JP3355238B2 - 半導体成膜装置 - Google Patents
半導体成膜装置Info
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- JP3355238B2 JP3355238B2 JP30981293A JP30981293A JP3355238B2 JP 3355238 B2 JP3355238 B2 JP 3355238B2 JP 30981293 A JP30981293 A JP 30981293A JP 30981293 A JP30981293 A JP 30981293A JP 3355238 B2 JP3355238 B2 JP 3355238B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
ある成膜処理装置に関するものである。
ある成膜処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に於いて、従来の半導体成膜装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００３】ウェーハ３を収納し、成膜する真空チャン
バ１の上下にはヒータ２が配設され、前記真空チャンバ
１の天井面にはガス供給ライン４が連通され、前記真空
チャンバ１の底面の前記ガス供給ライン４が連通された
側とは反対側にガス排気ライン６が連通されている。
バ１の上下にはヒータ２が配設され、前記真空チャンバ
１の天井面にはガス供給ライン４が連通され、前記真空
チャンバ１の底面の前記ガス供給ライン４が連通された
側とは反対側にガス排気ライン６が連通されている。
【０００４】前記ガス供給ライン４は図示しない反応ガ
ス供給源に接続されており、前記ガス供給ライン４の途
中には供給ライン弁５が設けられている。又、前記ガス
排気ライン６の下流端には排気ポンプ７が設けられ、前
記ガス排気ライン６の途中には上流側から排気ライン弁
８、コンダクタンスバルブ９が設けられている。
ス供給源に接続されており、前記ガス供給ライン４の途
中には供給ライン弁５が設けられている。又、前記ガス
排気ライン６の下流端には排気ポンプ７が設けられ、前
記ガス排気ライン６の途中には上流側から排気ライン弁
８、コンダクタンスバルブ９が設けられている。
【０００５】前記真空チャンバ１と、前記排気ライン弁
８と前記コンダクタンスバルブ９との間にスロー排気ラ
イン１１が設けられ、該スロー排気ライン１１の途中に
上流側からスロー排気ライン弁１２、ニードル弁１３が
設けられている。
８と前記コンダクタンスバルブ９との間にスロー排気ラ
イン１１が設けられ、該スロー排気ライン１１の途中に
上流側からスロー排気ライン弁１２、ニードル弁１３が
設けられている。
【０００６】前記ガス排気ライン６には圧力検出器１０
が設けられ、該圧力検出器１０の検出圧力は圧力制御器
１４に入力され、該圧力制御器１４は検出圧力を基に前
記コンダクタンスバルブ９の開度を調整して圧力制御を
行う。
が設けられ、該圧力検出器１０の検出圧力は圧力制御器
１４に入力され、該圧力制御器１４は検出圧力を基に前
記コンダクタンスバルブ９の開度を調整して圧力制御を
行う。
【０００７】ウェーハ搬送装置（図示せず）により前記
真空チャンバ１内にウェーハがセットされると、前記真
空チャンバ１が密閉される。前記供給ライン弁５、排気
ライン弁８及びスロー排気ライン弁１２が閉塞された状
態で前記排気ポンプ７が駆動される。前記スロー排気ラ
イン弁１２が開かれ、前記ニードル弁１３で流路開度が
調整され、排気流量が調節されつつ前記真空チャンバ１
がゆっくりと排気される。前記真空チャンバ１内が所要
圧、例えば１００Pa〜２００Pa程度迄排気されると、前
記スロー排気ライン弁１２が閉じられ、前記排気ライン
弁８が開かれてメイン排気となる。メイン排気に於ける
排気流量の調整は前記コンダクタンスバルブ９により行
われる。
真空チャンバ１内にウェーハがセットされると、前記真
空チャンバ１が密閉される。前記供給ライン弁５、排気
ライン弁８及びスロー排気ライン弁１２が閉塞された状
態で前記排気ポンプ７が駆動される。前記スロー排気ラ
イン弁１２が開かれ、前記ニードル弁１３で流路開度が
調整され、排気流量が調節されつつ前記真空チャンバ１
がゆっくりと排気される。前記真空チャンバ１内が所要
圧、例えば１００Pa〜２００Pa程度迄排気されると、前
記スロー排気ライン弁１２が閉じられ、前記排気ライン
弁８が開かれてメイン排気となる。メイン排気に於ける
排気流量の調整は前記コンダクタンスバルブ９により行
われる。
【０００８】前記真空チャンバ１内が０．５Torr以下の
真空状態になり、前記ヒータ２による真空チャンバ１内
