JPH10312968A - 排気切換方法及び排気切換装置 - Google Patents

排気切換方法及び排気切換装置

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JPH10312968A
JPH10312968A JP12183997A JP12183997A JPH10312968A JP H10312968 A JPH10312968 A JP H10312968A JP 12183997 A JP12183997 A JP 12183997A JP 12183997 A JP12183997 A JP 12183997A JP H10312968 A JPH10312968 A JP H10312968A
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JP
Japan
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gas
exhaust
switching
controller
purge
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JP12183997A
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Keita Suzuki
啓太 鈴木
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 排気されるガスをガス種に応じて特定の排気
経路へ切り換える場合の排気切換のタイミングを適切に
行う。 【解決手段】 第1の排気経路7の入口側に成膜ガスに
対応した第1のガス検出センサ16を設けると共に、第
2の排気経路9の入口側にクリーニングガスに対応した
第2のガス検出センサ17を設け、各センサ16、17
から検出信号をコントローラ15に出力して、コントロ
ーラ15によって第1のパージガス供給用バルブ13あ
るいは第2のパージガス供給用バルブ14の作動を制御
して、第1の排気切換弁8あるいは第2の排気経路10
の作動を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、排気切換方法、特
にポンプから排気されるガスをこれに含まれるガス種に
対応した特定の排気経路へ切り換えて排気する排気切換
方法と、その実施に用いる排気切換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIで代表される半導体装置を製造す
るには、単結晶半導体材料を加工して得られた半導体ウ
エハを出発材料として用いて、各種のプロセス工程に順
次に流して所望のプロセス処理を施すことが行われる。
このようなプロセス処理を施すためのプロセス装置の代
表的なものとして、半導体ウエハの表面に絶縁膜や導電
膜からなる各種薄膜を形成するCVD装置、あるいはそ
れら薄膜や半導体ウエハを選択的に除去するドライエッ
チング装置等が知られている。
【0003】このようなCVD装置やドライエッチング
装置等においては、半導体ウエハをプロセス処理する原
料としていずれもガスを使用する関係上、チャンバと称
される真空装置を用いて、このチャンバ内に半導体ウエ
ハをセットした状態で処理用ガスを導入することが行わ
れる。このような目的で使用される処理用ガスの例とし
ては、例えばSiH4 、WF6 、NF3 、SF6 +O2
等が挙げられる。これらはいずれも取扱上危険なガスで
ある。
【0004】近年、環境ISO(ISO14001等)
や高圧ガス取締法の改定により、使用済のガスの処理方
法、つまり除害方法の重要性が問われている。このた
め、半導体装置の製造において、例えば、SiH4 を成
膜ガス(デポガス)、SF6 +O2 をクリーニングガス
として使用する場合に例を採ると、チャンバで使用済み
のそれらのガスは真空ポンプに排気された後、真空ポン
プによって各々専用に設けられた成膜ガス用除害装置、
あるいはクリーニングガス用除害装置へ排気されること
が行われている。これによって、使用済みのガスに含ま
れるガス種であるSiH4 あるいはSF6 +O2 は、各
々成膜ガス用除去装置あるいはクリーニングガス用除去
装置によって除害されるので、環境に対処することがで
きる。この場合、真空ポンプから排気されるガスは、排
気切換制御が行われてガス種に応じていずれかの除去装
置へ振り分けられる。
