JPH04280626A - 縦型拡散ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型拡散ｃｖｄ装置Info
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- JPH04280626A JPH04280626A JP6916591A JP6916591A JPH04280626A JP H04280626 A JPH04280626 A JP H04280626A JP 6916591 A JP6916591 A JP 6916591A JP 6916591 A JP6916591 A JP 6916591A JP H04280626 A JPH04280626 A JP H04280626A
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- oxygen concentration
- gas
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置の１つ
である縦型拡散ＣＶＤ装置、特にロードロック室の雰囲
気ガスコントロールの改善に関するものである。
である縦型拡散ＣＶＤ装置、特にロードロック室の雰囲
気ガスコントロールの改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】縦型拡散ＣＶＤ装置は、垂直に設けられ
た石英管からなる気密な反応室と、該反応室を囲繞して
設けられたヒータと、前記反応室の下方に連設して設け
られる気密なロードロック室と、該ロードロック室の内
部に設けられるウェーハ装入機構、ウェーハ移載機構、
前記ウェーハ装入機構に載置されウェーハが多段に装填
されるボート等から構成される。
た石英管からなる気密な反応室と、該反応室を囲繞して
設けられたヒータと、前記反応室の下方に連設して設け
られる気密なロードロック室と、該ロードロック室の内
部に設けられるウェーハ装入機構、ウェーハ移載機構、
前記ウェーハ装入機構に載置されウェーハが多段に装填
されるボート等から構成される。
【０００３】ウェーハの処理は、前記ロードロック室に
搬入されたウェーハをウェーハ移載機構によって前記ボ
ートに装填し、該ボートを前記ウェーハ装入機構で反応
室内部に装入し、高温反応ガス雰囲気でウェーハの処理
を行い、ウェーハの処理が完了すると前記ウェーハ装入
機構でボートをロードロック室に引出し、更に前記ウェ
ーハ移載機構によって、ウェーハがボートより取出され
る。
搬入されたウェーハをウェーハ移載機構によって前記ボ
ートに装填し、該ボートを前記ウェーハ装入機構で反応
室内部に装入し、高温反応ガス雰囲気でウェーハの処理
を行い、ウェーハの処理が完了すると前記ウェーハ装入
機構でボートをロードロック室に引出し、更に前記ウェ
ーハ移載機構によって、ウェーハがボートより取出され
る。
【０００４】上記した一連のウェーハ処理に於いて、ロ
ードロック室はウェーハの酸化防止の為、所定酸素濃度
の不活性ガス雰囲気とする必要がある。又、未処理ウェ
ーハは大気中よりロードロック室に搬入され、処理済ウ
ェーハはロードロック室より搬出される為、ロードロッ
ク室はウェーハの搬入、ウェーハ搬出の度に開放される
ことになる。従って、ロードロック室開放後室内を可及
的短時間に、而も所望の不活性ガス雰囲気にするガスコ
ントロールは、装置の可動率、不活性ガス消費量、或は
製品品質の確保等の大きな要因の１つである。
ードロック室はウェーハの酸化防止の為、所定酸素濃度
の不活性ガス雰囲気とする必要がある。又、未処理ウェ
ーハは大気中よりロードロック室に搬入され、処理済ウ
ェーハはロードロック室より搬出される為、ロードロッ
ク室はウェーハの搬入、ウェーハ搬出の度に開放される
ことになる。従って、ロードロック室開放後室内を可及
的短時間に、而も所望の不活性ガス雰囲気にするガスコ
ントロールは、装置の可動率、不活性ガス消費量、或は
製品品質の確保等の大きな要因の１つである。
【０００５】従来、ロードロック室には不活性ガス、Ｎ
２ ガスを供給する供給管と、排出管とが設けられ、供
給管から不活性ガス、Ｎ２ ガスをロードロック室に供
給し、排出管より排出することでロードロック室内部を
不活性ガス、Ｎ２ ガスに置換していた。
２ ガスを供給する供給管と、排出管とが設けられ、供
給管から不活性ガス、Ｎ２ ガスをロードロック室に供
給し、排出管より排出することでロードロック室内部を
不活性ガス、Ｎ２ ガスに置換していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来排出管
