JPH097959A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH097959A JPH097959A JP17663495A JP17663495A JPH097959A JP H097959 A JPH097959 A JP H097959A JP 17663495 A JP17663495 A JP 17663495A JP 17663495 A JP17663495 A JP 17663495A JP H097959 A JPH097959 A JP H097959A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜速度及び膜特性を有効に均一化する気相
成長装置を提供する。 【構成】 複数の基板１１を列設収容した反応容器１３
の一端及び他端にそれぞれ設けた第１のガス供給手段１
５，１６及び第１の排気手段２４と、反応容器１３の他
端及び一端にそれぞれ設けた第２のガス供給手段１７，
１８及び第２の排気手段２３と、各ガス供給手段及び各
排気手段に対応して設けられ、各々のガス供給及びガス
排出を制御する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２
ｂ，２６，２７と、を備えている。開閉弁の操作によ
り、反応容器１３の一端から他端へ向う第１の反応ガス
流路１００と反応容器１３の他端から一端へ向う第２の
反応ガス流路２００とを切り替えて形成する。反応ガス
の各基板に流れる方向を切り替えることで、同一の成膜
温度で膜を成長させることができる。
成長装置を提供する。 【構成】 複数の基板１１を列設収容した反応容器１３
の一端及び他端にそれぞれ設けた第１のガス供給手段１
５，１６及び第１の排気手段２４と、反応容器１３の他
端及び一端にそれぞれ設けた第２のガス供給手段１７，
１８及び第２の排気手段２３と、各ガス供給手段及び各
排気手段に対応して設けられ、各々のガス供給及びガス
排出を制御する開閉弁２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２
ｂ，２６，２７と、を備えている。開閉弁の操作によ
り、反応容器１３の一端から他端へ向う第１の反応ガス
流路１００と反応容器１３の他端から一端へ向う第２の
反応ガス流路２００とを切り替えて形成する。反応ガス
の各基板に流れる方向を切り替えることで、同一の成膜
温度で膜を成長させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長装置、特に複
数の基板に対して同時に成膜処理を行うようにした気相
成長装置に関するものである。
数の基板に対して同時に成膜処理を行うようにした気相
成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のバッチ式気相成長装置では、反応
ガス供給口と排気口とが一組設置されており、反応ガス
は反応ガス供給口から排気口へと一方向に排気されるよ
うになっている。この場合、反応ガス供給口付近の基板
にあっては、反応ガスの濃度が高いため、速い成膜速度
で反応が進行する。また反応ガスは、各基板にて結晶成
長を行いながら消費されるため、反応ガス供給口から遠
ざかるに従って反応ガスの濃度は薄くなると共にその成
膜速度は遅い。
ガス供給口と排気口とが一組設置されており、反応ガス
は反応ガス供給口から排気口へと一方向に排気されるよ
うになっている。この場合、反応ガス供給口付近の基板
にあっては、反応ガスの濃度が高いため、速い成膜速度
で反応が進行する。また反応ガスは、各基板にて結晶成
長を行いながら消費されるため、反応ガス供給口から遠
ざかるに従って反応ガスの濃度は薄くなると共にその成
膜速度は遅い。
【０００３】これを防止するため供給ガスの導入口を複
数設けた反応容器内の反応ガス濃度を均一化する手法が
取られてきた。即ち、例えば特開平４−１３９８２０号
公報に記載の装置では、図２に示されるように反応容器
１内の石英ボート２に垂直方向に並べられたウェハＷに
対応する位置に、複数のガス排出口を有するガス導入管
３を設けている。
数設けた反応容器内の反応ガス濃度を均一化する手法が
取られてきた。即ち、例えば特開平４−１３９８２０号
公報に記載の装置では、図２に示されるように反応容器
１内の石英ボート２に垂直方向に並べられたウェハＷに
対応する位置に、複数のガス排出口を有するガス導入管
