JP2013102037A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013102037A JP2013102037A JP2011244483A JP2011244483A JP2013102037A JP 2013102037 A JP2013102037 A JP 2013102037A JP 2011244483 A JP2011244483 A JP 2011244483A JP 2011244483 A JP2011244483 A JP 2011244483A JP 2013102037 A JP2013102037 A JP 2013102037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- screen
- display
- pod
- unit
- control unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- User Interface Of Digital Computer (AREA)
Abstract
【課題】頻繁に表示したい画面が階層の深い画面である場合でも、画面操作を簡単にする機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】各種画面情報が登録される格納部と、所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部を含む基板処理装置であって、表示制御部は、切替手段が押下されると、予め登録された各種画面情報に従い、所望の画面を操作画面に表示させる。
【選択図】図4
【解決手段】各種画面情報が登録される格納部と、所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部を含む基板処理装置であって、表示制御部は、切替手段が押下されると、予め登録された各種画面情報に従い、所望の画面を操作画面に表示させる。
【選択図】図4
Description
本発明は、操作部端末における画面操作性の向上を図るための方法に関するものである。
半導体製造装置のコントローラの構成を挙げると、プロセス制御を行うコントローラと、キャリア、ウェーハやボートを搬送制御するコントローラと、これらを統括制御するコントローラがある。その中でも操作部は統括制御コントローラに含まれ、バルブ、ポンプ、ガス、ヒータのそれぞれの状態や、キャリア、シリンダや軸といった可動部と、これらの動作を検出するセンサの状態をモニタ表示することや、プロセス制御や搬送制御を行うために必要なパラメータを編集するといったヒューマンインターフェースを司る役割を担っている。
操作部の画面には非常に多くの画面が存在しており、中には数回の画面操作をしなければ目的とする画面を表示することができないような画面階層の深いものがある。頻繁に表示したい画面が階層の深い画面である場合には、装置を操作するオペレータにとって非常に画面操作が煩雑になるという問題点がある。
本発明は斯かる実情に鑑み、頻繁に表示したい画面が階層の深い画面である場合でも、画面操作を簡単にする機能を有する基板処理装置を提供するものである。
本発明は、各種画面情報が登録される格納部と、所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部とを含む基板処理装置であって、前記表示制御部は、前記切替手段が押下されると、予め登録された前記画面情報に従い前記所望の画面を前記操作画面に表示させることにある。
本発明によれば、階層の深い画面に切り替える場合に画面操作が煩雑になるという問題点を解消することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
先ず、図1、図2に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。
図1、図2は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成るウェーハが示されている。
基板処理装置1は筐体2を備え、該筐体2の正面壁3の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口4が開設され、該正面メンテナンス口4は正面メンテナンス扉5によって開閉される。
前記筐体2の前記正面壁3にはポッド搬入搬出口6が前記筐体2の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口6はフロントシャッタ(搬入搬出口開閉機構)7によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口6の正面前方側にはロードポート(基板搬送容器受渡し台)8が設置されており、該ロードポート8は載置されたポッド9を位置合せする様に構成されている。
該ポッド9は密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート8上に搬入され、又、該ロードポート8上から搬出される様になっている。
前記筐体2内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚(基板搬送容器格納棚)11が設置されており、該回転式ポッド棚11は複数個のポッド9を格納する様に構成されている。
前記回転式ポッド棚11は垂直に立設されて間欠回転される支柱12と、該支柱12に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板(基板搬送容器載置棚)13とを備えており、該棚板13は前記ポッド9を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。
前記回転式ポッド棚11の下方には、ポッドオープナ(基板搬送容器蓋体開閉機構)14が設けられ、該ポッドオープナ14は前記ポッド9を載置し、又該ポッド9の蓋を開閉可能な構成を有している。
