JP2009044023A - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数枚のウエハ1をボート20で保持してヒータ32で加熱しつつ処理室34内に成膜ガスを供給して熱CVD法でウエハ1に成膜する成膜工程において、処理室34内のウエハ配列方向に温度勾配を設けずに、成膜ガスを処理室34の下端から上端に向かって流す第一フローステップと、上端から下端に向かって流す第二フローステップとを1サイクルとし、このサイクルを1回もしくは複数回実施する。処理室内に温度勾配がないので、ウエハ相互間の屈折率やエッチングレートを均一化できる。第一フローによる成膜により生じたBTM側ウエハ膜厚とTOP側ウエハ膜厚との相違を第二フローによる成膜により相殺できるので、ウエハ相互間における膜厚を均一化できる。
【選択図】図2
Description
従来のこの種のCVD装置としては、次のような処理炉を備えたものがある。
すなわち、処理炉は処理室を形成するインナチューブを備えており、インナチューブの外側にはアウタチューブが同心円に設置されている。アウタチューブの下端にはマニホールドが配置されており、マニホールドには処理室の下端部にガスを供給するノズルと、アウタチューブとインナチューブとの間の筒状空間に連通する排気管とが接続されている。アウタチューブの外側にはヒータが設置されており、ヒータは処理室内を所定の温度分布をもって加熱するように構成されている。
処理室内の下端部に供給された処理ガスは、ウエハ群に下から順に接触して熱CVD反応によって成膜しながら処理室内を上昇して行き、インナチューブの上端開口から筒状空間に流れ込み、筒状空間の下端部に接続された排気管によって排気される。
この際、成膜レートがガスの流れに依存するために、ボートのボトム側に配置されたウエハの膜厚がボートのトップ側に配置されたウエハの膜厚よりも厚くなる傾向がある。
そこで、このウエハ相互間の膜厚の差を解消するための温度勾配を処理室内にヒータによって形成することにより、ウエハ相互間の膜厚がボートの全長にわたって均一になるように制御することが、従来から実施されている。
(1)複数枚の基板を処理室内に配列した状態で、前記処理室内を加熱しつつ前記処理室内に成膜ガスを供給して熱CVD法により、前記複数枚の基板に対して成膜処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記成膜処理を行う工程では、
前記処理室内の基板配列方向に温度勾配を設けることなく、
前記成膜ガスを基板配列方向の一端から他端に向かって流すステップと、
前記成膜ガスを基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって流すステップと、
を1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(2)複数枚の基板を処理室内に配列した状態で、前記処理室内を加熱しつつ前記処理室内に成膜ガスを供給して熱CVD法により、前記複数枚の基板に対して成膜処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記成膜処理を行う工程では、
前記処理室内における成膜ガス濃度または圧力が基板配列方向の一端から他端に向かって低くなるようにして成膜するステップと、
前記処理室内における成膜ガス濃度または圧力が基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって低くなるようにして成膜するステップと、
を1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(3)複数枚の基板を処理室内に配列した状態で、前記処理室内を加熱しつつ前記処理室内に成膜ガスを供給して熱CVD法により、前記複数枚の基板に対して成膜処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記成膜処理を行う工程では、
基板上に形成される膜の膜厚が基板配列方向の一端から他端に向かって薄くなるようにして成膜するステップと、
基板上に形成される膜の膜厚が基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって薄くなるようにして成膜するステップと、
を1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(4)基板を処理する処理室と、
前記処理室内で複数枚の基板を支持する支持具と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内の基板配列方向の一端側から成膜ガスを供給する第一ガス供給部と、
前記処理室内の基板配列方向の他端側から処理室内を排気する第一ガス排気部と、
前記処理室内の基板配列方向の前記他端側から成膜ガスを供給する第二ガス供給部と、 前記処理室内の基板配列方向の前記一端側から処理室内を排気する第二ガス排気部と、 前記処理室内の基板配列方向に温度勾配を設けることなく、前記成膜ガスを基板配列方向の前記一端側から前記他端側に向かって流し、前記成膜ガスを基板配列方向の前記他端側から前記一端側に向かって流し、これを1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
(5)前記(1)において、ジクロルシランガスとアンモニアガスとを含んだ前記成膜ガスを基板配列方向の前記一端から前記他端に向かって流すステップと、該成膜ガスを基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって流すステップとの間に、前記処理室内をパージするパージステップを有し、該パージステップはアンモニアガス雰囲気下で実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(6)前記(1)において、ジクロルシランガスとアンモニアガスとを含んだ前記成膜ガスを基板配列方向の前記一端から前記他端に向かって流すステップと、該成膜ガスを基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって流すステップとの間に、前記処理室内をパージするパージステップを有し、該パージステップはアンモニアガスが用いられて実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(7)前記(1)において、ジクロルシランガスとアンモニアガスとを含んだ前記成膜ガスの流れを基板配列方向の前記一端から前記他端に向かう流れから、基板配列方向の前記他端から前記一端に向かう流れに切り替える際、もしくは、
前記成膜ガスの流れを基板配列方向の前記他端から前記一端に向かう流れから、基板配列方向の前記一端から前記他端に向かう流れに切り替える際に、
前記アンモニアガスの供給は停止することなく継続して実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
ガス流れ切り替え時に界面が形成されないように制御することにより、連続した1つの膜を形成することができる。
待機室12内にはボートエレベータ13が設置されており、ボートエレベータ13の昇降するアーム14はシールキャップ15を水平に支持している。
シールキャップ15の下面には回転機構16が設置されており、回転機構16の回転軸17はシールキャップ15を貫通している。回転軸17の上端には断熱板18を保持した断熱板ホルダ19を介してボート20が設置されている。
なお、断熱板18は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて、円板形状に形成されており、ヒータ(後記する)からの熱が下部マニホールド(後記する)側に伝わり難くなるよう構成されている。
ウエハ1の周縁部が同一段の複数個のスロット24に同時に挿入されることにより、ボート20は複数枚のウエハ1を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。
処理炉30は加熱機構としてのヒータ32を有する。ヒータ32は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース31に支持されることにより垂直に据え付けられている。
プロセスチューブ33の筒中空部によって処理室34が形成されており、基板としてのウエハ1をボート20によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
下部マニホールド35はプロセスチューブ33に係合しており、プロセスチューブ33を支持するように設けられている。
なお、下部マニホールド35とプロセスチューブ33との間には、シール部材としてのOリング36が設けられている。下部マニホールド35がヒータベース31に支持されることにより、プロセスチューブ33は垂直に据え付けられた状態となっている。
上部マニホールド37はプロセスチューブ33に係合しており、プロセスチューブ33に支持されるように設けられている。
なお、上部マニホールド37とプロセスチューブ33との間には、シール部材としてのOリング38が設けられている。
プロセスチューブ33と下部マニホールド35と上部マニホールド37により反応容器39が形成される。
第一ガス供給管41の第一下ノズル40との接続側と反対側である上流側には、バルブ42、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)43およびバルブ44を介して第一処理ガスを供給する第一処理ガス供給源45が接続されている。
第一ガス供給管41のバルブ42の下流側には不活性ガス供給管41Aが接続されており、不活性ガス供給管41Aにはバルブ46、MFC47およびバルブ48を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給源49が接続されている。
第二ガス供給管51の第二下ノズル50との接続側と反対側である上流側には、バルブ52、MFC53、バルブ54を介して第二処理ガスを供給する第二処理ガス供給源55が接続されている。
第二ガス供給管51のバルブ52の下流側には不活性ガス供給管51Aが接続されており、不活性ガス供給管51Aはバルブ56、MFC57およびバルブ58を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給源49に接続されている。
以上の第一下ノズル40、第一ガス供給管41、バルブ42、MFC43、バルブ44および第一処理ガス供給源45等により第一処理ガス供給ラインが構成され、第二下ノズル50、第二ガス供給管51、バルブ52、MFC53、バルブ54、第二処理ガス供給源55等により第二処理ガス供給ラインが構成される。
また、第一処理ガス供給ラインの第一ガス供給管41、バルブ42、MFC43、バルブ44および第一処理ガス供給源45と、第二処理ガス供給ラインの第二ガス供給管51、バルブ52、MFC53、バルブ54および第二処理ガス供給源55とにより、第一ガス供給部59が構成される。
第一ガス供給管61の第一上ノズル60との接続側と反対側である上流側には、バルブ62、MFC63、バルブ64を介して第一処理ガスを供給する第一処理ガス供給源65が接続されている。
第一ガス供給管61のバルブ62の下流側には不活性ガス供給管61Aが接続されており、不活性ガス供給管61Aにはバルブ66、MFC67およびバルブ68を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給源69が接続されている。
第二ガス供給管71の第二上ノズル70との接続側と反対側である上流側には、バルブ72、MFC73、バルブ74を介して第二処理ガスを供給する第二処理ガス供給源75が接続されている。
第二ガス供給管71のバルブ72の下流側には不活性ガス供給管71Aが接続されており、不活性ガス供給管71Aはバルブ76、MFC77およびバルブ78を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給源69に接続されている。
以上の第一上ノズル60、第一ガス供給管61、バルブ62、MFC63、バルブ64および第一処理ガス供給源65等により第一処理ガス供給ラインが構成され、第二上ノズル70、第二ガス供給管71、バルブ72、MFC73、バルブ74および第二処理ガス供給源75等により第二処理ガス供給ラインが構成される。
また、第一処理ガス供給ラインの第一ガス供給管61、バルブ62、MFC63、バルブ64および第一処理ガス供給源65と、第二処理ガス供給ラインの第二ガス供給管71、バルブ72、MFC73、バルブ74および第二処理ガス供給源75により、第二ガス供給部79が構成される。
また、第二処理ガスとしては、例えばアンモニア(NH3 )ガスが使用される。
ガス流量制御部80は供給するガス(第一処理ガス、第二処理ガス)の流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御する。
また、第一ガス供給部59における不活性ガスラインに設けられ不活性ガスの流量を制御するMFC47、57と、第二ガス供給部79における不活性ガスラインに設けられ不活性ガスの流量を制御するMFC67、77とにも、ガス流量制御部80が電気配線81によって電気的に接続されている。
ガス流量制御部80は供給する不活性ガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御する。
ガス流量制御部80はそれぞれのバルブを開閉するタイミング、すなわちガス(第一処理ガス、第二処理ガス)の供給/停止のタイミングをも制御する。
また、第一ガス供給部59における不活性ガス供給ラインに設けられたバルブ46、バルブ56、バルブ48、バルブ58、および、第二ガス供給部79における不活性ガス供給ラインに設けられたバルブ66、バルブ76、バルブ68、バルブ78にもガス流量制御部80が電気的に接続されている。
ガス流量制御部80はそれぞれのバルブを開閉するタイミング、すなわち不活性ガスの供給/停止のタイミングをも制御する。
第一排気管91の上部マニホールド37の第一排気口90との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ92、排気バルブ93および圧力調整バルブとしてのコンダクタンスバルブ94が設けられている。
第二排気管96の下部マニホールド35の第二排気口95との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ97、排気バルブ98および圧力調整バルブとしてのコンダクタンスバルブ99が設けられている。
真空ポンプ101は第一排気管91や第二排気管96および第三排気管100を通じて、処理室34内を圧力が所定の圧力(真空度)となるよう排気する。
圧力制御部102は圧力センサ92、97により検出された圧力に基づいてコンダクタンスバルブ94、99を調整して、処理室34内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御する。
例えば、第二排気管96の排気バルブ98を閉じ、第一排気管91の排気バルブ93を開いた状態では、圧力センサ92によって検出された圧力に基づいてコンダクタンスバルブ94を調整して、処理室34内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御する。
また、第一排気管91の排気バルブ93を閉じ、第二排気管96の排気バルブ98を開いた状態では、圧力センサ97によって検出された圧力に基づいてコンダクタンスバルブ99を調整して、処理室34内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御する。
なお、以下の説明において、CVD装置を構成する各部の動作はコントローラ105により制御される。
この状態で、シールキャップ15はOリング15aを介して下部マニホールド35の下端をシールした状態となる。
この際、処理室34内の圧力は第一排気管91の圧力センサ92で測定され、この測定された圧力に基づき、第一排気管91のコンダクタンスバルブ94がフィードバック制御される。
なお、このとき、第一排気管91の排気バルブ93を閉じ、第二排気管96の排気バルブ98を開き、第二排気管96を介して排気するようにしてもよい。
その場合、処理室34内の圧力は第二排気管96の圧力センサ97で測定され、この測定された圧力に基づき、第二排気管96のコンダクタンスバルブ99がフィードバック制御される。
また、第一排気管91の排気バルブ93と第二排気管96の排気バルブ98との両方を開いて、第一排気管91と第二排気管96との両方を介して排気してもよい。
その場合、処理室34内の圧力は、第一排気管91の圧力センサ92および第二排気管96の圧力センサ97のうち少なくともいずれか一方で測定され、この測定された圧力に基づき、第一排気管91のコンダクタンスバルブ94および第二排気管96のコンダクタンスバルブ99のうち少なくともいずれか一方が、フィードバック制御される。
なお、処理室34内の圧力調整は、第一ガス供給部59および第二ガス供給部79のうち少なくともいずれか一方により処理室34内に不活性ガスを供給しつつ行う。
この際、処理室34内の少なくともウエハ群配列領域(ボートのウエハ積載領域)には、温度勾配が形成されないように、すなわち温度勾配がフラットとなるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ32への通電具合がフィードバック制御される。
これにより、処理室34内において水平姿勢で間隔を空けて垂直方向に配列されたウエハは、ボート20の全長にわたって同一温度に加熱される。
続いて、ボート20が回転機構16によって回転されることにより、ウエハ1が回転される。
その状態で、第一ガス供給部59(具体的にはバルブ42、44、52、54)が開かれ、第一排気管91の排気バルブ93が開かれる。
これにより、第一ガス供給部59の第一処理ガス供給源45から第一処理ガス(DCSガス)が供給され、第二処理ガス供給源55から第二処理ガス(アンモニアガス)が供給される。MFC43、53によって所望の流量となるように制御された第一処理ガスおよび第二処理ガスは、第一ガス供給管41および第二ガス供給管51を流通して第一下ノズル40および第二下ノズル50から処理室34内に導入される。
導入されたガスは下部マニホールド35内から処理室34内を上昇し、上部マニホールド37に設けられた第一排気口90、第一排気管91から排気される(第一フロー)。
このとき、第二ガス供給部79の不活性ガス供給管61A、71Aのバルブ66、68、76、78は開かれ、第二ガス供給部79からは不活性ガスが供給される。供給された不活性ガスはガス供給管61、71を流通して第一上ノズル60および第二上ノズル70から処理室34内に導入される。
第一処理ガスおよび第二処理ガスは処理室34内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、この際に、熱CVD反応によってウエハ1の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
なお、このとき、処理室34内の圧力は第一排気管91に設けられた圧力センサ92によって測定され、この測定された圧力に基づき、第一排気管91に設けられたコンダクタンスバルブ94がフィードバック制御されることにより、処理室34内の圧力が調整される。
すななち、第一ガス供給部59(具体的にはバルブ42、44、52、54)が閉じられ、第一排気管91の排気バルブ93が閉じられることにより、第一ガス供給部59からの第一処理ガスおよび第二処理ガスの供給が停止される。
その状態で、第二ガス供給部79(具体的にはバルブ62、64、72、74)が開かれ、第二排気管96の排気バルブ98が開かれる。
これにより、第二ガス供給部79の第一処理ガス供給源65から第一処理ガスが供給され、第二処理ガス供給源75から第二処理ガスが供給される。MFC63、73によって所望の流量となるように制御された第一処理ガスおよび第二処理ガスは、第一ガス供給管61および第二ガス供給管71を流通して第一上ノズル60および第二上ノズル70から処理室34内に導入される。
導入されたガスは上部マニホールド37内から処理室34内を下降し、下部マニホールド35に設けられた第二排気口95、第二排気管96から排気される(第二フロー)。
このとき、第一ガス供給部59の不活性ガス供給管41A、51Aのバルブ46、48、56、58は開かれ、第一ガス供給部59からは不活性ガスが供給される。供給された不活性ガスは第一ガス供給管41および第二ガス供給管51を流通して第一下ノズル40および第二下ノズル50から処理室34内に導入される。
第一処理ガスおよび第二処理ガスは処理室34内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、この際に、熱CVD反応によってウエハ1の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
なお、このとき、処理室34内の圧力は第二排気管96に設けられた圧力センサ97によって測定され、この測定された圧力に基づき、第二排気管96に設けられたコンダクタンスバルブ99がフィードバック制御されることにより、処理室34内の圧力が調整される。
但し、ウエハ相互間の膜厚均一性をより一層向上させることを考慮すると、このサイクルは複数回繰り返すのが好ましい。
また、第一ガス供給部59および第二ガス供給部79のうち少なくともいずれか一方か、好ましくは両方の不活性ガスラインから不活性ガスが供給され、処理室34内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室34内の圧力が常圧に復帰される。
その後、処理済ウエハ1はボート20から取り出される(ウエハディスチャージ)。
なお、本実施の形態の処理炉にてウエハ1を処理する際の処理条件としては、Si3 N4 膜の成膜においては、処理温度:700〜800℃、処理圧力:10〜100Pa、DCSガス流量:5〜500sccm、NH3 ガス流量:5〜2000sccm、サイクル数:1〜50サイクルが例示され、それぞれの処理条件をそれぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハに処理がなされる。
図4(a)に示されているように、成膜ガスが処理室34の下端側(以下、BTMという。)から処理室34の中央部(以下、CNTという。)を経由して処理室34の上端側(以下、TOPという。)に向かう第一フローにより、
BTM側圧力>TOP側圧力、
BTM側ガス濃度>TOP側ガス濃度となり、
BTM側膜厚>TOP側膜厚となるように膜が形成される。
例えば、TOP側に配置されたウエハ1に形成される膜の膜厚t1、
CNT側に配置されたウエハ1に形成される膜の膜厚t2、
BTM側に配置されたウエハ1に形成される膜の膜厚t3とすると、
t1<t2<t3となる。
その後、図4(b)に示されているように、成膜ガスがTOP側からCNT側を経由してBTM側に向かう第二フローにより、
TOP側圧力>BTM側圧力、
TOP側ガス濃度>BTM側ガス濃度となり、
TOP側膜厚>BTM側膜厚となるように膜が形成される。
すなわち、TOP側のウエハ1に形成された膜厚t1の膜上に、膜厚t3の膜が形成され、
CNT側のウエハ1に形成された膜厚t2の膜上に、膜厚t2の膜が形成され、
BTM側のウエハ1に形成された膜厚t3の膜上に、膜厚t1の膜が形成される(t1<t2<t3)。
これにより、TOP側のウエハ1に形成される総膜厚tはt1+t3となり、
CNT側のウエハ1に形成される総膜厚tはt2+t2となり、
BTM側のウエハ1に形成される総膜厚tはt3+t1となり、各ポジションにおける各ウエハ1上に形成される膜の総膜厚tは等しくなる。t=t1+t3(TOP側)=t2+t2(CNT側)=t3+t1(BTM側)。
図4(b)に示された各ポジションにおける各ウエハ1の総膜厚から明らかな通り、第一フローによる成膜と第二フローによる成膜とを1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行うように成膜すれば、第一フローによる成膜により生じたBTM側ウエハ膜厚とTOP側ウエハ膜厚との相違を、第二フローによる成膜により相殺することができるので、ウエハ相互間における膜厚を均一化することができる。
そこで、成膜ガスの流れを第一フローから第二フローに、または、第二フローから第一フローに切り替える際に、アンモニアガスの供給を停止することなく処理室内に流し続けることにより、第一フローにより形成した薄膜と、第二フローにより形成した薄膜との間に界面が形成されるのを防止することができる。すなわち、連続した一つの薄膜を形成することができる。
つまり、第一フローと第二フローとの間、または、第二フローと第一フローとの間に行うパージは、アンモニアガス雰囲気下で行うのが好ましい。
不活性ガスとアンモニアガスとでパージするようにしてもよいし、アンモニアガスだけでパージするようにしてもよい。
逆に第二フローから第一フローにガスの流れを切り替える時には、第二ガス供給部79における第一ガス供給管61のバルブ62、64は閉じるが、第二ガス供給管71のバルブ72、74は閉じないで、アンモニアガスの供給を停止することなく処理室34内に流し続ける。
成膜中は、第一ガス供給部59および第二ガス供給部79のいずれの第二ガス供給管51、71からもアンモニアガスを流し続けることが好ましい。
図5において、縦軸は屈折率を示しており、横軸はボートのウエハを保持したスロットの位置を示している。
破線曲線は従来例を示しており、実線曲線は本実施の形態の場合を示している。
なお、屈折率はジクロルシランガスとアンモニアガスとを使用して、ウエハ上に形成した窒化シリコン膜に関するものである。
15…シールキャップ(炉口蓋体)、16…回転機構、17…回転軸、18…断熱板、19…断熱板ホルダ、
20…ボート(支持具)、21、22…端板、23…保持柱、24…スロット、
25…駆動制御部、26…電気配線、
30…処理炉、31…ヒータベース、32…ヒータ、33…プロセスチューブ、34…処理室、
35…下部マニホールド、36…Oリング、37…上部マニホールド、38…Oリング、39…反応容器、
40…第一下ノズル、41…第一ガス供給管、42…バルブ、43…MFC、44…バルブ、45…第一処理ガス供給源、46…バルブ、47…MFC、48…バルブ、49…不活性ガス供給源、
50…第二下ノズル、51…第二ガス供給管、52…バルブ、53…MFC、54…バルブ、55…第二処理ガス供給源、56…バルブ、57…MFC、58…バルブ、
59…第一ガス供給部、
60…第一上ノズル、61…第一ガス供給管、62…バルブ、63…MFC、64…バルブ、65…第一処理ガス供給源、66…バルブ、67…MFC、68…バルブ、69…不活性ガス供給源、
70…第二上ノズル、71…第二ガス供給管、72…バルブ、73…MFC、74…バルブ、75…第二処理ガス供給源、76…バルブ、77…MFC、78…バルブ、
79…第二ガス供給部、
80…ガス流量制御部、81…電気配線、
82…温度制御部、83…電気配線、
90…第一排気口、91…第一排気管、92…圧力センサ、93…排気バルブ、94…コンダクタンスバルブ、95…第二排気口、96…第二排気管、97…圧力センサ、98…排気バルブ、99…コンダクタンスバルブ、100…第三排気管、101…真空ポンプ、
102…圧力制御部、103…電気配線、
104…主制御部、105…コントローラ。
Claims (4)
- 複数枚の基板を処理室内に配列した状態で、前記処理室内を加熱しつつ前記処理室内に成膜ガスを供給して熱CVD法により、前記複数枚の基板に対して成膜処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記成膜処理を行う工程では、
前記処理室内の基板配列方向に温度勾配を設けることなく、
前記成膜ガスを基板配列方向の一端から他端に向かって流すステップと、
前記成膜ガスを基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって流すステップと、
を1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数枚の基板を処理室内に配列した状態で、前記処理室内を加熱しつつ前記処理室内に成膜ガスを供給して熱CVD法により、前記複数枚の基板に対して成膜処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記成膜処理を行う工程では、
前記処理室内における成膜ガス濃度または圧力が基板配列方向の一端から他端に向かって低くなるようにして成膜するステップと、
前記処理室内における成膜ガス濃度または圧力が基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって低くなるようにして成膜するステップと、
を1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数枚の基板を処理室内に配列した状態で、前記処理室内を加熱しつつ前記処理室内に成膜ガスを供給して熱CVD法により、前記複数枚の基板に対して成膜処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記成膜処理を行う工程では、
基板上に形成される膜の膜厚が基板配列方向の一端から他端に向かって薄くなるようにして成膜するステップと、
基板上に形成される膜の膜厚が基板配列方向の前記他端から前記一端に向かって薄くなるようにして成膜するステップと、
を1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内で複数枚の基板を支持する支持具と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内の基板配列方向の一端側から成膜ガスを供給する第一ガス供給部と、
前記処理室内の基板配列方向の他端側から処理室内を排気する第一ガス排気部と、
前記処理室内の基板配列方向の前記他端側から成膜ガスを供給する第二ガス供給部と、 前記処理室内の基板配列方向の前記一端側から処理室内を排気する第二ガス排気部と、 前記処理室内の基板配列方向に温度勾配を設けることなく、前記成膜ガスを基板配列方向の前記一端側から前記他端側に向かって流し、前記成膜ガスを基板配列方向の前記他端側から前記一端側に向かって流し、これを1サイクルとして、このサイクルを1回もしくは複数回行うように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
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