JP2008288282A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダミー基板の処理時間の短縮を実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュール2,3と、基板を収納したカセットCS1,CS2を導入するロードポートLP,LP2と、ロードポートLP,LP2に載置されたカセットCS1,CS2の基板を前記処理モジュール2,3に搬送するローダハンドラLHと、各種レシピを保存する記憶部18と、基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部12と、操作画面で指示されたレシピを実行する制御部17と、を有する基板処理装置であって、操作部17は、処理モジュール2,3毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定する。
【選択図】図3
【解決手段】基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュール2,3と、基板を収納したカセットCS1,CS2を導入するロードポートLP,LP2と、ロードポートLP,LP2に載置されたカセットCS1,CS2の基板を前記処理モジュール2,3に搬送するローダハンドラLHと、各種レシピを保存する記憶部18と、基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部12と、操作画面で指示されたレシピを実行する制御部17と、を有する基板処理装置であって、操作部17は、処理モジュール2,3毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置に関する。
この種の基板処理装置において、装置の立ち上げ時や生産基板(処理基板)の処理間隔が空いた場合、プロセスチャンバ内の雰囲気が不安定(例えばチャンバ内温度の低下、不純物のプロセスチャンバへの付着など)になるため、ダミー基板を用いた処理が行われている。
しかしながら、上記従来の技術においては、1枚のダミー基板に1つのダミー基板用レシピしか指定できないため、ダミー基板の処理時間(又は処理枚数)が増加することがあった。
本発明は、上記の問題を解消し、ダミー基板の処理時間の短縮を実現することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の特徴とするところは、基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュールと、前記基板を収納した基板収容容器を導入する少なくとも1つの導入ポートと、前記導入ポートに載置された前記基板収容容器内の基板を前記処理モジュールに搬送する搬送装置と、各種レシピを保存する格納手段と、前記基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部と、前記操作画面で指示されたレシピを実行する制御部と、を有する基板処理装置であって、前記操作部は、前記処理モジュール毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定する基板処理装置にある。
好適には、前記操作部は、次に処理する製品基板を実行するまでの時間が所定時間に達した場合、ダミー基板用レシピを実行する。
好適には、前記ダミー基板用レシピは、ダミー基板毎に処理条件を変更できる。
本発明によれば、ダミー基板毎に所定ダミー用レシピを実行することができ、ダミー基板の処理時間の短縮を実現することができるため、処理モジュール内の雰囲気を安定させるのにかかる時間を少なくし、ひいてはスループットの向上が可能となる。
以下、図面を参照しながら、本発明の基板処理装置における実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるインライン型の半導体製造装置の概略的な構成図である。図1の構成では、ウエハ搬送用ロボットやプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が2式接続された並列冗長の構成となっている。また、この半導体製造装置は基板(ウエハ)を搬送するキャリアを用いている。
