JP2000232071A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】搬送室におけるパーティクルを防止する。
【解決手段】ロードロック室１と、搬送室２と、処理室
３と、ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ４と、搬
送室−処理室間ゲートバルブ５と、排気ライン１７、１
８、１９と、Ｎ２ パージライン１６とを備える。ま
ず、搬送室２内を排気しておき、その後排気バルブ７を
閉じ、パージライン１６より少量のＮ２ を搬送室２内
に流入させ、搬送室２がある一定の圧力以上（例えば、
５０Ｐａ以上）になれば、搬送室−処理室間ゲートバル
ブ５を開き、次に、パージライン１６から搬送室２内に
流れるＮ２ の流量を大流量を設定し、処理室３から搬
送室２への雰囲気の流れを防止し、ウェーハを搬送す
る。なお、処理室３に接続されている排気ライン１７の
排気バルブ８は、ウェーハの搬送前後・搬送中とも開い
たままである。
３と、ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ４と、搬
送室−処理室間ゲートバルブ５と、排気ライン１７、１
８、１９と、Ｎ２ パージライン１６とを備える。ま
ず、搬送室２内を排気しておき、その後排気バルブ７を
閉じ、パージライン１６より少量のＮ２ を搬送室２内
に流入させ、搬送室２がある一定の圧力以上（例えば、
５０Ｐａ以上）になれば、搬送室−処理室間ゲートバル
ブ５を開き、次に、パージライン１６から搬送室２内に
流れるＮ２ の流量を大流量を設定し、処理室３から搬
送室２への雰囲気の流れを防止し、ウェーハを搬送す
る。なお、処理室３に接続されている排気ライン１７の
排気バルブ８は、ウェーハの搬送前後・搬送中とも開い
たままである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法およ
び基板処理装置に関し、特に、ＬＳＩ用プラズマＣＶＤ
装置等、搬送室を使用してウェーハ搬送を行う装置にお
いて、搬送室でのパーティクルを防止する方法および装
置に関するものである。
び基板処理装置に関し、特に、ＬＳＩ用プラズマＣＶＤ
装置等、搬送室を使用してウェーハ搬送を行う装置にお
いて、搬送室でのパーティクルを防止する方法および装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に、従来のＬＳＩ用プラズマＣＶＤ
装置の装置構成を示す。この従来のＬＳＩ用プラズマＣ
ＶＤ装置は、ロードロック室１と、搬送室２と、処理室
３と、ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ４と、搬
送室−処理室間ゲートバルブ５と、ロードロック室１に
接続された排気ライン１９と、搬送室２に接続された排
気ライン１８およびＮ２ ベントライン１５と、処理室
３に接続された排気ライン１７と、排気ライン１９の途
中に設けられた排気バルブ６と、排気ライン１８の途中
に設けられた排気バルブ７と、排気ライン１８、１９に
共通に接続されたロードロック１と搬送室２との共通の
ポンプ１０と、排気ライン１７に接続された処理室３専
用のポンプ１１と、Ｎ２ ベントライン１５の途中に設
けられたベントバルブ９およびマスフローコントローラ
１３とを備えている。
装置の装置構成を示す。この従来のＬＳＩ用プラズマＣ
ＶＤ装置は、ロードロック室１と、搬送室２と、処理室
３と、ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ４と、搬
送室−処理室間ゲートバルブ５と、ロードロック室１に
接続された排気ライン１９と、搬送室２に接続された排
気ライン１８およびＮ２ ベントライン１５と、処理室
３に接続された排気ライン１７と、排気ライン１９の途
中に設けられた排気バルブ６と、排気ライン１８の途中
に設けられた排気バルブ７と、排気ライン１８、１９に
