JP2006093494A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
レシピ編集画面からソフトガスパターン画面等の個別制御パラメータ設定画面に切換えた場合に、該個別制御パラメータ設定画面上にＩＤ番号等のレシピ編集情報を表示可能とし、個別制御パラメータ設定での誤設定の発生を防止する。
【解決手段】
各ステップ毎に制御パラメータを設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、該基板処理装置が表示部４７を具備し、前記表示部に任意のステップに於けるレシピ編集画面、及びレシピのステップ毎の個別制御パラメータ設定画面を表示可能であり、任意のステップのレシピ編集画面上での所定操作で前記個別制御パラメータ設定画面に移行可能であると共に該個別制御パラメータ設定画面には少なくともステップ番号が表示される様構成した。
【選択図】 図３

Description

本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。

半導体装置を製造する装置として、縦型反応炉を有し、該反応炉内で基板、例えばシリコンウェーハを基板保持具により水平姿勢で多段に保持して処理するバッチ式の縦型基板処理装置、一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置がある。

基板処理装置に於いて、例えば拡散処理を行う場合は、基板を加熱した状態で反応ガスを供給し、反応炉内で反応ガスと基板を反応させることで不純物の拡散が行われる。処理中の圧力、加熱温度、供給する反応ガスの種類、供給流量等の処理条件はレシピとして設定され、基板処理は事前に設定したシーケンスプログラムに従って、前記反応炉の加熱状態の制御、バルブの開閉、流量制御器の流量制御等が実行される。

図９は、従来の基板処理装置の制御装置の概略を示している。

図９中、１は制御装置を示しており、該制御装置１には入出力制御部２を介して基板移載機３、反応炉４、真空ポンプ、バルブ等のガス給排系６、流量制御器７等が接続され、前記制御装置１からの指令により前記基板移載機３、反応炉４、ガス給排系６、流量制御器７等が駆動制御される。

前記制御装置１は、主演算部（ＣＰＵ）８、半導体メモリ（ＲＡＭ）等の主記憶部９、ＨＤＤ等の外部記憶装置１１、キーボード、操作パネル等の操作部１２、表示部１３を具備している。

前記外部記憶装置１１はプログラム格納エリア１５、データ格納エリア１６を有し、前記プログラム格納エリア１５にはレシピ編集画面表示モジュール、ソフトガスパターン画面表示モジュール、制御パラメータ展開モジュール、レシピシーケンス制御モジュール等のプログラムが格納され、前記データ格納エリア１６には処理条件を設定したレシピデータ、前記反応炉４の温度制御、前記流量制御器７の制御に必要なパラメータが格納され、或は基板処理の履歴データ等が記録される。

前記主記憶部９には、前記主演算部８により前記画面表示モジュール、制御パラメータ展開モジュール、レシピシーケンス制御モジュールが展開された場合に、前記画面表示モジュール、制御パラメータ展開モジュール、レシピシーケンス制御モジュール、レシピデータ等のデータが一時的に格納されるプログラム格納エリア１７、データ格納エリア１８を有する。

前記表示部１３には、前記レシピ編集画面表示モジュールの展開によりレシピ編集画面が表示され、又前記ソフトガスパターン画面表示モジュールの展開によりレシピ編集画面中から所要の釦をクリック又はタッチすることでソフト的に切換えられ、ガスパターン画面が表示される。

一般に基板処理装置で基板処理を行う場合、予め処理条件を設定したレシピが処理毎に作成され、上記レシピは所要数の処理ステップで構成される。又ステップ毎にガス流量、ガス圧の処理条件、即ち制御パラメータが設定されている。作成されたレシピは、例えば前記外部記憶装置１１に記憶される。

図１０を参照して従来の基板処理装置に於けるレシピの作成、基板処理について説明する。

レシピを作成する場合、先ず前記操作部１２よりレシピ編集画面表示モジュールが起動、展開され、レシピ編集画面が前記表示部１３に表示される。

レシピ編集画面はレシピを構成する各ステップ毎の表示が可能となっており、又各ステップ毎のレシピ編集画面から個別制御パラメータを設定するソフトガスパターン画面表示モジュールの起動、展開が可能となっており、該ソフトガスパターン画面表示モジュールが展開されることで、ステップに対応したソフトガスパターン画面が前記表示部１３に表示可能となっている。

