JP2008124181A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンを含む原料ガスとエッチングガスとを交互に繰り返して処理室24内に供給して基板の表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置10であって、処理室24内で基板を支持する基板支持部材16と、基板及び処理室24内の雰囲気を加熱し、処理室24の外部に設けられる加熱部材22と、処理室24内に配置されるガス供給手段と、処理室24に開口する排気口27と、を備え、ガス供給手段は、原料ガスを供給する第1のガス供給ノズル42a、42b、42cと、エッチングガスを供給する第2のガス供給ノズル44a、44b、44cと、を含む基板処理装置10とする。
【選択図】 図2
Description
この構成において、SiまたはSiGeの選択エピタキシャル成長の原料となるガスは、ノズルを通じて反応炉内上部から導入され、下部より排気される。よってウェハの存在する反応雰囲気でのガスの流れは上から下となる。
このとき、反応炉を加熱するヒータは上部ヒータ、中央上部ヒータ、中央ヒータ、中央下部ヒータ及び下部ヒータの5つの領域に分割されており、5つに分割されたヒータに、上部から下部になるにつれて温度が高くなるように温度勾配(温度傾斜)を持たせており、これにより、反応ガスの消費によって排気側(反応炉内下部)ほど成長速度が低下するのを補正している。
また、原料ガスとエッチングガスを同じノズルから供給した場合、原料ガスの自己分解によりノズル内に膜が付き、そこにエッチングガスを流すと、パーティクル発生やエッチングガスの消費が生じてしまっていた。
図1において、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置10の概要を示す。基板処理装置10はいわゆるホットウォール式縦型減圧CVD装置である。
図1に示すように、ウェハカセット12により搬入されたウェハ(Si基板)aは、移載機14によりウェハカセット12からボート16へ移載される。全てのウェハaの移載が完了すると、ボート16は処理炉18内へ挿入され、処理炉18内は真空排気系20により減圧される。そしてヒータ22により処理炉18内を所望の温度に加熱し、温度が安定したところでガス供給系21から原料ガスとエッチングガスを交互に供給し、ウェハa上にSi又はSiGe等を選択エピタキシャル成長させる。なお、23は制御系であり、ボート16の処理炉18内への挿入及び回転、真空排気系20での排気、ガス供給系21からのガスの供給及びヒータ22による加熱等を制御する。
図2は本発明の一実施形態に係るボート16挿入後の処理炉18の概略構成図であり、縦断面図として示される。
図2に示すように、処理炉18には、処理室24を形成する、例えばアウターチューブよりなる反応管26と、反応管26の下部に配置され、排気口27から排気するガス排気管28と処理室24内に原料ガス等を供給する第1のガス供給管30とエッチングガス等を供給する第2のガス供給管32とが設けられ、反応管26とOリング33aを介して接続されたマニホールド34と、マニホールド34の下端部を閉塞し、処理室24をOリング33b及び33cを介して密閉するシールキャップ36と、ウェハ(Si基板)aを多段に保持(支持)するウェハ保持体(基板支持部材)としてのボート16と、ボート16を所定の回転数で回転させる回転機構38と、反応管26の外側に、図示しないヒータ素線と断熱部材よりなりウェハaを加熱するヒータ(加熱部材)22と、を備えている。
また、ヒータ22は、上部ヒータ22A、中央上部ヒータ22B、中央ヒータ22C、中央下部ヒータ22D及び下部ヒータ22Eの5つの領域に分割されており、それらは、それぞれ円筒形状を有している。
また処理室24内の雰囲気は、ガス排気管28に接続された排気手段(例えば真空ポンプ59)により処理室24から排気される。
図2に示すように、未処理のウェハaを保持したボート16は、昇降モータ(図示省略)を駆動することにより、処理室24内に挿入される。次に制御装置60からの命令により排気バルブ62を開けて、処理室24内の雰囲気を排気し、処理室24内を減圧する。そして、制御装置60によりヒータ22を制御し、処理室24内の温度、ひいてはウェハaの温度を所望の温度に維持する。その後制御装置60からの命令により回転機構38が駆動され、ボート16を所定の回転数で回転させる。
(2)次に、ガスの供給を止めて処理室24内の排気を行う。
(3)続いてパージガスであるH2ガスを、第1のガス供給管及び第1のガス供給ノズル42a、42b、42cと、第2のガス供給管32及び第2のガス供給ノズル44a、44b、44cと、の両方を通じて処理室24に供給する(パージ工程)。
(4)その後、エッチングガスである塩素(Cl2)ガスを第2のガス供給管32及び第2のガス供給ノズル44a、44b、44cを通じて処理室24に供給する(エッチング工程)。その際にパージガスであるH2ガスを第1のガス供給管30及び第1のガス供給ノズル42a、42b、42cを通じて処理室24内に供給する。
(5)その後、ガスの供給を止めて処理室24内の排気を行う。
(6)そして、パージガスであるH2ガスを第1のガス供給管30及び第1のガス供給ノズル42a、42b、42cと、第2のガス供給管32及び第2のガス供給ノズル44a、44b、44cと、の両方を通じて処理室24に供給する(パージ工程)。
以上の(1)〜(6)の工程を1サイクルとし、これらの工程を繰り返してウェハa上でのSi膜の選択エピタキシャル成長を行うことで、成長速度とエッチング速度の両方を調整することが可能となるとともに、パーティクル発生を回避でき、良好なエッチング特性を得ることができる。
12 ウェハカセット
14 移載機
16 ボート
18 処理炉
20 真空排気系
22 ヒータ
24 処理室
26 反応管
27 排気口
28 ガス排気管
30 第1のガス供給管
32 第2のガス供給管
33a、33b Oリング
34 マニホールド
35 リング状部
36 シールキャップ
37 円板状部
38 回転機構
40a、40b、40c 第1のガス供給口
42a、42b、42c 第1のガス供給ノズル
43a、43b、43c 第2のガス供給口
44a、44b、44c 第2のガス供給ノズル
46 原料ガス供給源
48 パージガス供給源
50 エッチングガス供給源
52 第1のMFC
54 第2のMFC
56 第3のMFC
58 第4のMFC
59 真空ポンプ
60 制御装置
62 排気バルブ
64 第1のバルブ
66 第2のバルブ
68 第3のバルブ
70 第4のバルブ
72 第5のバルブ
74 第6のバルブ
Claims (1)
- シリコンを含む原料ガスとエッチングガスとを少なくとも使用し、前記原料ガスと前記エッチングガスとを交互に繰り返して処理室内に供給して前記処理室内に収容された基板の表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置であって、
前記処理室内で前記基板を支持する基板支持部材と、
前記基板及び前記処理室内の雰囲気を加熱し、前記処理室の外部に設けられる加熱部材と、
前記処理室内に配置されるガス供給手段と、
前記処理室に開口する排気口と、
を備え、
前記ガス供給手段は、
前記原料ガスを供給する第1のガス供給ノズルと、前記エッチングガスを供給する前記第1のガス供給ノズルとは別の第2のガス供給ノズルと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014125653A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
CN104246977A (zh) * | 2012-03-28 | 2014-12-24 | 国际电气高丽株式会社 | 选择性外延生长装置及集群设备 |
WO2018179354A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Families Citing this family (179)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4464949B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-05-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び選択エピタキシャル膜成長方法 |
RU2499081C2 (ru) * | 2008-03-26 | 2013-11-20 | ДжиТиЭйТи Корпорейшн | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы |
JP5645718B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US8785303B2 (en) | 2012-06-01 | 2014-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for depositing amorphous silicon |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
KR102326377B1 (ko) * | 2016-06-07 | 2021-11-15 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR101960763B1 (ko) * | 2016-11-03 | 2019-03-21 | 주식회사 유진테크 | 저온 에피택셜층 형성방법 |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
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US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
CN112680785B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-11-04 | 晶科能源股份有限公司 | 新型单晶炉 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316208A (ja) | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Nec Corp | シリコンエピタキシャル成長装置 |
JPH0715888B2 (ja) | 1990-10-01 | 1995-02-22 | 日本電気株式会社 | シリコンエピタキシャル膜の選択成長方法及びその装置 |
JPH04163912A (ja) | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JPH05206106A (ja) | 1992-01-09 | 1993-08-13 | Nec Corp | 減圧気相成長装置 |
JPH0786174A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JPH09190979A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Nec Corp | 選択シリコンエピタキシャル成長方法及び成長装置 |
KR970072061A (ko) * | 1996-04-16 | 1997-11-07 | 김광호 | 반도체 제조 공정에 사용되는 확산로 |
JP3969859B2 (ja) | 1998-08-26 | 2007-09-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
JP2000311860A (ja) | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Sony Corp | 縦型減圧cvd装置におけるクリーニング方法及びクリーニング機構付き縦型減圧cvd装置 |
US6503330B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
KR100375102B1 (ko) | 2000-10-18 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조에서 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치 |
JP2003077845A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US6905963B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-06-14 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Fabrication of B-doped silicon film by LPCVD method using BCI3 and SiH4 gases |
US6869880B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features |
JP4411215B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2010-02-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100870807B1 (ko) * | 2003-08-07 | 2008-11-27 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2005243924A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20050287806A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Hiroyuki Matsuura | Vertical CVD apparatus and CVD method using the same |
KR100636037B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 티타늄 질화막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
KR100841866B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2008-06-27 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
JP4506677B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
KR100642646B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 고진공 화학기상증착 기술을 사용하여 에피택시얼반도체층을 선택적으로 형성하는 방법들 및 이에 사용되는배치형 고진공 화학기상증착 장비들 |
JP4832022B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
WO2007108401A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
TWI397115B (zh) * | 2006-03-27 | 2013-05-21 | Hitachi Int Electric Inc | 半導體裝置的製造方法及基板處理裝置以及清潔方法 |
JP4464949B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-05-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び選択エピタキシャル膜成長方法 |
US20080314311A1 (en) * | 2007-06-24 | 2008-12-25 | Burrows Brian H | Hvpe showerhead design |
US20090136652A1 (en) * | 2007-06-24 | 2009-05-28 | Applied Materials, Inc. | Showerhead design with precursor source |
JP2010141223A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5610438B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US8409352B2 (en) * | 2010-03-01 | 2013-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
-
2006
- 2006-11-10 JP JP2006304936A patent/JP4464949B2/ja active Active
-
2007
- 2007-11-08 US US11/979,816 patent/US20080135516A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-05-10 US US13/067,117 patent/US8652258B2/en active Active
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104246977A (zh) * | 2012-03-28 | 2014-12-24 | 国际电气高丽株式会社 | 选择性外延生长装置及集群设备 |
JP2015517210A (ja) * | 2012-03-28 | 2015-06-18 | クックジェ エレクトリック コリア カンパニー リミテッド | 選択的エピタキシャル成長のための装置およびクラスター設備 |
US10006146B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-06-26 | Kookje Electric Korea Co., Ltd. | Cluster apparatus for treating substrate |
WO2014125653A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
JPWO2014125653A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
WO2018179354A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JPWO2018179354A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2019-12-19 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US11152215B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-10-19 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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