【0005】図3はこのような目的で用いられる排気切
換装置の従来の構成を示すものである。1は成膜時に成
膜ガス(例えばSiH4 )を流す第1のマスフローコン
トローラ(MFC1)、2はクリーニング時にクリーニ
ングガス(例えばSF6 +O2 )を流す第2のマスフロ
ーコントローラ(MFC2)、3はMFC1(1)ある
いはMFC2(2)からガスを流入して成膜処理あるい
はクリーニング処理を行うチャンバ(真空装置)、4は
チャンバ3から流出されるガスの開閉を行うバルブ、5
はチャンバ3の作動時にこのチャンバ3内の真空度を一
定に制御するオートプレッシャーコントローラ(AP
C)、6はチャンバ3から使用済みのガスをバルブ4及
びAPC5を通じて排気するドライポンプ(真空ポン
プ)で、このドライポンプ6はそれらのガスをこれに含
まれるガス種に対応した設けられた複数の排気経路のう
ち、特定の排気経路に排気するように働く。
【0006】7は例えば成膜ガスに対応して設けられた
第1の排気経路で、この第1の排気経路7の入口側には
第1の排気切換弁8が設けられている。この第1の排気
切換弁8は通常で開放している(ノーマリオン)タイプ
が用いられている。9は例えばクリーニングガスに対応
して設けられた第2の排気経路で、この第2の排気経路
9の入口側には第2の排気切換弁10が設けられてい
る。この第2の排気切換弁10は通常で閉じている(ノ
ーマリオフ)タイプが用いられている。また、第1の排
気経路7の出口側には第1の除害装置11が設けられ、
第2の排気経路9の出口側には第2の除害装置12が設
けられている。
【0007】13は第1の排気経路7の入口側に設けら
れた第1のパージガス供給用バルブで、この第1のパー
ジガス供給用バルブ13は、図示しないパージガス供給
源とともに第1のパージガス供給手段を構成している。
14は第2の排気経路9の入口側に設けられた第2のパ
ージガス供給用バルブで、この第2のパージガス供給用
バルブ14は、図示しないパージガス供給源と共に第2
のパージガス供給手段を構成している。15はコントロ
ーラで、このコントローラ15は、MFC1(1)ある
いはMFC2(2)から作動信号を入力して、第1及び
第2の排気切換弁8、10の作動を連動して制御すると
共に、第1及び第2のパージガス供給用バルブ13、1
4の作動を制御する。
【0008】以上のような構成において、まず、成膜時
には、ドライポンプ6が稼働している状態で、成膜ガス
(例えばSiH4 )がMFC1(1)を通じてチャンバ
3内に流入して所望の成膜処理が行われる。このとき、
コントローラ15にはMFC1(1)から作動信号が入
力されることにより、コントローラ15は第1のパージ
ガス供給用バルブ13を開放するように制御する。ま
た、第1の排気切換弁8は開放(ノーマリオン)してい
るとともに、第2の排気切換弁10は閉(ノーマリオ
フ)じている。
【0009】次に、使用済みの成膜ガスはバルブ4及び
APC5を通じてドライポンプ6に排気され、ドライポ
ンプ6は開放している第1の排気切換弁8を通じて成膜
ガスを第1の排気通路7に排気する。この成膜ガスは同
時に、開放している第1のパージガス供給用バルブ13
を通じて供給されたパージガスによって希釈されて、第
1の除害装置11に排気される。これによって、第1の
排気切換弁8から第1の除害装置11に至る第1の排気
経路7内の成膜ガスに含まれるガス種は、第1の除害装
置11によって除去されて外部にブロワー排気される。
成膜ガスの流れが終了すると、コントローラ15はMF
C1(1)からの作動信号に基づいて、第1のパージガ
ス供給用バルブ13を閉じるように制御する。
【0010】続いて、クリーニング時には、ドライポン
プ6が稼働している状態で、クリーニングガス(例えば
SF6 +O2 )がMFCを通じてチャンバ3内に流入し
て所望のクリーニング処理が行われる。このとき、コン
トローラ15にはMFCから作動信号が入力されること
により、コントローラ15は第2のパージガス供給用バ
ルブ14を開放するように制御し、また、第2の排気切
換弁10を開放するとともに、これに連動して第1の排
気切換弁8を閉じるように制御する。
【0011】次に、使用済みのクリーニングガスはバル
ブ4及びAPC5を通じてドライポンプ6に排気され、
ドライポンプ6は開放している第2の排気切換弁10を
通じてクリーニングガスを第2の排気通路9に排気す
る。このクリーニングガスは同時に、開放している第2
