JP2011096719A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011096719A
JP2011096719A JP2009246590A JP2009246590A JP2011096719A JP 2011096719 A JP2011096719 A JP 2011096719A JP 2009246590 A JP2009246590 A JP 2009246590A JP 2009246590 A JP2009246590 A JP 2009246590A JP 2011096719 A JP2011096719 A JP 2011096719A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
wafer
controller
transfer
robot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009246590A
Other languages
English (en)
Inventor
Ritsuo Horii
律夫 堀井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2009246590A priority Critical patent/JP2011096719A/ja
Publication of JP2011096719A publication Critical patent/JP2011096719A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

【課題】搬送室内の搬送ロボットの動作回数を記録したり、明示したりすることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空中で基板を搬送する第一の搬送手段を制御するロボットコントローラ13a,13bと、前記ロボットコントローラ13a,13bに指示を与える統括制御コントローラ13とを有し、前記ロボットコントローラ13a,13bと前記統括制御コントローラ13間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。また、前記動作回数情報は、操作部に送信されて、操作画面に表示されるよう構成される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、基板を搬送する搬送機構を備えた搬送室と、基板を処理する処理室とを備えた基板処理装置に関し、特に搬送機構の保守技術に関する。
従来、処理室内における様々な構成部品については、従来から処理回数は処理時間などを管理して保守管理がされていた。例えば、特許文献1では、操作画面上で設定値とモニタ値を同時に表示させて、保守員に保守情報を知らせる技術が開示されている。
一方、クラスタ型の基板処理装置において、基板を搬送する搬送機構としての搬送ロボットは周期的にメンテナンスされるようになっている。従い、搬送室における搬送ロボットの動作回数を記録する手段や明示する手段は特に備えられていなかった。ところが、近年、スループット向上の要求に対して、搬送ロボットを仕様限界で動作させなければならなくなってきた。そのため従来に比べて搬送ロボットへの負荷が増大し、定期的なメンテナンスでは対応できなくなってきており、最適なメンテナンス時期を予測することが求められている。
しかしながら、メンテナンス時期を予測するための元となる情報収集手段がなく、また、装置毎の統計データがないため、メンテナンスの最適な時期の予測ができないというような問題があった。
特開平05-243111
本発明は、上述のような問題を解決するために、搬送室内の搬送ロボットを含む搬送機構の動作回数を記録したり、また、記録した動作回数を操作画面上に明示することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の第1の特徴とするところは、基板を搬送する搬送手段を制御するロボットコントローラと、前記ロボットコントローラに指示を与える統括制御コントローラとを有し、前記ロボットコントローラと前記統括制御コントローラ間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。
搬送室内の搬送ロボットの動作回数を管理することができるので、真空ロボット動作回数が起因となる可能性がある故障発生を事前に推測することができる。その結果、装置稼働率を向上させることができ、歩留まりを良くすることができる。
本発明の実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の概略的な構成図である。 本発明の実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の概略的な断面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置のプロセスモジュールとして用いるプラズマ処理装置の概略図である。 本発明の実施形態に用いられる基板処理装置の構成内のウェハWのロケーションを示す図である。 を示す図である。
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図1に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるクラスタ型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図2に、図1のクラスタ型の半導体製造装置の概略的な断面構成例を示す。図1及び図2の構成では、ウェハ搬送用ロボットや処理室としてのプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が2式接続された構成となっている。
