JPH05470B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH05470B2 JPH05470B2 JP516984A JP516984A JPH05470B2 JP H05470 B2 JPH05470 B2 JP H05470B2 JP 516984 A JP516984 A JP 516984A JP 516984 A JP516984 A JP 516984A JP H05470 B2 JPH05470 B2 JP H05470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrafine powder
- raw material
- cvd
- gas
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- -1 metal compound salt Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000002920 hazardous waste Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、耐熱性、然摩耗性、耐食性に優れ
た表面被膜を化学的蒸着(以下、CVDという)
により形成する方法に関する。
た表面被膜を化学的蒸着(以下、CVDという)
により形成する方法に関する。
近年、メツキ技術は着実な進歩をしており、特
に液相メツキ分野で見られる有害廃棄物の処理の
難かしさあるいは電解メツキに可能な材料が得ら
れていること等から、気相メツキ技術の研究開発
が多方面で盛んに行なわれており、一部では実用
化の段階に入つている。
に液相メツキ分野で見られる有害廃棄物の処理の
難かしさあるいは電解メツキに可能な材料が得ら
れていること等から、気相メツキ技術の研究開発
が多方面で盛んに行なわれており、一部では実用
化の段階に入つている。
CVDは金属材料の表面を硬化する有効な手段
の一つであるが、そのメカニズムが複雑であるた
め、安定した性状の被膜を形成するには蒸着温
度、送入ガス温度、組成および系内圧力等の精密
な制御が必要である。
の一つであるが、そのメカニズムが複雑であるた
め、安定した性状の被膜を形成するには蒸着温
度、送入ガス温度、組成および系内圧力等の精密
な制御が必要である。
一方、工業化のための重要な因子として蒸着速
度がある。CVDの蒸着速度は対象材料あるいは
対象材料が同じでも使用する原料の種類にもより
異なるが、大体0.01〜2mm/hr程度である。この
蒸着速度はPVDの一法であるスパツタリングと
比べれば優れているものの、工業的には性状の良
い膜が可能な限り早く形成されることが望まし
い。
度がある。CVDの蒸着速度は対象材料あるいは
対象材料が同じでも使用する原料の種類にもより
異なるが、大体0.01〜2mm/hr程度である。この
蒸着速度はPVDの一法であるスパツタリングと
比べれば優れているものの、工業的には性状の良
い膜が可能な限り早く形成されることが望まし
い。
この発明の目的は、核発生を与えることにより
柱状晶のない厚いCVD膜を速い見かけ上の蒸着
速度で形成する方法を提供することである。
柱状晶のない厚いCVD膜を速い見かけ上の蒸着
速度で形成する方法を提供することである。
この発明のCVD膜の形成方法は、反応炉内に
超微粉と原料ガスを供給し、炉内に超微粉の流動
雰囲気を作り、この中で原料ガスに化学反応を起
させてメツキ母材に超微粉が混在した金属又は金
属化合物を析出させることを特徴とするものであ
る。
超微粉と原料ガスを供給し、炉内に超微粉の流動
雰囲気を作り、この中で原料ガスに化学反応を起
させてメツキ母材に超微粉が混在した金属又は金
属化合物を析出させることを特徴とするものであ
る。
上記の構成によると、従来の原料ガスのみによ
る方法に比べて、析出物の中に混在された超微粉
の量だけ膜が厚くなる。即ち、一定の膜厚を形成
するのに、超微粉を混在させて形成すれば見かけ
上の蒸着速度は速くなる。
る方法に比べて、析出物の中に混在された超微粉
の量だけ膜が厚くなる。即ち、一定の膜厚を形成
するのに、超微粉を混在させて形成すれば見かけ
上の蒸着速度は速くなる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第1図は本発明の第1実施例を示すもので、炉
の外部で作つた超微粉を供給するCVDの基本プ
ロセスである。
の外部で作つた超微粉を供給するCVDの基本プ
ロセスである。
原料ガス供給装置1において、所定の温度で昇
華又は蒸発させた揮発性金属化合物塩、例えば
SiCl4、TiCl4、ZrCl4、WF6と、キヤリアガス、
例えばAr、H2、N2と、さらに金属化合物塩と反
応してメツキ物質を生成するガス、例えばCH4、
CO2、H2とを混合した原料ガスが作られる。そ
して超微粉供給装置2ではニユーセラミツクス成
形体を作る際の原料となる粒径が10μm以下であ
る超微粉体、例えばSiC、ZrO2、Al2O3などの超
微粉が装てんされる。そして前記原料ガスと超微
粉は反応炉3に供給される。反応炉3は加熱装置
4によつて反応に適した温度に加熱され、黒鉛な
どの加熱ポート5上載置されたメツキ母材6に
CVD膜を形成する。7は廃ガス処理装置である。
華又は蒸発させた揮発性金属化合物塩、例えば
SiCl4、TiCl4、ZrCl4、WF6と、キヤリアガス、
例えばAr、H2、N2と、さらに金属化合物塩と反
応してメツキ物質を生成するガス、例えばCH4、
CO2、H2とを混合した原料ガスが作られる。そ
して超微粉供給装置2ではニユーセラミツクス成
形体を作る際の原料となる粒径が10μm以下であ
る超微粉体、例えばSiC、ZrO2、Al2O3などの超
微粉が装てんされる。そして前記原料ガスと超微
粉は反応炉3に供給される。反応炉3は加熱装置
4によつて反応に適した温度に加熱され、黒鉛な
どの加熱ポート5上載置されたメツキ母材6に
CVD膜を形成する。7は廃ガス処理装置である。
つぎに、上記実施例の作用を説明する。
予じめメツキ母材6は加熱ポート5によつて析
出させる金属又は金属化合物であるメツキ物質の
蒸着温度に加熱されている。そして原料ガスと超
微粉が炉内に供給されると、超微粉は原料ガスの
流れに乗つて拡散され、流動状態が形成される。
この雰囲気の中で原料ガスは次式に示すような化
学反応を起こす。
出させる金属又は金属化合物であるメツキ物質の
蒸着温度に加熱されている。そして原料ガスと超
微粉が炉内に供給されると、超微粉は原料ガスの
流れに乗つて拡散され、流動状態が形成される。
この雰囲気の中で原料ガスは次式に示すような化
学反応を起こす。
(SiC析出の場合)
SiCl4+CH4H2キヤリア
―――――――――――→
1400℃150torrSiC+4HCl
この時の膜生成条件例としては、SiCl4蒸発温
度:27℃、キヤリアガスH2流量:1500c.c./min、
CH4流量:20c.c./min、母材温度:1400℃、炉内
圧力:150torrである。
度:27℃、キヤリアガスH2流量:1500c.c./min、
CH4流量:20c.c./min、母材温度:1400℃、炉内
圧力:150torrである。
(TiC析出の場合)
TiCl4+CH4H2キヤリア
―――――――――――→
1000℃100torrTiC+4HCl
この膜生成条件例としては、TiCl4蒸発温度:
30℃、キヤリアH2流量:2000c.c./min、CH4流
量;50c.c./min、母材温度:1000℃、炉内圧力:
100torrである。
30℃、キヤリアH2流量:2000c.c./min、CH4流
量;50c.c./min、母材温度:1000℃、炉内圧力:
100torrである。
上記のような反応によつて、SiC、TiCなどの
メツキ物質がメツキ母材6に析出する。なお炉内
への超微粉供給量は1〜10mg/minである。この
析出過程において、超微粉はメツキ物質に捕えら
れ、析出物内に混在される。従つて、メツキ母材
上に形成されるCVD膜は超微粉の固体を含んだ
緻密なメツキ物質として形成される。そのため、
CVD膜は超微粉が核発生の働きをし、微粒多結
晶組織が達成され、しかも析出物に含まれた超微
粉の量に見合つて膜が厚く形成されるので、
CVD膜の形成速度は見かけ上速くなる。
メツキ物質がメツキ母材6に析出する。なお炉内
への超微粉供給量は1〜10mg/minである。この
析出過程において、超微粉はメツキ物質に捕えら
れ、析出物内に混在される。従つて、メツキ母材
上に形成されるCVD膜は超微粉の固体を含んだ
緻密なメツキ物質として形成される。そのため、
CVD膜は超微粉が核発生の働きをし、微粒多結
晶組織が達成され、しかも析出物に含まれた超微
粉の量に見合つて膜が厚く形成されるので、
CVD膜の形成速度は見かけ上速くなる。
つぎに、本発明の他の実施例を第2図に基づい
て説明する。
て説明する。
第2図は超微粉を炉内で形成するようにした
CVDの基本プロセスである。なお、超微粉を形
成する手段を除く他の構成は第1図に示すCVD
の基本プロセスと同じなのでで、同一符号を用い
てその説明を省略する。
CVDの基本プロセスである。なお、超微粉を形
成する手段を除く他の構成は第1図に示すCVD
の基本プロセスと同じなのでで、同一符号を用い
てその説明を省略する。
超微粉を作るための原料ガスを超微粉原料ガス
供給装置10で作り、この超微粉原料ガスを反応
炉3に供給する。一方、予熱ガス供給装置11は
超微粉原料ガスを炉内において反応を起させるた
めの予熱ガスを供給する。超微粉原料ガスのキヤ
リヤとしては高温になつた時にCVD反応を起さ
ないものとする。
供給装置10で作り、この超微粉原料ガスを反応
炉3に供給する。一方、予熱ガス供給装置11は
超微粉原料ガスを炉内において反応を起させるた
めの予熱ガスを供給する。超微粉原料ガスのキヤ
リヤとしては高温になつた時にCVD反応を起さ
ないものとする。
炉内には超微粉原料ガスの噴射ノズル12と高
温の予熱ガスの噴射ノズル13が近接して配置さ
れ、超微粉原料ガスの噴出と同時に、予熱ガスが
吹き込まれる構造になつている。超微粉原料ガス
は噴射直後に予熱ガスによつて高温に熱せられ、
化学反応を起し、金属又は金属化合物の超微粉が
作られる。この超微粉はガス流に乗つて炉内を流
動拡散する。この状態において、原料ガス供給装
置1から原料ガスを供給すると、第1図に示す
CVDの基本プロセスと同じメカニズムでメツキ
母材6に超微粉とメツキ物質が混在したCVD膜
が形成される。
温の予熱ガスの噴射ノズル13が近接して配置さ
れ、超微粉原料ガスの噴出と同時に、予熱ガスが
吹き込まれる構造になつている。超微粉原料ガス
は噴射直後に予熱ガスによつて高温に熱せられ、
化学反応を起し、金属又は金属化合物の超微粉が
作られる。この超微粉はガス流に乗つて炉内を流
動拡散する。この状態において、原料ガス供給装
置1から原料ガスを供給すると、第1図に示す
CVDの基本プロセスと同じメカニズムでメツキ
母材6に超微粉とメツキ物質が混在したCVD膜
が形成される。
上記のCVDプロセスで複合材料の作り方を説
明する。第3図A,B,Cは複合材料のCVD模
式図である。
明する。第3図A,B,Cは複合材料のCVD模
式図である。
例えば、複合材料としてAl2O3+ZrO2を作るに
は、複合材料を構成する金属化合物の一つを第3
図Aで示すように超微粉として供給するか、又は
第3図B,Cのように共に原料ガスとして供給
し、炉内においてその内の一方の原料ガスから超
微粉(ZrO2、Al2O3)を作ることによつて下式の
CVD反応式から得られる。
は、複合材料を構成する金属化合物の一つを第3
図Aで示すように超微粉として供給するか、又は
第3図B,Cのように共に原料ガスとして供給
し、炉内においてその内の一方の原料ガスから超
微粉(ZrO2、Al2O3)を作ることによつて下式の
CVD反応式から得られる。
ZrCl4+2H2+2CO2700〜900℃
―――――→
ZrO2+4HCl+2CO
2AlCl3+3H2+3CO2700〜900℃
―――――→
Al2O3+6HCl+3CO
なお、ZrO2膜の生成条件例は、ZrCl4蒸発温
度:180℃、キヤリアHe流量:1500c.c./min、H2
流量:30c.c./min、CO2流量:50c.c./min、炉内
圧力:200torr、母材温度900℃である。また、
Al2O3膜の生成条件例は、AlCl3蒸発温度:250
℃、キヤリアHe流量:1500c.c./min、H2流量:
50c.c./min、CO2流量:60c.c./min、炉内圧力:
200torr、母材温度:900℃である。
度:180℃、キヤリアHe流量:1500c.c./min、H2
流量:30c.c./min、CO2流量:50c.c./min、炉内
圧力:200torr、母材温度900℃である。また、
Al2O3膜の生成条件例は、AlCl3蒸発温度:250
℃、キヤリアHe流量:1500c.c./min、H2流量:
50c.c./min、CO2流量:60c.c./min、炉内圧力:
200torr、母材温度:900℃である。
上述のとおり、本発明によれば、CVD膜の見
かけ上の形成速度を速めることができると共に、
析出過程において、金属又は金属化合物の超微粉
が混在するから、核発生によつて柱状晶を防ぐこ
とができ、安定した性状のCVD膜が形成される。
かけ上の形成速度を速めることができると共に、
析出過程において、金属又は金属化合物の超微粉
が混在するから、核発生によつて柱状晶を防ぐこ
とができ、安定した性状のCVD膜が形成される。
第1図は、本発明に係るCVDの基本プロセス
図、第2図は本発明に係る他の実施例のCVDの
基本プロセス図、第3図A,B,Cは複合材料を
作るCVDの模式図である。 1……原料ガス供給装置、2……超微粉供給装
置、3……反応炉、6……メツキ母材、10……
超微粉原料ガス供給装置、11……予熱ガス供給
装置。
図、第2図は本発明に係る他の実施例のCVDの
基本プロセス図、第3図A,B,Cは複合材料を
作るCVDの模式図である。 1……原料ガス供給装置、2……超微粉供給装
置、3……反応炉、6……メツキ母材、10……
超微粉原料ガス供給装置、11……予熱ガス供給
装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 反応炉に低温で気化された揮発性の金属化合
物塩からなる原料ガスを供給し、高温に加熱され
たメツキ母材に金属又は金属化合物を析出させる
CVD膜の形成方法において、前記原料ガスと共
に金属又は金属化合物の超微粉を供給し、この超
微粉を炉内で流動状態にし、この雰囲気の中で原
料ガスに化学反応を起させてメツキ母材に超微粉
が混在した金属又は金属化合物を析出させるよう
にしたCVD膜の形成方法。 2 前記超微粉が原料ガスから析出されるメツキ
物質と同じ組成であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のCVD膜の形成方法。 3 前記超微粉が原料ガスから析出されるメツキ
物質と異なる組成であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のCVD膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP516984A JPS60149773A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Cvd膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP516984A JPS60149773A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Cvd膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60149773A JPS60149773A (ja) | 1985-08-07 |
JPH05470B2 true JPH05470B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=11603732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP516984A Granted JPS60149773A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Cvd膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60149773A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61106769A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 気相反応を利用した自己潤滑性硬質被膜形成装置 |
DE3546113A1 (de) * | 1985-12-24 | 1987-06-25 | Santrade Ltd | Verbundpulverteilchen, verbundkoerper und verfahren zu deren herstellung |
JP2780100B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1998-07-23 | 日本真空技術株式会社 | 磁性微小物体混入化学蒸着方法と装置 |
JP4352783B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系及び処理システム |
CN110182841B (zh) * | 2018-11-22 | 2020-06-16 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种低温介稳流态化工艺制备TiOxCyNz包覆粉体的系统及方法 |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP516984A patent/JPS60149773A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60149773A (ja) | 1985-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0892743A (ja) | 被覆切削工具及びその製造方法 | |
US4619866A (en) | Method of making a coated cemented carbide body and resulting body | |
US5665431A (en) | Titanium carbonitride coated stratified substrate and cutting inserts made from the same | |
JP2003515675A (ja) | プラズマ放射源を使用して複合層を製造する方法 | |
US3368914A (en) | Process for adherently depositing a metal carbide on a metal substrate | |
CA1309903C (en) | Deposition of titanium aluminides | |
US4830886A (en) | Process for making cutting insert with titanium carbide coating | |
JPS61158877A (ja) | セラミツクス多孔質膜の製造方法 | |
Wood et al. | Coating particles by chemical vapor deposition in fluidized bed reactors | |
JPH05470B2 (ja) | ||
JPS623234B2 (ja) | ||
US6037485A (en) | CVD precursors and film preparation method using the same | |
Devi et al. | MOCVD of aluminium oxide films using aluminium $\beta $-diketonates as precursors | |
KR100249825B1 (ko) | 유기금속 화합물 전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법 | |
Konyashin | The mechanism of interaction between Cl-containing gaseous phase and cemented carbides in the chemical vapour deposition process | |
US3472680A (en) | Low temperature process for pyrolytic deposition of zirconium oxide films | |
JPS6149390B2 (ja) | ||
US5840367A (en) | Process for preparing a two phase HFB2 -SIB4 material | |
JPS6242996B2 (ja) | ||
JPS58100670A (ja) | 化学蒸着法 | |
JPH055896B2 (ja) | ||
JPS6250466A (ja) | 窒化珪素膜を有する物品の製造法 | |
Sapegina et al. | Analysis of Layer Composition Formed on Stainless Steel Substrates upon Chemical Vapor Deposition of Tantalum | |
Funakubo et al. | Preparation of niobium nitride films by CVD | |
GB1603449A (en) | Method for the formation of hard deposits |