共通に接続されたロードロック１と搬送室２との共通の
ポンプ１０と、排気ライン１７に接続された処理室３専
用のポンプ１１と、Ｎ２ ベントライン１５の途中に設
けられたベントバルブ９およびマスフローコントローラ
１３とを備えている。
【０００３】このＬＳＩプラズマＣＶＤ装置において
は、ロードロック室１のウェーハ（図示せず。）は、ロ
ードロック室−搬送室間ゲートバルブ４が開き、搬送室
２に搬送される。次に、搬送室２に搬送されたウェーハ
は、搬送室−処理室間ゲートバルブ５が開き、処理室３
に搬送され、処理される。
は、ロードロック室１のウェーハ（図示せず。）は、ロ
ードロック室−搬送室間ゲートバルブ４が開き、搬送室
２に搬送される。次に、搬送室２に搬送されたウェーハ
は、搬送室−処理室間ゲートバルブ５が開き、処理室３
に搬送され、処理される。
【０００４】そして、処理終了後のウェーハは、搬送室
−処理室間ゲートバルブ５が開き、搬送室２に搬送され
る。搬送室２に搬送されたウェーハは、ロードロック室
−搬送室間ゲートバルブ４が開き、ロードロック室１に
戻される。
−処理室間ゲートバルブ５が開き、搬送室２に搬送され
る。搬送室２に搬送されたウェーハは、ロードロック室
−搬送室間ゲートバルブ４が開き、ロードロック室１に
戻される。
【０００５】なお、ポンプ１０、１１を駆動し、排気バ
ルブ６、７、８を開き、ロードロック室１、搬送室２、
処理室３の各室を真空状態にしている。また、搬送室２
の排気バルブ７を閉じ、搬送室２に接続されたベントラ
イン１５のベントバルブ９を開けてＮ２ を流入するこ
とにより、搬送室２を大気状態にしている。
ルブ６、７、８を開き、ロードロック室１、搬送室２、
処理室３の各室を真空状態にしている。また、搬送室２
の排気バルブ７を閉じ、搬送室２に接続されたベントラ
イン１５のベントバルブ９を開けてＮ２ を流入するこ
とにより、搬送室２を大気状態にしている。
【０００６】図６に、従来の処理フローを示す。
【０００７】ロードロック室１と搬送室２との間のウェ
ーハ搬送は、ゲートバルブ４が開くとき（ステップ３
１）に、ロードロック室１と搬送室２との間の差圧をチ
ェックし（ステップ３２）、差圧がゲートバルブ開許容
範囲である場合、ゲートバルブ４を開き（ステップ３
３）、ウェーハを搬送する（ステップ３４）。また、ゲ
ートバルブ４を閉じるとき（ステップ３５）は、無条件
にゲートバルブ４を閉じる（ステップ３６）。
ーハ搬送は、ゲートバルブ４が開くとき（ステップ３
１）に、ロードロック室１と搬送室２との間の差圧をチ
ェックし（ステップ３２）、差圧がゲートバルブ開許容
範囲である場合、ゲートバルブ４を開き（ステップ３
３）、ウェーハを搬送する（ステップ３４）。また、ゲ
ートバルブ４を閉じるとき（ステップ３５）は、無条件
にゲートバルブ４を閉じる（ステップ３６）。
【０００８】搬送室２と処理室３との間のウェーハ搬送
も、ロードロック室１と搬送室２との間のウェーハ搬送
と同様である。
も、ロードロック室１と搬送室２との間のウェーハ搬送
と同様である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５に、従来処理にお
ける雰囲気の流れを示す。
ける雰囲気の流れを示す。
【００１０】搬送室２と処理室３との間のウェーハ搬送
時において、搬送室−処理室間ゲートバルブ５を開ける
と、両室はほぼ同圧ではあるが処理室３から搬送室２へ
の雰囲気の流れがあり、処理室３からの雰囲気が流れ込
む。そのため、搬送室２におけるパーティクルは搬送室
２に滞留したままとなり、このパーティクルがウェーハ
に付着してしまう。付着したパーティクルは、処理室３
においてウェーハ処理を行ったときに、ウェーハ上に堆
積する膜の特性を損なってしまう。
時において、搬送室−処理室間ゲートバルブ５を開ける
と、両室はほぼ同圧ではあるが処理室３から搬送室２へ
の雰囲気の流れがあり、処理室３からの雰囲気が流れ込
む。そのため、搬送室２におけるパーティクルは搬送室
２に滞留したままとなり、このパーティクルがウェーハ
に付着してしまう。付着したパーティクルは、処理室３
においてウェーハ処理を行ったときに、ウェーハ上に堆
積する膜の特性を損なってしまう。
【００１１】従って、本発明の目的は、上述した従来の
問題点を解決し、搬送室におけるパーティクルを防止で
きる基板処理方法および基板処理装置を提供することに
ある。
問題点を解決し、搬送室におけるパーティクルを防止で
きる基板処理方法および基板処理装置を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、搬送室にＮ
２ を供給するパージバルブを備えた装置とし、搬送室
を一度排気した後は、搬送が継続している間は排気バル
ブを閉じたままにし、また搬送室−処理室間の搬送時に
おいて、ゲートバルブが開く前に搬送室のパージバルブ
をあけて小流量のＮ２ を流し、ゲートバルブが開いた
後は大流量のＮ ２ を流すコンティニュアスパージ処理
方式を採用することにより、上記課題が解決できること
を見いだした。
２ を供給するパージバルブを備えた装置とし、搬送室
を一度排気した後は、搬送が継続している間は排気バル
ブを閉じたままにし、また搬送室−処理室間の搬送時に
おいて、ゲートバルブが開く前に搬送室のパージバルブ
をあけて小流量のＮ２ を流し、ゲートバルブが開いた
後は大流量のＮ ２ を流すコンティニュアスパージ処理
方式を採用することにより、上記課題が解決できること
を見いだした。
【００１３】従って、請求項１によれば、搬送室と基板
処理室と前記搬送室と前記基板処理室との間に設けられ
たゲートバルブとを備える基板処理装置を用いて基板を
処理する方法であって、前記搬送室に不活性ガスを流入
させ、その後前記ゲートバルブを開き、前記ゲートバル
ブが開いた後は前記ゲートバルブが開く前の流量よりも
大きい流量で前記不活性ガスを前記搬送室に流入させる
工程と、前記基板処理室で前記基板を処理する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法が提供される。
処理室と前記搬送室と前記基板処理室との間に設けられ
たゲートバルブとを備える基板処理装置を用いて基板を
処理する方法であって、前記搬送室に不活性ガスを流入
させ、その後前記ゲートバルブを開き、前記ゲートバル
ブが開いた後は前記ゲートバルブが開く前の流量よりも
大きい流量で前記不活性ガスを前記搬送室に流入させる
工程と、前記基板処理室で前記基板を処理する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法が提供される。
【００１４】好ましくは、搬送室においてウェーハに付
着するパーティクルの低減のため、搬送室と処理室間の
ゲートバルブの開時に、搬送室内におけるパーティクル
の巻き上がりを防止する方法として、搬送室のパージバ
ルブから流入するＮ２ 流量をゲートバルブが開く前は
小流量に、ゲートバルブを開いた後は大流量に切り替え
る、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）流量制御を行う
コンティニュアスパージ処理方式とする。
着するパーティクルの低減のため、搬送室と処理室間の
ゲートバルブの開時に、搬送室内におけるパーティクル
の巻き上がりを防止する方法として、搬送室のパージバ
ルブから流入するＮ２ 流量をゲートバルブが開く前は
小流量に、ゲートバルブを開いた後は大流量に切り替え
る、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）流量制御を行う
コンティニュアスパージ処理方式とする。
【００１５】また、請求項２によれば、搬送室と基板処
理室と前記搬送室と前記基板処理室との間に設けられた
ゲートバルブとを備える基板処理装置であって、前記搬
送室に不活性ガスを流入させ、その後前記ゲートバルブ
を開き、前記ゲートバルブが開いた後は前記ゲートバル
ブが開く前の流量よりも大きい流量で前記不活性ガスを
前記搬送室に流入させる手段を備えたことを特徴とする
基板処理装置が提供される。
理室と前記搬送室と前記基板処理室との間に設けられた
ゲートバルブとを備える基板処理装置であって、前記搬
送室に不活性ガスを流入させ、その後前記ゲートバルブ
を開き、前記ゲートバルブが開いた後は前記ゲートバル
ブが開く前の流量よりも大きい流量で前記不活性ガスを
前記搬送室に流入させる手段を備えたことを特徴とする
基板処理装置が提供される。
【００１６】好ましくは、搬送室においてウェーハに付
着するパーティクルの低減のため、搬送室と処理室間の
ゲートバルブの開時に、搬送室内におけるパーティクル
の巻き上がりを防止する装置において、搬送室のパージ
バルブから流入するＮ２ 流量をゲートバルブが開く前
は小流量に、ゲートバルブを開いた後は大流量に切り替
える、ＭＦＣ流量制御を行うコンティニュアスパージ処
理装置とする。
着するパーティクルの低減のため、搬送室と処理室間の
ゲートバルブの開時に、搬送室内におけるパーティクル
の巻き上がりを防止する装置において、搬送室のパージ
バルブから流入するＮ２ 流量をゲートバルブが開く前
は小流量に、ゲートバルブを開いた後は大流量に切り替
える、ＭＦＣ流量制御を行うコンティニュアスパージ処
理装置とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施の形態によ
るＬＳＩ用プラズマＣＶＤ装置の装置構成を示す。
るＬＳＩ用プラズマＣＶＤ装置の装置構成を示す。
【００１８】本実施の形態のＬＳＩ用プラズマＣＶＤ装
置は、搬送室２にＮ２ を流入するためのパージライン
１６であって、パージバルブ１２とＭＦＣ（マスフロー
コントローラ）１４とを備えるパージライン１６を新規
に設けている。すなわち、本実施の形態のＬＳＩ用プラ
ズマＣＶＤ装置は、ロードロック室１と、搬送室２と、
処理室３と、ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ４
と、搬送室−処理室間ゲートバルブ５と、ロードロック
室１に接続された排気ライン１９と、搬送室２に接続さ
れた排気ライン１８、Ｎ２ ベントライン１５およびパ
ージライン１６と、処理室３に接続された排気ライン１
７と、排気ライン１９の途中に設けられた排気バルブ６
と、排気ライン１８の途中に設けられた排気バルブ７
と、排気ライン１８、１９に共通に接続されたロードロ
ック１と搬送室２との共通のポンプ１０と、排気ライン
１７に接続された処理室３専用のポンプ１１と、Ｎ２
ベントライン１５の途中に設けられたベントバルブ９お
よびマスフローコントローラ１３と、パージライン１６
の途中に設けられたパージバルブ１２とマスフローコン
トローラ１４とを備えている。
置は、搬送室２にＮ２ を流入するためのパージライン
１６であって、パージバルブ１２とＭＦＣ（マスフロー
コントローラ）１４とを備えるパージライン１６を新規
に設けている。すなわち、本実施の形態のＬＳＩ用プラ
ズマＣＶＤ装置は、ロードロック室１と、搬送室２と、
処理室３と、ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ４
と、搬送室−処理室間ゲートバルブ５と、ロードロック
室１に接続された排気ライン１９と、搬送室２に接続さ
れた排気ライン１８、Ｎ２ ベントライン１５およびパ
ージライン１６と、処理室３に接続された排気ライン１
７と、排気ライン１９の途中に設けられた排気バルブ６
と、排気ライン１８の途中に設けられた排気バルブ７
と、排気ライン１８、１９に共通に接続されたロードロ
ック１と搬送室２との共通のポンプ１０と、排気ライン
１７に接続された処理室３専用のポンプ１１と、Ｎ２
ベントライン１５の途中に設けられたベントバルブ９お
よびマスフローコントローラ１３と、パージライン１６
の途中に設けられたパージバルブ１２とマスフローコン
トローラ１４とを備えている。
【００１９】このＬＳＩプラズマＣＶＤ装置において
は、ロードロック室１のウェーハ（図示せず。）は、ロ
ードロック室−搬送室間ゲートバルブ４が開き、搬送室