まず、図1及び図2を用いて、基板処理装置の概要を説明する。
尚、本発明が適用される基板処理装置1においては基板としてのウェハWを搬送するキャリアとして、FOUP(front opening unified pod。以下、ポッドという。)が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は、図1を基準とする。すなわち、図1が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
図1及び図2に示されているように、基板処理装置1は真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された真空搬送室としての第一の搬送室110を備えており、第一の搬送室110の筐体111は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室110には負圧下で二枚のウェハWを同時に移載可能な第一の搬送手段としての第一のウェハ移載機112が設置されている。前記第一のウェハ移載機112は、エレベータ113によって、第一の搬送室110の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
第一の搬送室110の筐体111の5枚の側壁のうち前側に位置する1枚の側壁には、搬入/搬出用の予備室兼冷却室131,141がそれぞれ室開閉手段としてのゲートバルブ134,144を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、基板予備室としての予備室兼冷却室131,141にはそれぞれ基板載置台132,133,142,143が設置されている。
予備室兼冷却室131,141の前側には、大気圧下で用いられる大気搬送室としての第二の搬送室120がゲートバルブ130,140を介して連結されている。第二の搬送室120には二枚のウェハWを同時に移載可能な第二のウェハ移載機122が設置されている。第二の搬送手段としての第二のウェハ移載機122は第二の搬送室120に設置されたエレベータ123によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ124によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
図1に示されているように、第二の搬送室120の左側には、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置107が設置されている。また、図2に示されているように、第二の搬送室120の上部にはクリーンエアを供給するエア供給機構としてのクリーンユニット106が設置されている。
図1及び図2に示されているように、第二の搬送室120の筐体121には、ウェハWを第二の搬送室120に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口104と、前記ウェハ搬入搬出口104を閉塞する蓋105と、ポッドオープナ103がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ103は、ロードポートとしてのIOステージ100に載置されたポッド101のキャップ及び搬入搬出口104を閉塞する蓋105を開閉するキャップ開閉機構102を備えており、IOステージ100に載置されたポッド101のキャップ及びウェハ搬入搬出口104を閉塞する蓋105をキャップ開閉機構102によって開閉することにより、ポッド101のウェハ出し入れを可能にする。また、ポッド101は図示しない工程内搬送装置(AGV/OHT)によって、前記IOステージ100に供給及び排出されるようになっている。
図1に示されているように、第一の搬送室110の筐体111の5枚の側壁のうち背面側に位置する4枚の側壁には、ウェハWに所望の処理を行う処理室150,151,152,153がそれぞれゲートバルブ160,161,162,163を介して隣接して連結されている。処理室150,151,152,153は全て同一種の処理室を連結することができる。一方、目的に応じてそれぞれ異なる処理室を連結することもできる。
以下、本実施形態における基板処理装置1を使用した処理工程を説明する。
未処理のウェハWは25枚がポッド101に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置1へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図1及び図2に示されているように、搬送されてきたポッド101はIOステージ100の上に工程内搬送から受け渡されて載置される。ポッド101のキャップ及びウェハ搬入搬出口104を開閉する蓋105がキャップ開閉機構102によって取り外され、ポッド101のウェハ出し入れ口が開放される。
ポッド101がポッドオープナ103により開放されると、第二の搬送室120に設置された第二のウェハ移載機122はポッド101からウェハWを1枚ピックアップする。そして、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置107へ移載し、ウェハWの位置を調整する。ここでノッチ合せ装置107とは載置されたウェハWをX方向、Y方向及び円周方向に位置を調整する装置である。
前記ノッチ合せ装置107にてウェハWの位置を調整していると同時に、前記第二のウェハ移載機122はポッド101から次のウェハWをピックアップして第二の搬送室120に搬出する。
前記ノッチ合せ装置107にてウェハWの位置調整が終了したら、前記第二のウェハ移載機122でノッチ合せ装置107上のウェハWを第二の搬送室120に搬出すると共に、このとき第二のウェハ移載機122が保持しているウェハWをノッチ合せ装置107へ移載する。そして、ウェハWに対して位置調整を行う。
次にゲートバルブ130を開け、第一の予備室兼冷却室131に搬入し、ウェハWを基板載置台133に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室110側のゲートバルブ134は閉じられており、第一の搬送室110の負圧は維持されている。ここで、大気搬送モジュールがポッド101を載置するロードポートと、大気圧下で基板Wを搬送する大気搬送室としての第二の搬送室120と、基板予備室としての予備室兼冷却室131,141とで構成され、基板Wは大気搬送モジュール内で大気圧にて搬送される。
ウェハWの基板載置台133への移載が完了すると、ゲートバルブ130が閉じられ、第一の予備室兼冷却室131が排気装置(図示せず)によって負圧に排気される。
第一の予備室兼冷却室131が負圧に排気されると同時に、第二のウェハ移載機122はノッチ合せ装置107からウェハWをピックアップし、ゲートバルブ140を開けて第二の予備室兼冷却室141に搬入し、ウェハWを基板載置台143に移載する。そしてゲートバルブ140を閉じ、第二の予備室兼冷却室141を排気装置(図示せず)によって負圧に排気する。
第二のウェハ移載機122により、上述のようにポッド101から前記第二の搬送室120を介して基板予備室である予備室兼冷却室131,141までの基板搬送が繰り返し実行される。しかしながら、第一の予備室兼冷却室131及び第二の予備室兼冷却室141が負圧の場合は、第一の予備室兼冷却室131及び第二の予備室兼冷却室141へのウェハWの搬入を実行せずに第一の予備室兼冷却室131及び第二の予備室兼冷却室141の直前の所定の位置で停止する。
第一の予備室兼冷却室131が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ134が開かれる。続いて第一の搬送室110の第一のウェハ移載機112は基板載置台133からウェハWをピックアップする。ピックアップ後、ゲートバルブ134を閉じて第一の基板予備室兼冷却室131を大気圧に戻し、次のウェハWを搬入するための準備をする。
ゲートバルブ134を閉じて第一の基板予備室兼冷却室131を大気圧に復帰させるのと同時に、第一の処理室150のゲートバルブ160を開き、ウェハ移載機112がウェハWを第一の処理室150に搬入する。そして第一の処理室150内にガス供給装置(図示せず)から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハWに施される。
続いて、第二の予備室兼冷却室141が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ144が開かれる。続いて第一の搬送室110の第一のウェハ移載機112は基板載置台143からウェハWをピックアップする。
ピックアップ後、ゲートバルブ144を閉じて第二の予備室兼冷却室141を大気圧に戻し、次のウェハWを搬入するための準備をする。
ゲートバルブ144を閉じて第二の予備室兼冷却室141を大気圧に復帰させるのと同時に、第二の処理室151のゲートバルブ161を開き、ウェハ移載機112がウェハWを第二の処理室151に搬入する。そして、第二の処理室151内にガス供給装置(図示せず)から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハWに施される。
以下、同様にして第三の処理室152、第四の処理室153にウェハWを搬入し、所望の処理を施す。
第一の処理室150において所望の処理が終了したら、第一のウェハ移載機112は第一の処理室150から搬出したウェハWを第一の予備室兼冷却室131へ搬出する。このとき、第一の予備室兼冷却室131に未処理のウェハWが存在する場合、第一のウェハ移載機は前記未処理ウェハWを第一の予備室兼冷却室131から第一の搬送室110へ搬出する。
そしてゲートバルブ134を閉じ、処理済ウェハWの冷却を開始すると同時に第一の予備室兼冷却室131に接続された不活性ガス供給装置(図示せず)から不活性ガスを導入し、第一の予備室兼冷却室131内の圧力を大気圧に戻す。
第一の予備室兼冷却室131において予め設定された冷却時間が経過し、且つ第一の基板予備室兼冷却室131内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブ130が開かれる。続いて、第二の搬送室120の第二のウェハ移載機122は基板載置台132から処理済のウェハWをピックアップして第二の搬送室120に搬出し、ゲートバルブ130を閉じる。そして、第二の搬送室120のウェハ搬入搬出口104を通してポッド101に収納する。以上の動作が繰り返されることにより、ウェハWが25枚ずつ順次、処理されていく。
ポッド101内の全てのウェハWに所望の処理が行われ、処理済の25枚のポッド101への収納が完了すると、ポッド101のキャップとウェハ搬入搬出口104を閉塞する蓋105がポッドオープナ103によって閉じられる。閉じられたポッド101はロードポートとしてのIOステージ100上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されていく。
ここで、制御用コントローラが基板処理装置1に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図3は図1及び図2に示す基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
図3において、制御用コントローラ11は、操作部コントローラを有する操作部12と上位コントローラとしての統括制御コントローラ13と第一の処理室150を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC(1)14、第二の処理室151を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC(2)15が、LAN回路16で接続されている。また、統括制御コントローラ13には第一の移載機112を制御する真空ロボットコントローラ13a、第二の移載機122を制御する大気ロボットコントローラ13b、マスフローコントローラMFC13cなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラPMC(1)14には、マスフローコントローラMFC14a、APC14b、温度調節器14c、バルブI/O14dなどが接続されている。尚、MFC14aはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、APC14bはプロセスチャンバPM内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器14cは処理室としてのプロセスチャンバPM内の温度の制御を行うものであり、バルブI/O14dはガスや排気用のバルブのON/OFFを制御するための入出力ポートである。また、PMC(2)15もPMC(1)14と同様な構成である。尚、図示されていないが、第三の処理室152を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC(3)と第四の処理室153を制御するためのプロセスチャンバコントローラPMC(4)も同様な構成で、同じようにLAN回路16に接続してもよい。
記憶部18は、LAN回線16に接続されており、操作部12に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピ(プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等)を格納する。
操作部12はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能である操作部コントローラを有している。また、上位コントローラとしての統括制御コントローラ13は、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ13aの制御、大気ロボットコントローラ13bの制御、MFC13cやバルブやポンプなどを制御する排気系制御を行う。
次に、図3に示す制御用コントローラ11の基本的な運用例について説明する。操作部12からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ13は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ13bに指示すると、該大気ロボットコントローラは、第二の移載機122を制御して、ウェハWをポッド101からノッチ合せ装置107を介して予備室兼冷却室131,141に搬送させる。そして、統括制御コントローラ13は、ウェハWを搬送されると予備室兼冷却室131,141の排気制御(つまり、ポンプやバルブの制御)を実施する。そして、予備室兼冷却室131,141が所定の負圧力に達したところで、真空ロボットコントローラ13aに指示してウェハWを該当する第一の処理室150へ搬送させる。続いて、PMC(1)14又はPMC(2)15等に対して、ウェハWに付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行い、ウェハWに所定の処理が施される。処理済のウェハWは、第一の処理室150から予備室兼冷却室131,141へ搬送され、更に大気圧に戻された後、元のポッド101に搬送される。尚、予め搬送先に異なるポッド指定されている場合、元のポッド110ではなく、指定されたポッドに搬送してもよい。
図4には、複数の処理室150,151,152,153のうち少なくとも一つに用いられるプラズマ処理装置200が示されている。図4に示されているように、プラズマ処理装置200は処理室202を形成する真空容器204を備えている。真空容器204の側壁には、被処理基板としてのウェハWを処理室内に搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口206が開設されており、ウェハ搬入搬出口206はゲートバルブ208によって開閉されるように構成されている。
真空容器204の底壁には排気ライン210の一端が接続されており、排気ライン210の他端は真空排気手段としての真空排気装置211に接続されている。排気ライン210の途中には排気コンダクタンス調整手段としての排気コンダクタンス調整弁212が介設されている。排気コンダクタンス調整弁212には排気コンダクタンス調整弁制御装置214が電気的に接続されており、排気コンダクタンス調整弁212には排気コンダクタンス調整弁制御装置214には、処理室202内の圧力を検出する圧力センサ216が電気的に接続されている。排気コンダクタンス調整弁制御装置214は圧力センサ216からの検出結果及びコントローラ218からの指令に基づいて、排気コンダクタンス調整弁212を制御することにより、処理室202内の圧力を調整するように構成されている。
真空容器204の処理室202内にはアノード電極(陽極)220が設置されている。アノード電極220の内部にはガス通路224が形成されており、アノード電極220の下面にはシャワー板222がガス通路224を仕切るように嵌め込まれている。シャワー板222には多数個の吹出口226がガスをシャワー状に吹き出すように開設されている。アノード電極220のガス通路224にはガス導入手段としてのガス導入ライン228が接続されており、ガス通路224にはガス導入ライン228から多種類のガスが導入されるようになっている。
一方、真空容器204の処理室202の下部にはカソード電極(陰極)230が設置されている。カソード電極230はウェハWを載置した状態で保持する基板載置台(サセプタ)を兼用するように構成されており、サセプタ兼用のカソード電極230には保持したウェハWを加熱するヒータ(図示せず)が内蔵されている。
アノード電極220とカソード電極230との間には、高周波電力供給手段としての高周波発振器232がインピーダンス整合器234を介して接続されており、高周波発振器232は前述のPMC(1)14(若しくはPMC(2)15)に相当するコントローラ218に通信線236によって接続されている。高周波発振器232はコントローラ218からの指令に応答してインピーダンス整合器234を介してアノード電極220とカソード電極230との間に高周波電圧を印加するようになっている。
カソード電極230には自己バイアス電圧検出手段としての電圧計238が接続されており、電圧計238は検出結果を通信線240によってコントローラ218に送信するように構成されている。コントローラ218には記憶装置242、表示装置244及び入力装置246が接続されている。ここで、記憶装置242、表示装置244の代わりにそれぞれ記憶部18、操作部12を使用してもよいのはいうまでもない。また、記憶部18が別体となっている例を示しているが、例えば、コントローラ218内に組み込まれていているメモリ等を用いても良い。
コントローラ218にはソフトウェアの機能として、進行波電力量及び累積自己バイアス電圧の管理機能が組み込まれている。このため、コントローラ218はプラズマ処理に関するデータとして、進行波電力値を高周波発振器232から通信線236を介して取得して、記憶装置242に格納するように構成されている。また、コントローラ218はプラズマ処理に関するデータとして、自己バイアス電圧値を電圧計238から通信線240を介して取得して、記憶装置242に格納するように構成されている。
次に、前記構成に係るプラズマ処理装置200によるウェハWへの膜の形成方法を説明する。
膜を形成すべきウェハWがウェハ搬入搬出口206に搬送されてくると、ゲートバルブ208が開けられ、ウェハWがウェハ搬入搬出口206から処理室202内に搬入され、サセプタを兼用するカソード電極230の上に載置される。ウェハWがカソード電極230に設置されて保持されると、ウェハ搬入搬出口206がゲートバルブ208によって閉じられる。処理室202内が真空排気装置211によって排気ライン210及び排気コンダクタンス調整弁212を通じて排気される。
処理室202内が所定の圧力に維持されながら、原料ガスがガス導入ライン228からガス通路124に導入され、処理室202内にシャワー板222の吹出口226からシャワー状に吹き出される。処理室202内の圧力を一定に維持する方法としては、圧力センサ216から出力されて排気コンダクタンス調整弁制御装置214に入力される信号に基づいて、排気コンダクタンス調整弁212が制御されるフィードバック制御方法が使用される。
処理室202内が所定の圧力に維持された状態で、コントローラ218に入力装置246から設定された電力値が高周波発振器232に通信線236を通じて設定され、高周波電力が高周波発振器232によって発生される。高周波発振器232によって発生された高周波電力は、アノード電極220にインピーダンス整合器234を通して印加される。高周波電力が印加されると、アノード電極220とカソード電極230との間にプラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマにより、処理室202内にシャワー状に吹き出された原料ガスが分解又は活性化し、サセプタを兼ねるカソード電極230に保持されたウェハWの上に堆積し、膜が形成される。
次に、図5より、本実施の形態におけるポーリングについて説明する。ロボットコントローラ13a,13bと上位コントローラとしての統括制御コントローラ13間で定期的に通信状態を確認するポーリングを行っている。本システムでは相手システムがハングアップしているか否かを判断する目的でポーリングを利用している。正常な場合は、上位コントローラ13から定期的に送信されるポーリング要求に対しロボットコントローラ13a,13bから応答が返されますが、ロボットコントローラ13a,13bで異常発生しプログラムが停止した場合、ポーリング応答がなく、上位コントローラ13側でロボットコントローラ13a,13bに異常が発生したと判断できる。
本実施の形態では、上述のポーリング電文に動作回数情報を格納する。このポーリングは、例えば、約10秒間隔で実施されているため、ロボットの動作を監視するのに適している。なぜなら、オペレータ、又は保守担当者がロボット動作回数を確認するタイミングにリアルタイム性は必要ない為に、リアルタイム性を要するモニタ電文等の専用電文を設ける必要がなく、約10秒間隔でやり取りを行うポーリング電文送受信で十分目的を達成することができるであるからである。
図5を用いて、ロボットコントローラ13a,13bと上位コントローラ13と操作部12に備えられた操作部コントローラ間で動作回数情報がどのようにして伝達されているかを説明する。
上位コントローラ13においてポーリング送信間隔タイマ(例えば、10秒)がタイムアップすると、該上位コントローラ13からロボットコントローラ13a,13bに対しポーリング要求電文を送信する。ロボットコントローラ13a,13bで上位コントローラ13からのポーリング要求電文を受信すると、ロボットコントローラ13a,13bでコマンド実行回数を確認してポーリング応答電文のデータ部に格納する。ここで、ロボットコントローラ13a,13bでは、実際にウェハWのPick/Place動作(ロボットの上下動作)やローテートコマント゛(ロボットの回転動作)等を実行するたびにカウンタを更新している。そして、ロボットコントローラ13a,13bからポーリング応答を上位コントローラ13に送信し、上位コントローラ13がポーリング応答電文受信すると、送信間隔タイマをリセット(カウンタをゼロにする)すると共にロボット動作回数を操作部に送信する。操作部12では、上位コントローラ13から受信した各ロボットの動作回数情報を画面に表示する。
上記のように、ロボットコントローラ13a,13bと統括制御コントローラ13間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文に各ロボットの動作回数情報を格納することで、ロボット動作回数を上位コントローラとしての統括制御コントローラ13に通知し、更に、その情報を操作画面に表示している。図6は、ロボットの動作回数を表示する表示例を示す。よって、各ロボットの動作回数を把握することができる。また、図示されていないが、ポーリング電文に格納され上位コントローラに通知された各ロボットの動作回数情報は、記憶部18に逐次記録されるように構成しても良い。そうすることで、各ロボットの動作履歴を知ることができる。よって、各ロボットの動作回数を把握することによりメンテナンスタイミングを予測することができる。また、ロボット動作履歴が起因となる装置故障を事前に把握することができるので、装置稼働率や歩留まりを向上させることが可能となる。
従って、本実施形態によれば、ロボット故障発生時の動作履歴回数を把握することができる。また、収集されたデータを統計化することで次回メンテナンス実施タイミングを予測するための判断材料とすることができる。また、故障による装置停止時間が減少することにより総稼働率向上に繋がる。
上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、クラスタ型の基板処理装置について示したがインライン型の基板処理装置にも適用できることは言うまでもない。
<本発明の好ましい態様>
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の第1の態様は、
真空中で基板を搬送するための第一の搬送手段と真空容器内を真空排気するための排気手段を有する真空搬送室と、前記真空搬送室にゲートバルブを介して隣接された基板に処理を施す複数の処理室と、大気圧から真空へ、又は真空から大気圧へ圧力を制御することにより前記真空搬送室へ基板を搬入または真空搬送室から基板を搬出するための基板予備室と、ゲートバルブを介して前記基板予備室に隣接された大気圧下で基板を搬送するための第二の搬送手段と、前記基板が収納される基板収容容器(FOUP)を載置するためのロードポートを有する大気搬送モジュールとで構成される基板処理装置であって、
前記第一の搬送手段や前記第二の搬送手段を制御するロボットコントローラと、前記ロボットコントローラに指示を与える統括制御コントローラとを有し、
前記ロボットコントローラと前記統括制御コントローラ間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することにある。
本発明の第2の態様は、
更に、操作部を有し、前記統括制御コントローラ間は、前記ロボットコントローラから応答があったポーリング電文に格納された動作回数情報を前記操作部に送信し、前記操作部は、前記動作回数情報を更新して操作画面に表示することにある。
1 基板処理装置
100 IOステージ(ロードポート)
101 ポッド(FOUP)
102 キャップ開閉機構
103 ポッドオープナ
104 ウェハ搬入搬出口
105 蓋
106 クリーンユニット
107 ノッチ合せ装置
110 第一の搬送室(真空搬送室)
111 第一の搬送室の筐体
112 第一のウェハ移載機
113 第一のウェハ移載機のエレベータ
120 第二の搬送室(大気搬送室)
121 第二の搬送室の筐体
122 第二のウェハ移載機
123 第二のウェハ移載機のエレベータ
124 リニアアクチュエータ
130 ゲートバルブ
131 第一の予備室兼冷却室(基板予備室)
132 基板載置台(上)
133 基板載置台(下)
134 基板冷却装置
140 ゲートバルブ
141 第二の予備室兼冷却室(基板予備室)
142 基板載置台(上)
143 基板載置台(下)
144 基板冷却装置
150 第一の処理室
151 第二の処理室
152 第三の処理室
153 第四の処理室
160 ゲートバルブ
161 ゲートバルブ
162 ゲートバルブ
163 ゲートバルブ
200 プラズマ処理装置
202 処理室
W ウェハ

Claims (1)

  1. 真空中で基板を搬送する第一の搬送手段を制御するロボットコントローラと、前記ロボットコントローラに指示を与える統括制御コントローラとを有し、
    前記ロボットコントローラと前記統括制御コントローラ間で定期的に通信状態を確認するためのポーリング電文にロボット動作回数情報を格納することを特徴とする基板処理装置。
JP2009246590A 2009-10-27 2009-10-27 基板処理装置 Pending JP2011096719A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009246590A JP2011096719A (ja) 2009-10-27 2009-10-27 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009246590A JP2011096719A (ja) 2009-10-27 2009-10-27 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011096719A true JP2011096719A (ja) 2011-05-12

Family

ID=44113354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009246590A Pending JP2011096719A (ja) 2009-10-27 2009-10-27 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011096719A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110989410A (zh) * 2019-12-12 2020-04-10 上海邦芯物联网科技有限公司 一种柔性管道机器人的数据管理系统及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110989410A (zh) * 2019-12-12 2020-04-10 上海邦芯物联网科技有限公司 一种柔性管道机器人的数据管理系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5575507B2 (ja) 基板処理装置、基板搬送方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置のメンテナンス方法
EP0475604B2 (en) Vacuum processing apparatus and cleaning method therefor
JP5901978B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法
JP5796994B2 (ja) 処理システム、基板処理装置、処理システムのデータ処理方法、収集ユニット及び記録媒体並びに半導体装置の製造方法
JP2008135517A (ja) 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP2012109333A (ja) 基板処理装置
JP2008053325A (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP2007335500A (ja) 基板処理装置の温度制御方法
JP2009231809A (ja) 基板処理装置及び半導体製造装置管理方法
US9818629B2 (en) Substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
JP5571122B2 (ja) 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP4750686B2 (ja) 半導体製造用の真空装置のクリーニング方法、半導体製造用の真空装置の制御装置および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP2011054679A (ja) 基板処理装置
JP2011096719A (ja) 基板処理装置
JP5522776B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法及びメンテナンス方法
TWI792520B (zh) 真空處理裝置之運轉方法
JP5972608B2 (ja) 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
TW201639982A (zh) 在基板處理系統中用以減少粒子的改良式腔室
JP2012104702A (ja) 基板処理装置
JP2010153453A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2010024487A (ja) 基板処理装置
JP4549017B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2012164850A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法
JP2006092298A (ja) 基板処理装置
JP2010109235A (ja) 基板処理装置