の加熱が安定すると、前記供給ライン弁５が開き、前記
ガス供給ライン４より反応ガスが供給される。反応ガス
は真空チャンバ１内で高温となり、前記ウェーハ３表面
に化学気相成長反応により反応生成物が堆積して薄膜が
生成される。又、反応後のガスは前記ガス排気ライン６
を経て、更に前記コンダクタンスバルブ９により排気流
量が制御されつつ、前記排気ポンプ７により排気され
る。
真空状態になり、前記ヒータ２による真空チャンバ１内
の加熱が安定すると、前記供給ライン弁５が開き、前記
ガス供給ライン４より反応ガスが供給される。反応ガス
は真空チャンバ１内で高温となり、前記ウェーハ３表面
に化学気相成長反応により反応生成物が堆積して薄膜が
生成される。又、反応後のガスは前記ガス排気ライン６
を経て、更に前記コンダクタンスバルブ９により排気流
量が制御されつつ、前記排気ポンプ７により排気され
る。
【０００９】薄膜生成が完了すると前記排気ライン弁８
が閉塞され、図示しない不活性ガス充填ラインより前記
真空チャンバ１内に不活性ガスが充填され、真空チャン
バ１内が大気圧迄復帰すると、真空チャンバ１が開か
れ、図示しないウェーハ搬送装置によりウェーハが搬出
される。
が閉塞され、図示しない不活性ガス充填ラインより前記
真空チャンバ１内に不活性ガスが充填され、真空チャン
バ１内が大気圧迄復帰すると、真空チャンバ１が開か
れ、図示しないウェーハ搬送装置によりウェーハが搬出
される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体成膜
装置では導入された反応ガスは天井に一端側から底面の
他端側に向かって一方向に流れ、ウェーハに堆積する薄
膜の膜厚は反応ガス供給側の方が厚く、排気側で薄くな
るという傾向を生じ、膜質の均一性、製品品質の安定と
いう観点から問題を有していた。
装置では導入された反応ガスは天井に一端側から底面の
他端側に向かって一方向に流れ、ウェーハに堆積する薄
膜の膜厚は反応ガス供給側の方が厚く、排気側で薄くな
るという傾向を生じ、膜質の均一性、製品品質の安定と
いう観点から問題を有していた。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハに生
成される膜厚が均一となる半導体成膜装置を提供しよう
とするものである。
成される膜厚が均一となる半導体成膜装置を提供しよう
とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、成膜チャンバ
にガス供給ラインとガス排気ラインとを対にして複数対
設け、１対のガス供給ラインとガス排気ラインにより生
ずるガス流れと他の対のガス供給ラインとガス排気ライ
ンにより生ずるガス流れとが交差する様構成し、前記ガ
ス排気ラインに圧力検出器を設け、複数のガス排気ライ
ンを合流させた下流位置にコンダクタンスバルブを設
け、前記圧力検出器からの信号を基に前記コンダクタン
スバルブの開度制御を行う圧力制御器を設けた半導体成
膜装置に係るものである。
にガス供給ラインとガス排気ラインとを対にして複数対
設け、１対のガス供給ラインとガス排気ラインにより生
ずるガス流れと他の対のガス供給ラインとガス排気ライ
ンにより生ずるガス流れとが交差する様構成し、前記ガ
ス排気ラインに圧力検出器を設け、複数のガス排気ライ
ンを合流させた下流位置にコンダクタンスバルブを設
け、前記圧力検出器からの信号を基に前記コンダクタン
スバルブの開度制御を行う圧力制御器を設けた半導体成
膜装置に係るものである。
【００１３】
【作用】反応ガスの供給に於いて反応ガスの供給排気に
供している対のガス供給ラインとガス排気ラインを他の
対のガス供給ラインとガス排気ラインに変更すること
で、ガスの流れが変わりウェーハへの成膜の膜厚が均一
化され、又ガスの流れの変更時のライン弁の開閉に起因
する圧力変動について、コンダクタンスバルブの１つに
ついてはＰＩＤ制御、他方については固定開度制御する
ことで圧力変動を抑制する。
供している対のガス供給ラインとガス排気ラインを他の
対のガス供給ラインとガス排気ラインに変更すること
で、ガスの流れが変わりウェーハへの成膜の膜厚が均一
化され、又ガスの流れの変更時のライン弁の開閉に起因
する圧力変動について、コンダクタンスバルブの１つに
ついてはＰＩＤ制御、他方については固定開度制御する
ことで圧力変動を抑制する。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】図１により本発明の第１の実施例を説明す
る。
る。
【００１６】尚、図１中、図４中で示したものと同等な
構成物には同符号を付してある。
構成物には同符号を付してある。
【００１７】ウェーハを収納し、成膜する真空チャンバ
１の上下にはヒータ２が配設され、前記真空チャンバ１