２に搬送される。次に、搬送室２に搬送されたウェーハ
は、搬送室−処理室間ゲートバルブ５が開き、処理室３
に搬送され、処理される。
は、ロードロック室１のウェーハ（図示せず。）は、ロ
ードロック室−搬送室間ゲートバルブ４が開き、搬送室
２に搬送される。次に、搬送室２に搬送されたウェーハ
は、搬送室−処理室間ゲートバルブ５が開き、処理室３
に搬送され、処理される。
【００２０】そして、処理終了後のウェーハは、搬送室
−処理室間ゲートバルブ５が開き、搬送室２に搬送され
る。搬送室２に搬送されたウェーハは、ロードロック室
−搬送室間ゲートバルブ４が開き、ロードロック室１に
戻される。
−処理室間ゲートバルブ５が開き、搬送室２に搬送され
る。搬送室２に搬送されたウェーハは、ロードロック室
−搬送室間ゲートバルブ４が開き、ロードロック室１に
戻される。
【００２１】なお、ポンプ１０、１１を駆動し、排気バ
ルブ６、７、８を開き、ロードロック室１、搬送室２、
処理室３の各室を真空状態にしている。また、搬送室２
の排気バルブ７を閉じ、搬送室２に接続されたベントラ
イン１５のベントバルブ９を開けてＮ２ を流入するこ
とにより、搬送室２を大気状態にしている。
ルブ６、７、８を開き、ロードロック室１、搬送室２、
処理室３の各室を真空状態にしている。また、搬送室２
の排気バルブ７を閉じ、搬送室２に接続されたベントラ
イン１５のベントバルブ９を開けてＮ２ を流入するこ
とにより、搬送室２を大気状態にしている。
【００２２】図３に本実施の形態による処理フローを示
す。
す。
【００２３】まず、搬送室（Ｔ室）２を排気ライン１８
を介して真空にし（ステップ１）、次に搬送室２の排気
バルブ７を閉じた（ステップ２）後、処理フローを繰り
返す（搬送が継続している間は搬送室２の排気バルブ７
は閉じたままである）。
を介して真空にし（ステップ１）、次に搬送室２の排気
バルブ７を閉じた（ステップ２）後、処理フローを繰り
返す（搬送が継続している間は搬送室２の排気バルブ７
は閉じたままである）。
【００２４】ロードロック室（Ｌ室）１と搬送室（Ｔ
室）２との間のウェーハ搬送は、ゲートバルブ４が開く
とき（ステップ３）に、ロードロック室１と搬送室２と
の間の差圧をチェックし（ステップ４）、差圧がゲート
バルブ開許容範囲である場合、ゲートバルブ４を開き
（ステップ５）、ウェーハを搬送する（ステップ６）。
また、ゲートバルブ４を閉じるとき（ステップ７）は、
無条件にゲートバルブ４を閉じる（ステップ８）。
室）２との間のウェーハ搬送は、ゲートバルブ４が開く
とき（ステップ３）に、ロードロック室１と搬送室２と
の間の差圧をチェックし（ステップ４）、差圧がゲート
バルブ開許容範囲である場合、ゲートバルブ４を開き
（ステップ５）、ウェーハを搬送する（ステップ６）。
また、ゲートバルブ４を閉じるとき（ステップ７）は、
無条件にゲートバルブ４を閉じる（ステップ８）。
【００２５】次に、搬送室（Ｔ室）２−処理室（Ｒ室）
３間の搬送を以下に説明する。
３間の搬送を以下に説明する。
【００２６】まず、搬送室−処理室間ゲートバルブ５の
開要求の有無を判定し（ステップ９）、開要求があれ
ば、パージライン１６のパージバルブ１２を開き（ステ
ップ１０）、パージバルブ１６から流れる流量を制御す
るＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４に小流量を設
定し、搬送室２にごく少量のＮ２ を流入させて搬送室
２内を加圧し（ステップ１１）、その後、搬送室２があ
る一定の圧力以上（例えば、５０Ｐａ以上）になったか
をチェックし（ステップ１２）、搬送室２−処理室３間
の差圧をチェックし（ステップ１３）、搬送室２と処理
室３間の圧力差が同圧範囲内（例えば、１０００Ｐａ以
内）であれば、搬送室−処理室間ゲートバルブ５を開き
（ステップ１４）、次に、パージライン１６から搬送室
２内に流れるＮ２ の流量を制御するＭＦＣ１４に大流
量を設定し（ステップ１５）、処理室３からの雰囲気の
流れを防止し、ウェーハを搬送する（ステップ１６）。
開要求の有無を判定し（ステップ９）、開要求があれ
ば、パージライン１６のパージバルブ１２を開き（ステ
ップ１０）、パージバルブ１６から流れる流量を制御す
るＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４に小流量を設
定し、搬送室２にごく少量のＮ２ を流入させて搬送室
２内を加圧し（ステップ１１）、その後、搬送室２があ
る一定の圧力以上（例えば、５０Ｐａ以上）になったか
をチェックし（ステップ１２）、搬送室２−処理室３間
の差圧をチェックし（ステップ１３）、搬送室２と処理
室３間の圧力差が同圧範囲内（例えば、１０００Ｐａ以
内）であれば、搬送室−処理室間ゲートバルブ５を開き
（ステップ１４）、次に、パージライン１６から搬送室
２内に流れるＮ２ の流量を制御するＭＦＣ１４に大流
量を設定し（ステップ１５）、処理室３からの雰囲気の
流れを防止し、ウェーハを搬送する（ステップ１６）。
【００２７】ここで、パージライン１６から流入させる
Ｎ２ ガスの小流量、大流量とは、例えば、次のように
いくつかのパターンに設定することができる。
Ｎ２ ガスの小流量、大流量とは、例えば、次のように
いくつかのパターンに設定することができる。
【００２８】小流量を２００ｓｃｃｍ、大流量を８０
０ｓｃｃｍにし、小流量でゆっくりと搬送室２の圧力を
上げていくパターン。
０ｓｃｃｍにし、小流量でゆっくりと搬送室２の圧力を
上げていくパターン。
【００２９】小流量を５００ｓｃｃｍとし、ランプレ
ートありにして、１分間に１００ｓｃｃｍの割合で流量
を増加させ、大流量の５００ｓｃｃｍとなるまで流量を
増加させ、その後は大流量５００ｓｃｃｍの一定とする
パターン。
ートありにして、１分間に１００ｓｃｃｍの割合で流量
を増加させ、大流量の５００ｓｃｃｍとなるまで流量を
増加させ、その後は大流量５００ｓｃｃｍの一定とする
パターン。
【００３０】次に、搬送室−処理室間ゲートバルブ５の
閉要求の有無を判定し（ステップ１７）、閉要求があれ
ば、搬送室−処理室間ゲートバルブ５を閉じ（ステップ
１８）、搬送室２へのパージライン１６のパージバルブ
１２を閉じ（ステップ１９）、パージライン１６から流
れる流量を制御するＭＦＣ１４の流量を０ｓｃｃｍに設
定する（ステップ２０）。
閉要求の有無を判定し（ステップ１７）、閉要求があれ
ば、搬送室−処理室間ゲートバルブ５を閉じ（ステップ
１８）、搬送室２へのパージライン１６のパージバルブ
１２を閉じ（ステップ１９）、パージライン１６から流
れる流量を制御するＭＦＣ１４の流量を０ｓｃｃｍに設
定する（ステップ２０）。
【００３１】図２に本実施の形態による雰囲気の流れを
示す。
示す。
【００３２】図２Ａは、搬送室−処理室間ゲートバルブ
開要求があってから実際に搬送室−処理室間ゲートバル
ブ５が開くまでの雰囲気の流れを示す。搬送室２に、ご
く少量のＮ２ を流入させて、搬送室２内を加圧する。
開要求があってから実際に搬送室−処理室間ゲートバル
ブ５が開くまでの雰囲気の流れを示す。搬送室２に、ご
く少量のＮ２ を流入させて、搬送室２内を加圧する。
【００３３】図２Ｂは、搬送室−処理室間ゲートバルブ
５を開けた後の雰囲気の流れを示す。搬送室２より少し
低圧力の処理室３側に雰囲気が流れるため、搬送室２に
おけるパーティクルが低減する。
５を開けた後の雰囲気の流れを示す。搬送室２より少し
低圧力の処理室３側に雰囲気が流れるため、搬送室２に
おけるパーティクルが低減する。
【００３４】なお、本実施の形態においては、処理室３
に接続されている排気ライン１７のの排気バルブ８は、
ウェーハの搬送前後・搬送中とも開いたままである。
に接続されている排気ライン１７のの排気バルブ８は、
ウェーハの搬送前後・搬送中とも開いたままである。
【００３５】また、搬送室に接続されている排気バルブ
７を閉じ、パージライン１６より少流量のＮ2 ガスを流
入させることによって微小な圧力上昇を行うことによ
り、ゲートバルブ５を開けたときに搬送室２から処理室
３への雰囲気の流れを作る準備ができる。
７を閉じ、パージライン１６より少流量のＮ2 ガスを流
入させることによって微小な圧力上昇を行うことによ
り、ゲートバルブ５を開けたときに搬送室２から処理室
３への雰囲気の流れを作る準備ができる。
【００３６】そして、搬送室−処理室間のゲートバルブ
５を開けたとき、パージライン１６より大流量のＮ2 ガ
スを流入させ、処理室３の汚染物が搬送室２に流入しな
いように搬送室２から処理室３への雰囲気の流れを作っ
ている。この際、処理室３の排気バルブ８は開いたまま
であるので雰囲気は処理室３へ流れる。
５を開けたとき、パージライン１６より大流量のＮ2 ガ
スを流入させ、処理室３の汚染物が搬送室２に流入しな
いように搬送室２から処理室３への雰囲気の流れを作っ
ている。この際、処理室３の排気バルブ８は開いたまま
であるので雰囲気は処理室３へ流れる。
【００３７】本実施の形態によれば、下記の効果が得ら
れる。 １．搬送室２のパージバルブ１２から少量のＮ２ を流
入させているため、搬送室−処理室間の搬送時において
搬送室−処理室間ゲートバルブ５を開けたとき、搬送室
２から処理室３へ雰囲気が流れ、搬送室２におけるパー
ティクルが低減する。 ２．搬送室−処理室間の搬送時、搬送室−処理室間ゲー
トバルブ５を開く前後においてパージバルブ１２から流
れるＭＦＣ１４の流量を切り替えることにより、搬送室
２におけるパーティクルの巻き上がりを防止する。 ３．搬送室２におけるパーティクルが低減するため、ウ
ェーハに付着するパーティクルも低減し、ウェーハに堆
積する膜の特性を維持する。
れる。 １．搬送室２のパージバルブ１２から少量のＮ２ を流
入させているため、搬送室−処理室間の搬送時において
搬送室−処理室間ゲートバルブ５を開けたとき、搬送室
２から処理室３へ雰囲気が流れ、搬送室２におけるパー
ティクルが低減する。 ２．搬送室−処理室間の搬送時、搬送室−処理室間ゲー
トバルブ５を開く前後においてパージバルブ１２から流
れるＭＦＣ１４の流量を切り替えることにより、搬送室
２におけるパーティクルの巻き上がりを防止する。 ３．搬送室２におけるパーティクルが低減するため、ウ
ェーハに付着するパーティクルも低減し、ウェーハに堆
積する膜の特性を維持する。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、搬送室におけるパーテ
ィクルを防止できる基板処理方法および基板処理装置が
提供される。
ィクルを防止できる基板処理方法および基板処理装置が
提供される。
【図１】本発明の一実施の形態のＬＳＩ用プラズマＣＶ
Ｄ装置の概略装置構成図である。
Ｄ装置の概略装置構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態のＬＳＩ用プラズマＣＶ
Ｄ装置における雰囲気の流れを説明するための概略装置
構成図であり、図２Ａは、搬送室ー処理室間ゲートバル
ブが開く前の雰囲気の流れを説明するための図であり、
図２Ｂは、搬送室ー処理室間ゲートバルブが開いた後の
雰囲気の流れを説明するための図である。
Ｄ装置における雰囲気の流れを説明するための概略装置
構成図であり、図２Ａは、搬送室ー処理室間ゲートバル
ブが開く前の雰囲気の流れを説明するための図であり、
図２Ｂは、搬送室ー処理室間ゲートバルブが開いた後の
雰囲気の流れを説明するための図である。
【図３】本発明の一実施の形態のＬＳＩ用プラズマＣＶ
Ｄ装置の処理フローを説明するためのフローチャートで
ある。
Ｄ装置の処理フローを説明するためのフローチャートで
ある。
【図４】従来のＬＳＩ用プラズマＣＶＤ装置の概略装置
構成図である。
構成図である。
【図５】従来のＬＳＩ用プラズマＣＶＤ装置における雰
囲気の流れを説明するための概略装置構成図である。
囲気の流れを説明するための概略装置構成図である。
【図６】従来のＬＳＩ用プラズマＣＶＤ装置の処理フロ
ーを説明するためのフローチャートである。
ーを説明するためのフローチャートである。
