JP2001085342A - ガスライン自動パージシステム - Google Patents
ガスライン自動パージシステムInfo
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- JP2001085342A JP2001085342A JP26389499A JP26389499A JP2001085342A JP 2001085342 A JP2001085342 A JP 2001085342A JP 26389499 A JP26389499 A JP 26389499A JP 26389499 A JP26389499 A JP 26389499A JP 2001085342 A JP2001085342 A JP 2001085342A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空チャンバーが設置された処理室の内外に
あるバルブの開閉操作を効率的に行うとともにバルブ開
閉の誤操作を防止するガスライン自動パージシステムを
提供する。 【解決手段】 半導体処理室１内に設けた真空チャンバ
ー２と、この半導体処理室１の外部から前記真空チャン
バー２に反応ガス又はパージガスを導入する配管系７
と、前記半導体処理室１の内部および外部の前記配管系
７上にバルブ４，６，８，９，１０が設けられたガスラ
インのパージシステムにおいて、前記半導体処理室１の
内部および外部のバルブ４，６，８，９，１０，１１の
開閉を１ヶ所で制御するバルブ制御操作部１４を前記半
導体処理室１内に設けた。
あるバルブの開閉操作を効率的に行うとともにバルブ開
閉の誤操作を防止するガスライン自動パージシステムを
提供する。 【解決手段】 半導体処理室１内に設けた真空チャンバ
ー２と、この半導体処理室１の外部から前記真空チャン
バー２に反応ガス又はパージガスを導入する配管系７
と、前記半導体処理室１の内部および外部の前記配管系
７上にバルブ４，６，８，９，１０が設けられたガスラ
インのパージシステムにおいて、前記半導体処理室１の
内部および外部のバルブ４，６，８，９，１０，１１の
開閉を１ヶ所で制御するバルブ制御操作部１４を前記半
導体処理室１内に設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガスライン自動パー
ジシステムに関する。より詳しくは、半導体製造装置に
おけるガスライン自動パージシステムに関するものであ
る。
ジシステムに関する。より詳しくは、半導体製造装置に
おけるガスライン自動パージシステムに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、ＣＶＤ装
置やドライエッチング装置あるいは真空蒸着装置などの
半導体製造装置はクリーンルーム内に設置され真空チャ
ンバー内に収容した半導体ウェーハ等に対し真空引きを
しながら反応ガスを供給し、薄膜形成などの各種処理を
施す。
置やドライエッチング装置あるいは真空蒸着装置などの
半導体製造装置はクリーンルーム内に設置され真空チャ
ンバー内に収容した半導体ウェーハ等に対し真空引きを
しながら反応ガスを供給し、薄膜形成などの各種処理を
施す。
【０００３】このような半導体製造装置においてクリー
ンルーム等の半導体処理室内の真空チャンバーに反応ガ
スを供給するための配管系が半導体処理室外部から室内
に配設され真空チャンバーに接続されるとともに、真空
チャンバーは真空配管系に接続され真空排気される。
ンルーム等の半導体処理室内の真空チャンバーに反応ガ
スを供給するための配管系が半導体処理室外部から室内
に配設され真空チャンバーに接続されるとともに、真空
チャンバーは真空配管系に接続され真空排気される。
【０００４】また、反応ガスを供給する配管系には、プ
ロセス終了後に真空チャンバーや配管系内をパージする
ためのＮ2等のパージガス供給管が接続される。このよ
うな配管系上には、処理室内の半導体装置設置部付近に
反応ガスやパージガスの導入を制御するためのバルブが
設けられるとともに、処理室の外部にも切換バルブや開
閉バルブ等のバルブが設けられる。
ロセス終了後に真空チャンバーや配管系内をパージする
ためのＮ2等のパージガス供給管が接続される。このよ
うな配管系上には、処理室内の半導体装置設置部付近に
反応ガスやパージガスの導入を制御するためのバルブが
設けられるとともに、処理室の外部にも切換バルブや開
閉バルブ等のバルブが設けられる。
【０００５】半導体処理を行う場合および処理終了後に
パージする場合には、処理室内のバルブを開閉操作する
とともに処理室外のバルブを開閉操作してプロセスに応
じた反応ガス又はパージガスを配管系を通して真空チャ
ンバー内に導入する。
パージする場合には、処理室内のバルブを開閉操作する
とともに処理室外のバルブを開閉操作してプロセスに応
じた反応ガス又はパージガスを配管系を通して真空チャ
ンバー内に導入する。
【０００６】このようなバルブ操作により各種反応処理
が行われるとともに配管系（ガスライン）のパージシス
テムが構成される。
が行われるとともに配管系（ガスライン）のパージシス
テムが構成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のガスラインパージシステムでは、プロセスごとに作
業者が処理室内部および外部の配管上のバルブをそれぞ
れ開閉操作しなければならず作業が面倒であった。特に
クリーンルームでは室内外が厳格に隔離されるため、室
内外のバルブをそれぞれ操作することは作業効率を大き
く低下させる要因であった。
来のガスラインパージシステムでは、プロセスごとに作
業者が処理室内部および外部の配管上のバルブをそれぞ
れ開閉操作しなければならず作業が面倒であった。特に
クリーンルームでは室内外が厳格に隔離されるため、室
内外のバルブをそれぞれ操作することは作業効率を大き
く低下させる要因であった。
【０００８】また、複数の反応ガスを用いる場合には、
上述したパージガスを導入する作業は１回の処理工程に
おいて複数回行うため、さらに多くの手間と時間がかか
り効率が悪い。
上述したパージガスを導入する作業は１回の処理工程に
おいて複数回行うため、さらに多くの手間と時間がかか
り効率が悪い。
【０００９】さらに、特殊なガスあるいは他のガスとの
混合が禁止されているガス等を用いる場合、作業者によ
るバルブの誤操作を招くときもあり、プロセスの信頼性
を低下させるおそれもある。
混合が禁止されているガス等を用いる場合、作業者によ
るバルブの誤操作を招くときもあり、プロセスの信頼性
を低下させるおそれもある。
【００１０】本発明は、上記従来技術を考慮したもので
あって、真空チャンバーが設置された処理室の内外にあ
るバルブの開閉操作を効率的に行うとともにバルブ開閉
の誤操作を防止するガスライン自動パージシステムの提
供を目的とする。
あって、真空チャンバーが設置された処理室の内外にあ
るバルブの開閉操作を効率的に行うとともにバルブ開閉
の誤操作を防止するガスライン自動パージシステムの提
供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、半導体処理室内に設けた真空チャンバ
ーと、この半導体処理室の外部から前記真空チャンバー
に反応ガス又はパージガスを導入する配管系と、前記半
導体処理室の内部および外部の前記配管系上にバルブが
設けられたガスラインのパージシステムにおいて、前記
半導体処理室の内部および外部のバルブの開閉を１ヶ所
で制御するバルブ制御操作部を、前記半導体処理室内に
有することを特徴とするガスライン自動パージシステム
を提供する。
め、本発明では、半導体処理室内に設けた真空チャンバ
ーと、この半導体処理室の外部から前記真空チャンバー
に反応ガス又はパージガスを導入する配管系と、前記半
導体処理室の内部および外部の前記配管系上にバルブが
設けられたガスラインのパージシステムにおいて、前記
半導体処理室の内部および外部のバルブの開閉を１ヶ所
で制御するバルブ制御操作部を、前記半導体処理室内に
有することを特徴とするガスライン自動パージシステム
を提供する。
【００１２】この構成によれば、半導体処理室の内部お
よび外部のバルブの開閉を半導体処理室内で操作できる
ので、外部のバルブの開閉操作のために半導体処理室か
ら出ることがなくなり、作業効率が向上する。また、作
業が自動化されるので、パージ効果のムラ、作業者によ
るバルブの誤操作を防止することになりプロセスの信頼
性が向上する。
よび外部のバルブの開閉を半導体処理室内で操作できる
ので、外部のバルブの開閉操作のために半導体処理室か
ら出ることがなくなり、作業効率が向上する。また、作
業が自動化されるので、パージ効果のムラ、作業者によ
るバルブの誤操作を防止することになりプロセスの信頼
性が向上する。
【００１３】好ましい構成例においては、前記半導体処
理室はクリーンルームであることを特徴としている。
理室はクリーンルームであることを特徴としている。
【００１４】この構成によれば、半導体処理室外部のバ
ルブ操作のためのクリーンルーム内から外部への行き来
の煩わしさをなくすことができ、隔離されたクリーンル
ーム内から外部のバルブ操作ができるためクリーンルー
ムの使用性および作業性が向上する。
ルブ操作のためのクリーンルーム内から外部への行き来
の煩わしさをなくすことができ、隔離されたクリーンル
ーム内から外部のバルブ操作ができるためクリーンルー
ムの使用性および作業性が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明に係るガスラ
イン自動パージシステムの概略図である。図示したよう
に、本発明に係るガスライン自動パージシステムにおい
ては、クリーンルーム等の半導体処理室１内に真空チャ
ンバー２を有し、この真空チャンバー２内に対し真空ポ
ンプ３によりバルブ４を備えた真空配管５により真空引
きをしながら反応ガスを供給し、収容した半導体ウェー
ハ等（図示しない）に薄膜形成などの各種処理を施す。
施の形態について説明する。図１は本発明に係るガスラ
イン自動パージシステムの概略図である。図示したよう
に、本発明に係るガスライン自動パージシステムにおい
ては、クリーンルーム等の半導体処理室１内に真空チャ
ンバー２を有し、この真空チャンバー２内に対し真空ポ
ンプ３によりバルブ４を備えた真空配管５により真空引
きをしながら反応ガスを供給し、収容した半導体ウェー
ハ等（図示しない）に薄膜形成などの各種処理を施す。
【００１６】真空チャンバー２には反応ガスを供給する
ためのバルブ６を備えた配管系７が接続される。この配
管系７は複数本の並列した配管７ａからなり、各配管７
ａ上にはガスの流量を自動制御するＭＦＣ（Ｍａｓｓ
Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）が設けられ、その両
端にはそれぞれバルブ８，９が備えてある。
ためのバルブ６を備えた配管系７が接続される。この配
管系７は複数本の並列した配管７ａからなり、各配管７
ａ上にはガスの流量を自動制御するＭＦＣ（Ｍａｓｓ
Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）が設けられ、その両
端にはそれぞれバルブ８，９が備えてある。
【００１７】半導体処理室１外部の配管系７において
も、各配管７ａ上にガスを供給するためのバルブ１０が
備わり、さらに三方弁１１を介して反応ガス供給管１２
およびパージガス供給管１３が接続される。
も、各配管７ａ上にガスを供給するためのバルブ１０が
備わり、さらに三方弁１１を介して反応ガス供給管１２
およびパージガス供給管１３が接続される。
【００１８】上述したバルブ４，６，８，９，１０、あ
るいは三方弁１１はそれぞれ電気配線を介して半導体処
理室１内のバルブ制御操作部１４に接続される。これら
のバルブおよび三方弁は自動バルブ（エアオペレーショ
ンバルブと電磁弁などの組み合わせにより電気信号で駆
動可能なバルブシステム）化され、バルブ制御操作部１
４（パソコン、シーケンサー）により、予め設定された
プログラムに従って、あるいは必要な処理条件等を入力
して自動パージシーケンスを行う。これにより、半導体
処理室１の内部および外部の各バルブおよび三方弁の操
作は半導体処理室１内の１ヶ所で行うことができる。
るいは三方弁１１はそれぞれ電気配線を介して半導体処
理室１内のバルブ制御操作部１４に接続される。これら
のバルブおよび三方弁は自動バルブ（エアオペレーショ
ンバルブと電磁弁などの組み合わせにより電気信号で駆
動可能なバルブシステム）化され、バルブ制御操作部１
４（パソコン、シーケンサー）により、予め設定された
プログラムに従って、あるいは必要な処理条件等を入力
して自動パージシーケンスを行う。これにより、半導体
処理室１の内部および外部の各バルブおよび三方弁の操
作は半導体処理室１内の１ヶ所で行うことができる。
【００１９】図２は本発明に係るガスライン自動パージ
システムの作業を順番に示した説明図である。真空チャ
ンバー２内の半導体ウェーハ等（図示しない）に対し、
反応ガスで処理を行うとき、（Ａ）に示すように、バル
ブ制御操作部によりバルブ４，６，８，９，１０を開
け、三方弁１１は反応ガス供給管１２のラインを開け
る。これにより反応ガス供給管１２から導入された反応
ガスは配管７ａを通って真空チャンバー２内の半導体ウ
ェーハ等を処理し、真空ポンプ３により真空配管５より
排出される。
システムの作業を順番に示した説明図である。真空チャ
ンバー２内の半導体ウェーハ等（図示しない）に対し、
反応ガスで処理を行うとき、（Ａ）に示すように、バル
ブ制御操作部によりバルブ４，６，８，９，１０を開
け、三方弁１１は反応ガス供給管１２のラインを開け
る。これにより反応ガス供給管１２から導入された反応
ガスは配管７ａを通って真空チャンバー２内の半導体ウ
ェーハ等を処理し、真空ポンプ３により真空配管５より
排出される。
【００２０】反応ガスによる処理後、（Ｂ）に示すよう
に、バルブ１０を閉じ、真空ポンプ３により真空チャン
バー２および配管７ａ内を真空引きする。このとき三方
弁１１は反応ガス供給管１２又はパージガス供給管１３
のいずれか一方が開いていてもよいし、又は両方閉じる
構成のバルブであってもよい。
に、バルブ１０を閉じ、真空ポンプ３により真空チャン
バー２および配管７ａ内を真空引きする。このとき三方
弁１１は反応ガス供給管１２又はパージガス供給管１３
のいずれか一方が開いていてもよいし、又は両方閉じる
構成のバルブであってもよい。
【００２１】次に（Ｃ）に示すように、三方弁１１のパ
ージガス供給管１３のラインを開け配管７ａにＮ2等の
パージガスを導入し、この配管７ａおよび真空チャンバ
ー２内をパージする。このパージガスも真空ポンプ３に
より真空引きされて真空配管５から排出される。
ージガス供給管１３のラインを開け配管７ａにＮ2等の
パージガスを導入し、この配管７ａおよび真空チャンバ
ー２内をパージする。このパージガスも真空ポンプ３に
より真空引きされて真空配管５から排出される。
【００２２】これらのバルブおよび三方弁の開閉操作は
すべて半導体処理室内のバルブ制御操作部のプログラム
により自動で行うことができ、このシーケンスを必要な
だけ繰り返し自動パージを行う。これにより、半導体処
理室の内部および外部のバルブの開閉を半導体処理室内
で操作できるので、外部のバルブの開閉操作のために半
導体処理室から出ることがなくなり、作業効率が向上す
る。また、作業が自動化されるので、パージ効果のム
ラ、作業者によるバルブの誤操作を防止することになり
プロセスの信頼性が向上する。
すべて半導体処理室内のバルブ制御操作部のプログラム
により自動で行うことができ、このシーケンスを必要な
だけ繰り返し自動パージを行う。これにより、半導体処
理室の内部および外部のバルブの開閉を半導体処理室内
で操作できるので、外部のバルブの開閉操作のために半
導体処理室から出ることがなくなり、作業効率が向上す
る。また、作業が自動化されるので、パージ効果のム
ラ、作業者によるバルブの誤操作を防止することになり
プロセスの信頼性が向上する。
【００２３】本発明に係るガスライン自動パージシステ
ムは、処理に際して複数のガスラインがある場合も、あ
らかじめプログラムを組んでおけば１ライン毎にパージ
を行うことも可能であり、全ライン同時に行うことも可
能である。
ムは、処理に際して複数のガスラインがある場合も、あ
らかじめプログラムを組んでおけば１ライン毎にパージ
を行うことも可能であり、全ライン同時に行うことも可
能である。
【００２４】また、特殊ガス等で同時に排気して混合さ
れると危険なガスを使用するときは、あらかじめプログ
ラムによりインターロックをつけて同時排気不可能とす
ることもできる。
れると危険なガスを使用するときは、あらかじめプログ
ラムによりインターロックをつけて同時排気不可能とす
ることもできる。
【００２５】また、複数の半導体製造装置又は真空チャ
ンバーを使用して半導体処理を行う場合に、複数の真空
チャンバーを１ヶ所のバルブ制御操作部で制御、自動パ
ージすることも可能である。
ンバーを使用して半導体処理を行う場合に、複数の真空
チャンバーを１ヶ所のバルブ制御操作部で制御、自動パ
ージすることも可能である。
【００２６】また、半導体製造装置本体の真空計の信号
を取り出すことにより、ガスライン排気中に真空度が下
がらない場合、リークありと判断し、自動的に全バルブ
を閉じてエラー警報を発生し処理エラーを未然に防止す
ることもできる。
を取り出すことにより、ガスライン排気中に真空度が下
がらない場合、リークありと判断し、自動的に全バルブ
を閉じてエラー警報を発生し処理エラーを未然に防止す
ることもできる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、半導体処理室の内部および外部のバルブの開閉を半
導体処理室内で操作できるので、外部のバルブの開閉操
作のために半導体処理室から出ることがなくなり、作業
効率が向上する。また、作業が自動化されるので、パー
ジ効果のムラ、作業者によるバルブの誤操作を防止する
ことになりプロセスの信頼性が向上する。
は、半導体処理室の内部および外部のバルブの開閉を半
導体処理室内で操作できるので、外部のバルブの開閉操
作のために半導体処理室から出ることがなくなり、作業
効率が向上する。また、作業が自動化されるので、パー
ジ効果のムラ、作業者によるバルブの誤操作を防止する
ことになりプロセスの信頼性が向上する。
【図１】 本発明に係るガスライン自動パージシステム
の概略図。
の概略図。
【図２】 本発明に係るガスライン自動パージシステム
の作業を順番に示した説明図。
の作業を順番に示した説明図。
１：半導体処理室、２：真空チャンバー、３：真空ポン
プ、４：バルブ、５：真空配管、６：バルブ、７：配管
系、７ａ：配管、８：バルブ、９：バルブ、１０：バル
ブ、１１：三方弁、１２：反応ガス供給管、１３：パー
ジガス供給管、１４：バルブ制御操作部
プ、４：バルブ、５：真空配管、６：バルブ、７：配管
系、７ａ：配管、８：バルブ、９：バルブ、１０：バル
ブ、１１：三方弁、１２：反応ガス供給管、１３：パー
ジガス供給管、１４：バルブ制御操作部
Claims (2)
- 【請求項１】半導体処理室内に設けた真空チャンバー
と、 この半導体処理室の外部から前記真空チャンバーに反応
ガス又はパージガスを導入する配管系と、 前記半導体処理室の内部および外部の前記配管系上にバ
ルブが設けられたガスラインのパージシステムにおい
て、 前記半導体処理室の内部および外部のバルブの開閉を１
ヶ所で制御するバルブ制御操作部を前記半導体処理室内
に有することを特徴とするガスライン自動パージシステ
ム。 - 【請求項２】前記半導体処理室はクリーンルームである
ことを特徴とする請求項１に記載のガスライン自動パー
ジシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26389499A JP2001085342A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | ガスライン自動パージシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26389499A JP2001085342A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | ガスライン自動パージシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085342A true JP2001085342A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17395741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26389499A Pending JP2001085342A (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | ガスライン自動パージシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085342A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013524445A (ja) * | 2010-04-01 | 2013-06-17 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析のための改良された試料チャンバ |
| WO2016121075A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| US11355319B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11776792B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-10-03 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26389499A patent/JP2001085342A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013524445A (ja) * | 2010-04-01 | 2013-06-17 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析のための改良された試料チャンバ |
| WO2016121075A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| CN106029214A (zh) * | 2015-01-30 | 2016-10-12 | 株式会社日立高新技术 | 真空处理装置 |
| JP6047672B1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-12-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| KR101842527B1 (ko) * | 2015-01-30 | 2018-03-27 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 진공 처리 장치 |
| US10121686B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus |
| US11355319B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11776792B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-10-03 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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