は１本設けられているだけであり、この為置換速度を早
くしようと排出管の径を大きくすると、排出管からの逆
流（逆拡散）が生じ、所定の酸素濃度が得られないとい
う問題があり、排出管からの逆流を防止する為排出管の
径を小さくすると置換時間が長くかかつてしまうという
問題がある。
は１本設けられているだけであり、この為置換速度を早
くしようと排出管の径を大きくすると、排出管からの逆
流（逆拡散）が生じ、所定の酸素濃度が得られないとい
う問題があり、排出管からの逆流を防止する為排出管の
径を小さくすると置換時間が長くかかつてしまうという
問題がある。
【０００７】本発明は斯かる実情に鑑み、置換時間が短
く而も所定の酸素濃度を得ることが可能な縦型拡散ＣＶ
Ｄ装置を提供しようとするものである。
く而も所定の酸素濃度を得ることが可能な縦型拡散ＣＶ
Ｄ装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室下方に
ロードロック室が気密連設された縦型拡散ＣＶＤ装置に
於いて、ロードロック室からの充填ガス排気を複数の排
気管を経て行う様にすると共にロードロック室内部の酸
素濃度を検出する酸素濃度計を設け、ロードロック室内
部の酸素濃度に応じて充填ガスを排気する排気管の選択
を行う様構成することを特徴とするものである。
ロードロック室が気密連設された縦型拡散ＣＶＤ装置に
於いて、ロードロック室からの充填ガス排気を複数の排
気管を経て行う様にすると共にロードロック室内部の酸
素濃度を検出する酸素濃度計を設け、ロードロック室内
部の酸素濃度に応じて充填ガスを排気する排気管の選択
を行う様構成することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】酸素濃度の高い状態では、排気流量が大となる
様な排気管の選択を行い、酸素濃度が所定値以下となる
と排気流量が小となる様な排気管の選択を行う。
様な排気管の選択を行い、酸素濃度が所定値以下となる
と排気流量が小となる様な排気管の選択を行う。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１１】図１中、１は反応室、２はヒータ、３は前
記反応室１に気密に連設されたロードロック室、４はウ
ェーハを多段に保持するボートであり、該ボート４はウ
ェーハ装入機構５によって昇降され、前記反応室１に装
入、引出しされる。ウェーハ移載機構６は昇降するウェ
ーハハンドリングユニット７を有し、ボート各段へのウ
ェーハの装填、取出しを行う。
記反応室１に気密に連設されたロードロック室、４はウ
ェーハを多段に保持するボートであり、該ボート４はウ
ェーハ装入機構５によって昇降され、前記反応室１に装
入、引出しされる。ウェーハ移載機構６は昇降するウェ
ーハハンドリングユニット７を有し、ボート各段へのウ
ェーハの装填、取出しを行う。
【００１２】前記ロードロック室３にはマスフローコン
トローラ８を介して不活性ガス、又はＮ２ ガス（以下
充填ガスと称す）の供給源（図示せず）が接続されてい
ると共に大径の排気管９が接続され、ロードロック室３
内部の圧力は圧力センサ１４によって検知される様にな
っており、該圧力センサ１４の圧力信号は前記マスフロ
ーコントローラ８に入力される。
トローラ８を介して不活性ガス、又はＮ２ ガス（以下
充填ガスと称す）の供給源（図示せず）が接続されてい
ると共に大径の排気管９が接続され、ロードロック室３
内部の圧力は圧力センサ１４によって検知される様にな
っており、該圧力センサ１４の圧力信号は前記マスフロ
ーコントローラ８に入力される。
【００１３】前記排気管９には第１電磁弁１０が設けら
れ、更に該電磁弁１０の上流と下流を接続する小径のバ
イパス管１１が設けられる。該バイパス管１１には第２
電磁弁１２が設けられる。該第１電磁弁１０、第２電磁
弁１２は制御器１３によって開閉が制御される様になっ
ている。又、前記排気管９のバイパス管１１よりも上流
側に電磁弁１５を介して酸素濃度計１６が設けられ、該
酸素濃度計１６は排気ガス中の酸素濃度を検出し、その
検出結果を前記制御器１３入力する様になっている。 尚、１７は前記充填ガスの供給、停止を行う給停電磁弁
である。
れ、更に該電磁弁１０の上流と下流を接続する小径のバ
イパス管１１が設けられる。該バイパス管１１には第２
電磁弁１２が設けられる。該第１電磁弁１０、第２電磁
弁１２は制御器１３によって開閉が制御される様になっ
ている。又、前記排気管９のバイパス管１１よりも上流
側に電磁弁１５を介して酸素濃度計１６が設けられ、該
酸素濃度計１６は排気ガス中の酸素濃度を検出し、その