の天井面にはガス供給ライン４を連通し、前記真空チャ
ンバ１の底面の前記ガス供給ライン４を連通した側とは
反対側にガス排気ライン６を連通する。
１の上下にはヒータ２が配設され、前記真空チャンバ１
の天井面にはガス供給ライン４を連通し、前記真空チャ
ンバ１の底面の前記ガス供給ライン４を連通した側とは
反対側にガス排気ライン６を連通する。
【００１８】ガス供給ライン４には図示しない反応ガス
供給源が接続されており、前記ガス供給ライン４の途中
に供給ライン弁５を設ける。
供給源が接続されており、前記ガス供給ライン４の途中
に供給ライン弁５を設ける。
【００１９】前記真空チャンバ１の天上面のガス供給ラ
イン４の連通箇所と対称な位置に、副ガス供給ライン１
５を連通し、該副ガス供給ライン１５に副供給ライン弁
１６を設け、前記真空チャンバ１の床面のガス排気ライ
ン６の連通箇所と対称な位置に、副ガス排気ライン１７
を連通し、該副ガス排気ライン１７には副排気ライン弁
１８を設ける。
イン４の連通箇所と対称な位置に、副ガス供給ライン１
５を連通し、該副ガス供給ライン１５に副供給ライン弁
１６を設け、前記真空チャンバ１の床面のガス排気ライ
ン６の連通箇所と対称な位置に、副ガス排気ライン１７
を連通し、該副ガス排気ライン１７には副排気ライン弁
１８を設ける。
【００２０】前記ガス排気ライン６、副ガス排気ライン
１７は合流させ、合流位置より下流にコンダクタンスバ
ルブ９を設け、更に該コンダクタンスバルブ９に排気ポ
ンプ７を接続する。
１７は合流させ、合流位置より下流にコンダクタンスバ
ルブ９を設け、更に該コンダクタンスバルブ９に排気ポ
ンプ７を接続する。
【００２１】前記真空チャンバ１と、前記排気ライン弁
８と前記コンダクタンスバルブ９との間にスロー排気ラ
イン１１を設け、該スロー排気ライン１１の途中に上流
側からスロー排気ライン弁１２、ニードル弁１３を設
け、前記真空チャンバ１と前記副ガス排気ライン１７の
副排気ライン弁１８より下流位置とを副スロー排気ライ
ン１９により接続し、該副スロー排気ライン１９には上
流側から副スロー排気ライン弁２０、副ニードル弁２１
を順次設ける。
８と前記コンダクタンスバルブ９との間にスロー排気ラ
イン１１を設け、該スロー排気ライン１１の途中に上流
側からスロー排気ライン弁１２、ニードル弁１３を設
け、前記真空チャンバ１と前記副ガス排気ライン１７の
副排気ライン弁１８より下流位置とを副スロー排気ライ
ン１９により接続し、該副スロー排気ライン１９には上
流側から副スロー排気ライン弁２０、副ニードル弁２１
を順次設ける。
【００２２】前記排気ライン弁８の上流側位置と前記副
排気ライン弁１８の上流側位置とを差圧検出ライン２２
により連通し、該差圧検出ライン２２に差圧検出計２３
を設け、該該差圧検出計２３からの信号は圧力制御器１
４に入力する。該圧力制御器１４は前記差圧検出計２３
からの信号により前記コンダクタンスバルブ９の開度を
調整する。
排気ライン弁１８の上流側位置とを差圧検出ライン２２
により連通し、該差圧検出ライン２２に差圧検出計２３
を設け、該該差圧検出計２３からの信号は圧力制御器１
４に入力する。該圧力制御器１４は前記差圧検出計２３
からの信号により前記コンダクタンスバルブ９の開度を
調整する。
【００２３】以下、作用を説明する。
【００２４】前記ウェーハ３搬入後、真空チャンバ１を
真空排気する場合、供給ライン弁５、副供給ライン弁１
６、排気ライン弁８、副排気ライン弁１８を閉じ、前記
スロー排気ライン弁１２、副スロー排気ライン弁２０を
開き、更に前記ニードル弁１３、副ニードル弁２１の弁
開度の調整を行いゆっくりと排気し、前記真空チャンバ
１内を真空状態に近付ける。尚、スロー排気ではスロー
排気ライン１１、副スロー排気ライン１９のいずれか一
方を用いるだけでもよい。
真空排気する場合、供給ライン弁５、副供給ライン弁１
６、排気ライン弁８、副排気ライン弁１８を閉じ、前記
スロー排気ライン弁１２、副スロー排気ライン弁２０を
開き、更に前記ニードル弁１３、副ニードル弁２１の弁
開度の調整を行いゆっくりと排気し、前記真空チャンバ
１内を真空状態に近付ける。尚、スロー排気ではスロー
排気ライン１１、副スロー排気ライン１９のいずれか一
方を用いるだけでもよい。
【００２５】真空チャンバ１内が所要圧迄減圧される
と、前記排気ライン弁８、副排気ライン弁１８を開いて
排気する。
と、前記排気ライン弁８、副排気ライン弁１８を開いて
排気する。
【００２６】前記真空チャンバ１内が０．５Torr以下の
真空状態になり、前記ヒータ２による真空チャンバ１内
の加熱が安定すると、先ず前記副排気ライン弁１８、副
供給ライン弁１６、スロー排気ライン弁１２、副スロー
排気ライン弁２０を閉じ、前記供給ライン弁５、排気ラ
イン弁８を開いて、前記ガス供給ライン４より反応ガス
