JP2015517210A - 選択的エピタキシャル成長のための装置およびクラスター設備 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 選択的エピタキシャル成長装置において、
複数の基板が収納される基板積載ユニットが収容されるインナーチューブと前記インナーチューブを囲むアウターチューブとを有する工程チューブと、
前記工程チューブを囲むように設置されるヒーターアセンブリと、
前記工程チューブの内側に垂直に設置されるサイドノズル部と、を含み、
前記サイドノズル部は、
選択的エピタキシャル成長のためのエッチングガスと蒸着ガスとを各々噴射する第1サイドノズル及び第2サイドノズルを含むことを特徴とする選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記サイドノズル部は、
前記第1サイドノズルを介して両側に並べて配置され、前記第1サイドノズルから噴射される第1工程ガスの直進性を向上させるために不活性ガスを噴射するサイドカーテンノズルをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記基板積載ユニットを回転させるボート回転部をさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の選択的エピタキシャル成長装置。
- 前記サイドノズル部は、
前記インナーチューブ内部の事前コーティングのためのプリ蒸着(pre−depo)ノズルをさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記サイドノズル部は、
前記インナーチューブの内部を洗浄する時に、前記インナーチューブの下端部を洗浄するための下部洗浄ノズルをさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記下部洗浄ノズルは、
他のサイドノズルに比べて相対的にその長さが短いことを特徴とする請求項5に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記第1サイドノズルと第2サイドノズルのうちの少なくとも1つは、
前記基板積載ユニットの長さ方向に対して少なくとも2つ以上の区間別にガスを噴射する区間ノズルを含む特徴とする請求項1に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記区間ノズルは、
ノズル内部でのガス停滞時間が同一になるように、前記区間ノズルの中で前記基板積載ユニットの下方区間を担当する区間ノズルは2重管構造に提供されることを特徴とする請求項7に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記区間ノズルは、
ノズル内部でのガス停滞時間が同一になるように、前記区間ノズルの中で前記基板積載ユニットの下方区間を担当する区間ノズルにはガス流れを抑制する閉込め構造体が提供されることを特徴とする請求項7に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記インナーチューブは、
上部が塞がれているドーム形態に提供され、一側面には前記第1サイドノズルと一直線上に提供される切開部をさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 前記切開部は、下端から上端に行くほど、幅が広くなる逆三角形状、又は下端から上端に行くほど、幅が狭くなる三角形状又は上下対称にならない形状又は前記第1サイドノズルの噴射ホールと各々対向される個別ホール形状に提供されることを特徴とする請求項10に記載の選択的エピタキシャル成長装置。
- 前記ボート回転部の動作を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記サイドノズル部を通じて供給されるガス供給段階別時間にしたがって前記ボート回転部の回転速度を制御する請求項3に記載の選択的エピタキシャル成長装置。 - 基板を処理するクラスター設備であって、
基板が積載されたカセットが置かれるロードポートを有する設備前方端部モジュール(EFEM)と、
前記設備前方端部モジュールとゲートバルブを通じて連結され、内部空間が大気圧と真空圧とに選択的に切り替え可能である第1ロードロックチャンバーと、
前記第1ロードロックチャンバーとゲートバルブを通じて連結され、基板を搬送するための搬送装置が具備されたトランスファーチャンバーと、
前記トランスファーチャンバーとゲートバルブを通じて連結され、基板がバッチ式に積載される基板積載ユニットが具備された第2ロードロックチャンバーと、
前記第2ロードロックチャンバーの各々の上部に配置され、前記基板積載ユニットに積載された基板を工程処理するプロセスチャンバーと、を含むクラスター設備。 - 前記プロセスチャンバーは、
前記基板積載ユニットが収容されるインナーチューブと前記インナーチューブを囲むアウターチューブとを有する工程チューブと、
前記基板積載ユニットを回転させる回転部と、
前記工程チューブを囲むように設置されるヒーターアセンブリと、
前記工程チューブの内側に垂直に設置され、選択的エピタキシャル成長のためのエッチングガスと蒸着ガスとを各々噴射する第1サイドノズル及び第2サイドノズルと、を含む請求項13に記載のクラスター設備。 - 前記第1サイドノズルを介して両側に並べて配置され、前記第1サイドノズルから噴射される第1工程ガスの直進性を向上させるために不活性ガスを噴射するサイドカーテンノズルをさらに含む請求項14に記載のクラスター設備。
- 前記工程チューブの内側と垂直に設置され、前記インナーチューブ内部の事前コーティングのためのプリ蒸着(pre−depo)ノズルと、
前記インナーチューブを内部洗浄する時に、前記インナーチューブの下端部を洗浄するための下部洗浄ノズルと、をさらに含む請求項15に記載のクラスター設備。 - 前記インナーチューブは、
前記第1サイドノズルと一直線上に提供される切開部をさらに含む請求項15に記載のクラスター設備。 - 前記トランスファーチャンバーと、前記第2ロードロックチャンバーと、前記プロセスチャンバーとは、真空状態を維持することを特徴とする請求項15に記載のクラスター設備。
- 前記クラスター設備は、
前記トランスファーチャンバーと前記第2ロードロックチャンバー、及び前記プロセスチャンバーの各々に連結される真空排気部をさらに含む請求項18に記載のクラスター設備。 - 前記設備前方端部モジュールは、
前記ロードポートと前記第1ロードロックチャンバーとの間に配置されて前記ロードポート上に置かれるカセットと前記第1ロードロックチャンバーとの間の基板を搬送するための搬送装置が具備されたインデックスチャンバーと、
前記インデックスチャンバーの側面に提供され、ダミー基板が格納されているダミー基板格納モジュールと、をさらに含む請求項15に記載のクラスター設備。 - 前記クラスター設備は、
前記トランスファーチャンバーにダミー基板が格納されているダミー基板格納モジュールをさらに含む請求項15に記載のクラスター設備。 - 前記インデックスチャンバーと前記第1ロードロックチャンバーと、前記第1ロードロックチャンバーと前記トランスファーチャンバーと、前記トランスファーチャンバーと前記第2ロードロックチャンバーとは、ゲートバルブを通じて連結されて、各々のチャンバー圧力を独立的に制御できることを特徴とする請求項20に記載のクラスター設備。
- 前記クラスター設備は、
前記第1ロードロックチャンバー、前記トランスファーチャンバー、前記第2ロードロックチャンバー、及び前記プロセスチャンバーの各々に連結される真空排気部と、
前記第1ロードロックチャンバー、前記トランスファーチャンバー、前記第2ロードロックチャンバー、及び前記プロセスチャンバーの間の差圧を形成するために各々のチャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、をさらに含む請求項20に記載のクラスター設備。 - 前記クラスター設備は、
前記トランスファーチャンバーと前記第2ロードロックチャンバーと、前記プロセスチャンバーとの間の交差汚染を防止するための差圧形成部材をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載のクラスター設備。 - 前記差圧形成部材は、
前記トランスファーチャンバーと、前記第2ロードロックチャンバーと、前記プロセスチャンバーとの各々に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を含む請求項24に記載のクラスター設備。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017047686A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR20200087083A (ko) * | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 |
JP2021150410A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
KR101408084B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-07-04 | 주식회사 유진테크 | 보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP6128969B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2017-05-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP6213079B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2017-10-18 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
KR101720620B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2017-03-28 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 챔버 세정방법 |
DE102015107297A1 (de) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Von Ardenne Gmbh | Prozessieranordnung |
US20170025291A1 (en) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-chamber furnace for batch processing |
KR102138985B1 (ko) * | 2015-09-04 | 2020-07-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2018022137A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Applied Materials, Inc. | Gas purge system and method for outgassing control |
KR102559965B1 (ko) * | 2018-03-23 | 2023-07-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
US11189511B2 (en) | 2018-10-26 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs |
IT201900021501A1 (it) * | 2019-11-19 | 2021-05-19 | Lpe Spa | Assieme di trattamento con gruppo di carico/scarico e reattore epitassiale |
WO2021064650A1 (en) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | Lpe S.P.A. | Treating arrangement with transfer chamber and epitaxial reactor |
JP2022550900A (ja) * | 2019-10-03 | 2022-12-05 | エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ | ローディング又はアンローディング群およびエピタキシャル反応器を有する処理装置 |
EP4022240A1 (en) * | 2019-10-03 | 2022-07-06 | LPE S.p.A. | Treating arrangement with storage chamber and epitaxial reactor |
KR102250116B1 (ko) * | 2020-08-20 | 2021-05-11 | 쿠팡 주식회사 | 보냉 포장박스 |
JP7315607B2 (ja) * | 2021-03-16 | 2023-07-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316208A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Nec Corp | シリコンエピタキシャル成長装置 |
JPH046825A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Nec Corp | 半導体成長装置 |
JPH04163912A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JP2000068214A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003077974A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008103642A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化装置、酸化方法及び記憶媒体 |
JP2008124181A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009147373A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2010226092A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-10-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4475136B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、前処理装置及び記憶媒体 |
KR100706790B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 산화 처리 장치 및 방법 |
US8304328B2 (en) * | 2006-03-20 | 2012-11-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
US20070286956A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool for epitaxial film formation |
KR20080054759A (ko) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20080071681A (ko) | 2007-01-31 | 2008-08-05 | 세메스 주식회사 | 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 |
JP5100179B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-12-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100985723B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2010-10-06 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101015228B1 (ko) | 2008-09-09 | 2011-02-18 | 세메스 주식회사 | 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 및 그 시스템에서의 기판 처리 방법 |
JP5158068B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
KR101313262B1 (ko) | 2010-07-12 | 2013-09-30 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-03-26 CN CN201380017310.8A patent/CN104246977B/zh active Active
- 2013-03-26 US US14/388,914 patent/US10006146B2/en active Active
- 2013-03-26 JP JP2015503114A patent/JP6002312B2/ja active Active
- 2013-03-26 WO PCT/KR2013/002470 patent/WO2013147481A1/ko active Application Filing
- 2013-03-27 TW TW102110962A patent/TWI526382B/zh active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316208A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Nec Corp | シリコンエピタキシャル成長装置 |
JPH046825A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Nec Corp | 半導体成長装置 |
JPH04163912A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JP2000068214A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003077974A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US20030053893A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and a method for fabricating a semiconductor device by using same |
JP2009147373A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2008103642A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化装置、酸化方法及び記憶媒体 |
JP2008124181A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2010226092A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-10-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017047686A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2017047686A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2018-06-21 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR20200087083A (ko) * | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 |
JP2020113746A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP7105751B2 (ja) | 2019-01-10 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
KR102552110B1 (ko) * | 2019-01-10 | 2023-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 |
JP2021150410A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP7074790B2 (ja) | 2020-03-17 | 2022-05-24 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104246977B (zh) | 2016-10-12 |
WO2013147481A1 (ko) | 2013-10-03 |
TW201339075A (zh) | 2013-10-01 |
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TWI526382B (zh) | 2016-03-21 |
US20150059978A1 (en) | 2015-03-05 |
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