JPH0598434A - マルチチヤンバー型スパツタリング装置 - Google Patents
マルチチヤンバー型スパツタリング装置Info
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- JPH0598434A JPH0598434A JP25782391A JP25782391A JPH0598434A JP H0598434 A JPH0598434 A JP H0598434A JP 25782391 A JP25782391 A JP 25782391A JP 25782391 A JP25782391 A JP 25782391A JP H0598434 A JPH0598434 A JP H0598434A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】パーティクルの増加を防止することを目的をす
る。 【構成】プロセス室４と、該プロセス室４に隣接して半
導体基板がプロセス室４との間で搬送されるセパレーシ
ョン室５とを備えている。そして、上記セパレーション
室５には所定のガスを供給するためのガス供給バルブ３
４が接続されている。加えて、上記プロセス室４とセパ
レーション室５とが同圧力になるように上記ガス供給バ
ルブ３４を介してセパレーション室５に供給されるガス
の供給量を制御するマスフローコントローラ３５がセパ
レーション室５に接続されている。その結果、上記プロ
セス室４とセパレーション室５の圧力差がなくなり、プ
ロセス室４内でのパーティクルの巻き上げがなく、半導
体基板に付着するパーティクル数が減少する。
る。 【構成】プロセス室４と、該プロセス室４に隣接して半
導体基板がプロセス室４との間で搬送されるセパレーシ
ョン室５とを備えている。そして、上記セパレーション
室５には所定のガスを供給するためのガス供給バルブ３
４が接続されている。加えて、上記プロセス室４とセパ
レーション室５とが同圧力になるように上記ガス供給バ
ルブ３４を介してセパレーション室５に供給されるガス
の供給量を制御するマスフローコントローラ３５がセパ
レーション室５に接続されている。その結果、上記プロ
セス室４とセパレーション室５の圧力差がなくなり、プ
ロセス室４内でのパーティクルの巻き上げがなく、半導
体基板に付着するパーティクル数が減少する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜やスパッタエッチ
ングを行うマルチチャンバー型スパッタリング装置に関
し、特に、パーティクル対策に係るものである。
ングを行うマルチチャンバー型スパッタリング装置に関
し、特に、パーティクル対策に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、バリアメタル膜とアルミ合金膜の
成膜装置として、マルチチャンバー型スパッタリング装
置が利用されるようになってきている。
成膜装置として、マルチチャンバー型スパッタリング装
置が利用されるようになってきている。
【０００３】そこで、以下、従来のマルチチャンバー型
スパッタリング装置について説明する。
スパッタリング装置について説明する。
【０００４】図３及び図４は、従来のマルチチャンバー
型スパッタリング装置の構成を示している。この図３及
び図４において、１は半導体基板、２は半導体基板１を
ロード又はアンロードするためのロードロック室、３は
バリアメタル膜を成膜するためのプロセス室、４はアル
ミ合金膜を成膜するためのプロセス室、５は半導体基板
１をプロセス室３，４に搬送するためのセパレーション
室、６，７，８はセパレーション室５とロードロック室
２及び各プロセス室３，４とを真空分離するためのゲー
トバルブである。
型スパッタリング装置の構成を示している。この図３及
び図４において、１は半導体基板、２は半導体基板１を
ロード又はアンロードするためのロードロック室、３は
バリアメタル膜を成膜するためのプロセス室、４はアル
ミ合金膜を成膜するためのプロセス室、５は半導体基板
１をプロセス室３，４に搬送するためのセパレーション
室、６，７，８はセパレーション室５とロードロック室
２及び各プロセス室３，４とを真空分離するためのゲー
トバルブである。
【０００５】また、９はロードロック室２と各プロセス
室３，４とセパレーション室５とを荒引きするための荒
引き排気装置、１０，１１，１２，１３は荒引き排気装
置９と各ロードロック室２、プロセス室３，４及びセパ
レーション室５とを真空分離するためのストップバルブ
である。
室３，４とセパレーション室５とを荒引きするための荒
引き排気装置、１０，１１，１２，１３は荒引き排気装
置９と各ロードロック室２、プロセス室３，４及びセパ
レーション室５とを真空分離するためのストップバルブ
である。
