JP3332053B2 - チャンバーへのガス供給方法 - Google Patents

チャンバーへのガス供給方法

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JP3332053B2 JP26868993A JP26868993A JP3332053B2 JP 3332053 B2 JP3332053 B2 JP 3332053B2 JP 26868993 A JP26868993 A JP 26868993A JP 26868993 A JP26868993 A JP 26868993A JP 3332053 B2 JP3332053 B2 JP 3332053B2
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    • Y10T137/87499—Fluid actuated or retarded

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体製造プラン
トに於いて利用されるものであり、ガス供給ラインの切
り換え時に於けるプロセスチャンバー内の圧力変動を抑
制できるようにしたチャンバーへのガス供給方法の改良
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は半導体製造プラントで使用されて
いる従来のガス配管系の一例を示す概略系統図であり、
当該配管系は、チャンバー２０と、チャンバー圧力調整
器２１（例えばマスフローコントローラー等）及びライ
ン切り換えバルブＶ1 ′を備え、チャンバー２０に反応
性ガスを供給する反応性ガス供給ライン２２と、チャン
バー圧力調整器２３及びライン切り換えバルブＶ2 ′を
備え、チャンバー２０に不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給ライン２４と、チャンバー２０に接続された真空
排気ライン２５と、真空排気ライン２５に接続されたロ
ータリーポンプ２６等から構成されている。尚、図４に
於いて、Ｖ3 ′及びＶ4 ′は各ライン切り換えバルブＶ
1 ′，Ｖ2′の一次側に接続されたベント用の分流バル
ブ、２７はチャンバーに接続されたバラトロン真空計、
Ｖは真空排気ライン２５に介設された開閉バルブであ
る。
【０００３】而して、前記ガス配管系に於いては、ロー
タリーポンプ２６により真空排気されたチャンバー２０
内へ、反応性ガス供給ライン２２から反応ガスを、又、
不活性ガス供給ライン２４から不活性ガスを夫々交互に
供給し、チャンバー２０内でウエハーの成膜処理を行う
ようにしている。又、チャンバー２０内へ供給される反
応性ガス及び不活性ガスの流量は、チャンバー２０内の
圧力が成膜処理に適した圧力になるように、各ライン２
２，２４に介設したチャンバー圧力調整器２１，２３に
よって制御されている。
【０００４】一方、近年、半導体の高集積化に伴ってウ
エハーの膜厚が薄くなって来て居り、その為に膜厚のコ
ントロールも難しくなって来ている。膜厚を乱す要因の
一つとして、ガス供給ラインの切り換え時に於けるチャ
ンバー内の圧力変動が挙げられる。
【０００５】ところで、従来のガス配管系に於いては、
チャンバー２０内の圧力が設定圧力に保たれるようにチ
ャンバー圧力調整器２１，２３によって各ガスの流量を
制御しているが、ガス供給ライン２２，２４を切り換え
た際にどうしてもチャンバー２０内に圧力変動が生じる
と云う問題があった。その結果、ウエハーの膜厚が変化
したり、或いはチャンバー２０内でプラズマが発生しな
かったりすることがあった。又、チャンバー２０内の圧
力等が安定するまで可なりのロスタイムがあった。
【０００６】図５〜図８は従来のガス配管系を用いてラ
イン切り換え時のチャンバー２０の圧力変動試験を行っ
たときの試験結果を示すグラフである。即ち、前記圧力
変動試験は、ライン切り換え時に於けるチャンバー２０
の圧力変動の要因を確認する為に下記の表１に示すパラ
メーターを組み合わせて実施したものである。
【０００７】
【表１】
【０００８】尚、前記圧力変動試験に於いて、ライン切
り換えバルブＶ1 ′，Ｖ2 ′にはダイヤフラム式ブロッ
クバルブを、ベント用の分流バルブＶ3 ′，Ｖ4 ′には
ダイレクトダイヤフラム式分流バルブを夫々使用し、各
バルブＶ1 ′，Ｖ2 ′，Ｖ3′，Ｖ4 ′は、電磁弁（図
示省略）によりバルブ駆動用エアーを供給して開閉操作
を行った。又、ベントラインありの場合、ライン切り換
えバルブＶ1 ′と分流バルブＶ4′、ライン切り換えバ
ルブＶ2 ′と分流バルブＶ3 ′は、交互に且つ同時に開
閉操作した。ガス供給のパターンとして、反応性ガス供
給ライン２２のガスがチャンバー２０に供給されると、
不活性ガス供給ライン２４のガスは分流バルブＶ4′か
らベントし、不活性ガス供給ライン２４のガスがチャン