前記ロードポート8と前記回転式ポッド棚11、前記ポッドオープナ14との間には、ポッド搬送機構(容器搬送機構)15が設置されており、該ポッド搬送機構15は、前記ポッド9を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート8、前記回転式ポッド棚11、前記ポッドオープナ14との間で前記ポッド9を搬送する様に構成されている。
前記筐体2内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体16が後端に亘って設けられている。該サブ筐体16の正面壁17にはウェーハ(基板)18を前記サブ筐体16内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)19が一対、垂直方向に上下2段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口19,19に対して前記ポッドオープナ14がそれぞれ設けられている。
該ポッドオープナ14は前記ポッド9を載置する載置台21と、前記ポッド9の蓋を開閉する開閉機構22とを備えている。前記ポッドオープナ14は前記載置台21に載置された前記ポッド9の蓋を前記開閉機構22によって開閉することにより、前記ポッド9のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。
前記サブ筐体16は前記ポッド搬送機構15や前記回転式ポッド棚11が配設されている空間(ポッド搬送空間)から気密となっている移載室23を構成している。該移載室23の前側領域にはウェーハ移載機構(基板移載機構)24が設置されており、該ウェーハ移載機構24は、ウェーハ18を載置する所要枚数(図示では5枚)のウェーハ載置プレート25を具備し、該ウェーハ載置プレート25は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構24はボート(基板保持体)26に対してウェーハ18を装填及び払出しする様に構成されている。
前記移載室23の後側領域には、前記ボート26を収容して待機させる待機部27が構成され、該待機部27の上方には縦型の処理炉28が設けられている。該処理炉28は内部に処理室29を形成し、該処理室29の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ(炉口開閉機構)31により開閉される様になっている。
前記筐体2の右側端部と前記サブ筐体16の前記待機部27の右側端部との間には前記ボート26を昇降させる為のボートエレベータ(基板保持具昇降機構)32が設置されている。該ボートエレベータ32の昇降台に連結されたアーム33には蓋体としてのシールキャップ34が水平に取付けられており、該シールキャップ34は前記ボート26を垂直に支持し、該ボート26を前記処理室29に装入した状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。
前記ボート26は、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウェーハ18をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
前記ボートエレベータ32側と対向した位置にはクリーンユニット35が配設され、該クリーンユニット35は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア36を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構24と前記クリーンユニット35との間には、ウェーハ18の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置(図示せず)が設置されている。
前記クリーンユニット35から吹出された前記クリーンエア36は、ノッチ合せ装置(図示せず)及び前記ウェーハ移載機構24、前記ボート26に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体2の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット35によって前記移載室23内に吹出されるように構成されている。
次に、前記基板処理装置1の作動について説明する。
前記ポッド9が前記ロードポート8に供給されると、前記ポッド搬入搬出口6が前記フロントシャッタ7によって開放される。前記ロードポート8上の前記ポッド9は前記ポッド搬送装置15によって前記筐体2の内部へ前記ポッド搬入搬出口6を通して搬入され、前記回転式ポッド棚11の指定された前記棚板13へ載置される。前記ポッド9は前記回転式ポッド棚11で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置15により前記棚板13からいずれか一方のポッドオープナ14に搬送されて前記載置台21に移載されるか、若しくは前記ロードポート8から直接前記載置台21に移載される。
この際、前記ウェーハ搬入搬出口19は前記開閉機構22によって閉じられており、前記移載室23には前記クリーンエア36が流通され、充満している。例えば、前記移載室23には前記クリーンエア36として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下と、前記筐体2の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。
前記載置台21に載置された前記ポッド9はその開口側端面が前記サブ筐体16の前記正面壁17に於ける前記ウェーハ搬入搬出口19の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構22によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。
前記ポッド9が前記ポッドオープナ14によって開放されると、ウェーハ18は前記ポッド9から前記ウェーハ移載機構24によって取出され、ノッチ合せ装置(図示せず)に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ18を整合した後、前記ウェーハ移載機構24はウェーハ18を前記移載室23の後方にある前記待機部27へ搬入し、前記ボート26に装填(チャージング)する。
該ボート26にウェーハ18を受渡した前記ウェーハ移載機構24は前記ポッド9に戻り、次のウェーハ18を前記ボート26に装填する。
一方(上端又は下段)のポッドオープナ14に於ける前記ウェーハ移載機構24によりウェーハ18の前記ボート26への装填作業中に、他方(下段又は上段)のポッドオープナ14には前記回転式ポッド棚11から別のポッド9が前記ポッド搬送装置15によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ14によるポッド9の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウェーハ18が前記ボート26に装填されると前記炉口シャッタ31によって閉じられていた前記処理炉28の炉口部が前記炉口シャッタ31によって開放される。続いて、前記ボート26は前記ボートエレベータ32によって上昇され、前記処理室29に搬入(ローディング)される。
ローディング後は、前記シールキャップ34によって炉口部が気密に閉塞される。尚、本実施の形態において、このタイミングで(ローディング後)、前記処理ガス29が不活性ガスに置換されるパージ工程(プリパージ工程)を有し、不活性ガス(例えば、N2)の積算処理(積算量のチェック)が実施可能なように構成されている。具体的には、所定の不活性ガスが所定の流量を所定の時間したときに算出される積算結果と、予め設定された積算量及び積算時間とを比較し、次の工程に移行するかどうかが判定されるよう構成される。そして、判定の結果がOKであれば次の工程に移行する。
前記処理室29が所望の圧力(真空度)となる様にガス排気機構(図示せず)によって真空排気される。又、前記処理室29が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部(図示せず)によって所定温度迄加熱される。
又、ガス供給機構(図示せず)により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室29を流通する過程で、ウェーハ18の表面と接触し、ウェーハ18の表面上に所定の処理が実施される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室29から排気される。
予め設定された処理時間が経過すると、前記ガス供給機構により不活性ガス供給源(図示せず)から不活性ガスが供給され、前記処理室29が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室29の圧力が常圧に復帰される(アフターパージ工程)。尚、本実施の形態においては、この処理室29を不活性ガスに置換する工程であるアフターパージ工程において、プリーパージ工程で実施した積算処理と同様に、不活性ガス(例えば、N2)の積算処理(積算量のチェック)が実施可能なように構成されている。ここで、前記アフターパージ工程における積算処理の結果、OKであれば次の工程に移行される。
そして、前記ボートエレベータ32により前記シールキャップ34を介して前記ボート26が降下される。
処理後のウェーハ18の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ18及びポッド9は前記筐体2の外部へ払出される。未処理のウェーハ18が、更に前記ボート26に装填され、ウェーハ18のバッチ処理が繰返される。
前記処理炉28、少なくとも基板を搬送する機構であるポッド搬送機構15、ウェーハ移載機構24、ボートエレベータ32を含む搬送機構、前記処理炉28に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉28内を排気するガス排気機構、前記処理炉28を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉28、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御する制御装置37について、図3を参照して説明する。
図3中、38はプロセス制御部としてのプロセス制御モジュール、39は搬送制御部、41は操作部を示しており、前記プロセス制御部38は記憶部42を具備し、該記憶部42にはプロセスを実行する為に必要なプロセス実行プログラム、流量制御部としてのシーケンサ45から取得したバルブ開閉情報及び流量調整部としてのMFC58から取得したガス流量情報を少なくとも含むモニタ情報を保存する格納領域や、前記シーケンサ45からフィードバックされた情報等が格納されている。前記搬送制御部39は記憶部43を具備し、該記憶部43にはウェーハ18の搬送を実行する為の搬送プログラムが格納され、前記操作部41はデータ格納手段44を具備し、該データ格納手段44は、例えばHDD等の外部記憶装置から成る。尚、プロセス実行プログラム、搬送プログラムは前記データ格納手段44に格納されていてもよい。
又、前記プロセス制御部38は、流量制御部45、加熱制御部46、圧力制御部47、流量調整部としてのMFC58を含み、各制御部を制御し、各処理工程を実行するアクチュエータの駆動を制御する例えば前記プロセス制御部38は、シーケンサ45やMFC58等の作動を制御して前記処理炉28への処理ガスの供給流量を制御し、前記加熱制御部46は前記処理炉28の加熱制御を行い、前記圧力制御部47は前記処理炉28からのガスの排気を制御し、或は前記処理炉28の圧力制御を行う機能を有している。又、49は加熱制御部46によって制御されるヒータを示しており、51は前記圧力制御部47によって制御される圧力バルブを示している。48は、流量制御部45によって開閉制御されるバルブを示し、具体的には、バルブ48はON/OFF制御され、処理ガスの供給及び停止が制御される。58は前記プロセス制御部38によって制御されるMFC(流量調整器)を示している。
又、53は温度検出手段としての温度検出器を示し、54は圧力検出手段としての圧力センサを示しており、前記温度検出器53は、前記ヒータ49の状態を検出して検出結果を前記加熱制御部46にフィードバックし、前記圧力センサ54は、前記圧力バルブ51の状態を検出して検出結果を前記圧力制御部47にフィードバックする機能を有している。尚、前記バルブ48は処理ガスの供給及び停止を制御する。前記バルブ48に付随した電磁弁(図示しない)が前記バルブ48の開閉状態を検出して検出結果を前記入出力制御部45にフィードバックする。又、前記MFC58は、流量だけでなく種々の情報を含む属性情報を前記プロセス制御部38へとフィードバックしている。
又、55はキーボード、マウス等の入力部を示しており、56はモニタ等の表示部を示している。尚、図では、入力部55と表示部56が別体で示されているが、画面上での入力が可能なタッチパネルのような入力部付表示部の形態でもかまわない。
前記流量制御部45、前記加熱制御部46、前記圧力制御部47には、前記プロセス制御部38から設定値の指示、或は処理シーケンスに従った指令信号が入力され、前記プロセス制御部38は前記電磁弁、前記温度検出器53、前記圧力センサ54が検出した検出結果を基に、前記入出力制御部45、流量調整部としての前記MFC58、前記加熱制御部46、前記圧力制御部47を統括して制御する。
又、前記プロセス制御部38は、前記操作部41を介した前記入力部55からの指令により、基板処理を実行し、又基板処理の実行は前記プロセス制御部38が、前記記憶部42に格納されたプログラムに従って、他の制御系とは独立して実行する。従って、前記搬送制御部39、前記操作部41に問題が発生しても、ウェーハ18の搬送は中断されることなく完遂される。
前記搬送制御部39は、前記操作部41を介した前記入力部55からの指令によって前記ポッド搬送機構15、前記ウェーハ移載機構24、前記ボートエレベータ32を駆動して、ウェーハ18の搬送を実行する。ウェーハ18の搬送は、前記記憶部43に格納された搬送プログラムによって他の制御系とは独立して実行する。従って、前記プロセス制御部38、前記操作部41に問題が発生しても、ウェーハ18の搬送は中断されることなく完遂される。
前記データ格納手段44には、基板処理進行を統括するプログラム、処理内容、処理条件を設定する為の設定プログラム、基板処理の為のレシピ、前記プロセス制御部38、前記搬送制御部39とLAN等の通信手段を介してデータの送受信を行う通信プログラム、前記流量制御部45、前記加熱制御部46、前記圧力制御部47の状態を前記表示部56に表示する為のプログラム、又前記流量調整部58、前記流量制御部45、前記加熱制御部46、前記圧力制御部47を駆動制御する為に必要なパラメータの編集を行う操作プログラム等の各種プログラムがファイルとして格納されている。また、ショートカット管理情報を管理しているパラメータファイルであるユーザカスタムパラメータやこのパラメータファイルを利用したショートカット画面を表示する画面切替プログラムが格納される。
又、前記データ格納手段44はデータ格納領域を有し、該データ格納領域には基板処理に必要とされるパラメータが格納され、前記バルブ48、前記温度検出器53、前記圧力センサ54の設定値、検出結果、処理の状態等の情報が経時的に格納される。
以下、図4、図5を用いて、本発明の実施例を説明する。
まず、本発明の実施形態について図4を用いて説明する。ここで、格納部としてのショートカット情報を管理している内部メモリを「ショートカット管理情報」と呼ぶ。図4は、画面切替プログラムを構成するブロック図を示している。前記画面切替プログラムは、上記ユーザカスタムパラメータやショートカット管理情報のほか、表示制御部としての操作部表示処理と画面切替処理で構成されている。具体的には、画面切替プログラムが起動されると、操作部表示処理は、ショートカット情報をユーザカスタムパラメータより取得しショートカット管理情報に設定後、切替手段としてのショートカットボタンキーの入力を待つ。そして、ショートカットボタンキー入力時にキー入力通知を画面切替処理に送信する。画面切替処理はショートカット管理情報からショートカット情報を取得後、取得したショートカット情報から画面情報を生成し指定された画面に切替を行い、画面情報を画面切替通知として操作部表示処理に送信する。操作部表示処理は、画面切替通知から画面情報を取得し、画面表示に必要な情報である画面パラメータに従い画面を表示させる。図5は画面パラメータの一例を示す。画面切替通知に設定される画面情報は、画面番号と画面パラメータにより構成される。全ての画面は画面番号に管理されており、画面切替の際は画面番号に一致した画面を画面パラメータに従い表示される。
次に、図6を用いて、システムメイン画面にショートカットボタンを配置した場合の具体例について説明する。図6は、システムメイン画面から直接ローダーパネル画面へ切替えてリカバリ操作をするためのリカバリ画面操作のイメージ図である。このように、従来は、リカバリ画面を表示させるためには、5回の画面操作が必要だったが、システム画面に直接ローダーパネル画面へ切替るボタン(ショートカットボタン)をシステムメイン画面に配置することにより、リカバリ操作手順を短縮することができる。
また、図7は、ショートカット情報(システムメイン画面からローダーパネル画面へのショートカット)の登録を示す図である。このように、図6を実現するには、ユーザカスタムパラメータとして、ショートカットボタンで画面切替をしたいショートカット情報を登録しておく必要がある。
以上のように、本実施の形態において、システムメイン画面に所望のショートカットボタンを配置することで、階層の深い画面に切り替える場合に、画面操作が煩雑になるという問題点が解消され、直接目的とする画面に切り替えることができる。従い、本実施の形態においては、システムメイン画面からローダーパネル画面へのショートカットについて詳述したが、この形態に限定されない。ユーザカスタムパラメータにおいて、適宜図7に示すように選択することにより、ショートカットが容易に可能である。
又、本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、LCD装置の様なガラス基板を処理する装置にも適用でき、縦型基板処理装置だけではなく、枚葉式の基板処理装置や横型の処理炉を有する基板処理装置にも適用できる。更に、露光装置やリソグラフィ装置、塗布装置等の他の基板処理装置に対しても同様に適用できるのは言う迄もない。
1 基板処理装置
18 ウェーハ
41 操作部
44 データ格納手段
55 入力部
56 表示部
18 ウェーハ
41 操作部
44 データ格納手段
55 入力部
56 表示部
Claims (1)
- 各種画面情報が登録される格納部と、所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部とを含む基板処理装置であって、前記表示制御部は、前記切替手段が押下されると、予め登録された前記画面情報に従い前記所望の画面を前記操作画面に表示させることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011244483A JP2013102037A (ja) | 2011-11-08 | 2011-11-08 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011244483A JP2013102037A (ja) | 2011-11-08 | 2011-11-08 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013102037A true JP2013102037A (ja) | 2013-05-23 |
Family
ID=48622400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011244483A Pending JP2013102037A (ja) | 2011-11-08 | 2011-11-08 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013102037A (ja) |
-
2011
- 2011-11-08 JP JP2011244483A patent/JP2013102037A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5635270B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理システム及び基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のパラメータ設定方法及び記録媒体 | |
JP5334261B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 | |
US20150371914A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4917660B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法、装置状態遷移方法、基板処理装置の保守方法及び状態遷移プログラム | |
JP2014138158A (ja) | 基板処理装置及びその制御方法並びに編集プログラム | |
JP5566032B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および入力禁止プログラム | |
US11521880B2 (en) | Substrate processing apparatus and recording medium for changing atmosphere of transfer chamber | |
JP2011243677A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7018370B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP2013102037A (ja) | 基板処理装置 | |
US20240338015A1 (en) | Controlling apparatus, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
JP5295208B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の運用方法 | |
JP2013033310A (ja) | 基板処理装置 | |
CN112750720B (zh) | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 | |
JP5478033B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、条件設定プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
JP5531003B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置のメンテナンス方法および半導体装置の製造方法 | |
KR102298425B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록매체 | |
US20240321611A1 (en) | Control apparatus, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
JP2007258630A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008053603A (ja) | 基板処理システム | |
JP5885945B2 (ja) | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法、並びにプログラム | |
WO2020059427A1 (ja) | 基板処理装置及び蓋開閉機構及び半導体装置の製造方法及び流体圧駆動システム | |
JP2012074507A (ja) | 基板処理装置及びその制御方法 | |
JP2010183068A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011171648A (ja) | 基板処理システム |