【０００６】また、１４，１５，１６は各プロセス室
３、４とセパレーション室５とを高真空引きするための
高真空排気装置、１７，１８，１９は高真空排気装置１
４，１５，１６と各プロセス室３、４及びセパレーショ
ン室５とを真空分離するためのハイバックバルブであ
る。
３、４とセパレーション室５とを高真空引きするための
高真空排気装置、１７，１８，１９は高真空排気装置１
４，１５，１６と各プロセス室３、４及びセパレーショ
ン室５とを真空分離するためのハイバックバルブであ
る。
【０００７】また、２０，２１，２２，２３はロードロ
ック室２と各プロセス室３，４とセパレーション室５と
を大気圧ベントするためのベントバルブ、２４，２５は
各プロセス室３，４にプロセスガスを供給するためのガ
ス供給バルブ、２６，２７はプロセスガスの流量を制御
するためのマスフローコントローラである。
ック室２と各プロセス室３，４とセパレーション室５と
を大気圧ベントするためのベントバルブ、２４，２５は
各プロセス室３，４にプロセスガスを供給するためのガ
ス供給バルブ、２６，２７はプロセスガスの流量を制御
するためのマスフローコントローラである。
【０００８】また、２８はロードロック室２内に設けら
れた半導体基板１のカセット、２９はセパレーション室
５内に設けられた半導体基板１の搬送ロボット、３０，
３１は各プロセス室３，４内に設けられた半導体基板１
の基板ホルダー、３２はプロセス室３内に設けられたバ
リアメタル膜用のスパッタガン、３３はプロセス室４内
に設けられたアルミ合金膜用のスパッタガンである。
れた半導体基板１のカセット、２９はセパレーション室
５内に設けられた半導体基板１の搬送ロボット、３０，
３１は各プロセス室３，４内に設けられた半導体基板１
の基板ホルダー、３２はプロセス室３内に設けられたバ
リアメタル膜用のスパッタガン、３３はプロセス室４内
に設けられたアルミ合金膜用のスパッタガンである。
【０００９】以上のように構成されたマルチチャンバー
型スパッタリング装置について、以下、半導体基板１上
にバリアメタル膜とアルミ合金膜とを成膜する場合の動
作について説明する。
型スパッタリング装置について、以下、半導体基板１上
にバリアメタル膜とアルミ合金膜とを成膜する場合の動
作について説明する。
【００１０】まず、ストップバルブ１０、１１，１２，
１３を開放すると、荒引き排気装置９によって、各ロー
ドロック室２とプロセス室３，４とセパレーション室５
との真空引きが開始する。該荒引き排気装置９により大
気圧から1.0〜10.0Pa程度まで真空引きされると、セパ
レーション室５とプロセス室３，４とにおけるストップ
バルブ１１，１２，１３が閉じられるとともに、ハイバ
ックバルブ１７，１８，１９が開き、荒引き排気装置９
から高真空排気装置１４，１５，１６に切り替えられ、
該セパレーション室５とプロセス室３，４とが10-4〜10
-6Pa程度の基底真空度まで真空引きされる。
１３を開放すると、荒引き排気装置９によって、各ロー
ドロック室２とプロセス室３，４とセパレーション室５
との真空引きが開始する。該荒引き排気装置９により大
気圧から1.0〜10.0Pa程度まで真空引きされると、セパ
レーション室５とプロセス室３，４とにおけるストップ
バルブ１１，１２，１３が閉じられるとともに、ハイバ
ックバルブ１７，１８，１９が開き、荒引き排気装置９
から高真空排気装置１４，１５，１６に切り替えられ、
該セパレーション室５とプロセス室３，４とが10-4〜10
-6Pa程度の基底真空度まで真空引きされる。
【００１１】次に、アルゴンガスがガス供給バルブ２
４，２５とマスフローコントローラ２６，２７を通して
プロセス室３，４に供給される。その後、ベントバルブ
２０を開放し、ロードロック室２に窒素ガスが供給され
て、該ロードロック室２が大気圧ベントされる。ここ
で、半導体基板１をカセット２８に挿入し、ロードロッ
ク室２にセットした後、ベントバルブ２０を閉じ、スト
ップバルブ１０を開放すると、荒引き排気装置９によっ
て真空引きされる。そして、 1.0〜10.0Pa程度まで真空
引きした後、ゲートバルブ６を開放すると、半導体基板
１は搬送ロボット２９によってセパレーション室５に搬
送され、ゲートバルブ６が閉じる。
４，２５とマスフローコントローラ２６，２７を通して
プロセス室３，４に供給される。その後、ベントバルブ
２０を開放し、ロードロック室２に窒素ガスが供給され
て、該ロードロック室２が大気圧ベントされる。ここ
で、半導体基板１をカセット２８に挿入し、ロードロッ
ク室２にセットした後、ベントバルブ２０を閉じ、スト
ップバルブ１０を開放すると、荒引き排気装置９によっ
て真空引きされる。そして、 1.0〜10.0Pa程度まで真空
引きした後、ゲートバルブ６を開放すると、半導体基板
１は搬送ロボット２９によってセパレーション室５に搬
