JP4616798B2 - 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法 - Google Patents
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本発明は基板処理装置に関するものであり、特に、基板処理のシーケンスの内容を操作画面に表示させるようにした基板処理装置に関するものである。
一般に、縦型基板処理装置には、モニタを備えたプロセス制御モジュールが搭載されている。
従来のプロセス制御モジュールは、基板処理を実施する際に、外部からのインターロック（Ｈ２リーク、Ｏ２濃度検知異常、Ｈ２濃度検知異常等）やガス流量の上限値、下限値、及びガス流量比率のチェックを、基板処理のステップ毎に、ハードウエアとソフトウエアで二重にチェックし、チェック内容やチェック項目を画面に表示させるようになっている。
そして、異常と判定されたときに、チェック内容の表示やチェック項目の表示を赤色に変更することで装置作業者に警告し、その後に、予め設定されていたエラー処理を実施する。
また、エラー処理では、次回の正常な使用を可能とするためリカバリー処理を実施する。このリカバリー処理は、マニュアル操作でＮ２バルブを開（ＯＰＥＮ）として炉内の危険なガスをＮ２ガスにより排気管に押し出すといった処理である。
しかし、チェック項目等がテキスト形式で、しかもステップ毎の情報のみがモニタに表示されるので、ハードウエア、ソフトウエアでチェックしている期間が明確でないという問題があり（図１１、Ａ参照）、チェックの実施中かどうかも分からない。また、Ｈ２バルブの開閉を示す表示（図１１、Ｂ参照）があってもどこに何のバルブがあるのか分からない。
また、チェック異常が発生した場合、リカバリー処理として、装置作業者がマニュアル操作でＮ２バルブを開（ＯＰＥＮ）として炉内の危険なガスをＮ２ガスで押し出した後、基板処理装置の復旧作業が実施される。ところが、前記プロセス制御モジュールは、ステップ毎の情報のみをモニタに表示させるシステムとなっていて、事前のステップの画面情報を現在のステップで書き換えてしまい、チェック異常時のモニタの表示情報だけでは情報が足らず、復旧作業の終了までに多くの時間が掛かってしまうという問題がある（図１１）。
従来のプロセス制御モジュールは、基板処理を実施する際に、外部からのインターロック（Ｈ２リーク、Ｏ２濃度検知異常、Ｈ２濃度検知異常等）やガス流量の上限値、下限値、及びガス流量比率のチェックを、基板処理のステップ毎に、ハードウエアとソフトウエアで二重にチェックし、チェック内容やチェック項目を画面に表示させるようになっている。
そして、異常と判定されたときに、チェック内容の表示やチェック項目の表示を赤色に変更することで装置作業者に警告し、その後に、予め設定されていたエラー処理を実施する。
また、エラー処理では、次回の正常な使用を可能とするためリカバリー処理を実施する。このリカバリー処理は、マニュアル操作でＮ２バルブを開（ＯＰＥＮ）として炉内の危険なガスをＮ２ガスにより排気管に押し出すといった処理である。
しかし、チェック項目等がテキスト形式で、しかもステップ毎の情報のみがモニタに表示されるので、ハードウエア、ソフトウエアでチェックしている期間が明確でないという問題があり（図１１、Ａ参照）、チェックの実施中かどうかも分からない。また、Ｈ２バルブの開閉を示す表示（図１１、Ｂ参照）があってもどこに何のバルブがあるのか分からない。
また、チェック異常が発生した場合、リカバリー処理として、装置作業者がマニュアル操作でＮ２バルブを開（ＯＰＥＮ）として炉内の危険なガスをＮ２ガスで押し出した後、基板処理装置の復旧作業が実施される。ところが、前記プロセス制御モジュールは、ステップ毎の情報のみをモニタに表示させるシステムとなっていて、事前のステップの画面情報を現在のステップで書き換えてしまい、チェック異常時のモニタの表示情報だけでは情報が足らず、復旧作業の終了までに多くの時間が掛かってしまうという問題がある（図１１）。
このように、従来は、プロセス制御モジュールで基板処理装置の運転状態を、レシピのステップ毎に管理しており、チェック項目やチェック項目の内容等をテキスト形式でモニタに表示するシステムとしていたため、上記問題点が発生していた。
本発明の目的は、操作画面に基板処理のシーケンス（レシピ）をステップ順に並べて表示するとともに、各ステップで行なわれる内容を把握できるように表示させることで、レシピの全ステップの内容を把握できるようにすることにある。
本発明の目的は、操作画面に基板処理のシーケンス（レシピ）をステップ順に並べて表示するとともに、各ステップで行なわれる内容を把握できるように表示させることで、レシピの全ステップの内容を把握できるようにすることにある。
第１の発明は、複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示手段と、前記レシピを制御する制御手段とを有し、前記レシピを実行させることにより基板の処理を行う基板処理装置において、前記操作画面に、前記レシピの各ステップ名を表示させると共に、前記ステップ内で行なわれる基板処理の内容を示すアイコンを前記レシピの各ステップ名に対応させて表示させる表示制御手段を備えたものである。
ここで、「アイコン」とは、ステップ内で行なわれる基板処理の内容を一目で把握する図柄が施されたアイコンのことである。操作画面に、各ステップ名とともにステップ名に対応したアイコンが表示されると、一連のステップからなるレシピ（基板処理のシーケンス）が一目で把握できる。
ここで、「アイコン」とは、ステップ内で行なわれる基板処理の内容を一目で把握する図柄が施されたアイコンのことである。操作画面に、各ステップ名とともにステップ名に対応したアイコンが表示されると、一連のステップからなるレシピ（基板処理のシーケンス）が一目で把握できる。
第２の手段は、前記操作画面に、各ステップに対応する情報として、アイコンと共にガス配管図を表示させるものである。
ガス配管図（ガスフロー図）が表示されると、各ステップでのガス供給用または排気用のバルブ開閉状態やポンプのＯＮ／ＯＦＦだけでなくＯリングのリール状態やＨ２ガスに対するインターロックが生じているかを一目で把握できるので、作業効率が向上する。
ガス配管図（ガスフロー図）が表示されると、各ステップでのガス供給用または排気用のバルブ開閉状態やポンプのＯＮ／ＯＦＦだけでなくＯリングのリール状態やＨ２ガスに対するインターロックが生じているかを一目で把握できるので、作業効率が向上する。
第３の手段は、前記操作画面に、各ステップに対応する情報として、アイコンと共にステップ毎のエラーチェック項目を表示させるようにしたものである。
エラーチェック項目が表示されると、各ステップで生じているエラーの状態が一目で把握できるのでエラーが発生しても迅速な対応が可能となる。また、エラーチェック項目内のアイコン（エラーアイコン）が表示されるので、エラーの種類を容易に把握することが可能となる。
ここで、エラーアイコンとは、エラーチェック項目の内容を示すアイコンのことである。
エラーチェック項目が表示されると、各ステップで生じているエラーの状態が一目で把握できるのでエラーが発生しても迅速な対応が可能となる。また、エラーチェック項目内のアイコン（エラーアイコン）が表示されるので、エラーの種類を容易に把握することが可能となる。
ここで、エラーアイコンとは、エラーチェック項目の内容を示すアイコンのことである。
第４の手段は、前記操作画面に、各ステップに対応する情報として、ステップ名を横軸に、バルブやセンサの情報エラーチェック項目を縦軸に表示させるようにしたものである。
このようにすると、ステップ毎に、バルブやセンサの情報等が得られるので装置の状態を一目で把握できる。また、各ステップでエラーが発生してもどのバルブやセンサが原因でどのようなエラーが発生しているか一目で把握でき、復旧作業がしやすくなる。
このようにすると、ステップ毎に、バルブやセンサの情報等が得られるので装置の状態を一目で把握できる。また、各ステップでエラーが発生してもどのバルブやセンサが原因でどのようなエラーが発生しているか一目で把握でき、復旧作業がしやすくなる。
第5の手段は、第２〜第４の画面を、前記操作画面上で切り替え可能としたものである。
このようにすると、必要な情報を必要な画面で得ることができるので、が使い勝手が大幅に向上する。
このようにすると、必要な情報を必要な画面で得ることができるので、が使い勝手が大幅に向上する。
本発明によれば、ハードウエア、ソフトウエアにて実施するインターロックチェック期間、ガス流量の上限値、下限値、ガス流量比率、チェック期間、エラーが発生したステップ、エラーの詳細等、レシピの各ステップの情報を画面に明確に表示させることが可能なので、基板処理のシーケンス全体が画面上で把握でき、現在のステップ（ステータス）の状態及び実行済みのステップに対する視認性が向上する。また、ガス配管図を同一画面上に表示することにより、現在のステータスとガス状態とを対比してのモニタリングが容易になる。また、障害の発生時には、どのステータス実行中に障害が発生したのかが画面で判断できるため、復旧作業に取り掛かる時間を短縮できる。
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。
図９は、本実施の形態に係る処理装置の斜透視図として示されている。また、図１０は図９に示す処理装置の側面透視図である。
図９および図１０に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本実施形態に係る処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４，１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
図９に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
