WO2010032499A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2010032499A1
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maintenance
setting
command
control means
screen
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English (en)
French (fr)
Inventor
雅子 末吉
Original Assignee
株式会社日立国際電気
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus composed of a plurality of components for processing a substrate, and more particularly to providing a function for specifying an operation (maintenance command) at the time of maintenance for each component.
  • a substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing steps in a manufacturing method of a semiconductor device (IC).
  • IC semiconductor device
  • a semiconductor manufacturing apparatus that uses a chemical vapor deposition method or the like as a film forming process to form an element on a substrate in a manufacturing process of a semiconductor element is known.
  • the semiconductor manufacturing apparatus is composed of various parts. Components used in semiconductor manufacturing equipment include various sensors (pressure sensors, temperature sensors, etc.), various actuators (process chambers, load lock chambers, robots, aligners, gate valves, etc.) and controllers (overall control controllers, mass flow controllers, etc.) , Robot controller, etc.). Since the semiconductor manufacturing apparatus is composed of such many parts, maintenance work is periodically performed.
  • the maintenance staff who is a user, picks up and implements commands (instructions) for each component used during maintenance, assuming maintenance work.
  • commands that are considered necessary for shortening the maintenance time may not have been implemented.
  • a vacuum gauge which is a kind of sensor
  • the command screen cannot be specified and the open / close operation cannot be performed on the operation screen during normal operation.
  • the operation during maintenance work may not be specified on the operation screen, and maintenance (maintenance) personnel have to manually operate each part directly. Accordingly, since the maintenance work depends on the experience and skill of the maintenance staff, various problems arise. For example, there is safety of maintenance work itself. In addition, depending on the maintenance staff, the time required for the maintenance work increases, resulting in a decrease in operating rate. In addition, if maintenance personnel operate the device without returning it to the normal operation state after the maintenance work is completed, the maintenance operation will be hindered. There was a fear.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that solves the problem that parts operation during maintenance, which is a problem of the prior art, cannot be designated from the operation screen, and can cope with parts requiring operation designation during maintenance without changing the program. There is to do.
  • the first feature of the present invention is that operation means having an operation screen for performing various operation instructions or operation settings, and instructions or information set from the operation screen to perform predetermined processing on the substrate.
  • a first control means for receiving the control signal and a second control means for controlling the substrate to perform a predetermined process in accordance with an instruction or setting information transmitted from the first control means.
  • the operation means defines an operation at the time of maintenance of each component when a means for confirming the setting is pressed on a screen for setting an operation at the time of maintenance for each component. It is to notify the first control means of information including the contents set on the screen based on the parameters.
  • a second feature of the present invention is that, in the first feature, when the first means is notified of information including the contents set on the screen, the first means shares the second control means.
  • the information is converted into a memory and output.
  • the third feature of the present invention is that, in the second feature, the second control means detects a change in information held in a memory shared with the first control means. It is to output an instruction to each component.
  • a maintenance operation that is safer than before can be performed by setting a command (maintenance command) for instructing a component operation during maintenance for each component. Also, by parameterizing the contents of maintenance commands, it is possible to respond to maintenance commands requested by maintenance personnel without a program, and parameters including new maintenance commands can be created quickly. is there.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. It is a block diagram which shows the structure of the controller for control for controlling the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the structure of the processing furnace used for embodiment of this invention. It is a detailed block diagram which shows the controller structure which concerns on embodiment of this invention.
  • the maintenance command monitor screen utilized for embodiment of this invention.
  • the maintenance command setting screen utilized for embodiment of this invention.
  • the operation maintenance parameter utilized for embodiment of this invention.
  • the control maintenance parameter utilized for embodiment of this invention. It is a figure which shows the maintenance command setting sequence in embodiment of this invention. It is a figure which shows the maintenance command command monitor transfer sequence in embodiment of this invention.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration example of an in-line type semiconductor manufacturing apparatus which is an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • a plurality of wafer transfer robots and process chambers, and two load lock chambers for carrier delivery are connected in parallel and redundant.
  • the semiconductor manufacturing apparatus uses a carrier for transporting a substrate (wafer).
  • an in-line type semiconductor manufacturing apparatus 1 is composed of two channels, and basically includes a plurality of modules (first processing module 2 and second processing module 3) having the following functions. It is configured.
  • the first processing module 2 includes a process chamber PM1 serving as a vacuum-tight substrate processing chamber connected in-line, and a vacuum-tight vacuum lock chamber VL1 serving as a front chamber provided in the preceding stage.
  • the second processing module 3 includes a process chamber PM2 as a vacuum-tight substrate processing chamber connected in-line and a vacuum-tight vacuum lock chamber VL2 as a front chamber provided in the preceding stage.
  • the process chamber PM1 and the vacuum lock chamber VL1 are connected by a gate valve PGV1.
  • the process chamber PM2 and the vacuum lock chamber VL2 are connected by a gate valve PGV2.
  • Vacuum vacuum handlers TH1 and TH2 are provided in the vacuum lock chambers VL1 and VL2, respectively.
  • the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are provided with a multi-stage slot having a buffer slot LS in the upper stage and a cooling stage CS in the lower stage.
  • the atmospheric loader LM includes an aligner AU and a loader handler LH.
  • loader doors LD1 and LD2 are provided between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the atmospheric loader LM.
  • the process chambers PM1 and PM2 have a function of giving added value to the wafer W as a substrate, such as film formation by chemical reaction (for example, CVD).
  • a mechanism suitable for the film formation method such as a gas introduction / exhaust mechanism and a temperature control / plasma discharge mechanism.
  • the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are configured to be capable of controlling the vacuum or the atmospheric pressure in the chamber.
  • the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are provided with vacuum robot handlers TH1 and TH2 as second substrate transfer devices independently, respectively, between the process chamber PM1 and the vacuum lock chamber VL1, or between the process chamber PM2 and the vacuum chamber handlers VL1 and VL2.
  • the wafer W can be transferred between the vacuum lock chambers VL2.
  • the vacuum lock chambers VL1 and VL2 have a multi-stage type capable of holding the wafer W, for example, two upper and lower stages.
  • the upper buffer stages LS1 and LS2 have a mechanism for holding the wafer W
  • the lower cooling stages CS1 and CS2 have a mechanism for cooling the wafer W.
  • An atmospheric loader LM as an atmospheric transfer chamber connected to the vacuum lock chambers VL1 and VL2 is a robot (that is, a loader handler LH) that can carry wafers into and out of the load lock chambers (that is, vacuum lock chambers VL1 and VL2). ).
  • the atmospheric loader LM and the vacuum lock chamber VL1 are connected by a load door LD1 (gate valve).
  • the atmospheric loader LM and the vacuum lock chamber VL2 are connected by a load door LD2 (gate valve).
  • two load ports LP1 and LP2 are provided as substrate storage units.
  • the atmospheric loader LM is provided with one loader handler LH, which can transfer the wafer W not only to the vacuum lock chambers VL1 and VL2 but also to the load ports LP1 and LP2.
  • the atmospheric loader LM is provided with an aligner unit AU as a substrate position correction device, and it is possible to correct the deviation of the wafer W during transfer and perform notch alignment (hereinafter referred to as alignment) that aligns the notch in a certain direction. It has become.
  • the load ports LP1 and LP2 are configured so that carriers CR1 and CR2 that can hold a plurality of wafers W can be delivered to the outside of the semiconductor manufacturing apparatus. Further, at least the carrier ID can be read / written.
  • the cooling mechanism of VL1 and VL2 is controlled by a control controller (not shown).
  • a set of process chamber PM1 and a set of vacuum lock chamber VL1 are paired, a set of process chamber PM2 and a set of vacuum lock chamber VL2 are set as another pair, Connect the line to the atmospheric loader LM.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a control controller 11 for controlling the semiconductor manufacturing apparatus 1 shown in FIG.
  • the control controller 11 includes a main controller 12, an overall control controller 13, a process chamber controller PMC (1) 14, and a PMC (2) 15 connected via a LAN circuit 16.
  • the overall controller 13 is connected to a VL robot controller 13a, an atmospheric robot controller 13b, a mass flow controller MFC 13c, and the like.
  • the process chamber controller PMC (1) 14 is connected to a mass flow controller MFC 14a, APC 14b, temperature controller 14c, valve I / O 14d, and the like.
  • the MFC 14a is a mass flow controller for controlling the gas flow rate
  • the APC 14b is an auto pressure controller for controlling the pressure in the process chamber PM.
  • the temperature controller 14c controls the temperature in the process chamber PM
  • the valve I / O 14d is an input / output port for controlling ON / OFF of a gas or exhaust valve.
  • the PMC (2) 15 has the same configuration as the PMC (1) 14.
  • the storage unit 18 is connected to the LAN line 16 and stores instruction data and setting data input via a screen displayed on the main controller 12.
  • the storage unit 18 stores various recipes (process recipes, dummy substrate recipes, and the like).
  • the storage unit 18 is separate from the main controller 12 in the present invention, but may be configured as an integral unit.
  • the main controller 12 has functions for displaying screens such as system control command instructions, monitor display, logging data, alarm analysis, and parameter editing.
  • the overall controller 13 also performs operation control of the entire system, control of the VL robot controller 13a, control of the atmospheric robot controller 13b, and VL exhaust system control for controlling the MFC 13c, valves, pumps, and the like.
  • the overall controller 13 instructs the atmospheric robot controller 13b to perform a wafer transfer instruction.
  • the corresponding wafer W is transferred from the carrier to the buffer slot LS of the vacuum lock chamber VL and then transferred to the buffer slot LS of the vacuum lock chamber VL, exhaust control of the vacuum lock chamber VL (that is, control of pumps and valves) ).
  • the vacuum lock chamber VL reaches a predetermined negative pressure
  • the wafer W is added to the corresponding PMC (that is, PMC (1) 14 or PMC (2) 15) to add value to the wafer W. Instruct the execution of the recipe.
  • FIG. 3 shows a plasma processing apparatus 100 used as at least one of the process chambers PM1 and PM2.
  • the plasma processing apparatus 100 includes a vacuum vessel 104 that forms a processing chamber 102.
  • a wafer loading / unloading port 106 for loading / unloading a wafer W as a substrate to be processed into / from the processing chamber is opened on the side wall of the vacuum chamber 104, and the wafer loading / unloading port 106 is opened and closed by a gate valve 108. It is configured.
  • An exhaust line 110 is connected to the bottom wall of the vacuum vessel 104, and the other end of the exhaust line 110 is connected to a vacuum exhaust device 111 as vacuum exhaust means.
  • An exhaust conductance adjusting valve 112 as an exhaust conductance adjusting means is interposed in the middle of the exhaust line 110.
  • An exhaust conductance adjustment valve control device 114 is electrically connected to the exhaust conductance adjustment valve 112.
  • the exhaust conductance adjustment valve 112 has a pressure for detecting the pressure in the processing chamber 102.
  • the sensor 116 is electrically connected.
  • the exhaust conductance adjustment valve control device 114 is configured to adjust the pressure in the processing chamber 102 by controlling the exhaust conductance adjustment valve 112 based on the detection result from the pressure sensor 116 and the command from the controller 118. Yes.
  • the controller 118 corresponds to the PMC (1) 14 (or PMC (2)) in FIG.
  • An anode electrode (anode) 120 is installed in the processing chamber 102 of the vacuum vessel 104.
  • a gas passage 124 is formed inside the anode electrode 120, and a shower plate 122 is fitted on the lower surface of the anode electrode 120 so as to partition the gas passage 124.
  • a large number of air outlets 126 are formed in the shower plate 122 so as to blow out gas in a shower shape.
  • a gas introduction line 128 serving as a gas introduction means is connected to the gas passage 124 of the anode electrode 120, and various types of gases are introduced into the gas passage 124 from the gas introduction line 128.
  • a cathode electrode (cathode) 130 is installed below the processing chamber 102 of the vacuum vessel 104.
  • the cathode electrode 130 is configured to also serve as a substrate mounting table (susceptor) that holds the wafer W in a state where the wafer W is placed.
  • the cathode electrode 130 also serves as a susceptor (not shown). ) Is built-in.
  • a high-frequency oscillator 132 as a high-frequency power supply means is connected between the anode electrode 120 and the cathode electrode 130 via an impedance matching unit 134.
  • the high-frequency oscillator 132 is connected to the above-mentioned PMC (1) 14 (or PMC ( 2) It is connected to a controller 118 corresponding to 15) via a communication line 136.
  • the high frequency oscillator 132 is adapted to apply a high frequency voltage between the anode electrode 120 and the cathode electrode 130 via the impedance matching unit 134 in response to a command from the controller 118.
  • a voltmeter 138 as a self-bias voltage detection means is connected to the cathode electrode 130, and the voltmeter 138 is configured to transmit a detection result to the controller 118 through the communication line 140.
  • a storage device 142, a display device 144 and an input device 146 are connected to the controller 118.
  • the storage unit 18 and the main controller 12 may be used instead of the storage device 142, the display device 144, and the input device 146, respectively.
  • the controller 118 incorporates a function of managing the traveling wave electric energy and the accumulated self-bias voltage as software functions. For this reason, the controller 118 is configured to acquire the traveling wave power value from the high frequency oscillator 132 via the communication line 136 as data related to the plasma processing and store it in the storage device 142. Further, the controller 118 is configured to acquire a self-bias voltage value as data related to plasma processing from the voltmeter 138 via the communication line 140 and store it in the storage device 142.
  • the gate valve 108 is opened, and the wafer W is loaded into the processing chamber 102 from the wafer loading / unloading port 106, and the cathode electrode also serving as a susceptor. 130.
  • the wafer loading / unloading port 106 is closed by the gate valve 108.
  • the inside of the processing chamber 102 is exhausted by the vacuum exhaust device 111 through the exhaust line 110 and the exhaust conductance adjustment valve 112.
  • the raw material gas is introduced into the gas passage 124 from the gas introduction line 128 and blown into the processing chamber 102 from the outlet 126 of the shower plate 122 in a shower shape.
  • a feedback control method in which the exhaust conductance adjusting valve 112 is controlled based on a signal output from the pressure sensor 116 and input to the exhaust conductance adjusting valve control device 114. Is used.
  • the power value set in the controller 118 from the input device 146 is set in the high frequency oscillator 132 through the communication line 136, and the high frequency power is generated by the high frequency oscillator 132.
  • the high frequency power generated by the high frequency oscillator 132 is applied to the anode electrode 120 through the impedance matching unit 134. When high frequency power is applied, plasma is generated between the anode electrode 120 and the cathode electrode 130.
  • the plasma generated in this manner decomposes or activates the raw material gas blown into the processing chamber 102 in a shower shape, and deposits it on the wafer W held by the cathode electrode 130 that also serves as a susceptor, thereby forming a film. Is done.
  • the main controller 12 is configured to include at least an operation unit 19 as an operation unit and a control unit 20 as a first control unit.
  • a component controller 21 for inputting various data from various sensors and various actuators to the control unit 20 is used as a second control means, and a pressure gauge, a thermometer, a pump, etc. are connected to the component controller 21 via a LAN or cable wiring. Connected to the output section.
  • the component controller 21 corresponds to the PMC 14 (or 15) shown in FIG. 2 and the controller 118 shown in FIG.
  • the operation unit 19 includes an operation screen as a display unit and performs monitor display. Also, various commands are received by an input means (not shown). Various commands can be set on the operation screen.
  • the control unit 20 includes a component controller 21 and a shared memory, and controls each component. Further, an error of each component is detected, and error information (data) is transmitted to the operation unit 19.
  • the component controller 21 inputs and outputs data with each component.
  • the operation unit 19 is also configured to display a maintenance command monitor screen for checking the operation at the time of maintenance for each component and a maintenance setting screen for setting the operation at the time of maintenance for each component. Yes. Further, the operation unit 19 and the control unit 20 include parameters that define various operations of each component.
  • the name, status, and description are set as items.
  • the name of each maintenance command, the status at the time of maintenance, for example, the condition for performing maintenance (maintenance threshold, etc.), A description of the means for shifting to the state and the content of the condition is displayed.
  • the maintenance command is selected by clicking the radio button, and the maintenance command setting screen shown in FIG. 6 is displayed when the setting button is pressed.
  • the operation setting during maintenance shown in FIG. 5 is set.
  • the state can be set by selecting “maintenance” and “non-maintenance” with the radio buttons.
  • “Maintenance” is set, the valve related to the vacuum gauge, which is an automatic open / close control valve, is changed to a forced open / close control valve.
  • “non-maintenance” is set, the forced open / close control valve changes to the automatic open / close control valve in the normal mode.
  • the name of the maintenance command is “lid opening / closing chamber temperature”
  • the temperature can be set by inputting a set value. Similarly, the setting is confirmed by pressing the transmission button.
  • the operation unit 19 includes operation maintenance parameters shown in FIG. 7 used when displaying the maintenance command monitor screen shown in FIG. 5 and the maintenance command setting screen shown in FIG.
  • the operation maintenance parameter has a variable part of the maintenance command as a parameter.
  • the operation maintenance parameter is read when the program starts up and is used when the screen is displayed or data is transmitted.
  • the parameters of the operation maintenance parameter name column and description column are displayed in the name item and description item of the maintenance command monitor screen shown in FIG.
  • the Type column of the operation unit parameter is Bit
  • the command monitor is “0”, the bit off-time name column, and if “1”, the bit on-time name column.
  • the parameter is displayed.
  • the Type column is Word, the numerical value of the monitor is displayed.
  • the operation maintenance parameter name column and description column parameter are displayed in the name item and description item of the maintenance command setting screen shown in FIG.
  • a command selection button for example, a radio button or the like
  • a value can be set.
  • the control maintenance parameter shown in FIG. 8 is stored in the control unit 20.
  • the control maintenance parameter also holds the variable part of the maintenance command as a parameter, and the IOID used as an identifier uniquely determined between the display unit and the control unit and the IO used as an identifier between the control unit and the component controller It consists of a set of memory addresses.
  • the main menu performs a predetermined operation from the screen and displays the maintenance command monitor screen shown in FIG.
  • the target maintenance command is selected with the command selection button, and the setting button is pressed to switch to the maintenance command setting screen shown in FIG.
  • the type of the maintenance command is Bit
  • the target maintenance command state is selected as shown in FIG. 6A, and the setting button is pressed.
  • the maintenance command Type is Word
  • a numerical value is input to the setting field as shown in FIG. 6B, and the setting button is pressed.
  • the numerical value input may be performed by displaying a soft numeric keypad, for example, but is not particularly limited.
  • FIG. 9 shows a maintenance setting sequence in this embodiment.
  • the maintenance command setting sequence is started by pressing the transmission button on the maintenance setting screen of FIG.
  • the operation maintenance parameter is searched from the command name (command No.) selected on the maintenance setting screen of FIG. 6, the IOID is acquired, and a maintenance command setting message is created and transmitted.
  • the control unit 20 retrieves the control maintenance parameter from the IOID of the maintenance command setting message, acquires the address of the shared memory, and sets the address value.
  • the component controller 21 maps Value areas corresponding to the commands 1 to n in its shared memory. Therefore, since changes are detected by scanning at regular time intervals (system cycle times), it is possible to detect changes in increase / decrease (addition, deletion, etc.) of commands.
  • FIG. 10 shows a maintenance command monitor transfer sequence in this embodiment.
  • the parts controller 21 writes output information from parts such as valves in the shared memory at regular intervals.
  • a maintenance command monitor message is created by searching for the IOID of the control maintenance parameter at regular intervals, referring to data at the address of the shared memory, and transmitted to the display unit of the operation unit 19 of the main controller 12.
  • the wafer W is damaged in the chamber and the lid of the chamber is opened and closed in order to collect fragments of the wafer W will be specifically described.
  • Atmospheric pressure is used to open and close the lid in the chamber.
  • the temperature it is necessary to set the temperature to be lower than the settable temperature (for example, 50 ° C.).
  • the set temperature of the lid openable / closable chamber temperature (chamber lid openable temperature change command) is changed to 80 ° C.
  • the maintenance worker opens the chamber lid, collects the damaged wafer W, and closes the chamber lid.
  • the chamber lid opening / closing temperature setting is returned to 50 ° C. by a chamber lid opening / closing temperature change command.
  • the number of maintenance commands is three.
  • the command No Since the number of maintenance commands can be increased or decreased by adding or deleting, the number of maintenance commands can be changed without a program. Therefore, it becomes easy to adapt to various maintenance operations.
  • the setting for normal operation and the setting for maintenance can be individually set, the maintenance worker can perform the maintenance work with peace of mind, and thus the work spent on the maintenance. Can be shortened.
  • the maintenance command setting screen is provided, the maintenance operation can be performed safely and simplified by performing a simple operation of setting on the operation screen.

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Abstract

　メンテナンス時の部品動作を操作画面から指定できないことを解決し、保守員が必要であると考えたコマンドについてもプログラム変更なしで対応できる基板処理装置を提供することにある。種々の動作指示または動作の設定を行う操作画面を備えた操作手段１９と、基板に所定の処理を行うよう前記操作画面からの指示または設定された情報を受け付ける第一の制御手段２０と、前記第一の制御手段２０から送信される指示または設定情報に従い前記基板に対して所定の処理を施すよう制御する第二の制御手段２１とを備え、複数の部品で構成される基板処理装置であって、前記操作手段１９は、各部品に対してメンテナンス時における動作を設定する画面で設定を確定する手段が押下されると、各部品のメンテナンス時における動作を規定するパラメータに基づいて前記画面上で設定した内容を含む情報を前記第一の制御手段２０に通知することにある。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板を処理する複数の部品で構成される基板処理装置に関し、特に、各部品にメンテナンス時の動作（メンテナンスコマンド）を指定できる機能を設けたことに関する。
　一般に、基板処理装置は、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。そして、半導体素子の製造過程において、基板上の素子を形成するために成膜処理工程として化学的気相成長法などを用いる半導体製造装置が知られている。半導体製造装置は、種々の部品で構成されている。半導体製造装置で用いられる部品としては、各種センサ類(圧力センサ、温度センサ等)や各種アクチュエータ（プロセスチャンバ、ロードロック室、ロボット、アライナ、ゲートバルブ等）やコントローラ類(統括制御コントローラ、マスフローコントローラ、ロボットコントローラ等)など多岐に渡る。半導体製造装置では、このように多くの部品で構成されているため、周期的に保守(メンテナンス)作業が行われる。
　メンテナンスにおいて、各部品を動作させる必要がある。従い、ユーザである保守員は、メンテナンス作業を想定して、メンテナンス時に使用する各部品のコマンド(命令)をピックアップして実装していた。保守員によっては、メンテナンス時間を短縮するために必要と考えるコマンドが実装されていないこともあり、その度にプログラムの変更で対応していた。例えば、センサの一種である真空計の部品交換を行う場合に、真空計の直近のバルブを閉めて、作業を行う必要がある。しかしながら、通常運転中は自動的に開閉する仕様のバルブであるため、通常運転中の操作画面では、コマンド指示ができずに開閉操作ができない。
　このように、部品によっては、メンテナンス作業時の動作が操作画面上で指定できないことがあり、メンテナンス(保守)員が直接各部品を手動で操作しなければならなかった。従い、メンテナンス作業は、保守員の経験、技量に依存してしまうため、種々の問題が生じる。例えば、メンテナンス作業そのものの安全性がある。また、保守員によっては、メンテナンス作業に要する時間が多くなり、結果として稼働率の低下を招く。更に、保守員が、通常運転時の状態に戻す必要のある部品を、メンテナンス作業終了後に通常運転時の状態に戻さずにそのまま装置を運転させてしまった場合、安全な装置運用に支障をきたすおそれがあった。
　本発明の目的は、従来技術の問題点であるメンテナンス時の部品動作を操作画面から指定できないことを解決し、メンテナンス時における動作指定が必要な部品についてプログラム変更なしで対応できる基板処理装置を提供することにある。
　本発明の第１の特徴とするところは、種々の動作指示または動作の設定を行う操作画面を備えた操作手段と、基板に所定の処理を行うよう前記操作画面からの指示または設定された情報を受け付ける第一の制御手段と、前記第一の制御手段から送信される指示または設定情報に従い前記基板に対して所定の処理を施すよう制御する第二の制御手段とを備え、複数の部品で構成される基板処理装置であって、前記操作手段は、各部品に対してメンテナンス時における動作を設定する画面で設定を確定する手段が押下されると、各部品のメンテナンス時における動作を規定するパラメータに基づいて前記画面上で設定した内容を含む情報を前記第一の制御手段に通知することにある。
　本発明の第２の特徴とするところは、第１の特徴において、前記第一の手段は、該画面上で設定した内容を含む情報を通知されると、前記第二の制御手段と共有しているメモリに前記情報を変換処理して出力することにある。
　本発明の第３の特徴とするところは、第２の特徴において、前記第二の制御手段は、前記第一の制御手段と共有しているメモリ内に保持される情報の変化を検知して、各部品に指示を出力することにある。
　本発明によれば、部品ごとにメンテナンス時の部品動作を指示するコマンド(メンテナンスコマンド)を設定することで、従来より安全なメンテナンス作業を行うことができる。また、メンテナンスコマンドの内容をパラメータ化することにより、保守員から必要であると要求のあったメンテナンスコマンドをプログラムレスで対応することが可能となり、新規のメンテナンスコマンドを含むパラメータを早急に作成可能である。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態に用いられる処理炉の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態に係るコントローラ構成を示す詳細ブロック図である。 本発明の実施形態に利用されるメンテナンスコマンドモニタ画面。 本発明の実施形態に利用されるメンテナンスコマンド設定画面。 本発明の実施形態に利用される操作メンテナンスパラメータ。 本発明の実施形態に利用される制御メンテナンスパラメータ。 本発明の実施形態におけるメンテナンスコマンド設定シーケンスを示す図である。 本発明の実施形態におけるメンテナンスコマンドコマンドモニタ転送シーケンスを示す図である。
符号の説明
　１　半導体製造装置
　１１　制御用コントローラ
　１２　メインコントローラ
　１３　統括制御コントローラ
　１９　操作部
　２０　制御部
　２１　部品コントローラ（制御部コントローラ）
　１００　プラズマ処理装置
　１０２　処理室
　Ｗ　　　ウェハ
　図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるインライン型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図１の構成では、ウェハ搬送用ロボットやプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された並列冗長の構成となっている。また、この半導体製造装置は基板（ウェハ）を搬送するキャリアを用いている。
　図１において、インライン型の半導体製造装置１は２チャンネルで構成されており、基本的には次のような機能を持つ複数のモジュール（第１の処理モジュール２及び第２の処理モジュール３）によって構成されている。第１の処理モジュール２は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ１とから構成されている。第２の処理モジュール３は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ２と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ２とから構成されている。プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１とはゲートバルブＰＧＶ１で接続されている。また、プロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２とはゲートバルブＰＧＶ２で接続されている。バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２にはそれぞれ真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２とが設けられている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２には、上段にバッファスロットＬＳを備え、下段にクーリングステージＣＳを備える多段型のスロットが設けられている。更に大気ローダＬＭには、アライナＡＵとローダハンドラＬＨが内蔵されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と大気ローダＬＭの間にはローダドアＬＤ１、ＬＤ２が設けられている。
　プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２は、化学反応(例えば、ＣＶＤ)による成膜など、基板としてのウェハＷに付加価値を与える機能を持っている。また、ガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構など成膜方式に合せた機構を持っている。
　バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、真空又は大気圧のチャンバ内圧力を制御可能に構成されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２には、第２の基板搬送装置としての真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２が１台ずつ独立して設けられ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１間、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間とでウェハＷを搬送することが可能になっている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、ウェハＷを保持することができる多段型ステージ、例えば上下２段のステージを有する。上段のバッファステージＬＳ１、ＬＳ２ではウェハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１、ＣＳ２ではウェハＷを冷却する機構を持っている。
　バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気ローダＬＭは、各ロードロックチャンバ（つまり、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２）へウェハを搬入搬出することができるロボット（つまり、ローダハンドラＬＨ）を装備している。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１とはロードドアＬＤ１（ゲートバルブ）で接続されている。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ２とはロードドアＬＤ２（ゲートバルブ）で接続されている。この大気ローダＬＭの他側には、基板収納部としての２台のロードポートＬＰ１、ＬＰ２とが設けられる。
　大気ローダＬＭには、１台のローダハンドラＬＨが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２だけでなくロードポートＬＰ１、ＬＰ２との間でウェハＷを搬送することが可能になっている。また、大気ローダＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けられ、搬送時のウェハＷのずれの補正やノッチを一定方向に合せるノッチ合わせ（以下、アライメントという）を行うことが可能となっている。また、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、複数枚のウェハＷが保持可能なキャリアＣＲ１，ＣＲ２を、半導体製造装置外部と受渡し可能に構成されている。更に少なくともキャリアＩＤをリード/ライトすることができる。
　上述した真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２、ローダハンドラＬＨ、ゲートバルブＰＧＶ１、ＰＧＶ２、ロードドアＬＤ１、ＬＤ２、及びプロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２のガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構や、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２の冷却機構等は、図示しない制御用コントローラにより制御するようになっている。
　図１に示すような半導体製造装置１の構成において、プロセスチャンバＰＭ１の一式とバキュームロックチャンバＶＬ１の一式を対にし、プロセスチャンバＰＭ２の一式とバキュームロックチャンバＶＬ２の一式を別の対にして、複数ラインを大気ローダＬＭに接続する。図１の半導体製造装置１の構成では２ラインとなっているが、さらに多くのラインで構成してもよい。
　ここで、制御用コントローラ１１が半導体製造装置１に接続されており、制御用コントローラ１１は搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図２は図１に示す半導体製造装置１を制御するための制御用コントローラ１１の構成を示すブロック図である。
　図２において、制御用コントローラ１１は、メインコントローラ１２と統括制御コントローラ１３とプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４、ＰＭＣ（２）１５が、ＬＡＮ回路１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３にはＶＬロボットコントローラ１３ａ、大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。尚、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃはプロセスチャンバＰＭ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５もＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。
　記憶部１８は、ＬＡＮ回線１６に接続されており、メインコントローラ１２に表示される画面を介して入力された指示データや設定データを格納する。また、記憶部１８には、各種レシピ（プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等）が格納されている。尚、記憶部１８は、本発明においては、メインコントローラ１２と別体となっているが、一体となっている構成でも構わない。
　メインコントローラ１２はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能を有している。また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、ＶＬロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御するＶＬ排気系制御を行う。
　次に、図２に示す制御用コントローラ１１の運用例について説明する。メインコントローラ１２からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示する。該当するウェハＷがキャリアからバキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬの排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、バキュームロックチャンバＶＬが所定の負圧力に達したところでウェハＷを該当するＰＭＣ（つまり、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５）に対して、ウェハＷに付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行う。
　図３には、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２の少なくとも一方として用いられるプラズマ処理装置１００が示されている。図３に示されているように、プラズマ処理装置１００は処理室１０２を形成する真空容器１０４を備えている。真空容器１０４の側壁には、被処理基板としてのウェハＷを処理室内に搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１０６が開設されており、ウェハ搬入搬出口１０６はゲートバルブ１０８によって開閉されるように構成されている。
　真空容器１０４の底壁には排気ライン１１０の一端が接続されており、排気ライン１１０の他端は真空排気手段としての真空排気装置１１１に接続されている。排気ライン１１０の途中には排気コンダクタンス調整手段としての排気コンダクタンス調整弁１１２が介設されている。排気コンダクタンス調整弁１１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４が電気的に接続されており、排気コンダクタンス調整弁１１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４には、処理室１０２内の圧力を検出する圧力センサ１１６が電気的に接続されている。排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４は圧力センサ１１６からの検出結果及びコントローラ１１８からの指令に基づいて、排気コンダクタンス調整弁１１２を制御することにより、処理室１０２内の圧力を調整するように構成されている。因みに、コントローラ１１８は図２でいうＰＭＣ（１）１４（又はＰＭＣ（２））に相当する。
　真空容器１０４の処理室１０２内にはアノード電極（陽極）１２０が設置されている。アノード電極１２０の内部にはガス通路１２４が形成されており、アノード電極１２０の下面にはシャワー板１２２がガス通路１２４を仕切るように嵌め込まれている。シャワー板１２２には多数個の吹出口１２６がガスをシャワー状に吹き出すように開設されている。アノード電極１２０のガス通路１２４にはガス導入手段としてのガス導入ライン１２８が接続されており、ガス通路１２４にはガス導入ライン１２８から多種類のガスが導入されるようになっている。
　一方、真空容器１０４の処理室１０２の下部にはカソード電極（陰極）１３０が設置されている。カソード電極１３０はウェハＷを載置した状態で保持する基板載置台（サセプタ）を兼用するように構成されており、サセプタ兼用のカソード電極１３０には保持したウェハＷを加熱するヒータ（図示せず）が内蔵されている。
　アノード電極１２０とカソード電極１３０との間には、高周波電力供給手段としての高周波発振器１３２がインピーダンス整合器１３４を介して接続されており、高周波発振器１３２は前述のＰＭＣ（１）１４（若しくはＰＭＣ（２）１５）に相当するコントローラ１１８に通信線１３６によって接続されている。高周波発振器１３２はコントローラ１１８からの指令に応答してインピーダンス整合器１３４を介してアノード電極１２０とカソード電極１３０との間に高周波電圧を印加するようになっている。
　カソード電極１３０には自己バイアス電圧検出手段としての電圧計１３８が接続されており、電圧計１３８は検出結果を通信線１４０によってコントローラ１１８に送信するように構成されている。コントローラ１１８には記憶装置１４２、表示装置１４４及び入力装置１４６が接続されている。ここで、記憶装置１４２、表示装置１４４及び入力装置１４６の代わりにそれぞれ記憶部１８、メインコントローラ１２を使用してもよいのはいうまでもない。
　コントローラ１１８にはソフトウェアの機能として、進行波電力量及び累積自己バイアス電圧の管理機能が組み込まれている。このため、コントローラ１１８はプラズマ処理に関するデータとして、進行波電力値を高周波発振器１３２から通信線１３６を介して取得して、記憶装置１４２に格納するように構成されている。また、コントローラ１１８はプラズマ処理に関するデータとして、自己バイアス電圧値を電圧計１３８から通信線１４０を介して取得して、記憶装置１４２に格納するように構成されている。
　次に、前記構成に係るプラズマ処理装置１００によるウェハＷへの膜の形成方法を説明する。
　膜を形成すべきウェハＷがウェハ搬入搬出口１０６に搬送されてくると、ゲートバルブ１０８が開けられ、ウェハＷがウェハ搬入搬出口１０６から処理室１０２内に搬入され、サセプタを兼用するカソード電極１３０の上に載置される。ウェハＷがカソード電極１３０に設置されて保持されると、ウェハ搬入搬出口１０６がゲートバルブ１０８によって閉じられる。処理室１０２内が真空排気装置１１１によって排気ライン１１０及び排気コンダクタンス調整弁１１２を通じて排気される。
　処理室１０２内が所定の圧力に維持されながら、原料ガスがガス導入ライン１２８からガス通路１２４に導入され、処理室１０２内にシャワー板１２２の吹出口１２６からシャワー状に吹き出される。処理室１０２内の圧力を一定に維持する方法としては、圧力センサ１１６から出力されて排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４に入力される信号に基づいて、排気コンダクタンス調整弁１１２が制御されるフィードバック制御方法が使用される。
　処理室１０２内が所定の圧力に維持された状態で、コントローラ１１８に入力装置１４６から設定された電力値が高周波発振器１３２に通信線１３６を通じて設定され、高周波電力が高周波発振器１３２によって発生される。高周波発振器１３２によって発生された高周波電力は、アノード電極１２０にインピーダンス整合器１３４を通して印加される。高周波電力が印加されると、アノード電極１２０とカソード電極１３０との間にプラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマにより、処理室１０２内にシャワー状に吹き出された原料ガスが分解又は活性化し、サセプタを兼ねるカソード電極１３０に保持されたウェハＷの上に堆積し、膜が形成される。
　図４に基づいて本発明の実施形態におけるコントローラ構成の詳細を説明する。メインコントローラ１２は、操作手段としての操作部１９と第一の制御手段である制御部２０を少なくとも含む構成になっている。また、各種センサや各種アクチュエータから制御部２０へ各種データを入力するための部品コントローラ２１を第二の制御手段とし、部品コントローラ２１にＬＡＮやケーブル配線を介して圧力計、温度計、ポンプ等の出力部と接続している。因みに、部品コントローラ２１は、図２でいうＰＭＣ１４（または１５）、図３でいうコントローラ１１８に相当する。
　操作部１９は表示部としての操作画面を備え、モニタ表示を行う。また、図示しない入力手段により各種コマンドを受け付ける。また、操作画面上で各種コマンドの設定が行える。制御部２０は、部品コントローラ２１と共有メモリを有し、各部品を制御する。また、各部品のエラーを検知して操作部１９へエラー情報（データ）を送信する。部品コントローラ２１は各部品とのデータの入出力を行う。
　操作部１９は、また、各部品に対してメンテナンス時の動作をチェックするためのメンテナンスコマンドモニタ画面や各部品に対してメンテナンス時の動作を設定するためのメンテナンス設定画面を表示するよう構成されている。更に、操作部１９や制御部２０は、各部品の種々の動作を規定するパラメータを備える。
　図５に示すメンテナンスコマンドモニタ画面では、項目として名称、状態、説明が設定され、各メンテナンスコマンドの名称、メンテナンス時の状態、例えば、メンテナンスを実施するための条件 (メンテナンス閾値等)、メンテナンス時の状態に移行する手段や条件の内容などの説明が表示される。そして、ラジオ釦がクリックされてメンテナンスコマンドが選択され、設定釦が押下されることで図６に示すメンテナンスコマンド設定画面へ移行する。本実施の形態では３つのメンテナンスコマンドしか表示されていないがあくまでも一実施例に過ぎず、メンテナンスコマンドの数は限定されない。
　図６に示すメンテナンスコマンド設定画面には、図５に示すメンテナンス時の動作の設定が行われる。例えば、図６(ａ)のようにメンテナンスコマンドの名称が『真空計関連バルブ操作』である場合、状態が『メンテナンス』と『非メンテナンス』をラジオ釦により選択して設定することができる。『メンテナンス』が設定されると、自動開閉制御バルブである真空計関連バルブが強制開閉制御バルブに変わる。『非メンテナンス』が設定されると、強制開閉制御バルブから通常モードである自動開閉制御バルブに変わる。そして、メンテナンス作業者は、送信釦を押下して設定を確定させる。また、図６（ｂ）のようにメンテナンスコマンドの名称が『蓋開閉可チャンバ温度』である場合、温度の設定値を入力して設定することができる。設定は同様に送信釦を押下して確定される。
　操作部１９は、図５に示すメンテナンスコマンドモニタ画面や図６に示すメンテナンスコマンド設定画面を表示する際に使用される図７に示す操作メンテナンスパラメータを備える。操作メンテナンスパラメータは、メンテナンスコマンドの可変部分をパラメータとして持ったもので、プログラムが立ち上がり時に読み込まれ、画面表示やデータ送信時に使用される。
　操作メンテナンスパラメータの名称列、説明列のパラメータが、図５に示すメンテナンスコマンドモニタ画面の名称項目、説明項目に表示される。図５に示すメンテナンスコマンドモニタ画面の状態項目には、操作部パラメータのＴｙｐｅ列がＢｉｔの場合は、コマンドのモニタが「０」ならビットＯｆｆ時名称列、「１」ならビットＯｎ時名称列のパラメータが表示される。また、Ｔｙｐｅ列がＷｏｒｄの場合、モニタの数値が表示される。
　操作メンテナンスパラメータの名称列、説明列のパラメータが、図６に示すメンテナンスコマンド設定画面の名称項目、説明項目にそれぞれ表示される。操作メンテナンスパラメータのＴｙｐｅ列がＢｉｔの場合は、コマンド選択釦（例えば、ラジオ釦等）を設定できるように構成される。Ｔｙｐｅ列がＷｏｒｄの場合、値を設定できるように構成される。
　制御部２０には図８に示す制御メンテナンスパラメータが格納されている。制御メンテナンスパラメータもメンテナンスコマンドの可変部分をパラメータとして保持しており、メンテナンスコマンドを表示部－制御部間で一意的に定める識別子として使用するＩＯＩＤと制御部－部品コントローラ間での識別子として使用するＩＯメモリのアドレスの組で構成されている。
　図５と図６を用いて、表示部の操作画面でメンテナンスの設定の操作を説明する。
　例えば、メインメニューが画面から所定の操作を行い、図５に示すメンテナンスコマンドモニタ画面を表示する。コマンド選択釦で対象とするメンテナンスコマンドの選択を行い、設定釦を押下して、図６に示すメンテナンスコマンド設定画面に切り替える。メンテナンスコマンドのＴｙｐｅがＢｉｔの場合は、図６（ａ）のように対象とするメンテナンスコマンドの状態を選択して、設定釦を押下する。メンテナンスコマンドのＴｙｐｅがＷｏｒｄの場合、図６（ｂ）のように設定欄に数値を入力して、設定釦を押下する。尚、数値入力は、例えば、ソフトテンキーを表示させてそれを利用しても良いが、特に限定されることはない。
　図９に本実施形態におけるメンテナンス設定シーケンスを示す。メンテナンスコマンド設定シーケンスは、図６のメンテナンス設定画面にて送信釦を押下により開始される。
　図６のメンテナンス設定画面にて選択されたコマンド名称（コマンドＮｏ．）から操作メンテナンスパラメータを検索してＩＯＩＤを取得してメンテナンスコマンド設定電文を作成して送信する。制御部２０ではメンテナンスコマンド設定電文のＩＯＩＤから制御メンテナンスパラメータを検索して共有メモリのアドレスを取得して、そのアドレス値を設定する。部品コントローラ２１では、共有メモリの変化を検知して、その変化をトリガーにして、バルブなどの部品への出力を設定する。例えば、図６でコマンドを送信するとコマンドのValue（図６でいうとOn=1 またはOff=0）を部品コントローラ２１に送られ、部品コントローラ２１はその送信データを自分の共有メモリに展開して、コマンドのＶａｌｕｅの変化（図６でいうとOn=1 （Off=0）がOff=0 (On=1)に変化）を検知する。ほかに、部品コントローラ２１は、自分の共有メモリの中で、コマンド１～nに対応したValueエリアをマッピングしている。よって、一定時間間隔（システムサイクルタイム）でスキャンして変化を検知しているので、コマンドの増減（追加や削除等）の変化を検知することが可能である。
　図１０に本実施形態におけるメンテナンスコマンドモニタ転送シーケンスを示す。
　部品コントローラ２１が一定時間毎に、バルブなどの部品からの出力情報を共有メモリに書き込む。前記一定時間毎に制御メンテナンスパラメータのＩＯＩＤで検索して共有メモリのアドレスのデータを参照してメンテナンスコマンドモニタ電文を作成し、メインコントローラ12の操作部１９の表示部に送信する。
　真空計が故障したため、この真空計を交換する場合について具体的に説明する。真空計交換のためには、真空計に最も近いバルブを閉める必要があるが、このバルブは真空計の圧力値により自動的に開閉するバルブであるため通常運用時には表示部の操作画面から開閉できない。従い、本実施の形態において図６(ａ)に示すように『メンテナンス』に設定する。すると、メンテナンス対象となるバルブの制御が自動開閉制御から強制開閉制御に変わるので、メンテナンス作業者が直接バルブを手動で開閉できるようになるため、バルブが強制的に閉められる。メンテナンス作業者が真空計の交換を実施する。そして、交換が終了したら図６に示される設定画面において、『非メンテナンス』を設定して、バルブの制御を自動開閉制御に変更する。変更後は、真空計の圧力値により自動的にバルブが開閉する。
　チャンバ内でウェハＷが破損して、このウェハＷの破片を収集するためにチャンバの蓋を開閉する場合について具体的に説明する。チャンバ内の蓋を開閉するために、大気圧にする。そして、開閉可能な設定温度（例えば、５０℃）以下にする必要があるのだが、５０℃以下になるのを待つのは蓋開閉作業に時間がかかる。このような場合、図６（ｂ）に示すように蓋開閉可チャンバ温度の設定温度（チャンバ蓋開可能温度変更コマンド）を８０℃に変更する。そして、メンテナンス作業者は、チャンバ蓋を開けて破損ウェハＷの回収を行い、チャンバ蓋を閉める。メンテナンス作業が終了すると、チャンバ蓋開可能温度変更コマンドでチャンバ蓋開閉可能温度の設定を５０℃に戻す。
　尚、本実施形態ではメンテナンスコマンドの数が３つだが、操作メンテナンスパラメータと制御メンテナンスパラメータにおいて、コマンドＮｏ．を追加もしくは削除することでメンテナンスコマンドの数を増減することができるので、プログラムレスでメンテナンスコマンドの数を変更できる。よって、種々のメンテナンス作業に順応することが容易になる。
　このように、本願発明の実施形態において、通常運用時の設定とメンテナンス時の設定を個別に設定することができるので、メンテナンス作業者がメンテナンス作業を安心して行えるようになり、ひいてはメンテナンスに費やす作業を短縮できる。特に、本願発明の実施形態においては、メンテナンスコマンド設定画面を備えたため、操作画面上で設定を行うという簡単な操作ですむことで、メンテナンス作業を安全に行えると共に簡素化できる。

Claims (3)

  1. 　種々の動作指示または動作の設定を行う操作画面を備えた操作手段と、基板に所定の処理を行うよう前記操作画面からの指示または設定された情報を受け付ける第一の制御手段と、前記第一の制御手段から送信される指示または設定情報に従い前記基板に対して所定の処理を施すよう制御する第二の制御手段とを備え、複数の部品で構成される基板処理装置であって、
    　前記操作手段は、各部品に対してメンテナンス時における動作を設定する画面で設定を確定する手段が押下されると、各部品のメンテナンス時における動作を規定するパラメータに基づいて前記画面上で設定した内容を含む情報を前記第一の制御手段に通知することを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記第一の手段は、該画面上で設定した内容を含む情報を通知されると、前記第二の制御手段と共有しているメモリに前記情報を変換処理して出力することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記第二の制御手段は、前記第一の制御手段と共有しているメモリ内に保持される情報の変化を検知して、各部品に指示を出力することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
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