送され、ゲートバルブ６が閉じる。
【００１２】続いて、ゲートバルブ７が開放されると、
半導体基板１は、搬送ロボット２９によってプロセス室
３の基板ホルダー３０上に搬送され、ゲートバルブ７が
閉じると、バリアメタル膜用のスパッタガン３２に直流
高電圧が印加され、スパッタリングが始まり、半導体基
板１上にバリアメタル膜が成膜される。
半導体基板１は、搬送ロボット２９によってプロセス室
３の基板ホルダー３０上に搬送され、ゲートバルブ７が
閉じると、バリアメタル膜用のスパッタガン３２に直流
高電圧が印加され、スパッタリングが始まり、半導体基
板１上にバリアメタル膜が成膜される。
【００１３】このスパッタリングが終了すると、ゲート
バルブ７が開放し、半導体基板１はセパレーション室５
に再び搬送される。そして、該ゲートバルブ７が閉じる
と、ゲートバルブ８が開放され、半導体基板１は、プロ
セス室４の基板ホルダー３１上に搬送され、該ゲートバ
ルブ８が閉じると、アルミ合金膜用のスパッタガン３３
に直流高電圧が印加され、スパッタリングが始まり、半
導体基板１上にアルミ合金膜が成膜される。
バルブ７が開放し、半導体基板１はセパレーション室５
に再び搬送される。そして、該ゲートバルブ７が閉じる
と、ゲートバルブ８が開放され、半導体基板１は、プロ
セス室４の基板ホルダー３１上に搬送され、該ゲートバ
ルブ８が閉じると、アルミ合金膜用のスパッタガン３３
に直流高電圧が印加され、スパッタリングが始まり、半
導体基板１上にアルミ合金膜が成膜される。
【００１４】その後、スパッタリングが終了すると、ゲ
ートバルブ８が開放され、半導体基板１は、搬送ロボッ
ト２９によってセパレーション室５に搬送され、ゲート
バルブ８が閉じる。次いで、ゲートバルブ６を開放し、
半導体基板１をロードロック室２のカセット２８に搬送
してから、ゲートバルブ６を閉じる。最後に、ベントバ
ルブ２０が開放され、窒素ガスを供給するとロードロッ
ク室２は大気圧ベントされ、半導体基板１が取り出され
ることになる。
ートバルブ８が開放され、半導体基板１は、搬送ロボッ
ト２９によってセパレーション室５に搬送され、ゲート
バルブ８が閉じる。次いで、ゲートバルブ６を開放し、
半導体基板１をロードロック室２のカセット２８に搬送
してから、ゲートバルブ６を閉じる。最後に、ベントバ
ルブ２０が開放され、窒素ガスを供給するとロードロッ
ク室２は大気圧ベントされ、半導体基板１が取り出され
ることになる。
【００１５】このように、従来、スパッタリングプロセ
ス中の各プロセス室３，４の圧力は通常 1.0Pa程度であ
り、セパレーション室５の基底真空度である10-4〜10-6
Pa程度の圧力に対して104 〜106 倍の値となっていた。
ス中の各プロセス室３，４の圧力は通常 1.0Pa程度であ
り、セパレーション室５の基底真空度である10-4〜10-6
Pa程度の圧力に対して104 〜106 倍の値となっていた。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、上記
従来のスパッタリング装置の構成では、各プロセス室
３，４にプロセスガスを供給したときの圧力が、その各
プロセス室３，４に隣接したセパレーション室５の圧力
よりも非常に高いため、ゲートバルブ７，８を開放した
際に、プロセス室３，４内のプロセスガスがゲートバル
ブ７，８を通って、セパレーション室５に流入するた
め、該セパレーション室５内の圧力が急激に変動し、プ
ロセス室３，４の内壁等に付着したパーティクルの巻き
上げが起こり、パーティクルが増加するといった問題が
あった。
従来のスパッタリング装置の構成では、各プロセス室
３，４にプロセスガスを供給したときの圧力が、その各
プロセス室３，４に隣接したセパレーション室５の圧力
よりも非常に高いため、ゲートバルブ７，８を開放した
際に、プロセス室３，４内のプロセスガスがゲートバル
ブ７，８を通って、セパレーション室５に流入するた
め、該セパレーション室５内の圧力が急激に変動し、プ
ロセス室３，４の内壁等に付着したパーティクルの巻き
上げが起こり、パーティクルが増加するといった問題が
あった。
【００１７】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
で、パーティクルの増加を防止することを目的とする。
で、パーティクルの増加を防止することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明が講じた手段は、プロセス室とチャンバー
とを同圧力にできるようにしたものである。
めに、本発明が講じた手段は、プロセス室とチャンバー
とを同圧力にできるようにしたものである。
【００１９】具体的に、本発明が講じた手段は、先ず、
プロセス室と、該プロセス室に隣接して半導体基板がプ