３を設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、成膜する膜
の種類によってはこのような手法のみでは、成膜速度を
十分に均一化することができない場合がある。そこで、
成膜速度が遅い領域に配置される基板の温度を高くする
ように、基板間で温度勾配を設定する手法が取られてき
た。しかしながら、かかる従来の方法では、基板が配置
された位置によって、そこでの反応温度が異なるため、
成長する結晶の粒径が異なる等、膜特性の均一化が困難
になるという問題があった。
の種類によってはこのような手法のみでは、成膜速度を
十分に均一化することができない場合がある。そこで、
成膜速度が遅い領域に配置される基板の温度を高くする
ように、基板間で温度勾配を設定する手法が取られてき
た。しかしながら、かかる従来の方法では、基板が配置
された位置によって、そこでの反応温度が異なるため、
成長する結晶の粒径が異なる等、膜特性の均一化が困難
になるという問題があった。
【０００５】本発明はかかる実情に鑑み、成膜速度及び
膜特性を有効に均一化し得る気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
膜特性を有効に均一化し得る気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による気相成長装
置は、複数の基板を列設収容した反応容器の一端及び他
端にそれぞれ設けた第１のガス供給手段及び第１の排気
手段と、前記反応容器の他端及び一端にそれぞれ設けた
第２のガス供給手段及び第２の排気手段と、各ガス供給
手段及び各排気手段に対応して設けられ、各々のガス供
給及びガス排出を制御する開閉弁と、を備え、前記開閉
弁の操作により、反応容器の一端から他端へ向う第１の
反応ガス流路と反応容器の他端から一端へ向う第２の反
応ガス流路とを切り替えて形成するようにしたものであ
る。
置は、複数の基板を列設収容した反応容器の一端及び他
端にそれぞれ設けた第１のガス供給手段及び第１の排気
手段と、前記反応容器の他端及び一端にそれぞれ設けた
第２のガス供給手段及び第２の排気手段と、各ガス供給
手段及び各排気手段に対応して設けられ、各々のガス供
給及びガス排出を制御する開閉弁と、を備え、前記開閉
弁の操作により、反応容器の一端から他端へ向う第１の
反応ガス流路と反応容器の他端から一端へ向う第２の反
応ガス流路とを切り替えて形成するようにしたものであ
る。
【０００７】また、本発明の気相成長装置において、前
記第１のガス供給手段及び前記第１の排気手段により第
１の反応ガス流路が形成されると共に、前記第２のガス
供給手段及び前記第２の排気手段により第２の反応ガス
流路が形成され、第１及び第２の反応ガス流路を交互に
切り替えて形成するようにしたものである。
記第１のガス供給手段及び前記第１の排気手段により第
１の反応ガス流路が形成されると共に、前記第２のガス
供給手段及び前記第２の排気手段により第２の反応ガス
流路が形成され、第１及び第２の反応ガス流路を交互に
切り替えて形成するようにしたものである。
【０００８】また、本発明の気相成長装置において、前
記反応容器内の圧力を検知するように設けた圧力検知手
段と、この圧力検知手段と連動して反応容器内の圧力を
制御する圧力制御手段と、を更に備え、少なくとも成膜
処理中には反応容器内の圧力を一定に保持するようにし
たものである。
記反応容器内の圧力を検知するように設けた圧力検知手
段と、この圧力検知手段と連動して反応容器内の圧力を
制御する圧力制御手段と、を更に備え、少なくとも成膜
処理中には反応容器内の圧力を一定に保持するようにし
たものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、複数の基板に同時に成膜可能
な気相反応装置において、反応ガス供給口及び排気口を
複数組設置し、各々のガス供給管に設けた開閉弁と排気
管に設けた開閉弁を交互に切り替えることにより、反応
ガスの導入方向及び排気方向を切り替えることができ
る。これにより広い範囲で同一反応温度で均一な成膜速
度を得ると共に、均一な膜特性を有する膜を成長させる
ことができる。このように本発明装置は、複数の基板に
同時に成膜可能な気相反応装置で反応ガスの各基板に流
れる方向を切り替えることで、同一の成膜温度で膜を成
長させることができる。
な気相反応装置において、反応ガス供給口及び排気口を
複数組設置し、各々のガス供給管に設けた開閉弁と排気
管に設けた開閉弁を交互に切り替えることにより、反応
ガスの導入方向及び排気方向を切り替えることができ
る。これにより広い範囲で同一反応温度で均一な成膜速
度を得ると共に、均一な膜特性を有する膜を成長させる
ことができる。このように本発明装置は、複数の基板に
同時に成膜可能な気相反応装置で反応ガスの各基板に流
れる方向を切り替えることで、同一の成膜温度で膜を成
長させることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１に基づき、本発明による気相成長
装置の好適な実施例を説明する。図１に示した気相成長
装置１０において所謂ＤＯＰＯＳ（Doped Polysilicon
）を得るための多数の気相成長用のシリコン基板１１
は、石英ボート１２に沿って積層するかたちで搭載され
ている。なお、石英ボート１２の詳細構造は図示されて
いないが、シリコン基板１１が相互に所定間隔をおいて
配置されるように支持し得るようになっている。このよ
うにシリコン基板１１を搭載した石英ボート１２の全体
が反応容器１３内に収容される。
装置の好適な実施例を説明する。図１に示した気相成長
装置１０において所謂ＤＯＰＯＳ（Doped Polysilicon
）を得るための多数の気相成長用のシリコン基板１１
は、石英ボート１２に沿って積層するかたちで搭載され
ている。なお、石英ボート１２の詳細構造は図示されて
いないが、シリコン基板１１が相互に所定間隔をおいて
配置されるように支持し得るようになっている。このよ
うにシリコン基板１１を搭載した石英ボート１２の全体
が反応容器１３内に収容される。
【００１１】また、石英ボート１２は反応容器１３内で
回転可能に支持されると共に、回転機構４によって回転
駆動される。そして、成膜中には回転機構４が常時、石
英ボート１２、従ってシリコン基板１１を一定速度で回
転させるようになっている。このようにシリコン基板１
１を回転させることにより、シリコン基板１１に対して
反応ガスを均一に当てることができ、その結果各シリコ
ン基板１１の面内での成膜プロセスを均一化する。
回転可能に支持されると共に、回転機構４によって回転
駆動される。そして、成膜中には回転機構４が常時、石
英ボート１２、従ってシリコン基板１１を一定速度で回
転させるようになっている。このようにシリコン基板１
１を回転させることにより、シリコン基板１１に対して
反応ガスを均一に当てることができ、その結果各シリコ
ン基板１１の面内での成膜プロセスを均一化する。
【００１２】反応容器１３内に複数の反応ガス供給口を
有している。即ち、上側の反応ガス供給口としてのイン
ジェクタ１５，１６と、これらとは上下反対もしくは対
称に配置された下側の反応ガス供給口としてのインジェ
クタ１７，１８とを備えている。インジェクタ１５及び
インジェクタ１７は同一のガス配管１９とそれぞれ接続
し、またインジェクタ１６及びインジェクタ１８は同一
のガス配管２０とそれぞれ接続している。インジェクタ
１５，１６は制御弁２１ａ，２１ｂによって開閉制御さ
れ、またインジェクタ１７，１８は制御弁２２ａ，２２
ｂによって開閉制御される。
有している。即ち、上側の反応ガス供給口としてのイン
ジェクタ１５，１６と、これらとは上下反対もしくは対
称に配置された下側の反応ガス供給口としてのインジェ
クタ１７，１８とを備えている。インジェクタ１５及び
インジェクタ１７は同一のガス配管１９とそれぞれ接続
し、またインジェクタ１６及びインジェクタ１８は同一
のガス配管２０とそれぞれ接続している。インジェクタ
１５，１６は制御弁２１ａ，２１ｂによって開閉制御さ
れ、またインジェクタ１７，１８は制御弁２２ａ，２２
ｂによって開閉制御される。
【００１３】ここで、反応ガスとして、インジェクタ１
５及びインジェクタ１７からはそれぞれ、ＳｉＨ4 及び
ＰＨ3 が供給される。また、特にＰＨ3 につき、インジ
ェクタ１６及びインジェクタ１８から供給される。
５及びインジェクタ１７からはそれぞれ、ＳｉＨ4 及び
ＰＨ3 が供給される。また、特にＰＨ3 につき、インジ
ェクタ１６及びインジェクタ１８から供給される。
【００１４】各インジェクタ１５，１６，１７及び１８
の配置位置は、例えば図示例のようにインジェクタ１５
及びインジェクタ１７を石英ボート１２のそれぞれ上方
及び下方に設定する。またインジェクタ１６及びインジ
ェクタ１８は、石英ボート１２の概ね中央部付近に達す
る程度に設定される。これらのうち特に、インジェクタ
１６及びインジェクタ１８を上記のように設けることに
より、反応ガスにおけるリン濃度の均一化を図ることが
できる。なお、各インジェクタの配置は好適な例を示す
ものであり、厳密に図示例のものに必ずしも限定する必
要はない。
の配置位置は、例えば図示例のようにインジェクタ１５
及びインジェクタ１７を石英ボート１２のそれぞれ上方
及び下方に設定する。またインジェクタ１６及びインジ
ェクタ１８は、石英ボート１２の概ね中央部付近に達す
る程度に設定される。これらのうち特に、インジェクタ
１６及びインジェクタ１８を上記のように設けることに
より、反応ガスにおけるリン濃度の均一化を図ることが
できる。なお、各インジェクタの配置は好適な例を示す
ものであり、厳密に図示例のものに必ずしも限定する必
要はない。
【００１５】また、この例では石英ボート１２を挟んで
インジェクタ１５及びインジェクタ１７のほぼ反対側対
応位置にて、それぞれ排気口２３，２４が設けられる。
排気口２３，２４は、同一の排気管２５とそれぞれ接続
すると共に、制御弁２６，２７によって開閉制御され
る。排気口２３，２４の至近位置には圧力計２８，２９
が設けられ、また、これらの圧力計２８，２９と連動し
てバタフライバルブの開度を調整することにより圧力制
御を行う自動圧力制御装置（ＡＰＣ）３０，３１を備え
ている。
インジェクタ１５及びインジェクタ１７のほぼ反対側対
応位置にて、それぞれ排気口２３，２４が設けられる。
排気口２３，２４は、同一の排気管２５とそれぞれ接続
すると共に、制御弁２６，２７によって開閉制御され
る。排気口２３，２４の至近位置には圧力計２８，２９
が設けられ、また、これらの圧力計２８，２９と連動し
てバタフライバルブの開度を調整することにより圧力制
御を行う自動圧力制御装置（ＡＰＣ）３０，３１を備え
ている。
【００１６】なお、上記の場合反応容器１３の周囲に
は、ヒータ３２が配置されており、石英ボート１２に搭
載されたシリコン基板１１を加熱し得るようになってい
る。
は、ヒータ３２が配置されており、石英ボート１２に搭
載されたシリコン基板１１を加熱し得るようになってい
る。
【００１７】上記構成で成る気相成長装置１０におい
て、複数の反応ガス供給口（インジェクタ１５，１６，
１７及び１８）と複数の排気口２３，２４を備え、且つ
これらの反応ガス供給口は、シリコン基板１１を列設し
ている石英ボート１２の中心部に関して上下対称に配置
されている。そして、反応ガスの供給方法として、上側
の反応ガス供給口（インジェクタ１５，１６）と下側の
反応ガス供給口（インジェクタ１７，１８）を交互に開
閉すると共に、上下の反応ガス供給口からの反応ガス供
給に対応して、排気口２４及び２３により吸引排気を行
う。
て、複数の反応ガス供給口（インジェクタ１５，１６，
１７及び１８）と複数の排気口２３，２４を備え、且つ
これらの反応ガス供給口は、シリコン基板１１を列設し
ている石英ボート１２の中心部に関して上下対称に配置
されている。そして、反応ガスの供給方法として、上側
の反応ガス供給口（インジェクタ１５，１６）と下側の
反応ガス供給口（インジェクタ１７，１８）を交互に開
閉すると共に、上下の反応ガス供給口からの反応ガス供
給に対応して、排気口２４及び２３により吸引排気を行
う。
【００１８】即ち、インジェクタ１５，１６から反応ガ
スを供給して、排気口２４により排気することにより、
概ね、図１に示されるような反応ガスの流路１００が形
成される。また同様に、インジェクタ１７，１８から反
応ガスを供給して、排気口２３により排気することによ
り、同様に反応ガスの流路２００が形成される。制御弁
２１ａ，２１ｂ及び制御弁２２ａ，２２ｂ等の制御によ
って反応ガスの流路１００及び流路２００を所定のタイ
ミングで交互に形成し、それぞれの流路に存在する反応
ガスによって成膜反応を進行させる。
スを供給して、排気口２４により排気することにより、
概ね、図１に示されるような反応ガスの流路１００が形
成される。また同様に、インジェクタ１７，１８から反
応ガスを供給して、排気口２３により排気することによ
り、同様に反応ガスの流路２００が形成される。制御弁
２１ａ，２１ｂ及び制御弁２２ａ，２２ｂ等の制御によ
って反応ガスの流路１００及び流路２００を所定のタイ
ミングで交互に形成し、それぞれの流路に存在する反応
ガスによって成膜反応を進行させる。
【００１９】上記の場合、上下の反応ガス供給口を制御
する制御弁２１ａ，２１ｂ又は制御弁２２ａ，２２ｂ
は、排気側の制御弁２６，２７、圧力計２８，２９及び
自動圧力制御装置３０，３１に連動して作動するように
なっており、例えば制御弁２１ａ，２１ｂ、制御弁２
７、自動圧力制御装置３１及び圧力計２９が１組となっ
て作動する。そして、この場合圧力計２９の値に基づい
て成膜圧力が一定になるよういに制御が行われる。また
同様に、制御弁２２ａ，２２ｂ、制御弁２６、自動圧力
制御装置３０及び圧力計２８が１組となって作動する。
する制御弁２１ａ，２１ｂ又は制御弁２２ａ，２２ｂ
は、排気側の制御弁２６，２７、圧力計２８，２９及び
自動圧力制御装置３０，３１に連動して作動するように
なっており、例えば制御弁２１ａ，２１ｂ、制御弁２
７、自動圧力制御装置３１及び圧力計２９が１組となっ
て作動する。そして、この場合圧力計２９の値に基づい
て成膜圧力が一定になるよういに制御が行われる。また
同様に、制御弁２２ａ，２２ｂ、制御弁２６、自動圧力
制御装置３０及び圧力計２８が１組となって作動する。
【００２０】次に、気相成長装置１０における具体的な
成膜処理の例を示す。ヒータ３２によって各シリコン基
板１１を加熱し、成膜温度５５０℃で６０分間の成膜を
行う。例えば、インジェクタ１７，１８及び排気口２３
のみを使用して成膜すると、同一処理内の基板上のＤＯ
ＰＯＳの膜厚の均一性は７％であった。ここに、膜厚の
均一性とは、得られた膜厚の平均値に対する最大膜厚値
及び最小膜厚値の差をいうものとする。
成膜処理の例を示す。ヒータ３２によって各シリコン基
板１１を加熱し、成膜温度５５０℃で６０分間の成膜を
行う。例えば、インジェクタ１７，１８及び排気口２３
のみを使用して成膜すると、同一処理内の基板上のＤＯ
ＰＯＳの膜厚の均一性は７％であった。ここに、膜厚の
均一性とは、得られた膜厚の平均値に対する最大膜厚値
及び最小膜厚値の差をいうものとする。
【００２１】これに対して、同一の成膜温度にてインジ
ェクタ１７，１８から反応ガスを５分間供給して排気口
２３から排気し、つまり反応ガス流路２００を形成し、
次にインジェクタ１５，１６から反応ガスを５分間供給
して排気口２４から排気し、つまり反応ガス流路１００
を形成する。このような反応ガス流路１００及び流路２
００を交互に切り替えて成膜する処理を通算で６０分間
繰り返して同一処理内の基板上のＤＯＰＯＳの膜厚の均
一性は２％となった。なお、反応ガス流路１００及び流
路２００を切り替える際、反応容器１３の排気を行う
が、必要に応じて該反応容器１３内を真空引きしてもよ
い。また、切替時に一定のインターバルタイムを設定し
てもよい。
ェクタ１７，１８から反応ガスを５分間供給して排気口
２３から排気し、つまり反応ガス流路２００を形成し、
次にインジェクタ１５，１６から反応ガスを５分間供給
して排気口２４から排気し、つまり反応ガス流路１００
を形成する。このような反応ガス流路１００及び流路２
００を交互に切り替えて成膜する処理を通算で６０分間
繰り返して同一処理内の基板上のＤＯＰＯＳの膜厚の均
一性は２％となった。なお、反応ガス流路１００及び流
路２００を切り替える際、反応容器１３の排気を行う
が、必要に応じて該反応容器１３内を真空引きしてもよ
い。また、切替時に一定のインターバルタイムを設定し
てもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、こ
の種の気相成長装置において、反応容器に対する反応ガ
スの供給及び排気を好適に切り替えて、反応ガスの最適
な流路を形成するようにしたことにより、反応容器全体
としてばかりか個々のシリコン基板に対して同一温度で
且つ均一な成膜速度を得ることができる。その結果、膜
特性の均一化を図り、製品品質を格段に向上する等の利
点を有している。
の種の気相成長装置において、反応容器に対する反応ガ
スの供給及び排気を好適に切り替えて、反応ガスの最適
な流路を形成するようにしたことにより、反応容器全体
としてばかりか個々のシリコン基板に対して同一温度で
且つ均一な成膜速度を得ることができる。その結果、膜
特性の均一化を図り、製品品質を格段に向上する等の利
点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による気相成長装置の実施例における全
体構成例を示す図である。
体構成例を示す図である。
【図２】従来の気相成長装置の構成例を示す図である。
１０ 気相成長装置 １１ シリコン基板 １２ 石英ボート １３ 反応容器 １４ 回転機構 １５，１６，１７，１８ インジェクタ １９，２０ ガス配管 ２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ 制御弁 ２３，２４ 排気口 ２６，２７ 制御弁 ２８，２９ 圧力計 ３０，３１ 自動圧力制御装置（ＡＰＣ）
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の基板を列設収容した反応容器の一
端及び他端にそれぞれ設けた第１のガス供給手段及び第
１の排気手段と、 前記反応容器の他端及び一端にそれぞれ設けた第２のガ
ス供給手段及び第２の排気手段と、 各ガス供給手段及び各排気手段に対応して設けられ、各
々のガス供給及びガス排出を制御する開閉弁と、を備
え、 前記開閉弁の操作により、反応容器の一端から他端へ向
う第１の反応ガス流路と反応容器の他端から一端へ向う
第２の反応ガス流路とを切り替えて形成するようにした
ことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記第１のガス供給手段及び前記第１の
排気手段により第１の反応ガス流路が形成されると共
に、前記第２のガス供給手段及び前記第２の排気手段に
より第２の反応ガス流路が形成され、第１及び第２の反
応ガス流路を交互に切り替えて形成するようにしたこと
を特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記反応容器内の圧力を検知するように
設けた圧力検知手段と、この圧力検知手段と連動して反
応容器内の圧力を制御する圧力制御手段と、を更に備
え、少なくとも成膜処理中には反応容器内の圧力を一定
に保持するようにしたことを特徴とする請求項１に記載
の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17663495A JPH097959A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17663495A JPH097959A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097959A true JPH097959A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16017017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17663495A Withdrawn JPH097959A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097959A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407508B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2003-12-01 | 주식회사 피에스티 | 비회전형 박막 형성 장치 |
| KR100498467B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 배기 경로에서의 파우더 생성을 방지할 수 있는 원자층증착 장비 |
| JP2009044023A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2010080924A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP17663495A patent/JPH097959A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407508B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2003-12-01 | 주식회사 피에스티 | 비회전형 박막 형성 장치 |
| KR100498467B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 배기 경로에서의 파우더 생성을 방지할 수 있는 원자층증착 장비 |
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| JP2010080924A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
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