バー２０に供給されると、反応性ガス供給ライン２２の
ガスは分流バルブＶ3 ′からベントした。更に、ベント
ラインなしの場合、ライン切り換えバルブＶ1 ′，
Ｖ2 ′のみを交互に開閉操作し、各分流バルブＶ3 ′，
Ｖ4 ′は常時閉弁状態とした。ガス供給のパターンとし
て、反応性ガス供給ライン２２のガスがチャンバー２０
に供給されると、不活性ガス供給ライン２４のガスをラ
イン内に密封し、不活性ガス供給ライン２４のガスがチ
ャンバー２０に供給されると、反応性ガス供給ライン２
２のガスをライン内に密封した。
【０００９】而して、ライン切り換え時の圧力変動試験
は、先ずライン切り換えバルブＶ1′，Ｖ2 ′を閉じて
チャンバー２０（縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍ、高さ２
１０ｍｍ）内をロータリーポンプ２６により真空排気す
る。次に、反応性ガス供給ライン２２からチャンバー２
０内にガス（Ｎ2 ガス：圧力は１．０ｋｇｆ／ｃｍ
2 Ｇ）を供給し、チャンバー２０内が設定圧力になるよ
うにチャンバー圧力調整器２１の流量を調整し、チャン
バー２０内の真空圧力が安定するのを確認する。チャン
バー２０内の圧力が安定したら、チャンバー２０へのガ
ス供給を反応性ガス供給ライン２２から不活性ガス供給
ライン２４に切り換え、チャンバー２０内が設定圧力に
なるようにチャンバー圧力調整器２３の流量を調整し、
チャンバー２０内の真空圧力が安定するのを確認する。
尚、チャンバー２０内の真空圧力は、反応性ガス供給ラ
イン２２でガスを供給したときと、不活性ガス供給ライ
ン２４でガスを供給したときとで同じ値（±０．５％）
になるようにする。以上を準備とする。そして、反応性
ガス供給ライン２２でチャンバー２０内へガスを供給
し、チャンバー２０内の圧力が安定するのを確認する。
チャンバー２０内の圧力が安定したら、ガス供給ライン
２２，２４を一定時間毎に交互に切り換え、そのときの
チャンバー２０内の圧力変動をダイヤフラム式真空計２
７で計測する。
【００１０】図５〜図８は前記圧力変動試験の試験結果
を示すグラフである。即ち、図５及び図６はライン切り
換え時の圧力変動をグラフ化したものであり、図５はチ
ャンバー２０の設定圧力を５Ｔｏｒｒ、ライン切り換え
のインターバルを３０→１０→５ｓｅｃとし、チャンバ
ー圧力調整器２１，２３にマスフローコントローラーを
使用した場合、図６はチャンバー２０の設定圧力を０．
２Ｔｏｒｒ、ライン切り換えのインターバルを３０→１
０→５ｓｅｃとし、圧力調整器２１，２３にマスフロー
コントローラーを使用した場合を夫々示し、図５（Ａ）
及び図６（Ａ）はベントラインありの場合、図５（Ｂ）
及び図６（Ｂ）はベントラインなしの場合である。又、
図７はチャンバー２０の設定圧力に対してライン切り換
え時の圧力差をグラフ化したものであり、ライン切り換
えのインターバルを６０ｓｅｃ、３０ｓｅｃ、１０ｓｅ
ｃ、５ｓｅｃとし、チャンバー圧力調整器２１，２３に
マスフローコントローラーを使用した場合を示し、図７
（Ａ）はベントラインあり、図７（Ｂ）はベントライン
なしの場合である。更に、図８はチャンバー圧力調整器
２１，２３を変更したときの圧力変動をグラフ化したも
のであり、ベントありでライン切り換えのインターバル
を３０→１０→５ｓｅｃとした場合を示し、図８（Ａ）
はチャンバー圧力調整器２１，２３にマスフローコント
ローラーを使用し、図８（Ｂ）はチャンバー圧力調整器
２１，２３にダイレクトダイヤフラム式流量調整バルブ
を使用した場合である。
【００１１】図５〜図８のグラフからも明らかなよう
に、従来のガス配管系に於いては、チャンバー２０の
圧力が真空のときにはラインの切り換えによりチャンバ
ー２０内に圧力変動が発生する（図５及び図６参照）。
ラインを反応性ガス供給ライン２２から不活性ガス供
給ライン２４に切り換えたときと、不活性ガス供給ライ
ン２４から反応性ガス供給ライン２２に切り換えたとき
とでは圧力差が異なっている（図５及び図６参照）。
ライン切り換えのインターバルが短い程、圧力差が大き
くなる（図５及び図６参照）。ガス供給系に於いてベ
ントラインあり、なしではベントラインなしの方が圧力
差は小さくなる傾向にある（図７参照）。チャンバー
２０の真空圧力が低い程、圧力差は小さいが、設定圧力
に対して数十倍の圧力変動が生じている（図７参照）。
チャンバー圧力調整器２１，２３としてダイレクトダ
イヤフラム式流量調整バルブよりもマスフローコントロ
ーラーの方が圧力差が大きい（図８参照）。ことが試験
により判明した。従って、従来のガス配管系に於いて
は、ライン切り換え時に於けるチャンバー２０内の圧力
変動を抑制することは事実上不可能であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解消する為に創案されたものであり、その目的はガ
ス供給ラインの切り換え時に於けるプロセスチャンバー
内の圧力変動を抑制できるようにしたチャンバーへのガ
ス供給方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】而して、本件発明者は、
チャンバーの真空圧力、ベントライン圧力、ライン切り
換え時のインターバル等をパラメーターとして数多くの
チャンバーの圧力変動試験を実施し、試験結果からベン
トラインを真空排気することによってチャンバー内の圧
力変動を抑制できることを知得した。即ち、本発明のチ
ャンバーへのガス供給方法は、ウエハーの成膜処理を行
うチャンバー３内に、チャンバー圧力調整器４及びライ
ン切り換えバルブＶ1 を備えた反応性ガス供給ライン１
から反応性ガスを、又、チャンバー圧力調整器５及びラ
イン切換バルブＶ2 を備えた不活性ガス供給ライン２か
ら不活性ガスを夫々交互に供給するようにしたチャンバ
ー３へのガス供給方法に於いて、各ライン１，２の切り
換えバルブＶ1 ，Ｖ2 の一次側に分流バルブＶ3 ，Ｖ4
を夫々分岐状に接続し、各分流バルブＶ3 ，Ｖ4 の出口
側をベントライン６に接続すると共に当該ベントライン
６に出口側を大気へ開放したベントライン圧力調整バル
ブＶ5 を分岐状に接続し、前記ベントライン６内を真空
ポンプ８によって排気すると共に前記ベントライン圧力
調整バルブＶ5 の開度を調整することにより、ベントラ
イン６内の圧力をチャンバー３内へガスを導入している
ときの両ガス供給ライン１、２内の圧力に等しい圧力値
に保持しつつ、反応性ガス供給ライン１のライン切り換
えバルブＶ1 と不活性ガス供給ライン２側の分流バルブ
Ｖ4 を、又、不活性ガス供給ライン２のライン切り換え
バルブＶ2 と反応性ガス供給ライン１側の分流バルブＶ
3 を夫々同時に開閉操作することにより、反応性ガス供
給ライン１及び不活性ガス供給ライン２からチャンバー
３内へ反応性ガスと不活性ガスを交互に供給するように
したものである。
【００１４】
【作用】反応性ガスをチャンバーに供給する場合には、
反応性ガス供給ラインのライン切り換えバルブ及び不活
性ガス供給ライン側の分流バルブを開弁状態に、不活性
ガス供給ラインのライン切り換えバルブ及び反応性ガス
供給ライン側の分流バルブを閉弁状態にし、反応性ガス
供給ラインからチャンバーへ反応性ガスを供給する。こ
のとき、反応性ガスの流量は、チャンバー内の圧力が成
膜処理に適した圧力となるようにチャンバー圧力調整器
により調整される。又、反応性ガスの供給時にはベント
ラインが真空排気されている為、不活性ガス供給ライン
の不活性ガスはベントライン側へ流れて行く。
【００１５】一方、不活性ガスをチャンバーに供給する
場合には、不活性ガス供給ラインのライン切り換えバル
ブ及び反応性ガス供給ライン側の分流バルブを開弁状態
に、反応性ガス供給ラインのライン切り換えバルブ及び
不活性ガス供給ライン側の分流バルブを閉弁状態にし、
不活性ガス供給ラインからチャンバーへ不活性ガスを供
給する。このときの不活性ガスの流量は、チャンバー内
の圧力が成膜処理に適した圧力となるようにチャンバー
圧力調整器により調整される。又、不活性ガスの供給時
にはベントラインが真空排気されている為、反応性ガス
供給ラインの反応性ガスはベントライン側へ流れて行
く。
【００１６】このようにして、チャンバー内へ反応性ガ
スと不活性ガスが一定時間毎に交互に供給される。
【００１７】本発明は、ベントラインを真空排気しつ
つ、チャンバーへ反応性ガスと不活性ガスを交互に供給
するようにしている為、チャンバーへガスを導入してい
るときのラインの圧力と、ガスをベントしているときの
ラインの圧力との差がなくなる。その結果、ラインを切
り換えても、チャンバー内の圧力が大きく変動すると云
うことがなく、チャンバー内の圧力変動を抑制すること
ができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明の方法を実施する半導体製造
プラントのガス配管系の概略系統図であって、当該配管
系はガス供給系、チャンバー及び真空排気系を組み合わ
せたものであり、１は反応性ガス供給ライン、２は不活
性ガス供給ライン、３はチャンバー、４及び５はチャン
バー圧力調整器、Ｖ1 及びＶ2 はライン切り換えバル
ブ、Ｖ3 及びＶ4 はベント用の分流バルブ、６はベント
ライン、Ｖ5 はベントライン圧力調整バルブ、７は真空
排気ライン、８及び９はロータリーポンプ、Ｖ６は開閉
弁、１０及び１１はバラトロン真空計である。
【００１９】前記反応性ガス供給ライン１及び不活性ガ
ス供給ライン２にはチャンバー圧力調整器４，５及びラ
イン切り換えバルブＶ1 ，Ｖ2 が夫々介設されて居り、
各ライン１，２のチャンバー３へ接続される下流側部分
（ライン切り換えバルブＶ1，Ｖ2 からチャンバー３へ
至る部分）は共用のラインとなっている。又、チャンバ
ー圧力調整器４，５には所謂マスフローコントローラが
使用されている。更に、ライン切り換えバルブＶ1 ，Ｖ
2 にはダイヤフラム式ブロックバルブが使用されてい
る。
【００２０】前記ベント用の分流バルブＶ3 ，Ｖ4 は、
反応性ガス供給ライン１及び不活性ガス供給ライン２の
ライン切り換えバルブＶ1 ，Ｖ2 の一次側に分岐状に夫
々接続されて居り、当該分流バルブＶ3 ，Ｖ4 にはダイ
レクトダイヤフラム式分流バルブが使用されている。
【００２１】前記ベントライン６は、上流側が各分流バ
ルブＶ3 ，Ｖ4 へ、下流側がロータリーポンプ８へ夫々
接続されている。又、ベントライン６の下流側にはベン
トライン圧力調整バルブＶ5 が大気へ開放された状態で
分岐状に接続されて居り、当該ベントライン圧力調整バ
ルブＶ5 にはダイレクトダイヤフラム式流量調整バルブ
が使用されている。
【００２２】尚、ライン切り換えバルブＶ1 ，Ｖ2 及び
分流バルブＶ3 ，Ｖ4 は、電磁弁（図示省略）からバル
ブ駆動用エアーを供給することにより開閉操作されて居
り、ライン切り換えバルブＶ1 と分流バルブＶ4 、ライ
ン切り換えバルブＶ2 と分流バルブＶ3 は、交互に且つ
同時に開閉操作されるようになっている。
【００２３】次に、前記ガス配管系によりチャンバー３
内へ反応性ガス及び不活性ガスを交互に供給する場合に
ついて説明する。先ず、反応性ガスをチャンバー３に供
給する場合には、ライン切り換えバルブＶ1 及び分流バ
ルブＶ4 を開弁状態に、ライン切り換えバルブＶ2 及び
分流バルブＶ3 を閉弁状態にし、反応性ガス供給ライン
１からチャンバー３へ反応性ガスを供給する。このと
き、反応性ガスの流量は、チャンバー３内の圧力が成膜
処理に適した圧力となるようにチャンバー圧力調整器４
により調整される。又、ベントライン６は、ロータリー
ポンプ８により真空排気されて居り、その圧力はチャン
バー３の圧力と同程度になるようにベントライン圧力調
整バルブＶ5 を調整することによって制御されている。
ベントライン６を真空排気することにより、不活性ガス
供給ライン２の不活性ガスは、ベントライン６側へ流れ
て行く。
【００２４】一方、不活性ガスをチャンバー３に供給す
る場合には、ライン切り換えバルブＶ2 及び分流バルブ
Ｖ3 を開弁状態に、ライン切り換えバルブＶ1 及び分流
バルブＶ4 を閉弁状態にし、不活性ガス供給ライン２か
らチャンバー３へ不活性ガスを供給する。このとき、不
活性ガスの流量は、チャンバー３内の圧力が成膜処理に
適した圧力となるようにチャンバー圧力調整器５により
調整される。又、ベントライン６は、ロータリーポンプ
８により真空排気されて居り、その圧力はチャンバー３
の圧力と同程度になるようにベントライン圧力調整バル
ブＶ5 を調整することによって制御されている。ベント
ライン６を真空排気することにより、反応性ガス供給ラ
イン１の反応性ガスは、ベントライン６側へ流れて行
く。
【００２５】このようにして、ベントライン６を真空排
気しつつ、チャンバー３内へ反応性ガスと不活性ガスを
一定時間毎に交互に供給する。
【００２６】本発明では、ベントライン６を真空排気し
つつ、チャンバー３へ反応性ガスと不活性ガスを交互に
供給するようにしている為、チャンバー３へガスを供給
しているときのライン（チャンバー圧力調整器４，５よ
りも下流側のライン）の圧力と、ガスをベントしている
ときのライン（チャンバー圧力調整器４，５よりも下流
側のライン）の圧力との差がなくなる。その結果、ライ
ンを切り換えても、チャンバー３内の圧力が大きく変動
すると云うことがなく、チャンバー３内の圧力変動を抑
制することができる。
【００２７】図２及び図３は上記ガス配管系を用いてラ
イン切り換え時のチャンバーの圧力変動試験を行ったと
きの試験結果を示すグラフである。即ち、前記圧力変動
試験は、下記の表２に示すパラメーターを組み合わせて
実施したものである。
【００２８】
【表２】
【００２９】而して、ライン切り換え時の圧力変動試験
は、先ずライン切り換えバルブＶ1，Ｖ2 を閉じてチャ
ンバー３（縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍ、高さ２１０ｍ
ｍ）内をロータリーポンプ９により真空排気する。次
に、ライン切り換えバルブＶ1 及び分流バルブＶ4 を開
に、ライン切り換えバルブＶ2 及び分流バルブＶ3 を閉
にし、反応性ガス供給ライン１からチャンバー３内にガ
ス（Ｎ2 ガス：圧力は１．０ｋｇｆ／ｃｍ2 Ｇ）を供給
し、チャンバー３内が設定圧力になるようにチャンバー
圧力調整器４の流量を調整する。又、不活性ガス供給ラ
イン２のガス（Ｎ2 ガス：圧力は１．０ｋｇｆ／ｃｍ2
Ｇ）はベントライン６側へ流す。このとき、ベントライ
ン６の圧力が大気開放の状態となるようにベントライン
圧力調整バルブＶ5 を開放する。チャンバー３内の圧力
が安定したら、チャンバー３へのガス供給を反応性ガス
供給ライン１から不活性ガス供給ライン２に切り換え、
上記と同様の操作を行い、反応性ガス供給ライン１でガ
スを供給したときと、不活性ガス供給ライン２でガスを
供給したときとでチャンバー３の設定圧力、ベントライ
ン６の設定圧力が同じ値になるのを確認する。以上を準
備とする。そして、反応性ガス供給ライン１でチャンバ
ー３内へガスを供給し、チャンバー３内の圧力が安定す
るのを確認する。チャンバー３内の圧力が安定したら、
ライン１，２を一定時間毎に交互に切り換える。これと
並行してベントライン６の圧力を大気開放の状態からロ
ータリーポンプ８で真空排気し、ベントライン圧力調整
バルブＶ5 によりベントライン６の圧力を変更して行
く。そのときのチャンバー３内の圧力変動をダイヤフラ
ム式真空計１０で計測する。
【００３０】図２及び図３は上記の圧力変動試験の結果
を示すグラフである。即ち、図２はベントライン６を圧
力調整してラインを切り換えたときのチャンバー３の圧
力変動をグラフ化したものであり、図２（Ａ）はチャン
バー３の設定圧力を５Ｔｏｒｒ、ライン切り換えのイン
ターバルを３０ｓｅｃとし、ベントライン圧力を７６０
→５００→１００→５０Ｔｏｒｒに変更した場合、図２
（Ｂ）はチャンバー３の設定圧力を５Ｔｏｒｒ、ライン
切り換えのインターバルを３０→１０→５ｓｅｃとし、
ベントライン圧力を１００→５０Ｔｏｒｒ及び到達圧力
（ベントライン圧力調整バルブＶ5 を閉じたときの圧
力）に変更した場合、図２（Ｃ）はチャンバー３の設定
圧力を０．２Ｔｏｒｒ、ライン切り換えのインターバル
を３０ｓｅｃとし、ベントライン圧力を７６０→５００
→１００→５０Ｔｏｒｒに変更した場合、図２（Ｄ）は
チャンバー３の設定圧力を０．２Ｔｏｒｒ、ライン切り
換えのインターバルを３０→１０→５ｓｅｃとし、ベン
トライン圧力を１００→５０Ｔｏｒｒ及び到達圧力（ベ
ントライン圧力調整バルブＶ5 を閉じたときの圧力）に
変更した場合を夫々示すものである。又、図３はベント
ライン６の圧力調整によるライン切り換え時の圧力差を
グラフ化したものであり、ベントライン圧力が５０Ｔｏ
ｒｒ以上のときにはベントライン圧力調整バルブＶ5 を
調整し、ベントライン圧力が５０Ｔｏｒｒ以下のときに
はベントライン圧力調整バルブＶ5 を閉にした。尚、図
２のグラフに於いて、時間０〜１０ｓｅｃは反応性ガス
供給ライン１の圧力、１０ｓｅｃ時のピークはラインを
反応性ガス供給ライン１から不活性ガス供給ライン２に
切り換えたときの圧力変動であり、又、図３のグラフの
圧力差のプロット点は、ラインを反応性ガス供給ライン
１から不活性ガス供給ライン２、不活性ガス供給ライン
２から反応性ガス供給ライン１へと切り換えたときの圧
力差の最大値を用いた。
【００３１】図２及び図３のグラフからも明らかなよう
に、ベントライン６の圧力が大気圧から真空になる程、
チャンバー３内の圧力変動が少なくなっていくことが判
る。従って、ベントライン６を真空排気することによっ
て、ライン切り換え時に於けるチャンバー３内の圧力変
動を抑制することができる。
【００３２】尚、上記実施例では、チャンバー圧力調整
器４，５にマスフローコントローラーを使用している
が、本発明に係る方法は、チャンバー圧力調整器４，５
に他の形式のもの例えばダイレクトダイヤフラム式流量
調整バルブを使用した場合やマスフローコントローラー
とダイレクトダイヤフラム式流量調整バルブを組合せた
場合に適用しても、チャンバー３の圧力変動を抑制でき
ることが試験により確認されている。又、本発明に係る
方法は、マスフローコントローラーとライン切り換えバ
ルブＶ1 ，Ｖ2 間のラインの内容積を変更した場合に適
用しても、チャンバー３の圧力変動を抑制できることが
試験により確認されている。
【００３３】
【発明の効果】上述の通り、本発明は、反応性ガス供給
ライン及び不活性ガス供給ラインのライン切り換えバル
ブの一次側に分流バルブを夫々接続すると共に、当該分
流バルブにベントラインを接続し、反応性ガス供給ライ
ン側のライン切り換えバルブと不活性ガス供給ライン側
の分流バルブを、又、反応性ガス供給側のライン切り換
えバルブと不活性ガス供給ライン側の分流バルブを夫々
同時に開閉操作し、ベントラインを真空排気しつつ、各
ガス供給ラインからチャンバー内へ反応性ガスと不活性
ガスを交互に供給するようにしている。その結果、チャ
ンバーへガスを導入しているときのラインの圧力と、ガ
スをベントしているときのラインの圧力との差がなくな
り、ラインを切り換えてもチャンバー内の圧力が大きく
変動すると云うことがない。延いては、半導体等の品質
の向上を図り得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチャンバーへのガス供給方法を実施す
る為のガス配管系の概略系統図である。
【図２】図１のガス配管系を用いて圧力変動試験を行っ
たときの試験結果を示すものであり、ベントラインの圧
力調整によるライン切り換え時のチャンバーの圧力変動
を示すグラフである。
【図３】同じくベントラインの圧力調整によるライン切
り換え時のチャンバーの圧力差を示すグラフである。
【図４】従来のガス配管系の概略系統図である。
【図５】従来のガス配管系を用いて圧力変動試験を行っ
たときの試験結果を示すものであり、ライン切り換え時
のチャンバーの圧力変動を示すグラフである。
【図６】同じくライン切り換え時のチャンバーの圧力変
動を示すグラフである。
【図７】同じくチャンバーの設定圧力に対してライン切
り換え時の圧力差を示すグラフである。
【図８】同じく圧力調整器を変更したときのライン切り
換え時のチャンバーの圧力変動を示すグラフである。
【符号の説明】
１は反応性ガス供給ライン、２は不活性ガス供給ライ
ン、３はチャンバー、４，５はチャンバー圧力調整器、
６は真空排気ライン、Ｖ1 ，Ｖ2 はライン切り換えバル
ブ、Ｖ3 ，Ｖ4 は分流バルブ。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 B01J 4/00 102 F17D 1/02 G05D 16/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハーの成膜処理を行うチャンバー
    （３）内に、チャンバー圧力調整器（４）及びライン切
    換バルブ（Ｖ1 ）を備えた反応性ガス供給ライン（１）
    から反応性ガスを、又、チャンバー圧力調整器（５）及
    びライン切換バルブ（Ｖ2 ）を備えた不活性ガス供給ラ
    イン（２）から不活性ガスを夫々交互に供給するように
    したチャンバー（３）へのガス供給方法に於いて、各ラ
    イン（１），（２）の切り換えバルブ（Ｖ1 ），
    （Ｖ2 ）の一次側に分流バルブ（Ｖ3 ），（Ｖ4 ）を夫
    々分岐状に接続し、各分流バルブ（Ｖ3 ），（Ｖ4 ）の
    出口側をベントライン（６）に接続すると共に当該ベン
    トライン（６）に出口側を大気へ開放したベントライン
    圧力調整バルブ（Ｖ5 ）を分岐状に接続し、前記ベント
    ライン（６）内を真空ポンプ（８）によって排気すると
    共に前記ベントライン圧力調整バルブ（Ｖ5 ）の開度を
    調整することにより、ベントライン（６）内の圧力をチ
    ャンバー（３）内へガスを導入しているときの両ガス供
    給ライン（１）、（２）内の圧力に等しい圧力値に保持
    しつつ、反応性ガス供給ライン（１）のライン切り換え
    バルブ（Ｖ1 ）と不活性ガス供給ライン（２）側の分流
    バルブ（Ｖ4）を、又、不活性ガス供給ライン（２）の
    ライン切り換えバルブ（Ｖ2 ）と反応性ガス供給ライン
    （１）側の分流バルブ（Ｖ3 ）を夫々同時に開閉操作す
    ることにより、反応性ガス供給ライン（１）及び不活性
    ガス供給ライン（２）からチャンバー（３）内へ反応性
    ガスと不活性ガスを交互に供給するようにしたことを特
    徴とするチャンバーへのガス供給方法。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW342429B (en) * 1995-07-14 1998-10-11 Tadahiro Omi Fluid control system and valve used in it
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
KR100483434B1 (ko) * 1998-03-04 2005-08-31 삼성전자주식회사 반도체장치제조설비
US6228773B1 (en) 1998-04-14 2001-05-08 Matrix Integrated Systems, Inc. Synchronous multiplexed near zero overhead architecture for vacuum processes
US6050132A (en) * 1998-06-15 2000-04-18 Capria; Michael Method and apparatus for hyperbaric chamber gas discharge and pressure management
US6082414A (en) * 1998-12-03 2000-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and method for replacing an attachment on a vacuum chamber
JP2000271471A (ja) * 1999-03-24 2000-10-03 Nippon M K S Kk 液体ソース供給システム及びその洗浄方法、気化器
JP3579763B2 (ja) 1999-07-01 2004-10-20 日本酸素株式会社 ガス供給装置及び方法
FR2797997B1 (fr) * 1999-08-26 2002-04-05 Cit Alcatel Procede et dispositif pour le traitement de substrat sous vide par plasma
TW490756B (en) 1999-08-31 2002-06-11 Hitachi Ltd Method for mass production of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic components
US6223770B1 (en) * 1999-09-29 2001-05-01 Lsi Logic Corporation Vacuum valve interface
US6129108A (en) * 1999-12-03 2000-10-10 United Semiconductor Corp Fluid delivering system
CN1306062C (zh) * 2001-10-15 2007-03-21 微米技术公司 原子层沉积装置和方法
US6461436B1 (en) 2001-10-15 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance
KR100760291B1 (ko) * 2001-11-08 2007-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
KR100863782B1 (ko) * 2002-03-08 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2004010482A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Axcelis Technologies, Inc. Dual chamber vacuum processing system
CN100458629C (zh) * 2002-11-08 2009-02-04 东京毅力科创株式会社 流体处理装置及流体处理方法
GB0322602D0 (en) 2003-09-26 2003-10-29 Boc Group Inc Vent-run gas switching systems
US20050145181A1 (en) * 2003-12-31 2005-07-07 Dickinson Colin J. Method and apparatus for high speed atomic layer deposition
JP4553265B2 (ja) * 2007-03-23 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
EP2335753B1 (en) 2008-01-23 2019-08-07 DEKA Products Limited Partnership Fluid line autoconnect apparatus for medical treatment system
US11833281B2 (en) 2008-01-23 2023-12-05 Deka Products Limited Partnership Pump cassette and methods for use in medical treatment system using a plurality of fluid lines
US20090242046A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Benjamin Riordon Valve module
US8383525B2 (en) * 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
EP4249964A3 (en) 2010-07-07 2023-10-25 DEKA Products Limited Partnership Medical treatment system and methods using a plurality of fluid lines
KR101940325B1 (ko) * 2011-10-05 2019-01-18 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템
CN103090187B (zh) * 2011-10-27 2014-12-10 河南省电力勘测设计院 一种安全高效无人值守的电厂高压供氢系统及其实施方法
JP6267491B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-24 株式会社堀場エステック 流体切換装置
MX2023002574A (es) * 2014-06-05 2023-03-13 Deka Products Lp Sistema para calcular un cambio en volumen de fluido en una camara de bombeo.
CN108060410B (zh) * 2017-12-15 2023-08-18 浙江晶盛机电股份有限公司 用于平板式pecvd的进气管道保护结构
CA3095364A1 (en) 2018-03-30 2019-10-03 Deka Products Limited Partnership Liquid pumping cassettes and associated pressure distribution manifold and related methods
CN108458250B (zh) * 2018-04-16 2024-01-30 谢东波 一种可调节流体流量的联动管及系统
CN110764543B (zh) * 2018-07-26 2023-06-30 中国石油天然气股份有限公司 仪表分析器真空度的保持装置及方法
JP2020139864A (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 株式会社堀場エステック 流量算出システム、流量算出システム用プログラム、流量算出方法、及び、流量算出装置
JP7296854B2 (ja) * 2019-11-07 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び基板処理装置
CN110925598B (zh) * 2019-12-11 2020-10-09 广州广钢气体能源股份有限公司 一种电子气阀门切换系统及切换方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037622A (en) * 1971-12-07 1977-07-26 Mcquay-Perfex Inc. Diaphragm reversing valve
US4019524A (en) * 1973-08-27 1977-04-26 Phillips Petroleum Company Use of equalization chamber in discontinuous venting of vessel
US4545136A (en) * 1981-03-16 1985-10-08 Sovonics Solar Systems Isolation valve
DD206854A1 (de) * 1982-04-05 1984-02-08 Scherfenberg Klaus Dieter Vorrichtung zur durchflussmengenregelung von gasen
DE3537544C1 (de) * 1985-10-22 1987-05-21 Aixtron Gmbh Gaseinlassvorrichtung fuer Reaktionsgefaesse
US4739787A (en) * 1986-11-10 1988-04-26 Stoltenberg Kevin J Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices
US5259233A (en) * 1991-04-24 1993-11-09 American Air Liquide Counterflow valve
US5277215A (en) * 1992-01-28 1994-01-11 Kokusai Electric Co., Ltd. Method for supplying and discharging gas to and from semiconductor manufacturing equipment and system for executing the same
US5368062A (en) * 1992-01-29 1994-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas supplying system and gas supplying apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CA2134426A1 (en) 1995-04-28
SG45144A1 (en) 1998-01-16
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