ロセス室との間で搬送されるチャンバーとを備えたマル
チチャンバー型スパッタリング装置を前提としている。
プロセス室と、該プロセス室に隣接して半導体基板がプ
ロセス室との間で搬送されるチャンバーとを備えたマル
チチャンバー型スパッタリング装置を前提としている。
【００２０】そして、上記チャンバーに所定のガスを供
給するためのガス供給バルブが設けられている。加え
て、上記プロセス室とチャンバーとが同圧力になるよう
にガス供給バルブを介してチャンバーに供給されるガス
の供給量を制御するマスフローコントローラが設けられ
た構成としている。
給するためのガス供給バルブが設けられている。加え
て、上記プロセス室とチャンバーとが同圧力になるよう
にガス供給バルブを介してチャンバーに供給されるガス
の供給量を制御するマスフローコントローラが設けられ
た構成としている。
【００２１】
【作用】上記の構成により、本発明では、プロセス室に
おいてスパッタリング等を行う一方、該プロセス室と該
プロセス室に隣接するチャンバーとの間で半導体基板を
搬出入している。そして、上記プロセス室とチャンバー
とが連通する際、ガス供給バルブを介して上記チャンバ
ーに所定のガスを供給すると共に、マスフローコントロ
ーラによってガス供給量を制御して、プロセス室とチャ
ンバーとを同圧力になるようにする。
おいてスパッタリング等を行う一方、該プロセス室と該
プロセス室に隣接するチャンバーとの間で半導体基板を
搬出入している。そして、上記プロセス室とチャンバー
とが連通する際、ガス供給バルブを介して上記チャンバ
ーに所定のガスを供給すると共に、マスフローコントロ
ーラによってガス供給量を制御して、プロセス室とチャ
ンバーとを同圧力になるようにする。
【００２２】これにより、上記プロセス室とチャンバー
との圧力の差がなくなり、チャンバーへのプロセスガス
の流入がなくなる。この結果、チャンバー内における圧
力の急激な変動が防止でき、半導体基板に付着するパー
ティクル数が低減される。
との圧力の差がなくなり、チャンバーへのプロセスガス
の流入がなくなる。この結果、チャンバー内における圧
力の急激な変動が防止でき、半導体基板に付着するパー
ティクル数が低減される。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面に基づ
き説明する。
き説明する。
【００２４】図１及び図２は、本発明の一実施における
マルチチャンバー型のスパッタリング装置の構成を示し
ている。なお、従来と同一部分については同一符号を付
している。
マルチチャンバー型のスパッタリング装置の構成を示し
ている。なお、従来と同一部分については同一符号を付
している。
【００２５】図１及び図２において、１は半導体基板、
２は半導体基板１をロード又はアンロードするためのロ
ードロック室、３はバリアメタル膜を成膜するためのプ
ロセス室、４はアルミ合金膜を成膜するためのプロセス
室、５は半導体基板１をプロセス室３，４に搬送するた
めのセパレーション室（チャンバー）であって、６，
７，８は、セパレーション室５とロードロック室２及び
各プロセス室３，４との間に設けられて該セパレーショ
ン室５とロードロック室２及び各プロセス室３，４との
間を真空分離するためのゲートバルブである。
２は半導体基板１をロード又はアンロードするためのロ
ードロック室、３はバリアメタル膜を成膜するためのプ
ロセス室、４はアルミ合金膜を成膜するためのプロセス
室、５は半導体基板１をプロセス室３，４に搬送するた
めのセパレーション室（チャンバー）であって、６，
７，８は、セパレーション室５とロードロック室２及び
各プロセス室３，４との間に設けられて該セパレーショ
ン室５とロードロック室２及び各プロセス室３，４との
間を真空分離するためのゲートバルブである。
【００２６】また、９は、ロードロック室２と各プロセ
ス室３，４とセパレーション室５とを荒引きするための
荒引き排気装置であって、１０，１１，１２，１３は、
荒引き排気装置９と各ロードロック室２、プロセス室
３，４及びセパレーション室５との間に設けられて該荒
引き排気装置９と各ロードロック室２、プロセス室３，
４及びセパレーション室５とを真空分離するためのスト
ップバルブである。
ス室３，４とセパレーション室５とを荒引きするための
荒引き排気装置であって、１０，１１，１２，１３は、
荒引き排気装置９と各ロードロック室２、プロセス室
３，４及びセパレーション室５との間に設けられて該荒
引き排気装置９と各ロードロック室２、プロセス室３，
４及びセパレーション室５とを真空分離するためのスト
ップバルブである。
【００２７】また、１４，１５，１６は、各プロセス室
３、４とセパレーション室５とを高真空引きするための
高真空排気装置であって、１７，１８，１９は、高真空
排気装置１４，１５，１６と各プロセス室３、４及びセ
パレーション室５との間に設けられて該高真空排気装置
１４，１５，１６と各プロセス室３、４及びセパレーシ
ョン室５とを真空分離するためのハイバックバルブであ
る。
３、４とセパレーション室５とを高真空引きするための
高真空排気装置であって、１７，１８，１９は、高真空
排気装置１４，１５，１６と各プロセス室３、４及びセ
パレーション室５との間に設けられて該高真空排気装置
１４，１５，１６と各プロセス室３、４及びセパレーシ
ョン室５とを真空分離するためのハイバックバルブであ
る。
【００２８】また、２０，２１，２２，２３は、ロード
ロック室２と各プロセス室３，４とセパレーション室５
とを大気圧ベントするためのベントバルブであって、２
４，２５は、各プロセス室３，４にプロセスガスを供給
するためのガス供給バルブ、２６，２７は、プロセスガ
スの流量を制御するためのマスフローコントローラであ
る。
ロック室２と各プロセス室３，４とセパレーション室５
とを大気圧ベントするためのベントバルブであって、２
４，２５は、各プロセス室３，４にプロセスガスを供給
するためのガス供給バルブ、２６，２７は、プロセスガ
スの流量を制御するためのマスフローコントローラであ
る。
【００２９】また、２８は、ロードロック室２内に設け
られた半導体基板１のカセット、２９は、セパレーショ
ン室５内に設けられた半導体基板１の搬送ロボット、３
０，３１は、各プロセス室３，４内に設けられた半導体
基板１の基板ホルダー、３２は、プロセス室３内に設け
られたバリアメタル膜用のスパッタガン、３３は、プロ
セス室４内に設けられたアルミ合金膜用のスパッタガン
である。
られた半導体基板１のカセット、２９は、セパレーショ
ン室５内に設けられた半導体基板１の搬送ロボット、３
０，３１は、各プロセス室３，４内に設けられた半導体
基板１の基板ホルダー、３２は、プロセス室３内に設け
られたバリアメタル膜用のスパッタガン、３３は、プロ
セス室４内に設けられたアルミ合金膜用のスパッタガン
である。
【００３０】更に、本発明の特徴として、上記セパレー
ション室５には、アルゴンガスや窒素ガスを供給するた
めのガス供給バルブ３４が接続されると共に、該アルゴ
ンガスや窒素ガスの流量を制御するためのマスフロコン
トローラ３５が接続されており、上記セパレーション室
５とプロセス室３，４とを同圧力にするようになってい
る。
ション室５には、アルゴンガスや窒素ガスを供給するた
めのガス供給バルブ３４が接続されると共に、該アルゴ
ンガスや窒素ガスの流量を制御するためのマスフロコン
トローラ３５が接続されており、上記セパレーション室
５とプロセス室３，４とを同圧力にするようになってい
る。
【００３１】すなわち、従来のマルチチャンバー型スパ
ッタリング装置においてはスパッタリングプロセス中の
プロセス室３，４の圧力がセパレーション室５の圧力の
104 〜106 倍になっていた。そのため、半導体基板１を
セパレーション室５とプロセス室３，４との間で搬送す
るために、ゲートバルブ７，８を開放した場合に、アル
ゴンガスがプロセス室３，４からゲートバルブ７，８を
通ってセパレーション室５に流入するために、プロセス
室３，４の内壁に付着していたパーティクルの巻き上げ
がおこり、パーティクルが増加していた。
ッタリング装置においてはスパッタリングプロセス中の
プロセス室３，４の圧力がセパレーション室５の圧力の
104 〜106 倍になっていた。そのため、半導体基板１を
セパレーション室５とプロセス室３，４との間で搬送す
るために、ゲートバルブ７，８を開放した場合に、アル
ゴンガスがプロセス室３，４からゲートバルブ７，８を
通ってセパレーション室５に流入するために、プロセス
室３，４の内壁に付着していたパーティクルの巻き上げ
がおこり、パーティクルが増加していた。
【００３２】そこで、従来のパーティクル増加現象を確
かめるために、プロセス室１にアルゴンガスを供給した
場合とそうでない場合について、洗浄済みのシリコンウ
ェハーを空搬送させてパーティクルの増加数を調べた。
なお、プロセス室３とセパレーション室５の基底真空度
は10-5Pa程度、アルゴンガスを供給したときの圧力は通
常のスパッタリングプロセスで用いられている1.0Pa と
した。
かめるために、プロセス室１にアルゴンガスを供給した
場合とそうでない場合について、洗浄済みのシリコンウ
ェハーを空搬送させてパーティクルの増加数を調べた。
なお、プロセス室３とセパレーション室５の基底真空度
は10-5Pa程度、アルゴンガスを供給したときの圧力は通
常のスパッタリングプロセスで用いられている1.0Pa と
した。
【００３３】そして、レーザー光を用いた欠陥検査装置
によって0.3 μｍ以上のパーティクル数を調べたとこ
ろ、プロセスガスなしの場合が30個、プロセスガスあり
の場合50個であった。この結果より、プロセス室３とセ