図９に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理室２０２が設けられている。処理室２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
図９に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理室２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
図９に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側およびボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
図９および図１０に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７に、ポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
図９および図１０に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７に、ポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理室２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理室２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
ローディング後は、処理室２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
図１は前記処理装置を管理し、処理装置に基板処理を実施させる装置コントローラとしてのプロセス制御モジュール１のブロック図である。プロセス制御モジュール１は、操作部２と制御部３とで構成されている。操作部２と制御部３には、それぞれ送受信モジュール４、５が組み込まれており、ＬＡＮ６を介して通信可能となっている。また、操作部２には、ユーザインタフェイスとしてモニタ７とキー入力装置８とが接続されている。操作部２には、固定記憶装置としてハードディスク９が備えられており、ハードディスク９には、プロセスレシピ２０、アラーム条件テーブル２１、ＡＢＯＲＴレシピ２２、ＰＭＣコンフィグファイル２３(プロセスモジュールコンフィグファイル)の他、画面ファイル、アイコンファイルや基板処理や画面表示のためのプログラム、基板処理に必要なテーブル類やファイル類（いずれも図示せず）が格納されている。
プロセスレシピ（基板処理のシーケンス）２０には、ステップ毎に、温度コントローラ、圧力コントローラ、弁コントローラ（後述する）等の処理装置の各サブコントローラに送信する設定値（制御値）が設定され、ＡＢＯＲＴレシピ２２には、ステップ毎のエラーチェックによりエラーが発生した場合のリカバリー処理の手順がエラーの状態毎に格納されている。また、ＰＭＣコンフィグファイル２３(プロセス制御モジュールコンフィグファイル２３)やアラーム条件テーブル２１には、ＡＢＯＲＴレシピ２２をステップ名で検索するためのテーブル番号の他、基板処理装置の制御に用いられる各種のパラメータが格納されている。
従って、ＡＢＯＲＴレシピ２２のテーブル番号が検索され、テーブル番号で検索されると、テーブル番号で検索したＡＢＯＲＴレシピ２２が実行され、このＡＢＯＲＴレシピ２２に定められた手順、内容でリカバリー処理を実施することが可能となる。なお、前記プロセスレシピ２０にはエラーチェックを実行するシーケンスが含まれている。
従って、ＡＢＯＲＴレシピ２２のテーブル番号が検索され、テーブル番号で検索されると、テーブル番号で検索したＡＢＯＲＴレシピ２２が実行され、このＡＢＯＲＴレシピ２２に定められた手順、内容でリカバリー処理を実施することが可能となる。なお、前記プロセスレシピ２０にはエラーチェックを実行するシーケンスが含まれている。
一方、制御部３には、前記サブコントローラとして、外燃装置の燃焼を制御する外燃コントローラ１０、ウエハ移載機１１の位置を制御する位置コントローラ（図示せず）、処理室２０２を加熱するヒータ１２の温度を制御することで処理室２０２の温度を調節する温度コントローラ（図示せず）、処理室２０２から排気するための減圧排気装置としての真空ポンプ（後述する）のポンプ・圧力バルブ１３を開閉する圧力コントローラ（図示せず）、処理室２０２に連通するガス配管１４の単一又は複数の原料ガス供給管の開閉と、その下流に配置されたマスフローコントローラＭＦＣの流量を制御する弁コントローラ等が接続されている。
操作部２と制御部３には、少なくとも、プロセスレシピ２０、アラーム条件テーブル２１、ＡＢＯＲＴレシピ２２、ＰＭＣコンフィグファイル２３等を格納するためのメモリ１９が設けられ、制御部３には、前記プロセスレシピ２０から各サブコントローラに対する設定値を取得してそれぞれ対応するサブコントローラに送信するための手段として、設定値送信モジュール１５が設けられると共に、テーブル番号により前記ＡＢＯＲＴレシピ２２を取得するための手段としてＡＢＯＲＴレシピ取得モジュール１６が設けられ、さらに、エラー発生時にリカバリー処理を自動で行わせるために前記ＡＢＯＲＴレシピ２２を選択するためのＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１７が設けられ、ＰＭＣコンフィグファイル２３と同様にテーブル番号により前記ＡＢＯＲＴレシピ２２を選択するためのアラーム条件テーブル２１を取得するアラーム条件テーブル設定値取得モジュール１８が設けられる。
なお、前記操作部２及び制御部３は、それぞれ、ＣＰＵ、Ｉ／Ｏ、メモリ等からなる周知のコンピュータで構成されており、各モジュールは、コンピュータのハードウエア資源を前記各手段として機能させるプログラムによって構成されている。
前記プロセス制御モジュール１を起動し、操作部２と制御部３とを起動すると、操作部２がハードディスク９に予め格納されていた画面ファイルから初期画面(起動画面)を取得してモニタ７に表示させる。初期画面にはダウンロードボタン（図示せず）が表示されていて、装置作業者又はオペレータが前記キー入力装置８（初期画面上にタッチキーが表示させる場合は指）で初期画面上のダウンロードボタンを押下すると、制御に使用されるプロセスレシピ２０やＡＢＯＲＴレシピ２２等がメモリに格納される。なお、このようなダウンロードは起動時に自動的に行われるようにしてもよい。
この場合、操作部２、具体的には、ＣＰＵにより、ハードディスク９のプロセスレシピ２０、アラーム条件テーブル２１、ＡＢＯＲＴレシピ２２及びＰＭＣコンフィグファイル２３等が、操作部２のメモリ３０に格納され、操作部２のメモリ３０に格納したプロセスレシピ２０、アラーム条件テーブル２１、ＡＢＯＲＴレシピ２２及びＰＭＣコンフィグファイル２３等が、操作部２の送受信モジュール４、ＬＡＮ６、制御部３の送受信モジュール５を介して制御部３のメモリ１９に転送される。
制御部３では、各モジュール１５〜１８が起動しており、起動後、制御部３のメモリ１９を参照している。操作部２のメモリ３０から制御部３のメモリ１９への転送が終了すると、レシピ設定値送信モジュール１６が、制御部３のメモリ１９に格納されたプロセスレシピ２０から各サブコントローラに送信するための設定値を取得し、操作部２が、前記ハードディスク９の画面ファイルを検索してレシピ実行やレシピ作成等のための操作画面（図示せず）をモニタ７に表示させる。
この後、レシピ実行ボタンが押下されると、操作部２は、モニタ７に基板処理の制御状態やインターロックに関する操作画面をモニタ７に表示させる。なお、以下の説明において、画面上のボタンやボックス等には、それぞれ対応するプログラムが関連付けられたプログラム上のボタンを意味し、ボタンやボックス、又はキーが押されたことを検知したときに操作部２のＣＰＵ又は制御部３のＣＰＵが対応するプログラムを起動し、制御を実行するものとするものとする。なお、以下、操作部２又は制御部３が実行する制御は、これらのＣＰＵがコンピュータのハードウエア資源を、対応する手段として制御するものとする。
図２乃至図６は基板処理の際，モニタ７に表示される操作画面の一例である。
図２に示す操作画面を機能上、アウトライン表示画面と呼び、図４に示す操作画面を機能上、エラー表示画面と呼び、図５及び図６に示す操作画面をそれぞれ機能上、シーケンス表示（モニタ）画面と呼ぶ。
図２に示す操作画面を機能上、アウトライン表示画面と呼び、図４に示す操作画面を機能上、エラー表示画面と呼び、図５及び図６に示す操作画面をそれぞれ機能上、シーケンス表示（モニタ）画面と呼ぶ。
図２に示すように、アウトライン表示画面Ｇ１には、基板処理のシーケンス（レシピ）のステップ順にステータス名（レシピ名）が表示されると共に、各ステップで行なわれる基板処理の内容を説明するアイコンが表示されており、さらに、配管の状態と弁等の開閉状態を示すためのガス配管図が表示されている。図示例では、アウトライン表示画面Ｇ１にアニールのステップ順で「ｉｄｌｅ」→「ＢｏａｔＬｏａｄ」→「ＰｒｅＥＶＡＣ」→「ＬｅｅｋＣｈｅｃｋ」→「Ｈ２Ａｎｅａｌ」→「Ｎ２ＡｆｔｅｒＰｕｇｅ」→「ＡｆｔｅｒＥＶＡＣ」→「Ｌｅａｋ」→「ＯＲｉｎｇＬｅａｋ」→「ＢｏａｔＵｎｌｏａｄ」のステータス名が表示され、各ステップで行なわれる基板処理の内容を図柄で示すアイコンＩ1〜Ｉ１１が、ステータス名の列と並列に表示される。アイコンＩ1〜Ｉ１１は、それぞれ内容を説明すべきステップのステータス名の上方に配置される。各ステータス名は、操作部２による前記プロセスレシピ２０とＰＭＣコンフィグファイル２３の少なくともいずれか一方の検索によって取得され、アイコンＩ1〜Ｉ１１は前記アイコンファイルを「各ステップ名」と、「基板処理前」で検索することによって取得される。以下、処理前の表示として用いられるアイコンの背景を「消灯色」とする。基板処理中のエラーによりＨ２ガスを流すためのバルブが強制的に閉じられていることを示すアイコン（Ｈ２チェックアイコン）Ｉ１２は、基板処理中にエラーが発生すると赤色に点灯するようになっている。そして、アイコンＩ１〜Ｉ１１とＨ２チェックアイコンにより、どのステップでエラーが発生したか容易に把握できるようになっている。Ｈ２チェックアイコン１２も前記アイコンファイルを検索して取得できる。
基板処理が開始されると、操作部２は、前記プロセスレシピ２０のステップに基づいて、処理実行中のステップのアイコンを点滅させ、他のステップのアイコンと区別する（図３、ステータス３参照）。アイコンの点滅は、例えば、点滅直前の消灯色のアイコンと同じ図柄で背景色が別の二種類のアイコンを所定時間おきに交互に表示させることにより行う。これらのアイコンは、前記アイコンファイルを、点滅前と同じ「ステップ名」と「実行中又は点滅」で、検索することによって取得される。
実行中のステップが終了すると、操作部２は、点滅したステップのアイコンを別の背景色のアイコンに替えて、このステップが終了したことを表示する。この場合、操作部２は、点滅のためのアイコンの検索に用いたステップ名と同じ「ステップ名」、「実行後又は点灯」でアイコンファイルを検索し、背景色が明るく、消灯色と区別可能な背景色のアイコンを検索し、このアイコンを点滅処理に用いた二種類のアイコンに代えてアウトライン表示画面Ｇ１に表示する（図３、ステータス２，ステータス２参照）。以下、この明るい背景色を「点灯色」という。
また、操作部２は、図３に示すように、操作部２のメモリ３０に又はハードディスク９にステータス実行履歴保持エリア２５を作成し、シーケンスのステップの進行に伴って、点滅、点灯、消灯を、それぞれ、◎、○、×の記号で記録し、次のステップに移る前に、このステータス実行履歴保持エリア２５の記録を参照することで現在の状態を保持させ、次のステップでステータス実行履歴保持エリア２５の記録を更新する。
なお、処理後を表すアイコンの背景には点灯をイメージする色、例えば、緑系の明るい背景を用い、処理前、すなわち、未処理のステータス名に対応するアイコンの背景には消灯をイメージする背景色を用い、点滅表示には、点滅の表示に有効な色の組み合わせを用いるものとする。また、ステータス実行履歴保持エリア２５の記録には、◎、○、×に限らず、他のコードを用いるようにしてもよい。
このように、各アイコンの図柄が、アニール処理のシーケンスの内容を分かりやすく表示するので、装置作業者はアイコンの図柄のみでステップの内容を把握することが可能となり、また、基板処理のシーケンス全体のステップ数と、各ステップの内容を把握することが可能となる。また、操作部２が、基板処理のシーケンスの全てのステータス名をステップ順にモニタ７に表示させ、各ステータスの処理状態をアイコンの背景色の相違や点滅により区別するので、装置作業者が基板処理の状態を一目で把握することが可能となる。
なお、アウトライン表示画面Ｇ１上に表示するシーケンスのステータス名は、プロセスレシピ２０のステップ毎の検索により取得される。
なお、アウトライン表示画面Ｇ１上に表示するシーケンスのステータス名は、プロセスレシピ２０のステップ毎の検索により取得される。
アウトライン表示画面Ｇ１にはアニールの際のガス配管図が表示される。ガス配管図は、処理室２０２と、配管系と、弁系、センサ系で構成されている。
配管系としては、処理室２０２にアニールガス、例えば、Ｈ２ガスを供給するアニールガス供給管６６と、処理室２０２にＮ２パージガスを供給するパージガス配管５１と、処理室２０２にロードするボートと処理室２０２の間をシールするシール部としての二重Ｏリングシール部５２のＯリングシール用配管５３と、二重Ｏリングシール部５２のリークをチェックするためのリークチェック配管５４と、処理室２０２から処理室内雰囲気を排気する排気管６５と減圧排気装置としての真空ポンプ６４とが表示される。
配管系としては、処理室２０２にアニールガス、例えば、Ｈ２ガスを供給するアニールガス供給管６６と、処理室２０２にＮ２パージガスを供給するパージガス配管５１と、処理室２０２にロードするボートと処理室２０２の間をシールするシール部としての二重Ｏリングシール部５２のＯリングシール用配管５３と、二重Ｏリングシール部５２のリークをチェックするためのリークチェック配管５４と、処理室２０２から処理室内雰囲気を排気する排気管６５と減圧排気装置としての真空ポンプ６４とが表示される。
弁系としては、アニールガス供給管５０を開閉するＨ２バルブＨ２−１〜Ｈ２−３と、パージガス配管５１を開閉するパージ弁Ｎ２−１〜Ｎ２−３と、Ｏリングシール用配管５３を開閉するＯリング排気バルブ５５と、リークチェック配管５４を開閉するＯリングリークバルブ５６と、メイン排気管６５を開閉するメイン排気バルブ５７と、アニールガス供給管６６の流量を調節するマスフローコントローラ（図１で説明したＭＦＣに対応する）５０と、パージガス配管５１の流量を調節するマスフローコントローラ（図２で説明したＭＦＣに対応する）５９とが表示され、センサ系としては、Ｏリングシール用配管５３のＯリング排気バルブ５５の上流側で且つシール部５２の下流側に配置する真空センサ（ＯＲｉｎｇＶＡＣ）６０と大気圧センサ（ＯＲｉｎｇＡＴＭ）６１と、処理室２０２の下流側で配管のメイン排気バルブ５７の上流側に配置する真空センサ（ＭａｉｎＶＡＣ）６２と大気センサ（ＭａｉｎＡＴＭ）６３とが表示される。
各弁Ｎ２−１〜Ｎ２−３，５５〜５７等は、前記操作部２による前記アイコンファイルの検索により取得され、アウトライン表示画面Ｇ１に表示される。この場合、操作部２は、プロセスレシピ２０のステップに基づいて、弁Ｎ２−１〜Ｎ２−３，５５〜５７のうち実際に開いている弁の背景色と、閉じている弁の背景色を異ならせることで配管図に対する弁Ｎ２−１〜Ｎ２−３，５５〜５７等の開閉状態を装置作業者に把握させる。なお、この場合に、操作部２は、プロセスレシピ２０のステップに基づいてステップ毎の弁Ｎ２−１〜Ｎ２−３，５５〜５７の開閉設定を取得するものとする。また、これら弁の検索については、前記アイコンファイルを対応する「ステップ名」と、対応する「弁名」及び「弁開」又は「弁閉」で検索するものとし、これらの検索子にリンク付けしておいた各弁等を、予めアイコンファイルに格納しておくものとする。
また、前記アウトライン表示画面Ｇ１には、前記したように、操作画面を切り替えるため「アウトライン」、「詳細」、「シーケンス」のボックスが表示され、操作部２が、これらのボックスが選択されると、それぞれアウトライン表示画面Ｇ１、エラー表示画面Ｇ２、シーケンスモニタ画面Ｇ３を表示させるようになっている。なお、各画面で現在表示しているボックスをオンとした場合、操作部２はオン操作を無効として表示していた画面の表示を継続するようになっている。
また、前記アウトライン表示画面Ｇ１には、前記したように、操作画面を切り替えるため「アウトライン」、「詳細」、「シーケンス」のボックスが表示され、操作部２が、これらのボックスが選択されると、それぞれアウトライン表示画面Ｇ１、エラー表示画面Ｇ２、シーケンスモニタ画面Ｇ３を表示させるようになっている。なお、各画面で現在表示しているボックスをオンとした場合、操作部２はオン操作を無効として表示していた画面の表示を継続するようになっている。
図４はアウトライン表示画面Ｇ１で「詳細」のボックスが選択されたとき、操作画面として前記モニタ７に表示されるエラー表示画面Ｇ２である。なお、このエラー表示画面Ｇ２には、図２で図示した前記アウトライン表示画面Ｇ１と同様に、シーケンスのステップ順にステータス名が表示されると共に、各ステップで行なわれる基板処理の内容を説明するアイコンＩ1〜Ｉ１１と、Ｈ２チェックアイコンＩ１２や前記した画面切り替えのための「アウトライン」、「詳細」、「シーケンス」のボックスが表示されるが、この図４では、簡便のため省略している。
このアウトライン表示画面Ｇ１には、ソフトインターロックに対するエラーチェック項目として、「アニール温度」、「Ｏリングシール」、「Ｏリング排気」、「ＯリングＶＡＣ」、「反応室ＶＡＣ」、「ＯリングＡＴＭ」、「反応室ＡＴＭ」、「シール（排気系）、排気温度」、「ガス濃度（大気及びアニールガス）」のチェック項目がプロセスレシピ２０のステップに基づいて表示されている。エラー表示画面Ｇ２の各チェック項目の欄に、それぞれチェック欄のチェック項目に対応する内容を示すエラーアイコンＩ１３〜Ｉ２９が表示される。チェック項目は、操作部２のプロセスレシピ２０の検索によりステップ毎に表示される。エラーアイコンＩ１３〜Ｉ２９は、操作部２による前記アイコンファイルの検索により取得されるものである。
操作部２は、この画面において、エラーチェック中のチェック項目については、チェック項目の内容を説明するためのエラーアイコンの背景色を、正常の場合のエラーアイコンの背景色と異なる背景色、例えば緑色から赤色に代えてチェック中を表示する。なお、この場合、操作部２は、前記アイコンファイルを「エラーチェック項目」、「アイコン名」、「エラーチェック中」で検索し、アイコンファイルには、これらの検索子と予めリンク付けされた異常時のエラーアイコンが格納されているものとし、チェック中のチェック項目は、プロセスレシピ２０のステップから取得する。従って、このエラー表示画面Ｇ２によれば、エラーアイコンＩ１３〜Ｉ２９の背景色により、エラーチェックの結果を一目で把握することが可能となる。なお、この画面の詳細は後述するシーケンスの説明で詳述する。
図５及び図６は画面のスクロールバーにより画面上に表示したシーケンス表示画面Ｇ３のスクロール画面である。
このシーケンス画面Ｇ３では、各ステップ（ステータス）におけるバルブ開閉状態、エラーチェック項目、Ｈ２バルブＯＰＥＮ許可条件、ボートアンロード許可条件が表示されている。
図５には、各ステータスにおけるバルブ開閉状況とエラーチェック状況が表示されている。
このバルブ開閉状態は図２で示されるガス配管図とリンクされている。また、エラーチェック状況は図４で示されるエラーチェック項目とリンクされている。この図５では、エラーチェックとともにどのバルブがそのエラーに関与しているか一目で把握できるようになっている。
このシーケンス表示画面Ｇ３では、アニール（Ｈ２アニール）処理のシーケンスの実行中に実施されたソフトインターロックの項目(種類)と、チェック範囲とが明確に表示される。ソフトインターロックのチェック項目には、「Ｏリング排気」、「ＯリングＶＡＣ」、「ＯリングＡＴＭ」、「メインＶＡＣ」、「メインＡＴＭ」、「Ｏ２濃度」、「Ｎ２濃度」、「Ｎ２積算流量」、「排気温度」、「アニール温度」、「Ｈ２リークマスク」等の種類があり、図中、枠内に点模様を施した領域がチェック範囲を示している。例えば、図示例では、Ｏリング排気が、前記シール部５２（図２参照）に対してＯＲｉｎｇＳｅａｌのときに実施され、排気温度のチェックはＰｒｅＥＶＡＣ、Ｈ２アニール、ＡｆｔｅｒＥＶＡＣの際に実施される。操作部２は、各チェック項目について、チェックが開始されたときから終了するまで表示する。エラーが発生したときには、枠内に点模様を施したエラーチェックの範囲を例えば、チェック前の緑色の状態から赤色に変化させる。このため、エラーチェック項目とそのチェック範囲を一目で把握することが可能となる。
このシーケンス画面Ｇ３では、各ステップ（ステータス）におけるバルブ開閉状態、エラーチェック項目、Ｈ２バルブＯＰＥＮ許可条件、ボートアンロード許可条件が表示されている。
図５には、各ステータスにおけるバルブ開閉状況とエラーチェック状況が表示されている。
このバルブ開閉状態は図２で示されるガス配管図とリンクされている。また、エラーチェック状況は図４で示されるエラーチェック項目とリンクされている。この図５では、エラーチェックとともにどのバルブがそのエラーに関与しているか一目で把握できるようになっている。
このシーケンス表示画面Ｇ３では、アニール（Ｈ２アニール）処理のシーケンスの実行中に実施されたソフトインターロックの項目(種類)と、チェック範囲とが明確に表示される。ソフトインターロックのチェック項目には、「Ｏリング排気」、「ＯリングＶＡＣ」、「ＯリングＡＴＭ」、「メインＶＡＣ」、「メインＡＴＭ」、「Ｏ２濃度」、「Ｎ２濃度」、「Ｎ２積算流量」、「排気温度」、「アニール温度」、「Ｈ２リークマスク」等の種類があり、図中、枠内に点模様を施した領域がチェック範囲を示している。例えば、図示例では、Ｏリング排気が、前記シール部５２（図２参照）に対してＯＲｉｎｇＳｅａｌのときに実施され、排気温度のチェックはＰｒｅＥＶＡＣ、Ｈ２アニール、ＡｆｔｅｒＥＶＡＣの際に実施される。操作部２は、各チェック項目について、チェックが開始されたときから終了するまで表示する。エラーが発生したときには、枠内に点模様を施したエラーチェックの範囲を例えば、チェック前の緑色の状態から赤色に変化させる。このため、エラーチェック項目とそのチェック範囲を一目で把握することが可能となる。
この図６ではＨ２バルブ（図２のＨ２−１〜Ｈ２−３に対応する）のオープン条件（Ｈ２パージ）と、ボートアンロード条件を示すものである。Ｈ２バルブオープン条件は複数存在しており、条件がＯＫとなるたびに、Ｈ２パージが許可され、操作部２が、許可された各々のバーを、例えば、許可前の色と異なった色、例えば、水色に変化させる。また、ボートアンロード条件も複数存在しており、条件がＯＫとなるたびにアンロード許可のバーが、許可前の色と異なった色、例えば、水色に変化する。
図７はエラーチェック、リカバリー処理を含むアニールのシーケンスの概略的な流れを示すフローチャートである。なお、アニールは組み合わせによって色々なタイプが存在するが、ここでは、Ｈ２アニール中に真空引きによる処理室２０２内の減圧を実施するタイプが用いられている。
図７に示すように、このフローチャートでは、まず、Ｈ２アニールシーケンス実行処理Ｓ１がなされ、次に、ステップＳ２に進んでソフトインターロック、ハードインターロックが発生したかどうかを判定する。そして、ステップＳ２でソフトインターロック又はハードインターロックが発生したときは、ステップＳ３に進んでエラー処理を実行し、ＰＭＣコンフィグファイルパラメータ又はアラーム条件テーブル２１に設定されているエラー状態に該当するエラー処理が選択される。次に、ステップＳ４に進んでＨ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとして、アニールガス供給管５０のＨ２バルブ（後述する）の弁コントローラに閉信号を送信してアニールガス（Ｈ２ガス）の供給を停止し、次に、ＡＢＯＲＴレシピ２２が選択されていれば 、ステップＳ５に進んで、装置を安全に使用するため、前記ＰＭＣコンフィグファイル２３のパラメータに予め登録されていたＡＢＯＲＴレシピ２２のテーブルを自動で実行してリカバリー処理を行い、ステップＳ６に進んでＨ２アニールのステータスをＩＤＥＬとして終了する。
以下、エラーチェック、リカバリー処理を含むアニールシーケンスと前記した各操作画面Ｇ１〜Ｇ３の詳細について説明する。
アニールのシーケンスが開始されると、図２で説明したように、「ｉｄｌｅ」→「ＢｏａｔＬｏａｄ」→「ＰｒｅＥＶＡＣ」→「ＬｅｅｋＣｈｅｃｋ」→「Ｈ２Ａｎｅａｌ」→「Ｎ２ＡｆｔｅｒＰｕｇｅ」→「ＡｆｔｅｒＥＶＡＣ」→「Ｌｅａｋ」→「ＯＲｉｎｇＬｅａｋ」→「ＢｏａｔＵｎｌｏａｄ」のステップ順にアニール処理のシーケンスが実施される。
アニールのシーケンスが開始されると、図２で説明したように、「ｉｄｌｅ」→「ＢｏａｔＬｏａｄ」→「ＰｒｅＥＶＡＣ」→「ＬｅｅｋＣｈｅｃｋ」→「Ｈ２Ａｎｅａｌ」→「Ｎ２ＡｆｔｅｒＰｕｇｅ」→「ＡｆｔｅｒＥＶＡＣ」→「Ｌｅａｋ」→「ＯＲｉｎｇＬｅａｋ」→「ＢｏａｔＵｎｌｏａｄ」のステップ順にアニール処理のシーケンスが実施される。
（１）ＩＤＬＥステップ
「ＩＤＬＥ」は、装置のアイドル（待機）状態であり、このステップでは、前記ボートエレベータ１１５は下降しており、処理室２０２内は大気状態でボート２１７は移載室１２４に存在している。
「ＩＤＬＥ」は、装置のアイドル（待機）状態であり、このステップでは、前記ボートエレベータ１１５は下降しており、処理室２０２内は大気状態でボート２１７は移載室１２４に存在している。
（２）Ｂｏａｔ Ｌｏａｄステップ
このステータスでは、移載室１２４からボート２１７を搬送し、処理室２０２内へ挿入（Ｌｏａｄ）している状態であり、ボート２１７の挿入が正常に完了したかどうかのチェックを実施する。ボート２１７のロードが正常に完了しなかった場合は、レシピ条件待ちＨＯＬＤとする。ボート２１７のロードが正常に完了すると次のステータスに遷移する。
このステータスでは、移載室１２４からボート２１７を搬送し、処理室２０２内へ挿入（Ｌｏａｄ）している状態であり、ボート２１７の挿入が正常に完了したかどうかのチェックを実施する。ボート２１７のロードが正常に完了しなかった場合は、レシピ条件待ちＨＯＬＤとする。ボート２１７のロードが正常に完了すると次のステータスに遷移する。
（３）ＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌステップ；Ｏリングシールステップ
Ｏリングシールでは、２本のＯリング（図示せず）による二重Ｏリングシール部５２、すなわち、同心状に配置された２本のＯリング間の雰囲気を排気し真空度を上げることよってシールする。二重Ｏリングシール部５２と前記真空ポンプ６４とを接続するＯリングシール用配管５３の排気バルブ５５を開閉する弁コントローラに対して開信号を出力することによって開（ＯＰＥＮ）とし、真空ポンプ６４による二重Ｏリングシール部５２の雰囲気を真空引き（排気）する。
真空ポンプ６４による真空引き開始後は、二重Ｏリングシール部５２のシールが正常となるまで圧力をチェックし、正常となった段階で次のステータスに移行する。
Ｏリングシールでは、２本のＯリング（図示せず）による二重Ｏリングシール部５２、すなわち、同心状に配置された２本のＯリング間の雰囲気を排気し真空度を上げることよってシールする。二重Ｏリングシール部５２と前記真空ポンプ６４とを接続するＯリングシール用配管５３の排気バルブ５５を開閉する弁コントローラに対して開信号を出力することによって開（ＯＰＥＮ）とし、真空ポンプ６４による二重Ｏリングシール部５２の雰囲気を真空引き（排気）する。
真空ポンプ６４による真空引き開始後は、二重Ｏリングシール部５２のシールが正常となるまで圧力をチェックし、正常となった段階で次のステータスに移行する。
二重Ｏリングシール部５２の真空度のチェックは、二重Ｏリングシール部５２の真空センサ６０がＯＮになったとき（図２、ＯＲｉｎｇ ＶＡＣ ＯＮ）となったとき、開始される。真空度のチェックでは、真空状態が一定時間ＯＮ状態かどうかをチェックする。この場合、図４に示すように、エラー表示画面Ｇ２では、ＯリングＶＡＣ 検出待ち時間がカウントＵＰし、図５に示すように、エラー表示画面Ｇ３のチェック／タイマ ＯリングＶＡＣの帯の色が、チェック中を示す緑色に切り替えられる。その後、途中で二重Ｏリングシール部５２の真空センサ６０がＯＦＦになった場合には、最初からカウントＵＰし直しとなる。図４に示すＯリングＶＡＣ検出待ち時間がＰＭＣコンフィグパラメータファイル２３で設定された時間に到達した場合は、次に、二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ６１がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合には、二重Ｏリングシール部５２にリークが発生している異常状態と判定してアラームを発生させ、エラー処理を実施する。この時、図４に示されるように、ＯリングＶＡＣのエラーアイコンは、異常を示す赤色表示とされ、図５に示されるように、シーケンス表示画面Ｇ３のチェック／タイマ ＯリングＶＡＣの帯が、エラー中を示す赤色状態とされる。ＰＭＣコンフィグファイル２３で予め設定されているエラー処理（ＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれか）のうち、ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥが選択され実施後、Ｈ２アニールのステータスがＨ２ ＣＬＯＳＥとされる。
二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ６１がＯＦＦの場合には、図５に示すように、シーケンス表示画面Ｇ３ではチェック・タイマ ＯリングＶＡＣの帯が黄色状態（チェック完了または、未実施状態）と変更され、次のステータスであるＰｒｅＥＶＡＣ：Ｈ２アニール前の炉内真空引き処理へ遷移される。
二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ６１がＯＦＦの場合には、図５に示すように、シーケンス表示画面Ｇ３ではチェック・タイマ ＯリングＶＡＣの帯が黄色状態（チェック完了または、未実施状態）と変更され、次のステータスであるＰｒｅＥＶＡＣ：Ｈ２アニール前の炉内真空引き処理へ遷移される。
（４）ＰｒｅＥＶＡＣステップ：Ｈ２アニール前の炉内真空引きステップ
このステップでは、メイン排気バルブ５７がＯＰＥＮとされ、処理室２０２内を前記真空ポンプ６４で引き所望の真空状態になるかどうかチェックする。チェックは、処理室２０２内の真空センサ（ＭａｉｎＶＡＣ）６２がＯＮ状態になるまでチェックを実施しない。処理室２０２内の真空センサ６２がＯＮになると、図４の反応室ＶＡＣ検出待ち時間がカウントＵＰする。また、図５に示すチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が緑色（チェック中）状態となる。その後、途中で処理室２０２内の真空センサ６２がＯＦＦになった場合には最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合、処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。
このとき、図４に示す反応室（処理室）ＶＡＣのアイコンは赤色表示となり、図５のチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が赤色（エラー中）状態となる。エラー処理はＰＭＣコンフィグパラメータ２３で設定されているエラー処理（ＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥ）のうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥが実施され、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。
処理室２０２炉内の大気圧センサ６３がＯＦＦの場合には、図５に示すチェック・タイマ メインＶＡＣの帯が黄色状態（チェック完了または、未実施状態）とされ、次のステータスへ遷移する。
このステップでは、メイン排気バルブ５７がＯＰＥＮとされ、処理室２０２内を前記真空ポンプ６４で引き所望の真空状態になるかどうかチェックする。チェックは、処理室２０２内の真空センサ（ＭａｉｎＶＡＣ）６２がＯＮ状態になるまでチェックを実施しない。処理室２０２内の真空センサ６２がＯＮになると、図４の反応室ＶＡＣ検出待ち時間がカウントＵＰする。また、図５に示すチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が緑色（チェック中）状態となる。その後、途中で処理室２０２内の真空センサ６２がＯＦＦになった場合には最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合、処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。
このとき、図４に示す反応室（処理室）ＶＡＣのアイコンは赤色表示となり、図５のチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が赤色（エラー中）状態となる。エラー処理はＰＭＣコンフィグパラメータ２３で設定されているエラー処理（ＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥ）のうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥが実施され、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。
処理室２０２炉内の大気圧センサ６３がＯＦＦの場合には、図５に示すチェック・タイマ メインＶＡＣの帯が黄色状態（チェック完了または、未実施状態）とされ、次のステータスへ遷移する。
（５）Ｌｅａｋ Ｃｈｅｃｋステップ：処理室２０２内のリークチェックステップ
弁（メイン排気バルブ）５７がＣＬＯＳＥ状態で、処理室２０２炉内のリークチェックを実施する（図２のリークチェックのステップのアイコンかつ図４のリークチェックエリアの状態が実施中を表示）リークチェックでＮＧ（図２のリークチェックステップのアイコンかつ図４のリークチェックステップのアイコンエリアの状態がエラー表示）になった場合には、アラームを発生させ、リークチェックテーブルの設定に従ってエラー処理を実施する。Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。リークチェックＯＫの場合には次のステータスへ遷移する。
弁（メイン排気バルブ）５７がＣＬＯＳＥ状態で、処理室２０２炉内のリークチェックを実施する（図２のリークチェックのステップのアイコンかつ図４のリークチェックエリアの状態が実施中を表示）リークチェックでＮＧ（図２のリークチェックステップのアイコンかつ図４のリークチェックステップのアイコンエリアの状態がエラー表示）になった場合には、アラームを発生させ、リークチェックテーブルの設定に従ってエラー処理を実施する。Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。リークチェックＯＫの場合には次のステータスへ遷移する。
（６）Ｈ２ Ａｎｎｅａｌステップ：炉内へＨ２ガスを導入するステップ
Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３がＯＰＥＮ状態で以下に示すチェックを実施する。
〔１〕アニール温度チェックステップ
アニールが実施される前（タイミング的には、アニール用のメインＨ２バルブの開設定時）かつアニ―ル中（開状態時）に、処理室２０２内の温度をチェックする。４ゾーンまたは５ゾーン，ヒータ制御またはカスケード制御中のいずれにおいても処理室２０２内のゾーン温度のいずれかがＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されたアニール温度を超えているかのチェックを実施し、超えている場合にはアラームを発生させエラー処理としてＲＥＳＥＴモードへ移行する。Ｈ２バルブＨ２−１，Ｈ２−２，Ｈ２−３は強制ＣＬＯＳＥとされる。このとき、図４のアニール温度の項目を示すエラーチェックアイコンＩ２０や図５のアニール温度の部分は赤色（帯）に変化し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとされる。
〔２〕Ｈ２リークステップ
ＰＭＣコンフィグファイル２３にて設定したＨ２ ＬＥＡＫのＨ／Ｗ インターロックが発生した場合はアラームを発生させ、エラー処理としてアラーム条件テーブル２１に設定されているエラー処理を実施し、Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３は強制ＣＬＯＳＥとなり、このとき、図４に示すＨ２リークを示すアイコンＩ２４は赤色に変化し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。
〔３〕排気温度チェックステップ
メイン排気バルブ５７を開く前（タイミング的には、メイン排気用のメイン排気バルブの開設定時）かつ排気中（開状態時）に炉内の温度をチェック実施する。
処理室２０２内のゾーン温度（（４ゾーンまたは５ゾーン），（カスケード制御中））のいずれかがＰＭＣコンフィグファイル２３で設定した排気温度を超えているかのチェックを実施し、超えている場合にはアラームを発生させエラー処理としてＲＥＳＥＴモードへ移行し、Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３は強制ＣＬＯＳＥとなる。この場合、図４のアニール温度の項目を示すエラーアイコンＩ２０や図５に示す排気温度の部分（帯）は赤色に変化し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。
Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３がＯＰＥＮ状態で以下に示すチェックを実施する。
〔１〕アニール温度チェックステップ
アニールが実施される前（タイミング的には、アニール用のメインＨ２バルブの開設定時）かつアニ―ル中（開状態時）に、処理室２０２内の温度をチェックする。４ゾーンまたは５ゾーン，ヒータ制御またはカスケード制御中のいずれにおいても処理室２０２内のゾーン温度のいずれかがＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されたアニール温度を超えているかのチェックを実施し、超えている場合にはアラームを発生させエラー処理としてＲＥＳＥＴモードへ移行する。Ｈ２バルブＨ２−１，Ｈ２−２，Ｈ２−３は強制ＣＬＯＳＥとされる。このとき、図４のアニール温度の項目を示すエラーチェックアイコンＩ２０や図５のアニール温度の部分は赤色（帯）に変化し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとされる。
〔２〕Ｈ２リークステップ
ＰＭＣコンフィグファイル２３にて設定したＨ２ ＬＥＡＫのＨ／Ｗ インターロックが発生した場合はアラームを発生させ、エラー処理としてアラーム条件テーブル２１に設定されているエラー処理を実施し、Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３は強制ＣＬＯＳＥとなり、このとき、図４に示すＨ２リークを示すアイコンＩ２４は赤色に変化し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。
〔３〕排気温度チェックステップ
メイン排気バルブ５７を開く前（タイミング的には、メイン排気用のメイン排気バルブの開設定時）かつ排気中（開状態時）に炉内の温度をチェック実施する。
処理室２０２内のゾーン温度（（４ゾーンまたは５ゾーン），（カスケード制御中））のいずれかがＰＭＣコンフィグファイル２３で設定した排気温度を超えているかのチェックを実施し、超えている場合にはアラームを発生させエラー処理としてＲＥＳＥＴモードへ移行し、Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３は強制ＣＬＯＳＥとなる。この場合、図４のアニール温度の項目を示すエラーアイコンＩ２０や図５に示す排気温度の部分（帯）は赤色に変化し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。
（７）Ａｆｔｅｒ Ｐｕｒｇｅステップ：Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３をＣＬＯＳＥして炉内をＮ２ガスでパージするステップ
Ｈ２バルブＣＬＯＳＥ状態でパージ弁Ｎ２−１、Ｎ２−２、Ｎ２−３のいずれかをＯＰＥＮにして処理室２０２内のＮ２パージを実施する。
〔１〕Ｎ２積算流量チェックステップ
処理室２０２内に流れ込むパージ弁Ｎ−１，Ｎ−２，Ｎ−３の総和を累積し、ＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＮ２パージ積算流量に到達するかどうかを毎秒チェックする。チェックが開始されたと同時にＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されている積算流量監視時間もカウントダウンする。積算流量監視時間が０になり、かつ積算流量もＯＫになった時点で次のステータスに以降できる条件が成立したことになる。ＮＧになった場合にはアラームを発生させ、レシピはＯＫ条件となるまで条件待ちＨＯＬＤとなる。このとき、図５に示すＮ２積算流量の帯は赤色となる。
Ｈ２バルブＣＬＯＳＥ状態でパージ弁Ｎ２−１、Ｎ２−２、Ｎ２−３のいずれかをＯＰＥＮにして処理室２０２内のＮ２パージを実施する。
〔１〕Ｎ２積算流量チェックステップ
処理室２０２内に流れ込むパージ弁Ｎ−１，Ｎ−２，Ｎ−３の総和を累積し、ＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＮ２パージ積算流量に到達するかどうかを毎秒チェックする。チェックが開始されたと同時にＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されている積算流量監視時間もカウントダウンする。積算流量監視時間が０になり、かつ積算流量もＯＫになった時点で次のステータスに以降できる条件が成立したことになる。ＮＧになった場合にはアラームを発生させ、レシピはＯＫ条件となるまで条件待ちＨＯＬＤとなる。このとき、図５に示すＮ２積算流量の帯は赤色となる。
（８）Ａｆｔｅｒ ＥＶＡＣステップ；排気バルブをＯＰＥＮにして炉内を真空状態とするステップ
メイン排気バルブ５７をＯＰＥＮとし、この状態で、処理室２０２内を真空ポンプ６４で引き真空状態になるまでチェックする。チェックは、炉内の真空センサ６２がＯＮ状態になるまでチェックを実施しない。
処理室２０２内の真空センサ６２がＯＮになると図４に示す反応室ＶＡＣ検出待ち時間がカウントＵＰする。また、図５に示すチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が緑色（チェック中）状態とされる。その後、途中で処理室２０２内の真空センサ６２がＯＦＦになった場合は最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合、処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＮ状態かどうかをチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。このとき、図４に示す反応室ＶＡＣのエラーアイコンＩ１４は赤色表示となり、図５に示すチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が赤色（エラー中）状態）となり、エラー処理はＰＭＣコンフィグファイル２３で設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥを実施し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとされる。処理室２０２炉内の大気圧センサ６３がＯＦＦの場合には、図５に示すチェック・タイマ メインＶＡＣの帯は黄色状態（チェック完了または、未実施状態）とされ、次のステータスへ遷移する。
メイン排気バルブ５７をＯＰＥＮとし、この状態で、処理室２０２内を真空ポンプ６４で引き真空状態になるまでチェックする。チェックは、炉内の真空センサ６２がＯＮ状態になるまでチェックを実施しない。
処理室２０２内の真空センサ６２がＯＮになると図４に示す反応室ＶＡＣ検出待ち時間がカウントＵＰする。また、図５に示すチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が緑色（チェック中）状態とされる。その後、途中で処理室２０２内の真空センサ６２がＯＦＦになった場合は最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合、処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＮ状態かどうかをチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。このとき、図４に示す反応室ＶＡＣのエラーアイコンＩ１４は赤色表示となり、図５に示すチェック／タイマ メインＶＡＣの帯が赤色（エラー中）状態）となり、エラー処理はＰＭＣコンフィグファイル２３で設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥを実施し、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとされる。処理室２０２炉内の大気圧センサ６３がＯＦＦの場合には、図５に示すチェック・タイマ メインＶＡＣの帯は黄色状態（チェック完了または、未実施状態）とされ、次のステータスへ遷移する。
（９）Ｌｅａｋステップ（炉内を大気圧に戻すステップ）
メイン排気バルブ５７をＣＬＯＳＥとし、この状態でパージ弁Ｎ２−１、Ｎ２−２、Ｎ２−３のいずれかをＯＰＥＮにして処理室２０２内のＮ２パージを実施する。処理室２０２内の大気圧センサ（ＭａｉｎＡＴＭ）６３がＯＮ状態になるまでチェックを実施しない。処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＮになると図４の反応室ＡＴＭ検出待ち時間がカウントＵＰする。また、チェック／タイマ メインＡＴＭの帯が緑色（チェック中）状態となる。その後、途中で処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＦＦになった場合には最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合に、処理室２０２内の真空センサ６２がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。このとき、図４に示す反応室ＡＴＭのエラーアイコンＩ１６は赤色表示となり、チェック／タイマ メインＡＴＭの帯が赤色（エラー中）状態）とされ、ＰＭＣコンフィグファイル２３で設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥが実施され、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。処理室２０２内の真空センサ６２がＯＦＦの場合には、チェック・タイマ メインＡＴＭの帯は黄色状態（チェック完了または、未実施状態）とされ、次のステータスへ遷移する。
メイン排気バルブ５７をＣＬＯＳＥとし、この状態でパージ弁Ｎ２−１、Ｎ２−２、Ｎ２−３のいずれかをＯＰＥＮにして処理室２０２内のＮ２パージを実施する。処理室２０２内の大気圧センサ（ＭａｉｎＡＴＭ）６３がＯＮ状態になるまでチェックを実施しない。処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＮになると図４の反応室ＡＴＭ検出待ち時間がカウントＵＰする。また、チェック／タイマ メインＡＴＭの帯が緑色（チェック中）状態となる。その後、途中で処理室２０２内の大気圧センサ６３がＯＦＦになった場合には最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合に、処理室２０２内の真空センサ６２がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。このとき、図４に示す反応室ＡＴＭのエラーアイコンＩ１６は赤色表示となり、チェック／タイマ メインＡＴＭの帯が赤色（エラー中）状態）とされ、ＰＭＣコンフィグファイル２３で設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥが実施され、Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。処理室２０２内の真空センサ６２がＯＦＦの場合には、チェック・タイマ メインＡＴＭの帯は黄色状態（チェック完了または、未実施状態）とされ、次のステータスへ遷移する。
（１０）ＯＲｉｎｇＬｅａｋステップ；二重Ｏリング部を大気に戻すステップ
Ｏリング排気バルブ５５がＣＬＯＳＥ状態で、二重Ｏリングシール部５２をパージ弁Ｎ２−１、Ｎ２−２、Ｎ２−３のいずれかを開（ＯＰＥＮ）として二重Ｏリングシール部５２が大気圧状態になるまでＮ２パージを実施する。チェックは、二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ（ＯＲｉｎｇ ＡＴＭ）６１がＯＮになるまで開始しない。二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ６１がＯＮになると図４に示すＯリングＡＴＭ 検出待ち時間がカウントＵＰする。また、チェック／タイマ ＯリングＡＴＭの帯が緑色（チェック中）状態）とされる。その後、途中で二重Ｏリングシール部５２部の大気圧センサ６１がＯＦＦになった場合には最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合に、二重Ｏリングシール部５２の真空センサ６０がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。この時、図4のＯリングＡＴＭのエラーアイコンＩ１５は赤色表示になり、チェック／タイマ ＯリングＡＴＭの帯が赤色（エラー中）状態とされ、エラー処理はＰＭＣコンフィグファイル２３のパラメータで設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥを実施する。Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。二重Ｏリングシール部５２の真空センサ６０がＯＦＦの場合には、チェック・タイマ ＯリングＡＴＭの帯は黄色状態（チェック完了または、未実施状態）にして次のステータスへ遷移する。
Ｏリング排気バルブ５５がＣＬＯＳＥ状態で、二重Ｏリングシール部５２をパージ弁Ｎ２−１、Ｎ２−２、Ｎ２−３のいずれかを開（ＯＰＥＮ）として二重Ｏリングシール部５２が大気圧状態になるまでＮ２パージを実施する。チェックは、二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ（ＯＲｉｎｇ ＡＴＭ）６１がＯＮになるまで開始しない。二重Ｏリングシール部５２の大気圧センサ６１がＯＮになると図４に示すＯリングＡＴＭ 検出待ち時間がカウントＵＰする。また、チェック／タイマ ＯリングＡＴＭの帯が緑色（チェック中）状態）とされる。その後、途中で二重Ｏリングシール部５２部の大気圧センサ６１がＯＦＦになった場合には最初からカウントＵＰし直しとなる。検出待ち時間がＰＭＣコンフィグファイル２３で設定された時間に到達した場合に、二重Ｏリングシール部５２の真空センサ６０がＯＮ状態かどうかチェックし、ＯＮ状態の場合にはアラームを発生させエラー処理を実施する。この時、図4のＯリングＡＴＭのエラーアイコンＩ１５は赤色表示になり、チェック／タイマ ＯリングＡＴＭの帯が赤色（エラー中）状態とされ、エラー処理はＰＭＣコンフィグファイル２３のパラメータで設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのうちＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥを実施する。Ｈ２アニールのステータスはＨ２ ＣＬＯＳＥとなる。二重Ｏリングシール部５２の真空センサ６０がＯＦＦの場合には、チェック・タイマ ＯリングＡＴＭの帯は黄色状態（チェック完了または、未実施状態）にして次のステータスへ遷移する。
（１１）ＢｏａｔＵｎｌｏａｄステップ；炉内からＢｏａｔを移載室１２４へＵＮＬｏａｄ中のステップ
Ｂｏａｔ ＵＮＬｏａｄ（ボートアンロード）が正常完了したかどうかのチェックを実施する。正常に完了しなかった場合にはレシピ条件待ちＨＯＬＤとなる。正常に完了した場合にはＨ２アニールのシーケンスが完了したものとし、ステータスはＩＤＬＥとされる。
Ｂｏａｔ ＵＮＬｏａｄ（ボートアンロード）が正常完了したかどうかのチェックを実施する。正常に完了しなかった場合にはレシピ条件待ちＨＯＬＤとなる。正常に完了した場合にはＨ２アニールのシーケンスが完了したものとし、ステータスはＩＤＬＥとされる。
（１２）常時チェック
〔１〕Ｏリングシール監視中（Ｈ２アニールのステータス＝ＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌ〜Ｌｅａｋ）にＯリングシール部５２の真空センサ６０がＯＦＦするかどうかをチェックする。実際に真空センサ６０がＯＦＦを検出した場合には、アラームを発生させＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれかのエラー処理を実施する。Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３がＯＰＥＮ状態の場合にはＨ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３を強制的に閉じ（ＣＬＯＳＥ）、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。
〔２〕ＣＡＰセンサチェック
Ｏリングシール監視中（Ｈ２アニールのステータス＝ＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌ〜Ｌｅａｋ）にＣＡＰセンサ（図示せず）がＯＦＦかどうかをチェックする。実際にＣＡＰセンサがＯＦＦを検出した場合にはアラームを発生させＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれかのエラー処理を実施する。Ｈ２バルブがＯＰＥＮ状態の場合にはＨ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３を強制的に閉じ、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。
〔3〕Ｏリング排気チェック
Ｈ２アニールステータスをＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌ状態としてＯリング排気バルブ５５を開とし、ＰＭＣコンフィグファイル２３のＯリング排気チェック時間経過後、Ｏリング真空状態を検出するかどうかのチェック（図5に示すＯリング排気）。実際にＯリング真空状態を検出した場合にはアラームを発生させＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれかのエラー処理を実施する。
Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３がＯＰＥＮ状態の場合にはＨ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３を強制的に閉とし、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。このようにいろいろなチェックを実施し、エラー状態になった場合には危険なバルブを強制ＣＬＯＳＥとし、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。
エラーが発生した後に、装置を安全に使用する為にはリカバリー処理が必要となってくるがＨ２アニールのステータスがどこからＨ２ ＣＬＯＳＥへ遷移したかによってリカバリー処理が異なっている。この場合、前記ＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１８が、ＡＢＯＲＴレシピ２２をテーブル番号で検索し、リカバリー処理を実施する。
〔１〕Ｏリングシール監視中（Ｈ２アニールのステータス＝ＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌ〜Ｌｅａｋ）にＯリングシール部５２の真空センサ６０がＯＦＦするかどうかをチェックする。実際に真空センサ６０がＯＦＦを検出した場合には、アラームを発生させＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれかのエラー処理を実施する。Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３がＯＰＥＮ状態の場合にはＨ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３を強制的に閉じ（ＣＬＯＳＥ）、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。
〔２〕ＣＡＰセンサチェック
Ｏリングシール監視中（Ｈ２アニールのステータス＝ＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌ〜Ｌｅａｋ）にＣＡＰセンサ（図示せず）がＯＦＦかどうかをチェックする。実際にＣＡＰセンサがＯＦＦを検出した場合にはアラームを発生させＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれかのエラー処理を実施する。Ｈ２バルブがＯＰＥＮ状態の場合にはＨ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３を強制的に閉じ、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。
〔3〕Ｏリング排気チェック
Ｈ２アニールステータスをＯＲｉｎｇ Ｓｅａｌ状態としてＯリング排気バルブ５５を開とし、ＰＭＣコンフィグファイル２３のＯリング排気チェック時間経過後、Ｏリング真空状態を検出するかどうかのチェック（図5に示すＯリング排気）。実際にＯリング真空状態を検出した場合にはアラームを発生させＰＭＣコンフィグファイル２３に設定されているＢＵＺＺＥＲ／ＲＥＳＥＴ／ＥＮＤ／ＡＢＯＲＴ ＲＥＣＩＰＥのいずれかのエラー処理を実施する。
Ｈ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３がＯＰＥＮ状態の場合にはＨ２バルブＨ２−１、Ｈ２−２、Ｈ２−３を強制的に閉とし、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。このようにいろいろなチェックを実施し、エラー状態になった場合には危険なバルブを強制ＣＬＯＳＥとし、Ｈ２アニールのステータスをＨ２ ＣＬＯＳＥとする。
エラーが発生した後に、装置を安全に使用する為にはリカバリー処理が必要となってくるがＨ２アニールのステータスがどこからＨ２ ＣＬＯＳＥへ遷移したかによってリカバリー処理が異なっている。この場合、前記ＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１８が、ＡＢＯＲＴレシピ２２をテーブル番号で検索し、リカバリー処理を実施する。
図８はエラーが発生したステップとリカバリー処理に用いられるＡＢＯＲＴレシピ２２が実施すべき内容を示している。この例では、ＡＢＯＲＴレシピ２２のテーブル番号は、「Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ」、「Ｏｒｉｎｇ Ｓｅａｌ」，「Ｐｒｅ ＥＶＡＣ」，「ＬｅａｋＣｈｅｃｋ」，「Ｈ２ Ａｎｎｅａｌ」，「Ｎ２Ａｆｔｅｒ Ｐｕｒｇｅ」，「Ａｆｔｅｒ ＥＶＡＣ」，「Ｌｅａｋ」，「ＯＲｉｎｇ Ｌｅａｋ」，「Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ」のステータス名となり、ＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１８は、ＰＭＣコンフィグファイル２３をこのテーブル番号で検索してリカバリー処理を実施する。
どのステータスでエラーが発生してＨ２クローズへ遷移するかによってリカバリー処理が異なるということを図８を参照して具体的に説明すると、ＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１８は、Ｂｏａｔ Ｌｏａｄのステータス、Ｏｒｉｎｇ Ｓｅａｌのステータス、Ｐｒｅ ＥＶＡＣのステータス及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋのステータスでエラーが発生した場合は、Ｌｅａｋステップ〜Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄステップまでの処理を実施してリカバリー処理とし、Ｈ２ Ａｎｎｅａｌ及びＮ２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅでエラー処理が発生した場合は、Ｎ２Ａｆｔｅｒ Ｐｕｒｇｅ〜 Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄステップを実行してリカバリー処理とする。
又、ＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１８は、Ａｆｔｅｒ ＥＶＡＣのステータスでエラーが発生した場合は、Ａｆｔｅｒ ＥＶＡＣステップ〜Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄステップまでの処理を実行してリカバリー処理とし、Ｌｅａｋのステータスでは、Ｌｅａｋ〜Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄステップの処理を実行してリカバリー処理とし、ＯＲｉｎｇ Ｌｅａｋでエラー処理が発生した場合は、ＯＲｉｎｇ Ｌｅａｋステップ〜Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄステップまでの処理をしてリカバリー処理とする。また、ＰＭＣコンフィグファイル２３内エラー処理取得モジュール１８は、Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄのステータスでエラーが発生した場合は、Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄのエラー処理を実行し、リカバリー処理とする。
（実施形態の効果）
以上、説明したように、本実施形態においては、特殊なガスのシーケンスを必要とするアニール、すなわち、熱処理工程において、実行済みのステップ、実施前のステップ、実行中のステップをアイコン化し、表示することによって視認性を向上させ、シーケンスの状態を容易に把握すること、及び、障害発生時の復旧作業を迅速に開始させることができるという効果がある。また、実際にエラーが発生した場合には、リカバリー処理を実施するかどうかが判断され、実施すると場合にはステップ毎に、自動でＡＢＯＲＴレシピ２２がテーブル単位で実施されるので、エラーが発生したステータス（Ｈ２アニールのステータス）に応じてリカバリー処理が自動で実行され、リカバリー操作が自動で実施でき、労力と時間は減少される傾向になる。従って、オペレータの作業量の軽減・リカバリー時間の短縮を図れることで生産性の向上が実現される。
（実施形態の効果）
以上、説明したように、本実施形態においては、特殊なガスのシーケンスを必要とするアニール、すなわち、熱処理工程において、実行済みのステップ、実施前のステップ、実行中のステップをアイコン化し、表示することによって視認性を向上させ、シーケンスの状態を容易に把握すること、及び、障害発生時の復旧作業を迅速に開始させることができるという効果がある。また、実際にエラーが発生した場合には、リカバリー処理を実施するかどうかが判断され、実施すると場合にはステップ毎に、自動でＡＢＯＲＴレシピ２２がテーブル単位で実施されるので、エラーが発生したステータス（Ｈ２アニールのステータス）に応じてリカバリー処理が自動で実行され、リカバリー操作が自動で実施でき、労力と時間は減少される傾向になる。従って、オペレータの作業量の軽減・リカバリー時間の短縮を図れることで生産性の向上が実現される。
なお、本発明の実施の形態では、アニール処理を基板処理の一例に挙げて説明したが、本発明は、他の酸化、成膜等の各種の基板処理にも適用されるものである。この場合、操作画面に表示されるアイコンの種別、アイコンファイルの構成及びアイコンファイルの検索に用いる検索子もそれぞれ基板処理の種別に対応したものが用いられるものとする。
また、本発明は、基板処理装置として半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用することができる。また、縦型装置だけでなく、枚葉装置や横型装置にも適用が可能である。
また、本発明は、基板処理装置として半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用することができる。また、縦型装置だけでなく、枚葉装置や横型装置にも適用が可能である。
１ プロセス制御モジュール（制御手段）
２ 操作部（表示制御手段）
７ モニタ（表示手段）
２０ プロセスレシピ
Ｇ１ アウトライン表示画面（操作画面）
Ｇ２ エラー表示画面（操作画面）
Ｇ３ シーケンス表示画面（操作画面）
Ｉ１〜Ｉ１２ アイコン
２ 操作部（表示制御手段）
７ モニタ（表示手段）
２０ プロセスレシピ
Ｇ１ アウトライン表示画面（操作画面）
Ｇ２ エラー表示画面（操作画面）
Ｇ３ シーケンス表示画面（操作画面）
Ｉ１〜Ｉ１２ アイコン
Claims (4)
- 複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示手段と、前記レシピを制御する制御手段とを有し、前記レシピを実行させることにより基板の処理を行う基板処理装置において、
前記操作画面に、前記レシピの各ステップ名を表示させると共に、前記ステップ内で行なわれる基板処理の内容を示すアイコンを前記レシピの各ステップ名に対応させて、前記ステップ名と前記アイコンとを近傍に並べて表示させる表示制御手段を備えた
ことを特徴とする基板処理装置。 - 複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面と、この操作画面を有する表示手段と、前記レシピを制御する制御手段とを有し、前記レシピを実行させることにより基板の処理を行う基板処理装置により実施される基板処理装置の表示方法において、
前記操作画面に、前記レシピの各ステップ名を表示させると共に、前記ステップ内で行なわれる基板処理の内容を示すアイコンを前記レシピの各ステップ名に対応させて、前記ステップ名と前記アイコンとを近傍に並べて表示させる
ことを特徴とする基板処理装置の表示方法。 - 複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面に、前記レシピの各ステップ名を表示させると共に、前記ステップ内で行われる基板処理の内容を示すアイコンを前記レシピの各ステップ名に対応させて、前記ステップ名と前記アイコンとを近傍に並べて表示させる表示制御手段を備えた
ことを特徴とする基板処理装置。 - 複数のステップから構成されるレシピの作成を行うための操作画面に、前記レシピの各ステップ名を表示させると共に、前記ステップ内で行われる基板処理の内容を示すアイコンを前記レシピの各ステップ名に対応させて、前記ステップ名と前記アイコンとを近傍に並べて表示させる
ことを特徴とする基板処理装置の表示方法。
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