のパージガス供給用バルブ14を通じて供給されたパー
ジガスによって希釈されて、第2の除害装置12に排気
される。これによって、第2の排気切換弁10から第2
の除害装置12に至る第2の排気経路9内のクリーニン
グガスに含まれるガス種は、第2の除害装置12によっ
て除去されて外部にブロワー排気される。クリーニング
ガスの流れが終了すると、コントローラ15はMFCか
らの作動信号に基づいて、第2のパージガス供給用バル
ブ14を閉じるように制御し、同時に第2の排気切換弁
10を閉じるとともに、これに連動して第1の排気切換
弁8を開放するように制御する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の排気
切換装置では、排気されるガスをガス種に応じて特定の
排気経路へ切り換える場合、排気切換のタイミングが適
切にできないという問題があった。
【0013】このため、例えばクリーニングガスの流れ
が終了した後に、成膜ガスを流したとすると、排気経路
内に両ガスが混在する状態が避けられなくなり、特にチ
ャンバ3からドライポンプ6に至る排気経路内において
混在し易くなる。具体例としてCVD装置によって薄膜
を形成する場合に、成膜ガスとしてSiH4 を用いると
共にクリーニングガスとしてSF6 +O2 を用いるとす
ると(この組合せ例が最も多いパターンである)、この
ような組合せで前記排気経路において両ガスが混在する
と、SiH4 とO2 による危険な可燃反応が発生するお
それがあるというケースを挙げることができる。
【0014】そのようなガスの混在を防止するために、
コントローラ15にタイマを設定して排気切換のタイミ
ングを適切に調整する方法が考えられている。しかし、
この方法は経験的な勘に依存するという不確定要素があ
るので、確実性に欠けるという欠点があり、加えてタイ
マ設定による時間が生産性を下げる原因となる。また、
排気切換のタイミングにマージンを設けることも考えら
れているが、その分パージガスを多く消費することにな
るので、無駄が生ずることになる。
【0015】本発明はこのような問題点を解決すべくな
されたものであり、排気されるガスをガス種に応じて特
定の排気経路へ切り換える場合、排気切換のタイミング
を適切に行うことを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明排気切換方法は、
排気されるガスに含まれるガス種に対応した複数の排気
経路を設け、排気ガスをガス種に応じた特定の排気経路
へ切り換えて排気する排気切換方法であって、複数の排
気経路の入口側において各々排気されるガスに含まれる
ガス種を検出し、この検出結果に応じた排気経路への切
り換えを行うことを特徴とする。
【0017】従って、本発明排気切換方法によれば、複
数の排気経路の入口側において各々排気されるガスに含
まれるガス種を検出し、この検出結果に応じた排気経路
への切り換えを行うので、排気されるガスをガス種に応
じた排気経路へ切り換える場合、排気切換のタイミング
を適切に行うことができる。
【0018】本発明排気切換装置は、使用済みのガスを
排気するポンプと、このポンプからの排気ガスに含まれ
るガス種に対応して設けられた複数の排気経路と、各排
気経路の入口側に設けられた排気切換弁とを備えた排気
切換装置であって、複数の排気経路の入口側に各々設け
られて対応したガス種を検出するガス検出センサと、こ
のガス検出センサからの検出信号を入力して対応した特
定の排気切換弁の作動を制御するコントローラとを備え
たことを特徴とする。
【0019】従って、本発明排気切換装置によれば、複
数の排気経路の入口側に各々設けられて対応したガス種
を検出するガス検出センサと、このガス検出センサから
の検出信号を入力して対応した特定の排気切換弁の作動
を制御するコントローラとを備えたので、排気されるガ
スをガス種に対応した排気経路へ切り換える場合、排気
切換のタイミングを適切に行うことができる。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明におけるガス検出センサ
は、複数の排気経路の入口側に各々設けられて、各排気
経路内を流れるガスに含まれるガス種を検出して、これ
による検出信号をコントローラへ出力する。コントロー
ラは、検出信号に基づいて、検出されたガス種のガス含
有量を予め記憶されたガス含有量と比較する。この結
果、検出ガス含有量が記憶ガス含有量に達すると、その
ガス種に対応した排気切換弁の作動を制御する。これに
より、排気切換のタイミングが適切に行われ得る。
【0021】
【実施例】以下、本発明を図示実施の実施例に従って詳
細に説明する。
【0022】図1は本発明排気切換方法の実施に用いら
れる排気切換装置の実施例を示す構成図である。同図に
おいて、1は成膜時に成膜ガス(例えばSiH4 )を流
す第1のマスフローコントローラ(MFC1)、2はク
リーニング時にクリーニングガス(例えばSF6 +O
2 )を流す第2のマスフローコントローラ(MFC
2)、3はMFC1(1)あるいはMFC2(2)から
ガスを流入して成膜処理あるいはクリーニング処理を行
うチャンバ(真空装置)、4はチャンバ3から流出され
るガスの開閉を行うバルブ、5はチャンバ3の作動時に
このチャンバ3内の真空度を一定に制御するオートプレ
ッシャーコントローラ(APC)、6はチャンバ3から
使用済みのガスをバルブ4及びAPC5を通じて排気す
るドライポンプ(真空ポンプ)で、このドライポンプ6
はそれらのガスをこれに含まれるガス種に対応した設け
られた複数の排気経路のうち、特定の排気経路に排気す
るように働く。
【0023】7は例えば成膜ガスに対応して設けられた
第1の排気経路で、この第1の排気経路7の入口側には
第1の排気切換弁8が設けられている。この第1の排気
切換弁8は通常で開放している(ノーマリオン)タイプ
が用いられている。9は例えばクリーニングガスに対応
して設けられた第2の排気経路で、この第2の排気経路
9の入口側には第2の排気切換弁10が設けられてい
る。この第2の排気切換弁10は通常で閉じている(ノ
ーマリオフ)タイプが用いられている。また、第1の排
気経路7の出口側には第1の除害装置11が設けられ、
第2の排気経路9の出口側には第2の除害装置12が設
けられている。
【0024】13は第1の排気経路7の入口側に設けら
れた第1のパージガス供給用バルブで、この第1のパー
ジガス供給用バルブ13は、図示しないパージガス供給
源とともに第1のパージガス供給手段を構成している。
14は第2の排気経路9の入口側に設けられた第2のパ
ージガス供給用バルブで、この第2のパージガス供給用
バルブ14は、図示しないパージガス供給源と共に第2
のパージガス供給手段を構成している。
【0025】16は例えば成膜ガスに対応して設けられ
た第1のガス検出センサで、この第1のガス検出センサ
16は第1の排気経路7の入口側の第1の排気切換弁8
の後方に設けられている。17は例えばクリーニングガ
スに対応して設けられた第2のガス検出センサで、この
第2のガス検出センサ17は第2の排気経路9の入口側
の第2の排気切換弁10の後方に設けられている。第1
のガス検出センサ16は、第1の排気経路7に排気され
た成膜ガスに含まれるガス種を検出して、検出信号をコ
ントローラ15へ出力する。第2のガス検出センサ17
は、第2の排気経路9へ排気されたクリーニングガスに
含まれるガス種を検出して、検出信号をコントローラ1
5へ出力する。
【0026】コントローラ15は、MFC1(1)ある
いはMFC2(2)から作動信号を入力して、第1及び
第2の排気切換弁8、10の作動を連動して制御すると
共に、第1及び第2のパージガス供給用バルブ13、1
4の作動を制御する。また、コントローラ15は、第1
のガス検出センサ16あるいは第2のガス検出センサ1
7から検出信号を入力して、検出信号に基づいて、図2
に示すように検出されたガス種のガス含有量Qを予め記
憶されたガス含有量(任意値)Q0と比較する。そし
て、コントローラ15は、検出ガス含有量Qが記憶ガス
含有量Q0に達すると、第1のパージガス供給用バルブ
13あるいは第2のパージガス供給用バルブ14の作動
を制御するように働く。さらに、クリーニングガスの流
れが終了したときは第1の排気切換弁8を開放するとと
もに、これに連動して第2の排気切換弁10を閉じるよ
うに制御する。通常、予め記憶されるガス含有量は検出
量が0の状態に設定される。コントローラ15は、検出
信号を増幅するアンプ、全体の制御動作を司る中央演算
処理装置(CPU)、電源回路及び通信回路等によって
構成されている。
【0027】次に本実施例の排気切換装置の動作を説明
する。まず、成膜時には、ドライポンプ6が稼働してい
る状態で、成膜ガス(例えばSiH4 )がMFC1
(1)を通じてチャンバ3内に流入して所望の成膜処理
が行われる。このとき、コントローラ15にはMFC1
(1)から作動信号が入力されることにより、コントロ
ーラ15は第1のパージガス供給用バルブ13を開放す
るように制御する。また、第1の排気切換弁8は開放
(ノーマリオン)していると共に、第2の排気切換弁1
0は閉(ノーマリオフ)じている。
【0028】次に、使用済みの成膜ガスはバルブ4及び
APC5を通じてドライポンプ6に排気され、ドライポ
ンプ6は開放している第1の排気切換弁8を通じて成膜
ガスを第1の排気通路7に排気する。この成膜ガスは同
時に、開放している第1のパージガス供給用バルブ13
を通じて供給されたパージガスによって希釈されて、第
1の除害装置11に排気される。これによって、第1の
排気切換弁8から第1の除害装置11に至る第1の排気
経路7内の成膜ガスに含まれるガス種は、第1の除害装
置11によって除去されて外部にブロワー排気される。
【0029】第1のガス検出センサ16は、第1の排気
経路7を流れる成膜ガスに含まれるガス種を検出してい
て、この検出信号をコントローラ15へ出力する。成膜
ガスの流れが終了すると、コントローラ15は、検出信
号に基づいて、図2に示すように検出されたガス種のガ
ス含有量Qを予め記憶されたガス含有量(任意値)Q0
と比較する。そして、検出ガス含有量が記憶ガス含有量
Q0(通常検出量0)に達すると、第1のパージガス供
給用バルブ13を閉じるように制御する。
【0030】すなわち、本実施例排気切換装置において
は、コントローラ15は成膜ガスの流れが終了しても、
従来のように直ちに第1のパージガス供給用バルブ13
を閉じることなく、第1のガス検出センサ16からの検
出信号を監視していて、第1の排気経路7内に成膜ガス
のガス種が存在していないことを確実に確かめた上で、
第1のパージガス供給バルブ13を閉じるように制御す
る。
【0031】続いて、クリーニング時には、ドライポン
プ6が稼働している状態で、クリーニングガス(例えば
SF6 +O2 )がMFC2(2)を通じてチャンバ3内
に流入して所望のクリーニング処理が行われる。このと
き、コントローラ15にはMFC2(2)から作動信号
が入力されることにより、コントローラ15は第2のパ
ージガス供給用バルブ14を開放するように制御し、ま
た、第2の排気切換弁10を開放すると共に、これと連
動して第1の排気切換弁8を閉じるように制御する。
【0032】次に、使用済みのクリーニングガスはバル
ブ4及びAPC5を通じてドライポンプ6に排気され、
ドライポンプ6は開放している第2の排気切換弁10を
通じてクリーニングガスを第2の排気通路9に排気す
る。このクリーニングガスは同時に、開放している第2
のパージガス供給用バルブ14を通じて供給されたパー
ジガスによって希釈されて、第2の除害装置12に排気
される。これによって、第2の排気切換弁10から第2
の除害装置12に至る第2の排気経路9内のクリーニン
グガスに含まれるガス種は、第2の除害装置12によっ
て除去されて外部にブロワー排気される。
【0033】第2のガス検出センサ17は、第2の排気
経路9を流れるクリーニングガスに含まれるガス種を検
出していて、この検出信号をコントローラ15へ出力す
る。クリーニングガスの流れが終了すると、コントロー
ラ15は、検出信号に基づいて、図2に示すように検出
されたガス種のガス含有量Qを予め記憶されたガス含有
量(任意値)Q0と比較する。そして、検出ガス含有量
が記憶ガス含有量Q0(通常検出量0)に達すると、第
2のパージガス供給用バルブ14を閉じるように制御す
る。同時に、第1の排気切換弁8を開放するように制御
すると共に、第2の排気切換弁10を閉じるように制御
する。
【0034】即ち、本実施例排気切換装置においては、
コントローラ15はクリーニングガスの流れが終了して
も、従来のように直ちに第2のパージガス供給用バルブ
14を閉じることなく、第2のガス検出センサ17から
の検出信号を監視していて、第2の排気経路9内にクリ
ーニングガスのガス種が存在していないことを確実に確
かめた上で、第2のパージガス供給バルブ14を閉じる
ように制御する。
【0035】このような本実施例排気切換装置によれ
ば、第1の排気経路7の入口側に成膜ガスに対応した第
1のガス検出センサ16を設けると共に、第2の排気経
路9の入口側にクリーニングガスに対応した第2のガス
検出センサ17を設け、各センサ16、17から検出信
号をコントローラ15に出力して、コントローラ15に
よって第1のパージガス供給用バルブ13あるいは第2
のパージガス供給用バルブ14の作動を制御して、第1
の排気切換弁8あるいは第2の排気経路10の作動を制
御するようにしたので、排気されるガスをガス種に応じ
て特定の排気経路へ切り換える場合、排気切換のタイミ
ングを適切に行うことができる。
【0036】具体的には、次のような効果を得ることが
できる。
【0037】(1)第1のガス検出センサ16あるいは
第2のガス検出センサ17の検出結果に基づいて、第1
の排気切換弁8あるいは第2の排気切換弁10の排気切
換制御を行うので、排気経路内における成膜ガスとクリ
ーニングガスとの混在を防止できる。
【0038】(2)それに伴って、危険な可燃反応を未
然に防止することができる。
【0039】(3)ガスに含まれるガス種が存在してい
ないことを確認した後に、パージガスの供給を停止する
ので、パージガスを節約することができる。
【0040】(4)ガスに含まれるガス種が存在してい
ないことを確認して排気切換を行うので、排気切換時間
を短縮することができる。
【0041】(5)それに伴って、稼働率が向上するの
で、生産性が上がる。
【0042】なお、本文中では、半導体装置を製造する
例で説明したが、半導体装置に限らずガスを原料として
用いる部品の製造分野であれば、同様に適用することが
できる。また、本文中では、ガスとして成膜ガス及びク
リーニングガスの2種類を用いる例で説明したが、3種
類のガスを用いる場合にも適用可能である。
【0043】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、複
数の排気経路の入口側において各々排気されるガスに含
まれるガス種を検出し、この検出結果に応じて特定の排
気経路への切り換えを行うようにしたので、排気される
ガスをガス種に応じて特定の排気経路へ切り換える場
合、排気切換のタイミングを適切に行うことができる。
【0044】特に、コントローラとして、検出信号に基
づいて、検出されたガス種のガス含有量を予め記憶され
たガス含有量と比較して、検出ガス含有量が記憶ガス含
有量に達すると、対応した特定の排気切換弁の作動を制
御するものを用いると、無視できる含有量の場合には無
視できる範囲の最高値を記憶ガス含有量とすることによ
り、無視できる範囲の含有量なのに排気切換弁が無駄に
作動することを回避することができる。勿論0を記憶す
る含有量とすることにより極めて含有量が少なくとも作
動するようにすることもできる。
【0045】そして、各排気経路の出口側にガスを除外
する除害装置を設けることにより、対応するガス種を除
去して排気することができる。
【0046】また、排気ガスの入口側に上記コントロー
ラにより制御されて動作するパージガス供給手段を設け
ることにより、排気経路内のガス種がないことを確認し
てパージガスの提供を停止することが可能となり、それ
によりによりパージガスの無駄な消費をなくすことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明排気切換装置の第1の実施例を示す構成
図である。
【図2】上記実施例の動作を説明するグラフである。
【図3】従来の排気切換装置を示す構成図である。
【符号の説明】
3…チャンバ(真空装置)、6…ドライポンプ(真空ポ
ンプ)、7…第1の排気経路(成膜ガス用)、8…第1
の排気切換弁(成膜ガス用)、9…第2の排気経路(ク
リーニングガス用)、10…第2の排気切換弁(クリー
ニングガス用)、11…第1の除害装置(成膜ガス
用)、12…第2の除害装置(クリーニングガス用)、
13…第1のパージガス供給用バルブ(成膜ガス用)、
14…第2のパージガス供給用バルブ(クリーニングガ
ス用)、15…コントローラ、16…第1のガス検出セ
ンサ(成膜ガス用)、17…第2のガス検出センサ(ク
リーニングガス用)。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 排気されるガスに含まれるガス種に対応
    した複数の排気経路を設け、前記ガスをガス種に応じた
    特定の排気経路へ切り換えて排気する排気切換方法であ
    って、 前記複数の排気経路の入口側において各々排気されるガ
    スに含まれるガス種を検出し、この検出結果に応じて前
    記特定の排気経路への切り換えを行うことを特徴とする
    排気切換方法
  2. 【請求項2】 使用済みのガスを排気するポンプと、こ
    のポンプからの排気ガスに含まれるガス種に対応して設
    けられた複数の排気経路と、各排気経路の入口側に設け
    られた排気切換弁とを備えた排気切換装置であって、 前記複数の排気経路の入口側に各々設けられて対応した
    ガス種を検出するガス検出センサと、 このガス検出センサからの検出信号を入力して対応した
    特定の前記排気切換弁の作動を制御するコントローラと
    を備えたことを特徴とする排気切換装置
  3. 【請求項3】 コントローラは検出信号に基づいて、検
    出されたガス種のガス含有量を予め記憶されたガス含有
    量と比較して、検出ガス含有量が記憶ガス含有量に達す
    ると、対応した特定の排気切換弁の作動を制御するよう
    にされたことを特徴とする請求項2記載の排気切換装置
  4. 【請求項4】 複数の排気経路の出口側に各々設けられ
    て対応したガス種を除害する除害装置を備えたことを特
    徴とする請求項2又は3記載の排気切換装置。
  5. 【請求項5】 複数の排気経路の入口側に各々設けられ
    てコントローラの制御の下に特定の排気経路へパージガ
    スを供給するパージガス供給手段を備えたことを特徴と
    する請求項2、3又は4記載の排気切換装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080657A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及びこの使用方法
JP2010528475A (ja) * 2007-05-25 2010-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムを組み立てる及び運転する方法及び装置
US9133836B2 (en) 2006-04-18 2015-09-15 Edwards Limited Vacuum pumping system
US9387428B2 (en) 2008-02-05 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes
US9951422B2 (en) 2016-01-28 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors
WO2020031990A1 (ja) 2018-08-06 2020-02-13 エドワーズ株式会社 除害システム、除害装置、およびシステム制御装置
KR20210040949A (ko) 2018-08-06 2021-04-14 에드워즈 가부시키가이샤 제해 시스템, 제해 장치, 및 시스템 제어 장치
US12007744B2 (en) 2018-08-06 2024-06-11 Edwards Japan Limited Abatement system, abatement device, and system control device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9133836B2 (en) 2006-04-18 2015-09-15 Edwards Limited Vacuum pumping system
JP2010528475A (ja) * 2007-05-25 2010-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムを組み立てる及び運転する方法及び装置
US9387428B2 (en) 2008-02-05 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes
JP2010080657A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及びこの使用方法
US9951422B2 (en) 2016-01-28 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors
WO2020031990A1 (ja) 2018-08-06 2020-02-13 エドワーズ株式会社 除害システム、除害装置、およびシステム制御装置
KR20210040949A (ko) 2018-08-06 2021-04-14 에드워즈 가부시키가이샤 제해 시스템, 제해 장치, 및 시스템 제어 장치
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