を導入し、前記ガス排気ライン６より排気する。
真空状態になり、前記ヒータ２による真空チャンバ１内
の加熱が安定すると、先ず前記副排気ライン弁１８、副
供給ライン弁１６、スロー排気ライン弁１２、副スロー
排気ライン弁２０を閉じ、前記供給ライン弁５、排気ラ
イン弁８を開いて、前記ガス供給ライン４より反応ガス
を導入し、前記ガス排気ライン６より排気する。
【００２７】反応ガスは上方から下方に、更に真空チャ
ンバ１内を横断する様に流れる。
ンバ１内を横断する様に流れる。
【００２８】ウェーハ３の処理時間の半分が経過する
と、前記副排気ライン弁１８が開き、次いで直ちに供給
ライン弁５が閉じ、副供給ライン弁１６が開き、前記排
気ライン弁８が閉じる。この状態でガスの流れは、ウェ
ーハ処理前半とは逆の方向に流れていく。
と、前記副排気ライン弁１８が開き、次いで直ちに供給
ライン弁５が閉じ、副供給ライン弁１６が開き、前記排
気ライン弁８が閉じる。この状態でガスの流れは、ウェ
ーハ処理前半とは逆の方向に流れていく。
【００２９】上記した様に、ウェーハに成膜する途中で
反応ガスの流れが逆方向に変わるので、ウェーハ上に堆
積する膜厚が均一化される。
反応ガスの流れが逆方向に変わるので、ウェーハ上に堆
積する膜厚が均一化される。
【００３０】上記実施例に於いて、ガス供給ラインとガ
ス排気ラインをそれぞれ２系統設け、ウェーハの成膜途
中で切換える様にしたものであるが、バルブ切換え時に
圧力変動が生じる。従って、ガス排気ライン６、副ガス
排気ライン１７間の圧力差を差圧検出計２３により検出
し、前記排気ポンプ７による排気流量を前記圧力制御器
１４により前記コンダクタンスバルブ９の開度を調整す
ることで行っている。
ス排気ラインをそれぞれ２系統設け、ウェーハの成膜途
中で切換える様にしたものであるが、バルブ切換え時に
圧力変動が生じる。従って、ガス排気ライン６、副ガス
排気ライン１７間の圧力差を差圧検出計２３により検出
し、前記排気ポンプ７による排気流量を前記圧力制御器
１４により前記コンダクタンスバルブ９の開度を調整す
ることで行っている。
【００３１】圧力変動の抑制を含めて以下に他の実施例
を説明する。
を説明する。
【００３２】図２に示される実施例では、ガス供給ライ
ン２５よりガス供給ライン４、副ガス供給ライン１５を
分岐させ設け、更に前記ガス排気ライン６、副ガス排気
ライン１７にそれぞれコンダクタンスバルブ９、副コン
ダクタンスバルブ２６を設け、該コンダクタンスバルブ
９、副コンダクタンスバルブ２６を前記差圧検出計２３
からの検出結果に応じて前記圧力制御器１４が前記コン
ダクタンスバルブ９、副コンダクタンスバルブ２６の開
度調整をし、真空チャンバ１内の圧力制御を行う様にし
たものである。
ン２５よりガス供給ライン４、副ガス供給ライン１５を
分岐させ設け、更に前記ガス排気ライン６、副ガス排気
ライン１７にそれぞれコンダクタンスバルブ９、副コン
ダクタンスバルブ２６を設け、該コンダクタンスバルブ
９、副コンダクタンスバルブ２６を前記差圧検出計２３
からの検出結果に応じて前記圧力制御器１４が前記コン
ダクタンスバルブ９、副コンダクタンスバルブ２６の開
度調整をし、真空チャンバ１内の圧力制御を行う様にし
たものである。
【００３３】本実施例に於ける圧力制御について説明す
る。
る。
【００３４】前記コンダクタンスバルブ９、副コンダク
タンスバルブ２６のいずれか一方を前記差圧検出計２３
からの信号をモニタしながら前記圧力制御器１４により
開度制御し、ＰＩＤ制御による圧力制御を行う。又、他
方のコンダクタンスバルブはＰＩＤ制御をせずに、所定
の開度からバルブ開度を段階的に変更する固定的な開度
制御とする。但し、両コンダクタンスバルブの関係は固
定とせず、適宜交替が可能とする。
タンスバルブ２６のいずれか一方を前記差圧検出計２３
からの信号をモニタしながら前記圧力制御器１４により
開度制御し、ＰＩＤ制御による圧力制御を行う。又、他
方のコンダクタンスバルブはＰＩＤ制御をせずに、所定
の開度からバルブ開度を段階的に変更する固定的な開度
制御とする。但し、両コンダクタンスバルブの関係は固
定とせず、適宜交替が可能とする。
【００３５】更に詳述する。
【００３６】ガス供給ライン４からガス排気ライン６に
向かって、又副ガス供給ライン１５から副ガス排気ライ
ン１７に向かって反応ガスを流している場合のそれぞれ
の定常状態での前記コンダクタンスバルブ９、副コンダ
クタンスバルブ２６の開度を求めておく。即ち、副供給
ライン弁１６、副排気ライン弁１８が閉で、ガス供給ラ
イン４、ガス排気ライン６により反応ガスを流している
状態での圧力値０．５Torrに対するコンダクタンスバル
ブ９の開度が４５％とし、又供給ライン弁５、排気ライ
ン弁６が閉で、副ガス供給ライン１５、副ガス排気ライ
ン１７により反応ガスを流している状態での圧力値０．
５Torrに対するコンダクタンスバルブ２６の開度が４２
％とした場合の、それぞれの開度４５％、４２％をメモ
リに記憶させておく。
向かって、又副ガス供給ライン１５から副ガス排気ライ
ン１７に向かって反応ガスを流している場合のそれぞれ
の定常状態での前記コンダクタンスバルブ９、副コンダ
クタンスバルブ２６の開度を求めておく。即ち、副供給
ライン弁１６、副排気ライン弁１８が閉で、ガス供給ラ
イン４、ガス排気ライン６により反応ガスを流している
状態での圧力値０．５Torrに対するコンダクタンスバル
ブ９の開度が４５％とし、又供給ライン弁５、排気ライ
ン弁６が閉で、副ガス供給ライン１５、副ガス排気ライ
ン１７により反応ガスを流している状態での圧力値０．
５Torrに対するコンダクタンスバルブ２６の開度が４２
％とした場合の、それぞれの開度４５％、４２％をメモ
リに記憶させておく。
【００３７】次に、圧力設定値０．５Torrに於けるガス
供給ライン４からガス排気ライン６へのガスの流れ方向
を、副ガス供給ライン１５から副スロー排気ライン１９
への流れ方向に切換えるタイミングでの圧力制御の状態
を下記表１に示す。
供給ライン４からガス排気ライン６へのガスの流れ方向
を、副ガス供給ライン１５から副スロー排気ライン１９
への流れ方向に切換えるタイミングでの圧力制御の状態
を下記表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記表１に示される様な圧力制御シーケン
スを行うことで、反応室内の圧力変動を最小にすること
ができる。又、反応ガスの流れをガス供給ライン４から
ガス排気ライン６への流れに変更する場合も同様なシー
ケンスで圧力変動を押えることができる。
スを行うことで、反応室内の圧力変動を最小にすること
ができる。又、反応ガスの流れをガス供給ライン４から
ガス排気ライン６への流れに変更する場合も同様なシー
ケンスで圧力変動を押えることができる。
【００４０】図３に示す実施例は各ガス排気ライン６、
副ガス排気ライン１７にそれぞれ排気ポンプ７、副排気
ポンプ２７を設けたものであり、該副排気ポンプ２７で
は真空チャンバ１内を真空に引く場合、到達真空度が上
がると共に反応後の排気ガスが流入する量も半減するの
で、ポンプ寿命が長くなり、メンテナンスサイクルが延
び、装置のダウンタイムが減少し、装置の稼働率が向上
する。
副ガス排気ライン１７にそれぞれ排気ポンプ７、副排気
ポンプ２７を設けたものであり、該副排気ポンプ２７で
は真空チャンバ１内を真空に引く場合、到達真空度が上
がると共に反応後の排気ガスが流入する量も半減するの
で、ポンプ寿命が長くなり、メンテナンスサイクルが延
び、装置のダウンタイムが減少し、装置の稼働率が向上
する。
【００４１】尚、上記各実施例ではガス供給ラインとガ
ス排気ラインとをガス流れが対向する様に、２対設けた
が、ガス流れが放射状に交差する様３対以上設け、ガス
流れを順次変更してもよいことは言う迄もない。又、上
記各実施例は枚葉式の半導体成膜装置を示したが複数枚
を同時に処理するバッチ式の半導体成膜装置に実施可能
であることも勿論である。
ス排気ラインとをガス流れが対向する様に、２対設けた
が、ガス流れが放射状に交差する様３対以上設け、ガス
流れを順次変更してもよいことは言う迄もない。又、上
記各実施例は枚葉式の半導体成膜装置を示したが複数枚
を同時に処理するバッチ式の半導体成膜装置に実施可能
であることも勿論である。
【００４２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ウェー
ハ成膜処理中の反応ガスの流れを変更するので、膜厚が
均一化され膜品質が向上し、又反応ガスの流れを変更す
る際の弁開閉に伴う圧力変動を抑制することができると
いう優れた効果を発揮する。
ハ成膜処理中の反応ガスの流れを変更するので、膜厚が
均一化され膜品質が向上し、又反応ガスの流れを変更す
る際の弁開閉に伴う圧力変動を抑制することができると
いう優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図３】本発明の更に他の実施例を示す概略図である。
【図４】従来例を示す概略図である。