検出結果を前記制御器１３入力する様になっている。 尚、１７は前記充填ガスの供給、停止を行う給停電磁弁
である。
【００１４】以下、作用を説明する。
【００１５】前記反応室１で処理されたウェーハを前記
ロードロック室３内に引出す前に、ロードロック室３内
部を所定酸素濃度以下の充填ガス雰囲気としておく。
ロードロック室３内に引出す前に、ロードロック室３内
部を所定酸素濃度以下の充填ガス雰囲気としておく。
【００１６】前記給停電磁弁１７、前記該第１電磁弁１
０を開状態、前記第２電磁弁１２を閉状態として、前記
マスフローコントローラ８で流量設定した充填ガスを前
記ロードロック室３に供給し、更に前記排気管９より排
気する。排気中の充填ガスの酸素濃度は前記酸素濃度計
１６で検知され、更に前記制御器１３によって監視され
ている。而して、酸素濃度が設定値、例えば１％以下と
なった場合に、前記前記制御器１３は、前記該第１電磁
弁１０を閉状態、前記第２電磁弁１２を開状態として充
填ガスを前記バイパス管１１を経て排気する様にする。
０を開状態、前記第２電磁弁１２を閉状態として、前記
マスフローコントローラ８で流量設定した充填ガスを前
記ロードロック室３に供給し、更に前記排気管９より排
気する。排気中の充填ガスの酸素濃度は前記酸素濃度計
１６で検知され、更に前記制御器１３によって監視され
ている。而して、酸素濃度が設定値、例えば１％以下と
なった場合に、前記前記制御器１３は、前記該第１電磁
弁１０を閉状態、前記第２電磁弁１２を開状態として充
填ガスを前記バイパス管１１を経て排気する様にする。
【００１７】而して、酸素濃度の高い充填ガスの充填初
期に於いては、大径の排気管９によって排気し、酸素濃
度が設定値より低くなると小径のバイパス管１１を経て
排気するので、充填ガスの充填を短時間で行い得ると共
に排気管側からの逆流を防止し得、確実に所望の酸素濃
度に達することができる。
期に於いては、大径の排気管９によって排気し、酸素濃
度が設定値より低くなると小径のバイパス管１１を経て
排気するので、充填ガスの充填を短時間で行い得ると共
に排気管側からの逆流を防止し得、確実に所望の酸素濃
度に達することができる。
【００１８】所望の酸素濃度に達した後も更に充填ガス
が供給流通され、該酸素濃度が維持される。
が供給流通され、該酸素濃度が維持される。
【００１９】尚、前記前記マスフローコントローラ８は
圧力センサ１４からの信号により、前記ロードロック室
３内部の圧力が設定値を越えない様に充填ガスの流量を
制御する。
圧力センサ１４からの信号により、前記ロードロック室
３内部の圧力が設定値を越えない様に充填ガスの流量を
制御する。
【００２０】上記した実施例に於いて、充填ガスをガス
パージ方式で充填するとし、前記ロードロック室３の容
積が５００ ｌ、流量２００ ｌ／ｍｉｎ、排気管内径
２０ｍｍ、バイパス管内径１１ｍｍとした場合、置換時
間は約６０分であり、更に酸素濃度１ｐｐｍ以下を維持
する為の流量は約８０ ｌ／ｍｉｎである。而して、排
気管内径９．５ｍｍのみで置換した場合に比べ３５分程
度の短縮が可能となり、又排気管内径（従来例の具体的
数値を記入願います）ｍｍのみで置換する場合に対して
、維持する充填ガス流量は１２０ ｌ／ｍｉｎ少なくて
良い。
パージ方式で充填するとし、前記ロードロック室３の容
積が５００ ｌ、流量２００ ｌ／ｍｉｎ、排気管内径
２０ｍｍ、バイパス管内径１１ｍｍとした場合、置換時
間は約６０分であり、更に酸素濃度１ｐｐｍ以下を維持
する為の流量は約８０ ｌ／ｍｉｎである。而して、排
気管内径９．５ｍｍのみで置換した場合に比べ３５分程
度の短縮が可能となり、又排気管内径（従来例の具体的
数値を記入願います）ｍｍのみで置換する場合に対して
、維持する充填ガス流量は１２０ ｌ／ｍｉｎ少なくて
良い。
【００２１】尚、前記実施例では小径の排気管をバイパ
ス管として設けたが、大経の排気管と独立させロードロ
ック室に接続してもよい。又、排気管を複数本設け、そ
れぞれの径を異らせ選択してもよく、或は適宜組合せて
排気する様にしてもよい。
ス管として設けたが、大経の排気管と独立させロードロ
ック室に接続してもよい。又、排気管を複数本設け、そ
れぞれの径を異らせ選択してもよく、或は適宜組合せて
排気する様にしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、短時間
でロードロック室に充填する充填ガスの酸素濃度を所定
値以下に行い得ると共に排気系からの逆流を防止し得、
確実に充填を行うことができる。
でロードロック室に充填する充填ガスの酸素濃度を所定
値以下に行い得ると共に排気系からの逆流を防止し得、
確実に充填を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概念図である。
１ 反応室
３ ロードロック室
９ 排気管
１０ 第１電磁弁
１１ バイパス管
１２ 第２電磁弁
１６ 酸素濃度計
Claims (1)
- 【請求項１】 反応室下方にロードロック室が気密連
設された縦型拡散ＣＶＤ装置に於いて、ロードロック室
からの充填ガス排気を複数の排気管を経て行う様にする
と共にロードロック室内部の酸素濃度を検出する酸素濃
度計を設け、ロードロック室内部の酸素濃度に応じて充
填ガスを排気する排気管の選択を行う様構成することを
特徴とする縦型拡散ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6916591A JPH0795529B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 縦型拡散ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6916591A JPH0795529B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 縦型拡散ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280626A true JPH04280626A (ja) | 1992-10-06 |
| JPH0795529B2 JPH0795529B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=13394828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6916591A Expired - Fee Related JPH0795529B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 縦型拡散ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795529B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555550U (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-23 | 光洋リンドバーグ株式会社 | 半導体熱処理装置 |
| US6572924B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-06-03 | Asm America, Inc. | Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same |
| JP2007014909A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 排ガス処理装置 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP6916591A patent/JPH0795529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555550U (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-23 | 光洋リンドバーグ株式会社 | 半導体熱処理装置 |
| US6572924B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-06-03 | Asm America, Inc. | Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same |
| JP2007014909A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 排ガス処理装置 |
| JP4501799B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-14 | 住友電気工業株式会社 | 排ガス処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0795529B2 (ja) | 1995-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |