JP4684310B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4684310B2 JP4684310B2 JP2008111680A JP2008111680A JP4684310B2 JP 4684310 B2 JP4684310 B2 JP 4684310B2 JP 2008111680 A JP2008111680 A JP 2008111680A JP 2008111680 A JP2008111680 A JP 2008111680A JP 4684310 B2 JP4684310 B2 JP 4684310B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- transfer chamber
- wafer
- processing
- pod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
移載室は、基板上の自然酸化膜の付着を防止するため、酸素濃度を所定値以下に保持するとともに、不活性ガスを循環させている。
しかしながら、アンロード時に、自然酸化膜の基板への付着を防止するよりも、基板上の有機物の付着を防止するように変更するには、装置構成や装置パラメータを変更する必要がある。従って、装置の置き場所も限られているため、同一装置で自然酸化膜の基板への付着を防止する機能と基板上の有機物の付着を防止する機能とを処理毎に切替えて運用することが求められている。
を防止する機能を基板上の有機物の付着を防止する機能に切替える運用が効率よく行えるようになった。
図1及び図2に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100は、シリコン等からなるウエハ(被処理基板)200を収納したウエハキャリアとしてフープ(基板収容器。以下、ポッドという。)110が用いられる。ポッド110には、現在、FOURというタイプが主流で使用される。このポッド110は一側面に設けられた開口部を蓋体(図示せず)で塞ぐことによってウエハ200を大気から隔離して搬送し、蓋体を取り去ることでポッド110内へのウエハ200を出入することができようになっている。
筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口112の正面前方側にはロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置される。
ロードポート114はポッド110を載置して位置合わせするように構成される。
ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出される。
筐体111内において、ロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置される。
ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118はポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間でポッド110を搬送するように構成される。
サブ筐体119の正面壁119aにはウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には一対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ121はポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。
ポッドオープナ121は載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ
着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
<移載室>
移載室102はウエハ200の自然酸化を防止するため、及び処理室202の減圧に対応する密閉容器となっており、不活性ガスが充満されている。不活性ガスには、種々のガスを用いることができるが、本実施の形態では安価なN2ガスが用いられている。
移載室102の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されており、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125a及びウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。
これらのウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ツイーザ(基板保持体)125cによりボート(基板保持具)217へのウエハ200の装填(チャージ)及び脱装(ディスチャージ)が実施される。
待機部126の上方には反応炉201が設けられ、反応炉201の下部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成される。反応炉201には処理室202が設けられる。処理室202の区画壁は、石英(石英ガラス等)、セラミックなど電気的に絶縁可能な誘電材料で構成されている。
処理室202は誘電体からなる区画壁と前記シールキャップ129とで気密に区画されており、ヒータ13が処理室202の区画壁を取り囲むように設けられる。
なお、前記処理室202には排気管(図示せず)が連通しており、排気管の下流に減圧排気装置としての真空ポンプ(図示せず)が接続される。また、処理室202には、処理ガス(成膜原料ガス、酸化ガス、エッチングガス等)を導入するためのガス導入管が接続される。
ボートエレベータ115の昇降台に連結された連結具としてのエレベータアーム128には前記シールキャップ129が水平に据え付けられる。
シールキャップ129はボート217を垂直に支持し、反応炉201の下部を開閉する蓋体として構成されている。このシールキャップ129は、前記ボートエレベータ115のエレベータアーム128に支持されている。ボートエレベータ115により、エレベータアーム128が上昇し、シールキャップ129が反応炉201の処理室202の炉口を閉鎖した段階で、ボート217の処理室202の挿入が終了する。ボートエレベータ115のエレベータアーム128を下降させると、ボート217は処理室202から搬出される。
反対側である左側端部には、清浄化された大気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう、吸気ダクト(後述する)が設けられ、吸気ダクト(後述する)に供給フアン及びフィルタ(図示せず)で構成されたクリーンユニット134が取り付けられている。
そして、ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間に、ウエハ200(被処理基板)の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてノッチ合わせ装置(図示せず)が設置されている。
前記ボート217には後述するように複数本の保持部材217c,217dが設けられる。
吹出口301には、前記クリーンユニット134が取り付けられている。
パージガス導入管302aは、クリーンユニット134側と反対側から移載室102の区画壁を貫通して前記吸気ダクト300内に挿入され、クリーンユニット134の背面部の接続部に接続される。
パージガス導入管302aのガス排出口は、処理室202の炉口付近に開口される。
各パージガス導入管302aには、マスフローメータにより流量がフィードバック制御されるマスフローコントローラN2MFC#1が設けられる。
排気ダクト312の導入口は、前記ボート217及び前記ウエハ移載装置125aを挟んでその反対側に設置されていて、移載室102の底面付近に開口している。
排気ダクト312の排気口は、前記処理室202から処理室内雰囲気乃至処理済みガスを排気するためのガス排出管313に接続されている。
パージガス導入管302a及び排気ダクト312には、それぞれ開閉のために開閉弁AV56(LA1),AV66(DV2)が設けられている。又、排気ダクト312には、酸素濃度計OV1が設けられている。
載室102内で循環させることができる。なお、305は移載室の温度を調節するためのラジエータである。
大気導入の場合は、排気ダクト312の開閉弁AV66(DV2)を閉、吸気ダクト300の開閉弁AV65(DV1)、吸気ダクト300の開閉弁AV68を開、パージガス導入管302aの開閉弁AV56(LA1)を閉とする。
このようにすると、クリーンルーム内の大気が導入され、移載室102が大気圧となるので、ポッド110とウエハ移載装置125aとの間でのウエハ200の搬送が可能になる。
パージの場合は、吸気ダクト300の開閉弁AV65(DV1)を閉、パージガス導入管302aの開閉弁AV56(LA1)を開、排気ダクト312の開閉弁AV66(DV2)を開とする。
このようにすると、不活性ガスが不活性ガス供給源、例えば、不活性ガス供給ボンベから移載室102内に導入され、移載室102の雰囲気が排気ダクト312から排出されるので、移載室102内が不活性ガス雰囲気、例えば、窒素ガスに置換される。
移載室内が不活性ガスに置換されると、酸素濃度が低下するので、移載室102内でのウエハ200の自然酸化が防止される。
不活性ガスを循環させる場合は、パージガス導入管302aの開閉弁AV56(LA1)を開、吸気ダクト300の開閉弁AV68を開、吸気ダクト300の開閉弁AV65(DV1)を閉とし、クリーンユニット134の供給ファンを駆動する。又、排気ダクト312の開閉弁AV66(DV2)を閉とする。
移載室内は、移載室102内を循環する間に、クリーンユニット134のフィルタによって清浄化されるので、塵埃によるウエハ200の汚染が抑制される。
本実施形態では、装置コントローラ321はそれぞれ操作部321aと制御部321bと分散し、LANを介して相互に接続した例を示しているが操作部と制御部を一つで構成してもよい。
操作部321aにはモニタ324(表示手段)の他、必要なユーザインタフェィスが接続される。
制御部321bの出力部には、前記不活性ガス導入管に取り付けられたマスフローコントローラN2MFC#1及び吸気ダクト300の開閉弁AV68、パージガス導入管302aの開閉弁AV56(LA1)、排気ダクト312の開閉弁AV66(DV2)、吸気ダクト300の開閉弁AV65(DV1)の他、設定値を参照し基板搬送系、基板搬送系のアクチュエータや各種メカニズムを動作させるためのサブコントローラ等が接続される。
本実施の形態では、各開閉弁AV56(LA1)、AV65(DV1)、AV66(D
V2)、AV68が装置コントローラ321により直接制御されるようにしているがサブコントローラの一種である弁コントローラ(図示せず)により、制御されるようにしてもよい。
なお、この操作画面は移載室102をパージするためのレシピ(以下、パージレシピという)の一例であり、画面のレイアウトや項目、ボタンの種類の配置によって本発明が限定されるものではない。又、プロセスレシピとパージレシピはそれぞれ個別に実行される。
図6に示すように、画面の画面左下欄には、バルブ配置図512が表示され、画面の右欄に設定項目が、画面の上欄にファイル情報が表示される。バルブ配置図512の構成は、図3で説明した構成と合致するのでここでは説明を割愛する。
ボタンの上方側には、文字/記号表示が表示される。文字/記号表示の文字や記号は、図3で説明した各開閉弁の符号と対応している。
ボタン上のOPEN、CLOSEの文字は、それぞれバルブの開閉を表している。
これらのボタンは押下するとOPEN、CLOSEの文字が実線表示から破線表示に切り替えられ、もう一度押下すると破線表示から実線表示に切り替えられる。
もう一度、同じ「66:DV2」の表示の下のボタンが押下されると、今度は、ボタン上のCLOSEの文字が実線表示から破線表示に切り替わって、「66:DV2」の表示に対応する開閉弁AV66(DV2)が開に設定される。なお、この場合に、同じ実線表示で文字がOPENからCLOSEに又はその逆に切り替わる表示形態としてもよい。
設定をキャンセルする場合は、画面上に表示された「CANCEL(キャンセル)」ボタン519を押下する。
「SET」ボタン518を押下すると、設定が前記レシピに反映され、レシピを実行すると、この設定で開閉弁AV56(LA1)、AV65(DV1)、AV66(DV2)、AV68が開閉される。尚、本実施の形態では、前述した移載室102内を不活性ガスで循環させる場合の設定が実施される。
また、「SET」ボタン518を押下し、画面上の「戻る」ボタン(図示せず)を押下すると、画面は、元の操作画面に復帰する。
具体的には、図3(A)のN2パージモードと図3(B)の1パスモードとの切替設定を行う画面である。設定は、前記したように、図7に示したバルブ設定画面を用いて設定してもよい。又、画面ファイルは設定テーブルとして図5(A)、(B)が、ハードディスク306に格納されもよい。
ここで、ロード、アンロードは、ウエハ200を保持したボート217のロード、アンロードを意味している。
このため、アンロードの際は、パージガス導入管302aから移載室102に導入される不活性ガス、例えば、窒素ガス及び吸気管303からの大気によって有機物がウエハ200に付着する前に全て排気されるので、ウエハ200表面への有機物の付着が防止される。
また、この場合に、移載室102の酸素濃度が大気導入によって酸素濃度の監視値より
も上昇し所定時間を経過してしまうが、図5に示すように、酸素濃度センサOV1による監視が無効とされるので、このような問題も発生しない。
基板処理(例えば、酸化処理)後、ウエハ200は別の処理装置にて成膜処理が施され、被処理面上に、例えば、Si3N4が成膜される。
ここで、1PASS S/WがONとなる条件に、処理室202の配線から有機物が発生する処理温度を入れると、それ以下の処理温度では、1PASS S/WがOFFとなるので、不活性ガスの消費量を低減することができる。
なお、1PASS S/W(スイッチ)がONの場合は、パージガス導入管302aより供給される不活性ガスの流量は、好ましくは、800SLM以上に設定される。
このため、ロードの際は、移載室雰囲気は、酸素濃度センサOV1の検出値と、移載室102の酸素濃度の監視値とに基づいて不活性ガスの導入によるパージが実施され、排気ダクト312のバイパスラインから、適宜、移載室雰囲気が排出される。
また、ロードの際は、移載室102で有機物が生成されることがないので、このようにすると、適宜流量の不活性ガスによって、移載室102の酸素濃度が監視値、例えば、20ppm以下に保持される。
なお、この場合に、不活性ガスの流量は400〜800SLM未満の範囲内で決定される。
また、移載室102の酸素濃度が監視値に合致すると、吸気管303の開閉弁AV65(DV1)が閉、吸気ダクト300の開閉弁AV68が開とされ、クリーンユニット134の供給ファンによる移載室内の循環が実行されるものとする。
また、図5のように開閉弁を設定する手段を設けることで、装置に汎用性を持たせることができる。また1PASS S/WをON/OFFするボタンを操作画面上に設け、プロセスレシピ実行中に押下して、1PASS S/W機能に切り替えるようにしてもよい。その結果、アンロード時のみ1PASS S/W機能に切り替えることができるので、膜種に応じて運用が効率よく行える。当然、1PASS S/W機能の解除もできるのはいうまでもない。
、ウエハ200又はボート217のアンロードの工程では、前記移載室102の雰囲気、すなわち、不活性ガスを含むクリーンエア133を一方向に排気させ(1 PASS)、ウエハ200への有機物の付着を防止する。
この後は、別の処理装置にて基板処理(例えば、成膜処理)を実施する。
このような方法を実施すると、アンロードの際に発生する有機物が全て排気され、ウエハ200に対する有機物の付着が防止される。したがって、基板処理後、成膜を実施するに、成膜の結晶格子の局部的な歪の発生や面内膜厚が不均一になることが防止される。
搬入されたポッド110は回転式ポッド棚105の指定された棚板117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。
この際、ポッド110のウエハ出し入れ口はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室102には、後述するレシピの実行によって、クリーンエアとして不活性ガスが133が流通され、充満されている。例えば、移載室102にはクリーンエア133として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
ポッド110がポッドオープナ121によって開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてウエハ200を整合した後、移載室102の後方にある待機部126へ搬入され、ボート217に装填(チャージ)される。ウエハ移載装置125aはボート217にウエハ200を受け渡した後は、ポッド110に戻って次
のウエハ200がボート217に装填される。
処理ガスが酸化ガスの場合は、ウエハ200の表面との反応により、ウエハ200の被処理面に酸化膜が形成される。処理ガスが成膜ガスの場合は、熱CVD反応によりウエハ200の被処理面に成膜が形成される。
処理を終了すると、ボートエレベータ115の下降により、ボート217のアンロードが実施される。
この際、レシピにより、1PASS S/W(スイッチ)がONとなり、吸気管303の開閉弁AV65(DV1)、パージガス導入管302aの開閉弁AV56(LA1)が開、排気ダクト312の開閉弁AV66(DV2)が開とされ、パージガス導入管302aから移載室102に導入される不活性ガス(例えば、窒素ガス)及び吸気管303からの大気によって、有機物がウエハ200に付着する前に全て排気される。これにより、ウエハ200の表面への有機物の付着が防止される。
処理後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハ200の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ200及びポッド110が筐体111の外部へと払い出される。
本願発明における別の実施形態について説明する。本願発明における移載室が密閉性を有しない待機室の場合でも同様に1Pass機能を用いると、基板の有機汚染の低減を図ることができる。図8に、そのときの設定画面例を示す。この場合、本実施形態における待機室では、酸素が存在しても(自然酸化膜が付着しても)N2パージが不要なので、アンロード時だけでなくロード時にも1Pass機能を実施することができる。
<実施の態様1>
基板の処理を行う処理室に連接される移載室を不活性ガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置において、前記制御手段は、前記移載室に不活性ガスを循環させる機能と、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させる機能を有する基板処理装置。
<実施の態様2>
前記移載室をパージする複数のレシピを有し、前記各機能は前記レシピを選択させることにより、実行される基板処理装置。
<実施の態様3>
前記不活性ガスを一方向に排気させる機能と不活性ガスを循環させる機能の実施を操作画面により切り替えられる基板処理装置。
<実施の態様4>
前記移載室を不活性ガスでパージするレシピの実行中に、操作画面上の切替手段を押下
するようにした基板処理装置。
<実施の態様5>
基板を基板保持具に装填する工程と、前記基板保持具を炉内に挿入する工程と、前記炉内にて基板を処理する工程と、処理後の基板を炉内から搬出する工程と、を有し、前記基板を炉内から搬出する工程では、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させ、前記基板保持具を炉内に挿入する工程では、前記移載室内の不活性ガスを循環させる基板処理装置。
<実施の態様6>
基板を炉内に挿入し基板保持具に支持する工程と、前記炉内にて基板を処理する工程と、処理後の基板を炉内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板を炉内から搬出する工程では、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させ、前記基板保持具を炉内に挿入する工程では、前記移載室内の不活性ガスを循環させる半導体装置の製造方法。
134 クリーンユニット
200 ウエハ(基板)
202 処理室
217 ボート
300 ダクト
302a パージガス導入管
303 吸気管
321 装置コントローラ(制御手段)
400 循環ライン
AV56 開閉弁
AV65 開閉弁
AV66 開閉弁
AV68 開閉弁
Claims (1)
- 基板の処理を行う処理室に連接される移載室をガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記移載室内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、前記移載室内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段を有し、
前記移載室は、清浄化された大気若しくは不活性ガスであるクリーンエアを供給する吸気ダクトと、前記処理室から処理室内雰囲気及び処理済ガスを排気するガス排気管及び酸素濃度計が設けられた排気ダクトと、前記吸気ダクト内に挿入されたパージガス導入管と、を含み、
前記切替手段は、操作画面上で、前記吸気ダクトのバルブ開閉と、前記排気ダクトのバルブ開閉と、前記パージガス導入管のバルブ開閉と、前記酸素濃度計の有効或いは無効とを設定し、前記基板を処理するプロセスレシピのロード或いはアンロード時に、前記移載室内のガスの流れを一方向に排気させる機能と前記移載室内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能とを選択するように構成されている基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008111680A JP4684310B2 (ja) | 2007-08-14 | 2008-04-22 | 基板処理装置 |
KR1020080077321A KR101051027B1 (ko) | 2007-08-14 | 2008-08-07 | 기판 처리 장치 |
US12/222,653 US8443484B2 (en) | 2007-08-14 | 2008-08-13 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007211497 | 2007-08-14 | ||
JP2008111680A JP4684310B2 (ja) | 2007-08-14 | 2008-04-22 | 基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009275907A Division JP5334261B2 (ja) | 2007-08-14 | 2009-12-03 | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009065113A JP2009065113A (ja) | 2009-03-26 |
JP4684310B2 true JP4684310B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=40559394
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008111680A Active JP4684310B2 (ja) | 2007-08-14 | 2008-04-22 | 基板処理装置 |
JP2009275907A Active JP5334261B2 (ja) | 2007-08-14 | 2009-12-03 | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009275907A Active JP5334261B2 (ja) | 2007-08-14 | 2009-12-03 | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP4684310B2 (ja) |
KR (1) | KR101051027B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5796972B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2015-10-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP6016931B2 (ja) | 2012-09-27 | 2016-10-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP6027837B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-11-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US9695509B2 (en) * | 2012-10-23 | 2017-07-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
JP6024980B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | ロードポートユニット及びefemシステム |
KR101418733B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-08-13 | 크린팩토메이션 주식회사 | 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템 |
WO2015005192A1 (ja) | 2013-07-09 | 2015-01-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガスパージ方法、半導体装置の製造方法、及び異常処理プログラムが格納された記録媒体 |
TWI709163B (zh) | 2017-09-26 | 2020-11-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 |
JP6876020B2 (ja) | 2018-07-27 | 2021-05-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置および半導体装置の製造方法並びにプログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005085784A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置のメンテナンス操作時における操作端末の排他管理方法 |
