JPS61157681A - 化学蒸着法 - Google Patents

化学蒸着法

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JPS61157681A
JPS61157681A JP28006384A JP28006384A JPS61157681A JP S61157681 A JPS61157681 A JP S61157681A JP 28006384 A JP28006384 A JP 28006384A JP 28006384 A JP28006384 A JP 28006384A JP S61157681 A JPS61157681 A JP S61157681A
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gas
vapor deposition
chemical vapor
reaction chamber
gaseous
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JP28006384A
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JPS6254869B2 (ja
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Kimio Nakada
仲田 公夫
Hiroshi Mikita
三喜田 浩
Nobuatsu Watanabe
渡辺 信淳
Takeshi Nakajima
剛 中島
Yougiyoku Tei
容宝 鄭
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OYO KAGAKU KENKYUSHO
Toho Kinzoku Co Ltd
Original Assignee
OYO KAGAKU KENKYUSHO
Toho Kinzoku Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32Carbides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は被M着物の表面にwk密かつ平滑な炭化タン
グステン被膜を形成するための化学蒸着法に関するもの
である。
(技術的背景) 金属等の表面に化学蒸着法(CVD)によって炭化タン
グステン被膜を形成する表面硬化法が知られている。こ
の化学蒸着法として従来採用されてきた方法は、六フッ
化タングステン(WF6)と水素ガス(H2)にベンゼ
ン(C6H6)をアルゴンガス(Ar)をキャリヤガス
として添加し、高温に保持された被蒸着物表面に導く方
法である。この方法によって炭化タングステンの蒸着被
膜を形成することはできるが、ベンゼン(CGHG)は
液体であるため供給操作が難しく、シかも均一な蒸着被
膜を形成することのできる反応条件の領域が狭いという
問題があった。また、ベンゼンを用いる従来の方法では
、形成された被膜表面の平滑さが充分ではなく、実用面
で問題があった。
(発明の目的) この発明は、上記従来の化学蒸着法の問題点を改良し、
緻密で平滑な表面を有する炭化タングステン被膜を容易
に形成することのできる化学蒸着法を提供することを目
的としている。
(発明の開示) 本発明にかかる化学蒸着法は、六フッ化タングステン、
水素ガスおよびシクロプロパンガスを反応ガスとして用
い、キャリヤガスである不活性ガスとともに反応室内に
供給して反応室内の被蒸着物表面に炭化タングステン被
膜を形成することを特徴としている。すなわち、従来法
におけるベンゼンのかわりにシクロプロパンガスを採用
することによってすぐれた炭化タングステン被膜を形成
するものであり、シクロプロパンガスがベンゼンと違っ
て気体であるため、適当なキャリヤガスを用いることに
よって安定状態でうまく供給することができるのである
。以下これを具体的に説明する。
第1図は本発明を実施するための化学蒸着装置の1例を
あられす系統図であって、この化学蒸着装置1は、外周
部に加熱炉2が設けられた管状の竪型反応室をそなえ、
その内部に被蒸着物を載置する回転テーブル5が設けら
れている。回転テーブル5は、反応室3の底部に設けら
れた回転装置6の回転軸7によって支持されている。
反応室3のガス供給口3aには、水素ガスポンベ10、
アルゴンカスポンベ11、シクロプロパンガスポンベ1
2および六フッ化タングステンポンベ13が接続されて
いる。図中、14.15.18.17はそれぞれのガス
の適量を調節するためのガス流量調節/゛・ルブ、18
.19.20は回転浮遊式流量計、21は質量流量計で
ある1反応室3の底部に設けた排気口3bには、排ガス
処理槽22とターボファン23が接続されている6また
、反応室3の人気側と排気側には、カスの論通を停止す
ることのできる閉塞用バルブ24.25が設けられてい
るに の化学蒸着装置lを用いて炭化タングステン被膜を形成
するには、被蒸着物4をテーブル5上に・数置し、加熱
炉2によって所定の温度に加熱するとともに、それぞれ
のポンベから所定量のガスを反応室内に供給する。蒸着
中における積法着物の温度は350〜800℃とするの
が好ましく、400〜550℃とするのがより好ましい
。反応室3に供給される混合ガス中の六フッ化タングス
テン(W F6)と水素ガス(H2)の混合比率は、モ
ル比でWF6:H2=1 : 3〜1:15とするのが
好ましく、WF6:H2=1 : 6〜1:12とする
のがより好ましい。また、シクロプロパンガス(C3H
6)の添加量は、水素ガス(Hコ)と六フッ化タングス
テン(WF6)とを合わせた量(WFg十H2)に対し
モル比で0.01〜0.3の割合とするのが好ましく。
0、O1〜0.15の割合とするのがより好ましい。シ
クロプロパンガス供給用のキャリアガスとしては、入手
性等の面でアルゴンガスを用いるのがよいが、他の適当
な不活性ガスを用いてもよい。高温に加熱された被蒸着
物が混合ガスにさらされると、その表面に炭化タングス
テン被膜が形成される。この被膜は、W2Cを主成分と
する柱状組織となるのが普通であり、従来のものに較べ
て緻密で、しかも平滑な表面をそなえている。また、従
来の化学蒸着法による炭化タングステン被膜の400〜
500℃の比較的低い温度領域におけるヌープ硬度が1
800 (Hk)程度であり、反応条件によって大きな
バラツキを示すのに対し、本発明によって形成される被
nりのヌープ硬度は一般に2300〜2500 (Hk
)と高ぐて安定した値を示す傾向がある。これは、従来
法による蒸着被膜がw、W2C。
W3C等が混在する不均質組織となりやすいのに対し、
本発明のM着装では比較的均質なW2Cの柱状組織が得
られるからであろうと考えられる。
(実施例および比較例) 被ノ入着物(基材)としてグラファイト板(IG−11
)および無酸素銅板を用い、種々の条件で化学蒸着を行
なった結果を第1表に示す。また、実施例2と比較例1
で得られた被膜の顕a鏡組織を第2図(a)、(b)お
よび第3図(a) 、 (b)に示す。第2図は実施例
2の被膜を、第3図は比較例1の被膜をあられす、いず
れも(a)は被膜の表面を、jb)は断面をあられす。
従来法による被膜がlθ〜30gm程度の塊状粒子(積
層体)からなる粗い表面を有するのに対し、本発明によ
る被膜は微細な柱状組織を呈し、表面の凹凸も54m程
度と平滑で緻密なものであることがわかる。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明にかかる化学法
着装は、緻密で平滑な安定した炭化タングステン被膜を
容易に形成することのできるきわめてすぐれたものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施に用いられる化学蒸着装置の1例
をあられす系統図、第2図および第3図はそれぞれ実施
例と比較例における炭化タングステン層着被膜の(a)
表面顕微鏡写真(X 1000)および(b)断面顕微
鏡写真(X 400)である。 1・・・化学蒸着装置、2・・・加熱炉、3・・・反応
室、4・・・被洗着物、5・・・テーブル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)六フッ化タングステン、水素ガスおよびシクロプ
    ロパンガスを反応ガスとして用い、キャリヤガスである
    不活性ガスとともに反応室内に供給して反応室内の被蒸
    着物表面に炭化タングステン被膜を形成することを特徴
    とする化学蒸着法。
  2. (2)被蒸着物の温度が350〜600℃、六フッ化タ
    ングステン(WF_6)と水素ガス(H_2)との混合
    比がモル比でWF_6:H_2=1:3〜1:15、シ
    クロプロパンガスの添加量が六フッ化タングステンと水
    素ガスを合わせた量に対しモル比で0.01〜0.3の
    反応条件下で被膜の形成を行なう特許請求の範囲第1項
    記載の化学蒸着法。
JP28006384A 1984-12-28 1984-12-28 化学蒸着法 Granted JPS61157681A (ja)

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JP28006384A JPS61157681A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 化学蒸着法

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JPS61157681A true JPS61157681A (ja) 1986-07-17
JPS6254869B2 JPS6254869B2 (ja) 1987-11-17

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