JP2006351582A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明の目的は、ONO構造の積層膜を形成する場合において、重複する操
作を極力省くと共に、重複する操作の時間を極力短縮することにより、スループットを向
上させることのできる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板1を反応炉20内に搬入する工程と、反応炉20内で基板1上に酸
化膜と窒化膜の積層膜を形成する工程と、積層膜形成後の基板1を反応炉20より搬出す
る工程とを有し、積層膜形成工程では、反応炉20内の圧力を大気圧よりも低い圧力とし
た状態で、反応炉20内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を
含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に供給するようにした。
【選択図】 図2
作を極力省くと共に、重複する操作の時間を極力短縮することにより、スループットを向
上させることのできる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板1を反応炉20内に搬入する工程と、反応炉20内で基板1上に酸
化膜と窒化膜の積層膜を形成する工程と、積層膜形成後の基板1を反応炉20より搬出す
る工程とを有し、積層膜形成工程では、反応炉20内の圧力を大気圧よりも低い圧力とし
た状態で、反応炉20内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を
含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に供給するようにした。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体ウェハ等の基板上に酸化膜と窒化膜の積層構造を有する絶縁膜を形成
するための半導体装置(デバイス)の製造方法及び基板処理装置に関する。
するための半導体装置(デバイス)の製造方法及び基板処理装置に関する。
不揮発性メモリのフローティングゲートの絶縁膜として用いられるSiO2膜/Si3
N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁膜(以下、単にONO構造の絶縁膜と称す。
)を形成する場合、従来、例えば、SiO2膜はSiH2Cl2ガスとN2Oガスとを用
いてCVD法により、また、Si3N4膜はSiH2Cl2ガスとNH3ガスとを用いて
CVD法により形成していた(特許文献1参照)。この場合、SiO2膜とSi3N4膜
は、それぞれ異なる反応炉にて形成するのが一般的だった。
特開2003−197784号
N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁膜(以下、単にONO構造の絶縁膜と称す。
)を形成する場合、従来、例えば、SiO2膜はSiH2Cl2ガスとN2Oガスとを用
いてCVD法により、また、Si3N4膜はSiH2Cl2ガスとNH3ガスとを用いて
CVD法により形成していた(特許文献1参照)。この場合、SiO2膜とSi3N4膜
は、それぞれ異なる反応炉にて形成するのが一般的だった。
しかしながら、上述のONO構造の絶縁膜形成方法では、それぞれの膜を形成する度に
、反応炉内に基板を搬入し、反応炉内を真空引きし、基板温度を処理温度まで上昇させ、
成膜後には反応炉内を不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、基板を反応炉より搬出して
冷却し、その後、基板を他の反応炉へ移送する必要がある。
、反応炉内に基板を搬入し、反応炉内を真空引きし、基板温度を処理温度まで上昇させ、
成膜後には反応炉内を不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、基板を反応炉より搬出して
冷却し、その後、基板を他の反応炉へ移送する必要がある。
すなわち、まず基板を第1反応炉内に搬入し、第1反応炉内を真空引きし、基板温度を
室温から処理温度まで上昇させて基板上にSiO2膜を形成する。その後、第1反応炉内
をN2等の不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、第1反応炉より成膜後の基板を搬出し
て冷却する。基板冷却後、表面にSiO2膜が形成された基板を第2反応炉に対して移送
する。移送後、表面にSiO2膜が形成された基板を第2反応炉内に搬入し、第2反応炉
内を真空引きし、基板温度を処理温度まで上昇させて基板上のSiO2膜上にSi3N4
膜を形成する。その後、第2反応炉内をN2等の不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、
第2反応炉より成膜後の基板を搬出して冷却する。基板冷却後、表面にSi3N4膜/S
iO2膜が形成された基板を第1反応炉に対して移送する。移送後、表面にSi3N4膜
/SiO2膜が形成された基板を第1反応炉内に搬入して、第1反応炉内を真空引きし、
基板温度を処理温度まで上昇させて基板上のSi3N4膜/SiO2膜上にSiO2膜を
形成する。その後、第1反応炉内をN2等の不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、第1
反応炉より成膜後の基板を搬出して冷却する。
室温から処理温度まで上昇させて基板上にSiO2膜を形成する。その後、第1反応炉内
をN2等の不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、第1反応炉より成膜後の基板を搬出し
て冷却する。基板冷却後、表面にSiO2膜が形成された基板を第2反応炉に対して移送
する。移送後、表面にSiO2膜が形成された基板を第2反応炉内に搬入し、第2反応炉
内を真空引きし、基板温度を処理温度まで上昇させて基板上のSiO2膜上にSi3N4
膜を形成する。その後、第2反応炉内をN2等の不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、
第2反応炉より成膜後の基板を搬出して冷却する。基板冷却後、表面にSi3N4膜/S
iO2膜が形成された基板を第1反応炉に対して移送する。移送後、表面にSi3N4膜
/SiO2膜が形成された基板を第1反応炉内に搬入して、第1反応炉内を真空引きし、
基板温度を処理温度まで上昇させて基板上のSi3N4膜/SiO2膜上にSiO2膜を
形成する。その後、第1反応炉内をN2等の不活性ガスで置換し、大気圧復帰させ、第1
反応炉より成膜後の基板を搬出して冷却する。
このように、上述のONO構造の絶縁膜形成方法では、反応炉内への基板搬入、反応炉
内の真空引き、処理温度までの基板温度の昇温、成膜後の反応炉内のN2ガス置換、大気
圧復帰、反応炉からの基板搬出、基板冷却、他の反応炉への基板移送等、各成膜において
重複する操作が多く、スループットを向上させることが難しかった。また、成膜の度に基
板を反応炉から取り出して他の反応炉へ移送するため、絶縁膜を形成する途中において、
基板が大気に晒され、基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大気中の有機汚染物質が
付着したりするという問題があった。
内の真空引き、処理温度までの基板温度の昇温、成膜後の反応炉内のN2ガス置換、大気
圧復帰、反応炉からの基板搬出、基板冷却、他の反応炉への基板移送等、各成膜において
重複する操作が多く、スループットを向上させることが難しかった。また、成膜の度に基
板を反応炉から取り出して他の反応炉へ移送するため、絶縁膜を形成する途中において、
基板が大気に晒され、基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大気中の有機汚染物質が
付着したりするという問題があった。
本発明の目的は、ONO構造の絶縁膜を形成する場合において、上述の重複する操作を
極力省くと共に、重複する操作の時間を極力短縮することにより、スループットを向上さ
せることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。また、
本発明の目的は、ONO構造の絶縁膜を形成する途中において、基板が大気に晒されて、
基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大気中の有機汚染物質が付着したりすることを
防止することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
極力省くと共に、重複する操作の時間を極力短縮することにより、スループットを向上さ
せることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。また、
本発明の目的は、ONO構造の絶縁膜を形成する途中において、基板が大気に晒されて、
基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大気中の有機汚染物質が付着したりすることを
防止することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
本発明の第1の特徴とするところは、基板を反応炉内に搬入する工程と、前記反応炉内
で基板上に酸化膜と窒化膜の積層構造を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜形成
後の基板を前記反応炉より搬出する工程とを有し、前記絶縁膜形成工程では、前記反応炉
内の圧力を大気圧よりも低い圧力とした状態で、前記反応炉内に水素原子および窒素原子
を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に
供給することを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
で基板上に酸化膜と窒化膜の積層構造を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜形成
後の基板を前記反応炉より搬出する工程とを有し、前記絶縁膜形成工程では、前記反応炉
内の圧力を大気圧よりも低い圧力とした状態で、前記反応炉内に水素原子および窒素原子
を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に
供給することを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
本発明の第2の特徴とするところは、第1の特徴において、前記絶縁膜形成工程では、
前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスと
、シラン系ガスと、酸素原子を含むガスとを間隔を空けて順次供給することを特徴とする
半導体装置の製造方法にある。
前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスと
、シラン系ガスと、酸素原子を含むガスとを間隔を空けて順次供給することを特徴とする
半導体装置の製造方法にある。
本発明の第3の特徴とするところは、第1の特徴において、前記絶縁膜形成工程では、
前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスの
供給と、シラン系ガスの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰り返すことを特徴とする半
導体装置の製造方法にある。
前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスの
供給と、シラン系ガスの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰り返すことを特徴とする半
導体装置の製造方法にある。
本発明の第4の特徴とするところは、第1の特徴において、前記絶縁膜形成工程は、反
応炉内温度または/および反応炉内圧力を一定に保持した状態で行うことを特徴とする半
導体装置の製造方法にある。
応炉内温度または/および反応炉内圧力を一定に保持した状態で行うことを特徴とする半
導体装置の製造方法にある。
本発明の第5の特徴とするところは、第1の特徴において、前記水素原子および窒素原
子を含むガスとはアンモニア(NH3)ガスであり、前記酸素原子を含むガスとは、酸素
(O2)ガス、亜酸化窒素(N2O)ガス、一酸化窒素(NO)ガスよりなる群から選択
される少なくとも一つのガスであり、前記シラン系ガスとは、モノシラン(SiH4)ガ
ス、ジクロロシラン(SiH2Cl2)ガス、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)ガ
ス、テトラクロロシラン(SiCl4)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つの
ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
子を含むガスとはアンモニア(NH3)ガスであり、前記酸素原子を含むガスとは、酸素
(O2)ガス、亜酸化窒素(N2O)ガス、一酸化窒素(NO)ガスよりなる群から選択
される少なくとも一つのガスであり、前記シラン系ガスとは、モノシラン(SiH4)ガ
ス、ジクロロシラン(SiH2Cl2)ガス、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)ガ
ス、テトラクロロシラン(SiCl4)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つの
ガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
本発明の第6の特徴とするところは、基板を処理する反応炉と、前記反応炉内に水素原
子および窒素原子を含むガスを供給する第1のガス供給ラインと、前記反応炉内に酸素原
子を含むガスを供給する第2のガス供給ラインと、前記反応炉内にシラン系ガスを供給す
る第3のガス供給ラインと、前記反応炉内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに接
続され前記反応炉内を真空引きする真空ポンプと、前記反応炉内の圧力を大気圧よりも低
い圧力とした状態で、前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、
酸素原子を含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に供給するように制御するコ
ントローラと、を有することを特徴とする基板処理装置にある。
子および窒素原子を含むガスを供給する第1のガス供給ラインと、前記反応炉内に酸素原
子を含むガスを供給する第2のガス供給ラインと、前記反応炉内にシラン系ガスを供給す
る第3のガス供給ラインと、前記反応炉内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに接
続され前記反応炉内を真空引きする真空ポンプと、前記反応炉内の圧力を大気圧よりも低
い圧力とした状態で、前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、
酸素原子を含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空けて交互に供給するように制御するコ
ントローラと、を有することを特徴とする基板処理装置にある。
本発明によれば、ONO構造の絶縁膜を形成する場合において、重複する操作を極力省
くことができると共に、重複する操作の時間を極力短縮することができ、スループットを
向上させることができる。また、ONO構造の絶縁膜を形成する途中において、基板が大
気に晒されて、基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大気中の有機汚染物質が付着し
たりすることを防止することができる。
くことができると共に、重複する操作の時間を極力短縮することができ、スループットを
向上させることができる。また、ONO構造の絶縁膜を形成する途中において、基板が大
気に晒されて、基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大気中の有機汚染物質が付着し
たりすることを防止することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1に、本実施形態における基板処理装置としてのバッチ式縦型半導体製造装置の概略
構成図を示す。
図1に、本実施形態における基板処理装置としてのバッチ式縦型半導体製造装置の概略
構成図を示す。
反応炉20は、反応管21を有し、この反応管21により形成される反応室(処理室)
4内に基板保持具としてのボート2が挿入される。ボート2は、複数枚の基板としての半
導体ウェハ(シリコンウェハ)1を略水平状態で隙間(基板ピッチ間隔)をもって複数段
に保持するように構成されている。反応管21の下方は、ボート2を挿入するために開放
され、この開放部分はシールキャップ22により密閉されるようにしてある。ボート2は
断熱キャップ25上に搭載され、断熱キャップ25は回転軸26を介して回転機構27に
取り付けられている。反応管21の周囲には加熱源としての抵抗加熱ヒータ5が配置され
ている。
4内に基板保持具としてのボート2が挿入される。ボート2は、複数枚の基板としての半
導体ウェハ(シリコンウェハ)1を略水平状態で隙間(基板ピッチ間隔)をもって複数段
に保持するように構成されている。反応管21の下方は、ボート2を挿入するために開放
され、この開放部分はシールキャップ22により密閉されるようにしてある。ボート2は
断熱キャップ25上に搭載され、断熱キャップ25は回転軸26を介して回転機構27に
取り付けられている。反応管21の周囲には加熱源としての抵抗加熱ヒータ5が配置され
ている。
反応管21には、水素原子(H)および窒素原子(N)を含むガスとしてのアンモニア
(NH3)ガスを基板1の上流側から基板1に対して供給する第1のガス供給ライン7と
、酸素原子(O)を含むガスとしての酸素(O2)ガスを基板1の上流側から基板1に対
して供給する第2のガス供給ライン8と、シラン系ガスとしてのジクロロシラン(SiH
2Cl2)ガスを基板1の上流側から基板1に対して供給する第3のガス供給ライン9と
が接続されている。なお、第3のガス供給ライン9には、不活性ガスとしての窒素(N2
)ガスを供給する第4のガス供給ライン10が接続されており、第4のガス供給ライン1
0から供給したN2ガスを第3のガス供給ライン9を介して基板1の上流側から基板1に
対して供給できるようになっている。第1のガス供給ライン7はアンモニア(NH3)ガ
ス供給源41に接続され、第2のガス供給ライン8は酸素(O2)ガス供給源42に接続
され、第3のガス供給ライン9はジクロロシラン(SiH2Cl2)ガス供給源43に接
続され、第4のガス供給ライン10は窒素(N2)ガス供給源44に接続されている。第
1のガス供給ライン7と、第2のガス供給ライン8と、第3のガス供給ライン9は、何れ
も反応管21の天井壁31を貫通して設けられている。これらガス供給ラインのガス噴出
口は下方を向いており、処理室4の一端側から下方に向けてNH3ガス、O2ガス、Si
H2Cl2ガス、およびN2ガスを噴出するようになっている。各ガス供給ライン7、8
、9、10には、各ガスの供給および供給停止を行うための電磁バルブ6a、6b、6c
、6dと、各ガスの流量の調整を行うためのマスフローコントローラ(流量制御装置)1
2a、12b、12c、12dが、それぞれ設けられている。
(NH3)ガスを基板1の上流側から基板1に対して供給する第1のガス供給ライン7と
、酸素原子(O)を含むガスとしての酸素(O2)ガスを基板1の上流側から基板1に対
して供給する第2のガス供給ライン8と、シラン系ガスとしてのジクロロシラン(SiH
2Cl2)ガスを基板1の上流側から基板1に対して供給する第3のガス供給ライン9と
が接続されている。なお、第3のガス供給ライン9には、不活性ガスとしての窒素(N2
)ガスを供給する第4のガス供給ライン10が接続されており、第4のガス供給ライン1
0から供給したN2ガスを第3のガス供給ライン9を介して基板1の上流側から基板1に
対して供給できるようになっている。第1のガス供給ライン7はアンモニア(NH3)ガ
ス供給源41に接続され、第2のガス供給ライン8は酸素(O2)ガス供給源42に接続
され、第3のガス供給ライン9はジクロロシラン(SiH2Cl2)ガス供給源43に接
続され、第4のガス供給ライン10は窒素(N2)ガス供給源44に接続されている。第
1のガス供給ライン7と、第2のガス供給ライン8と、第3のガス供給ライン9は、何れ
も反応管21の天井壁31を貫通して設けられている。これらガス供給ラインのガス噴出
口は下方を向いており、処理室4の一端側から下方に向けてNH3ガス、O2ガス、Si
H2Cl2ガス、およびN2ガスを噴出するようになっている。各ガス供給ライン7、8
、9、10には、各ガスの供給および供給停止を行うための電磁バルブ6a、6b、6c
、6dと、各ガスの流量の調整を行うためのマスフローコントローラ(流量制御装置)1
2a、12b、12c、12dが、それぞれ設けられている。
また、反応管21には反応管21内のガスを排気する排気ライン23が接続されており
、この排気ライン23には真空ポンプ3が接続されている。基板処理中、反応管21内は
真空ポンプ3により大気圧よりも低い所定の圧力(減圧)とされるが、この圧力制御はコ
ントローラ24により行う。なお、コントローラ24は、この他、回転機構27や、抵抗
加熱ヒータ5や、電磁バルブ6a、6b、6c、6dや、マスフローコントローラ12a
、12b、12c、12d等、基板処理装置を構成する各部の動作を制御する。
、この排気ライン23には真空ポンプ3が接続されている。基板処理中、反応管21内は
真空ポンプ3により大気圧よりも低い所定の圧力(減圧)とされるが、この圧力制御はコ
ントローラ24により行う。なお、コントローラ24は、この他、回転機構27や、抵抗
加熱ヒータ5や、電磁バルブ6a、6b、6c、6dや、マスフローコントローラ12a
、12b、12c、12d等、基板処理装置を構成する各部の動作を制御する。
次に、上述の基板処理装置を使用して、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程と
して、基板上に、酸化膜と窒化膜の積層構造を有する絶縁膜、例えばSiO2膜/Si3
N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁膜(ONO構造の絶縁膜)を形成する方法に
ついて図2を参照して説明する。図2は、上述の反応炉20内(以下、単に炉内ともいう
。)において、ONO構造の絶縁膜を形成する際の炉内温度変化、プロセスシーケンス、
NH3ガス、O2ガス、SiH2Cl2ガス供給のタイミング、炉内圧力変化を表すもの
である。図2において、横軸は時間の経過を表しており、縦軸は、炉内温度、各ガスの供
給状態、炉内圧力等を表している。なお、以下の説明において基板処理装置を構成する各
部の動作はコントローラ24により制御される。
して、基板上に、酸化膜と窒化膜の積層構造を有する絶縁膜、例えばSiO2膜/Si3
N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁膜(ONO構造の絶縁膜)を形成する方法に
ついて図2を参照して説明する。図2は、上述の反応炉20内(以下、単に炉内ともいう
。)において、ONO構造の絶縁膜を形成する際の炉内温度変化、プロセスシーケンス、
NH3ガス、O2ガス、SiH2Cl2ガス供給のタイミング、炉内圧力変化を表すもの
である。図2において、横軸は時間の経過を表しており、縦軸は、炉内温度、各ガスの供
給状態、炉内圧力等を表している。なお、以下の説明において基板処理装置を構成する各
部の動作はコントローラ24により制御される。
基板1をボート2に移載し、1バッチ分の基板1をボート2に装填すると(基板装填工
程)、抵抗加熱ヒータ5により加熱状態が維持された反応炉20の処理室4内に複数枚の
基板1を装填したボート2を装入し、シールキャップ22により反応管21内を密閉する
(基板搬入工程)。このとき、反応炉20内の温度は、基板処理(後述する酸化処理、窒
化膜形成処理)時の温度よりも低い所定の基板搬入温度、例えば300℃〜600℃程度
の温度となるように制御される。なお、基板1の表面上には事前にPoly−Si膜(ポ
リシリコン膜)が形成されている。
程)、抵抗加熱ヒータ5により加熱状態が維持された反応炉20の処理室4内に複数枚の
基板1を装填したボート2を装入し、シールキャップ22により反応管21内を密閉する
(基板搬入工程)。このとき、反応炉20内の温度は、基板処理(後述する酸化処理、窒
化膜形成処理)時の温度よりも低い所定の基板搬入温度、例えば300℃〜600℃程度
の温度となるように制御される。なお、基板1の表面上には事前にPoly−Si膜(ポ
リシリコン膜)が形成されている。
次に、反応炉20内の温度を基板搬入温度に維持した状態で、真空ポンプ3により反応
管21内を真空引きし、反応炉20内の圧力が大気圧よりも低く基板処理時の圧力よりも
高い所定の圧力、例えば100〜10000Pa程度の圧力となるように制御する(真空
引き工程)。このとき、回転機構27により回転軸26を介してボート2が所定の回転速
度で回転するようにする。
管21内を真空引きし、反応炉20内の圧力が大気圧よりも低く基板処理時の圧力よりも
高い所定の圧力、例えば100〜10000Pa程度の圧力となるように制御する(真空
引き工程)。このとき、回転機構27により回転軸26を介してボート2が所定の回転速
度で回転するようにする。
反応炉20内の圧力を所定の圧力にした後、反応炉20内の温度を基板搬入温度から所
定の酸化処理温度、例えば750〜900℃程度の温度まで昇温させる(炉内昇温工程)
。この炉内昇温工程から、反応炉20内へのNH3ガスの供給を開始する。すなわち、電
磁バルブ6aを開き、NH3ガス供給源41よりNH3ガスをマスフローコントローラ1
2aにより流量制御しつつ第1のガス供給ライン7を介して反応炉20内へ供給する。以
降、NH3ガスは、後述する第二酸化処理工程後の炉内降温工程が終了するまで(大気圧
復帰工程の直前まで)反応炉20内へ連続的に供給し続けることとなる。炉内昇温工程後
、炉内温度が酸化処理温度にて安定化するように制御する(温度安定工程)。
定の酸化処理温度、例えば750〜900℃程度の温度まで昇温させる(炉内昇温工程)
。この炉内昇温工程から、反応炉20内へのNH3ガスの供給を開始する。すなわち、電
磁バルブ6aを開き、NH3ガス供給源41よりNH3ガスをマスフローコントローラ1
2aにより流量制御しつつ第1のガス供給ライン7を介して反応炉20内へ供給する。以
降、NH3ガスは、後述する第二酸化処理工程後の炉内降温工程が終了するまで(大気圧
復帰工程の直前まで)反応炉20内へ連続的に供給し続けることとなる。炉内昇温工程後
、炉内温度が酸化処理温度にて安定化するように制御する(温度安定工程)。
炉内温度が酸化処理温度にて安定化した後、反応炉20内の圧力を所定の酸化処理圧力
、例えば10〜1000Pa程度の圧力とし、反応炉20内にNH3ガスの供給を維持し
た状態で、O2ガスを供給する。すなわち、電磁バルブ6bを開き、O2ガス供給源42
よりO2ガスをマスフローコントローラ12bにより流量制御しつつ第2のガス供給ライ
ン8を介して反応炉20内へ供給する。これにより、O2ガスとNH3ガスとが抵抗加熱
ヒータ5により加熱された減圧の雰囲気内で反応して反応種が生成され、この反応種によ
り基板1に対して熱酸化処理が施される。NH3ガスの供給とO2ガスの供給を所定時間
維持することにより、基板1に対する酸化処理が所定時間なされ、基板表面に所定膜厚の
酸化膜(SiO2膜)が形成される(第一酸化処理工程)。酸化処理温度としては750
〜900℃、酸化処理圧力としては10〜1000Pa、NH3ガス流量としては5〜2
000sccm、O2ガス流量としては10〜5000sccmが例示される。
、例えば10〜1000Pa程度の圧力とし、反応炉20内にNH3ガスの供給を維持し
た状態で、O2ガスを供給する。すなわち、電磁バルブ6bを開き、O2ガス供給源42
よりO2ガスをマスフローコントローラ12bにより流量制御しつつ第2のガス供給ライ
ン8を介して反応炉20内へ供給する。これにより、O2ガスとNH3ガスとが抵抗加熱
ヒータ5により加熱された減圧の雰囲気内で反応して反応種が生成され、この反応種によ
り基板1に対して熱酸化処理が施される。NH3ガスの供給とO2ガスの供給を所定時間
維持することにより、基板1に対する酸化処理が所定時間なされ、基板表面に所定膜厚の
酸化膜(SiO2膜)が形成される(第一酸化処理工程)。酸化処理温度としては750
〜900℃、酸化処理圧力としては10〜1000Pa、NH3ガス流量としては5〜2
000sccm、O2ガス流量としては10〜5000sccmが例示される。
O2ガスの供給を停止することにより基板1に対する酸化処理が終了する。基板1に対
する酸化処理終了後、炉内温度を酸化処理温度から所定の窒化膜形成温度、例えば700
〜800℃程度の温度まで降温させる(炉内降温工程)。同時に炉内圧力を所定の窒化膜
形成圧力、例えば10〜100Pa程度の圧力とする。このときも炉内へのNH3ガスの
供給は継続されており、O2ガスの供給停止と同時にNH3ガスにより反応炉20内のパ
ージがなされ、炉内はNH3ガスで置換されることとなる。炉内降温工程後、炉内温度が
窒化膜形成温度にて安定化するように制御する(温度安定工程)。
する酸化処理終了後、炉内温度を酸化処理温度から所定の窒化膜形成温度、例えば700
〜800℃程度の温度まで降温させる(炉内降温工程)。同時に炉内圧力を所定の窒化膜
形成圧力、例えば10〜100Pa程度の圧力とする。このときも炉内へのNH3ガスの
供給は継続されており、O2ガスの供給停止と同時にNH3ガスにより反応炉20内のパ
ージがなされ、炉内はNH3ガスで置換されることとなる。炉内降温工程後、炉内温度が
窒化膜形成温度にて安定化するように制御する(温度安定工程)。
炉内温度が窒化膜形成温度にて安定化した後、反応炉20内にNH3ガスの供給を維持
した状態で、SiH2Cl2ガスを供給する。すなわち、電磁バルブ6cを開き、SiH
2Cl2ガス供給源43よりSiH2Cl2ガスをマスフローコントローラ12cにより
流量制御しつつ第3のガス供給ライン9を介して反応炉20内へ供給する。これにより、
SiH2Cl2ガスとNH3ガスとが抵抗加熱ヒータ5により加熱された減圧の雰囲気内
で分解し、基板表面に形成されたSiO2膜上に、熱CVD反応により窒化膜(Si3N
4膜)が形成される。SiH2Cl2ガスの供給とNH3ガスの供給を所定時間維持する
ことにより、基板表面に形成されたSiO2膜上にCVDにより所定膜厚のSi3N4膜
が形成される(窒化膜形成工程)。窒化膜形成温度としては700〜800℃、窒化膜形
成圧力としては10〜100Pa、NH3ガス流量としては5〜2000sccm、Si
H2Cl2ガス流量としては5〜500sccmが例示される。
した状態で、SiH2Cl2ガスを供給する。すなわち、電磁バルブ6cを開き、SiH
2Cl2ガス供給源43よりSiH2Cl2ガスをマスフローコントローラ12cにより
流量制御しつつ第3のガス供給ライン9を介して反応炉20内へ供給する。これにより、
SiH2Cl2ガスとNH3ガスとが抵抗加熱ヒータ5により加熱された減圧の雰囲気内
で分解し、基板表面に形成されたSiO2膜上に、熱CVD反応により窒化膜(Si3N
4膜)が形成される。SiH2Cl2ガスの供給とNH3ガスの供給を所定時間維持する
ことにより、基板表面に形成されたSiO2膜上にCVDにより所定膜厚のSi3N4膜
が形成される(窒化膜形成工程)。窒化膜形成温度としては700〜800℃、窒化膜形
成圧力としては10〜100Pa、NH3ガス流量としては5〜2000sccm、Si
H2Cl2ガス流量としては5〜500sccmが例示される。
SiH2Cl2ガスの供給を停止することにより基板1に対する窒化膜形成処理が終了
する。基板1に対する窒化膜形成処理終了後、炉内温度を窒化膜形成温度から所定の酸化
処理温度、例えば750〜900℃程度の温度まで昇温させる(炉内昇温工程)。同時に
炉内圧力を所定の酸化処理圧力、例えば10〜1000Pa程度の圧力とする。このとき
も炉内へのNH3ガスの供給は継続されており、SiH2Cl2ガスの供給停止と同時に
NH3ガスにより反応炉20内のパージがなされ、炉内はNH3ガスで置換されることと
なる。炉内昇温工程後、炉内温度が酸化処理温度にて安定化するように制御する(温度安
定工程)。
する。基板1に対する窒化膜形成処理終了後、炉内温度を窒化膜形成温度から所定の酸化
処理温度、例えば750〜900℃程度の温度まで昇温させる(炉内昇温工程)。同時に
炉内圧力を所定の酸化処理圧力、例えば10〜1000Pa程度の圧力とする。このとき
も炉内へのNH3ガスの供給は継続されており、SiH2Cl2ガスの供給停止と同時に
NH3ガスにより反応炉20内のパージがなされ、炉内はNH3ガスで置換されることと
なる。炉内昇温工程後、炉内温度が酸化処理温度にて安定化するように制御する(温度安
定工程)。
炉内温度が酸化処理温度にて安定化した後、反応炉20内にNH3ガスの供給を維持し
た状態で、O2ガスを供給する。これにより、O2ガスとNH3ガスとが抵抗加熱ヒータ
5により加熱された減圧の雰囲気内で反応して反応種が生成され、この反応種により、基
板1に対して熱酸化処理が施される。NH3ガスの供給とO2ガスの供給を所定時間維持
することにより、基板1に対する酸化処理が所定時間なされ、基板表面に形成されたSi
3N4膜/SiO2膜表面に所定膜厚の酸化膜(SiO2膜)が形成される(第二酸化処
理工程)。酸化処理温度としては750〜900℃、酸化処理圧力としては10〜100
0Pa、NH3ガス流量としては5〜2000sccm、O2ガス流量としては10〜5
000sccmが例示される。
た状態で、O2ガスを供給する。これにより、O2ガスとNH3ガスとが抵抗加熱ヒータ
5により加熱された減圧の雰囲気内で反応して反応種が生成され、この反応種により、基
板1に対して熱酸化処理が施される。NH3ガスの供給とO2ガスの供給を所定時間維持
することにより、基板1に対する酸化処理が所定時間なされ、基板表面に形成されたSi
3N4膜/SiO2膜表面に所定膜厚の酸化膜(SiO2膜)が形成される(第二酸化処
理工程)。酸化処理温度としては750〜900℃、酸化処理圧力としては10〜100
0Pa、NH3ガス流量としては5〜2000sccm、O2ガス流量としては10〜5
000sccmが例示される。
O2ガスの供給を停止することにより基板1に対する酸化処理が終了する。基板1に対
する酸化処理終了後、炉内温度を酸化処理温度から所定の基板搬出温度、例えば300〜
600℃程度の温度まで降温させる(炉内降温工程)。同時に炉内圧力を所定の圧力、例
えば100〜10000Pa程度の圧力とする。このときも炉内へのNH3ガスの供給は
継続されており、O2ガスの供給停止と同時にNH3ガスにより反応炉20内のパージが
なされ、炉内はNH3ガスで置換されることとなる。
する酸化処理終了後、炉内温度を酸化処理温度から所定の基板搬出温度、例えば300〜
600℃程度の温度まで降温させる(炉内降温工程)。同時に炉内圧力を所定の圧力、例
えば100〜10000Pa程度の圧力とする。このときも炉内へのNH3ガスの供給は
継続されており、O2ガスの供給停止と同時にNH3ガスにより反応炉20内のパージが
なされ、炉内はNH3ガスで置換されることとなる。
炉内降温工程後、炉内へのNH3ガスの供給を停止し、炉内にN2ガスを導入する。す
なわち、電磁バルブ6dを開き、N2ガス供給源44よりN2ガスをマスフローコントロ
ーラ12dにより流量制御しつつ第4のガス供給ライン10、第3のガス供給ライン9を
介して反応炉20内へ供給する。このN2ガスにより反応炉20内のパージがなされ、炉
内はN2ガスで置換されることとなる。その後、炉内へのN2の導入を維持しつつ炉内圧
力を上昇させて大気圧に復帰させる(大気圧復帰工程)。
なわち、電磁バルブ6dを開き、N2ガス供給源44よりN2ガスをマスフローコントロ
ーラ12dにより流量制御しつつ第4のガス供給ライン10、第3のガス供給ライン9を
介して反応炉20内へ供給する。このN2ガスにより反応炉20内のパージがなされ、炉
内はN2ガスで置換されることとなる。その後、炉内へのN2の導入を維持しつつ炉内圧
力を上昇させて大気圧に復帰させる(大気圧復帰工程)。
大気圧復帰工程後、処理後の基板1、すなわちONO構造の絶縁膜が形成された基板1
を支持したボート2を反応炉20より搬出し(基板搬出工程)、ボート2に支持された全
ての基板1が冷えるまで、ボート2を所定位置で待機させる(基板冷却工程)。待機させ
たボート2に保持された全ての基板1が所定温度まで冷却されると、基板移載機等により
基板1を回収する(基板取出し工程)。
を支持したボート2を反応炉20より搬出し(基板搬出工程)、ボート2に支持された全
ての基板1が冷えるまで、ボート2を所定位置で待機させる(基板冷却工程)。待機させ
たボート2に保持された全ての基板1が所定温度まで冷却されると、基板移載機等により
基板1を回収する(基板取出し工程)。
本実施形態によれば、従来必要であった重複する操作を極力省くと共に、重複する操作
の時間を極力短縮することができる。具体的には、従来必要であった第一酸化処理後およ
び窒化膜形成後の炉内のN2ガス置換、大気圧復帰、反応炉からの基板搬出、基板冷却、
他の反応炉への基板移送や、窒化膜形成および第二酸化処理のための炉内への基板搬入、
反応炉内の真空引き等の操作を省くことができる。また、第一酸化処理後に基板温度を窒
化膜形成温度に変更する時間、窒化膜形成後に基板温度を第二酸化処理温度に変更する時
間等を短縮できる。これらにより、スループットを向上させることができる。
の時間を極力短縮することができる。具体的には、従来必要であった第一酸化処理後およ
び窒化膜形成後の炉内のN2ガス置換、大気圧復帰、反応炉からの基板搬出、基板冷却、
他の反応炉への基板移送や、窒化膜形成および第二酸化処理のための炉内への基板搬入、
反応炉内の真空引き等の操作を省くことができる。また、第一酸化処理後に基板温度を窒
化膜形成温度に変更する時間、窒化膜形成後に基板温度を第二酸化処理温度に変更する時
間等を短縮できる。これらにより、スループットを向上させることができる。
また、本実施形態によれば、基板処理(酸化処理、窒化膜形成処理)の度に基板を反応炉
から搬出して他の反応炉へ移送するようなことはしないため、ONO構造の絶縁膜を形成
する途中において、基板が大気に晒されて、基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大
気中の有機汚染物質が付着したりすることを防止することができる。
から搬出して他の反応炉へ移送するようなことはしないため、ONO構造の絶縁膜を形成
する途中において、基板が大気に晒されて、基板表面上に自然酸化膜が形成されたり、大
気中の有機汚染物質が付着したりすることを防止することができる。
また、本実施形態にて使用する水素原子(H)および窒素原子(N)を含むガスである
NH3ガスは、上述のCVDによる窒化膜の形成処理、およびその前後に行う減圧雰囲気
下での熱酸化処理の両方に用いることができる。しかもNH3ガスはそれ単独ではCVD
反応、酸化反応に寄与しないのでパージガスとしても用いることができる。さらに本実施
形態においてはNH3ガスを少なくとも基板処理中、すなわちONO構造の積層膜の形成
中は常に反応炉20内に供給し続けるようにしたので、酸化処理時に用いるO2ガスの供
給、もしくは、CVD窒化膜形成時に用いるSiH2Cl2ガスの供給を停止すると自動
的に炉内のNH3パージがなされることとなる。よって、炉内をパージする際に、別途パ
ージ用のガス、たとえばN2等の不活性ガスに切り替えてパージを行う必要がなく、基板
処理後、スムーズかつ速やかにパージが行われることとなる。また、各処理後は炉内をN
H3ガスで置換しており、各処理毎にN2等の不活性ガスによる炉内のガス置換を行う必
要がない。N2等の不活性ガスによる炉内のガス置換は最後の処理(第二酸化処理)終了
後に一度行うだけでよい。このように、本実施形態によれば、一つの反応炉20内でON
O構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶
縁膜を、基板上に連続的に、しかも効率的に形成することができる。
NH3ガスは、上述のCVDによる窒化膜の形成処理、およびその前後に行う減圧雰囲気
下での熱酸化処理の両方に用いることができる。しかもNH3ガスはそれ単独ではCVD
反応、酸化反応に寄与しないのでパージガスとしても用いることができる。さらに本実施
形態においてはNH3ガスを少なくとも基板処理中、すなわちONO構造の積層膜の形成
中は常に反応炉20内に供給し続けるようにしたので、酸化処理時に用いるO2ガスの供
給、もしくは、CVD窒化膜形成時に用いるSiH2Cl2ガスの供給を停止すると自動
的に炉内のNH3パージがなされることとなる。よって、炉内をパージする際に、別途パ
ージ用のガス、たとえばN2等の不活性ガスに切り替えてパージを行う必要がなく、基板
処理後、スムーズかつ速やかにパージが行われることとなる。また、各処理後は炉内をN
H3ガスで置換しており、各処理毎にN2等の不活性ガスによる炉内のガス置換を行う必
要がない。N2等の不活性ガスによる炉内のガス置換は最後の処理(第二酸化処理)終了
後に一度行うだけでよい。このように、本実施形態によれば、一つの反応炉20内でON
O構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶
縁膜を、基板上に連続的に、しかも効率的に形成することができる。
なお、上記実施形態では、酸素原子(O)を含むガスとしてO2ガスを用いる場合につ
いて説明したが、酸素原子を含むガスとしては、酸素(O2)ガス、亜酸化窒素(N2O
)ガス、一酸化窒素(NO)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用い
ることができる。また、上記実施形態では、シラン系ガスとしてSiH2Cl2ガスを用
いる場合について説明したが、シラン系ガスとしては、モノシラン(SiH4)ガス、ジ
クロロシラン(SiH2Cl2)ガス、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)ガス、テ
トラクロロシラン(SiCl4)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを
用いることができる。
いて説明したが、酸素原子を含むガスとしては、酸素(O2)ガス、亜酸化窒素(N2O
)ガス、一酸化窒素(NO)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用い
ることができる。また、上記実施形態では、シラン系ガスとしてSiH2Cl2ガスを用
いる場合について説明したが、シラン系ガスとしては、モノシラン(SiH4)ガス、ジ
クロロシラン(SiH2Cl2)ガス、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)ガス、テ
トラクロロシラン(SiCl4)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを
用いることができる。
ところで、減圧雰囲気下で熱酸化処理が可能な条件範囲と、熱CVDにより窒化膜の形
成が可能な成膜条件範囲は、それぞれ重複する条件範囲があることから、酸化処理と、窒
化膜形成を、同一の処理温度または/および同一の処理圧力で行うことも可能である。図
3は、酸化処理温度と窒化膜形成温度とを同一温度とし、さらに酸化処理圧力と窒化膜形
成圧力とを同一圧力とした例である。この場合、処理温度としては750〜800℃程度
、酸化処理圧力としては10〜100Pa、NH3ガス流量としては5〜2000scc
m、O2ガス流量としては10〜5000sccm、SiH2Cl2ガス流量としては5
〜500sccmが例示される。このように酸化処理と窒化膜形成処理の処理温度または
/および処理圧力を同一とすることにより、第一酸化処理と窒化膜形成との間、および窒
化膜形成と第二酸化処理との間の炉内温度または/および炉内圧力を変更し、安定化させ
る工程が不要となり、より一層プロセスシーケンスの効率化を図ることができ、より一層
スループットを向上させることができる。
成が可能な成膜条件範囲は、それぞれ重複する条件範囲があることから、酸化処理と、窒
化膜形成を、同一の処理温度または/および同一の処理圧力で行うことも可能である。図
3は、酸化処理温度と窒化膜形成温度とを同一温度とし、さらに酸化処理圧力と窒化膜形
成圧力とを同一圧力とした例である。この場合、処理温度としては750〜800℃程度
、酸化処理圧力としては10〜100Pa、NH3ガス流量としては5〜2000scc
m、O2ガス流量としては10〜5000sccm、SiH2Cl2ガス流量としては5
〜500sccmが例示される。このように酸化処理と窒化膜形成処理の処理温度または
/および処理圧力を同一とすることにより、第一酸化処理と窒化膜形成との間、および窒
化膜形成と第二酸化処理との間の炉内温度または/および炉内圧力を変更し、安定化させ
る工程が不要となり、より一層プロセスシーケンスの効率化を図ることができ、より一層
スループットを向上させることができる。
なお、上記実施形態では、減圧雰囲気下でNH3ガスを供給しつつ、O2ガスと、Si
H2Cl2ガスと、O2ガスとを間隔を空けて順次供給することにより、基板上にONO
構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁
膜を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。
H2Cl2ガスと、O2ガスとを間隔を空けて順次供給することにより、基板上にONO
構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁
膜を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。
例えば、ON構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜の積層構造を有する絶
縁膜を基板上に形成するようにしてもよい。この場合は上記実施形態における第ニ酸化処
理工程を省略し、減圧雰囲気下でNH3ガスを供給しつつ、O2ガスと、SiH2Cl2
ガスとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
縁膜を基板上に形成するようにしてもよい。この場合は上記実施形態における第ニ酸化処
理工程を省略し、減圧雰囲気下でNH3ガスを供給しつつ、O2ガスと、SiH2Cl2
ガスとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
また例えば、NO構造の絶縁膜、すなわちSi3N4膜/SiO2膜の積層構造を有す
る絶縁膜を基板上に形成するようにしてもよい。この場合は上記実施形態における第一酸
化処理工程を省略し、減圧雰囲気下でNH3ガスを供給しつつ、SiH2Cl2ガスと、
O2ガスとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
る絶縁膜を基板上に形成するようにしてもよい。この場合は上記実施形態における第一酸
化処理工程を省略し、減圧雰囲気下でNH3ガスを供給しつつ、SiH2Cl2ガスと、
O2ガスとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
また例えば、ONON構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜/SiO2膜
/Si3N4膜の積層構造を有する絶縁膜を基板上に形成するようにしてもよい。この場
合は、減圧雰囲気下で、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスの供給と、SiH2Cl2ガ
スの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰り返すようにすればよい。具体的には、NH3
ガスを供給しつつ、O2ガスと、SiH2Cl2ガスと、O2ガスと、SiH2Cl2ガ
スとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
/Si3N4膜の積層構造を有する絶縁膜を基板上に形成するようにしてもよい。この場
合は、減圧雰囲気下で、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスの供給と、SiH2Cl2ガ
スの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰り返すようにすればよい。具体的には、NH3
ガスを供給しつつ、O2ガスと、SiH2Cl2ガスと、O2ガスと、SiH2Cl2ガ
スとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
また例えば、ONONO構造の絶縁膜、すなわちSiO2膜/Si3N4膜/SiO2
膜/Si3N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁膜を基板上に形成するようにして
もよい。この場合も、減圧雰囲気下で、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスの供給と、S
iH2Cl2ガスの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰り返すようにすればよい。具体
的には、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスと、SiH2Cl2ガスと、O2ガスと、S
iH2Cl2ガスと、O2ガスとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
膜/Si3N4膜/SiO2膜の積層構造を有する絶縁膜を基板上に形成するようにして
もよい。この場合も、減圧雰囲気下で、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスの供給と、S
iH2Cl2ガスの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰り返すようにすればよい。具体
的には、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスと、SiH2Cl2ガスと、O2ガスと、S
iH2Cl2ガスと、O2ガスとを間隔を空けて順次供給するようにすればよい。
いずれの場合も、減圧雰囲気下で、NH3ガスを供給しつつ、O2ガスの供給と、Si
H2Cl2ガスの供給とを間隔を空けて交互に必要な回数だけ行うようにすればよい。
H2Cl2ガスの供給とを間隔を空けて交互に必要な回数だけ行うようにすればよい。
1 ウェハ
2 ボート
3 真空ポンプ
4 反応室
5 抵抗加熱ヒータ
6a 電磁バルブ
6b 電磁バルブ
6c 電磁バルブ
6d 電磁バルブ
7 NH3供給ライン
8 O2供給ライン
9 SiH2Cl2供給ライン
10 N2供給ライン
12a マスフローコントローラ
12b マスフローコントローラ
12c マスフローコントローラ
12d マスフローコントローラ
20 反応炉
21 反応管
23 排気ライン
24 コントローラ
2 ボート
3 真空ポンプ
4 反応室
5 抵抗加熱ヒータ
6a 電磁バルブ
6b 電磁バルブ
6c 電磁バルブ
6d 電磁バルブ
7 NH3供給ライン
8 O2供給ライン
9 SiH2Cl2供給ライン
10 N2供給ライン
12a マスフローコントローラ
12b マスフローコントローラ
12c マスフローコントローラ
12d マスフローコントローラ
20 反応炉
21 反応管
23 排気ライン
24 コントローラ
Claims (6)
- 基板を反応炉内に搬入する工程と、
前記反応炉内で基板上に酸化膜と窒化膜の積層構造を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜形成後の基板を前記反応炉より搬出する工程とを有し、
前記絶縁膜形成工程では、前記反応炉内の圧力を大気圧よりも低い圧力とした状態で、前
記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスと、
シラン系ガスとを間隔を空けて交互に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程では、前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつ
つ、酸素原子を含むガスと、シラン系ガスと、酸素原子を含むガスとを間隔を空けて順次
供給することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程では、前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給しつ
つ、酸素原子を含むガスの供給と、シラン系ガスの供給とを間隔を空けて交互に複数回繰
り返すことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程は、反応炉内温度または/および反応炉内圧力を一定に保持した状態
で行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水素原子および窒素原子を含むガスとはアンモニア(NH3)ガスであり、前記酸素
原子を含むガスとは、酸素(O2)ガス、亜酸化窒素(N2O)ガス、一酸化窒素(NO
)ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスであり、前記シラン系ガスとは、
モノシラン(SiH4)ガス、ジクロロシラン(SiH2Cl2)ガス、ヘキサクロロジ
シラン(Si2Cl6)ガス、テトラクロロシラン(SiCl4)ガスよりなる群から選
択される少なくとも一つのガスであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造
方法。
- 基板を処理する反応炉と、
前記反応炉内に水素原子および窒素原子を含むガスを供給する第1のガス供給ラインと、
前記反応炉内に酸素原子を含むガスを供給する第2のガス供給ラインと、
前記反応炉内にシラン系ガスを供給する第3のガス供給ラインと、
前記反応炉内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに接続され前記反応炉内を真空引きする真空ポンプと、
前記反応炉内の圧力を大気圧よりも低い圧力とした状態で、前記反応炉内に水素原子およ
び窒素原子を含むガスを供給しつつ、酸素原子を含むガスと、シラン系ガスとを間隔を空
けて交互に供給するように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005172084A JP2006351582A (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
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---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006351582A true JP2006351582A (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=37647163
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---|---|---|---|
JP2005172084A Pending JP2006351582A (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
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---|---|
JP (1) | JP2006351582A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010087265A1 (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | 株式会社 東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US7986012B2 (en) | 2007-12-25 | 2011-07-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and process for manufacturing same |
JP2013225657A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-10-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
CN109881177A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 住友电气工业株式会社 | 形成氮化硅(SiN)膜和具有SiN膜的半导体器件的方法 |
-
2005
- 2005-06-13 JP JP2005172084A patent/JP2006351582A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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