JP2003059997A - 処理装置および処理方法 - Google Patents
処理装置および処理方法Info
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- JP2003059997A JP2003059997A JP2001240988A JP2001240988A JP2003059997A JP 2003059997 A JP2003059997 A JP 2003059997A JP 2001240988 A JP2001240988 A JP 2001240988A JP 2001240988 A JP2001240988 A JP 2001240988A JP 2003059997 A JP2003059997 A JP 2003059997A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】処理室内に酸素が導入されない構成の処理装置
を提供する。 【解決手段】この処理装置は、処理室１、搬送室２、お
よびロードロック室３，４を備えている。処理室１に
は、原料供給配管５および排気配管６が接続されてい
る。排気配管６は、除害装置２０に接続されている。処
理室１には、ゲートバルブ１０を介して搬送室２が連通
されている。搬送室２には、窒素供給配管７および大気
中に開放された排気配管８が接続されている。排気配管
８には、排気配管８を開閉するためのストップバルブ９
が介装されている。ゲートバルブ１０およびストップバ
ルブ９の開閉は、コントローラ１３によって制御され
る。コントローラ１３は、ゲートバルブ１０の開放に先
立ってストップバルブ９を閉止し、ゲートバルブ１０が
閉止されているときにのみストップバルブ９を開放可能
に制御する。
を提供する。 【解決手段】この処理装置は、処理室１、搬送室２、お
よびロードロック室３，４を備えている。処理室１に
は、原料供給配管５および排気配管６が接続されてい
る。排気配管６は、除害装置２０に接続されている。処
理室１には、ゲートバルブ１０を介して搬送室２が連通
されている。搬送室２には、窒素供給配管７および大気
中に開放された排気配管８が接続されている。排気配管
８には、排気配管８を開閉するためのストップバルブ９
が介装されている。ゲートバルブ１０およびストップバ
ルブ９の開閉は、コントローラ１３によって制御され
る。コントローラ１３は、ゲートバルブ１０の開放に先
立ってストップバルブ９を閉止し、ゲートバルブ１０が
閉止されているときにのみストップバルブ９を開放可能
に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板など各
種の処理対象物に、成膜やエッチングなどの処理を施す
ための処理装置および処理方法に関する。
種の処理対象物に、成膜やエッチングなどの処理を施す
ための処理装置および処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、シリコンウエハにシリコン膜
をエピタキシャル成長させるための成膜装置は、成膜を
行う処理室と、処理室とは独立に雰囲気を制御すること
ができ、シリコンウエハの処理室への搬入／搬出の際に
用いられる搬送室とを備えている。処理室と搬送室と
は、ゲートバルブを介して連通されている。処理室に
は、原料ガスなどを供給するための原料供給配管、およ
び内部のガスを排気して除害装置へと導くための専用の
排気配管が接続されている。搬送室には、窒素ガスを供
給するための窒素ガス供給配管、および内部のガスを外
部へと排気する排気配管が接続されている。
をエピタキシャル成長させるための成膜装置は、成膜を
行う処理室と、処理室とは独立に雰囲気を制御すること
ができ、シリコンウエハの処理室への搬入／搬出の際に
用いられる搬送室とを備えている。処理室と搬送室と
は、ゲートバルブを介して連通されている。処理室に
は、原料ガスなどを供給するための原料供給配管、およ
び内部のガスを排気して除害装置へと導くための専用の
排気配管が接続されている。搬送室には、窒素ガスを供
給するための窒素ガス供給配管、および内部のガスを外
部へと排気する排気配管が接続されている。
【０００３】成膜時には、処理室の内部に、原料供給配
管から水素ガスやシラン化合物のガスなどが供給され
る。これらのガスは、外部に流出しないように排気配管
を経て除害装置へと導かれる。一方、搬送室内部は、窒
素ガス供給配管から窒素ガスが供給されると同時に、一
般排気配管から搬送室内部のガスが大気中に排気される
ことにより、内部が窒素雰囲気に保持される。シリコン
ウエハの搬入／搬出などのためにゲートバルブを開くと
きには、処理室内の圧力が搬送室内の圧力より低くなる
ようにされるので、処理室内のガスが搬送室へ流入する
ことはない。
管から水素ガスやシラン化合物のガスなどが供給され
る。これらのガスは、外部に流出しないように排気配管
を経て除害装置へと導かれる。一方、搬送室内部は、窒
素ガス供給配管から窒素ガスが供給されると同時に、一
般排気配管から搬送室内部のガスが大気中に排気される
ことにより、内部が窒素雰囲気に保持される。シリコン
ウエハの搬入／搬出などのためにゲートバルブを開くと
きには、処理室内の圧力が搬送室内の圧力より低くなる
ようにされるので、処理室内のガスが搬送室へ流入する
ことはない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、処理室内の
圧力が搬送室内の圧力より低い状態でゲートバルブを開
くと、搬送室内のガスだけでなく、一般排気配管から外
部の空気が処理室に流入する。このため、処理室内に酸
素が導入される。すると、処理室における処理特性や試
料に悪影響を及ぼすことがある。また、空気中の酸素が
可燃性ガスと混合するおそれもある。
圧力が搬送室内の圧力より低い状態でゲートバルブを開
くと、搬送室内のガスだけでなく、一般排気配管から外
部の空気が処理室に流入する。このため、処理室内に酸
素が導入される。すると、処理室における処理特性や試
料に悪影響を及ぼすことがある。また、空気中の酸素が
可燃性ガスと混合するおそれもある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、処理室内に酸
素が導入されない構成の処理装置を提供することであ
る。この発明の他の目的は、処理室内に酸素が導入され
ない処理対象物の処理方法を提供することである。
素が導入されない構成の処理装置を提供することであ
る。この発明の他の目的は、処理室内に酸素が導入され
ない処理対象物の処理方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
課題を解決するための請求項１記載の発明は、処理対象
物に所定の処理を施すための処理室（１）と、この処理
室に連通して設けられた搬送室（２）と、上記処理室と
上記搬送室との間に介装されたゲートバルブ（３）と、
上記搬送室の排気のための排気用開口（８）と、上記排
気用開口を開閉するためのストップバルブ（９）と、上
記ゲートバルブの開放に先立って上記ストップバルブを
閉止させ、上記ゲートバルブが閉止されているときにの
み上記ストップバルブを開放可能に制御するバルブ制御
手段（１３）とを備えたことを特徴とする処理装置であ
る。
課題を解決するための請求項１記載の発明は、処理対象
物に所定の処理を施すための処理室（１）と、この処理
室に連通して設けられた搬送室（２）と、上記処理室と
上記搬送室との間に介装されたゲートバルブ（３）と、
上記搬送室の排気のための排気用開口（８）と、上記排
気用開口を開閉するためのストップバルブ（９）と、上
記ゲートバルブの開放に先立って上記ストップバルブを
閉止させ、上記ゲートバルブが閉止されているときにの
み上記ストップバルブを開放可能に制御するバルブ制御
手段（１３）とを備えたことを特徴とする処理装置であ
る。
【０００７】なお、括弧内の数字は後述の実施形態にお
ける対応構成要素等を表す。上記排気用開口のストップ
バルブが開いているときに、搬送室は大気中に開放され
ていてもよい。排気用開口は、排気管などの管によって
形成されていてもよい。その場合、ストップバルブは、
排気管の途中に設けられていてもよい。この発明によれ
ば、ゲートバルブは排気用開口がストップバルブにより
閉止されているときにのみ開放される。また、ストップ
バルブはゲートバルブが閉止されているときにのみ開放
される。好ましくは、ゲートバルブとストップバルブと
が同時に閉止された状態を経て、ゲートバルブまたはス
トップバルブが開かれる。したがって、処理室内の圧力
が搬送室内の圧力よりも低い状態でゲートバルブが開か
れても、排気用開口から外部の空気が導入され処理室に
流入することを確実に防止することができる。
ける対応構成要素等を表す。上記排気用開口のストップ
バルブが開いているときに、搬送室は大気中に開放され
ていてもよい。排気用開口は、排気管などの管によって
形成されていてもよい。その場合、ストップバルブは、
排気管の途中に設けられていてもよい。この発明によれ
ば、ゲートバルブは排気用開口がストップバルブにより
閉止されているときにのみ開放される。また、ストップ
バルブはゲートバルブが閉止されているときにのみ開放
される。好ましくは、ゲートバルブとストップバルブと
が同時に閉止された状態を経て、ゲートバルブまたはス
トップバルブが開かれる。したがって、処理室内の圧力
が搬送室内の圧力よりも低い状態でゲートバルブが開か
れても、排気用開口から外部の空気が導入され処理室に
流入することを確実に防止することができる。
【０００８】搬送室には、別途設けられたゲートバルブ
を介して、さらにロードロック室が連通されていてもよ
い。搬送室とロードロック室との間に介装されたゲート
バルブは、排気用開口に設けられたストップバルブと同
様に制御されるものとすることができる。すなわち、搬
送室と処理室との間のゲートバルブ、および搬送室とロ
ードロック室との間のゲートバルブが同時に閉止された
状態を経て、いずれかのゲートバルブが開かれる。これ
により、ロードロック室内の酸素分圧が充分低くなって
いなかった場合や、ロードロック室が外部に開放されて
いた場合でも、ロードロック室を介して処理室内に酸素
が流入することを確実に防止することができる。
を介して、さらにロードロック室が連通されていてもよ
い。搬送室とロードロック室との間に介装されたゲート
バルブは、排気用開口に設けられたストップバルブと同
様に制御されるものとすることができる。すなわち、搬
送室と処理室との間のゲートバルブ、および搬送室とロ
ードロック室との間のゲートバルブが同時に閉止された
状態を経て、いずれかのゲートバルブが開かれる。これ
により、ロードロック室内の酸素分圧が充分低くなって
いなかった場合や、ロードロック室が外部に開放されて
いた場合でも、ロードロック室を介して処理室内に酸素
が流入することを確実に防止することができる。
【０００９】請求項２記載の発明は、処理対象物を搬送
室から処理室に搬入して処理を施すための処理方法であ
って、上記搬送室の排気のために設けられた排気用開口
を閉塞した状態で、上記搬送室と上記処理室との間の処
理対象物通路を開放する搬入前工程と、上記搬入前工程
の後、処理対象物を上記搬送室から上記処理室へ搬入す
る搬入工程と、上記搬入工程の後、上記処理対象物通路
を閉塞した状態で、上記処理室内で処理対象物に処理を
施す処理工程とを含むことを特徴とする処理方法であ
る。
室から処理室に搬入して処理を施すための処理方法であ
って、上記搬送室の排気のために設けられた排気用開口
を閉塞した状態で、上記搬送室と上記処理室との間の処
理対象物通路を開放する搬入前工程と、上記搬入前工程
の後、処理対象物を上記搬送室から上記処理室へ搬入す
る搬入工程と、上記搬入工程の後、上記処理対象物通路
を閉塞した状態で、上記処理室内で処理対象物に処理を
施す処理工程とを含むことを特徴とする処理方法であ
る。
【００１０】この処理方法により、処理対象物を搬送室
から処理室へ搬入するために処理対象物通路を開放する
際、排気用開口から外部の空気が導入され処理室に流入
することを確実に防止することができる。これにより、
酸素を断った雰囲気下で行う処理を処理対象物に良好に
施し、良好な試料を得ることができる。請求項３記載の
発明は、上記処理工程の後、上記排気用開口を閉塞した
状態で、上記処理対象物通路を開放する搬出前工程と、
上記搬出前工程の後、処理対象物を上記処理室から上記
搬送室へ搬出する搬出工程とをさらに含むことを特徴と
する請求項２記載の処理方法である。
から処理室へ搬入するために処理対象物通路を開放する
際、排気用開口から外部の空気が導入され処理室に流入
することを確実に防止することができる。これにより、
酸素を断った雰囲気下で行う処理を処理対象物に良好に
施し、良好な試料を得ることができる。請求項３記載の
発明は、上記処理工程の後、上記排気用開口を閉塞した
状態で、上記処理対象物通路を開放する搬出前工程と、
上記搬出前工程の後、処理対象物を上記処理室から上記
搬送室へ搬出する搬出工程とをさらに含むことを特徴と
する請求項２記載の処理方法である。
【００１１】この処理方法により、処理対象物を処理室
から搬送室へ搬出するために処理対象物通路を開放する
際、排気用開口から外部の空気が導入され処理室に流入
することを確実に防止することができる。請求項４記載
の発明は、上記処理対象物通路が閉塞されている期間
に、上記排気用開口を開放する工程とをさらに含むこと
を特徴とする請求項２または３に記載の処理方法であ
る。
から搬送室へ搬出するために処理対象物通路を開放する
際、排気用開口から外部の空気が導入され処理室に流入
することを確実に防止することができる。請求項４記載
の発明は、上記処理対象物通路が閉塞されている期間
に、上記排気用開口を開放する工程とをさらに含むこと
を特徴とする請求項２または３に記載の処理方法であ
る。
【００１２】処理工程を実施する際、処理対象物通路は
閉塞されている。搬入工程の前や搬出工程の後にも、処
理対象物通路が閉塞されている期間を設けてもよい。処
理対象物通路が閉塞されている期間に、排気用開口を開
放し、搬送室に不活性ガスなどを流して搬送室内を所定
の雰囲気に保つことができる。これにより、搬送室およ
び処理室は、ほぼ一定の雰囲気に保持されるから、処理
の効率を高くし、生産性を向上させることができる。
閉塞されている。搬入工程の前や搬出工程の後にも、処
理対象物通路が閉塞されている期間を設けてもよい。処
理対象物通路が閉塞されている期間に、排気用開口を開
放し、搬送室に不活性ガスなどを流して搬送室内を所定
の雰囲気に保つことができる。これにより、搬送室およ
び処理室は、ほぼ一定の雰囲気に保持されるから、処理
の効率を高くし、生産性を向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下では、添付図面を参照して、
本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、
本発明の一実施形態に係る処理装置の構成を示す図解的
な平面図である。この処理装置は、シリコンウエハ（以
下、「ウエハ」という。）上にシリコンをエピタキシャ
ル成長させるための成膜装置であって、処理室１、搬送
室２、およびロードロック室３，４を備えている。処理
室１には、シラン化合物のガスや水素ガスなど、成膜の
原料や副原料を含むガスを供給するための原料供給配管
５、および内部のガスを排気するための排気配管６が接
続されている。排気配管６は、除害装置２０に接続され
ている。通常、処理室１内のガスは、排気配管６から常
に強制的に排気されて除害装置２０へと導かれている。
これにより、処理室１内の圧力は、搬送室２内の圧力よ
り常に低くされる。
本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、
本発明の一実施形態に係る処理装置の構成を示す図解的
な平面図である。この処理装置は、シリコンウエハ（以
下、「ウエハ」という。）上にシリコンをエピタキシャ
ル成長させるための成膜装置であって、処理室１、搬送
室２、およびロードロック室３，４を備えている。処理
室１には、シラン化合物のガスや水素ガスなど、成膜の
原料や副原料を含むガスを供給するための原料供給配管
５、および内部のガスを排気するための排気配管６が接
続されている。排気配管６は、除害装置２０に接続され
ている。通常、処理室１内のガスは、排気配管６から常
に強制的に排気されて除害装置２０へと導かれている。
これにより、処理室１内の圧力は、搬送室２内の圧力よ
り常に低くされる。
【００１４】処理室１と搬送室２とは処理物通路により
連通されており、処理物通路にはゲートバルブ１０が介
装されている。搬送室２には、窒素ガスを供給するため
の窒素供給配管７、および内部のガスを排気するための
排気配管８が接続されている。排気配管８は、大気中に
開放されている。排気配管８には、排気配管８を開閉す
るためのストップバルブ９が介装されている。ストップ
バルブ９は、たとえば、電磁弁とすることができる。
連通されており、処理物通路にはゲートバルブ１０が介
装されている。搬送室２には、窒素ガスを供給するため
の窒素供給配管７、および内部のガスを排気するための
排気配管８が接続されている。排気配管８は、大気中に
開放されている。排気配管８には、排気配管８を開閉す
るためのストップバルブ９が介装されている。ストップ
バルブ９は、たとえば、電磁弁とすることができる。
【００１５】搬送室２内は、通常、窒素供給配管７から
窒素ガスが供給され、排気配管８から搬送室２内のガス
が排気されることにより、常に窒素雰囲気に保たれてい
る。搬送室２には、処理室１との間およびロードロック
室３，４との間で、ウエハの搬送を行うためのウエハ搬
送機構１８が設けられている。搬送室２には、ゲートバ
ルブ１１を介してロードロック室３が連通されている。
また、搬送室２には、ゲートバルブ１２を介してロード
ロック室４が連通されている。ロードロック室３，４に
は、窒素ガスを供給するための窒素供給配管１４，１
５、および内部のガスを排気するための排気配管１６，
１７がそれぞれ接続されている。ロードロック室３，４
内は、通常、窒素供給配管１４，１５からそれぞれ窒素
ガスが供給され、排気配管１６，１７からロードロック
室３，４内のガスが排気されることにより、常に窒素雰
囲気に保たれている。
窒素ガスが供給され、排気配管８から搬送室２内のガス
が排気されることにより、常に窒素雰囲気に保たれてい
る。搬送室２には、処理室１との間およびロードロック
室３，４との間で、ウエハの搬送を行うためのウエハ搬
送機構１８が設けられている。搬送室２には、ゲートバ
ルブ１１を介してロードロック室３が連通されている。
また、搬送室２には、ゲートバルブ１２を介してロード
ロック室４が連通されている。ロードロック室３，４に
は、窒素ガスを供給するための窒素供給配管１４，１
５、および内部のガスを排気するための排気配管１６，
１７がそれぞれ接続されている。ロードロック室３，４
内は、通常、窒素供給配管１４，１５からそれぞれ窒素
ガスが供給され、排気配管１６，１７からロードロック
室３，４内のガスが排気されることにより、常に窒素雰
囲気に保たれている。
【００１６】ゲートバルブ１０，１１，１２およびスト
ップバルブ９の開閉は、コントローラ１３によって制御
される。また、各種ガスの供給およびその停止、ウエハ
搬送機構１８の動作などもコントローラ１３によって制
御される。処理対象のウエハ（通常、複数枚）は、コン
トローラ１３によってゲートバルブ１１を閉止させたう
えで、搬送ロボットまたは作業者により、ロードロック
室３に収容される。窒素供給配管１４から窒素ガスが供
給されており、排気配管１６から内部のガスが排気され
ているので、一定の時間経過後、ロードロック室３内は
窒素雰囲気となる。
ップバルブ９の開閉は、コントローラ１３によって制御
される。また、各種ガスの供給およびその停止、ウエハ
搬送機構１８の動作などもコントローラ１３によって制
御される。処理対象のウエハ（通常、複数枚）は、コン
トローラ１３によってゲートバルブ１１を閉止させたう
えで、搬送ロボットまたは作業者により、ロードロック
室３に収容される。窒素供給配管１４から窒素ガスが供
給されており、排気配管１６から内部のガスが排気され
ているので、一定の時間経過後、ロードロック室３内は
窒素雰囲気となる。
【００１７】次に、コントローラ１３の制御により、ゲ
ートバルブ１０およびゲートバルブ１２を閉止状態とし
て、ゲートバルブ１１が開放される。コントローラ１３
は、ゲートバルブ１０が開放されている場合は、ゲート
バルブ１１が開かないように制御している。そして、搬
送室２内に設けられたウエハ搬送機構１８により、１バ
ッチ分のウエハが搬送室２内に搬入された後、ゲートバ
ルブ１１が閉止される。この際、搬送室２内に酸素が存
在していた場合でも、一定時間、窒素ガスの供給および
内部のガスの排気が続けられることにより、搬送室２内
は窒素雰囲気となる。続いて、コントローラ１３の制御
によって、ストップバルブ９が閉止される。このとき、
窒素供給配管７からの窒素ガスの供給を停止することと
してもよい。
ートバルブ１０およびゲートバルブ１２を閉止状態とし
て、ゲートバルブ１１が開放される。コントローラ１３
は、ゲートバルブ１０が開放されている場合は、ゲート
バルブ１１が開かないように制御している。そして、搬
送室２内に設けられたウエハ搬送機構１８により、１バ
ッチ分のウエハが搬送室２内に搬入された後、ゲートバ
ルブ１１が閉止される。この際、搬送室２内に酸素が存
在していた場合でも、一定時間、窒素ガスの供給および
内部のガスの排気が続けられることにより、搬送室２内
は窒素雰囲気となる。続いて、コントローラ１３の制御
によって、ストップバルブ９が閉止される。このとき、
窒素供給配管７からの窒素ガスの供給を停止することと
してもよい。
【００１８】そして、コントローラ１３の制御によっ
て、ゲートバルブ１０が開けられ、ウエハ搬送機構１８
により、処理室１内にウエハが搬入される。ゲートバル
ブ１０が閉止された後、原料供給配管５から水素ガスや
シラン化合物のガスが処理室１に供給され、ウエハ上に
シリコンのエピタキシャル成長がなされる。搬送室２で
は、コントローラ１３の制御により、窒素供給配管７か
ら窒素ガスが供給され、ストップバルブ９が開放され
て、内部のガスが排気される。コントローラ１３は、ゲ
ートバルブ１０が開放されているときは、ストップバル
ブ９が開かないように制御している。
て、ゲートバルブ１０が開けられ、ウエハ搬送機構１８
により、処理室１内にウエハが搬入される。ゲートバル
ブ１０が閉止された後、原料供給配管５から水素ガスや
シラン化合物のガスが処理室１に供給され、ウエハ上に
シリコンのエピタキシャル成長がなされる。搬送室２で
は、コントローラ１３の制御により、窒素供給配管７か
ら窒素ガスが供給され、ストップバルブ９が開放され
て、内部のガスが排気される。コントローラ１３は、ゲ
ートバルブ１０が開放されているときは、ストップバル
ブ９が開かないように制御している。
【００１９】処理後のウエハを処理室１から搬送室２へ
搬出する場合には、上述の搬入操作と逆の搬出操作が行
われることになる。この場合も、コントローラ１３の制
御により、ゲートバルブ１０の開放に先立って、ストッ
プバルブ９およびゲートバルブ１１，１２が閉止され
る。その後、搬送機構１８により、ウエハは処理室１か
ら搬送室２へと搬出される。そして、コントローラ１３
の制御により、ゲートバルブ１０が閉止された後、ゲー
トバルブ１２が開放され、ウエハ搬送機構１８により、
ロードロック室４に処理後のウエハが搬出される。コン
トローラ１３は、ゲートバルブ１０が開放されていると
きはゲートバルブ１２が開かないように制御している。
ゲートバルブ１２が閉止された後、ロードロック室４か
らウエハを取り出すことができる。
搬出する場合には、上述の搬入操作と逆の搬出操作が行
われることになる。この場合も、コントローラ１３の制
御により、ゲートバルブ１０の開放に先立って、ストッ
プバルブ９およびゲートバルブ１１，１２が閉止され
る。その後、搬送機構１８により、ウエハは処理室１か
ら搬送室２へと搬出される。そして、コントローラ１３
の制御により、ゲートバルブ１０が閉止された後、ゲー
トバルブ１２が開放され、ウエハ搬送機構１８により、
ロードロック室４に処理後のウエハが搬出される。コン
トローラ１３は、ゲートバルブ１０が開放されていると
きはゲートバルブ１２が開かないように制御している。
ゲートバルブ１２が閉止された後、ロードロック室４か
らウエハを取り出すことができる。
【００２０】このような構成の成膜装置は、ロードロッ
ク式と呼ばれ、シリコンのエピタキシャル層を形成する
ための処理室１が、常時所定の酸素分圧以下の雰囲気に
保持される。そのため、１つのバッチのウエハに対する
処理が終了するたびに処理室や搬送室を開放してしまう
構成の製造装置に比較して、格段に高い生産性を実現で
きる。搬送室２から処理室１へウエハを搬入する際、お
よび処理室１から搬送室２へウエハを搬出する際には、
ゲートバルブ１０の開放に先立って、ストップバルブ９
およびゲートバルブ１１，１２が閉止される。また、ス
トップバルブ９およびゲートバルブ１１，１２は、ゲー
トバルブ１０が閉止されているときにのみ開放可能であ
る。すなわち、ゲートバルブ１０、１１，１２とストッ
プバルブ９とが同時に閉止された状態を経て、ゲートバ
ルブ１０、１１，１２またはストップバルブ９が開放さ
れる。
ク式と呼ばれ、シリコンのエピタキシャル層を形成する
ための処理室１が、常時所定の酸素分圧以下の雰囲気に
保持される。そのため、１つのバッチのウエハに対する
処理が終了するたびに処理室や搬送室を開放してしまう
構成の製造装置に比較して、格段に高い生産性を実現で
きる。搬送室２から処理室１へウエハを搬入する際、お
よび処理室１から搬送室２へウエハを搬出する際には、
ゲートバルブ１０の開放に先立って、ストップバルブ９
およびゲートバルブ１１，１２が閉止される。また、ス
トップバルブ９およびゲートバルブ１１，１２は、ゲー
トバルブ１０が閉止されているときにのみ開放可能であ
る。すなわち、ゲートバルブ１０、１１，１２とストッ
プバルブ９とが同時に閉止された状態を経て、ゲートバ
ルブ１０、１１，１２またはストップバルブ９が開放さ
れる。
【００２１】したがって、処理室１内の圧力が搬送室２
内の圧力より低い状態でゲートバルブ１０が開かれた場
合でも、外部の空気が排気配管８から導入され、搬送室
２を経て処理室１に流入することを確実に防止すること
ができる。同様に、ロードロック室３，４内の雰囲気が
充分に低い酸素分圧になっていなかった場合や、ロード
ロック室３，４が開放されていた場合でも、外部の空気
が搬送室２を経て処理室１に流入することを確実に防止
することができる。したがって、処理室１に酸素が導入
されることはなく良好に成膜を行い、良好な試料を得る
ことができる。また、空気中の酸素が可燃性ガスと混合
するおそれもない。
内の圧力より低い状態でゲートバルブ１０が開かれた場
合でも、外部の空気が排気配管８から導入され、搬送室
２を経て処理室１に流入することを確実に防止すること
ができる。同様に、ロードロック室３，４内の雰囲気が
充分に低い酸素分圧になっていなかった場合や、ロード
ロック室３，４が開放されていた場合でも、外部の空気
が搬送室２を経て処理室１に流入することを確実に防止
することができる。したがって、処理室１に酸素が導入
されることはなく良好に成膜を行い、良好な試料を得る
ことができる。また、空気中の酸素が可燃性ガスと混合
するおそれもない。
【００２２】上記の実施形態において、処理室１は、シ
リコンのエピタキシャル層を形成するためのものである
が、多結晶シリコン膜や酸化シリコン膜などを成膜する
ためのものであってもよく、エッチングなどの処理を施
すためのものであってもよい。また、本発明は、半導体
を処理する処理装置に限られず、酸素を断った雰囲気で
処理を行う様々な処理装置に応用することが可能である
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々
の設計変更を施すことが可能である。
リコンのエピタキシャル層を形成するためのものである
が、多結晶シリコン膜や酸化シリコン膜などを成膜する
ためのものであってもよく、エッチングなどの処理を施
すためのものであってもよい。また、本発明は、半導体
を処理する処理装置に限られず、酸素を断った雰囲気で
処理を行う様々な処理装置に応用することが可能である
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々
の設計変更を施すことが可能である。
【図１】本発明の一実施形態に係る処理装置の構成を示
す図解的な平面図である。
す図解的な平面図である。
１ 処理室
２ 搬送室
３，４ ロードロック室
８ 排気配管
９ ストップバルブ
１０，１１，１２ ゲートバルブ
１３ コントローラ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高田 秀樹
京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株
式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 BA29 BB02 CA04
GA12 KA08 KA11 KA41
5F031 CA02 FA01 FA09 GA02 MA11
MA21 MA27 MA28 MA29 MA31
NA04 NA07 NA09 PA02
5F045 AA03 AB02 AC01 AC15 AF03
EB09 EN02 EN04
Claims (4)
- 【請求項１】処理対象物に所定の処理を施すための処理
室と、 この処理室に連通して設けられた搬送室と、 上記処理室と上記搬送室との間に介装されたゲートバル
ブと、 上記搬送室の排気のための排気用開口と、 上記排気用開口を開閉するためのストップバルブと、 上記ゲートバルブの開放に先立って上記ストップバルブ
を閉止させ、上記ゲートバルブが閉止されているときに
のみ上記ストップバルブを開放可能に制御するバルブ制
御手段とを備えたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】処理対象物を搬送室から処理室に搬入して
処理を施すための処理方法であって、 上記搬送室の排気のために設けられた排気用開口を閉塞
した状態で、上記搬送室と上記処理室との間の処理対象
物通路を開放する搬入前工程と、 上記搬入前工程の後、処理対象物を上記搬送室から上記
処理室へ搬入する搬入工程と、 上記搬入工程の後、上記処理対象物通路を閉塞した状態
で、上記処理室内で処理対象物に処理を施す処理工程と
を含むことを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】上記処理工程の後、上記排気用開口を閉塞
した状態で、上記処理対象物通路を開放する搬出前工程
と、 上記搬出前工程の後、処理対象物を上記処理室から上記
搬送室へ搬出する搬出工程とをさらに含むことを特徴と
する請求項２記載の処理方法。 - 【請求項４】上記処理対象物通路が閉塞されている期間
に、上記排気用開口を開放する工程とをさらに含むこと
を特徴とする請求項２または３に記載の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001240988A JP2003059997A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 処理装置および処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001240988A JP2003059997A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 処理装置および処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059997A true JP2003059997A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19071514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001240988A Pending JP2003059997A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 処理装置および処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003059997A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005527120A (ja) * | 2002-05-21 | 2005-09-08 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少 |
| US7972961B2 (en) | 2008-10-09 | 2011-07-05 | Asm Japan K.K. | Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers |
| US8216380B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-07-10 | Asm America, Inc. | Gap maintenance for opening to process chamber |
| US8287648B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
| US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| CN113549903A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-26 | 昆明理工大学 | 一种原子层沉积设备的远程控制系统及方法 |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001240988A patent/JP2003059997A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005527120A (ja) * | 2002-05-21 | 2005-09-08 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少 |
| US7972961B2 (en) | 2008-10-09 | 2011-07-05 | Asm Japan K.K. | Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers |
| US8216380B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-07-10 | Asm America, Inc. | Gap maintenance for opening to process chamber |
| US8287648B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
| US8759226B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-06-24 | Asm America, Inc. | Method for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
| US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US11626313B2 (en) | 2017-11-03 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| CN113549903A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-26 | 昆明理工大学 | 一种原子层沉积设备的远程控制系统及方法 |
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