パレーション室５の間に５桁程度の圧力差が存在する場
合には、パーティクルが増加することがわかった。逆に
いえば、圧力差が存在しない場合には、パーティクルの
増加が抑えられることになる。
によって0.3 μｍ以上のパーティクル数を調べたとこ
ろ、プロセスガスなしの場合が30個、プロセスガスあり
の場合50個であった。この結果より、プロセス室３とセ
パレーション室５の間に５桁程度の圧力差が存在する場
合には、パーティクルが増加することがわかった。逆に
いえば、圧力差が存在しない場合には、パーティクルの
増加が抑えられることになる。
【００３４】このことから、本実施例においては、セパ
レーション室５にガス供給バルブ３４とマスフローコン
トローラ３５とを通してアルゴンガスや窒素ガスを供給
すると共に、マスフローコントローラ３５によってアル
ゴンガスや窒素ガスの流量を制御し、セパレーション室
５の圧力を制御し、セパレーション室５とプロセス室
３、４との圧力差をなくすようにしている。
レーション室５にガス供給バルブ３４とマスフローコン
トローラ３５とを通してアルゴンガスや窒素ガスを供給
すると共に、マスフローコントローラ３５によってアル
ゴンガスや窒素ガスの流量を制御し、セパレーション室
５の圧力を制御し、セパレーション室５とプロセス室
３、４との圧力差をなくすようにしている。
【００３５】次に、上述したマルチチャンバー型スパッ
タリング装置の成膜動作について説明する。
タリング装置の成膜動作について説明する。
【００３６】まず、ストップバルブ１０、１１，１２，
１３を開放し、荒引き排気装置９によって、各ロードロ
ック室２とプロセス室３，４とセパレーション室５との
真空引きを開始する。該荒引き排気装置９により大気圧
から1.0 〜10.0Pa程度まで真空引きされると、セパレー
ション室５とプロセス室３，４とにおけるストップバル
ブ１１，１２，１３を閉じる一方、ハイバックバルブ１
７，１８，１９を開き、荒引き排気装置９から高真空排
気装置１４，１５，１６に切り替え、該セパレーション
室５とプロセス室３，４とを10-4〜10-6Pa程度の基底真
空度まで真空引きする。
１３を開放し、荒引き排気装置９によって、各ロードロ
ック室２とプロセス室３，４とセパレーション室５との
真空引きを開始する。該荒引き排気装置９により大気圧
から1.0 〜10.0Pa程度まで真空引きされると、セパレー
ション室５とプロセス室３，４とにおけるストップバル
ブ１１，１２，１３を閉じる一方、ハイバックバルブ１
７，１８，１９を開き、荒引き排気装置９から高真空排
気装置１４，１５，１６に切り替え、該セパレーション
室５とプロセス室３，４とを10-4〜10-6Pa程度の基底真
空度まで真空引きする。
【００３７】次に、アルゴンガスをガス供給バルブ２
４，２５とマスフローコントローラ２６，２７を通し
て、プロセス室３，４に供給する。その後、ベントバル
ブ２０を開放し、ロードロック室２に窒素ガスを供給し
て、大気圧ベントする。ここで、半導体基板１をカセッ
ト２８に挿入し、ロードロック室２にセットした後、ベ
ントバルブ２０を閉じ、ストップバルブ１０を開放し
て、荒引き排気装置９によって真空引きする。そして、
1.0〜10.0Pa程度まで真空引きした後、ゲートバルブ６
を開放し、半導体基板１を搬送ロボット２９によってセ
パレーション室５に搬送し、ゲートバルブ６を閉じる。
４，２５とマスフローコントローラ２６，２７を通し
て、プロセス室３，４に供給する。その後、ベントバル
ブ２０を開放し、ロードロック室２に窒素ガスを供給し
て、大気圧ベントする。ここで、半導体基板１をカセッ
ト２８に挿入し、ロードロック室２にセットした後、ベ
ントバルブ２０を閉じ、ストップバルブ１０を開放し
て、荒引き排気装置９によって真空引きする。そして、
1.0〜10.0Pa程度まで真空引きした後、ゲートバルブ６
を開放し、半導体基板１を搬送ロボット２９によってセ
パレーション室５に搬送し、ゲートバルブ６を閉じる。
【００３８】続いて、本発明の特徴とし、ゲートバルブ
７を開放する前に、ガス供給バルブ３４を開放し、マス
フローコントローラ３５によってアルゴンガスや窒素ガ
スの流量を制御しつつセパレーション室５に該アルゴン
ガスや窒素ガスを供給し、セパレーション室５と各プロ
セス室３，４との差圧をなくす。
７を開放する前に、ガス供給バルブ３４を開放し、マス
フローコントローラ３５によってアルゴンガスや窒素ガ
スの流量を制御しつつセパレーション室５に該アルゴン
ガスや窒素ガスを供給し、セパレーション室５と各プロ
セス室３，４との差圧をなくす。
【００３９】その後、ゲートバルブ７を開放し、半導体
基板１を搬送ロボット２９によって、プロセス室３の基
板ホルダー３０上に搬送し、ゲートバルブ７を閉じた
後、バリアメタル膜用のスパッタガン３２に直流高電圧
を印加して半導体基板１上にバリアメタル膜を成膜す
る。
基板１を搬送ロボット２９によって、プロセス室３の基
板ホルダー３０上に搬送し、ゲートバルブ７を閉じた
後、バリアメタル膜用のスパッタガン３２に直流高電圧
を印加して半導体基板１上にバリアメタル膜を成膜す
る。
【００４０】このスパッタリングの終了後、ゲートバル
ブ７を開放し、半導体基板１をセパレーション室５に再
び搬送して、該ゲートバルブ７を閉じた後、ゲートバル
ブ８を開放し、プロセス室４の基板ホルダー３１上に搬
送し、該ゲートバルブ８を閉じた後、アルミ合金膜用の
スパッタガン３３に直流高電圧を印加して半導体基板１
上にアルミ合金膜を成膜する。
ブ７を開放し、半導体基板１をセパレーション室５に再
び搬送して、該ゲートバルブ７を閉じた後、ゲートバル
ブ８を開放し、プロセス室４の基板ホルダー３１上に搬
送し、該ゲートバルブ８を閉じた後、アルミ合金膜用の
スパッタガン３３に直流高電圧を印加して半導体基板１
上にアルミ合金膜を成膜する。
【００４１】このスパッタリングの終了後、ゲートバル
ブ８を開放し、半導体基板１を搬送ロボット２９によっ
てセパレーション室５に搬送し、ゲートバルブ８を閉じ
る。次いで、ゲートバルブ６を開放し、半導体基板１を
ロードロック室２のカセット２８に搬送してからゲート
バルブ６を閉じ、最後に、ベントバルブ２０を開放し、
窒素ガスを供給してロードロック室２を大気圧ベント
し、半導体基板１を取り出すことになる。
ブ８を開放し、半導体基板１を搬送ロボット２９によっ
てセパレーション室５に搬送し、ゲートバルブ８を閉じ
る。次いで、ゲートバルブ６を開放し、半導体基板１を
ロードロック室２のカセット２８に搬送してからゲート
バルブ６を閉じ、最後に、ベントバルブ２０を開放し、
窒素ガスを供給してロードロック室２を大気圧ベント
し、半導体基板１を取り出すことになる。
【００４２】以上のように本実施例によれば、セパレー
ション室５にアルゴンガスや窒素ガスを供給することか
ら、該セパレーション室５の圧力を制御することができ
るため、セパレーション室５と各プロセス室３、４との
間の圧力差をなくすることができる。
ション室５にアルゴンガスや窒素ガスを供給することか
ら、該セパレーション室５の圧力を制御することができ
るため、セパレーション室５と各プロセス室３、４との
間の圧力差をなくすることができる。
【００４３】なお、本実施例においては、セパレーショ
ン室５にガス供給バルブ３４とマスフローコントローラ
３５とを接続しているが、プロセス室３、４に隣接した
チャンバーにガス供給バルブ３４とマスフローコントロ
ーラ３５とを接続すればよく、セパレーション室３４と
ロードロック室３１が一体になっている場合には、ロー
ドロック室２にガス供給バルブ３４とマスフローコント
ローラ３５とを接続すればよい。
ン室５にガス供給バルブ３４とマスフローコントローラ
３５とを接続しているが、プロセス室３、４に隣接した
チャンバーにガス供給バルブ３４とマスフローコントロ
ーラ３５とを接続すればよく、セパレーション室３４と
ロードロック室３１が一体になっている場合には、ロー
ドロック室２にガス供給バルブ３４とマスフローコント
ローラ３５とを接続すればよい。
【００４４】また、マルチチャンバー型スパッタリング
装置のプロセス室としては、アルミニウム合金膜やバリ
ヤメタル膜の成膜室の他、自然酸化膜を除去するための
エッチング室であってもよい。
装置のプロセス室としては、アルミニウム合金膜やバリ
ヤメタル膜の成膜室の他、自然酸化膜を除去するための
エッチング室であってもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プロセ
スガスを供給するプロセス室に隣接したチャンバーにガ
ス供給バルブとマスフローコントローラとを接続し、該
チャンバーに所定のガスを供給できるようにしたため
に、プロセス室とチャンバーとの間の圧力差をなくする
ことがでる。その結果、該プロセス室とチャンバーとの
連通時におけるパーティクルの減少を図ることができる
ので、半導体製造における歩留まりを向上させることが
できる。
スガスを供給するプロセス室に隣接したチャンバーにガ
ス供給バルブとマスフローコントローラとを接続し、該
チャンバーに所定のガスを供給できるようにしたため
に、プロセス室とチャンバーとの間の圧力差をなくする
ことがでる。その結果、該プロセス室とチャンバーとの
連通時におけるパーティクルの減少を図ることができる
ので、半導体製造における歩留まりを向上させることが
できる。
【図１】本発明のマルチチャンバー型スパッタリング装
置の平面構成図である。
置の平面構成図である。
【図２】本発明のマルチチャンバー型スパッタリング装
置の正面構成図である。
置の正面構成図である。
【図３】従来のマルチチャンバー型スパッタリング装置
の平面構成図である。
の平面構成図である。
【図４】従来のマルチチャンバー型スパッタリング装置
の正面構成図である。
の正面構成図である。
１ 半導体基板 ２ ロードロック室 ３ バリアメタル膜のプロセス
室 ４ アルミ合金膜のプロセス室 ５ セパレーション室 ６，７，８ ゲートバルブ ９ 荒引き排気装置 10,11,12,13 ストップバルブ 14,15,16 高真空排気装置 17,18,19 ハイバックバルブ 20,21,22,23 ベントバルブ 24,25,34 ガス供給バルブ 26,27,35 マスフローコントローラ 28 カセット 29 搬送ロボット 30,31 基板ホルダー 32 バリアメタル用スパッタガ
ン 33 アルミ合金膜用スパッタガ
ン
室 ４ アルミ合金膜のプロセス室 ５ セパレーション室 ６，７，８ ゲートバルブ ９ 荒引き排気装置 10,11,12,13 ストップバルブ 14,15,16 高真空排気装置 17,18,19 ハイバックバルブ 20,21,22,23 ベントバルブ 24,25,34 ガス供給バルブ 26,27,35 マスフローコントローラ 28 カセット 29 搬送ロボット 30,31 基板ホルダー 32 バリアメタル用スパッタガ
ン 33 アルミ合金膜用スパッタガ
ン
Claims (1)
- 【請求項１】 プロセス室と、該プロセス室に隣接して
半導体基板がプロセス室との間で搬送されるチャンバー
とを備えたマルチチャンバー型スパッタリング装置にお
いて、 上記チャンバーに所定のガスを供給するためのガス供給
バルブと、 上記プロセス室とチャンバーとが同圧力になるように上
記ガス供給バルブを介してチャンバーに供給されるガス
の供給量を制御するマスフローコントローラとを備えて
いることを特徴とするマルチチャンバー型スパッタリン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25782391A JPH0598434A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25782391A JPH0598434A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0598434A true JPH0598434A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17311623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25782391A Withdrawn JPH0598434A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0598434A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270164A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
| WO2000052741A1 (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| JP2005290558A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 真空処理ユニット用ロックチャンバー装置およびその動作プロセス |
| JP2008124481A (ja) * | 2007-11-26 | 2008-05-29 | Canon Anelva Corp | 真空処理装置における処理対象物搬送方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP25782391A patent/JPH0598434A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270164A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
| WO2000052741A1 (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| JP2005290558A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 真空処理ユニット用ロックチャンバー装置およびその動作プロセス |
| JP2008124481A (ja) * | 2007-11-26 | 2008-05-29 | Canon Anelva Corp | 真空処理装置における処理対象物搬送方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |