JP2004128503A - プロセスガスの主流方向を変更して半導体基板上に成分を気相成長させる方法および炉 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主流方向に沿って流れるプロセスガス中に含まれる成分を、プロセス空間3内に位置する1つ以上の半導体基板6上に気相成長させる方法であって、主流方向は、方法の間に少なくとも1回変更される。これにより、バッチサイズが比較的大きい場合であっても、2つのウェハ間の層特性において、わずかなゆらぎのみが観察されるか、または、この方法を用いて、半導体基板6上に堆積される層の層厚さにおけるゆらぎが低減され得る。
【選択図】図1
Description
半導体基板を収容するためのプロセス空間と、
プロセス空間に接続される第1の供給/吐出ラインと、
プロセス空間に接続される第2の供給/吐出ラインと、
プロセスガス流を生成する手段であって、第1の供給ライン/吐出ラインおよび/または第2の供給ライン/吐出ラインと接続される、手段と、
加熱デバイスと、
プロセスガス流の大きさおよび流れの方向をレギュレートする手段と
を備える。
2 隔壁
3 プロセス空間
4 ボート
5 ダミーウェハ
6 ウェハ
7 第1の供給/吐出ライン
8 バルブ
9 レギュレートユニット
10 制御ライン
11 ポンプ
12 第2の供給/吐出ライン
13 バルブ
14 ポンプ
Claims (16)
- 主流方向に沿って流れるプロセスガス中に含まれる成分を、プロセス空間内に位置する1つ以上の半導体基板上に気相成長させる方法であって、該主流方向は、該方法の間に少なくとも1回変更される、方法。
- 前記主流方向は反転される、請求項1に記載の方法。
- 前記主流方向は、前記半導体基板の対称軸と平行に配向される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記対称軸は、回転軸または回転ミラー軸である、請求項3に記載の方法。
- 前記プロセスガスは、前記主流方向の変更前に、前記プロセス空間から少なくとも部分的に除去される、請求項1〜4の1つに記載の方法。
- 前記プロセス空間からの前記プロセスガスの除去は、該プロセス空間へのプロセスガスの供給を低減することによって、および/または該プロセス空間からプロセスガスを抽出することによって、および/または該プロセス空間を不活性ガスでフラッシュすることによって行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記成分は、前記主流方向の変更後に、異なった組成および/または異なった濃度を有する、請求項1〜6のいずれか1つに記載の方法。
- 前記成分は、前記半導体基板と化学的に反応する、請求項1〜7のいずれか1つに記載の方法。
- 前記気相成長は、大気圧より低い圧で進行する、請求項1〜8のいずれか1つに記載の方法。
- 前記主流方向の変更は、種々の時間パターンにより行われる、請求項1〜9のいずれか1つに記載の方法。
- 前記半導体基板上に堆積された成分の量および/または分布のオンライン検出が、前記方法の間に行われる、請求項1〜10のいずれか1つに記載の方法。
- プロセスガス中に含まれる成分を1つ以上の半導体基板(6)上に気相成長させる炉(1)であって、少なくとも、
該半導体基板(6)を収容するプロセス空間(3)と、
該プロセス空間に接続される第1の供給/吐出ライン(7)と、
該プロセス空間に接続される第2の供給/吐出ライン(12)と、
プロセスガス流を生成する手段(11、14)であって、該第1の供給/吐出ライン(7)および該第2の供給/吐出ライン(12)に接続される、手段と、
加熱デバイスと、
該プロセスガス流の大きさおよび流れ方向をレギュレートする手段(9)と
を備える、炉。 - 前記第1の供給/吐出ライン(7)および前記第2の供給/吐出ライン(12)は、前記プロセス空間(3)の両側に配置される、請求項12に記載の炉(1)。
- 前記プロセスガス流の前記主流方向(15)を種々の時間パターンにより時間間隔を置いて変更するために、時間間隔レギュレートユニット(9)が提供される、請求項12または13に記載の炉(1)。
- 前記半導体基板(6)上に堆積される前記成分の量および/または分布を検出するための測定ユニットが提供される、請求項12〜14のいずれか1つに記載の炉(1)。
- 前記測定ユニットに接続される制御ユニットが提供され、該制御ユニットは、前記プロセスガス流を生成する手段のオンライン制御のために利用される、請求項15に記載の炉(1)。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10245553A DE10245553A1 (de) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | Verfahren und Ofen zur Gasphasenabscheidung von Komponenten auf Halbleitersubstrate mit veränderbarer Hauptstromrichtung des Prozessgases |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004128503A true JP2004128503A (ja) | 2004-04-22 |
Family
ID=31984268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003338893A Withdrawn JP2004128503A (ja) | 2002-09-30 | 2003-09-29 | プロセスガスの主流方向を変更して半導体基板上に成分を気相成長させる方法および炉 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7241701B2 (ja) |
JP (1) | JP2004128503A (ja) |
DE (1) | DE10245553A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009044023A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541069B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-06-02 | Sub-One Technology, Inc. | Method and system for coating internal surfaces using reverse-flow cycling |
US7943527B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-05-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Surface preparation for thin film growth by enhanced nucleation |
TW201017790A (en) * | 2008-10-17 | 2010-05-01 | Inotera Memories Inc | A furnace temperature flip method for thermal budget balance and minimum electric parameter variation |
US20100240224A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufactruing Co., Ltd. | Multi-zone semiconductor furnace |
US8536491B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace |
US9196471B1 (en) | 2012-06-01 | 2015-11-24 | Yen Fui Choo | Scanner for wafers, method for using the scanner, and components of the scanner |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6365080A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-23 | Mazda Motor Corp | タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法 |
JP2712367B2 (ja) | 1988-09-09 | 1998-02-10 | 富士通株式会社 | 薄膜の形成方法およびその装置 |
JP3070130B2 (ja) | 1991-05-21 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 縦型減圧気相成長装置 |
US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
JPH1154442A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法およびこれに用いる気相成長装置 |
DE19743922C1 (de) | 1997-10-04 | 1999-04-15 | Verschleis Schutz Technik Dr I | Verfahren zur CVD-Oberflächenbeschichtung und CVD-Reaktorsystem |
JPH11186363A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体製造装置 |
FI118342B (fi) * | 1999-05-10 | 2007-10-15 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
-
2002
- 2002-09-30 DE DE10245553A patent/DE10245553A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-09-29 JP JP2003338893A patent/JP2004128503A/ja not_active Withdrawn
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009044023A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10245553A1 (de) | 2004-04-08 |
US20040081754A1 (en) | 2004-04-29 |
US7241701B2 (en) | 2007-07-10 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
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