１…ロードロック室 ２…搬送室 ３…処理室 ４…ロードロック室−搬送室間ゲートバルブ ５…搬送室−処理室間ゲートバルブ ６、７、８…排気バルブ ９…ベントバルブ １０、１１…ポンプ １２…パージバルブ １３、１４…マスフローコントローラ １５…ベントライン １６…パージライン １７、１８、１９…排気ライン
Claims (2)
- 【請求項１】搬送室と基板処理室と前記搬送室と前記基
板処理室との間に設けられたゲートバルブとを備える基
板処理装置を用いて基板を処理する方法であって、 前記搬送室に不活性ガスを流入させ、その後前記ゲート
バルブを開き、前記ゲートバルブが開いた後は前記ゲー
トバルブが開く前の流量よりも大きい流量で前記不活性
ガスを前記搬送室に流入させる工程と、 前記基板処理室で前記基板を処理する工程と、 を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】搬送室と基板処理室と前記搬送室と前記基
板処理室との間に設けられたゲートバルブとを備える基
板処理装置であって、 前記搬送室に不活性ガスを流入させ、その後前記ゲート
バルブを開き、前記ゲートバルブが開いた後は前記ゲー
トバルブが開く前の流量よりも大きい流量で前記不活性
ガスを前記搬送室に流入させる手段を備えたことを特徴
とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031224A JP2000232071A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031224A JP2000232071A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000232071A true JP2000232071A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12325464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11031224A Pending JP2000232071A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000232071A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083774A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Kobe Steel Ltd | 成膜装置 |
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| JP2016058480A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
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| JP7386738B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法および基板処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05259098A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法 |
| JPH07211761A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置内の被処理体の搬送方法 |
-
1999
- 1999-02-09 JP JP11031224A patent/JP2000232071A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080430 |
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