JP2021114606A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021114606A JP2021114606A JP2021044934A JP2021044934A JP2021114606A JP 2021114606 A JP2021114606 A JP 2021114606A JP 2021044934 A JP2021044934 A JP 2021044934A JP 2021044934 A JP2021044934 A JP 2021044934A JP 2021114606 A JP2021114606 A JP 2021114606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- gas
- chamber
- raw material
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 237
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 152
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 152
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 551
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 138
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 80
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 5
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 70
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態に係る基板処理装置の一例について図1〜図8に従って説明する。なお、図中に示す矢印Hは装置上下方向(鉛直方向)を示し、矢印Wは装置幅方向(水平方向)を示し、矢印Dは装置奥行方向(水平方向)を示す。
基板処理装置10は、図2に示されるように、各部を制御する制御部280及び処理炉202を備え、処理炉202は、加熱手段であるヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、図示しないヒータベースに支持されることにより装置上下方向に据え付けられている。ヒータ207は、処理ガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。なお、制御部280については、詳細を後述する。
次に、内管12、ノズル室222、ガス供給管310a〜310e、ガスノズル340a〜340e、及び制御部280について説明する。
内管12の周壁には、図3、図4に示されるように、供給孔の一例である供給スリット235a、235b、235cと、供給スリット235a、235b、235cと対向するように、排出部の一例である第一排気口236が形成されている。また、内管12の周壁において第一排気口236の下方には、第一排気口236より開口面積が小さい排出部の一例である第二排気口237が形成されている。このように、供給スリット235a、235b、235cと、第一排気口236、第二排気口237とは、内管12の周方向において異なる位置に形成されている。
ノズル室222は、図1、図4に示されるように、内管12の外周面12cと外管14の内周面14aとの間の間隙Sに形成されている。ノズル室222は、上下方向に延びている第一ノズル室222aと、上下方向に延びている第二ノズル室222bと、上下方向に延びている第三ノズル室222cとを備えている。また、第一ノズル室222aと、第二ノズル室222bと、第三ノズル室222cとは、この順番で処理室201の周方向に並んで形成されている。
ガスノズル340a〜340cは、上下方向に延びており、図1に示したように、各ノズル室222a〜222cに夫々設置されている。具体的には、ガス供給管310a(図2参照)に連通するガスノズル340aは、第一ノズル室222aに配置されている。さらに、ガス供給管310b(図2参照)に連通するガスノズル340b、ガス供給管310c(図2参照)に連通するガスノズル340c、及びガス供給管310d(図2参照)に連通するガスノズル340dは、第二ノズル室222bに配置されている。また、ガス供給管310e(図2参照)に連通するガスノズル340eは、第三ノズル室222cに配置されている。
ガス供給管310aは、図2に示されるように、ノズル支持部350aを介してガスノズル340aと連通しており、ガス供給管310bは、ノズル支持部350b(図6参照)を介してガスノズル340bと連通している。また、ガス供給管310cは、ノズル支持部350c(図6参照)を介してガスノズル340cと連通しており、ガス供給管310dは、ノズル支持部350d(図6参照)を介してガスノズル340dと連通している。さらに、ガス供給管310eは、ノズル支持部350e(図6参照)を介してガスノズル340eと連通している。
図7は、基板処理装置10を示すブロック図であり、基板処理装置10の制御部280(所謂コントローラ)は、コンピュータとして構成されている。このコンピュータは、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、及びI/Oポート121dを備えている。
次に、本発明に関わる基板処理装置の動作概要を、制御部280が行う制御手順に従って図8に示す成膜シーケンスを用いて説明する。図8には、本実施形態に係る成膜シーケンスにおけるガスの供給量(縦軸)と、ガス供給のタイミング(横軸)とがグラフで示されている。なお、反応管203には、予め所定枚数のウェハ200が載置されたボート217が搬入されており、シールキャップ219によって反応管203が気密に閉塞されている。
制御部280による各部の制御によって、排気口230から反応管203の内部の雰囲気が排気されると、制御部280は、バルブ330b、330c、330dを開作動して、ガスノズル340cの噴射孔234cから第2原料ガスとしてシリコン(Si)ソースガスを噴射させる。さらに、ガスノズル340bの噴射孔234b、及びガスノズル340dの噴射孔234dからキャリアガスとしての不活性ガス(窒素ガス)を噴射させる(図8参照)。つまり、制御部280は、第二ノズル室222bに配置されているガスノズル340b、340c、340dの噴射孔234b、234c、234dから処理ガスを噴出せせる。
所定時間経過して第1の処理工程が完了すると、制御部280は、バルブ330cを閉作動して、ガスノズル340cからの第2原料ガスの供給を停止する。また、制御部280は、バルブ330b、バルブ330dの開度を小さくし、ガスノズル340b、340dの噴射孔234b、234cから逆流防止ガスとしての不活性ガス(窒素ガス)を噴射させる。さらに、制御部280は、バルブ330gを開作動して、ガスノズル340cの噴射孔234cから逆流防止ガスとしての不活性ガス(窒素ガス)を噴射させる。
所定時間経過して第1の排出工程が完了すると、制御部280は、バルブ330aを開作動して、ガスノズル340aの噴射孔234aから第1原料ガスとしてアンモニア(NH3)ガスを噴射させる。さらに、制御部280は、バルブ330fを閉作動して、ガスノズル340aからの逆流防止ガスとしての不活性ガス(窒素ガス)の供給を停止する。
所定時間経過して第2の処理工程が完了すると、制御部280は、バルブ330aを閉作動して、ガスノズル340aからの第1原料ガスの供給を停止する。また、制御部280は、バルブ330fを開作動して、ガスノズル340aの噴射孔234aから逆流防止ガスとしての不活性ガス(窒素ガス)を噴射させる。
以上説明したように、基板処理装置10では、第2原料ガスが流れるガスノズル340cが配置された第二ノズル室222bには、キャリアガスとしての不活性ガス(窒素ガス)が流れるガスノズル340b、340dも配置されている。さらに、ガスノズル340b、ガスノズル340c、ガスノズル340dと、ガス供給源360b、360c、360dとの間は、夫々ガス供給管310b、310c、310dによって独立に連通されている。
次に、変形例1に係る基板処理装置510の一例を図9に従って説明する。なお、変形例1については、最初に説明した実施形態と異なる部分を主に説明する。
次に、変形例2に係る基板処理装置610の一例を図10、図11に従って説明する。なお、変形例2については、最初に説明した実施形態と異なる部分を主に説明する。基板処理装置610は、実施形態の第一ノズル室222aに対応する第一ノズル室622aと、実施形態の第二ノズル室222bに対応する第二ノズル室622bと、実施形態の第三ノズル室222cに対応する第三ノズル室622cとを備えている。
図10、図11に示されるように、第二ノズル室622bには、上端部で折り返したU字状のガスノズル640cが配置されている。さらに、ガスノズル640cには、上下方向に延びている一対の噴射孔634c、634dが形成されている。具体的には、噴射孔634c、634dは、ガスノズル640cの上下方向に延びる部分に夫々形成されている。また、噴射孔634c、634dが上下方向で形成されている範囲は、ウェハ200が上下方向で配置されている範囲を上下方向で覆っている。さらに、一対の噴射孔634c、634dは、供給スリット235bと夫々対向するように形成されている。
図10、図11に示されるように、第一ノズル室622aには、ガスノズル640aと、ガスノズル640aに対して第二ノズル室622b側に位置するガスノズル640bとが配置されている。さらに、ガスノズル640aには、ピンホール状の噴射孔634aが、上下方向に並んで同様の間隔で複数形成されている。また、噴射孔634aが上下方向で形成されている範囲は、ウェハ200が上下方向で配置されている範囲を上下方向で覆っている。さらに、噴射孔634aは、供給スリット235aと夫々対向するように形成されている。
図10、図11に示されるように、第三ノズル室622cには、ガスノズル640eと、ガスノズル640eに対して第二ノズル室622b側に位置するガスノズル640fとが配置されている。さらに、ガスノズル640eには、ピンホール状の噴射孔634eが、上下方向に並んで同様の間隔で複数形成されている。また、噴射孔634eが上下方向で形成されている範囲は、ウェハ200が上下方向で配置されている範囲を上下方向で覆っている。さらに、噴射孔634eは、供給スリット235cと夫々対向するように形成されている。
基板処理装置610の制御部680は、成膜シーケンスの第1の処理工程において、バルブ630c、630dを開作動して、ガスノズル640cの噴射孔634c、634dから第2原料ガスとしてシリコンソースガスを噴射させる。
次に、実施形態の変形例3に係る基板処理装置710の一例を図12、図13に従って説明する。なお、変形例3については、最初に説明した実施形態と異なる部分を主に説明する。
次に、変形例4に係る基板処理装置810の一例を図14に従って説明する。なお、変形例4については、最初に説明した実施形態と異なる部分を主に説明する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記1)
複数の基板を軸方向に並んだ状態で保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する前記軸方向に延びた円柱状の処理室が形成された管状の管部材であって、前記処理室内の流体を外部に排出するための排出部と、前記排出部とは周方向で異なる位置で前記基板を処理する処理ガスを前記処理室へ供給するための複数の供給孔とが形成された管部材と、
前記管部材の外周面側で前記処理室の周方向に並んで複数形成されると共に前記供給孔によって前記処理室と連通する供給室を区画する区画部材と、
複数の前記供給室に夫々配置され、内部を流れる前記処理ガスを、前記供給孔を通して前記処理室の内部へ噴射する噴射孔が周面に形成され、前記軸方向に延びたガスノズルと、
夫々の前記ガスノズルと夫々のガス供給源との間を夫々連通させる複数のガス供給管と、を備え、
前記供給室は、第1ノズル室と第2ノズル室を含み、
前記処理ガスは前記基板に形成される膜の原料となる原料ガスを含んでおり、前記原料ガスが流れるガスノズルが配置された第2ノズル室には、他の処理ガスが流れるガスノズルが配置されている基板処理装置。
(付記2)
付記1の基板処理装置であって、前記原料ガスが流れるガスノズル及び前記他の処理ガスが流れるガスノズルと連通する前記ガス供給管には、処理ガスの流量を制御する流量制御器が夫々設けられている。
(付記3)
付記1又は付記2に記載の基板処理装置であって、前記他の処理ガスは、噴射された原料ガスをアシストするキャリアガスを含んでおり、
前記第2ノズル室には、原料ガスが流れるガスノズルと、キャリアガスが流れる一対のガスノズルが配置されており、前記周方向において、原料ガスが流れる前記ガスノズルが、キャリアガスが流れる一対の前記ガスノズルに挟まれている。
(付記4)
付記2を引用する付記3に記載の基板処理装置であって、前記流量制御器を制御して、キャリアガスが流れる一対の前記ガスノズルの前記噴射孔から夫々噴射されるキャリアガスの流量若しくは流速を、原料ガスが流れる前記ガスノズルの前記噴射孔から噴射される原料ガスのそれと比して多くする。
(付記5)
付記4に記載の基板処理装置であって、キャリアガスが流れる一対の前記ガスノズルの前記噴射孔から夫々噴射されるキャリアガスの噴出方向と、原料ガスが流れる前記ガスノズルの前記噴射孔から噴射される原料ガスの噴出方向とが実質的に平行になるように前記噴射孔が前記ガスノズルに形成されている。
(付記6)
付記1〜5の何れか1に記載の基板処理装置であって、前記他の処理ガスは、噴射された原料ガスをアシストするキャリアガスを含んでおり、
前記第1ノズル室には、原料ガスが流れるガスノズルと、キャリアガスが流れるガスノズルが配置されており、
原料ガスが流れる前記ガスノズルには、前記軸方向に渡って満遍なく前記噴射孔が形成され、キャリアガスが流れる前記ガスノズルには、上端側の部分、及び下端側の部分にのみ前記噴射孔が形成されている。
(付記7)
付記1〜6の何れか1に記載の基板処理装置であって、前記処理ガスは、噴射された原料ガスをアシストするキャリアガスを含んでおり、
前記第2ノズル室には、原料ガスが流れる前記ガスノズルと、前記ガスノズルを内部に収容されると共にキャリアガスが流れるガスノズルとが配置されており、
原料ガスが流れる前記ガスノズルの内部と、キャリアガスが流れる前記ガスノズルの外部とを連通させ、外部に噴射される原料ガスが流れる複数の連通管を備える。
(付記8)
付記2を引用する付記3に記載の基板処理装置であって、前記流量制御器を制御して、キャリアガスが流れる一対の前記ガスノズルの前記噴射孔から夫々噴射されるキャリアガスの流量を微量とする。
12 内管(管部材の一例)
18a 第一仕切(区画部材の一例)
18b 第二仕切(区画部材の一例)
18c 第三仕切(区画部材の一例)
18d 第四仕切(区画部材の一例)
20 天板
200 ウェハ(基板の一例)
201 処理室
217 ボート(基板保持具の一例)
222a 第一ノズル室(供給室の一例)
222b 第二ノズル室(供給室の一例)
222c 第三ノズル室(供給室の一例)
234a〜234e 噴射孔
235a〜 235c 供給スリット(供給孔の一例)
236 第一排気口(排出部の一例)
237 第二排気口(排出部の一例)
310a〜310g ガス供給管
320a〜 320g MFC(流量制御器の一例)
340a〜340e ガスノズル
360a 原料ガス供給源
360b 不活性ガス供給源
360c 原料ガス供給源
360d〜360g 不活性ガス供給源
Claims (24)
- 基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室が形成された管部材であって、前記処理室の内部の流体を外部に排出する排出部と、前記排出部とは異なる位置で前記基板を処理する処理ガスを前記処理室の内部へ供給する供給部とが形成された管部材と、
前記供給部によって前記処理室と連通し、ノズルを収容するノズル室と、
前記ノズル室に周方向に並んで配置され、内部を流れる前記処理ガスを、前記供給部を通して前記処理室の内部へ噴射する噴射孔が側面に形成された、上下方向に延びた第1、第2及び第3ノズルと、
前記第1、第2及び第3ノズルと夫々のガス供給源との間を夫々連通させる複数のガス供給管と、を備え、
前記処理ガスは、第1および第2原料ガスと、不活性ガスとを含み、前記第1および第2原料ガスの少なくとも一方は基板に形成される膜を構成する元素を含み、
前記第1ノズルは、2つのガスノズルを有し、前記第1原料ガスと不活性ガスを噴射可能に構成され、
前記第2ノズルは、前記管部材の周方向において前記第1ノズルの間に配置され、前記第1ノズルが前記第1原料ガスを噴射しているときに不活性ガスを供給可能であり、且つ、前記第1ノズルが前記第1原料ガスを噴射していないときに前記第2原料ガスを噴射可能に構成され、
前記第3ノズルは、前記第1ノズルの2つのガスノズルにそれぞれ隣接して配置される2つのガスノズルを含み、不活性ガスを噴射可能に構成され、
前記第2ノズルが前記第2原料ガスを噴射しているときに前記第1ノズル若しくは前記第3ノズルの前記噴射孔から夫々噴射される不活性ガスの供給量若しくは流速を、前記第2ノズルの前記噴射孔から噴射される前記第2原料ガスの供給量若しくは流速と比して小さくする基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室が形成された管部材であって、前記処理室の内部の流体を外部に排出する排出部と、前記排出部とは異なる位置で前記基板を処理する処理ガスを前記処理室の内部へ供給する供給部とが形成された管部材と、
前記供給部によって前記処理室と連通し、ノズルを収容するノズル室と、
前記ノズル室に周方向に並んで配置され、内部を流れる前記処理ガスを、前記供給部を通して前記処理室の内部へ噴射する噴射孔が側面に形成された、上下方向に延びた第1、第2及び第3ノズルと、
前記第1、第2及び第3ノズルと夫々のガス供給源との間を夫々連通させる複数のガス供給管と、を備え、
前記処理ガスは、前記第1および第2原料ガスと、不活性ガスとを含み、前記第1および第2原料ガスの少なくとも一方は基板に形成される膜を構成する元素を含み、
前記第1ノズルは、2つのガスノズルを有し、前記第1原料ガスと不活性ガスを噴射可能に構成され、
前記第2ノズルは、前記管部材の周方向において前記第1ノズルの間に配置され、前記第2原料ガスを噴射可能に構成され、
前記第3ノズルは、前記第1ノズルの2つのガスノズルにそれぞれ隣接して配置される2つのガスノズルを含み、前記基板が配置される方向の範囲の上方部分および下方部分の少なくとも一方に形成された前記噴射孔から不活性ガスを噴射して、余剰となった前記第1原料ガス又は前記第2原料ガスを希釈あるいはパージすることが可能に構成された基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室が形成された管状の管部材であって、前記処理室の内部の流体を外部に排出する排出部と、前記排出部とは前記処理室の周方向で異なる位置で前記基板を処理する処理ガスを前記処理室の内部へ供給する供給孔とが形成された管部材と、
前記管部材の外周面側で前記周方向に並んで複数形成されると共に前記供給孔によって前記処理室と連通する供給室を区画する区画部材と、
複数の前記供給室に夫々1個以上配置され、前記処理ガスを、前記供給孔を通して前記処理室の内部へ噴射する噴射孔が側面に形成されたガスノズルと、
夫々の前記ガスノズルと夫々のガス供給源との間を夫々連通させる複数のガス供給管と、を備え、
前記供給室は、第1ノズル室と第2ノズル室を含み、
前記処理ガスは、前記基板に形成される膜の原料となる原料ガスと、前記処理室内での前記原料ガスの流れをアシストするアシストガスとを含み、
前記ガスノズルは、アシストガスを噴射する第1ノズルと、第2ノズル室に配置され前記原料ガスを噴射する第2ノズルと、を含み、前記第1ノズルは前記第2ノズルに隣接して配置され、
前記第2ノズル室の前記供給孔から出たガスが前記第2ノズル室に流入することを抑制するように、前記第1ノズルの前記噴射孔から噴射されるアシストガスの流量若しくは流速と、前記第2ノズルの前記噴射孔から噴射される原料ガスの流量若しくは流速とを制御することが可能なよう構成される制御部を更に備える基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室が形成された管状の管部材であって、前記処理室の内部の流体を外部に排出する排出部と、前記排出部とは前記処理室の周方向で異なる位置で前記基板を処理する処理ガスを前記処理室の内部へ供給する複数の供給孔とが形成された管部材と、
前記管部材の外周面側で前記周方向に並んで複数形成されると共に前記供給孔によって前記処理室と連通する供給室を区画する区画部材と、
複数の前記供給室に夫々1個以上配置され、内部を流れる前記処理ガスを、前記供給孔を通して前記処理室の内部へ噴射する噴射孔が側面に形成されたガスノズルと、
夫々の前記ガスノズルと夫々のガス供給源との間を夫々連通させる複数のガス供給管と、を備え、
前記供給室は、互いに隣接する第1ノズル室と第2ノズル室を含み、
前記処理ガスは、前記基板に形成される膜の原料となる原料ガスと、前記処理室内での前記原料ガスの流れをアシストするアシストガスと、反応ガスと、を含み、
前記ガスノズルは、前記第1ノズル室に配置され前記アシストガス及び前記反応ガスを噴射する第1ノズルと、前記第2ノズル室に配置され前記原料ガスを噴射する第2ノズルと、を含み、
前記第1ノズルは、前記第2ノズルが前記原料ガスを噴射していないときに、前記反応ガスを噴射し、前記第2ノズルが前記原料ガスを噴射しているときに、前記アシストガスを噴射することが可能なよう構成された基板処理装置。 - 前記第2ノズル室には、前記第2ノズルと、一対の前記第1ノズルが配置され、前記周方向において、前記第2ノズルが、一対の前記第1ノズルに挟まれている請求項3又は4に記載の基板処理装置。
- 前記ガスノズルは、前記第1ノズル室に配置され反応ガスを噴射する第3ノズルを含む請求項3乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記供給室は、前記第1ノズル室とは反対側で前記第2ノズル室に隣接して形成される第3ノズル室を含み、前記第1ノズル室、前記第2ノズル室及び第3ノズル室はこの順序で前記管部材の前記周方向に連続して形成され、
前記ガスノズルは、前記第3ノズル室に配置され、反応ガス又は前記アシストガスを噴射する第3ノズルを更に含む請求項3、4及び6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第1ノズルに連通する前記ガス供給管には、前記アシストガスの流量を制御する流量制御器が設けられ、
前記第2ノズルに連通する前記ガス供給管には、前記第2原料ガスの流量を制御する流量制御器が設けられ
前記流量制御器を制御して、前記一対の第1ノズルの前記噴射孔から夫々噴射されるアシストガスの流量若しくは流速を、前記第2ノズルの前記噴射孔から噴射される原料ガスの流量若しくは流速と比して大きくするとともに、前記第2ノズルの噴射孔の開口は、前記第1ノズルの噴射孔の開口より大きく形成される、請求項3、4及び7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記ガスノズルは、前記第1ノズル室に配置され、前記処理ガスのいずれかと同時に不活性ガスを供給可能に構成される第3ノズルを含み、
前記第2ノズルには、前記処理室内で前記基板が配置される領域に渡って前記噴射孔が形成され、
前記第3ノズルには、前記領域の上端側の部分又は下端側の部分の少なくともいずれか一方に前記噴射孔が形成され、前記上端側と前記下端側の間の中央部分に前記噴射孔が形成されない請求項3乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記流量制御器を制御して、一対の前記第1ノズルの前記噴射孔から夫々噴射されるアシストガスの流量を、前記第2ノズルの前記噴射孔から夫々噴射される前記原料ガスより小さくする請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記第3ノズルは、前記周方向において、前記第2ノズルを挟むように配置され、前記第3ノズルは、前記第1ノズルの前記第2ノズルとは反対側に配置される請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル室は、前記管部材の外周面側で前記周方向に連続して並ぶ第1及び第2及び第3ノズル室を有し、
前記第2ノズルは、前記第2ノズル室に配置され、
前記第1ノズル及び前記第3ノズルは、前記第1ノズル室及び前記第3ノズル室に1つずつ配置される請求項1、2及び11のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガスの流れる時間と前記第1又は第2原料ガスの流れる時間は少なくとも一部が重なっており、
前記第1、第2及び第3ノズルの夫々の噴射孔は、前記基板の中心方向若しくは、互いに平行な方向を向いて開口する請求項1、2及び12のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第1ノズルは、前記処理室内に前記第1原料ガス及び前記第2原料ガスのいずれも供給されていないときに、不活性ガスを間欠的に噴射可能に構成される請求項1、2及び13のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第3ノズルは、前記第1ノズルが第1原料ガスを噴射しているときに、不活性ガスを噴射して前記希釈あるいは前記パージすることが可能に構成される請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1及び第2ノズルの噴射孔が形成される方向の範囲は、複数の前記基板が配置される領域の範囲を覆っており、
前記第3ノズルには、前記領域の上端側の部分又は下端側の部分の少なくともいずれか一方に前記噴射孔が形成され、前記上端側と前記下端側の間の中央部分に前記噴射孔が形成されない請求項1、2及び15のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第1ノズル及び前記第2ノズルは、前記複数の基板に対応して複数形成された前記噴射孔を有し、前記供給孔は、複数の前記基板に対応して複数形成される横長のスリットである請求項3、4及び10のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第2ノズルの前記噴射孔は、複数の前記基板が配置される領域の範囲を覆うように延在する請求項1、2、3、4、10及び17のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第1ノズル及び前記第2ノズルと夫々連通する前記複数のガス供給管には、前記処理ガスの流量を制御する流量制御器が夫々設けられ、前記処理室内における前記第1及び第2原料ガスのガス流速の拡散速度に対する比が1より大きくなるように、前記処理ガスの流量を設定する請求項1、2、3、4、10及び18のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第2ノズル室には、上端部で折り返したU字状の前記第2ノズルが設けられ、
前記第2ノズルの一端に連通する前記ガス供給管には、原料ガス供給源および不活性ガス供給源が流体連通可能に接続され、前記第2ノズルの他端には、ガス排出管が接続され、前記第2ノズル内を不活性ガスでパージ可能に構成される請求項1乃至19のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 基板保持具を収容する処理室を形成し、前記処理室の内部の流体を外部に排出する排出部を有する管部材と、
前記排出部とは前記処理室の周方向で異なる位置で、基板保持具に基板が保持される領域に沿って配置され、前記処理室の内部へガスを噴射する噴射孔が側面に形成された第1ノズル及び第2ノズルと、
を備え、
前記第1ノズルは、2列に形成された前記噴射孔を有し、
前記第2ノズルは、前記第1ノズルの内部に設けられ、前記第1ノズルの前記2列の間で前記第1ノズルの外部と連通する複数の連通管を有し、
前記第1ノズル及び前記第2ノズルから同時にアシストガスと原料ガスをそれぞれ噴射することが可能に構成された基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室が形成された管部材であって、前記処理室の内部の流体を外部に排出する排出部と、前記排出部とは前記処理室の周方向で異なる位置に形成されたノズル配置室とを有する管部材と、
前記ノズル配置室に配置され、前記処理室の内部へガスを噴射する噴射孔が側面に形成された複数のガスノズルと、
夫々の前記ガスノズルと、対応する処理ガスの供給源との間を夫々連通させる複数のガス供給管と、を備え、
前記処理ガスは、前記基板に形成される膜の原料となる原料ガスと、不活性ガスとを含み、
前記ガスノズルは、前記不活性ガスを噴射する第1ノズル及び第2ノズルと、前記原料ガスを噴射する第3ノズルと、前記不活性ガスを噴射する第4ノズル及び第5ノズルを含み、前記第1ノズルから前記第5ノズルの順で周方向に並んで配置され、
前記第3ノズルの供給孔から噴射され前記ノズル配置室を出たガスが前記ノズル配置室に流入することを抑制するように、前記第2ノズルおよび前記第4ノズルのそれぞれの前記噴射孔から噴射される前記不活性ガスの流量若しくは流速と、前記第3ノズルの前記噴射孔から噴射される前記原料ガスの流量若しくは流速とを制御することが可能なよう構成される制御部を更に備える基板処理装置。 - 請求項1、2及び20のいずれか1項に記載の基板処理装置を用いて、
前記処理室内へ前記基板を収容する工程と、
前記第1ノズル若しくは前記第3ノズルから、不活性ガスを前記処理室の内部へ噴射しながら、前記第2ノズルから、前記第2原料ガスを前記処理室の内部へ噴射する工程と、
を行うことで基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 請求項3、4、10及び21のいずれか1項に記載の基板処理装置を用いて、
前記処理室内へ前記複数の基板を収容する工程と、
前記第1ノズルから、前記アシストガスを前記処理室の内部へ噴射しながら、前記第2ノズルから、前記原料ガスを前記処理室の内部へ噴射する工程と、
を行うことで基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021044934A JP7103696B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-03-18 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018100711A JP6856576B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2021044934A JP7103696B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-03-18 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018100711A Division JP6856576B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021114606A true JP2021114606A (ja) | 2021-08-05 |
JP7103696B2 JP7103696B2 (ja) | 2022-07-20 |
Family
ID=68615094
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018100711A Active JP6856576B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2021044934A Active JP7103696B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-03-18 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018100711A Active JP6856576B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11015248B2 (ja) |
JP (2) | JP6856576B2 (ja) |
KR (2) | KR102244894B1 (ja) |
CN (2) | CN110534456B (ja) |
TW (2) | TWI715972B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11703229B2 (en) * | 2018-12-05 | 2023-07-18 | Yi-Ming Hung | Temperature adjustment apparatus for high temperature oven |
JP7340170B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2023-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス導入構造、熱処理装置及びガス供給方法 |
KR20210043810A (ko) * | 2019-10-14 | 2021-04-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장비 |
KR102170451B1 (ko) * | 2020-01-22 | 2020-10-28 | (주)이큐테크플러스 | 프리커서와 반응가스를 함께 분사하는 라디컬 유닛 및 이를 포함하는 ald장치 |
JP7365946B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びクリーニング方法 |
JP7365973B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7271485B2 (ja) | 2020-09-23 | 2023-05-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP7284139B2 (ja) * | 2020-11-27 | 2023-05-30 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理装置および基板処理方法 |
CN112594036A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 三一汽车起重机械有限公司 | 一种降尘系统和汽车起重机 |
JP7315607B2 (ja) * | 2021-03-16 | 2023-07-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
CN113774357A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-10 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 多喷嘴lpcvd成膜方法 |
TW202335039A (zh) | 2022-02-07 | 2023-09-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 氣體供給部、處理裝置及半導體裝置之製造方法 |
CN118511258A (zh) * | 2022-03-17 | 2024-08-16 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、气体喷嘴、半导体装置的制造方法、基板处理方法及程序 |
JP1731673S (ja) * | 2022-05-30 | 2022-12-08 | ||
JP1731674S (ja) * | 2022-05-30 | 2022-12-08 | ||
JP1731675S (ja) * | 2022-05-30 | 2022-12-08 | ||
WO2024003997A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2024065939A (ja) * | 2022-10-31 | 2024-05-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理プログラム |
CN116219411B (zh) * | 2023-05-05 | 2023-07-28 | 东领科技装备有限公司 | 一种用于成膜装置的气体喷射装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206489A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2014236129A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
WO2015041376A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2015-03-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および反応管 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4714021B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2011-06-29 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 基板の表面に均一なエピタキシャル層を成長させる方法および回転ディスク式反応器 |
US20070084406A1 (en) | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Joseph Yudovsky | Reaction chamber with opposing pockets for gas injection and exhaust |
TWI415206B (zh) * | 2008-01-31 | 2013-11-11 | Hitachi Int Electric Inc | A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device |
US20090197424A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP5658463B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5529634B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-06-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
TWI520177B (zh) * | 2010-10-26 | 2016-02-01 | Hitachi Int Electric Inc | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體 |
JP5722595B2 (ja) * | 2010-11-11 | 2015-05-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP6101113B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-03-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置並びにプログラム |
JP2015069987A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
WO2015045137A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP6435967B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
WO2016157401A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
WO2017009997A1 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム |
CN107851578B (zh) * | 2015-09-04 | 2021-10-01 | 株式会社国际电气 | 反应管、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
JP6538582B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2019-07-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP6478330B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-03-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2018008088A1 (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法 |
JP6689179B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-04-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
WO2019044013A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 株式会社Kokusai Electric | 保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-05-25 JP JP2018100711A patent/JP6856576B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-03 TW TW108115414A patent/TWI715972B/zh active
- 2019-05-03 TW TW109143912A patent/TWI783322B/zh active
- 2019-05-21 KR KR1020190059351A patent/KR102244894B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-24 CN CN201910441988.8A patent/CN110534456B/zh active Active
- 2019-05-24 US US16/422,301 patent/US11015248B2/en active Active
- 2019-05-24 CN CN202410119528.4A patent/CN117936429A/zh active Pending
-
2021
- 2021-03-18 JP JP2021044934A patent/JP7103696B2/ja active Active
- 2021-04-20 KR KR1020210050980A patent/KR102453240B1/ko active IP Right Grant
- 2021-04-30 US US17/246,049 patent/US11555246B2/en active Active
-
2022
- 2022-12-15 US US18/082,044 patent/US20230112057A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206489A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2014236129A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
WO2015041376A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2015-03-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および反応管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11015248B2 (en) | 2021-05-25 |
CN117936429A (zh) | 2024-04-26 |
KR20210045978A (ko) | 2021-04-27 |
CN110534456A (zh) | 2019-12-03 |
US20210246554A1 (en) | 2021-08-12 |
KR102244894B1 (ko) | 2021-04-26 |
TW202004878A (zh) | 2020-01-16 |
CN110534456B (zh) | 2024-02-20 |
US11555246B2 (en) | 2023-01-17 |
TWI715972B (zh) | 2021-01-11 |
TWI783322B (zh) | 2022-11-11 |
JP2019203182A (ja) | 2019-11-28 |
KR20190134490A (ko) | 2019-12-04 |
US20230112057A1 (en) | 2023-04-13 |
TW202133239A (zh) | 2021-09-01 |
US20190360098A1 (en) | 2019-11-28 |
JP7103696B2 (ja) | 2022-07-20 |
JP6856576B2 (ja) | 2021-04-07 |
KR102453240B1 (ko) | 2022-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7103696B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6820816B2 (ja) | 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
US10961625B2 (en) | Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6770617B1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 | |
JP7074790B2 (ja) | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6462139B2 (ja) | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP7048690B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 | |
WO2024003997A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2021020008A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及びガス供給システム | |
US20230253222A1 (en) | Gas supplier, processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
CN116555730A (zh) | 气体供给部、处理装置及半导体器件的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7103696 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |