CN112750720B - 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。

Description

衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质
技术领域
本公开涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
背景技术
在作为一种衬底处理装置的半导体制造装置中，在实施成膜处理前或实施成膜处理后实施某些维护处理。在此，维护处理有除去炉内的副产物的处理、用于将炉内的环境维持在特定条件的吹扫处理等各种处理。近来，为了提高装置生产性(为了缩短装置停机时间)，自动执行维护处理的功能变得必需。
例如，在专利文献1中记载了：当监视对象的装置数据的当前值达到规定的条件时，产生警报，并且执行清洁制程程序(recipes)。另外，例如，在专利文献2中记载了：即使在成膜步骤前的准备步骤中产生错误，也在成膜步骤的开头步骤中进行错误处理。
然而，在当前值到达规定的阈值并自动执行维护处理时，成膜处理开始时的炉内状况有时会发生变化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利2019-114783号公报
专利文献2：日本专利2015-162628号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本公开的目的在于提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。
用于解决问题的手段
根据本公开的一个技术方案，提供一种具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在所述前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。
发明的效果
根据本公开的技术，能够使炉内的成膜前状况成为同一条件，能够得到成膜稳定性。
附图说明
图1是示出在本公开的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的横剖视图的一例。
图2是示出在本公开的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵剖视图的一例。
图3是示出在本公开的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的纵剖视图的一例。
图4是说明在本公开的一实施方式中优选使用的控制器的功能结构的图。
图5是示出在本公开的一实施方式中优选使用的处理流程的图。
图6是在本公开的一实施方式中优选使用的维护项目的图示例。
图7是说明在本公开的一实施方式中优选使用的维护处理的图示例。
图8是示出图5的处理流程中的前处理工序的详细情况的图。
图9是示出在图8的前处理工序中维护处理判定工序的详细情况的图。
图10A是在一个作业中执行多次成膜处理的情况下的比较例。
图10B是示出在本公开的一实施方式中优选使用的一个作业中执行多次成膜处理的情况下的处理流程的图。
图11是示出在本公开的一实施方式中优选使用的处理流程的图。
附图标记的说明
10…衬底处理装置
具体实施方式
(衬底处理装置的概要)
接着，基于图1、图2说明本公开的实施方式。在应用本公开的实施方式中，作为一例，衬底处理装置构成为实施半导体器件(IC)的制造方法中的处理装置的衬底处理装置。需要说明的是，在以下的说明中，叙述应用了对衬底进行氧化、扩散处理或CVD(ChemicalVapour Deposition：化学气相沉积)处理等的立式装置(以下，仅称为处理装置)作为衬底处理装置的情况。
如图1、图2所示，衬底处理装置10具备作为相邻的两个后述的处理炉202的处理组件。处理组件是一起处理数十片作为衬底的晶片200的立式处理组件。以下，构成处理装置10的部件例如包含构成处理炉202内的部件、分别配置在搬送室6、移载室8中的部件等，另外有时也包含处理装置10本身。
在处理炉202的下方配置有作为准备室的搬送室6A、6B。在搬送室6A、6B的正面侧，与搬送室6A、6B相邻地配置有移载室8，所述移载室8具有将作为衬底的晶片200移载的移载机125。需要说明的是，在本实施方式中，设为在搬送室6A、6B的上方分别设置有后述的处理炉202的结构来进行说明。
在移载室8的正面侧设置有收纳晶片盒(FOUP)110的收纳室9(晶片盒搬送空间)，所述晶片盒110作为收容多片晶片200的收容容器。在收纳室9的整个面上设置有作为I/O端口的装载端口22，经由装载端口22向处理装置10内外搬入搬出晶片盒110。
在搬送室6A、6B与移载室8的分界壁(相邻面)上设置有作为隔离部的闸阀90A、90B。在移载室8内和搬送室6A、6B内分别设置有压力检测器，移载室8内的压力设定为比搬送室6A、6B内的压力低。另外，在移载室8内和搬送室6A、6B内分别设置有氧浓度检测器，移载室8内和搬送室6A、6B内的氧浓度维持为比大气中的氧浓度低。优选的是，维持在30ppm以下。
在移载室8的顶棚部设置有向移载室8内供给清洁空气的清洁单元(未图示)，构成为使作为清洁空气的例如非活性气体在移载室8内循环。通过用非活性气体对移载室8内进行循环吹扫，从而能够使移载室8内成为清洁的气氛。
利用这种结构，能够抑制移载室8和搬送室6A、6B内的颗粒等混入未图示的处理炉202，能够抑制在移载室8内和搬送室6A、6B内在晶片200上形成自然氧化膜。
在收纳室9的后方，在收纳室9与移载室8的分界壁处，配置有多台例如三台开闭晶片盒110的盖的晶片盒开启器21。通过晶片盒开启器21打开晶片盒110的盖，将晶片盒110内的晶片200搬入移载室8内或向移载室8外搬出。
如图2所示，收容由硅等形成的多片晶片200并使用晶片盒110的衬底处理装置10具备作为衬底处理装置主体使用的框体111。
在框体111的正面壁的正面前方部，开设有以能够维护的方式设置的作为开口部的正面维护口(未图示)，并分别设置有开闭该正面维护口的正面维护门。另外，在正面壁上，以将框体111的内外连通的方式开设有晶片盒搬入搬出口。晶片盒搬入搬出口也可以构成为利用前闸门(未图示)开闭。
在晶片盒搬入搬出口上设置有作为搬入搬出部使用的装载端口22，装载端口22构成为载置并定位晶片盒110。晶片盒110由工序内搬送装置搬入到装载端口22上，另外，从装载端口22上搬出。
在框体111的正面后方侧，在晶片盒搬入搬出口的周边的上下左右呈矩阵状地设置有收纳架(晶片盒架)105。晶片盒架105设置有作为载置晶片盒的收纳部的载置部140。收纳部由该载置部140、使载置部140在收纳晶片盒110的待机位置与交接晶片盒110的交接位置之间水平移动的水平移动机构(收容架水平移动机构)构成。利用在水平方向上的同一直线上排列的多个独立的载置部140构成晶片盒架105的一层，该晶片盒架在垂直方向上设置有多层。各载置部140能够与上下或左右相邻的载置部140和其他任意载置部140均不同步地独立水平移动。而且，晶片盒搬送装置130构成为在装载端口22、晶片盒架105以及晶片盒开启器21之间搬送晶片盒110。
在框体111内且副框体119的正面侧，上下左右呈矩阵状地设置有晶片盒架(收容架)105。与框体111的正面后方侧的晶片盒架105相同地，各晶片盒架105的作为载置晶片盒的收纳部的载置部140能够水平移动，能够与上下或左右相邻的载置部140不同步地独立水平移动。晶片盒架105构成为在将晶片盒110分别逐个载置于多个载置部140的状态下予以保持。
在副框体119的正面壁119a上，沿垂直方向上下两层排列开设有一对用于相对于副框体119内搬入搬出晶片200的晶片搬入搬出口120，在上下层的晶片搬入搬出口120上分别设置有一对晶片盒开启器21。在本实施例中，晶片盒开启器21设置于上下两层，但也可以在水平方向上设置有左右两个。晶片盒开启器21具备载置晶片盒110的载置台122和装拆晶片盒110的盖的盖装拆机构123。晶片盒开启器21构成为利用盖装拆机构123将载置于载置台122的晶片盒110的盖装拆，从而开闭晶片盒110的晶片出入口。
副框体119构成与晶片盒搬送装置130或晶片盒架105的设置空间隔绝流体的移载室8。在移载室8的前侧区域中设置有晶片移载装置125，晶片移载装置125由能够使晶片200在水平方向上旋转或直线运动的晶片移载装置125a、和用于使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。它们构成为：通过晶片移载装置升降机125b和晶片移载装置125a的连续动作，将晶片移载装置125a的夹钳(衬底保持体)125c作为晶片200的载置部，相对于晶舟(衬底保持件)217装填(装料)和卸载(卸料)晶片200。
在移载室8的后侧区域，构成作为待机部的搬送室6，所述待机部经由闸阀90收容晶舟217并使之待机。在搬送室6的上方设置有在内部构成处理室的处理炉202。处理炉202的下端部构成为利用炉口闸门147进行开闭。
晶舟217由晶舟升降机115(未图示)升降并导入处理炉内。在与晶舟升降机115的升降台连结的作为连结件的臂(未图示)上，水平安装有作为盖体的密封盖219，盖体219构成为垂直地支承晶舟217并能够闭塞处理炉202的下端部。晶舟217具备多根保持构件，并构成为在使多片晶片200的中心对齐并在垂直方向上整齐排列的状态下分别水平地保持多片晶片200。
(衬底处理装置的处理炉)
如图3所示，处理炉202具有作为加热部件(加热机构)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过由作为保持板的加热器基座(未图示)支承而垂直地安装。
在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有构成反应容器(处理容器)的反应管203。反应管203的下端部开放，上端部形成为用平坦状的壁体闭塞而成的有顶棚的形状。在反应管203的内部，具备形成为圆筒状的筒部209、被划分在筒部209与反应管203之间的喷嘴配置室222、形成于筒部209的作为气体供给口的气体供给狭缝235、形成于筒部209的第一气体排气口236以及形成于筒部209并形成于第一气体排气口236下方的第二气体排气口237。筒部209的下端部开放，上端部形成为用平坦状的壁体闭塞而成的有顶棚的形状，并设置成在晶片200的附近包围晶片200。在筒部209的内部形成有处理室201。处理室201构成为能够收容作为衬底保持件的晶舟217并处理晶片200，所述衬底保持件能够在使晶片200以水平姿势在垂直方向上整齐排列多层的状态下保持晶片200。
反应管203的下端由圆筒体状的集流腔226支承。在集流腔226的上端部形成有凸缘，在该凸缘上设置并支承反应管203的下端部。在该凸缘与反应管203的下端部之间夹置O形环等气密构件220而使反应管203内成为气密状态。
在集流腔226的下端的开口部，经由O形环等气密构件220气密地安装密封盖219，气密地堵塞反应管203的下端的开口部侧即集流腔226的开口部。
在密封盖219上设置有支承晶舟217的晶舟支承台218。晶舟支承台218作为隔热部发挥功能，并且成为支承晶舟217的支承体。晶舟217例如由石英或SiC等耐热性材料构成。晶舟217具有固定于未图示的晶舟支承台的底板和配置于其上方的顶板，并具有在底板与顶板之间架设有多根支柱的结构。在晶舟217中保持有多片晶片200。多片晶片200在相互隔开一定的间隔并保持水平姿势且相互使中心对齐的状态下在反应管203的管轴方向上多层地装载，并由晶舟217的支柱支承。
在密封盖219的与处理室201相反一侧，设置有使晶舟旋转的晶舟旋转机构267。晶舟旋转机构267的旋转轴265贯通密封盖并与晶舟支承台218连接，通过利用晶舟旋转机构267经由晶舟支承台218使晶舟217旋转，从而使晶片200旋转。
密封盖219利用设置在反应管203外部的作为升降机构的晶舟升降机115在垂直方向上升降，由此，能够相对于处理室201内搬入搬出晶舟217。
喷嘴支承部350a～350d以贯通集流腔226的方式设置在集流腔226中，所述喷嘴支承部350a～350d支承作为向处理室201内供给处理气体的气体喷嘴的喷嘴340a～340d。在此，设置有4根喷嘴支承部350a～350d。在喷嘴支承部350a～350c的反应管203侧的一端，分别连接有向处理室201内供给气体的气体供给管310a～310c。另外，在喷嘴支承部350d的反应管203侧的一端，连接有向形成于反应管203与筒部209之间的间隙S供给气体的气体供给管310d。另外，在喷嘴支承部350a～350d的另一端分别连接有喷嘴340a～340d。
