JP6230809B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対してノンプラズマの雰囲気下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給して前記基板の表面を前処理する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する工程と、
を有し、
前記前処理する工程では、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を2%以上20%以下とし、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成する半導体装置の製造方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内へガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整部と、
前記圧力調整部による制御により大気圧未満の圧力に設定された前記処理室内の前記ヒータにより加熱された基板に対して前記ガス供給系よりノンプラズマの雰囲気下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給して前記基板の表面を前処理する処理と、
前記処理室内の前記基板に対して前記ガス供給系より原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記ガス供給系より反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する処理と、
を行わせ、
前記前処理する処理では、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を2%以上20%以下とし、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成するように、前記ヒータ、前記ガス供給系および前記圧力調整部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
大気圧未満の圧力下にある基板処理装置の処理室内の加熱された基板に対してノンプラズマの雰囲気下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給して前記基板の表面を前処理する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する手順と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させ、
前記前処理する手順では、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を2%以上20%以下とし、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成することをコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
(1)基板処理装置の構成
図1に示されているように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する処理を実施する方法の例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ:ステップS101)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード:ステップS102)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。なお、真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。なお、ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転を開始する。なお、回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
[O2ガス+H2ガス供給:ステップS121]
次に、第2ガス供給管232bのバルブ243bを開き、第2ガス供給管232b内にO2ガスを流す。O2ガスは第2ガス供給管232bから流れ、MFC241bにより流量調整される。流量調整されたO2ガスは、第2ガス供給管232bを経由して、第2ノズル233bのガス供給孔248bから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。このとき同時に、第3ガス供給管232cのバルブ243cを開き、第3ガス供給管232c内にH2ガスを流す。H2ガスは第3ガス供給管232cから流れ、MFC241cにより流量調整される。流量調整されたH2ガスは、第3ガス供給管232c、232bを経由して、第2ノズル233bのガス供給孔248bから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。なお、H2ガスは、第2ガス供給管232bを経由する際に、第2ガス供給管232b内でO2ガスと混合される。すなわち、第2ノズル233bからは、O2ガスとH2ガスとの混合ガスが供給されることとなる。バッファ室237内に供給されたO2ガスとH2ガスとの混合ガスは、バッファ室237のガス供給孔248cから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対してO2ガスとH2ガスとが供給されることとなる(O2ガス+H2ガス供給)。
ウエハ200の表面のシリコン層の表面を酸化させてSiO層を形成した後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを閉じ、O2ガスの供給を停止する。また、第3ガス供給管232cのバルブ243cを閉じ、H2ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留したO2ガスやH2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する(残留ガス除去)。また、バルブ243d〜243fは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはSiO層形成に寄与した後のO2ガスやH2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を更に高めることができる。
ウエハ200の表面のシリコン層の表面を酸化させてSiO層を形成する前処理を行った後、以下のステップS131〜S134を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数(1回以上)、好ましくは複数回繰り返す(ステップS135)ことにより、ウエハ200の表面に形成されたSiO層上に、所定膜厚のシリコン酸化膜を成膜する。
第1ガス供給管232aのバルブ243aを開き、第1ガス供給管232a内にHCDSガスを流す。HCDSガスは、第1ガス供給管232aから流れ、MFC241aにより流量調整される。流量調整されたHCDSガスは、第1ノズル233aのガス供給孔248aから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してHCDSガスが供給されることとなる(HCDSガス供給)。
ウエハ200上にシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管232aのバルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する(残留ガス除去)。なお、このとき、バルブ243d〜243fは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを開き、第2ガス供給管232b内にO2ガスを流す。O2ガスは第2ガス供給管232bから流れ、MFC241bにより流量調整される。流量調整されたO2ガスは、第2ガス供給管232bを経由して、第2ノズル233bのガス供給孔248bから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。このとき同時に、第3ガス供給管232cのバルブ243cを開き、第3ガス供給管232c内にH2ガスを流す。H2ガスは第3ガス供給管232cから流れ、MFC241cにより流量調整される。流量調整されたH2ガスは、第3ガス供給管232c、232bを経由して、第2ノズル233bのガス供給孔248bから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。なお、H2ガスは、第2ガス供給管232bを経由する際に、第2ガス供給管232b内でO2ガスと混合される。すなわち、第2ノズル233bからは、O2ガスとH2ガスとの混合ガスが供給されることとなる。バッファ室237内に供給されたO2ガスとH2ガスとの混合ガスは、バッファ室237のガス供給孔248cから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対してO2ガスとH2ガスとが供給されることとなる(O2ガス+H2ガス供給)。
シリコン含有層をSiO層へと変化させた後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを閉じ、O2ガスの供給を停止する。また、第3ガス供給管232cのバルブ243cを閉じ、H2ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留したO2ガスやH2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する(残留ガス除去)。また、バルブ243d〜243fは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはSiO層形成に寄与した後のO2ガスやH2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を更に高めることができる。
上述したステップS131〜S134を1サイクルとして、このサイクルを所定回数、好ましくは複数回(n回)繰り返す(ステップS135)ことにより、ウエハ200上、すなわち、ウエハ200の表面に形成されたSiO層上に所定膜厚のシリコン酸化膜(SiO2膜、以下、単にSiO膜ともいう)を成膜することが出来る。
所定膜厚のSiO膜が成膜されると、バルブ243d〜243fを開き、不活性ガス供給管232d〜232fのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスが処理室201内から除去される(パージ:ステップS104)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰:ステップS104)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に保持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード:ステップS106)される。ボートアンロードの後は、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。その後、処理済みのウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ:ステップS107)。
以上、好適な一実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
面内膜厚均一性=[(面内最大膜厚−面内最小膜厚)/(面内平均膜厚×2)]×100(±%)・・・(1)
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記1の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスを供給する工程では、大気圧未満の圧力下にある前記処理室内の加熱された前記基板に対して前記反応ガスとして酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、前記薄膜を形成する工程では、前記前処理が行われた前記基板上に前記薄膜として酸化膜を形成する。
付記2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の処理条件を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の処理条件と異ならせる。
付記2または3の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する時間を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する時間と異ならせる。
付記2または3の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する時間を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する時間よりも長くする。
付記2乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の酸素含有ガスおよび水素含有ガスに対する水素含有ガスの濃度を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の酸素含有ガスおよび水素含有ガスに対する水素含有ガスの濃度と異ならせる。
付記2乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の酸素含有ガスおよび水素含有ガスに対する水素含有ガスの濃度を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の酸素含有ガスおよび水素含有ガスに対する水素含有ガスの濃度以下とする。
付記1乃至7のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理する工程では、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成する。
付記8の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記酸化層の厚さを0.1〜10Å(0.01〜1nm)とする。
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記前処理を行う前の前記基板の表面にはシリコンが露出している。
本発明の他の態様によれば、
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する工程と、大気圧未満の圧力下にある前記処理室内の加熱された前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に酸化膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給して層を形成する工程と、大気圧未満の圧力下にある前記処理室内の加熱された前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記層を酸化する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に酸化膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する工程と、
を有する基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内へガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整部と、
前記圧力調整部による制御により大気圧未満の圧力に設定された前記処理室内の前記ヒータにより加熱された基板に対して前記ガス供給系より酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する処理と、
前記処理室内の前記基板に対して前記ガス供給系より原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記ガス供給系より反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する処理と、
を行うように、前記ヒータ、前記ガス供給系および前記圧力調整部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する手順と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板の表面を前処理する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する手順と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
207 ヒータ
231 排気管
232a 第1ガス供給管
232b 第2ガス供給管
232c 第3ガス供給管
241a マスフローコントローラ
241b マスフローコントローラ
241c マスフローコントローラ
244 APCバルブ(圧力調整部)
Claims (15)
- 大気圧未満の圧力下にある処理室内の加熱された基板に対してノンプラズマの雰囲気下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給して前記基板の表面を前処理する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する工程と、
を有し、
前記前処理する工程では、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を2%以上20%以下とし、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記前処理する工程では、前記処理室内で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素を含む酸化種を用いて前記基板の表面を酸化する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理する工程では、前記処理室内で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素を含む水分非含有の酸化種を用いて前記基板の表面を酸化する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化層の厚さを0.01〜1nmとする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、大気圧未満の圧力下にある前記処理室内の加熱された前記基板に対して前記反応ガスとして酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、前記薄膜を形成する工程では、前記前処理により前記基板の表面に形成された前記酸化層の上に前記薄膜として酸化膜を形成する請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する際の処理条件を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する際の処理条件と異ならせる請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する時間を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する時間と異ならせる請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する時間を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する時間よりも長くする請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する際の前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する際の前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度と異ならせる請求項5〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理する工程において前記基板に対して酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給する際の前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を、前記薄膜を形成する工程において前記基板に対して前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給する際の前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度以下とする請求項5〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化膜の厚さが10nm以下である請求項5〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前処理を行う前の前記基板の表面にはシリコンが露出している請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜は、半導体元素および金属元素のうち少なくともいずれかを含む請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内へガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整部と、
前記圧力調整部による制御により大気圧未満の圧力に設定された前記処理室内の前記ヒータにより加熱された基板に対して前記ガス供給系よりノンプラズマの雰囲気下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給して前記基板の表面を前処理する処理と、
前記処理室内の前記基板に対して前記ガス供給系より原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記ガス供給系より反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する処理と、
を行わせ、
前記前処理する処理では、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を2%以上20%以下とし、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成するように、前記ヒータ、前記ガス供給系および前記圧力調整部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 大気圧未満の圧力下にある基板処理装置の処理室内の加熱された基板に対してノンプラズマの雰囲気下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを同時に供給して前記基板の表面を前処理する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して反応ガスを供給する手順と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記前処理が行われた前記基板上に薄膜を形成する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させ、
前記前処理する手順では、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスに対する前記水素含有ガスの濃度を2%以上20%以下とし、前記基板の表面を酸化することで、前記基板の表面に酸化層を形成することをコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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