JP2007095879A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3330166B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH06338468A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Kokusai Electric Co Ltd | 流体フローパターンパネル |
JPH0729962A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法及び装置 |
JP3402713B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JPH07230959A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置 |
JP4679720B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2004119888A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111680A patent/JP4684310B2/ja active Active
- 2008-08-07 KR KR1020080077321A patent/KR101051027B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-12-03 JP JP2009275907A patent/JP5334261B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005085784A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置のメンテナンス操作時における操作端末の排他管理方法 |
JP2007095879A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010103545A (ja) | 2010-05-06 |
JP5334261B2 (ja) | 2013-11-06 |
KR101051027B1 (ko) | 2011-07-21 |
JP2009065113A (ja) | 2009-03-26 |
KR20090017421A (ko) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8443484B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5334261B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4560575B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN111725092B (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 | |
JP4672073B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の運用方法 | |
JP5545795B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体製造装置管理方法 | |
CN110783243B (zh) | 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 | |
JP2011243677A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4933809B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理装置の判定プログラム | |
JP2006269810A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7018370B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム | |
CN111696887B (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质 | |
JP5295208B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の運用方法 | |
JP7352667B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2011222656A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4456727B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2008053603A (ja) | 基板処理システム | |
JP2007258630A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5885945B2 (ja) | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法、並びにプログラム | |
CN115244662A (zh) | 半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序 | |
JP2011204865A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009253217A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009295664A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013102037A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007258340A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110120 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4684310 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |