JP4549017B2

JP4549017B2 - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

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Publication number: JP4549017B2
Application number: JP2002370995A
Authority: JP
Inventors: 真一島田; 秀之塚本
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2002-12-20
Filing date: 2002-12-20
Publication date: 2010-09-22
Anticipated expiration: 2022-12-20
Also published as: JP2004207273A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、エッチング、不純物の拡散等を行って半導体装置を製造する半導体装置の製造方法及び基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する基板処理装置には、一枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置と所要枚数の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置とがあり、以下はバッチ式の縦型反応炉を有する基板処理装置について説明する。
【０００３】
図４に於いて、筐体５１の前面にカセット授受ユニット５２が設けられ、該カセット授受ユニット５２の背面側にカセットストッカ５３が配設され、該カセットストッカ５３の上方にバッファカセットストッカ５４が配設され、前記カセット授受ユニット５２とカセットストッカ５３、バッファカセットストッカ５４間にカセット搬送機５５が設けられている。前記カセットストッカ５３の背面側にウェーハ移載機５６が設けられ、該ウェーハ移載機５６の背面側にボートエレベータ５７が配設されている。該ボートエレベータ５７は基板（ウェーハ６０）を保持する保持具であるボート５８を昇降させ、該ボート５８を反応炉５９に装入、引出しする。
【０００４】
該反応炉５９は石英等の耐熱材からなる反応管６１、該反応管６１を囲繞する加熱装置６２を具備し、前記反応管６１は反応室６３を画成し、該反応室６３には図示しないが反応ガスを供給する反応ガス供給系が連通し、又前記反応室６３内を減圧排気する排気系が連通している。
【０００５】
装置外部よりカセット６４が前記カセット授受ユニット５２に搬入されると、前記カセット搬送機５５は前記カセット６４を前記カセットストッカ５３、バッファカセットストッカ５４に搬送し、或は該カセットストッカ５３、バッファカセットストッカ５４間で前記カセット６４の搬送を行う。前記ウェーハ移載機５６は降下状態の前記ボート５８に前記カセットストッカ５３に収納されているカセット６４から前記ウェーハ６０を移載する。
【０００６】
図５に示される様に、前記ボート５８に移載されるウェーハ６０には、前記ボート５８の上端部、下端部に装填されるサイドダミーウェーハＳ、充填用のフィルダミーウェーハＦ、プロダクトウェーハＰ、モニタウェーハＭがあり、ウェーハの種別毎に移載される。通常、サイドダミーウェーハＳ、プロダクトウェーハＰ1 、モニタウェーハＭ、プロダクトウェーハＰ2 、モニタウェーハＭ…、サイドダミーウェーハＳの順で移載され、更に空き部分にはフィルダミーウェーハＦが移載される。
【０００７】
所定のウェーハ６０が前記ボート５８に移載されると、前記ボートエレベータ５７により前記ボート５８が前記反応室６３に装入され、前記加熱装置６２により加熱され、反応ガスが供給され、ウェーハに所要の処理がなされる。
【０００８】
処理が完了すると前記ボート５８が引出され、所定温度迄冷却された後、前記ウェーハ移載機５６により前記ボート５８から前記カセットストッカ５３内の空のカセット６４に処理済のウェーハ６０が移載される。処理済のウェーハ６０が装填されたカセット６４は前記カセット搬送機５５により前記カセット授受ユニット５２に搬送され、装置外部に搬出される。
【０００９】
ウェーハ処理の品質、特性を管理する為、例えば前記モニタウェーハＭについて膜厚、表面状態、パーティクルの付着状態、金属不純物の有無、結晶欠陥の有無等が検査される。
【００１０】
モニタウェーハＭの検査は、パーティクルの付着、処理工程の減少等を考慮すると、基板処理装置内（インライン）で行うことが好ましい。
【００１１】
基板処理装置内に測定装置を設けた場合、前記カセット６４から前記ボート５８、又は該ボート５８から前記カセット６４へモニタウェーハＭを移載する過程で測定が行われる。
【００１２】
図６（Ａ）により、インラインでモニタウェーハＭの測定を行う様にした全ウェーハの搬送について説明する。
【００１３】
先ず、前記ウェーハ６０の処理が完了すると、モニタウェーハＭについて測定が行われ、測定が完了する迄他のウェーハの移載は停止され、測定が完了し、測定済のモニタウェーハＭが前記カセット６４に移載される。全てのモニタウェーハＭについて測定が完了すると、続いてプロダクトウェーハＰ1 〜Ｐ4 の移載が行われ、更にフィルダミーウェーハＦ、サイドダミーウェーハＳの順で移載が行われる。
【００１４】
尚、インラインでウェーハ検査を行い、枚葉式、マルチチャンバ方式の基板処理装置として、例えば特許文献１に示されるものがある。
【００１５】
【特許文献１】
特許公報第３２２２５３２号
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ウェーハの移載途中で測定工程が組込まれた場合、従来では測定が行われている間はウェーハの移載が停止されており、その結果、処理後のカセット６４とボート５８との間のウェーハ移載工程に要される時間が大幅に増大し、スループットが著しく低下するという問題があった。特に、前記ボート５８が１つであり、ウェーハ移載工程でバッファ機能を有していない基板処理装置に於いては、測定工程が組込まれた場合のスループットの低下が顕著であった。
【００１７】
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの移載工程にウェーハの測定工程が組込まれた場合にスループットの低下を防止するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、該反応室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記基板を測定する測定装置と、前記基板保持具及び前記測定装置及び搬送容器に前記基板を搬送する搬送装置とを具備する基板処理装置に於いて、前記処理後の基板を前記測定装置にて測定する工程と前記測定中に他の基板を前記搬送装置により前記搬送容器に搬送する工程とを含む半導体装置の製造方法に係り、又基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、該反応室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記基板へ成膜処理をし、該成膜処理後に、前記基板を測定する測定装置と、前記基板保持具及び前記測定装置及び搬送容器に前記基板を搬送する搬送装置を有し、前記測定装置と前記搬送装置を同室に有する基板処理装置に於いて、少なくとも前記測定装置にて測定中に、他の前記基板を搬送容器に搬送し、前記測定終了した際には、前記他の基板を搬送容器へ搬送することを中断させ、前記測定装置にある前記基板を搬送する制御部を具備する基板処理装置に係るものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
先ず、図１、図２に於いて、本発明に係る基板処理装置について概略を説明する。
【００２１】
尚、以下に説明する１ボート式の基板処理装置では、縦型反応炉を有し、シリコンウェーハ等の基板の搬送容器として密閉式の搬送容器が用いられている。
【００２２】
筐体１の前部にはステージ２が設けられ、該ステージ２には図２中左右に２つの搬送容器３が載置される様になっている。前記ステージ２に対峙して上下２段にオープナ４，５が設けられ、該オープナ４，５は前記ステージ２に対して中央に配置されている。前記オープナ４，５の上方には収納棚６が設けられ、該収納棚６は左右に３つの搬送容器３を収納する棚板７を上下２段に有している。
【００２３】
前記ステージ２とオープナ４，５、収納棚６との間に搬送容器搬送装置８が設けられている。該搬送容器搬送装置８は横行機構部９、昇降機構部１０によりロボットハンド１１を横行且つ昇降可能に具備しており、該ロボットハンド１１は前記搬送容器３を前後方向に移動可能である。
【００２４】
気密な基板移載室１２が前記オープナ４，５に連設され、前記基板移載室１２には基板移載機１３が設けられ、該基板移載機１３は前記オープナ４，５と正対した位置に配置されている。前記基板移載機１３は昇降、回転、進退可能となっており、ウェーハ２３を保持する基板支持プレート１４を所要枚数（図では５枚）具備している。
【００２５】
前記基板移載室１２に気密室１５が気密に連設され、前記基板移載室１２と前記気密室１５とはゲート弁１７を介して連通されている。前記気密室１５の上側に縦型反応炉１６が気密に連設され、該縦型反応炉１６は有天筒状の加熱装置１８及び該加熱装置１８内部に設けられ、反応室１９を画成する反応管２０を具備している。
【００２６】
前記反応室１９には原料ガス供給部２４（図３参照）が接続され、又ガス排気部２５（図３参照）が接続されている。
【００２７】
前記気密室１５にはボートエレベータ２１が設けられ、該ボートエレベータ２１は基板保持具２２（以下、ボート２２）を前記縦型反応炉１６に装入、引出し可能とする。前記ボート２２は前記ウェーハ２３を水平姿勢で多段に保持可能となっている。
【００２８】
上記した様に前記筐体１の内部に前記基板移載室１２、該基板移載室１２に気密に連設する気密室１５が設けられており、前記筐体１の内部は外気と連通し、前記基板移載室１２内部は外気と遮断され中清浄雰囲気であり、前記気密室１５内部は高清浄雰囲気となっている。
【００２９】
前記基板移載室１２の前記基板移載機１３の移載動作領域内の所要位置（図では前記オープナ４，５が臨接する壁面の角部）に、ノッチアライナ（図示せず）と共に測定装置２６が設けられる。前記ノッチアライナ（図示せず）は前記測定装置２６と離れていても良く、又離れていなくても良い。
【００３０】
前記ノッチアライナは前記ウェーハ２３を前記ボート２２に移載する過程で、前記ウェーハ２３に設けられたノッチの位置が一定位置となる様、ウェーハ２３の水平面内での姿勢を合わせるものである。
【００３１】
前記測定装置２６は処理済のウェーハ、例えば後述するモニタウェーハＭについて膜厚、比抵抗、表面状態、パーティクルの付着状態、金属不純物の有無、不純物の濃度、結晶欠陥の有無等のいずれか１つ又は複数種類を測定するものである。
【００３２】
次に、図３に於いて上記基板処理装置の制御系の概略を説明する。
【００３３】
図中、２８は制御部であり、該制御部２８にはハードディスク等の記憶部２９、液晶表示装置等の表示部３１、キーボード等の入力部３２が接続され、前記記憶部２９には基板処理装置を作動させる為のシーケンスプログラムが格納されている。前記搬送容器搬送装置８、前記基板移載機１３、ボートエレベータ２１、原料ガス供給部２４、ガス排気部２５、測定装置２６は前記シーケンスプログラムに従って前記制御部２８に作動が制御され、ウェーハ２３の搬送、ウェーハ２３の処理が行われる。
【００３４】
以下、上記半導体製造装置の作動について説明する。
【００３５】
図示しない外部搬送装置により前記搬送容器３が前記ステージ２に載置される。前記搬送容器３には所要数、例えば２５枚のウェーハ２３が密閉状態で収納されている。
【００３６】
前記搬送容器搬送装置８は前記横行機構部９による横行、前記昇降機構部１０による昇降の協働により、前記ロボットハンド１１を前記ステージ２上の搬送容器３と正対させる。前記ロボットハンド１１が伸長して先端が前記搬送容器３の下方に位置すると、前記昇降機構部１０が前記ロボットハンド１１を若干上昇させて該ロボットハンド１１が前記搬送容器３を受載する。前記ロボットハンド１１を縮短させ、前記搬送容器３を前記カセット２上から取出し、前記横行機構部９、前記昇降機構部１０の協働で前記ロボットハンド１１を前記オープナ４，５の内空いている方に正対させ、前記ロボットハンド１１を伸長させ、更に前記昇降機構部１０で前記ロボットハンド１１を降下させ、前記搬送容器３を前記オープナ４，５に載置する。
【００３７】
同様に、前記横行機構部９による横行、前記昇降機構部１０による昇降、前記ロボットハンド１１の伸縮の協働により前記ステージ２から前記収納棚６に前記搬送容器３を移載し、又前記オープナ４，５と収納棚６間で前記搬送容器３を移載する。
【００３８】
前記オープナ４，５が前記搬送容器３の蓋を開ける。前記ボート２２が降下され、前記ゲート弁１７が開かれる。前記基板移載機１３が前記搬送容器３内のウェーハ２３を所定枚数（例えば５枚）保持し、前記ボート２２へ移載する。前記ウェーハ２３を前記ボート２２へ移載する途中で、前記ノッチアライナにより前記ウェーハ２３のノッチ合せが行われる。
【００３９】
前記搬送容器３が空になると、前記オープナ４，５と収納棚６との間で前記搬送容器搬送装置８により、空の搬送容器３とウェーハ２３が収納された実搬送容器３とが交換され、同様にして前記基板移載機１３により前記オープナ４，５の実搬送容器３から前記ボート２２へウェーハ２３が移載される。
【００４０】
前記ボート２２に所定枚数のウェーハ２３が移載されると、前記ゲート弁１７が閉じられ、前記ボート２２が前記ボートエレベータ２１により前記反応室１９に装入される。前記加熱装置１８で前記ウェーハ２３が加熱され、更に前記反応室１９に前記原料ガス供給部２４より原料ガスが導入され、前記ウェーハ２３に所要の処理がなされる。
【００４１】
ウェーハ処理が完了すると前記反応室１９から前記ボート２２が降下され、所定温度迄前記ウェーハ２３が冷却されると、前記ゲート弁１７が開かれ、前記基板移載機１３により待機している前記搬送容器３へ前記ウェーハ２３が移載される。
【００４２】
モニタウェーハＭについては、前記基板移載機１３は前記測定装置２６に前記モニタウェーハＭを移載し、前記測定装置２６で所要の測定がなされる。該測定装置２６で測定がなされている間、前記基板移載機１３は他のウェーハ、例えば後述するプロダクトウェーハＰ、サイドダミーウェーハＳ、フィルダミーウェーハＦを前記搬送容器３に順次移載していく。
【００４３】
尚、前記測定装置２６での測定状態は監視されており、測定が完了すると測定完了の信号が前記制御部２８に送信され、該制御部２８は前記基板移載機１３に前記プロダクトウェーハＰ等の移載の中断を指令し、その時前記基板移載機１３が所持しているウェーハを移動し終えたら、更に、測定完了したモニタウェーハＭが前記搬送容器３に移載され、更に他のモニタウェーハＭが前記ボート２２から前記測定装置２６に移載され、測定が行われる。測定が開始されると、中断していたプロダクトウェーハＰ等の移載が開始される。又、処理後のウェーハ２３の移載作動に於いて、先ず最初にモニタウェーハＭを前記測定装置２６に移載して、測定を行う様にすると、測定を行っている時間を他のウェーハの移載に有効に利用することができる。
【００４４】
前記搬送容器３が処理済のウェーハ２３で一杯になると、前記搬送容器搬送装置８により空の搬送容器３と交換され、更に前記ボート２２から前記空の搬送容器３へのウェーハ２３の移載が行われる。
【００４５】
処理済のウェーハ２３の移載が完了すると、前記搬送容器搬送装置８により前記収納棚６、オープナ４，５から前記搬送容器３が前記ステージ２へ移載され、図示しない外部搬送装置により前記搬送容器３が搬出される。
【００４６】
図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は、本発明に係るウェーハの移載シーケンスを示しており、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）を参照して、処理後のウェーハの移載作動について説明する。
【００４７】
先ず、図６（Ｂ）はモニタウェーハＭの測定時間の合計が、プロダクトウェーハＰの移載時間の合計より短い場合を示している。
【００４８】
ウェーハ２３の移載工程が開始されると、先ず、モニタウェーハＭが前記測定装置２６に移載され、測定が開始される。１枚目のモニタウェーハＭの測定が開始されると、前記ボート２２からプロダクトウェーハＰが前記オープナ４，５の搬送容器３に移載される。上記した様に、前記測定装置２６でのモニタウェーハＭの測定が開始されており、１枚目のモニタウェーハＭの測定が完了すると完了信号が前記制御部２８に送信され、該制御部２８はその時点で移載途中の前記プロダクトウェーハＰの移載を完了させると、新たなプロダクトウェーハＰの移載作業を中断させ、１枚目のモニタウェーハＭを前記搬送容器３に移載し、更に２枚目のモニタウェーハＭを前記測定装置２６に移載する。
【００４９】
２枚目のモニタウェーハＭの測定が開始されると、前記プロダクトウェーハＰの前記ボート２２から前記搬送容器３への移載が再開される。前記プロダクトウェーハＰの移載が継続され、受け側の前記搬送容器３が一杯になると、前記搬送容器搬送装置８により一杯となった実搬送容器３が前記ステージ２に搬送され、前記収納棚６から空の搬送容器３が前記オープナ４，５に搬送される。前記搬送容器３が交換されると、更にプロダクトウェーハＰの移載が継続される。２枚目のモニタウェーハＭについての測定が完了すると、２枚目のモニタウェーハＭについての完了信号が前記制御部２８に送信され、該制御部２８はその時点で移載途中の前記プロダクトウェーハＰの移載を完了させると、新たなプロダクトウェーハＰの移載作業を中断させ、２枚目のモニタウェーハＭを前記搬送容器３に移載し、更に３枚目のモニタウェーハＭを前記測定装置２６に移載する。
【００５０】
３枚目のモニタウェーハＭの測定が開始されると、更にプロダクトウェーハＰの移載が再開される。
【００５１】
而して、同様に、３枚目のモニタウェーハＭの測定中にプロダクトウェーハＰの移載が行われる。３枚目のモニタウェーハＭの測定が完了すると残りのプロダクトウェーハＰが前記ボート２２から前記搬送容器３へ移載される。
【００５２】
全てのプロダクトウェーハＰの移載が完了すると、フィルダミーウェーハＦ、サイドダミーウェーハＳの移載が行われる。
【００５３】
上記モニタウェーハＭの測定で、不良項目が検出された場合は、再測定の有無設定如何により再度同一のモニタウェーハＭについて測定が行われ、測定エラーがなかったかどうかが確認され、測定が適正なものと判断されると、該当するバッチでの処理ウェーハを不良として登録し、前記制御部２８を通して管理システム（図示せず）への通知を行う。更に、不良内容が分析され、次バッチが中断される。或は、次バッチの処理に反映され、処理条件の補正が行われ、次バッチが継続される等の対応がとられる。
【００５４】
次に、図６（Ｃ）はモニタウェーハＭの測定時間の合計が、プロダクトウェーハＰの移載時間の合計より長い場合を示している。
【００５５】
ウェーハ２３の移載工程が開始されると、先ず、モニタウェーハＭが前記測定装置２６に移載され、測定が開始される。１枚目のモニタウェーハＭの測定が開始されると、前記ボート２２からプロダクトウェーハＰが前記オープナ４，５の搬送容器３に移載される。上記した様に、前記測定装置２６でのモニタウェーハＭの測定が開始されており、１枚目のモニタウェーハＭの測定が完了すると完了信号が前記制御部２８に送信され、該制御部２８はその時点で移載途中の前記プロダクトウェーハＰの移載を完了させると、新たなプロダクトウェーハＰの移載作業を中断させ、１枚目のモニタウェーハＭを前記搬送容器３に移載し、更に２枚目のモニタウェーハＭを前記測定装置２６に移載する。
【００５６】
同様にして、２枚目のモニタウェーハＭが測定されている間にプロダクトウェーハＰの移載が行われる。プロダクトウェーハＰの移載時間の合計がモニタウェーハＭの測定時間の合計より短いので、図示の如くモニタウェーハＭの測定時間中に全てのプロダクトウェーハＰの移載が完了する。プロダクトウェーハＰが移載完了したらフィルダミーウェーハＦを移載し始める。最後のモニタウェーハＭの測定が完了すると、最後のモニタウェーハＭを前記搬送容器３に移載し、その後引き続きフィルダミーウェーハＦ、サイドダミーウェーハＳの移載を順次行う。
【００５７】
而して、従来の移載作動である図６（Ａ）と本発明の移載作動である図６（Ｂ）、図６（Ｃ）とを比較して分る様に、最大でモニタウェーハＭの測定時間の合計分だけ、プロダクトウェーハＰ等の移載時間が短縮され、スループットが大幅に改善される。
【００５８】
上記した実施の形態では、前記２組のオープナ４，５により前記ウェーハ２３の移載対象の搬送容器３を２個設けることができるので、一方の搬送容器３にウェーハ２３を移載している状態で、もう一方の搬送容器３を交換でき、該搬送容器３の交換によりウェーハ２３の移載を休止することが無くなり、効率よくウェーハ２３の移載が行える。尚、オープナを１組設けた、１個の搬送容器３であっても上記実施の形態のウェーハ２３の移載は行えることは言う迄もない。
【００５９】
尚、上記実施の形態では、測定用にモニタウェーハＭを用意したが、特にモニタウェーハＭを用意せず、適宜抽出したプロダクトウェーハＰにより測定することも可能である。
【００６０】
又、上記実施の形態では、モニタウェーハＭの他は、プロダクトウェーハＰ、フィルダミーウェーハＦ、サイドダミーウェーハＳの移載の順としたが、プロダクトウェーハＰ、フィルダミーウェーハＦ、サイドダミーウェーハＳは移載順序を変えても良い。又、フィルダミーウェーハＦがなくても良く、サイドダミーウェーハＳがなくても良い。
【００６１】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、該反応室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記基板へ成膜処理をし、該成膜処理後に、前記基板を測定する測定装置と、前記基板保持具及び前記測定装置及び搬送容器に前記基板を搬送する搬送装置を有し、前記測定装置と前記搬送装置を同室に有する基板処理装置に於いて、少なくとも前記測定装置にて測定中に、他の前記基板を搬送容器に搬送し、前記測定終了した際には、前記他の基板を搬送容器へ搬送することを中断させ、前記測定装置にある前記基板を搬送するので、基板の測定工程を設けた場合でも、基板移載工程に要する時間を延長することが防止され、スループットが低下することなく、又基板をインラインで測定可能となるので、処理状態をリアルタイムで知ることができ、次バッチ処理に迅速に反映させることができる等の優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に於ける基板処理装置の概略を示す側面図である。
【図２】本発明の実施の形態に於ける基板処理装置の概略を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に於ける制御系の概略ブロック図である。
【図４】従来の基板処理装置を示す概略側面図である。
【図５】ボートに装填したウェーハの状態を示す説明図である。
【図６】ウェーハの移載作動の態様を示す説明図であり、（Ａ）は従来例、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明を示す。
【符号の説明】
２ステージ
３搬送容器
８搬送容器搬送装置
４，５オープナ
１３基板移載機
１６縦型反応炉
１８加熱装置
１９反応室
２２ボート
２３ウェーハ
２６測定装置

Claims

少なくともプロダクト基板とモニタ基板とを基板保持具に収納して反応室にて加熱装置により加熱し処理する工程と、
前記基板保持具を前記反応室から搬出し、搬送装置にて前記基板保持具に収納された前記処理後のモニタ基板を測定装置に搬送する工程と、
前記測定装置にて前記処理後のモニタ基板の測定中に、前記処理後のプロダクト基板を前記搬送装置により搬送容器に搬送する工程と、
前記処理後のモニタ基板の測定が終了した際に、前記処理後のプロダクト基板を前記搬送装置による前記搬送容器への搬送を中断し、前記測定装置にある前記処理後のモニタ基板を搬送容器に搬送する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
少なくともプロダクト基板とモニタ基板とを基板保持具に収納して処理する反応室と、
該反応室に収納された基板を加熱する加熱装置と、
前記反応室にて処理された基板を測定する測定装置と、
前記基板保持具及び前記測定装置及び搬送容器に前記基板を搬送する搬送装置と、
前記反応室での処理後のモニタ基板を前記測定装置にて測定中に、前記反応室での処理後のプロダクト基板を搬送容器に搬送し、前記モニタ基板の測定が終了した際には、前記プロダクト基板の搬送容器への搬送を中断し、前記測定装置から前記モニタ基板を搬送するよう少なくとも制御する制御部とを具備することを特徴とした基板処理装置。