JP7074790B2 - 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
次に、本開示に関わる基板処理装置の動作概要を、コントローラ280が行う制御手順に従って説明する。
本実施形態では、ガス供給孔234のうちの少なくとも一部が、ガス供給スリット235に直接対向しないように配置されている。このようにガス供給孔の向きを変えることによるウェハ上の流速やガス分圧の違いについて、シミュレーションにより解析した。
以上、本開示の実施形態の一例について説明したが、本開示の実施形態は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。
以下、本開示の好ましい態様について付記する。
上下方向に配列された複数の基板を収容して処理するための内管、及び前記内管の外側に位置する外管を有する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するためのノズルと、
前記処理容器内における前記内管と前記外管の間に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板側の領域との間で制限された流体の連通を提供する複数の第2開口が前記内管に上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように、前記反応管の径方向において、前記複数の第2開口が形成されている前記内管側と反対側に位置する壁部に向けて開口して配置された基板処理装置が提供される。
上下方向に配列された複数の基板を収容して処理するための内管、及び前記内管の外側に位置する外管を有する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するためのノズルと、
前記処理容器内における前記内管と前記外管の間に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板側の領域との間で制限された流体の連通を提供する複数の第2開口が前記内管に上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように、前記ノズルに対して前記処理容器の周方向に位置し前記第2開口が形成されていない壁部に向けて開口して配置された基板処理装置が提供される。
上下方向に配列された複数の基板を収容して処理するための内管、及び前記内管の外側に位置する外管を有する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するためのノズルと、
前記処理容器内における前記内管と前記外管の間に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板側の領域との間で制限された流体の連通を提供する複数の第2開口が前記内管に上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように、前記反応管の径方向において、前記第1の開口が、前記第2開口が形成されている前記内管側と、前記内管側と反対側に位置する壁部に向けてそれぞれ開口して配置された基板処理装置が提供される。
上下方向に配列された複数の基板を収容して処理するための内管、及び前記内管の外側に位置する外管を有する処理容器と、
前記処理容器内における前記内管と前記外管の間に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するためのノズルと、
前記処理容器内に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板側の領域との間で制限された流体の連通を提供する複数の第2開口が前記内管に上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように配置され、
前記処理容器の底部に設けられる前記第1開口が、前記複数の第2開口に直接対向して配置されている基板処理装置が提供される。
上下方向に配列された複数の基板を収容して処理するための内管、及び前記内管の外側に位置する外管を有する処理容器と、
前記処理容器内における前記内管と前記外管の間に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するためのノズルと、
前記処理容器内に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板側の領域との間で制限された流体の連通を提供する複数の第2開口が前記内管に上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように、前記内管の周壁に向けて開口した基板処理装置が提供される。
前記供給バッファは、周方向に並設されるノズル配置室を有し、前記第2開口は、前記複数のノズル配置室のそれぞれに別個に異なる幅に設けられる。
前記供給バッファは、3個のノズル配置室を有し、中心側のノズル配置室の前記第2開口の幅が他のノズル配置室の前記第2開口の幅よりも小さい。或いは、複数のノズル配置室のうち、基板の中心を挟んで前記第1ガス排気口と向かい合うように位置するノズル配置室の第2開口の幅が、他のノズル配置室の第2開口よりも小さい。
前記供給バッファは、前記第1開口よりも下方において、基板側の領域と流体連通し、前記ノズルが挿通される256周方向に並設されるノズル配置室を有し、前記第2開口は、前記複数のノズル配置室のそれぞれに別個に異なる幅
30 邪魔部
200 ウェハ(基板)
203 反応管(処理容器)
222 ノズル配置室(供給バッファ)
234 ガス供給孔(第1開口)
234a ガス供給孔(第1開口)
234b ガス供給孔(第1開口)
234c ガス供給孔(第1開口)
235 ガス供給スリット(第2開口)
235a ガス供給スリット(第2開口)
235b ガス供給スリット(第2開口)
235c ガス供給スリット(第2開口)
340a ガスノズル(ノズル)
340b ガスノズル(ノズル)
340c ガスノズル(ノズル)
d 第1開口の間の水平方向の距離
w 第2開口の幅
Claims (16)
- 上下方向に配列された複数の基板を収容して処理する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するノズルと、
前記処理容器に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板が配置される領域との間に第2開口が上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、
前記供給バッファは、前記第1開口よりも下方においてノズル挿入口を有し、前記供給バッファと前記基板が配置される領域は、前記ノズル挿入口を通じて流体連通し、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように配置されている基板処理装置。 - 前記第2開口は、前記処理容器に収容される前記複数の基板の位置に対応して複数設けられ、
前記複数の第1開口のうちの並びが連続する一部は、上下方向において同じ間隔で配置される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記処理容器は、内部に前記基板が配置される内管と、前記内管の外側に位置する外管とを有し、
前記ノズルは、前記内管と前記外管の間に設けられる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ノズルは、それぞれ上下方向に延伸し、同一のガスを吐出可能に構成される第1管と第2管とを有するノズルアレイであり、
前記複数の第1開口は、前記複数の基板の位置に対応して、前記第1管と前記第2管のそれぞれに設けられ、
前記第2開口の幅は、前記第1管に設けられた前記複数の第1開口と前記第2管に設けられた前記複数の第1開口の間の水平方向の距離よりも狭く形成される請求項1に記載の基板処理装置。 - 上下方向に配列された複数の基板を収容して処理するための処理容器と、前記処理容器内に設けられ、上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有し、前記複数の基板にガスを分配して供給するノズルと、前記処理容器に設けられ、前記ノズルを収容し、前記処理容器における前記基板が配置される領域との間に第2開口が上下方向に沿って形成された供給バッファと、を備え、前記供給バッファが前記第1開口よりも下方において有するノズル挿入口を通じて、前記供給バッファと前記基板が配置される領域が流体連通する基板処理装置の前記処理容器に基板を搬入する工程と、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように配置されている前記ノズルから前記処理容器内にガスを供給し、前記処理容器内の前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記処理容器は、前記基板が配置される領域に亘って形成される1または複数のガス排気口を有する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記供給バッファは、周方向に並設される複数のノズル配置室を有し、前記第2開口は、前記複数のノズル配置室のそれぞれに別個に異なる幅に設けられる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記供給バッファは、3個のノズル配置室を有し、中心側の前記ノズル配置室の前記第2開口の幅が他の前記ノズル配置室の前記第2開口の幅よりも小さい請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記供給バッファは、周方向に並設される複数のノズル配置室を有し、前記複数のノズル配置室のうち、前記基板の中心を挟んで前記ガス排気口と向かい合うように位置するノズル配置室の前記第2開口の幅が、他のノズル配置室の前記第2開口よりも小さい請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部は、前記処理容器の半径方向に向いて開口し、前記ノズルは、前記一部の第1開口から噴射した前記ガスを、前記供給バッファの、前記複数の第2開口が形成された側面とは反対側に位置する壁部に衝突させる請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部は、前記処理容器の周方向に向いて開口し、前記ノズルは、前記一部の第1開口から噴射した前記ガスを、前記供給バッファの、前記第2開口が形成されていない壁部に衝突させる請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部は、前記処理容器の半径方向および中心方向に向いてそれぞれ開口し、前記ノズルは、半径方向に向いた前記一部の第1開口から噴射した前記ガスを、前記供給バッファの、前記複数の第2開口が形成された側面とは反対側に位置する壁部に衝突させる請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部は、その並び方向において前記第2開口が形成されていない高さの位置で開口し、前記ノズルは、前記一部の第1開口から噴射した前記ガスを、前記供給バッファ又は前記処理容器の前記第2開口が形成されていない壁部に衝突させる請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記供給バッファは、周方向に並設される複数のノズル配置室を有し、単一の前記ノズル挿入口を介して前記複数のノズル配置室のそれぞれにノズルが設置可能に構成される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記供給バッファは、周方向に並設される複数のノズル配置室を有し、前記ノズル挿入口の上縁は、前記複数のノズル配置室を仕切る仕切の下端よりも上側にある請求項1に記載の基板処理装置。
- 上下方向に配列された複数の基板を収容して処理する処理容器であって、
上下方向に並んで配置された複数の第1開口を有するノズルを収容し、前記複数の基板の位置に対応して複数の第2開口が形成された供給バッファと、
前記基板が配置される領域に亘って形成される1または複数のガス排気口と、を備え、
前記供給バッファは、下端にノズル挿入口を有し、前記供給バッファと前記基板が配置される領域とは、前記ノズル挿入口を通じて流体連通し、
前記複数の第2開口のうちの少なくとも一部は、対応する前記基板毎に、前記ノズルの前記第1開口の吐出方向に略垂直に形成された壁の、前記吐出方向の延長線上の両側の位置に1つずつ形成され、
前記複数の第1開口のうちの少なくとも一部が、前記複数の第2開口に直接対向しないように配置されている処理容器。
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