図1において、インライン型の半導体製造装置1は2チャンネルで構成されており、基本的には次のような機能をもつ複数のモジュール(第1の処理モジュール2及び第2の処理モジュール3)によって構成されている。第1の処理モジュール2は、プロセスチャンバPM1及びバキュームロックチャンバVL1を有し、第2の処理モジュール3は、プロセスチャンバPM2及びバキュームロックチャンバVL2を有する。つまり、半導体製造装置1は、プロセスチャンバPM1,PM2とバキュームロックチャンバVL1,VL2との間には、それぞれ、ゲートバルブPGV1,PGV2が設けられ、バキュームロックチャンバVL1,VL2には、それぞれ、真空ロボットハンドラTH1,TH2との上段にバッファスロットLSを備え下段にクーリングステージCSを備える多段型のスロットとが設けられている。さらに、大気ローダLMには、アライナAUとローダハンドラLHが内蔵されている。また、バキュームロックチャンバVL1,VL2と大気ローダLMとの間にはローダドアLD1,LD2が設けられている。
各モジュールの機能をさらに詳しく説明する。プロセスチャンバPM1,PM2は、CVD(Chemical Vapour Deposition)などの化学処理反応によってウエハに所定の処理を施し、そのウエハに付加価値を与える機能を有している。さらに、ガスの導入や排気処理、炉内の温度制御、及びプラズマ放電処理などそれぞれの成膜方式に合わせた機能も有している。
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空/大気圧のチャンバ内圧力を制御することができ、プロセスチャンバPM1,PM2へウエハを搬入搬出するためのロボットを装備している。さらに、バキュームロックチャンバVL1,VL2は、ウエハを保持することができる多段型のスロットを内部に備えている。例えば、2段型のスロットの場合は、上段でウエハを保持するためのバッファスロットLSと下段でウエハをクーリングするためのクーリングステージCSとを備えている。
大気ローダLMは、各ロードロックチャンバ(つまり、バキュームロックチャンバVL1,VL2)へウエハを搬入搬出することができるロボットを装備している。また、搬送時のウエハずれを補正してウエハのノッチ(ウエハの方向を決める切れ込み)を一定方向に合わせるためのアライナAUの機構を内蔵している。さらに、大気ローダLMは、ロードポートLP1,LP2との間でウエハ搬入搬出を行うローダハンドラLHを備えている。
導入ポートとしてのロードポートLP1,LP2は、半導体製造装置1の外部との間でウエハを収納した(複数枚保持できる)キャリアとしてのカセットCS1,CS2を受け渡しする(導入する)ことができる機能を備えている。さらに、キャリアIDをリード/ライトすることもできる。
図1に示すような半導体製造装置1の構成において、プロセスチャンバPM1の一式とバキュームロックチャンバVL1の一式を対にし、プロセスチャンバPM2の一式とバキュームロックチャンバVL2の一式を別の対にして、複数ラインを大気ローダLMに接続する。図1の半導体製造装置1の構成では2ラインとなっているが、さらに多くのラインで構成してもよい。
また、図1に示す半導体製造装置1には、制御用コントローラ(図示せず)が接続されており、その制御用コントローラは搬送制御やプロセス制御などを実行する手段を有している。図2は、図1に示す半導体制御装置1を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
図2において、制御用コントローラ11は、操作部12と統括制御コントローラ13とPMC(1)14及びPMC(2)15がLAN回線16で接続されている。また、統括制御コントローラ13にはVLロボットコントローラ13a、大気ロボットコントローラ13b、MFC13cなどが接続されている。さらに、PMC(1)14には、MFC14a、APC14b、温度調節器14c、バルブI/O14dなどが接続されている。なお、MFC14aはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、APC14bはプロセスチャンバPM内の圧力を制御するためのオートプレッシャコントローラである。また、温度調節器14cはプロセスチャンバ内の温度の制御を行うものであり、バルブI/O14dはガスや排気用のバルブのON/OFFを制御するための入出力ポートである。また、PMC(2)15も同様な構成となっている。
操作部12は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する表示部と、前記表示部に備えられた画面(操作画面)を介して所定の入力手段により入力された指示データや各種レシピ(生産基板用レシピ、ダミー基板用レシピ等)を格納する記憶部とを有している。また、統括制御コントローラ13は、システム全体の運用制御、VLロボットコントローラ13aの制御、大気ロボットコントローラ13bの制御、MFC13cやバルブやポンプなどを制御するVL排気系制御を行う。
次に、図2に示す制御用コントローラ11の一般的な運用例について説明する。操作部12からの運用開始指示を受けた統括制御コントローラ13は、ウエハ搬送指示を大気ロボットコントローラ13bに指示する。該当するウエハがキャリアからバキュームロックチャンバVLのバッファスロットLSへ搬送されてから、バキュームロックチャンバVLの排気制御(つまり、ポンプやバルブの制御)を実施する。そして、バキュームロックチャンバVLの排気制御(つまり、ポンプやバルブの制御)を実施する。そして、バキュームロックチャンバVLが所定の負圧力に達したところでウエハを該当するPMC(つまり、PMC(1)14またはPMC(2)15)に対して、ウエハに付加価値を与えるため生産基板用レシピの実行指示を行う。
次に、操作部12が表示する画面の一例を図3に基づいて説明する。
操作部12には、ダミー基板処理設定画面20が表示され、ユーザがこのダミー処理設定画面20を介してダミー基板処理に関するパラメータを設定できるようになっている。ダミー基板処理設定画面20は、ダミー基板用レシピ設定部22、処理開始条件設定部24及びダミー基板使用枚数設定部26を有する。
操作部12には、ダミー基板処理設定画面20が表示され、ユーザがこのダミー処理設定画面20を介してダミー基板処理に関するパラメータを設定できるようになっている。ダミー基板処理設定画面20は、ダミー基板用レシピ設定部22、処理開始条件設定部24及びダミー基板使用枚数設定部26を有する。
ダミー基板レシピ設定部22には、ダミー基板に対して実行するダミー基板用レシピが設定される。より具体的には、ダミー基板レシピ設定部22には、ダミー基板毎に所定のダミー基板用レシピが指定されるようになっている。例えば、図3に示すように、1枚目のダミー基板に対しては記憶部に記憶されている複数のダミー基板用レシピのうち「Dummy_Recipe1」が設定され、例えばN枚目のダミー基板に対しては記憶部18に記憶されている複数のダミー基板用レシピのうち「Dummy_RecipeN」が設定されている。このように、ダミー基板レシピは、ダミー基板毎に異なるように設定することができる。
なお、全てのダミー基板に対して同一のダミー基板用レシピを設定するようにしてもよい。また、プロセスチャンバPM1とプロセスチャンバPM2とで異なるダミー基板レシピの設定を行えるようにしてもよい。
なお、全てのダミー基板に対して同一のダミー基板用レシピを設定するようにしてもよい。また、プロセスチャンバPM1とプロセスチャンバPM2とで異なるダミー基板レシピの設定を行えるようにしてもよい。
処理開始条件時間設定部24には、生産基板処理未実行間隔が設定される。より具体的には、処理開始条件時間設定部24には、プロセスチャンバPM1,PM2の空き時間(使用していない時間)、すなわち運用開始指示が送信されるまでの時間が設定される。例えば、図3に示すように、処理開始条件時間として10分が設定されている。操作部12は、運用開始(製品基板の処理を開始)するときに、運用開始指示を受けつける。この処理開始条件設定部24の設定が0時間0分である場合、制御部17は、ダミー基板用レシピを実行する。このようにして、処理開始条件時間設定部24に時間を設定することによりダミー基板用レシピを実行するか否かを判定することが可能となっている。なお、プロセスチャンバPM1でダミー基板用レシピを実行し、プロセスチャンバPM2でダミー基板用レシピを実行しない設定を行えるようにしてもよい。
ダミー基板枚数設定部26には、使用するダミー基板の枚数が設定される。
なお、このダミー基板枚数設定部26において、プロセスチャンバPM1とプロセスチャンバPM2とで使用するダミー基板の枚数を変えた設定を行えるようにしてもよい。
なお、このダミー基板枚数設定部26において、プロセスチャンバPM1とプロセスチャンバPM2とで使用するダミー基板の枚数を変えた設定を行えるようにしてもよい。
次に、半導体製造装置1の運用方法を図4及び5に基づいて説明する。
図4に示すように、半導体製造装置1の装置立ち上げ時において、統括コントローラ13、PMC(1)14及びPMC(2)15は、操作部12より該操作部12のダミー基板処理設定画面20を介して設定された設定データを含む装置パラメータをダウンロードする。
図4に示すように、半導体製造装置1の装置立ち上げ時において、統括コントローラ13、PMC(1)14及びPMC(2)15は、操作部12より該操作部12のダミー基板処理設定画面20を介して設定された設定データを含む装置パラメータをダウンロードする。
PMC(1)14及びPMC(2)15は、操作部12よりダウンロードした装置パラメータを各メモリ(図示しない)に保存する。PMC(1)14及びPMC(2)15は、それぞれが管理するPMC内部管理データとして、ダミー基板用レシピが実行されたダミー基板の枚数(ダミー基板処理カウント)と、ダミー基板用レシピを実行するまでの時間(ダミー基板処理が必要となるまでの時間)等を管理する。ここでは、PMC(1)14及びPMC(2)15は、ダミー処理カウントを0回とし、また、ダミー基板処理が必要となるまでの残時間を算出し、該残時間を操作部12に対して例えば1秒周期でモニタ報告する。このとき、基板処理装置1はアイドル状態となる。
操作部12は、運用開始(生産基板の処理を開始)する時に、PMC(1)14又はPMC(2)15より報告されたダミー基板処理が必要となるまでの残時間が0時間0分の場合、統括制御コントローラ13に対して運用開始指示により、ダミー基板処理を実行する必要の有無、ダミー基板処理枚数等の情報を送信する。例えば、図4に示すように、操作部12は、運用開始指示により、ダミー基板処理を実行する必要有り、ダミー基板処理枚数2枚(図3の設定部26に設定されている枚数)との情報を含むデータを統括コントローラ13に対して送信する。但し、前記残時間が0時間0分でない場合、予めダミー基板処理枚数がある値に設定されていても前記ダミー基板処理枚数は0枚として統括コントローラ13に送信される。このとき、半導体製造装置1はアイドル状態から運用開始状態に移行する。
統括制御コントローラ13は、操作部12より運用開始指示を受けると、該運用開始指示とともに送信されるデータに応じて、ダミー基板処理を行う。上記データによりダミー基板用レシピを実行する場合、VLロボットコントローラ13a及び大気ロボットコントローラ13bを介してローダハンドラLH及び真空ロボットハンドラTH1を制御し、ロードポートLP1又はロードポートLP2よりプロセスチャンバPM1に1枚目のダミー基板を搬送する。統括制御コントローラ13は、プロセスチャンバPM1への1枚目のダミー基板の搬送が完了すると、PMC(1)14に対してダミー基板処理を許可する指示(ダミー基板処理指示)を行なう。
PMC(1)14は、統括制御コントローラ13よりダミー基板処理指示を受けると、PMC内部管理データとしてのダミー処理カウントが0回であることをチェックし、ダミー基板処理設定画面20を介して1枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行する。続いて、PMC(1)14は、PMC内部管理データを更新する。具体的には、PMC(1)14は、ダミー処理カウントを1回とする。PMC(1)14は、1枚目のダミー基板に設定されたダミー基板用レシピが終了すると、統括制御コントローラ13に対してダミー基板処理終了報告を行なう。
なお、プロセスチャンバPM2に対しても上記同様の処理を行なう。すなわち、統括制御コントローラ13は、プロセスチャンバPM2に対してもダミー基板1枚目を搬送し、PMC(2)15は、1枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行し、統括制御コントローラ13に対してダミー基板処理終了報告を行なう。
図5に示すように、統括制御コントローラ13は、PMC(2)15よりダミー基板終了報告を受けると、VLロボットコントローラ13aを介して真空ロボットハンドラTH1を制御し、プロセスチャンバPM1からダミー基板1枚目を取り出し、2枚目のダミー基板をプロセスチャンバPM1へ搬送する。統括制御コントローラ13は、プロセスチャンバPM1への2枚目のダミー基板の搬送が完了すると、PMC(1)14に対してダミー基板処理指示を行なう。
PMC(1)14は、統括制御コントローラ13よりダミー基板処理指示を受けると、内部管理データのダミー処理カウントが1回であることをチェックし、ダミー基板処理設定画面20を介して2枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行する。PMC(1)14は、2枚目のダミー基板に対するダミー基板処理が正常に終了すると、操作部12のダミー基板処理設定画面20を介して設定されたダミー基板枚数とPMC(1)14で処理したダミー基板の枚数とが一致したことを確認し、ダミー基板処理カウントを0回に戻し、統括制御コントローラ13に対してダミー基板処理終了報告を行なう。また、PMC(1)14は、ダミー基板処理が必要となるまでの残時間に操作部12のダミー基板処理設定画面20を介して設定されたダミー基板処理開始条件時間を設定し、以後1分毎に該残時間のカウントダウンを行なう。
なお、プロセスチャンバPM2に対しても上記同様の処理を行う。すなわち、統括制御コントローラ13は、プロセスチャンバPM2に対しても2枚目のダミー基板を搬送し、PMC(2)15は、2枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行し、ダミー基板用レシピが正常に終了すると、統括制御コントローラ13に対してダミー基板処理終了報告を行なう。
統括制御コントローラ13は、PMC(2)15よりダミー基板処理終了報告を受けると、VLロボットコントローラ13aを介して真空ロボットハンドラTH1を制御し、プロセスチャンバPM1からダミー基板2枚目を取り出し、生産基板をプロセスチャンバPM1へ搬送する。統括制御コントローラ13は、プロセスチャンバPM1への生産基板の搬送が完了すると、PMC(1)14に対して生産基板処理指示を行なう。
PMC(1)14は、統括制御コントローラ13より生産基板処理指示を受けると、生産基板に対して設定された生産基板用レシピを実行する。PMC(1)14は、生産基板処理が正常に終了すると、統括制御コントローラ13に対して生産基板処理終了報告を行ない、PMC内部管理データを更新する。具体的には、PMC(1)14は、操作部12のダミー基板処理設定画面20を介してダミー基板処理開始条件時間に予め設定されている時間を設定し、以後1分毎に該設定時間のカウントダウンを行なう。
なお、プロセスチャンバPM2に対しても上記同様の処理を行なう。すなわち、統括制御コントローラ13は、プロセスチャンバPM2に対しても2枚目のダミー基板の取り出し及び生産基板の搬送を行い、PMC(2)15は、該生産基板に対して設定された生産基板用レシピを実行し、生産基板用レシピが正常に終了すると、統括制御コントローラ13に対して生産基板処理終了報告を行なう。
統括制御コントローラ13は、PMC(1)14及びPMC(2)15より生産基板処理終了報告を受けると、操作部12に対して運用終了報告を行なう。これにより、半導体製造装置1は再度アイドル状態に移行する。
なお、ダミー基板処理中に異常が発生し運用が中止された場合、PMC(1)14又はPMC(2)15はダミー基板処理カウントを0に戻すようになっている。したがって、次回、基板処理装置1が新たに運用を開始した場合、再度、ダミー基板1枚目に設定されたダミー基板用レシピから実行される。尚、ダミー処理時間開始条件時間を強制的に0時間0分にするようにしてもよい。
次に、実施例1及び2について説明する。
[実施例1]
上述した操作部12におけるダミー基板処理設定画面20のダミー基板用レシピ設定部22において、1枚目のダミー基板に対して第1のダミー基板用レシピであるDummy_Recipe1を設定し、2枚目のダミー基板に対して第2のダミー基板用レシピであるDummy_Recipe2を設定する。第1のダミー基板用レシピにはプロセスチャンバPM1内の温度を上げる処理が設定されており、第2のダミー基板用レシピには上昇しすぎたプロセスチャンバPM1内の温度を調節する処理が設定されている。
上述した操作部12におけるダミー基板処理設定画面20のダミー基板用レシピ設定部22において、1枚目のダミー基板に対して第1のダミー基板用レシピであるDummy_Recipe1を設定し、2枚目のダミー基板に対して第2のダミー基板用レシピであるDummy_Recipe2を設定する。第1のダミー基板用レシピにはプロセスチャンバPM1内の温度を上げる処理が設定されており、第2のダミー基板用レシピには上昇しすぎたプロセスチャンバPM1内の温度を調節する処理が設定されている。
まず、プロセスチャンバPM1に1枚目のダミー基板を搬送し、PMC(1)14は、1枚目のダミー基板に対して第1のダミー基板用レシピ(Dummy_Recipe1)を実行し、プロセスチャンバPM1内の温度を上げる処理を行なう。これにより、生産間隔(生産基板用レシピの実行間隔)が空くことにより冷えたプロセスチャンバPM1内の温度を上げることができる。
プロセスチャンバPM1の温度を上げるためのプロセス条件は、生産基板用レシピの処理条件よりも反応室(プロセスチャンバPM1)の温度が上がり易い条件が適している。以下例示すると、1.加熱源(ヒータやランプ)の出力を生産基板用レシピよりも高くする。2.加熱時間を生産基板用レシピよりも長くする。3.上記1と2の条件を組合せる。4.反応室(プロセスチャンバPM1)全体に熱が行き渡り易くする目的で、反応室内の圧力を生産基板用レシピよりも高くして熱伝導を良くする。5.1〜3のいずれかと4を組合せる。などが挙げられる。上記第1のダミー基板用レシピとして、例えば、プロセスチャンバPM1が、ランプ加熱を行う場合の一例を以下に挙げる。
ランプ照射時間 17.5分
ランプ出力 80%(約2.5KW)
ヒータ設定温度 900℃(生産基板用レシピの温度条件が900℃の場合)
ガス流量 500sccm
ガス種 N2
圧力 100Pa
ランプ照射時間 17.5分
ランプ出力 80%(約2.5KW)
ヒータ設定温度 900℃(生産基板用レシピの温度条件が900℃の場合)
ガス流量 500sccm
ガス種 N2
圧力 100Pa
続いて、プロセスチャンバPM1から1枚目のダミー基板を取り出し、プロセスチャンバPM1内に2枚目のダミー基板を搬送する。PMC(1)14は、2枚目のダミー基板に対して第2のダミー基板用レシピ(Dummy_Recipe2)実行し、プロセスチャンバPM1内の上がりすぎた温度を調整する。
プロセスチャンバPM1の温度を安定させるためのプロセス条件は、反応室(プロセスチャンバPM1)内の温度を、生産基板用レシピのプロセス条件で処理を繰り返した際に落ち着く温度に調整するための条件であり、基本的には、生産基板用レシピと同じプロセス条件で行う。このダミー基板用レシピのプロセス条件は、生産基板用レシピと同じプロセス条件或いは類似のプロセス条件にする必要があるため、生産基板用レシピのプロセス条件に応じて作成されるものである。例えば、上記第2のダミー基板用レシピ(Dummy_Recipe2)の一例として以下に挙げる。
ランプ照射時間 4分程度
ランプ出力 50%程度
ヒータ設定温度 900℃(生産基板用レシピの温度条件が900℃の場合)
ガス流量 数百〜1000sccm
ガス種 N2,O2,H2(特に限定なし)
圧力 0.1〜300Pa程度(特に限定なし)
ランプ照射時間 4分程度
ランプ出力 50%程度
ヒータ設定温度 900℃(生産基板用レシピの温度条件が900℃の場合)
ガス流量 数百〜1000sccm
ガス種 N2,O2,H2(特に限定なし)
圧力 0.1〜300Pa程度(特に限定なし)
このように、複数枚それぞれのダミー基板に対して複数枚それぞれのダミー基板に適したダミー基板用レシピを指定することで、各ダミー基板に同一のダミー基板レシピのみ設定可能であるものと比較し、プロセスチャンバPM1内をより短時間で最適な温度に調整することができ、処理時間の短縮を実現することができる。
本実施例によれば、ダミー基板を2枚用いて、上記第1のダミー基板用レシピと上記第2のダミー基板用レシピを実行した場合について記述されているが、枚数は2枚に限らない。また、ダミー基板用レシピとしてランプ加熱を行う場合を例示しているが、当然ランプ加熱に限らない。また、反応室の温度を上げるためのダミー基板用レシピは、基本的に常温(20℃程度)から生産基板用レシピを繰り返した際に落ち着く温度(プロセス条件による温度)以上まで反応室の温度を上げる必要がある。従い、ダミー基板用レシピの温度条件(ヒータ設定温度)として生産基板用レシピの温度と同じ設定にしているが、生産基板用レシピの温度条件より高い温度設定でも構わず、更に、ランプ照射時間は生産基板用レシピの時間よりも短い時間設定でも構わない。その他、ガス流量や圧力の設定も種々変更されても良い。
[実施例2]
本実施例においては、プロセスチャンバPM1には第1の加熱手段であるヒータと第2の加熱手段であるLampヒータとが設けられており、プロセスチャンバPM2には第1の加熱手段であるヒータのみが設けられている。
本実施例においては、プロセスチャンバPM1には第1の加熱手段であるヒータと第2の加熱手段であるLampヒータとが設けられており、プロセスチャンバPM2には第1の加熱手段であるヒータのみが設けられている。
上述した操作部12におけるダミー基板処理設定画面20の処理開始時間設定部24において、プロセスチャンバPM1に対してダミー基板用レシピを実行する設定、すなわち0時間0分以外を設定し、プロセスチャンバPM2に対してダミー基板用レシピを実行しない所定の設定をする。
生産基板を処理する際(プロセス処理時)には、プロセスチャンバPM1内の温度は、プロセスチャンバPM2内の温度と比較してより高い温度に設定される。したがって、生産間隔(生産基板用レシピの実行間隔)が空くと、プロセスチャンバPM1内はプロセスチャンバPM2と比較し、温度の低下率が大きくなる。
これにより、温度の低下率が大きいプロセスチャンバPM1においては、該プロセスチャンバPM1内の温度を調整する必要があるため、ダミー基板用レシピが実行される。一方、温度の低下率が小さい(温度が維持されている)プロセスチャンバPM2にはおいてはダミー基板用レシピが実行されない。このように、プロセスチャンバ毎にダミー基板用レシピを実行させるか否かを設定することができる。ここで、ダミー基板用レシピの一例として、実施例1で詳述したようなプロセスチャンバPM1の温度を上げるためのダミー基板用レシピとプロセスチャンバPM1の温度を安定化させるためのダミー基板用レシピを組み合わせて実行してもよいし、又は、上述した2つのダミー基板用レシピのうち一つを選択して実行しても良い。また、図3の設定画面において、温度の低下率を設定する設定部を追加して、温度の低下率によりダミー基板用レシピを実行するか否かを設定することもできる。
なお、上述した実施例では、半導体製造装置だけでなくLCD装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置において、処理時間を短縮させる必要のあるものに利用することができる。
1 半導体製造装置
2 第1の処理モジュール
3 第2の処理モジュール
11 制御用コントローラ
12 操作部
17 制御部
18 記憶部
20 ダミー基板処理設定画面
22 ダミー基板用レシピ設定部
24 処理開始時間設定部
26 ダミー基板枚数設定部
LH ローダハンドラ
CS1 カセット
CS2 カセット
2 第1の処理モジュール
3 第2の処理モジュール
11 制御用コントローラ
12 操作部
17 制御部
18 記憶部
20 ダミー基板処理設定画面
22 ダミー基板用レシピ設定部
24 処理開始時間設定部
26 ダミー基板枚数設定部
LH ローダハンドラ
CS1 カセット
CS2 カセット
Claims (1)
- 基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュールと、
前記基板を収納した基板収容容器を導入する少なくとも1つの導入ポートと、
前記導入ポートに載置された前記基板収容容器内の基板を前記処理モジュールに搬送する搬送装置と、
各種レシピを保存する格納手段と、
前記基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部と、
前記操作画面で指示されたレシピを実行する制御部と、
を有する基板処理装置であって、
前記操作部は、前記処理モジュール毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定することを特徴とする基板処理装置。
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