JPS6365080A - タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法 - Google Patents

タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法

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JPS6365080A
JPS6365080A JP20953086A JP20953086A JPS6365080A JP S6365080 A JPS6365080 A JP S6365080A JP 20953086 A JP20953086 A JP 20953086A JP 20953086 A JP20953086 A JP 20953086A JP S6365080 A JPS6365080 A JP S6365080A
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JP
Japan
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layer
article
gas
retort
base material
Prior art date
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Pending
Application number
JP20953086A
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English (en)
Inventor
Katsuyoshi Sumiya
角谷 勝嘉
Kenichi Tamura
賢一 田村
Tadashi Takano
正 高野
Atsumi Nakao
中尾 敦巳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mazda Motor Corp
Original Assignee
Mazda Motor Corp
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Publication date
Application filed by Mazda Motor Corp filed Critical Mazda Motor Corp
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Publication of JPS6365080A publication Critical patent/JPS6365080A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は金属母材の表面にタングステンカーバイト層を
被着させた耐摩耗性物品およびその製造方法に関する。
(従来技術) 従来から、鋼のような金属製物品の表面を耐摩耗性にす
るために、この表面にタングステンカーバイ) (WI
C)層を被着する技術が広く実用化されている。
上記タングステンカーバイト層を金属母材の表面に被着
させるのには、CVD法によって行なわれ、減圧状態と
したレトルト内へWFいC,HいH!等の混合ガスより
なる原料ガスを導入して、このレトルト内に収容された
金属母材の表面に気相反応によってW2C被膜を生成し
ている。
ところで、上記タングステンカーバイト層は、例えば鋼
よりなる金属母材の表面に付着しデ「いため、特開昭5
2−89583号公報に記載されているように、金属母
材の表面に中間層としてリン化ニッケルによる無電解メ
ッキを施し、このリン化ニッケル層上にタングステンカ
ーバイト層を化学蒸着することにより、タングステンカ
ーバイト層の金属母材に対する付着性を高めている。
しかしながら、リン化ニッケル層は酸化され易いため、
このリン化ニッケル層の酸化によりタングステンカーバ
イト層が金属母材の表面から剥離するという問題が生じ
た。また、金属母材をタングステンカーバイト生成炉内
に収容するのに先立って、中間層であるリン化ニッケル
層を被着させるためのメノキ工程を必要とするという面
倒もあった。
(発明の目的) 上述の事情に鑑み、本発明の目的は、タングステンカー
バイト層の剥離を生しるおそれのない耐摩耗性物品を提
供することにある。
さらに本発明の目的は、タングステンカーバイト層のツ
1離を生じるおそれのない中間層を容易に得ることがで
きる製造方法を提供することにある。
(発明の構成) 本発明による耐摩耗性物品は、金属母材の表面に、拡散
された洞層を介してタングステンカーバイト層が被着さ
れていることを特徴とする。
また本発明による耐摩耗性物品の製造方法は、金属母材
の表面に酸系の銅を塗布する工程と、この銅を上記母材
に拡散して拡散層を形成する工程と、この拡散層上に気
相反応によりタングステンカーバイト層を被着する工程
とよりなることを特徴とする。
(発明の効果) 本発明による耐摩耗性物品は、母材となじみの良い銅の
拡散層を中間層としているので、金属母材とタングステ
ンカーバイト層との密着性が向上し、タングステンカー
バイト層の剥離を生しるおそれがなくなる。
また本発明による耐摩耗性物品の製造方法では、上記拡
散工程をタングステンカーバイト層の生成炉内で気相反
応に先立って行なうことができるので、従来のメッキに
よる中間層生成に比較して製造工程の簡略化が可能にな
る。
(実 施 例) 以下本発明の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
図面は本発明によるタングステンカーバイト層を有する
耐摩耗性物品を製造するための装置の全体構成を示すも
ので、1はレトルト、2.2′はガス供給管、3はレト
ルト1の頂部を覆うカバープレートである。レトルト1
は、有底円筒状の断熱容器11と、この断熱容器11の
内部においてこの断熱容器から所定の間隙を隔てて同心
状に配設された金属製の有底円筒状レトルト本体12と
よりなり、断熱容器11の内周面にはワーク加熱用の誘
導コイル5が設けられている。ガス供給管2とガス排出
管4′は、断熱容器1およびレトルト本体12の底壁を
貫通して下方から導入されてレトルト本体12の底部に
おいてそれぞれ開端し、またガス供給管2′とガス排出
管4は、カバープレート3を貫通して上方から導入され
、レトルト本体12内の頂部においてそれぞれ開端して
いる。
一方、レトルト本体12内へ気相反応原料ガスを供給す
るための六弗化タングステン供給源13とベンゼン供給
源14と水素ガス供給源15とが設けられ、アルゴン供
給源16からキャリアガスとしてのArガスが加熱器1
7とベンゼン供給源14とに供給され、六弗化タングス
テン供給i1[13からの液体WF、が加熱器17内で
ガス化され、WF、ガスとArガスとの混合ガスがガス
供給本管18へ供給され、またベンゼン供給源14から
はC& HhガスとArガスとの混合ガスがガス供給本
管18に供給され、水素ガス供給源15からはH!ガス
がガス供給本管18に供給され、W F hガスとAr
ガスとChHhガスとH8ガスとの混合ガスがガス混合
器19内で十分に混合される。
ガス供給本管18には第1の3ボ一ト2位zi磁切換バ
ルブ■1が設けられており、混合ガスはこの切換パルプ
V1に接続されたガス供給管2または2′を通じて選択
的にレトルト1内へ供給されるようになされている。
レトルト本体1に取付けられたカバープレート3には吸
引管20が貫通固着され、この吸引管20には真空ポン
プ21が接続されている。
またガス排出管4.4′は第2の3ボ一ト2位z1im
切換バルブ■2に接続されており、さらにこの第2の切
換バルブ■2に接続されたガス排出本管22には、レト
ルト本体12内の混合ガスを吸引するガス排出ポンプ6
およびガス精製器24が設けられている。2個の切換バ
ルブv1、■2およびガス排出ポンプ6は制御手段7に
よって同期的に駆動制御されるようになされている。
以上の構成において、まず鋼製の被処理品Wの表面に硫
酸銅または硝酸銅等の酸系の銅を塗布した後レトルト本
体12内に入れ、誘導コイル5に通電して被処理品Wを
700〜1000℃の温度に加熱した状態で1時間保持
し、被処理品Wの表面に銅を拡散して拡散層を生成する
0次に第1の切換バルブ■1を、レトルト本体12内の
底部に開端するガス供給管2とガス供給本管18とが連
通ずる位置(第2図に示す位置)にセットするとともに
、第2の切換バルブ■2を、レトルト本体12内の頂部
に開端するガス排出管4とガス排出本管22とが連通ず
る位置(第2図に示す位置)にセントする。そして真空
ポンプ21によりレトルト本体12内を減圧した後、誘
導コイル5を通電して被処理品Wを300〜600℃の
温度に加熱した状態で、WF、とArとCh H&とH
tの所定モル比の所定質量の混合ガスをガス供給本管1
8およびガス供給管2を通じてレトルト本体12内へ供
給しながら、ガス排出ポンプ6によりレトルト本体12
内の混合ガスをガス排出管4およびガス排出本管22を
通じて少しずつ排出することにより、レトルト本体12
内に下方から上方へ同う混合ガスの流れを形成する。こ
の場合、ガス排出ポンプ6は、レトルト本体12内の圧
力が50Lorrになるように制御手段7によって駆動
制御される。このような被処理品Wに対する処理を10
分間行なった後、第1および第2の切換バルブ■1、■
2は制御手段によって切換えられ、これによりレトルト
本体12内の頂部に開端するガス供給管2′とガス供給
本管18とが連通されるとともに、レトルト本体12内
の底部に開端するガス排出管4′とガス排出本管22と
が連通される。
これによりレトルト本体12内に上方から下方に向う混
合ガスの流れを形成する。この場合、ガス排出ポンプ6
は、レトルト本体12内の圧力が60 torrになる
ように制御手段7によって駆動制御される。このような
ガス排出ポンプ6の制御を行なうことにより、レトルト
本体12内を下方から上方へ流れる混合ガスの流速と、
上方から下方へ流れる混合ガスの流速とをほぼ等しくす
ることができる。そしてこの状態での処理を10分間行
なった後、再び切換バルブv1、■2を切換え、さらに
レトルト本体12内の圧力を50 torrとして混合
ガスを下方から上方へ向って10分間流す。
以上のように第1および第2の切換バルブV1、■2を
10分毎に切換え、かつガス排出ポンプ6を制御するB
様で被処理品Wに対する処理を行なった結果、被処理品
Wの表面全体に均一な膜厚のタングステンカーバイト層
を形成することができた。そしてこのタングステンカー
バイト層は、金属母材の表面に銅の拡散層を介して被着
されているため、母材に対する密度性が良く、長時間経
過した後も剥離等の現象は生じなかった。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明によるタングステンカーバイト層を有する
耐摩耗性物品を製造するための装置の全体構成を示す図
である。 1−レトルト     2.2′−ガス供給管3−カバ
ープレート  4.4′−ガス排出管5−・−誘導コイ
ル    6・−ガス排出ポンプ7−制御手段    
 11−断熱容器12−一−レトルト本体  18−ガ
ス供給本管22〜・−ガス排出本管

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、金属母材の表面に、拡散された銅層を介してタング
    ステンカーバイト層が被着されていることを特徴とする
    タングステンカーバイト層を有する耐摩耗性物品。 2、金属母材の表面に酸系の銅を塗布する工程と、この
    銅を上記母材に拡散して拡散層を形成する工程と、この
    拡散層上に気相反応によりタングステンカーバイト層を
    被着する工程とよりなることを特徴とするタングステン
    カーバイト層を有する耐摩耗性物品の製造方法。
JP20953086A 1986-09-08 1986-09-08 タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法 Pending JPS6365080A (ja)

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JP20953086A JPS6365080A (ja) 1986-09-08 1986-09-08 タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法

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JP20953086A JPS6365080A (ja) 1986-09-08 1986-09-08 タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法

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JPS6365080A true JPS6365080A (ja) 1988-03-23

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JP20953086A Pending JPS6365080A (ja) 1986-09-08 1986-09-08 タングステンカ−バイト層を有する耐摩耗性物品及びその製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10245553A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Infineon Technologies Ag Verfahren und Ofen zur Gasphasenabscheidung von Komponenten auf Halbleitersubstrate mit veränderbarer Hauptstromrichtung des Prozessgases

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10245553A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Infineon Technologies Ag Verfahren und Ofen zur Gasphasenabscheidung von Komponenten auf Halbleitersubstrate mit veränderbarer Hauptstromrichtung des Prozessgases
US7241701B2 (en) 2002-09-30 2007-07-10 Infineon Technologies Ag Method and furnace for the vapor phase deposition of components onto semiconductor substrates with a variable main flow direction of the process gas

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