１ 真空チャンバ ４ ガス供給ライン ５ 供給ライン弁 ６ ガス排気ライン ８ 排気ライン弁 ９ コンダクタンスバルブ １５ 副ガス供給ライン １６ 副供給ライン弁 １７ 副ガス排気ライン １８ 副排気ライン弁 ２６ 副コンダクタンスバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 末吉 守 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国 際電気株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−46234（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−249411（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−329626（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−74587（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94419（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−234328（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−343412（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77142（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205,21/365
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜チャンバにガス供給ラインとガス排
気ラインとを対にして複数対設け、１対のガス供給ライ
ンとガス排気ラインにより生ずるガス流れと他の対のガ
ス供給ラインとガス排気ラインにより生ずるガス流れと
が交差する様構成し、前記ガス排気ラインに圧力検出器
を設け、複数のガス排気ラインを合流させた下流位置に
コンダクタンスバルブを設け、前記圧力検出器からの信
号を基に前記コンダクタンスバルブの開度制御を行う圧
力制御器を設けたことを特徴とする半導体成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30981293A JP3355238B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 半導体成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30981293A JP3355238B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 半導体成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142392A JPH07142392A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3355238B2 true JP3355238B2 (ja) | 2002-12-09 |
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ID=17997548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30981293A Expired - Fee Related JP3355238B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 半導体成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3355238B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (3)
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| JP7055173B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2022-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理プログラム |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP30981293A patent/JP3355238B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9920425B2 (en) | 2014-08-13 | 2018-03-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07142392A (ja) | 1995-06-02 |
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