳｉＯ膜の面間膜厚均一性の測定結果を示す図であり、（ａ）は比較例を、（ｂ）は実施例をそれぞれ示している。 ＳｉＯ膜の面内膜厚分布の測定結果を示す図であり、（ａ）は比較例を、（ｂ）は実施例をそれぞれ示している。 ＳｉＯ膜の面内平均膜厚とウエハ位置との関係を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施形態の成膜シーケンスにおけるガス供給タイミングをそれぞれ示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の他の実施形態の成膜シーケンスにおけるガス供給タイミングをそれぞれ示す図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について、図１〜図４を用いて説明する。

（１）基板処理装置の構成
図１に示すように、処理炉２０２は、加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。

ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に、反応容器（処理容器）を構成する反応管（プロセスチューブ）２１０が配設されている。反応管２１０は、内管（インナチューブ）２０４と、インナチューブ２０４を同心円状に取り囲む外管（アウタチューブ）２０３と、を備えた２重管構成となっている。インナチューブ２０４及びアウタチューブ２０３は、それぞれ、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状に形成されている。

インナチューブ２０４及びアウタチューブ２０３は、それぞれ、マニホールド２０９によって下方から支持されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなり、上端及び下端が開放された円筒形状に形成されている。マニホールド２０９内壁の上端部には、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなり、マニホールド２０９の径方向内側に向けて延出した環状のフランジ部２０９ａが設けられている。インナチューブ２０４の下端は、フランジ部２０９ａの上面の金属部分に当接している。アウタチューブ２０３の下端は、マニホールド２０９の上端の金属部分に当接している。アウタチューブ２０３とマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９の下端開口は、処理炉２０２の炉口として構成されており、後述するボートエレベータ１１５が上昇した際に、蓋体としての円盤状のシールキャップ２１９によって気密に封止される。マニホールド２０９とシールキャップ２１９との間には、シール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。

インナチューブ２０４の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に間隔を空けて配列（整列）させて保持する後述するボート２１７を収容するように構成されている。

インナチューブ２０４の天井部はフラット形状に、アウタチューブ２０３の天井部はドーム形状に形成されている。インナチューブ２０４の天井部をドーム形状とすると、処理室２０１内へ供給したガスが、複数のウエハ２００間に流れずに、インナチューブ２０４の天井部に形成されたドーム部分の内部空間（後述するボート２１７の天板よりも上方の空間）に流れ込み易くなる。インナチューブ２０４の天井部をフラット形状とすることで、処理室２０１内へ供給したガスを、複数のウエハ２００間に効率よく流すことが可能となる。また、このとき、インナチューブ２０４の天井部とボート２１７の天板とのクリアランス（空間）を小さくすることで、例えば、ウエハ２００の配列間隔（ウエハ配列ピッチ）と同程度の大きさとすることで、ウエハ２００間にさらに効率よくガスを流すことが可能となる。

インナチューブ２０４の側壁には、図２に示すように、ノズル２３３ａ〜２３３ｃを収容するノズル収容室２０４ａと、ノズル２３３ｄ，２３３ｅを収容するノズル収容室２０４ｂと、が形成されている。ノズル収容室２０４ａ，２０４ｂは、それぞれ、インナチューブ２０４の側壁からインナチューブ２０４の径方向外向きに突出し、垂直方向に沿って延在するチャンネル形状に形成されている。ノズル収容室２０４ａ，２０４ｂの内壁は、処理室２０１の内壁の一部を構成している。なお、ノズル収容室２０４ａとノズル収容室２０４ｂとは、インナチューブ２０４の内壁に沿って、つまり、処理室２０１内に収容されたウエハ２００の外周に沿って、互いに所定距離離れた位置にそれぞれ配置されている。具体的には、ノズル収容室２０４ａ，２０４ｂは、ウエハ２００の中心とノズル収容室２０４ａの中心とを結ぶ直線と、ウエハ２００の中心とノズル収容室２０４ｂの中心とを結ぶ直線と、が作る中心角（ノズル収容室２０４ａ，２０４ｂの各中心を両端とする弧に対する中心角）が例えば３０°〜１５０°となるような位置にそれぞれ配置されている。

ノズル２３３ａ〜２３３ｅは、それぞれ、Ｌ字型のロングノズルとして構成されている。ノズル２３３ａ〜２３３ｅの各水平部は、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。

ノズル２３３ａ〜２３３ｃの各垂直部は、上述のノズル収容室２０４ａ内に、ノズル収容室２０４ａの下部より上部に沿って、ウエハ２００の配列方向上方に向けて立ち上がるように設けられている。また、ノズル２３３ｄ，２３３ｅの各垂直部は、上述のノズル収容室２０４ｂ内に、ノズル収容室２０４ｂの下部より上部に沿って、ウエハ２００の配列方向上方に向けて立ち上がるように設けられている。つまり、ノズル２３３ａ〜２３３ｅの各垂直部は、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。なお、ノズル２３３ｄ，２３３ｅは、処理室２０１内に収容されたウエハ２００の外周に沿ってノズル２３３ａ〜２３３ｃから所定距離離れた位置に設けられている。また、ノズル２３３ａは、ノズル２３３ｂ，２３３ｃの間に設けられている。つまり、ノズル２３３ａは、ウエハ２００の周方向に沿って、一対のノズル２３３ｂ，２３３ｃにより両側から挟まれている。

ノズル２３３ａ〜２３３ｃの各垂直部の側面には、処理室２０１内に収容された複数のウエハ２００の一枚一枚に（それぞれに）対応するように、少なくとも複数のウエハ２００の数と同数のガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃが、ノズル２３３ａ〜２３３ｃの上部から下部にわたる全域に設けられている。つまり、ノズル２３３ａ〜２３３ｃは、それぞれ多孔ノズルとして構成されている。ボート２１７が例えば１２０枚のウエハ２００を保持する場合、ノズル２３３ａ〜２３３ｃの各垂直部の側面には、それぞれ、ガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃが少なくとも１２０個ずつ設けられることになる。なお、図１に示すように、ガス供給孔２３３ａ〜２３３ｃは、それぞれ、ウエハ配列領域だけでなく、ウエハ配列領域よりも下側にも設けることもできる。

ガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃは、例えば、それぞれが処理室２０１の中心を向くように開口しており、ウエハ２００の中心に向けてガスを供給することが可能なように構成されている。また、ガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃは、例えば、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。これらの構成により、各ウエハ２００の中心付近へのガスの供給を促すことが可能となり、後述する基板処理のウエハ面内均一性を向上させることが可能となる。また、各ウエハ２００に対して供給するガスの流量や流速を、ウエハ２００間で均一化させることが容易となり、後述する基板処理のウエハ面間均一性を向上させることが可能となる。

ノズル２３３ｄの垂直部の側面には、処理室２０１内に収容された複数のウエハ２００のうち上部に配列したウエハ２００にのみ対応するように、１つ以上、好ましくは複数のガス供給孔２４８ｄが、ノズル２３３ｄの上部にのみ、つまり、ノズル２３３ｄの上端付近にのみ設けられている。また、ノズル２３３ｅの垂直部の側面には、処理室２０１内に収容された複数のウエハ２００のうち下部に配列したウエハ２００にのみ対応するように、１つ以上、好ましくは複数のガス供給孔２４８ｅが、ノズル２３３ｅの下部にのみ、つまり、ノズル２３３ｅの下端付近にのみ設けられている。なお、ガス供給孔２４８ｄは、ノズル２３３ｄの中央部及び下部には設けられていない。また、ガス供給孔２４８ｅは、ノズル２３３ｅの上部及び中央部には設けられていない。図４（ａ）は、処理室２０１内に収容されたウエハ２００側から見たノズル２３３ｄ，２３３ｅの側面構成を例示する図である。ボート２１７が例えば１２０枚のウエハ２００を保持する場合、ノズル２３３ｄの上部には、例えば１〜４０個、好ましくは３０〜４０個のガス供給孔２４８ｄが上部に配列されたウエハ２００の一枚一枚に対応するように設けられる。また、ノズル２３３ｅの下部には、例えば１〜４０個、好ましくは３０〜４０個のガス供給孔２４８ｅが下部に配列されたウエハ２００の一枚一枚に対応するように設けられることになる。

ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅは、例えば、それぞれが処理室２０１の中心を向くように開口し、ウエハ２００の中心に向けてガスを供給するように構成されている。また、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅをそれぞれ複数、例えば３０〜４０個設ける場合、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅは、例えば、それぞれが同一の開口面積を有し、更に、同じ開口ピッチで設けられるように構成される。

なお、ノズル２３３ａ〜２３３ｅの各上端部には、ノズル２３３ａ〜２３３ｅ内におけるガスの長時間にわたる滞留、いわゆるガス溜まりを防ぐため、図４（ａ）に例示するようなガス抜き孔２４８ｈを設けることが好ましい。

ノズル２３３ａ〜２３３ｅには、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｅがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ａには、ガス供給管２３２ｆが接続されている。ガス供給管２３２ａ〜２３２ｆには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ〜２４１ｆ、及び開閉弁であるバルブ２４３ａ〜２４３ｆがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｄ，２３２ｅのバルブ２４３ａ，２４３ｄ，２４３ｅよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管２３２ｇ〜２３２ｉがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｇ〜２３２ｉには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４１ｇ〜２４１ｉ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｇ〜２４３ｉがそれぞれ設けられている。

ガス供給管２３２ａからは、所定元素を含む原料ガスとして、例えば、所定元素としてのシリコン（Ｓｉ）とハロゲン元素としての塩素（Ｃｌ）とを含むクロロシラン系原料ガスが、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２３３ａを介して処理室２０１内へ供給される。ここで、クロロシラン系原料ガスとは、気体状態のクロロシラン系原料、例えば、常温常圧下で液体状態であるクロロシラン系原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるクロロシラン系原料等のことである。また、クロロシラン系原料とは、ハロゲン基としてのクロロ基を有するシラン系原料のことであり、少なくともＳｉおよびＣｌを含む原料のことである。すなわち、ここでいうクロロシラン系原料は、ハロゲン化物の一種とも言える。なお、本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「気体状態である原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。従って、本明細書において「クロロシラン系原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態であるクロロシラン系原料」を意味する場合、「気体状態であるクロロシラン系原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。クロロシラン系原料としては、例えば、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_２Ｃｌ_６、略称：ＨＣＤＳ）を用いることができる。なお、ＨＣＤＳのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガス（ＨＣＤＳガス）として供給することとなる。

ガス供給管２３２ｆからは、水素含有ガス（還元性ガス）が、ＭＦＣ２４１ｆ、バルブ２４３ｆ、ガス供給管２３２ａ、ノズル２３３ａを介して処理室２０１内へ供給される。水素含有ガスとしては、例えば、水素（Ｈ_２）ガスを用いることができる。

ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅからは、酸素含有ガス（酸化性ガス）が、ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅ、バルブ２４３ｄ，２４３ｅ、ノズル２３３ｄ，２４３ｅをそれぞれ介して処理室２０１内へ供給される。酸素含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ_２）ガスを用いることができる。

ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃからは、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ，２４１ｃ、バルブ２４３ｂ，２４３ｃ、ノズル２３３ｂ，２３３ｃをそれぞれ介して処理室２０１内へ供給される。また、同様に、ガス供給管２３２ｇ〜２３２ｉからは、不活性ガスとして、例えば、Ｎ_２ガスが、ＭＦＣ２４１ｇ〜２４１ｉ、バルブ２４３ｇ〜２４３ｉ、ガス供給管２３２ａ，２３２ｄ，２３２ｅ、ノズル２３３ａ，２３３ｄ，２３３ｅをそれぞれ介して処理室２０１内へ供給される。

各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系、すなわち、クロロシラン系原料ガス供給系が構成される。なお、ノズル２３３ａをクロロシラン系原料ガス供給系に含めて考えてもよい。また、原料ガス供給系を原料供給系と称することもでき、クロロシラン系原料ガス供給系をクロロシラン系原料供給系と称することもできる。

また、主に、ガス供給管２３２ｆ、ＭＦＣ２４１ｆ、バルブ２４３ｆにより、水素含有ガス供給系が構成される。なお、ガス供給管２３２ａにおけるガス供給管２３２ｆとの接続部より下流側、ノズル２３３ａを水素含有ガス供給系に含めて考えてもよい。ノズル２３３ａは、処理室２０１内へ水素含有ガスを供給する第１ノズルとして考えることができる。また、ガス供給孔２４８ａは、第１ノズルに設けられた第１ガス供給孔として考えることができる。このように、本実施形態に係るノズル２３３ａは、原料ガス供給系と水素含有ガス供給系とに共用されるように構成されている。

また、主に、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅ、ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅ、バルブ２４３ｄ，２４３ｅにより、酸素含有ガス供給系が構成される。なお、ノズル２３３ｄ，２３３ｅを酸素含有ガス供給系に含めて考えてもよい。ノズル２３３ｄ，２３３ｅは、処理室２０１内へ酸素含有ガスを供給する第２ノズルとして考えることができる。また、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅは、それぞれ、第２ノズルに設けられた第２ガス供給孔として考えることができる。また、ノズル２３３ｄは、複数のウエハ２００のうち上部に配列したウエハ２００にのみ対応するように、１つ以上の第２ガス供給孔を上部にのみ備える上部開口ノズルとして考えることができる。また、ノズル２３３ｅは、複数のウエハ２００のうち下部に配列したウエハ２００にのみ対応するように、１つ以上の第２ガス供給孔を下部にのみ備える下部開口ノズルとして考えることができる。なお、酸素含有ガス供給系は、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅのそれぞれにＭＦＣを備えていることから、ノズル２３３ｄから供給する酸素含有ガスの流量と、ノズル２３３ｅから供給する酸素含有ガスの流量と、をそれぞれ独立して制御することが可能である。つまり、酸素含有ガス供給系は、ノズル２３３ｄから供給する酸素含有ガスの流量と、ノズル２３３ｅから供給する酸素含有ガスの流量と、の比率（流量バランス）を、自在に調整することが可能である。

また、主に、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃ，２３２ｇ〜２３２ｉ、ＭＦＣ２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｇ〜２４１ｉ、バルブ２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｇ〜２４３ｉにより、不活性ガス供給系が構成される。なお、ガス供給管２３２ａ，２３２ｄ，２３２ｅにおけるガス供給管２３２ｇ〜２３２ｉとの接続部より下流側、ノズル２３３ａ〜２３３ｅを不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。不活性ガス供給系はパージガス供給系としても機能する。また、ガス供給管２３２ａからのガス供給と、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃからのガス供給とを同時に行う場合、ガスノズル２３３ｂ，２３３ｃから供給される不活性ガスは、ノズル２３３ａから供給される原料ガスを両側から挟み込むように流れ、処理室２０１内における原料ガスの流路、拡散具合、指向性等を制御するように作用する。このため、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃ，ＭＦＣ２４１ｂ，２４１ｃ，バルブ２４３ｂ，２４３ｃは、処理室２０１内における原料ガスの流路等を制御する流路制御ガス供給系として考えることができ、さらに、原料ガス供給系の一部として考えることもできる。この場合、ノズル２３３ｂ，２３３ｃを、流路制御ガス供給系、或いは原料ガス供給系が備える一対の補助ノズルとして考えることもできる。

インナチューブ２０４の側壁には、スリット状の貫通孔である排気孔２０４ｃが、垂直方向に細長く開設されている。排気孔２０４ｃは、正面視において矩形であり、少なくともノズル２３３ａのガス供給孔２４８ａが設けられる部分に対応するように、インナチューブ２０４の側壁の下部から上部にわたって設けられている。なお、排気孔２０４ｃは、ノズル２３３ａのガス供給孔２４８ａが設けられる部分に対応するように設けるだけでなく、その下方側にも対応するように設けることもできる。このように構成することで、処理室２０１内の下方においてパーティクル（異物）が発生した場合でも、そのパーティクルの上方への巻き上げを抑制し易くなる。

処理室２０１内と、インナチューブ２０４とアウタチューブ２０３との間の円環状の空間である排気空間２０５とは、排気孔２０４ｃを介して連通している。なお、上述のノズル２３３ａは、インナチューブ２０４内に収容されたウエハ２００の中心を挟んで排気孔２０４ｃと対向する位置に設けられている。言い換えると、ノズル２３３ａと排気孔２０４ｃとを結ぶ直線、すなわち、原料ガスの主たる流路（扇形に拡散する原料ガス流の中心）は、インナチューブ２０４内に収容されたウエハ２００の中心上を通るように構成されている。また、ノズル２３３ｄ，２３３ｅは、インナチューブ２０４内に収容されたウエハ２００の中心を挟んで排気孔２０４ｃと対向しない位置に設けられている。言い換えると、ノズル２３３ｄ，２３３ｅは、インナチューブ２０４内に収容されたウエハ２００の中心と排気孔２０４ｃとを結ぶ直線上に配置されることなくノズル２３３ａよりも排気孔２０４ｃに近い位置に設けられている。

アウタチューブ２０３の下部には、排気空間２０５を介して処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、排気空間２０５内、つまり、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により排気系が構成される。なお、排気孔２０４ｃ、排気空間２０５、及び真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。

このように、本実施形態では、インナチューブ２０４の内壁と、複数のウエハ２００の端部（外周）と、で定義される円環状の縦長に伸びた空間、つまり、円筒状の空間に連通（隣接）するノズル収容室２０４ａ，２０４ｂ内に配置したノズル２３３ａ〜２３３ｅを経由してガスを搬送している。そして、ノズル２３３ａ〜２３３ｅにそれぞれ開口されたガス供給孔２４８ａ〜２４８ｅから、ウエハ２００の近傍で初めて処理室２０１内へガスを噴出させている。そして、ウエハ２００を挟んでノズル２３３ａ〜２３３ｃと対向する位置に開設された排気孔２０４ｃから、インナチューブ２０４内の雰囲気を排気している。これにより、インナチューブ２０４内、つまり、処理室２０１内におけるガスの主たる流れを、ウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち水平方向とすることが容易となる。その結果、各ウエハ２００に対して均一にガスを供給することが可能となり、また、各ウエハ２００の中心付近へのガス供給を促進させることが可能となる。なお、ウエハ２００の表面上を流れたガス、すなわち、反応後の残ガスは、排気孔２０４ｃを介して排気空間２０５内に流れ、その後、排気口、すなわち、排気管２３１の方向に向かって流れる。排気空間２０５内における残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。

マニホールド２０９の下端開口は、上述したように、Ｏリング２２０ｂを介してシールキャップ２１９により気密に封止される。シールキャップ２１９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９のマニホールド２０９と反対側には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。すなわち、ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。

基板支持具としてのボート２１７は、複数、例えば１００〜１５０枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、つまり、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。なお、ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる断熱板２１８が水平姿勢で多段に支持されており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、ボート２１７の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。

アウタチューブ２０３とインナチューブ２０４との間には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル２３３ａ〜２３３ｅと同様にＬ字型に構成されており、アウタチューブ２０３の内壁に沿って設けられている。

図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｉ、バルブ２４３ａ〜２４３ｉ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ１２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｉによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｉの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作及び圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作等を制御するように構成されている。

なお、コントローラ１２１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３を用意し、係る外部記憶装置１２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ１２１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置１２３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を成膜するシーケンス例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

本実施形態では、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して複数の基板を処理する工程と、を順に実施する。

なお、複数の基板を処理する工程では、
処理室内へ原料ガスを供給する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給する工程と、を交互に所定回数行い、複数の基板上に酸化膜を形成する工程を実施する。

以下、本実施形態の成膜シーケンスを、図５（ａ）を用いて具体的に説明する。図５（ａ）は、本実施形態に係る成膜シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図である。

なお、ここでは、原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、酸素含有ガスとしてＯ_２ガスを、水素含有ガスとしてＨ_２ガスを用いる例について説明する。そして、複数のウエハ２００を収容した処理室２０１内へＨＣＤＳガスを供給し、複数のウエハ２００上に初期層としてシリコン含有層（Ｓｉ含有層）を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内へＯ_２ガスとＨ_２ガスとを供給し、初期層としてのＳｉ含有層をシリコン酸化層（ＳｉＯ_２層、以下、ＳｉＯ層ともいう）に変化させる工程と、を交互に所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ２００上に、所定組成及び所定膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜、以下ＳｉＯ膜ともいう）を形成する例について説明する。なお、Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内でＯ_２ガスとＨ_２ガスとを反応させて原子状酸素（ａｔｏｍｉｃ ｏｘｙｇｅｎ、Ｏ）等の酸素を含む水分（Ｈ_２Ｏ）非含有の酸化種を生成し、この酸化種を用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる例について説明する。

なお、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合）がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。

従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（又は膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（又は膜）を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（又は膜）を形成する」ことを意味する場合がある。

なお、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。

（ウエハチャージ及びボートロード）
複数のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示すように、複数のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

（圧力調整及び温度調整）
処理室２０１内の圧力、すなわち、ウエハ２００が存在する空間の圧力が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される（圧力調整）。なお、真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内のウエハ２００が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される（温度調整）。なお、ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構２６７によるボート２１７及びウエハ２００の回転を開始する。なお、回転機構２６７によるボート２１７及びウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

（ＳｉＯ膜形成工程）
その後、以下のステップ１〜４を順次実行する。

［ステップ１］
バルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内にＨＣＤＳガスを流す。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ２４１ａにより流量調整され、ガス供給孔２４８ａから、加熱された減圧状態の処理室２０１内へ供給される。その後、ＨＣＤＳガスは、排気孔２０４ｃを介して排気空間２０５内に流れ、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスが供給されることとなる（ＨＣＤＳガス供給）。このとき、同時にバルブ２４３ｇを開き、ガス供給管２３２ｇ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｇにより流量調整され、ＨＣＤＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気孔２０４ｃ、排気空間２０５を介して排気管２３１から排気される。

なお、このとき、同時にバルブ２４３ｂ，２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｂ，２４１ｃにより流量調整され、ガス供給孔２４８ｂ，２４８ｃから、処理室２０１内へ供給される。ガス供給孔２４８ａから供給されたＨＣＤＳガスは、ガス供給孔２４８ｂ，２４８ｃから供給されたＮ_２ガスにより両側から挟まれて、その流路が制限される。例えば、ウエハ２００の外周と処理室２０１の内壁との間の領域（隙間）へＮ_２ガスが供給されると、この領域の圧力が相対的に高くなり、ウエハ２００の外周と処理室２０１の内壁との間の領域へのＨＣＤＳガスの流れ込み（逃げ）が抑制される。その結果、各ウエハ２００の中心付近へのＨＣＤＳガスの供給が促進される。また、ウエハ２００の外周と処理室２０１の内壁との間の隙間において、ＨＣＤＳガスがＮ_２ガスによって適切な濃度となるように希釈されることで、ウエハ２００の外周付近に形成されるＳｉＯ膜の膜厚を、適正な膜厚に制御することができる。

なお、このとき、ノズル２３３ｄ，２３３ｅ内へのＨＣＤＳガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｈ，２４３ｉを開き、ガス供給管２３２ｈ，２３２ｉ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅ、ノズル２３３ｄ，２３３ｅを介して処理室２０１内へ供給され、排気孔２０４ｃ、排気空間２０５を介して排気管２３１から排気される。

このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１〜１３３００Ｐａ、好ましくは１０〜１３３０Ｐａの範囲内の圧力とする。ＭＦＣ２４１ａで制御するＨＣＤＳガスの供給流量は、例えば１〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＭＦＣ２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｇ〜２４１ｉで制御するＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＨＣＤＳガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒の範囲内の時間とする。このときヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、例えば３５０〜８００℃、好ましくは４５０〜８００℃、より好ましくは５５０〜７５０℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。

なお、ウエハ２００の温度が３５０℃未満となると、ウエハ２００上においてＨＣＤＳが分解、吸着しにくくなり、実用的な成膜速度が得られなくなることがある。ウエハ２００の温度を３５０℃以上とすることで、これを解消することが可能となり、十分な成膜速度が得られるようになる。また、ウエハ２００の温度を４５０℃以上とすることで、後述するステップ３における酸化力向上の効果が顕著となる。また、ウエハ２００の温度を５５０℃以上とすることで、ＨＣＤＳの分解を十分に行うことが可能となる。

また、ウエハ２００の温度が７５０℃、特に８００℃を超えると、ＣＶＤ反応が強くなる（気相反応が支配的になる）ことで、膜厚均一性が悪化しやすくなり、その制御が困難となってしまうことがある。ウエハ２００の温度を８００℃以下とすることで、膜厚均一性の悪化を抑制でき、その制御が可能となる。特にウエハ２００の温度を７５０℃以下とすることで、膜厚均一性を確保しやすくなり、その制御が容易となる。よって、ウエハ２００の温度は３５０〜８００℃とするのが好ましく、４５０〜８００℃とするのがより好ましく、５５０〜７５０℃とするのがより好ましい。

上述の条件下でウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、例えば１原子層未満から数原子層程度の厚さのＳｉ含有層が形成される。Ｓｉ含有層は、ＨＣＤＳガスの吸着層であってもよいし、Ｓｉ層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。ただし、Ｓｉ含有層は、Ｓｉ及びＣｌを含む層であることが好ましい。

ここでＳｉ層とは、Ｓｉにより構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるＳｉ薄膜をも含む総称である。なお、Ｓｉにより構成される連続的な層をＳｉ薄膜という場合もある。なお、Ｓｉ層を構成するＳｉは、Ｃｌとの結合が完全に切れていないものも含む。

また、ＨＣＤＳガスの吸着層は、ＨＣＤＳガスのガス分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。すなわち、ＨＣＤＳガスの吸着層は、ＨＣＤＳ分子で構成される１分子層もしくは１分子層未満の厚さの化学吸着層を含む。なお、ＨＣＤＳガスの吸着層を構成するＨＣＤＳ分子は、ＳｉとＣｌとの結合が一部切れたものも含む。

なお、１原子層未満の厚さの層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の厚さの層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。また、１分子層未満の厚さの層とは不連続に形成される分子層のことを意味しており、１分子層の厚さの層とは連続的に形成される分子層のことを意味している。

ＨＣＤＳガスが自己分解（熱分解）する条件下、すなわち、ＨＣＤＳの熱分解反応が生じる条件下では、ウエハ２００上にＳｉが堆積することでＳｉ層が形成される。ＨＣＤＳガスが自己分解（熱分解）しない条件下、すなわち、ＨＣＤＳの熱分解反応が生じない条件下では、ウエハ２００上にＨＣＤＳガスが吸着することでＨＣＤＳガスの吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上にＨＣＤＳガスの吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にＳｉ層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ、好ましい。

ウエハ２００上に形成されるＳｉ含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ３での酸化（改質）の作用がＳｉ含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なＳｉ含有層の厚さの最小値は１原子層未満である。よって、Ｓｉ含有層の厚さは、１原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。なお、Ｓｉ含有層の厚さを１原子層以下、すなわち、１原子層または１原子層未満とすることで、後述するステップ３での酸化反応（改質反応）の作用を相対的に高めることができ、ステップ３での酸化反応に要する時間を短縮することができる。ステップ１でのＳｉ含有層形成に要する時間を短縮することもできる。結果として、１サイクルあたりの処理時間を短縮することができ、トータルでの処理時間を短縮することも可能となる。すなわち、成膜レートを高くすることも可能となる。また、Ｓｉ含有層の厚さを１原子層以下とすることで、膜厚均一性の制御性を高めることも可能となる。

原料ガス（シリコン含有ガス）としては、ＨＣＤＳガスの他、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ_４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３、略称：ＴＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ_３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス等のクロロシラン系原料ガスを用いてもよい。また、（エチルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ_３［Ｎ（ＣＨ_３）（Ｃ_２Ｈ_５）］）ガス、（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ_３［Ｎ（ＣＨ_３）_２］）ガス、（ジエチルピペリジノ）シラン（ＳｉＨ_３［ＮＣ_５Ｈ_８（Ｃ_２Ｈ_５）_２］）ガス、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ_２［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビス（ターシャリブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ_２［ＮＨ（Ｃ_４Ｈ_９）］_２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ビス（ジエチルピペリジノ）シラン（ＳｉＨ_２［ＮＣ_５Ｈ_８（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_２、略称：ＢＤＥＰＳ）ガス、トリス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_３、略称：３ＤＥＡＳ）ガス、トリス（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_３、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、テトラキス（ジエチルアミノ）シラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_４、略称：４ＤＥＡＳ）ガス、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス等のアミノシラン系原料ガスを用いてもよい。不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ等の希ガスを用いてもよい。

［ステップ２］
Ｓｉ含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉ含有層形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する（残留ガス除去）。なお、このとき、バルブ２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｇ〜２４３ｉは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉ含有層形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。

なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ３において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内へ供給するＮ_２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、処理室２０１の容積と同程度の量を供給することで、ステップ３において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ_２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。

このときのヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、ＨＣＤＳガスの供給時と同じく、例えば３５０〜８００℃、好ましくは４５０〜８００℃、より好ましくは５５０〜７５０℃の範囲内の温度となるように設定する。不活性ガス供給系から供給するパージガスとしてのＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。パージガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ等の希ガスを用いてもよい。

［ステップ３］
処理室２０１内の残留ガスを除去した後、バルブ２４３ｄ，２４３ｅを開き、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅ内にＯ_２ガスをそれぞれ流す。Ｏ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅによりそれぞれ流量調整され、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅから、加熱された減圧状態の処理室２０１内へ供給される。このとき、同時にバルブ２４３ｆを開き、ガス供給管２３２ｆ内にＨ_２ガスを流す。Ｈ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｆにより流量調整され、ガス供給管２３２ａ内を経由して、ガス供給孔２４８ａから、加熱された減圧状態の処理室２０１内へ供給される。Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとは、処理室２０１内で混合し、排気孔２０４ｃを介して排気空間２０５内に流れ、排気管２３１から排気される（Ｏ_２ガス＋Ｈ_２ガス供給）。このとき、同時にバルブ２４３ｇ〜２４３ｉを開き、ガス供給管２３２ｇ〜２３２ｉ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ＭＦＣ２４１ｇ〜２４１ｉにより流量調整され、Ｏ_２ガスおよびＨ_２ガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気孔２０４ｃ、排気空間２０５を介して排気管２３１から排気される。

なお、このとき、ノズル２３３ｂ，２３３ｃ内へのＯ_２ガスやＨ_２ガス等の侵入を防止するため、バルブ２４３ｂ，２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃ内にＮ_２ガスを流す。Ｎ_２ガスは、ノズル２３３ｂ，２３３ｃを介して処理室２０１内へ供給され、排気孔２０４ｃ、排気空間２０５を介して排気管２３１から排気される。

このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、大気圧未満、例えば１〜１３３０Ｐａの範囲内の圧力に維持する。ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅで制御するＯ_２ガスの供給流量は、それぞれが例えば４００〜６０００ｓｃｃｍの範囲内、合計で例えば１０００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。つまり、ノズル２３３ｄから供給するＯ_２ガスの流量と、ノズル２３３ｅから供給するＯ_２ガスの流量と、の比率（流量バランス）を、例えば４：６〜６：４の範囲内の値とする。ＭＦＣ２４１ｆで制御するＨ_２ガスの供給流量は、例えば１０００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＭＦＣ２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｇ〜２４１ｉで制御するＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。Ｏ_２ガスおよびＨ_２ガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒の範囲内の時間とする。ヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、ステップ１のＨＣＤＳガスの供給時と同様な温度帯であって、後述する酸化力向上の効果が顕著となる温度帯、すなわち、例えば４５０〜８００℃、好ましくは５５０〜７５０℃の範囲内の温度となるように設定する。なお、この範囲内の温度であれば減圧雰囲気下でのＯ_２ガスへのＨ_２ガス添加による酸化力向上の効果（後述）が顕著となることを確認した。また、ウエハ２００の温度が低すぎると酸化力向上効果が得られないことも確認した。スループットを考慮すると、このように、ステップ１〜３で処理室２０１内の温度を同様な温度帯に保持するようにヒータ２０７の温度を設定するのが好ましい。さらには、ステップ１〜ステップ４（後述）にかけて処理室２０１内の温度を同様な温度帯に保持するようにヒータ２０７の温度を設定するのがより好ましい。この場合、ステップ１〜ステップ４（後述）にかけて処理室２０１内の温度が例えば４５０〜８００℃、好ましくは５５０〜７５０℃の範囲内の一定の温度となるようにヒータ２０７の温度を設定する。

上述の条件下でＯ_２ガスおよびＨ_２ガスを処理室２０１内へ供給することで、Ｏ_２ガスおよびＨ_２ガスは、加熱された減圧雰囲気下においてノンプラズマで熱的に活性化（励起）されて反応し、それにより原子状酸素（Ｏ）等の酸素を含む水分（Ｈ_２Ｏ）非含有の酸化種が生成される。そして、主にこの酸化種により、ステップ１でウエハ２００上に形成されたＳｉ含有層に対して酸化処理が行われる。この酸化種の持つエネルギーは、Ｓｉ含有層中に含まれるＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃの結合エネルギーよりも高いため、この酸化種のエネルギーをＳｉ含有層に与えることで、Ｓｉ含有層中に含まれるＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ結合は切り離される。Ｓｉとの結合を切り離されたＮ、Ｈ、Ｃｌ、Ｃは膜中から除去され、Ｎ_２、Ｈ_２、Ｃｌ_２、ＨＣｌ、ＣＯ_２等として排出される。また、Ｎ、Ｈ、Ｃｌ、Ｃとの結合が切られることで余ったＳｉの結合手は、酸化種に含まれるＯと結びつき、Ｓｉ−Ｏ結合が形成される。このようにして、Ｓｉ含有層は、Ｃｌ等の不純物の含有量が少ないＳｉＯ層へと変化させられる（改質される）。この酸化処理によれば、Ｏ_２ガスを単独で供給する場合や水蒸気（Ｈ_２Ｏ）を供給する場合に比べ、酸化力を大幅に向上させることができる。すなわち、減圧雰囲気下においてＯ_２ガスにＨ_２ガスを添加することで、Ｏ_２ガス単独供給の場合やＨ_２Ｏガスを供給する場合に比べ大幅な酸化力向上効果が得られる。

酸素含有ガスとしては、Ｏ_２ガスの他、オゾン（Ｏ_３）ガス等を用いてもよい。なお、上述の温度帯において、一酸化窒素（ＮＯ）ガスや亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスへの水素含有ガス添加効果を試してみたところ、ＮＯガス単独供給やＮ_２Ｏガス単独供給に比べて酸化力向上の効果が得られないことを確認した。すなわち、酸素含有ガスとしては窒素非含有の酸素含有ガス（窒素を含まず酸素を含むガス）を用いるのが好ましい。水素含有ガスとしては、Ｈ_２ガスの他、重水素（Ｄ_２）ガス等を用いてもよい。なお、アンモニア（ＮＨ_３）ガスやメタン（ＣＨ_４）ガス等を用いると、窒素（Ｎ）不純物や炭素（Ｃ）不純物の膜中への混入が考えられる。すなわち、水素含有ガスとしては、他元素非含有の水素含有ガス（他元素を含まず水素または重水素を含むガス）を用いるのが好ましい。すなわち、酸素含有ガスとしては、Ｏ_２ガスおよびＯ_３ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用いることができ、水素含有ガスとしては、Ｈ_２ガスおよびＤ_２ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用いることができる。

［ステップ４］
Ｓｉ含有層をＳｉＯ層へと変化させた後、バルブ２３２ｄ，２３２ｅ，２３２ｆを閉じ、Ｏ_２ガスおよびＨ_２ガスの供給をそれぞれ停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留するＯ_２ガスやＨ_２ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する（残留ガス除去）。また、バルブ２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｇ〜２４３ｉは開いたままとして、Ｎ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉＯ層形成に寄与した後のＯ_２ガスやＨ_２ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する効果を更に高めることができる。

なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ１において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内へ供給するＮ_２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、処理室２０１の容積と同程度の量を供給することで、ステップ１において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ_２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。

このときのヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、Ｏ_２ガスおよびＨ_２ガスの供給時と同じく、例えば４５０〜８００℃、好ましくは５５０〜７５０℃の範囲内の温度となるように設定する。各不活性ガス供給系から供給するパージガスとしてのＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。パージガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ等の希ガスを用いてもよい。

（所定回数実施）
上述したステップ１〜４を１サイクルとして、このサイクルを所定回数、好ましくは複数回（ｎ回）繰り返すことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯ膜を成膜することが出来る。

なお、サイクルを複数回行う場合、少なくとも２サイクル目以降の各ステップにおいて、「ウエハ２００に対して所定のガスを供給する」と記載した部分は、「ウエハ２００上に形成されている層に対して、すなわち、積層体としてのウエハ２００の最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味し、「ウエハ２００上に所定の層を形成する」と記載した部分は、「ウエハ２００上に形成されている層の上、すなわち、積層体としてのウエハ２００の最表面の上に所定の層を形成する」ことを意味している。この点は、上述の通りである。なお、この点は、後述する他の実施形態においても同様である。

（パージ及び大気圧復帰）
所定膜厚のＳｉＯ膜が成膜されると、バルブ２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｇ〜２４３ｉを開き、ガス供給管２３２ｂ，２３２ｃ，２３２ｇ〜２３２ｉのそれぞれからＮ_２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気孔２０４ｃ、排気空間２０５を介して排気管２３１から排気する。Ｎ_２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内が不活性ガスでパージされ、処理室２０１内に残留するガスが処理室２０１内から除去される（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

（ボートアンロード及びウエハディスチャージ）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済の複数のウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端から処理室２０１の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済みの複数のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。

（３）効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、ステップ３において、複数のウエハ２００が配列された基板配列領域に対応するように、少なくとも複数のガス供給孔２４８ａを上部から下部にわたり備えたノズル２３３ａ（第１ノズル）を用いて処理室２０１内へＨ_２ガスを供給している。さらに、このとき、複数のウエハ２００のうち上部及び下部に配列されたウエハ２００にのみ対応するように、それぞれ１つ以上のガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを上部及び下部にのみ備えたノズル２３３ｄ，２３３ｅ（第２ノズル）を用いて処理室２０１内へＯ_２ガスを供給している。これにより、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとが反応することで生成される酸化種（原子状酸素）の濃度分布を、ウエハ配列領域の全域にわたって、特に、ウエハ配列方向にわたって均一化させることが可能となる。その結果、複数のウエハ２００上に形成されるＳｉＯ膜の膜厚の面間均一性及び面内均一性をそれぞれ向上させることが可能となる。また、一括して処理するウエハ２００の数を減らす必要がないことから、基板処理の生産性の低下を回避することが可能となる。

また、本実施形態のように、ステップ３において、複数のウエハ２００の一枚一枚に対応するように、少なくとも複数のウエハ２００の数と同数のガス供給孔２４８ａを上部から下部にわたり備えたノズル２３３ａを用いて処理室２０１内へＨ_２ガスを供給し、さらに、このとき、複数のウエハ２００のうち上部及び下部に配列されたウエハ２００の一枚一枚にのみ対応するように、それぞれ１つ以上のガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを上部及び下部にのみ備えたノズル２３３ｄ，２３３ｅを用いて処理室２０１内へＯ_２ガスを供給することで、上述の効果を得ることが容易となる。

ここで、参考までに、従来の基板処理装置を用いてＳｉＯ膜を形成する場合について、図６を用いて説明する。

図６に示す従来の基板処理装置の縦型処理炉は、複数のウエハを水平姿勢で垂直方向に配列させて収容する処理室と、処理室内へＨＣＤＳガスおよびＨ_２ガスを供給するノズルと、処理室内へＯ_２ガスを供給するノズルと、を備えている。これら２本のノズルは、それぞれ、ウエハの配列方向に沿って延在するように、また、ウエハの外周に沿って互いに所定距離離れた位置に設けられている。また、これら２本のノズルの側部には、それぞれ、処理室内に収容される複数のウエハの一枚一枚に対応するように、少なくとも複数のウエハの数と同数のガス供給孔が設けられている。この処理室内に、水平姿勢で垂直方向に間隔を空けて配列された複数のウエハを収容し、その後、処理室内へＨＣＤＳガスを供給する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室内へＯ_２ガスとＨ_２ガスとを供給する工程とを、これらの工程の間に処理室内の残留ガスを除去するパージ工程を挟んで交互に所定回数行うことで、ウエハ上にＳｉＯ膜を形成することができる。

図６に示す縦型処理炉を用いて形成したＳｉＯ膜の面内膜厚分布を調べたところ、ＳｉＯ膜の膜厚が、ウエハの中心付近で薄く、外周付近で厚くなる場合があること、つまり、面内膜厚分布が円錐形（凹形）となる場合があることが分かった。この現象を、ウエハ面内におけるローディング効果（Ｌｏａｄｉｎｇ Ｅｆｆｅｃｔ）という（以下、単に面内ＬＥともいう）。面内ＬＥの発生要因としては、例えば、ＨＣＤＳガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２ガスなどの処理ガスが、ウエハの外周付近で消費されること等によって、ウエハの中心付近に対して充分に供給されなくなること、つまり、処理ガスの供給不足が挙げられる。また、例えば、上述のパージ工程における残留ガスの除去が不充分（パージ不足）であることも、一つの要因として挙げられる。残留ガスの除去が不充分であると、処理室内で異なる複数の処理ガスが混ざり合うことで気相反応が生じてしまい、その結果、ウエハの外周付近におけるＳｉＯ膜の膜厚が厚くなる場合がある。

また、図６に示す縦型処理炉を用いて形成したＳｉＯ膜の面間膜厚分布を調べたところ、図７に示すように、ＳｉＯ膜の膜厚が、ウエハ配列領域の中央部で薄く、ウエハ配列領域の下部及び上部で厚くなること、つまり、面間膜厚分布が、ウエハ配列方向に沿って弓なり形（アーチ形）となる場合があることが分かった。図７の横軸はウエハ上に形成されたＳｉＯ膜の面内平均膜厚（Å）を、縦軸は処理室内（ウエハ配列領域内）におけるウエハの位置を、それぞれ示している。図７によれば、ウエハ上に形成されたＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、ウエハ配列領域の中央部（ＣＥＮ）で８０（Å）と薄く、ウエハ配列領域の下部（ＢＴＭ）及び上部（ＴＯＰ）で８２〜８４（Å）と厚くなっていることが分かる。この現象を、ウエハ面間におけるローディング効果という（以下、単に面間ＬＥともいう）。

面間ＬＥの発生要因は、面内ＬＥの発生要因に比べて複雑である。例えば、図６に示す縦型処理炉を用い、複数の単結晶Ｓｉウエハ（以下、ベアウエハともいう）上にＳｉＯ膜を形成した場合、ＨＣＤＳガスの流量を増やしたり、Ｏ_２ガス及びＨ_２ガスの流量を増やしたりすることで、面内ＬＥは改善されるものの、面間ＬＥは充分に改善されない場合があることが分かっている。従って、面間ＬＥの発生要因には、面内ＬＥの発生要因である上述の処理ガスの供給不足や、パージ工程におけるパージ不足だけでなく、他の要因が存在しており、これら複数の要因が複合的に作用しているものと考えられる。発明者等は、面間ＬＥを発生させる他の要因として、例えば、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとの反応遅れ、つまり、処理室内におけるＯ_２ガスとＨ_２ガスとが反応することで酸化種（原子状酸素）が生成されるまでの距離（時間）や、処理室内における圧力差や、ウエハの被処理面、つまり、成膜の下地の状態等が挙げられるものと考え、鋭意検討を行った。

図９は、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとの反応遅れ、つまり、図６に例示するような縦型処理炉の処理室内において、処理室内へＯ_２ガスとＨ_２とが供給されてから、これらのガスが反応することで酸化種（原子状酸素）が生成されるまでの距離（時間）を分析するための解析モデルとその解析結果を示す図である。図９によれば、処理室内の温度を例えば６００℃とした場合、Ｏ_２ガスとＨ_２とが反応して原子状酸素が生成されるまでに、所定の距離（時間）が必要であることが分かる。図８は、上述の解析結果を基に得た、処理室内における原子状酸素の濃度分布を模式的に示す図である。図中●印は未反応のＯ_２ガス分子を、△印はＯ_２ガスとＨ_２との反応により生成された原子状酸素をそれぞれ示している。図８によれば、処理室内における原子状酸素の濃度は、ウエハ配列領域の中央部で低く（小さく）、ウエハ配列領域の下部及び上部で高く（大きく）なることが分かる。また、ウエハ配列領域の中央部では未反応のＯ_２ガスが多く残留していることも分かる。なお、図８に示す原子状酸素の濃度分布は、図７に示すＳｉＯ膜の面間膜厚分布と一致している。つまり、原子状酸素の濃度が小さいウエハ配列領域の中央部ではＳｉＯ膜の膜厚が薄くなっており、原子状酸素の濃度が大きいウエハ配列領域の下部及び上部ではＳｉＯ膜の膜厚が厚くなっている。つまり、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとの反応遅れが、面間ＬＥを引き起こす主要因の一つであることが分かる。

本実施形態では、複数のウエハ２００のうち上部及び下部に配列されたウエハ２００にのみ対応するように、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを上部及び下部にのみ備えたノズル２３３ｄ，２３３ｅを用いて処理室内へＯ_２ガスを供給することで、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとの反応遅れを適正に調整することが可能となる。つまり、処理室２０１内へＯ_２ガスとＨ_２ガスとが供給されてから、これらのガスが反応することで原子状酸素が生成されるまでの距離（時間）を適切に調整することが可能となる。また、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを上部及び下部にのみ備えたノズル２３３ｄ，２３３ｅを用いてＯ_２ガスを供給することで、処理室２０１内におけるＯ_２ガスの排気経路、つまり、Ｏ_２ガスが処理室２０１内へ供給されてから排気されるまでの経路を長くすることが可能となる。これにより、Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとが処理室２０１内で混ざり合った状態で滞在する距離（時間）、つまり、これらのガスが混ざり合った状態で移動する距離（時間）を長くすることが可能となる。これらの結果、処理室内における原子状酸素の濃度を、ウエハ配列領域の全域にわたって、特に、ウエハ配列方向にわたって均一化させることができ、これにより、上述の作用効果を得ることが可能となる。

なお、図６に例示した従来の基板処理装置においても、一括して処理するウエハの枚数を例えば１２５枚から例えば５０枚に減らすことで、面内ＬＥや面間ＬＥの発生を抑制することは可能である。但し、この場合、基板処理の生産性低下を招いてしまう。本実施形態によれば、一括して処理するウエハの枚数を減らす必要がないため、基板処理の生産性低下を回避することが可能となる。

（ｂ）本実施形態では、Ｏ_２ガスを供給するノズル２３３ｄ，２３３ｅ（第２ノズル）を、ウエハ２００の周方向に沿って、Ｈ_２ガスを供給するノズル２３３ａ（第１ノズル）から所定距離離れた位置に設けている。すなわち、Ｈ_２ガスを供給するノズル２３３ａを、インナチューブ２０４内に収容されたウエハ２００の中心を挟んで排気孔２０４ｃと対向する位置に設け、Ｏ_２ガスを供給するノズル２３３ｄ，２３３ｅを、インナチューブ２０４内に収容されたウエハ２００の中心を挟んで排気孔２０４ｃと対向しない位置に設けている。これにより、処理室２０１内へＯ_２ガスとＨ_２とが供給されてから、これらのガスが反応することで原子状酸素が生成されるまでの距離（時間）を、適切に調整することができる。また、処理室２０１内へＯ_２ガスとＨ_２とが供給されてから、これらのガスが混ざり合った状態で移動する距離（時間）を長くすることができる。これらの結果、処理室２０１内における原子状酸素の濃度分布を均一化させることが可能となり、ＳｉＯ膜の膜厚の面間均一性及び面内均一性を向上させることが可能となる。

（ｃ）本実施形態では、Ｏ_２ガスを供給する第２ノズルを、ノズル２３３ｄ，２３３ｅの２本構成としている。そして、ノズル２３３ｄ，２３３ｅに接続されたガス供給管２３２ｄ，２３２ｅのそれぞれに、ＭＦＣを設けている。これにより、ノズル２３３ｄから供給するＯ_２ガスの流量と、ノズル２３３ｅから供給するＯ_２ガスの流量と、を独立して制御することが可能である。つまり、ノズル２３３ｄから供給する酸素含有ガスの流量と、ノズル２３３ｅから供給する酸素含有ガスの流量と、の比率（流量バランス）を、自在に調整することが可能である。これにより、処理室２０１内における原子状酸素の濃度分布をより精度よく均一化させることが可能となり、ＳｉＯ膜の膜厚の面間均一性及び面内均一性をより向上させることが可能となる。

（ｄ）本実施形態では、ノズル２３３ａからＨＣＤＳガスを供給する際、ウエハ２００の外周に沿ってノズル２３３ａを両側から挟み込むように設けられたノズル２３３ｂ，２３３ｃからそれぞれＮ_２ガスを供給している。これにより、処理室２０１内におけるＨＣＤＳガスの流路等を制御することが可能となり、ＳｉＯ膜の膜厚の面内均一性を向上させることが可能となる。

（ｅ）本実施形態では、ＨＣＤＳガスの供給とＨ_２ガスの供給とを共にノズル２３３ａを用いて行うようにしている。つまり、ＨＣＤＳガスを供給するノズルと、Ｈ_２ガスを供給するノズルと、を共用するようにしている。これにより、基板処理装置の構成を簡素化することができ、その製造コストやメンテナンスコストを低減することが可能となる。

（ｆ）本実施形態によれば、ウエハ２００を収容した処理室２０１内へＨＣＤＳガスを供給し、ウエハ２００上にＳｉ含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内へＯ_２ガスとＨ_２ガスとを供給し、Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上にＳｉＯ膜を形成する。これにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉＯ膜の面内膜厚均一性及び段差被覆性を、一般的なＣＶＤ法によりＳｉＯ膜を形成する場合よりも向上させることが可能となる。

（ｇ）本実施形態によれば、Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程で、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内でＯ_２ガスとＨ_２ガスとを反応させて原子状酸素等の酸素を含む水分非含有の酸化種を生成し、この酸化種を用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる。これにより、Ｃｌ等の不純物の含有量が極めて少なく、極めて良質なＳｉＯ膜を形成することが可能となる。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅのそれぞれが、処理室２０１の中心を向くように開口し、ウエハ２００の中心に向けてＯ_２ガスを供給するように構成された例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅのそれぞれが、ウエハ２００の中心よりもＨ_２ガス流の下流側に、つまり、ガス排気孔２０４ｃ寄りにＯ_２ガスを供給するように構成されていてもよい。また、例えば、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅのそれぞれが、ウエハ２００の中心よりもＨ_２ガス流の上流側に、つまり、ガス供給孔２４８ａ寄りにＯ_２ガスを供給するように構成されていてもよい。このように構成することで、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅから供給されたＯ_２ガスと、ガス供給孔２４８ａから供給されたＨ_２ガスと、が混ざり合うまでの距離（時間）や混ざり合った状態で移動する距離（時間）を長くしたり、短くしたりすることが可能となる。その結果、処理室２０１内における原子状酸素の濃度分布、特に、ウエハ配列方向における濃度分布を、適正に調整することが可能となる。

また、上述の実施形態では、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅをそれぞれ複数設け、さらに、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅの開口面積及び開口ピッチをそれぞれ同一とする例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。

例えば、ガス供給孔２４８ｄを複数設ける場合、図４（ｂ）に示すように、ノズル２３３ｄの上端からその下方に向かうにつれて、ガス供給孔２４８ｄの開口面積を徐々に小さくしてもよい。また、ガス供給孔２４８ｅを複数設ける場合、ノズル２３３ｅの下端からその上方に向かうにつれて、ガス供給孔２４８ｅの開口面積を徐々に小さくしてもよい。

また、例えば、ガス供給孔２４８ｄを複数設ける場合、図４（ｃ）に示すように、ノズル２３３ｄの上端からその下方に向かうにつれて、ガス供給孔２４８ｄの開口ピッチを徐々に大きくしてもよい。また、ガス供給孔２４８ｅを複数設ける場合、ノズル２３３ｅの下端からその上方に向かうにつれて、ガス供給孔２４８ｅの開口ピッチを徐々に大きくしてもよい。

これらのように構成することで、処理室２０１内における原子状酸素の濃度分布、特に、ウエハ配列方向における濃度分布を、よりなだらかに（段差なく連続的に）調整することが可能となる。

また、上述の実施形態では、酸素含有ガスを供給する第２ノズルを、上部開口ノズルとしてのノズル２３３ｄと、下部開口ノズルとしてのノズル２３３ｅと、の２本のノズルにより構成する例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、図４（ｄ）に示すように、第２ノズルを、それぞれ１つ以上のガス供給孔２４８ｄ’を上部及び下部にのみ備える１本のノズル２３３ｄ’として構成してもよい。このように構成することで、基板処理装置の構成を簡素化することができ、その製造コストやメンテナンスコストを低減することが可能となる。なお、図４（ｄ）では、上部のガス供給孔２４８ｄ’の開口面積がノズル２３３ｄ’の上端からその下方へ向かうにつれて徐々に小さくなり、下部のガス供給孔２４８ｄ’の開口面積がノズル２３３ｄ’の下端からその上方へ向かうにつれて徐々に小さくなる例を示している。

また、上述の実施形態では、上部開口ノズルとしてのノズル２３３ｄの長さと、下部開口ノズルとしてのノズル２３３ｅの長さを、同一とする例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、下部開口ノズルとしてのノズル２３３ｅの長さを、図４（ｅ）に示すように、上部開口ノズルとしてのノズル２３３ｄの長さよりも短く構成してもよい。このように構成することで、ノズルの製造コスト、つまり、基板処理装置の製造コストを低減することが可能となる。ただし、この場合、ガスが移動する空間の体積が、ノズル２３３ｅが存在する部分と、ノズル２３３ｅが存在しないノズル２３３ｅの上方の部分とで異なることとなり、ノズル２３３ｅの上方の空間へ、より多くのガスが流れ込むことがある。この点で、図４（ａ）〜（ｃ）に例示したように、上部開口ノズルとしてのノズル２３３ｄの長さと、下部開口ノズルとしてのノズル２３３ｅの長さを、同一とする方が好ましい。このように構成することで、ガスが移動する空間の体積を、ウエハ２００の配列方向にわたり均一化させることができ、基板処理の面間均一性を、より向上させることが可能となる。

また、上述の実施形態では、ガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃを、処理室２０１内に収容された複数のウエハ２００の一枚一枚に（それぞれに）対応するように、少なくとも複数のウエハ２００の数と同数設ける例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃを、処理室２０１内に収容された複数のウエハ２００のうち、数枚のウエハ２００に対して１つずつ、例えば、２枚のウエハ２００に対して１つずつ設けてもよい。また、例えば、ガス供給孔２４８ａ〜２４８ｃを、複数のウエハ２００の一枚一枚に対応するようにそれぞれ数個ずつ、例えば１枚のウエハ２００に対して２個ずつ設けてもよい。

また、上述の実施形態では、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを、処理室２０１内の上部或いは下部に配列した複数のウエハ２００の一枚一枚に（それぞれに）対応するように、少なくとも上部或いは下部に配列された複数のウエハ２００の数と同数設ける例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを、処理室２０１内の上部或いは下部に収容された複数のウエハ２００のうち、数枚のウエハ２００に対応して１つずつ、例えば２枚のウエハ２００に対して１つずつ設けてもよい。また、例えば、ガス供給孔２４８ｄ，２４８ｅを、処理室２０１内の上部或いは下部に収容された複数のウエハ２００の一枚一枚に対応するようにそれぞれ数個ずつ、例えば２個ずつ設けてもよい。

また、上述の実施形態では、ＨＣＤＳガスの供給とＨ_２ガスの供給とを共にノズル２３３ａを用いて行う例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ＨＣＤＳガスの供給をノズル２３３ａを用いて行い、Ｈ_２ガスの供給をノズル２３３ｂ，２３３ｃのいずれか一方或いは両方を用いて行うようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、ＨＣＤＳガスの供給をノズル２３３ａを用いて行う例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ＨＣＤＳガスの供給を、ノズル２３３ａを用いずに、ノズル２３３ｂ，２３３ｃのいずれかを用いて行うようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、Ｏ_２ガスの供給を、ノズル２３３ｄ，２３３ｅのみを用いて行う例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、Ｏ_２ガスの供給を、ノズル２３３ｄ，２３３ｅを用いて行いつつ、さらに、ノズル２３３ａ〜２３３ｃのいずれかを用いて行うようにしてもよい。例えば、ＨＣＤＳガス及びＨ_２ガスの供給をノズル２３３ｃを用いて行い、Ｏ_２ガスの供給をノズル２３３ｂ，２３３ｄ，２３３ｅを用いて行うようにしてもよい。

すなわち、ＨＣＤＳガスの供給をノズル２３３ａ〜２３３ｃのいずれかを用いて行うようにしてもよい。また、Ｈ_２ガスの供給をノズル２３３ａ〜２３３ｃのいずれかを用いて行うようにしてもよい。また、Ｏ_２ガスの供給を２３３ｄ，２３３ｅを用いて、もしくは、ノズル２３３ｄ，２３３ｅおよびノズル２３３ａ〜２３３ｃのいずれかを用いて行うようにしてもよい。なお、ＨＣＤＳガスを供給するノズルと、Ｈ_２ガスを供給するノズルとは共用としてもよい。また、Ｏ_２ガスを供給するノズルと、Ｈ_２ガスを供給するノズルとは共用としてもよい。複数種類のガスでノズルを共用とした方が、基板処理装置の構成を簡素化することができ、その製造コストやメンテナンスコストを低減することが可能となる。但し、上述の温度条件下では、ＨＣＤＳガスとＨ_２ガスとは反応しないが、ＨＣＤＳガスとＯ_２ガスとは反応することが考えられるので、ＨＣＤＳガスを供給するノズルと、Ｏ_２ガスを供給するノズルとは、別にした方がよい。

また、上述の実施形態では、ノズル２３３ａからＨＣＤＳガスを供給する際、ウエハ２００の外周に沿ってノズル２３３ａを両側から挟み込むように設けられたノズル２３３ｂ，２３３ｃからそれぞれＮ_２ガスを供給し、これにより、ＨＣＤＳガスの流路等を制御する例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ノズル２３３ａからＨＣＤＳガスを供給する際、ノズル２３３ｂ，２３３ｃのいずれか一方からのみＮ_２ガスを供給し、これにより、ＨＣＤＳガスの流路等を制御するようにしてもよい。また、ノズル２３３ａからＨＣＤＳガスを供給する際、ノズル２３３ｂ，２３３ｃからＮ_２ガスを供給しない場合や、ノズル２３３ｂ，２３３ｃ、及びこれらのノズルに接続される流路制御ガス供給系を備えていない場合についても、本発明は好適に適用可能である。

また、上述の実施形態では、複数のウエハ２００を収容した処理室２０１内へＨＣＤＳガスを供給する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内へＨ_２ガスとＯ_２ガスとを供給する工程と、を交互に所定回数（１回以上）行い、複数のウエハ２００上にＳｉＯ膜を形成（堆積）する成膜シーケンスについて説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、図５（ｂ）にガス供給タイミングを示すように、これらの工程を同時に所定回数（１回以上）行うことで、複数のウエハ２００上にＳｉＯ膜を形成（堆積）する成膜シーケンスにも、本発明は好適に適用可能である。また、例えば、図５（ｃ）にガス供給タイミングを示すように、複数のウエハ２００を収容した加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内へＨ_２ガスとＯ_２ガスとを供給することで、複数のウエハ２００の表面をそれぞれ酸化させてＳｉＯ膜を形成する成膜シーケンスにも、本発明は好適に適用可能である。これらにおける処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

また、上述の実施形態では、処理室２０１内へのＨ_２ガスおよびＯ_２ガスの供給を同時に開始し、その後、処理室２０１内へのＨ_２ガスおよびＯ_２ガスの供給を同時に停止する例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、図１３（ａ）にガス供給シーケンス（タイミング）を示すように、処理室２０１内へのＨ_２ガスの供給開始をＯ_２ガスの供給開始よりも先に行ったり、処理室２０１内へのＨ_２ガスの供給停止をＯ_２ガスの供給停止よりも後に行ったりしてもよい。つまり、ステップ３においては、Ｈ_２ガスの供給開始を先行させてもよく、また、Ｏ_２ガスの供給停止を先行させたりしてもよい。また、例えば、図１３（ｂ）にガス供給シーケンスを示すように、処理室２０１内へ供給するＨ_２ガスの流量を、処理室２０１内へ供給するＯ_２ガスの流量よりも大きくしてもよい。つまり、ステップ３におけるＯ_２ガス及びＨ_２ガスの供給条件を、水素リッチな条件としてもよい。また、図１３（ｃ）にガス供給シーケンスを示すように、図１３（ａ）（ｂ）に示すガス供給シーケンスを組み合わせてもよい。

図１３（ａ）〜（ｃ）に示すガス供給シーケンスによれば、成膜の下地を酸化させることなく、ＳｉＯ膜を形成することが可能となる。これは、成膜の下地がメタル（金属膜）である場合に特に有効となる。Ｏ_２ガスとＨ_２ガスとを反応させて生成した原子状酸素を用いる場合、原子状酸素の酸化力が強いため、成膜中に成膜の下地が酸化されてしまうことがある。これに対し、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、ステップ３において、Ｈ_２ガスの供給開始を先行させたり、Ｏ_２ガスの供給停止を先行させたり、ガスの供給条件を水素リッチな条件としたり、これらの手法を組み合わせたりすることで、還元（Ｈ_２）雰囲気下で原子状酸素を用いて酸化を行えるようになり、成膜の下地の酸化を抑制できるようになる。図１３（ａ）〜（ｃ）に示すガス供給シーケンスにおいても、上述の実施形態と同様の作用効果が得られる。

また、上述の実施形態では、ＨＣＤＳガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２ガスを用いてウエハ２００上にＳｉＯ膜を形成する例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。

例えば、図１４（ａ）にガス供給シーケンスを示すように、複数のウエハ２００を収容した処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給と、処理室２０１内への窒化ガスとしてのアンモニア（ＮＨ_３）ガスの供給と、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室２０１内へのＯ_２ガスとＨ_２ガスとの供給と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上にシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を形成してもよい。また、図１４（ａ）に示すガス供給シーケンスでは、処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給を行わないようにしてもよい。この場合、ウエハ２００上にはシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）が形成されることとなる。

また、例えば、図１４（ｂ）にガス供給シーケンスを示すように、複数のウエハ２００を収容した処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給と、処理室２０１内へのＮＨ_３ガスの供給と、処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上にＳｉＯＮ膜を形成してもよい。また、図１４（ｂ）に示すガス供給シーケンスでは、処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給を行わないようにしてもよい。この場合、ウエハ２００上にはＳｉＮ膜が形成されることとなる。

また、例えば、図１４（ｃ）にガス供給シーケンスを示すように、図５（ａ）に示すガス供給シーケンスによりＳｉＯ膜を形成した後、図１４（ｂ）に示すガス供給シーケンスによりＳｉＯＮ膜を形成し、ウエハ２００上に、ＳｉＯ膜とＳｉＯＮ膜とが積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。また、ＳｉＯＮ膜を形成した後、ＳｉＯ膜を形成し、ウエハ２００上に、ＳｉＯＮ膜とＳｉＯ膜とが積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。また、ＳｉＯ膜の形成と、ＳｉＯＮ膜の形成と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に、ＳｉＯ膜とＳｉＯＮ膜とが交互に積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。

また、図１４（ｄ）にガス供給シーケンスを示すように、図５（ａ）に示すガス供給シーケンスによりＳｉＯ膜を形成した後、図１４（ｂ）に示すガス供給シーケンスによりＳｉＯＮ膜を形成し、その後、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給と、処理室２０１内へのＮＨ_３ガスの供給と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことでＳｉＮ膜を形成し、ウエハ２００上に、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜が積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。また、上述のＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜の形成順序は任意に変更してもよい。例えば、ＳｉＯ膜を形成した後、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜の順に形成し、ウエハ２００上に、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜が積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。また例えば、ＳｉＯＮ膜を形成した後、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜の順に形成したり、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜の順に形成したりして、ウエハ２００上に、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜が積層してなる積層膜や、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜が積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。また例えば、ＳｉＮ膜を形成した後、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯ膜の順に形成したり、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜の順に形成したりして、ウエハ２００上に、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯ膜が積層してなる積層膜や、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜が積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。また、ＳｉＯ膜の形成、ＳｉＯＮ膜の形成、ＳｉＮ膜の形成を含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜が任意の順序で積層してなる積層膜をｉｎ−ｓｉｔｕにて形成してもよい。

なお、これらの場合、ＮＨ_３ガスは、ガス供給管２３３ａ〜２３３ｃのいずれかから供給するようにしてもよい。この場合、ＮＨ_３ガスを供給するノズルと、Ｈ_２ガスを供給するノズルと、を共用としてもよい。ノズルの本数を減らすことで、基板処理装置の製造コストやメンテナンスコストを低減することが可能となる。但し、上述の温度条件下では、ＨＣＤＳガスとＮＨ_３ガスとは反応することが考えられるので、ＨＣＤＳガスを供給するノズルと、ＮＨ_３ガスを供給するノズルとは、別にした方がよい。例えば、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内へＮＨ_３ガスを供給するようにしてもよい。この場合、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、窒化ガス（窒素含有ガス）供給系が構成されることとなる。なお、ノズル２３３ｂを窒化ガス供給系に含めて考えてもよい。

また、上述の実施形態では、ステップ３において処理室２０１内へＨ_２ガスを供給する間、つまり、Ｈ_２ガスの供給期間に、処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給を連続的に行う例について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ステップ３において処理室２０１内へＨ_２ガスを供給する間に、処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給を間欠的に複数回行うようにしてもよい。また、ステップ３において処理室２０１内へＨ_２ガスを供給する間に、ノズル２３３ｄを用いた処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給と、ノズル２３３ｅを用いた処理室２０１内へのＯ_２ガスの供給と、を交互に複数回行うようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、薄膜として、半導体元素であるＳｉを含む半導体系薄膜を形成する例について説明したが、本発明は係る場合に限定されない。すなわち、本発明は、薄膜として、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属元素を含む金属系薄膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。

例えば、Ｔｉを含む金属系薄膜としてチタン酸化膜（ＴｉＯ膜）を形成する場合は、原料ガスとして、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ_４）等のＴｉおよびクロロ基を含むガスや、チタニウムテトラフルオライド（ＴｉＦ_４）等のＴｉおよびフルオロ基を含むガスや、テトラキスエチルメチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＴ）等のＴｉおよびアミノ基を含むガスを用いることができる。酸素含有ガス及び水素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

また例えば、Ｚｒを含む金属系薄膜としてジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ膜）を形成する場合は、原料ガスとして、ジルコニウムテトラクロライド（ＺｒＣｌ_４）等のＺｒおよびクロロ基を含むガスや、ジルコニウムテトラフルオライド（ＺｒＦ_４）等のＺｒおよびフルオロ基を含むガスや、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＺ）等のＺｒおよびアミノ基を含むガスを用いることができる。酸素含有ガス及び水素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

また例えば、Ｈｆを含む金属系薄膜としてハフニウム酸化膜（ＨｆＯ膜）を形成する場合は、原料ガスとして、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ_４）等のＨｆおよびクロロ基を含むガスや、ハフニウムテトラフルオライド（ＨｆＦ_４）等のＨｆおよびフルオロ基を含むガスや、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３）］_４、略称：ＴＥＭＡＨ）等のＨｆおよびアミノ基を含むガスを用いることができる。酸素含有ガス及び水素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

また例えば、Ｔａを含む金属系薄膜としてタンタル酸化膜（ＴａＯ膜）を形成する場合は、原料ガスとして、タンタルペンタクロライド（ＴａＣｌ_５）等のＴａおよびクロロ基を含むガスや、タンタルペンタフルオライド（ＴａＦ_５）等のＴａおよびフルオロ基を含むガスや、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５、略称：ＰＥＴ）等のＴａおよびエトキシ基を含むガスを用いることができる。酸素含有ガス及び水素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

また例えば、Ａｌを含む金属系薄膜としてアルミニウム酸化膜（ＡｌＯ膜）を形成する場合は、原料ガスとして、アルミニウムトリクロライド（ＡｌＣｌ_３）等のＡｌおよびクロロ基を含むガスや、アルミニウムトリフルオライド（ＡｌＦ_３）等のＡｌおよびフルオロ基を含むガスや、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ_３）_３、略称：ＴＭＡ）等のＡｌおよびメチル基を含むガスを用いることができる。酸素含有ガス及び水素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

また例えば、Ｍｏを含む金属系薄膜としてモリブデン酸化膜（ＭｏＯ膜）を形成する場合は、原料ガスとして、モリブデンペンタクロライド（ＭｏＣｌ_５）等のＭｏおよびクロロ基を含むガスや、モリブデンペンタフルオライド（ＭｏＦ_５）等のＭｏおよびフルオロ基を含むガスを用いることができる。酸素含有ガス及び水素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。

このように、本発明は、半導体系薄膜だけでなく、金属系薄膜の成膜にも適用することができ、この場合であっても、上述の実施形態と同様な作用効果が得られる。すなわち、本発明は、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給する工程を有する基板処理全般に適用可能である。

なお、上述した基板処理に用いられるプロセスレシピ（処理手順や処理条件が記載されたプログラム）は、基板処理の内容（膜種、組成、膜質、膜厚等）に応じて、それぞれ個別に用意する（複数用意する）ことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、基板処理の内容に応じて、複数のプロセスレシピの中から、適正なプロセスレシピを適宜選択することが好ましい。具体的には、基板処理の内容に応じて個別に用意された複数のプロセスレシピを、電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体（外部記憶装置１２３）を介して、基板処理装置が備える記憶装置１２１ｃ内に予め格納（インストール）しておくことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、基板処理装置が備えるＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のプロセスレシピの中から、基板処理の内容に応じて、適正なプロセスレシピを適宜選択することが好ましい。このように構成することで、１台の基板処理装置で、様々な種類の基板処理を、汎用的に、かつ、再現性よく行うことが可能となる。また、オペレータの操作負担（処理手順や処理条件の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、基板処理を迅速に開始できるようになる。

上述のプロセスレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のプロセスレシピを変更することで用意してもよい。プロセスレシピを変更する場合は、変更後のプロセスレシピを、電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のプロセスレシピを直接変更するようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて複数の基板を一括して処理する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて複数の基板を一括して処理する場合にも、好適に適用できる。

また、上述の各実施形態は、適宜組み合わせて用いることができる。

（実施例１）
実施例１として、上述の実施形態における基板処理装置を用い、上述の図５（ａ）に示した成膜シーケンスにより、複数のウエハ上にＳｉＯ膜を形成した。原料ガスとしてはＨＣＤＳガスを、酸素含有ガスとしてはＯ_２ガスを、水素含有ガスとしてはＨ_２ガスを用いた。Ｏ_２ガスの供給は、図４（ｂ）に示すタイプのノズル２３３ｄ，２３３ｅを用いて行った。成膜中はボート、つまり、ウエハを回転させた。処理条件は上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の所定の値に設定した。また、比較例１として、図６に示した縦型処理炉を用い、複数のウエハ上にＳｉＯ膜を形成した。比較例１において用いたガス種、成膜シーケンス、処理条件は、実施例１と同様にした。

図１０（ａ）は、比較例１に係るＳｉＯ膜の面間膜厚均一性を示すグラフ図であり、図１０（ｂ）は、実施例１に係るＳｉＯ膜の面間膜厚均一性を示すグラフ図である。図１０（ａ）（ｂ）の横軸は、ウエハ上に形成されたＳｉＯ膜の面内平均膜厚（Å）を、縦軸は処理室内（ウエハ配列領域内）におけるウエハの位置を、それぞれ示している。図１０によれば、比較例１に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、ウエハ配列領域の中央部で薄く、ウエハ配列領域の下部及び上部で厚くなっており、その差は最大で３．６（Å）であることが分かる。また、実施例１に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、ウエハ配列領域の下部、中央部、上部で同等であり、面内平均膜厚の差は最大で１．１（Å）であることが分かる。つまり、実施例１に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、比較例１に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚と比べて均一化されていることが分かる。従って、複数のウエハのうち上部及び下部に配列したウエハにのみ対応するように、ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えたノズルを用いて処理室内へＯ_２ガスを供給することで、ＳｉＯ膜の面間膜厚均一性を向上できることが分かる。

（実施例２）
実施例２として、上述の実施形態における基板処理装置を用い、上述の図５（ａ）に示した成膜シーケンスにより、複数のウエハ上にＳｉＯ膜を形成した。実施例２において用いたガス種、成膜シーケンス、処理条件は、実施例１と同様にした。Ｏ_２ガスの供給は、図４（ｂ）に示すタイプのノズル２３３ｄ，２３３ｅを用いて行った。ＨＣＤＳガスの供給およびＨ_２ガスの供給は、ノズル２３３ｂを用いて行った。成膜中はボート、つまり、ウエハを回転させなかった。

また、比較例２として、上述の実施形態における基板処理装置を用い、上述の図５（ａ）に示した成膜シーケンスにより、複数のウエハ上にＳｉＯ膜を形成した。比較例２において用いたガス種、成膜シーケンス、処理条件は、実施例２と同様にした。Ｏ_２ガスの供給はノズル２３３ｃを用いて行い、ＨＣＤＳガスの供給およびＨ_２ガスの供給はノズル２３３ｂを用いて行った。ノズル２３３ｄ，２３３ｅからはＯ_２ガスを供給しなかった。成膜中はボート、つまり、ウエハを回転させなかった。

図１１（ａ）は、比較例２に係るＳｉＯ膜の面内膜厚分布を示す図であり、図１１（ｂ）は、実施例２に係るＳｉＯ膜の膜厚分布を示す図である。図１１に示す各処理炉断面図において、上部３つの○印は、右から順にノズル２３３ｂ，２３３ａ，２３３ｃを示しており、左下２つの○印は、上から順にノズル２３３ｄ，２３３ｅを示している。また、図中「ＢＴＭ」「ＣＥＮ」「ＴＯＰ」は、それぞれ、ウエハの位置、つまり、ウエハ配列領域の下部、中央部、上部をそれぞれ示している。また、図中「薄」はＳｉＯ膜の膜厚が比較的薄いことを、「厚」はＳｉＯ膜の膜厚が比較的厚いことを示している。

図１１（ａ）によれば、比較例２に係るＳｉＯ膜は、ウエハ配列領域の下部、中央部、上部のいずれも、ＨＣＤＳガス、Ｈ_２ガス、Ｏ_２ガスを供給する側からその反対側に向かうにつれて、すなわち排気孔に向かうにつれて、膜厚が厚くなっていることが分かる。また、ウエハ配列領域の下部、上部では、ＳｉＯ膜の面内平均膜厚は同等であることが分かる。また、ウエハ配列領域の中央部では、ウエハ配列領域の下部、上部に比べ、ＳｉＯ膜の面内平均膜厚が薄くなっていることが分かる。

また、図１１（ｂ）によれば、実施例２に係るＳｉＯ膜は、ウエハ配列領域の下部、上部では、それぞれ、Ｏ_２ガスを供給する側からその反対側に向かうにつれて、すなわち、Ｏ_２ガスを供給する側から離れるにつれて、膜厚が厚くなっていることが分かる。これに対し、ウエハ配列領域の中央部では、ＨＣＤＳガス、Ｈ_２ガスを供給する側からその反対側に向かうにつれて、すなわち排気孔に向かうにつれて、膜厚が厚くなっていることが分かる。つまり、ＳｉＯ膜の面内膜厚分布について、ウエハ配列領域の中央部では、ウエハ配列領域の下部、上部と比較して、異なる傾向を示していることが分かる。しかしながら、実施例２に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、ウエハ配列領域の下部、中央部、上部で同等であり、比較例２に係るＳｉＯ膜と比べて均一化されていることが分かる。従って、複数のウエハのうち上部及び下部に配列したウエハにのみ対応するように、ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えたノズルを用いて処理室内へＯ_２ガスを供給することで、ＳｉＯ膜の面間膜厚均一性を向上できることが分かる。

図１２は、実施例２及び比較例２に係るＳｉＯ膜の面間膜厚均一性を示すグラフ図である。図１２の横軸は、ウエハ上に形成されたＳｉＯ膜の面内平均膜厚（Å）を、縦軸は処理室内（ウエハ配列領域内）におけるウエハの位置を、それぞれ示している。図中の▲印は比較例２を、■印は実施例２をそれぞれ示している。図１２によれば、比較例２に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、ウエハ配列領域の中央部で薄く、ウエハ配列領域の下部、上部で厚くなっており、面間ＬＥによる影響が大きいことが分かる。また、実施例２に係るＳｉＯ膜の面内平均膜厚は、ウエハ配列領域の下部、中央部、上部で同等であり、比較例２に比べて均一化されており、面内ＬＥの発生が抑制できていることが分かる。従って、複数のウエハのうち上部及び下部に配列したウエハにのみ対応するように、ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えたノズルを用いて処理室内へＯ_２ガスを供給することで、ＳｉＯ膜の面間膜厚均一性を向上できることが分かる。

＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。

（付記１）
本発明の一態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ水素含有ガスを供給する第１ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、を備え、
前記第１ノズルは、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、
前記第２ノズルは、前記複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える基板処理装置が提供される。

（付記２）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第１ノズルに接続され、前記第１ノズルを介して前記処理室内へ水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
前記第２ノズルに接続され、前記第２ノズルを介して前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
複数の基板を収容した加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理するように、前記水素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される制御部と、
をさらに備える。

（付記３）
付記２の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
複数の基板を収容した加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記処理室内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を用いて前記複数の基板を処理するように、前記水素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される。

（付記４）
付記１の基板処理装置であって、
前記処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記第１ノズルに接続され、前記第１ノズルを介して前記処理室内へ水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
前記第２ノズルに接続され、前記第２ノズルを介して前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
複数の基板を収容した前記処理室内へ原料ガスを供給する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する処理と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系、前記水素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される制御部と、
をさらに備える。

（付記５）
付記４の基板処理装置であって、
前記制御部は、
複数の基板を収容した前記処理室内へ原料ガスを供給し、初期層を形成する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記処理室内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を用いて前記初期層を酸化層に変化させる処理と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系、前記水素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される。

（付記６）
付記１〜５のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第２ノズルは、前記基板の周方向に沿って前記第１ノズルから所定距離離れた位置に設けられている。

（付記７）
付記１〜６のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理室内を排気する排気孔をさらに備え、
前記第１ノズルは前記処理室内に収容された前記基板の中心を挟んで前記排気孔と対向する位置に設けられ、
前記第２ノズルは前記処理室内に収容された前記基板の中心を挟んで前記排気孔と対向しない位置に設けられている。

（付記８）
付記１〜７のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理室内を排気する排気孔をさらに備え、
前記第２ノズルは、前記第１ノズルよりも前記排気孔に近い位置に設けられている。
（前記第２ノズルと前記排気孔との距離は、前記第１ノズルと前記排気孔との距離よりも短い）

（付記９）
付記１〜８のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第２ノズルは、
前記複数の基板のうち上部に配列した基板にのみ対応するように、１つ以上の前記第２ガス供給孔を上部にのみ備える上部開口ノズルと、
前記複数の基板のうち下部に配列した基板にのみ対応するように、１つ以上の前記第２ガス供給孔を下部にのみ備える下部開口ノズルと、
を備える。

（付記１０）
付記２〜９のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第２ノズルは、
前記複数の基板のうち上部に配列した基板にのみ対応するように、１つ以上の前記第２ガス供給孔を上部にのみ備える上部開口ノズルと、
前記複数の基板のうち下部に配列した基板にのみ対応するように、１つ以上の前記第２ガス供給孔を下部にのみ備える下部開口ノズルと、
を備え、
前記酸素含有ガス供給系は、前記上部開口ノズルと前記下部開口ノズルとにそれぞれ接続され、前記上部開口ノズルから供給する酸素含有ガスの流量と、前記下部開口ノズルから供給する酸素含有ガスの流量と、をそれぞれ独立して制御することが可能なように構成されている。

（付記１１）
付記４〜１０のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記原料ガス供給系は、前記第１ノズルに接続されている。

（付記１２）
付記４〜１０のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように複数の第３ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第３ノズルをさらに備え、
前記原料ガス供給系は、前記第３ノズルに接続されている。

（付記１３）
付記１〜１２のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理室が内部に形成されたインナチューブと、
前記インナチューブを取り囲むアウタチューブと、
前記インナチューブの側壁に開設された排気孔と、
前記アウタチューブと前記インナチューブとに挟まれる空間を排気する排気系と、
を備える。

（付記１４）
本発明の他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理するインナチューブと、
前記インナチューブを取り囲むアウタチューブと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記インナチューブ内に水素含有ガスを供給する第１ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記インナチューブ内に酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、
前記インナチューブの側壁に開設された排気孔と、
前記アウタチューブと前記インナチューブとに挟まれる空間を排気する排気系と、を備え、
前記第１ノズルは、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、
前記第２ノズルは、前記複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える基板処理装置が提供される。

（付記１５）
付記１３または１４に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第１ノズルは、前記インナチューブ内に収容された前記基板の中心を挟んで前記排気孔と対向する位置に設けられ、
前記第２ノズルは、前記インナチューブ内に収容された前記基板の中心を挟んで前記排気孔と対向しない位置に設けられている。

（付記１６）
付記１３〜１５のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第２ノズルは、前記第１ノズルよりも前記排気孔に近い位置に設けられている。

（付記１７）
本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、
前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給し、
前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記１８）
本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給する工程と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、を有し、
前記基板上に酸化膜を形成する工程では、
前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給し、
前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する半導体装置の製造方法が提供される。

（付記１９）
本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する手順と、
加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理する手順と、をコンピュータに実行させ、
前記基板を処理する手順では、
前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給させ、
前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給させるプログラム、及び該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

（付記２０）
本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する手順と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する手順と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給する手順と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する手順と、をコンピュータに実行させ、
前記基板上に酸化膜を形成する手順では、
前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給させ、
前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給させるプログラム、及び該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

１２１ コントローラ
２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ アウタチューブ
２０４ インナチューブ
２０９ マニホールド
２１０ 反応管
２０７ ヒータ
２３１ 排気管
２３３ａ ノズル（第１ノズル）
２３３ｄ ノズル（第２ノズル）
２３３ｅ ノズル（第２ノズル）
２３２ａ〜２３２ｅ ガス供給管

Claims (4)

1. 間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
   前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ水素含有ガスを供給する第１ノズルと、
   前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、を備え、
   前記第１ノズルは、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、
   前記第２ノズルは、前記複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える基板処理装置。
2. 前記第１ノズルに接続され、前記第１ノズルを介して前記処理室内へ水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
   前記第２ノズルに接続され、前記第２ノズルを介して前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
   前記処理室内を加熱するヒータと、
   前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
   複数の基板を収容した加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理するように、前記水素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される制御部と、
   をさらに備える請求項１に記載の基板処理装置。
3. 間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
   加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理する工程と、を有し、
   前記基板を処理する工程では、
   前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給し、
   前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する半導体装置の製造方法。
4. 間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する手順と、
   加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理室内へ水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して前記複数の基板を処理する手順と、をコンピュータに実行させ、
   前記基板を処理する手順では、
   前記複数の基板が配列された基板配列領域に対応するように、複数の第１ガス供給孔を上部から下部にわたり備えた第１ノズルを用いて前記処理室内へ水素含有ガスを供給させ、
   前記複数の基板のうち上部及び下部に配列された基板にのみ対応するように、それぞれ１つ以上の第２ガス供給孔を上部及び下部にのみ備えた第２ノズルを用いて前記処理室内へ酸素含有ガスを供給させるプログラム。