ソフトガスパターン画面は画面中で個別制御パラメータを設定可能となっており、例えば、反応ガス供給ライン、排気ガスラインのバルブのＯＮ／ＯＦＦの設定、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングの設定等を設定可能となっており、各ステップ毎のバルブのＯＮ／ＯＦＦの設定、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングの設定等することで、レシピの作成が行われる。

作成されたレシピはレシピデータとして前記データ格納エリア１６に格納される。

基板の処理が行われる場合は、前記操作部１２の操作により、前記主演算部８を介して前記プログラム格納エリア１５からレシピシーケンス制御モジュールが読込まれて起動展開される。該レシピシーケンス制御モジュールは前記データ格納エリア１６から要求されたレシピデータを読込み、該レシピデータは前記データ格納エリア１８に記録される。又、前記データ格納エリア１６から基板処理に必要な制御パラメータが読込まれ、前記データ格納エリア１８に格納される。

前記主演算部８は、前記レシピシーケンス制御モジュールに従って、前記データ格納エリア１８から処理条件を参照し、又該データ格納エリア１８に格納された制御パラメータを参照しつつ、前記基板移載機３による基板の搬入出、前記反応炉４の温度制御、前記真空ポンプの起動停止、前記バルブの開閉制御、前記流量制御器７による反応ガスの流量制御を行って基板に所要の処理を実行する。

上記従来の基板処理装置に於いて、レシピを作成する場合、先ず前記表示部１３にレシピ編集画面を表示させ、各ステップ毎の制御パラメータ（ヒータの加熱温度、反応ガスの供給流量、処理圧力）の設定を行い、更に前記レシピ編集画面上でソフトガスパターン画面表示モジュールを起動し、前記レシピ編集画面表示からソフトガスパターン画面表示に切換え、該ソフトガスパターン画面上で所要な事項の個別設定、例えばバルブのＯＮ／ＯＦＦの設定、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングの設定等を行っていた。

バルブのＯＮ／ＯＦＦの設定、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングの設定作業中は、レシピの設定作業中のステップについての情報、例えば第ｎステップであるのか、又は第ｎステップの実行時間（処理時間）等が見ることができず、これらレシピの設定作業中のステップについての情報は作業者の記憶に頼った作業となっていた。

この為、作業者の勘違い等を招く虞れがあり、誤設定の発生する虞れがあった。

本発明は斯かる実情に鑑み、レシピ編集画面からソフトガスパターン画面等の個別制御パラメータ設定画面に切換えた場合に、該個別制御パラメータ設定画面上にステップ番号等のレシピ編集情報を表示可能とし、個別制御パラメータ設定での誤設定の発生を防止するものである。

本発明は、各ステップ毎に制御パラメータを設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、該基板処理装置が表示部を具備し、前記表示部に任意のステップに於けるレシピ編集画面、及びレシピのステップ毎の個別制御パラメータ設定画面を表示可能であり、任意のステップのレシピ編集画面上での所定操作で前記個別制御パラメータ設定画面に移行可能であると共に該個別制御パラメータ設定画面には少なくともステップ番号が表示される様構成した基板処理装置に係るものである。

本発明によれば、各ステップ毎に制御パラメータを設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、該基板処理装置が表示部を具備し、前記表示部に任意のステップに於けるレシピ編集画面、及びレシピのステップ毎の個別制御パラメータ設定画面を表示可能であり、任意のステップのレシピ編集画面上での所定操作で前記個別制御パラメータ設定画面に移行可能であると共に該個別制御パラメータ設定画面には少なくともステップ番号が表示される様構成したので、レシピ編集作業者はステップ番号を参照しつつ設定作業を行えるので、誤設定が防止されるという優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。尚、図９で説明したものと同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。

先ず、本発明が実施される基板処理装置の一例を図１に示される縦型反応炉を具備する縦型基板処理装置に於いて説明する。

本発明の処理装置２１は、シリコン等から成るウェーハ（基板）２０を収納したポッド（基板収納容器）２２を、外部から筐体２３内へ搬入搬出する為のＩ／Ｏステージ（保持具授受部）２４が前記筐体２３の前面に設けられ、該筐体２３内には搬入された前記ポッド２２を保管する為のカセット棚（載置手段）２５が設けられている。又、前記筐体２３内の中程には、前記ウェーハ２０を移載する為のＮ2 パージ室（第１の気密室）２６が設けられている。該Ｎ2 パージ室２６は、平面形状が５角形をした気密容器となっており、該Ｎ2 パージ室２６にはＮ2 ガス等の不活性ガスの供給源（図示せず）及び排気装置（図示せず）が接続されており、前記ウェーハ２０の処理を行なう時の前記Ｎ2 パージ室２６の内部は排気され、又不活性ガスがガスパージされ、前記ウェーハ２０に自然酸化膜が形成されることが防止される様になっている。

前記ポッド２２としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、該ポッド２２の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気から前記ウェーハ２０を隔離して搬送でき、前記蓋体を取外すことで前記ポッド２２内へ前記ウェーハ２０を入出させることができる。このポッド２２の蓋体を取外し、該ポッド２２内と前記Ｎ2 パージ室２６とを連通させる為に、該Ｎ2 パージ室２６の前面側には、ポッドオープナ（開閉手段）２７が設けられている。該ポッドオープナ２７、前記カセット棚２５、及び前記Ｉ／Ｏステージ２４間の前記ポッド２２の搬送は、カセット搬送機２８によって行われる。該カセット搬送機２８による前記ポッド２２の搬送空間２９には、前記筐体２３に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。

前記筐体２３の後方には、前記Ｎ2 パージ室２６の対峙する２つの傾斜面にそれぞれロードロック室（第２の気密室）３１がゲート弁３０を介して気密に連設され、前記各ロードロック室３１の上方には炉口シャッタ３２を介して縦型の反応炉４が気密に立設され、該反応炉４内は前記ウェーハ２０を処理する処理室となっている。

前記ゲート弁３０は前記Ｎ2 パージ室２６と連通する開口部を開閉する仕切手段であり、開口部を通して前記Ｎ2 パージ室２６と前記ロードロック室３１間で前記ウェーハ２０の搬送が可能であり、前記ゲート弁３０が開口部を気密に閉鎖することにより、前記ロードロック室３１は前記Ｎ2 パージ室２６とは独立した気密室となる。又前記ロードロック室３１は、Ｎ2 等の不活性ガスの供給源（図示せず）、及び排気装置（図示せず）とに接続され、Ｎ2 等の不活性ガスが充満されたり、或は減圧雰囲気とされる。

前記ロードロック室３１には、ボートエレベータ（昇降手段）３４が設けられている。該ボートエレベータ３４は前記ウェーハ２０を水平姿勢で多段に保持する基板保持具であるボート３５を前記反応炉４へローディング、アンローディングする様になっている。

前記Ｎ2 パージ室２６の内部には、前記ウェーハ２０のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を所定の任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置３６と、前記反応炉４でウェーハの処理を行なう前後の前記ウェーハ２０を一時仮置きしておく載置台３７と、前記ポッドオープナ２７上のポッド２２、基板位置合わせ装置３６、載置台３７、ロードロック室３１内のボート３５の間で前記ウェーハ２０の搬送を行なう基板移載機（基板移載手段）３とが設けられている。

前記カセット搬送機２８、前記基板移載機３、前記反応炉４、処理条件の設定、処理中の反応ガス供給流量、処理温度、処理圧力、前記Ｎ2 パージ室２６のガスパージ、排気、前記ロードロック室３１のガスパージ、排気等は後述する制御装置４０によって制御される。

以下、作動について説明する。

先ず、ＡＧＶやＯＨＴ等により前記筐体２３の外部から搬送されてきた前記ポッド２２は、前記Ｉ／Ｏステージ２４に載置される。該Ｉ／Ｏステージ２４に載置された前記ポッド２２は、前記カセット搬送機２８によって、直接前記ポッドオープナ２７に搬送されるか、又は、一旦前記カセット棚２５に載置された後に前記ポッドオープナ２７に搬送される。該ポッドオープナ２７に搬送された前記ポッド２２は、前記ポッドオープナ２７によって蓋体を取外され、前記ポッド２２の内部雰囲気が前記Ｎ2 パージ室２６の雰囲気と連通される。

前記基板移載機３により、前記ポッド２２内から前記ウェーハ２０を取出し前記基板位置合わせ装置３６に搬送する。前記ウェーハ２０は前記基板位置合わせ装置３６によって所定の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行なわれる。

位置合わせ後、前記ウェーハ２０は、前記基板移載機３によって、前記２つのロードロック室３１の内のどちらか１つのロードロック室３１内のボート３５へ直接移載されるか、或は前記載置台３７に移載され、該載置台３７に一時載置された後にどちらかのロードロック室３１のボート３５へ搬送される。

２つの内のどちらのボート３５へ前記ウェーハ２０を搬送するかについては、設定により任意に選択でき、例えば、２つのボート３５に交互に搬送しもよいし、一方の反応炉４をメンテナンスしている場合等には、他方のボート３５にのみ搬送しない様にする等、種々の設定が可能である。

前記ボート３５への前記ウェーハ２０の移載が完了したならば、前記ゲート弁３０が閉じられ、前記ロードロック室３１は、不活性ガスで充満される。若しくは減圧雰囲気とされる。

ここで不活性ガスで充満されるという点について詳説する。前記した様に、元々、前記Ｎ2 パージ室２６は、不活性ガスで充満されているので、前記ゲート弁３０が開放されていれば、前記ロードロック室３１も不活性ガス雰囲気となる。前記ゲート弁３０を閉じて尚、ロードロック室を不活性ガスで充満させる意図は、前記反応炉４へローディング、アンローディングする時に該反応炉４の熱によって加熱されたウェーハ２０は、加熱されていない時のものと比べ自然酸化膜が形成され易い状態となっており、前記Ｎ2 パージ室２６の不活性ガス濃度以上に前記ロードロック室３１の不活性ガス濃度を高めることにより、更に前記ウェーハ２０上への自然酸化膜の付着防止が図れるということにある。

前記ロードロック室３１が、所定の不活性ガス雰囲気（濃度）、所定の減圧状態となると、前記炉口シャッタ３２を開け、前記ボートエレベータ３４により前記ウェーハ２０をが装填された前記ボート３５を前記反応炉４にローディングする。

該反応炉４内で前記ウェーハ２０が加熱され、又反応ガスが供給され、所要の処理が実行され、処理後は上述の逆の手順で、該ウェーハ２０が前記ポッド２２に払出され、更に該ポッド２２は前記筐体２３の外部へ搬出される。

図３は本実施の形態に於ける制御装置４０の概略を示している。

該制御装置４０は、主に操作部４１、制御部４２から構成される。

前記操作部４１は第１演算部（第１ＣＰＵ）４３、半導体メモリ等の第１主記憶部４４、ＨＤＤ等の外部記憶装置４５、キーボード、タッチパネル等の入力手段４６、ＣＲＴ、液晶表示装置等の表示部４７、第１通信制御部４８等を具備している。

前記外部記憶装置４５は、プログラム格納エリア５１、データ格納エリア５２を有し、前記プログラム格納エリア５１には図４に見られる様に、レシピ編集画面表示モジュール６６、前記第１主記憶部４４及び外部記憶装置４５へのデータ設定モジュール６７、操作部用のデータ送受信モジュール６８、制御パラメータ展開モジュール６９、レシピシーケンス制御モジュール７０、制御部用のデータ送受信モジュール７１等のプログラムが格納され、前記データ格納エリア５２には処理条件を設定したレシピデータ、反応炉４の温度制御、流量制御器７の制御に必要なパラメータが格納され、或は基板処理の履歴データ等が記録される。

前記第１主記憶部４４は、プログラム格納エリア５３、データ格納エリア５４を有し、該プログラム格納エリア５３、該データ格納エリア５４には前記第１演算部４３により前記レシピ編集画面表示モジュール６６、制御パラメータ展開モジュール６９、レシピシーケンス制御モジュール７０が展開された場合に、該レシピ編集画面表示モジュール６６、制御パラメータ展開モジュール６９、レシピシーケンス制御モジュール７０、レシピデータ等のデータが一時的に格納される。

前記表示部４７には、前記レシピ編集画面表示モジュール６６の展開によりレシピ編集画面が表示され、又レシピ編集画面中から所要の釦をクリック或はタッチすることでソフト的に切換えられソフトガスパターン画面が表示される。

次に、前記制御部４２について説明する。

該制御部４２は、第２演算部（第２ＣＰＵ）５６、半導体メモリ等の第２主記憶部５７、第２通信制御部５８、入出力制御部５９等を具備し、前記第２通信制御部５８と前記第１通信制御部４８とはＬＡＮ等所要の通信方法で接続され、前記制御部４２と前記操作部４１とはデータ通信が可能となっている。

前記第２主記憶部５７は、プログラム格納エリア６１、データ格納エリア６２を有し、前記第１演算部４３により前記レシピ編集画面表示モジュール６６、制御パラメータ展開モジュール６９、レシピシーケンス制御モジュール７０が展開された場合に、前記第１通信制御部４８、前記第２通信制御部５８を介して前記レシピ編集画面表示モジュール６６、制御パラメータ展開モジュール６９、レシピシーケンス制御モジュール７０、レシピデータ等のデータが読込まれ、前記プログラム格納エリア６１、前記データ格納エリア６２に一時的に格納される様になっている。

又、前記制御部４２には前記入出力制御部５９を介して、前記基板移載機３、ガス給排系６、流量制御器７等のハードウェアが接続されている。

前記制御装置４０の作用について説明する。

先ず、レシピの編集について、図４〜図８を参照して説明する。

尚、前記外部記憶装置４５には基板の処理内容に応じた基本的なレシピデータがファイルデータとして格納されている。

前記入力手段４６より前記レシピ編集画面表示モジュール６６を起動する。前記第１演算部４３により前記レシピ編集画面表示モジュール６６が前記第１主記憶部４４に読込まれ、前記レシピ編集画面表示モジュール６６が展開されて、前記表示部４７にレシピ編集画面７５（図７参照）が表示される。又、展開されたレシピに対応する処理データ設定値が前記第１主記憶部４４のデータ格納エリア５４から読込まれ、前記レシピ編集画面７５に表示される。前記表示部４７はタッチパネルとなっており、前記レシピ編集画面７５中の所要の釦をタッチすることで入力が可能となっている。

該レシピ編集画面７５が表示され、前記入力手段４６によりレシピのステップを指定する。ステップを指定することで、指定ステップｎについての設定データ（予め設定された制御パラメータ）が前記データ格納エリア５２から読込まれ、前記データ格納エリア５４に書込まれると共に前記レシピ編集画面７５に表示される。

指定ステップｎの設定データが表示された画面で、指定ステップｎに対応するバルブの開閉設定、或は流量制御器８７等についての個別制御パラメータの設定が行われる。例えば、バルブのＯＮ／ＯＦＦ設定を行う場合は、前記レシピ編集画面７５のパターンボタン８０をタッチすることで、個別制御パラメータ設定画面に移行する。例えば、図８に示される様なソフトガスパターン画面７６が表示される。又、前記データ設定モジュール６７が起動展開される。そして、バルブ及び流量制御器８７等はそれぞれ釦になっており、画面に直接タッチすることで設定できる。

前記ソフトガスパターン画面７６は反応炉８９と共にガス系統図が表示され、該ガス系統図中には配管及び配管に設けられたバルブ、流量制御器８７、又前記反応炉８９の排気配管には大気圧スイッチ８４、ポンプ８５、圧力センサ８８がそれぞれ表示されている。又、前記ソフトガスパターン画面７６はステップＩＤ表示窓７７、ステップ時間表示窓７８、ＰＲＥＶボタン７９、ＮＥＸＴボタン８１、ＯＫボタン８２を有しており、前記ステップＩＤ表示窓７７には前記データ格納エリア５４に書込まれたデータを参照して指定ステップｎの番号ｎが表示され、又前記ステップ時間表示窓７８には前記データ格納エリア５４に書込まれたデータを参照して指定ステップｎの処理時間が表示される。尚、前記流量制御器８７付近の所定の場所８６には前記レシピ編集画面７５で設定したガス流量の値が表示される。

前記ＰＲＥＶボタン７９をタッチすることで前段階のステップのソフトガスパターン画面が表示され、前記ＮＥＸＴボタン８１をタッチすることで次段階のステップのソフトガスパターン画面が表示される。

前記ソフトガスパターン画面７６上で各バルブのＯＮ／ＯＦＦを設定する。設定作業中、前記ステップＩＤ表示窓７７にはステップＩＤや前記流量制御器８７に流れるガス流量値が表示されているので、作業者はこれらを参照しつつ設定作業を行うことができ、誤設定が防止される。

指定ステップｎのバルブのＯＮ／ＯＦＦ設定が完了すると、前記ＮＥＸＴボタン８１をタッチして次のソフトガスパターン画面７６を表示させ、次ステップｎ＋１のバルブのＯＮ／ＯＦＦ設定を行う。次ステップｎ＋１のソフトガスパターン画面７６が表示されると、前記ステップＩＤ表示窓７７、ステップ時間表示窓７８には対応したステップＩＤ、ステップ時間が表示される。

尚、前ステップｎ−１の設定内容を確認する場合は、前記ＰＲＥＶボタン７９をタッチすることで前ステップｎ−１の画面が表示される。

レシピを構成する各ステップについて順次バルブのＯＮ／ＯＦＦ設定を行う。レシピを構成する全てのステップについての設定が完了すると、前記ＯＫボタン８２をタッチする。該ＯＫボタン８２のタッチにより、前記表示部４７には前記レシピ編集画面７５が表示され、該レシピ編集画面７５中の保存ボタン８３をタッチすることで、前記データ設定モジュール６７によりレシピの設定データが前記外部記憶装置４５のデータ格納エリア５２に格納される。

圧力の個別制御パラメータ設定、温度制御の個別制御パラメータ設定についても、本実施の形態の様に、個別制御パラメータ設定画面を表示して設定する場合等は同様にして行う。本実施の形態によれば、各制御パラメータについての個別制御パラメータもレシピ編集中に設定を誤ることなくできる。尚、上記個別制御パラメータ設定画面でも制御パラメータを設定できる様にしてもよい。

次に、基板処理が実行される場合を説明する。

レシピの編集が完了して、基板処理を実行する場合は、前記入力手段４６より処理内容に対応したレシピの選択を行う。

前記第１演算部４３により前記データ格納エリア５２から前記操作部用データ送受信モジュール６８、前記データ送受信モジュール７１、前記制御パラメータ展開モジュール６９、前記レシピシーケンス制御モジュール７０等基板処理を実行する場合に必要なプログラム及び該当レシピデータが読込まれ、前記第１通信制御部４８、第２通信制御部５８を介して前記操作部４１から前記制御部４２にデータが送信される。

該制御部４２に送信されたデータは、前記第２演算部５６を介して前記第２主記憶部５７の前記プログラム格納エリア６１、前記データ格納エリア６２に格納される。前記制御パラメータ展開モジュール６９、レシピシーケンス制御モジュール７０が展開され、前記第２主記憶部５７内に格納されたレシピデータ、各種設定パラメータを参照して、前記基板移載機３の移載動作、前記反応炉４の加熱制御、前記ガス給排系６の給排、前記流量制御器７の流量制御の制御をして、基板処理を実行する。

尚、前記操作部４１と前記制御部４２とは機能が分離独立しているので、基板処理に必要なデータが前記制御部４２に送信されると、該制御部４２は前記プログラム格納エリア６１、データ格納エリア６２に格納されたデータに基づき前記操作部４１とは独立して基板処理の実行が可能となる。従って、基板処理が実行されている間に基板処理と並行して他のレシピ編集を行うことが可能となる。

又、複数の基板処理装置の操作部を省略し、１つの操作部４１に対して複数の基板処理装置の制御部４２をＬＡＮ等の通信手段で接続することで、１つの操作部で複数の基板処理装置のレシピの編集、複数の基板処理装置の基板処理を管理することができる。

又、前記入力手段４６はキーボード等を別途設けてもよく、或は前記表示部４７のタッチパネルを前記入力手段４６としてもよい。

又本発明は、バッチ式の基板処理装置に限らず、枚葉式の基板処理装置に実施可能であることは言う迄もない。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）各ステップ毎に制御パラメータ（温度、ガス流量、圧力等）を設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、所定ステップに於ける制御パラメータの設定を行う為のレシピ編集画面と、処理室に接続されるガス排管を示すと共に前記レシピ編集画面で設定したガスを流す為にバルブの開閉を設定するガスフローパターン画面とを有し、所定ステップに於けるレシピ編集画面から当該ステップに対応した前記ガスフローパターンパネル画面に所定の操作で表示変更されると共に前記ガスフローパターン画面上に前記ステップに対応するステップ番号が表示されることを特徴とする基板処理装置。

（付記２）前記ガスフローパターン画面上に設けられたボタンを押すことで、他のステップのガスフローパターンが表示される付記１の基板処理装置。

（付記３）各ステップ毎に制御パラメータを設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、表示部に所定ステップに於けるレシピ編集画面を表示する工程と、該レシピ編集画面から少なくともステップ番号が表示されたレシピのステップ毎の個別制御パラメータ設定画面に移行表示する工程と、該個別制御パラメータ設定画面により個別制御パラメータを設定する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。

（付記４）各ステップ毎に制御パラメータ（温度、ガス流量、圧力等）を設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、所定ステップに於ける制御パラメータの設定を行う為のレシピ編集画面を表示する工程と、所定ステップに於けるレシピ編集画面から、所定の操作で当該ステップに対応し該ステップに対応するステップ番号が表示されたガスフローパターン画面に表示変更する工程と、該ガスフローパターン画面によりバルブの開閉の設定を行う工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。

本発明が実施される基板処理装置の一例を示す概略斜視図である。 同前基板処理装置の概略平面図である。 同前基板処理装置の概略構成図である。 同前基板処理装置の機能構成図である。 同前基板処理装置に於けるレシピ編集の手順を示す説明図である。 同前基板処理装置に於けるレシピ編集のフローチャートである。 同前基板処理装置に於けるレシピ編集時の表示画面の一例を示す図である。 同前基板処理装置に於けるソフトガスパターンの表示画面の一例を示す図である。 従来の基板処理装置の制御装置の概略構成図である。 従来の基板処理装置の機能構成図である。

符号の説明

３ 基板移載機
４ 反応炉
６ ガス給排系
７ 流量制御器
２２ ポッド
２８ カセット搬送機
３４ ボートエレベータ
４０ 制御装置
４１ 操作部
４２ 制御部
４３ 第１演算部
４４ 第１主記憶部
４５ 外部記憶装置
４６ 入力手段
４７ 表示部
４８ 第１通信制御部
５１ プログラム格納エリア
５２ データ格納エリア
５６ 第２演算部
５７ 第２主記憶部
５８ 第２通信制御部
５９ 入出力制御部
６１ プログラム格納エリア
６２ データ格納エリア

Claims (1)

1. 各ステップ毎に制御パラメータを設定してレシピを作成し、該レシピを実行することにより基板の処理を行う基板処理装置に於いて、該基板処理装置が表示部を具備し、前記表示部に任意のステップに於けるレシピ編集画面、及びレシピのステップ毎の個別制御パラメータ設定画面を表示可能であり、任意のステップのレシピ編集画面上での所定操作で前記個別制御パラメータ設定画面に移行可能であると共に該個別制御パラメータ設定画面には少なくともステップ番号が表示される様構成したことを特徴とする基板処理装置。

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