在气体供给管310a上，从上游方向起依次分别设置有供给第一处理气体的第一处理气体供给源360a、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)320a以及作为开闭阀的阀330a。在气体供给管310b上，从上游方向起依次分别设置有供给第二处理气体的第二处理气体供给源360b、MFC320b以及阀330b。在气体供给管310c上，从上游方向起依次分别设置有供给第三处理气体的第三处理气体供给源360c、MFC320c以及阀330c。在气体供给管310d上，从上游方向起依次分别设置有供给非活性气体的非活性气体供给源360d、MFC320d以及阀330d。在气体供给管310a、310b的阀330a、330b的下游侧分别连接有供给非活性气体的气体供给管310e、310f。在气体供给管310e、310f上，从上游方向起依次分别设置有MFC320e、320f和阀330e、330f。
主要利用气体供给管310a、MFC320a以及阀330a构成第一处理气体供给系统。也可以认为第一处理气体供给源360a、喷嘴支承部350a以及喷嘴340a包含在第一处理气体供给系统中。另外，主要利用气体供给管310b、MFC320b以及阀330b构成第二处理气体供给系统。也可以认为第二处理气体供给源360b、喷嘴支承部350b以及喷嘴340b包含在第二处理气体供给系统中。另外，主要利用气体供给管310c、MFC320c以及阀330c构成第三处理气体供给系统。也可以认为第三处理气体供给源360c、喷嘴支承部350c以及喷嘴340c包含在第三处理气体供给系统中。另外，主要利用气体供给管310d、MFC320d以及阀330d构成非活性气体供给系统。也可以认为非活性气体供给源360d、喷嘴支承部350d以及喷嘴340d包含在非活性气体供给系统中。
在反应管203上形成有排气口230。排气口230形成于第二气体排气口237的下方，并与排气管231连接。在排气管231上，经由作为检测处理室201内压力的压力检测器的压力传感器245和作为压力调整部的APC(Auto Pressure Controller)阀244连接有作为真空排气装置的真空泵246，构成为能够进行真空排气使得处理室201内的压力成为规定的压力。真空泵246的下游侧的排气管231与排气处理装置(未图示)等连接。需要说明的是，APC阀244是能够开闭阀而进行处理室201的真空排气/真空排气停止，而且能够调节阀开度而调整流导并进行处理室201的压力调整的开闭阀。主要利用排气管231、APC阀244以及压力传感器245构成作为排气部发挥功能的排气系统。需要说明的是，也可以使真空泵246包含于排气系统。
在反应管203内设置有作为温度检测器的温度传感器(未图示)，构成为：通过基于利用温度传感器检测出的温度信息调整向加热器207的供给电力，从而使处理室201内的温度成为期望的温度分布。
在以上的处理炉202中，在分批处理的多片晶片200多层地装载于晶舟217的状态下，晶舟217由晶舟支承台218支承并插入处理室201中，加热器207将插入处理室201中的晶片200加热至规定的温度。
(控制器结构)
如图4所示，控制系统240至少包含作为主控制部(主控制器)的控制器121、作为制程程序执行单元的工艺系统控制器PMC(Process Module Controller，工艺舱控制器)以及作为作业执行单元的搬送系统控制器。另外，控制器121例如连接有用闪存、HDD(Hard DiskDrive)等构成的存储装置128和/或用触摸面板等构成的作为显示部的输入输出装置127。
需要说明的是，图4是有两个处理炉202的情况下的图示例。以下，工艺系统控制器PMC简称为PMC。PMC1、2分别与图3所示的处理炉202连接，但在PMC2中省略图示。
在存储装置128内，可读出地存储有控制衬底处理装置10的动作的控制程序(作业)、记载有衬底处理的步骤和/或条件等的作为成膜制程程序的工艺制程程序等。工艺制程程序使PMC执行后述的衬底处理工序中的各步骤，并以能够得到规定结果的方式组合，另外，维护制程程序是在不将晶片200投放到装置内的状态下使PMC执行维护工序中的各步骤，例如能够对部件进行保养的保养制程程序。
另外，在存储装置128内存储有示出后述的维护项目(图6)、维护处理(图7)的表格。这些表格与上述保养制程程序关联。控制器121构成为：从存储装置128读出保养制程程序和与该保养制程程序关联的这些表格，并分别下载到PMC。PMC构成为将这些表格内的数据使用于保养制程程序的执行。
在存储装置128中，存储有通过执行包含该工艺制程程序的作业(工艺作业)从而使构成装置的各部件动作而产生的装置数据。在这些装置数据中，利用控制器121的时间戳功能附加时刻数据。另外，包含维护制程程序(保养制程程序)的作业(维护作业)也同样如此。需要说明的是，以下，作业(工艺作业或维护作业)有时作为主制程程序处理。副制程程序是辅助该主制程程序的制程程序，例如，在重复执行简单的规定步骤等情况下使用。它们作为程序发挥功能。另外，需要说明的是，在本说明书中使用程序这样的措辞的情况下，有时仅包含制程程序单体，有时仅包含控制程序(作业)单体，有时包含它们双方。
在本实施方式中，PMC通过执行由前处理、正式处理、后处理这三个步骤构成的主制程程序，从而进行衬底处理中的一系列处理工序。在此，主制程程序的正式处理对应于衬底处理工序。将在后面说明这些前处理、正式处理(衬底处理工序)以及后处理的各步骤。
在此，保养制程程序可列举吹扫制程程序、预热制程程序、清洁制程程序等，根据错误的内容适当选择并执行。另外，也可以根据错误产生的位置(部件)预先设定保养制程程序。根据各个保养制程程序的内容，任意地设定这些保养制程程序执行时的处理炉202内(处理室201)的温度、气体流量、电力、压力等控制参数中的每一个。
在此，如上所述，装置数据是在执行作业时收集的数据。例如，包含衬底处理装置处理晶片200时(执行工艺制程程序时)的处理温度、处理压力、处理气体的流量等与衬底处理相关的数据(例如设定值、实测值)、与制造的产品衬底的质量(例如成膜的膜厚和该膜厚的累积值等)相关的数据、与衬底处理装置1的构成部件(反应管、加热器、阀、MFC等)相关的数据(例如设定值、实测值)等通过在衬底处理装置处理晶片200时使各构成部件动作从而产生的数据。同样地，在保养衬底处理装置时(执行维护制程程序时)通过使各构成部件动作从而产生的数据包含于装置数据。
控制器121构成为：根据来自输入输出装置127的操作命令的输入等，从存储装置128读出工艺制程程序(或保养制程程序)。控制器121构成为：经由PMC，以按照工艺制程程序的内容的方式对如下动作进行控制，即，利用MFC320a～320f进行的各种气体的流量调整动作、阀330a～330f的开闭动作、APC阀244的开闭动作和基于压力传感器245的利用APC阀244进行的压力调整动作、真空泵246的启动和停止、基于温度传感器的加热器207的温度调整动作、利用晶舟旋转机构267进行的晶舟217的旋转和旋转速度调节动作、利用晶舟升降机115进行的晶舟217的升降动作等。
控制器121构成为：经由搬送系统控制器，以按照工艺作业的内容的方式对如下动作进行控制，即，利用晶片盒搬送装置130进行的装载端口22、晶片盒架105以及晶片盒开启器21之间的晶片盒110的搬送动作、利用晶片盒开启器21进行的载置于载置台122的晶片盒110的盖拆装动作、通过利用晶片移载装置125进行的晶片移载装置升降机125b和晶片移载装置125a的连续动作从而将晶片移载装置125a的夹钳(衬底保持体)125c作为晶片200的载置部并相对于晶舟(衬底保持件)217装填(装料)和卸载(卸料)晶片200的动作等。
(衬底处理工序)
接着，使用图3说明衬底处理工序。载置有规定片数的晶片200的晶舟217插入(晶舟装载)反应管203内，利用密封盖219气密地闭塞反应管203。在气密地闭塞的反应管203内，加热晶片200，并且向反应管203内供给处理气体，对晶片200进行规定的处理。
作为规定的处理，例如，通过同时供给作为第一处理气体的PH3气体、作为第二处理气体的SiH4气体，从而在晶片200上形成Si膜。
首先，从第一处理气体供给系统的气体供给管310a经由喷嘴340a的气体供给孔234a、气体供给狭缝235向处理室201供给PH3气体，并且从第二处理气体供给系统的气体供给管310b经由喷嘴340b的气体供给孔234b、气体供给狭缝235向处理室201供给SiH4气体。具体而言，通过打开阀330a、330b、330e、330f，从而开始与载气一起从气体供给管310a向处理室201供给PH3气体，从供给管310b向处理室201供给SiH4气体。此时，调整APC阀244的开度，将处理室201的压力维持在规定的压力。规定时间经过后，关闭阀330a、330b，停止SiH4气体和PH3气体的供给。
供给到处理室201内的SiH4气体和PH3气体被供给到晶片200，平行地流经晶片200上方后，通过第一气体排气口236在间隙S中从上部流动到下部，经由第二气体排气口237、排气口230从排气管231排气。
关闭阀330a、330b并停止向处理室201的SiH4气体和PH3气体的供给后，对处理室201进行排气，将残留在处理室201中的SiH4气体、PH3气体或反应生成物等排除。此时，当从气体供给管310a、310b、310c、310d分别向处理室201和间隙S供给N2等非活性气体并吹扫时，能够进一步提高将来自处理室201和间隙S的残留气体排除的效果。
当晶片200的处理完成时，利用与上述工作相反的步骤，从反应管203内搬出(晶舟卸载)晶舟217。
在此，以下记载形成Si膜时的工艺条件。
硅源：SiH4(甲硅烷)
成膜温度：520℃
压力：0.68Torr
气体流量：2.8SLM(甲硅烷)
成膜时间：约15min
在上述实施方式中，说明了同时供给第一处理气体和第二处理气体的情况，但本公开也能够应用在交替地供给第一处理气体和第二处理气体的情况。
接着，使用图5至图9，详细说明处理流程，所述处理流程执行本实施方式中的工艺作业(主制程程序)，特别是能够在前处理步骤的开头步骤中执行维护处理的处理流程。
如图5所示，工艺作业是包含前处理(准备步骤)、正式处理(成膜步骤)以及后处理(结束步骤)的主制程程序，在本实施方式中，构成为能够在前处理步骤的第一步骤(开头步骤)中执行警报处理(维护处理)。在此，前处理步骤是如下步骤：至少包含完成处理准备且调整处理炉202内的处理环境(处理气氛)的工序、将晶片200装填(晶片加载)于晶舟217的工序以及调整处理炉202的下侧的晶舟217和晶片200所待机的移载环境(移载气氛)的工序。
具体而言，构成为：在前处理步骤的第一步骤中执行副制程程序，在该副制程程序的第一步骤中执行维护处理。在此，维护处理示出对构成处理炉202(其处理衬底)内部的构件进行维护的保养制程程序。需要说明的是，后面将说明该维护处理。
如图6所示，按部件(零件)设定维护项目。需要说明的是，该维护项目例如可以显示于显示部127，并在画面上任意地设定。
在图6中，作为部件而分别设定了设为“FOUP”的晶片盒110、设为“WAFER”的晶片200、设为“BOAT”的晶舟217、设为“TUBE”的反应管203以及设为“EQUIPMENT”的衬底处理装置10。
在图6中，作为维护项目而分别设定了“使用次数”“使用时间”“装置内滞留时间”“累积膜厚”“可使用剩余片数”“待机时间”“维护处理执行次数”“虚设晶片的使用次数”“虚设晶片累积膜厚”。这些部件或维护项目例如构成为能够任意地设定部件追加、维护项目删除等。需要说明的是，在图6中，“-”表示设定无效，“○”表示设定有效。该有效“○”、无效“-”的设定也能够适当编辑。
例如，作为对象的部件“EQUIPMENT”的维护项目为“待机时间”的情况下，在此，“待机时间”是衬底处理装置10成为待机(IDLE)的时间，例如，在连续处理的情况下，“待机时间”为0min，在没有接着要处理的批次的情况下，在处理后成为待机(IDLE)。该衬底处理装置10的待机时间例如到达1小时，执行炉内循环吹扫。在该情况下，用于执行维护处理的阈值预先设定为1小时。
例如，作为对象的部件“TUBE”的维护项目为“使用次数”的情况下，在此，“使用次数”是指处理炉202内的工艺处理次数，例如，当执行制程程序内的特定步骤时，计数为一次。当该执行次数到达预先决定的阈值时，执行维护处理。例如，执行炉内循环吹扫和/或清洁制程程序作为在维护处理时执行的保养制程程序。
例如，作为对象的部件“BOAT”的维护项目为“累积膜厚”的情况下，在此，晶舟217的累积膜厚示出在将晶舟217插入处理炉202内的状态下例如执行制程程序内的特定步骤的情况下在该步骤中预先登记的膜厚值的累积。当该累积膜厚到达预先决定的阈值时，执行维护处理。例如，执行清洁制程程序作为在维护处理时执行的保养制程程序。
而且，对在图6中设定为“○”的维护项目的维护处理定义在图7中。作为维护处理，有“无指定”“警报报告”“禁止执行作业”“手动启动维护作业”“自动启动维护作业”“警报制程程序调用”。执行维护处理的定时能够根据维护项目和/或维护处理而适当确定。由此，能够分开使用作为成膜处理结束后的后处理的维护处理和作为成膜处理开始前的前处理的维护处理，能够高效地执行维护处理。
当选择图7所示的“无指定”时，不进行维护处理。在被通知警报的状态下将维护处理变更为“无指定”的情况下，警报复原。例如，在产生轻微警报的情况下，能够选择“无指定”，强制性地使警报复原并继续进行处理。
接着选择“警报报告”时，通知警报。在该维护处理中，通过将对象部件的维护项目的当前值设定为阈值以下，从而能够使警报复原。以虽然需要通知但不是停止处理的程度的轻微错误来设定。
当选择“禁止执行作业”时，在执行结束当前正在执行的作业的定时，临时停止接下来的作业执行。该维护处理通过将对象部件的维护项目的当前值设定为阈值以下，从而能够使警报复原，能够执行接下来的作业。
当选择“手动启动维护作业”时，自动生成维护作业，并使之插队到接下来执行的作业之前。由于该维护作业为手动启动指定，所以成为启动等待，如果有启动指示则执行该维护作业。维护作业正常结束时，复原警报。另一方面，维护作业异常结束时，不复原警报。在该情况下，通过将警报产生对象部件的维护项目的当前值设定为阈值以下，从而能够使警报复原。另外，关于“自动启动维护作业”，除了如果没有其他正在执行的作业则不等待作业启动而自动执行维护作业以外，其他与“手动启动维护作业”相同。
当选择“警报制程程序调用”时，在作为前处理步骤的准备步骤中执行的副制程程序的第一步骤中，在作为监视对象的部件中设定的维护项目的当前值到达阈值的情况下，执行指定的警报制程程序处理。然后，警报制程程序处理正常结束时使警报复原，警报制程程序处理异常结束时不使警报复原。另外，构成为：在作为监视对象的部件中设定的维护项目的当前值没有到达阈值的情况下，不执行任何处理，自动执行接下来的步骤。
在图7中定义的维护处理的内容与图6所示的维护项目同样地，构成为能够适当任意地设定维护内容的变更、删除、追加。另外，图7所示的维护处理也与图6所示的维护项目同样地，可以显示于显示部127，并能够在画面上任意地设定。而且，包含上述警报制程程序的维护制程程序(保养制程程序)的内容不限定于晶舟装载工序、维护工序以及晶舟卸载工序。例如，用于除去旋转机构267的旋转轴265附近的颗粒的保养制程程序构成为在正式处理(晶舟装载工序、N2吹扫工序、晶舟卸载工序)中包含冷却工序。后面将说明该保养制程程序的详细情况。
图8是详细地示出在图5的前处理中执行的副制程程序的第一步骤的时序。如图8所示，从作业执行单元TM向制程程序执行单元PMC发送第一制程程序执行指示。制程程序执行单元PMC向控制部121请求制程程序本体(工艺制程程序本体)，控制部121将制程程序本体(工艺制程程序本体)的数据发送给制程程序执行单元PMC。
接着，在本实施方式中，制程程序执行单元PMC向控制部121请求维护项目的状态，控制部121向制程程序执行单元PMC发送维护项目的状态的数据(例如当前值)，当受理维护项目的状态的数据时，制程程序执行单元PMC向作业执行单元TM通知制程程序取得完成，受理了该通知的作业执行单元TM向制程程序执行单元PMC发送第二制程程序执行指示。在此，维护项目状态数据的内容存储有每个维护项目的维护处理方法。在图7所示的“警报制程程序调用”的情况下，在本实施方式中，存储有是否需要维护处理信息。在此，也可以构成为：在没有选择“警报制程程序调用”作为维护处理的情况下，不执行副制程程序。另外，也可以构成为：在该是否需要维护处理信息中包含维护项目的当前值是否达到阈值的信息，如果未达到阈值则不执行副制程程序。
接着，执行判定是否执行图9所示的警报处理的工序。制程程序执行单元构成为：进行作为警报制程程序的保养制程程序的执行的设定确认，对预先设定的维护项目的当前值与阈值进行比较，确认是否到达阈值。制程程序执行单元在该当前值到达阈值的情况下执行保养制程程序，在该当前值没有到达阈值的情况下特别不执行保养制程程序，结束本工序。
如图8所示，在预先设定的维护项目的当前值到达阈值的情况下，制程程序执行单元在警报制程程序执行开始时向控制部121发送处理开始的通知，在警报制程程序执行结束时向控制部121发送处理结束的通知。在预先设定的维护项目的当前值没有到达阈值的情况下，由于判定为无需特别执行保养制程程序，所以制程程序执行单元向下一步骤转移并继续进行制程程序。
制程程序执行部构成为：在警报制程程序没有正常结束的情况下，执行规定的错误处理。规定的错误处理例如构成为强制性地转移(跳跃)到后处理，并进行后处理。在该情况下，制程程序执行部省略(跳过)图5所示的副制程程序(冷却处理和/或晶片回收)，设为临时停止状态。或者，制程程序执行部执行中止制程程序，进行中止处理。该情况下也同样地成为临时停止状态。在任意的情况下，都进行对产生的障碍(错误)的处理，其后恢复为生产处理。
当警报制程程序正常结束时，执行副制程程序的第一步骤的下一步骤。如图5所示，副制程程序构成为：还具有搬送衬底的移载步骤，执行将晶片200移载到晶舟217的移载步骤。需要说明的是，当移载步骤异常结束时，如上所述，成为临时停止状态。然后，当该移载步骤结束时，从副制程程序开始主制程程序的第二步骤。然后，开始正式处理(成膜步骤)。在此，由于正式处理如上所述，所以省略。
另外，控制部121构成为：当警报制程程序正常结束时，将预先设定的维护项目的当前值清零。由此，控制部121构成为：将由于在作为监视对象的部件中设定的维护项目而产生的警报解除。由此，在以连续执行两次作业的方式预先预约的情况下，即使在第一次作业结束时到达阈值，如果在第二次作业的前处理的第一步骤中执行警报制程程序并正常结束，则也能够在处理炉202内的气氛得到调整的状态下执行第二次作业。
接着，后处理(结束步骤)是成膜后的后处理，是至少包含为了接下来的成膜而调整炉内环境的工序、冷却处理完毕的晶舟217和/或晶片200的工序以及从晶舟217回收(晶片排出)处理完毕的晶片200的工序的步骤。
具体而言，如图5所示，控制部121构成为：在后处理的第一步骤中执行副制程程序，在后处理中执行的副制程程序至少具有冷却处理完毕的晶片200和/或晶舟217的冷却步骤和从晶舟217回收处理完毕的晶片200的移载步骤。然后，当副制程程序结束时，转移至后处理步骤，为了进行接下来的成膜处理，进行调整处理炉202内的处理环境的处理。
(实施例1)
接着，说明衬底处理装置10的工作。在本实施方式中，当成为预约的工艺作业的执行处理开始时间时，控制部121控制构成衬底处理装置10的各部的动作，并开始工艺作业。
在前处理的第一步骤(开头步骤)中(在晶片200的搬送处理前)，利用控制部121执行判定是否执行维护处理的工序。具体而言，制程程序执行部PMC判定是否需要执行维护处理。例如，利用制程程序执行部PMC对执行的阈值与预先设定的维护项目的当前值进行比较。在本实施方式中，比较预先设定的维护项目的当前值是否到达执行警报制程程序的阈值。需要说明的是，也可以构成为：对在图6中设定为“○”的维护项目中的、维护处理项目设定为图7所示的“警报制程程序调用”的维护项目进行该比较。
在当前值没有到达执行警报制程程序的阈值的情况下，判定为不需要维护处理，制程程序执行部PMC向下一步骤转移并继续副制程程序。在该情况下，制程程序执行部PMC向作为作业执行单元的搬送系统控制器通知副制程程序的第一步骤的结束。在当前值到达执行警报制程程序的阈值的情况下，判定为需要维护处理，制程程序执行部PMC在副制程程序的第一步骤中执行维护处理(调用警报制程程序)。此时，制程程序执行部PMC向控制部121发送警报处理开始通知和结束通知。
当警报制程程序正常结束时，如上所述，制程程序执行部PMC向下一步骤转移，并使副制程程序继续。控制部121构成为使预先设定的维护项目的当前值返回到零，并将产生的警报解除。
当警报制程程序异常结束时，制程程序执行部PMC执行规定的错误处理，使装置成为临时停止状态。另一方面，控制部121构成为使预先设定的维护项目的当前值保持原样，并使警报保持。
受理了第一步骤的结束通知的搬送系统控制器构成为执行向晶舟217移载晶片200的移载步骤。也就是说，利用搬送系统控制器进行晶片200的搬送处理作为前处理的移载步骤。当晶片盒110供给到装载端口22时，装载端口22之上的晶片盒110由晶片盒搬送装置从晶片盒搬入搬出口搬入框体111的内部。被搬入的晶片盒110由晶片盒搬送装置130向晶片盒架105的指定的载置部140自动搬送并交接并暂时保管后，从晶片盒架105向一方的晶片盒开启器21搬送并交接并移载至载置台122，或者直接向晶片盒开启器21搬送并移载至载置台122。
载置于载置台122的晶片盒110的开口侧端面被压靠在副框体119的正面壁119a上的晶片搬入搬出口120的开口边缘部，并且其盖由盖装拆机构123拆卸，开放晶片出入口。当利用晶片盒开启器21开放晶片盒110时，利用晶片移载装置125a的夹钳125c通过晶片出入口从晶片盒110拾取晶片200，经由闸阀90搬入位于移载室8后方的搬送室6，并装填(装料)于晶舟217。此时，也可以在用未图示的凹口对合装置将晶片整合后进行装料。将晶片200交接给晶舟217的晶片移载装置125a返回晶片盒110，将下一晶片200装填到晶舟217。
利用该一方(上层或下层)的晶片盒开启器21中的晶片移载装置125向晶舟217装填晶片的装填作业期间，利用晶片盒搬送装置130将其他晶片盒110从晶片盒架105搬送并移载至另一方(下层或上层)的晶片盒开启器21，同时进行利用晶片盒开启器21的晶片盒110的开放作业。
当预先指定的片数的晶片200装填到晶舟217时，执行工艺制程程序(正式处理)。该工艺制程程序是用于处理衬底的制程程序，由控制器121控制。当开始该工艺制程程序时，由炉口闸门147关闭的处理炉202的下端部由炉口闸门147开放。接着，通过利用晶舟升降机115使密封盖219上升，从而保持有晶片200组的晶舟217被逐渐向处理炉202内搬入(装载)。
装载后，利用工艺系统控制器在处理炉202中对晶片200实施任意的处理。处理后，以大致与上述相反的步骤，向框体的外部搬出(卸载)晶片200和晶片盒110。
(比较例)
如图10A所示，在一个作业中执行多次成膜处理(例如将N片晶片200分为N/2片和N/2片地进行成膜处理)且对相同的处理室201(或处理炉202)进行连续成膜处理的情况下，由于以往的维护处理没有图7所示的“警报制程程序调用”，所以即使设定“自动启动维护作业”，在执行一个工艺作业时，也会连续执行两次工艺制程程序，所以即使在第一次工艺制程程序执行期间装置识别(控制部121判定)出到达安排的维护阈值且需要维护，如果不是在执行第二次工艺制程程序后(如果工艺作业没有结束)，则也不能执行基于维护作业的保养制程程序。因此，即使知道衬底处理结果较差也必须连续执行两次工艺制程程序，衬底处理结果的可靠性有可能降低。
(实施例2)
如图10B所示，即使在一个作业中执行多次成膜处理(例如将N片晶片200分为N/2片和N/2片地进行成膜处理)且对相同的处理室201(或处理炉202)进行连续成膜处理的情况下，在本实施方式中，通过设定图7所示的“警报制程程序调用”，从而也能够在第二次工艺制程程序的前处理的开头步骤中执行维护处理。
(实施例3)
在晶片200上形成Si膜的情况下，当进行规定次数的分批处理时，有时会在旋转机构267的旋转轴265附近产生颗粒。在本实施方式中，维护处理设定有图7所示的警报制程程序调用，图6所示的维护项目设定有晶片200(WAFER)和反应管203(TUBE)的使用次数。具体而言，构成为：晶片200(WAFER)和反应管203(TUBE)中的至少一方的使用次数到达阈值时，执行作为该以减少颗粒为目的的维护处理(警报制程程序)的颗粒减少制程程序(图11的N2吹扫制程程序)。
图11所示的N2吹扫制程程序成为在正式处理(晶舟装载工序、N2吹扫工序、晶舟卸载工序)中包含冷却工序的构成。另外，图11成为将图5所示的保养制程程序(维护处理)具体化而成的一实施例，主制程程序等其他制程程序与图5完全相同。
因此，在图11中，省略与图5相同的部分的说明，在本实施例中，记载图11所示的N2吹扫制程程序作为维护处理(警报制程程序)。
晶舟装载工序与上述晶舟装载工序相比，将晶舟217插入处理炉202内的动作不变，但在N2吹扫制程程序的晶舟装载工序中，将没有装填晶片200的(空的)晶舟217插入处理炉202内。需要说明的是，在该工序中，可以不搭载晶舟217，相反地，也可以是将不是产品的炉内调整用的晶片200装填于晶舟217的状态。关于该晶舟217的有无和向晶舟217的晶片200的装填的有无能够任意地设定。
接着是调整处理炉202内(处理室201)的压力的工序。此时，不言而喻，不仅是压力，处理炉202内(处理室201)的温度也调整为规定温度。在本实施例中，构成为：在接下来的N2吹扫工序、大气压恢复工序中，处理炉202内(处理室201)也维持在规定温度、规定压力。
然后，在处理炉202内(处理室201)的温度、压力维持在规定值的状态下转移至N2气体吹扫工序。在此，向处理炉202内(处理室201)供给吹扫气体。具体而言，从非活性气体供给系统向处理炉202内(处理室201)供给非活性气体。第一处理气体供给系统、第二处理气体供给系统以及第三处理气体供给系统的阀330a、330b、330c被关闭。此时，也可以分别打开第二处理气体供给系统、第三处理气体供给系统的阀330e、330f，向处理炉202内(处理室201)供给非活性气体。需要说明的是，在N2吹扫工序中，向旋转机构267的旋转轴265附近供给的吹扫气体的流量设定为较多。
在此，以下记载N2吹扫制程程序的吹扫条件的一例。
吹扫气体：N2气体
温度：400℃
压力：0.006Torr
然后，在处理炉202内(处理室201)的温度、压力维持在规定值的状态下，供给非活性气体一定时间时，转移至大气压恢复工序。在此，向处理炉202内(处理室201)供给吹扫气体，直到处理炉202内(处理室201)的压力成为大气压。另外，同样地，处理炉202内(处理室201)的温度也降低。
当降低到某种程度的温度(例如待机温度)时，转移至晶舟卸载工序。在此，从处理炉202内(处理室201)取出晶舟217。
晶舟卸载后，至少具有冷却晶舟217的工序。这是由于，根据N2吹扫时的温度的不同，有时在晶舟217的温度较高的状态下从处理炉202内(处理室201)取出。在本实施例中，由于N2吹扫时的温度比较高，所以设置有冷却工序。具体而言，这是由于，作为N2吹扫条件之一的温度高达400℃，若不设置冷却工序而转移至移载步骤，则有可能在移载晶片200期间产生搬送障碍。在该冷却工序中，预先设置设定时间，但也可以在搬送室6中设置温度传感器，如果利用温度传感器检测到的温度低于规定的温度，则结束冷却工序。另外，作为一例，N2吹扫制程程序的整体时间为15分钟左右。
然后，N2吹扫制程程序结束，并且转移至副制程程序的判定工序的下一步骤。其后，构成为向晶片200的移载步骤转移。由于其后接下来的工序是与图5相同的动作，所以在此省略说明。
在本实施例中，为了减少了对衬底处理结果造成较大影响的颗粒，设定为在晶片200和反应管203中的任一方的使用次数到达阈值时执行警报制程程序。然而，不限定于这种设定，根据维护目的，适当决定图6所示的维护项目和图7所示的维护处理。另外，本实施例中的保养制程程序由正式处理(晶舟装载工序、处理工序以及晶舟卸载工序)和分别冷却晶片200及晶舟217的冷却处理的组合构成。这样，编入前处理的保养制程程序不限定于正式处理(晶舟装载工序、处理工序以及晶舟卸载工序)的构成，构成为根据维护内容适当设定。
这样，通过执行N2吹扫制程程序，从而能够除去旋转轴265附近的颗粒。例如，能够用大流量的非活性气体吹走滞留在密封罩的死区中的颗粒。
根据本实施方式，达到以下(1)至(6)所示的一个以上效果。
(1)当前的工艺作业执行后，即使执行保养制程程序，到执行下一工艺作业为止的期间的时间(以下，称为待机时间)变长时，以往，第一批次的衬底处理结果变差(第二批次以后，衬底处理结果较稳定)，但根据本实施方式，通过在工艺作业的前处理的开头步骤中执行保养制程程序，从而能够使衬底处理结果从第一批次起稳定化。
(2)在本实施方式中，由于通过在工艺作业的前处理的开头步骤中执行保养制程程序，从而不会给在正式处理中执行的工艺制程程序带来影响，所以能够使对衬底处理结果的影响变得极小。由于特别是在连续进行分批处理的情况下，始终在保养制程程序执行时，到执行工艺制程程序为止的时间也成为一定，所以能够使衬底处理结果稳定。另一方面，在结束维护制程程序后执行下一工艺作业的现有技术中，在维护制程程序结束后，在不清楚是否有工艺作业的执行指示的阶段中执行维护制程程序，根据工艺作业执行指示的定时，到工艺制程程序的执行为止的时间变得混乱，有可能对衬底处理结果产生不良影响。
(3)在本实施方式中，由于能够在生产处理的工艺作业的前处理的开头步骤中加入维护处理，所以能够进行前处理中的事前警报恢复处理。由此，由于能够在对于维护项目的当前值确认执行维护处理的阈值后执行工艺制程程序，例如，构成为即使维护项目的当前值超过执行维护处理的阈值，也执行维护处理并将当前值设为零后执行工艺制程程序，所以能够使衬底处理结果稳定。
(4)在本实施方式中，由于在连续执行两次以上工艺制程程序时，即使装置识别(控制部121判定)出在第一次工艺制程程序执行期间到达安排的维护阈值并需要维护，也能够在第二次工艺制程程序的前处理的开头步骤中执行保养制程程序，所以能够在执行第二次工艺制程程序前，将监视对象的维护项目的当前值设为零。
(5)在本实施方式中，由于在连续执行两次以上工艺制程程序时，即使装置识别(控制部121判定)出在第一次工艺制程程序执行期间到达安排的维护阈值并需要维护，也能够在第二次工艺制程程序的前处理的开头步骤中执行保养制程程序，并在将监视对象的维护项目的当前值设为零的状态下执行第二次工艺制程程序，所以能够使衬底处理结果的可靠性提高。
(6)在本实施方式中，通过在副制程程序的开头步骤中执行N2吹扫制程程序，从而能够在晶片的移载前用大流量的非活性气体吹走滞留在密封罩的死区中的颗粒源。
根据本实施方式，为了不给正式处理(晶舟装载工序、处理工序以及晶舟卸载工序)中的衬底处理结果带来影响，构成为在前处理的开头步骤中加入保养制程程序使得正式处理开始(工艺制程程序开始)时的炉内环境成为一定。由于前处理的开头步骤是最远离正式处理的第一步骤的步骤，所以当然这样影响最小。然而，例如，如果知晓，若将从保养制程程序结束后到开始正式处理的第一步骤的时间设为规定时间以上，则不会给正式处理(晶舟装载工序、处理工序以及晶舟卸载工序)的衬底处理结果带来影响，总而言之只要能够保持规定时间以上，并不必须在前处理的开头步骤中加入保养制程程序。
本公开的实施方式中的控制部121不限于构成为专用的计算机的情况，也可以构成为通用的计算机。例如，通过准备存储有上述程序的外部存储装置(例如USB存储器等半导体存储器等)，使用该外部存储装置将程序安装于通用的计算机等操作，从而能够构成本实施方式的控制器121。但是，用于向计算机供给程序的装置不限于经由外部存储装置供给的情况。例如，也可以使用互联网、专用线路等通信手段而不通过外部存储装置供给程序。存储装置128、外部存储装置构成为计算机可读取记录介质。以下，也将它们统称而仅称为记录介质。在本说明书中使用了记录介质这样的措辞的情况下，有时仅包含存储装置128单体，有时仅包含外部存储装置单体，或者有时包含它们双方。
需要说明的是，本公开的实施方式中的衬底处理装置10不仅能够应用于制造半导体的半导体制造装置，也能够应用于LCD(Liquid Crystal Display)装置这样的处理玻璃衬底的装置。另外，当然也能够应用于曝光装置、光刻装置、涂布装置、利用等离子体的处理装置等各种衬底处理装置。

Claims (20)

1.半导体器件的制造方法，具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序，其中，
在不会给所述成膜工序的所述衬底的处理结果带来影响的、所述前处理工序的第一步骤中，根据错误的内容适当选择对构成装置的部件进行维护的保养制程程序，并判定是否执行所述保养制程程序。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述前处理工序的第一步骤包含执行副制程程序的工序，
在所述副制程程序的第一步骤中判定是否执行所述保养制程程序。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述副制程程序的第一步骤中，具有对执行所述保养制程程序的设定进行确认的工序和对预先设定的维护项目的当前值与阈值进行比较的工序。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在所述维护项目的当前值到达所述阈值的情况下，执行所述保养制程程序，并执行所述副制程程序的第一步骤之后的下一步骤。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述副制程程序还具有搬送衬底的移载步骤，
构成为在执行所述副制程程序的第一步骤后执行所述移载步骤。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在执行所述移载步骤后，使所述副制程程序结束并向所述前处理工序的第一步骤之后的下一步骤转移。
7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在所述保养制程程序没有正常结束的情况下，强制性地使所述副制程程序结束，并执行所述后处理工序。
8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在所述保养制程程序结束后将所述维护项目的当前值设为零。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述前处理工序的第一步骤中，
如果设定有规定的维护处理，则执行副制程程序，
如果没有设定所述规定的维护处理，则不执行副制程程序，执行所述前处理工序。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述前处理工序至少包含将衬底装填于衬底保持件的工序、以及调整供处理炉的下侧的衬底保持件和衬底待机的移载环境的工序。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述保养制程程序包含从由吹扫制程程序、预热制程程序以及清洁制程程序构成的组选择的至少一个制程程序。
12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述吹扫制程程序构成为在处理炉内的温度和/或压力维持在规定值的状态下执行供给吹扫气体的工序。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述吹扫制程程序包含将衬底保持件插入处理炉内的工序和从处理炉取出衬底保持件的工序。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述吹扫制程程序还包含用于冷却所述衬底保持件的冷却工序。
15.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，
从由“使用次数”、“使用时间”、“装置内滞留时间”、“累积膜厚”、“可使用剩余片数”、“待机时间”、“维护处理执行次数”、“虚设晶片的使用次数”、“虚设晶片累积膜厚”构成的组选择至少一个以上作为所述维护项目。
16.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，
从由“无指定”、“警报报告”、“禁止执行作业”、“手动启动维护作业”、“自动启动维护作业”、“警报制程程序调用”构成的组选择一个作为所述维护处理。
17.根据权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中，
在选择所述“警报制程程序调用”作为所述维护处理的情况下，执行副制程程序。
18.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
作为构成所述装置的部件，从由设为“FOUP”的晶片盒、设为“WAFER”的晶片、设为“BOAT”的晶舟、设为“TUBE”的反应管、设为“EQUIPMENT”的处理装置构成的组选择至少一个作为部件。
19.计算机可读取记录介质，存储有在衬底处理装置中执行的程序，所述衬底处理装置具备存储至少包含主制程程序和保养制程程序的文件的存储部、以及使制程程序执行部根据错误的内容适当选择并执行所述主制程程序和所述保养制程程序的控制部，所述主制程程序包含调整处理炉内的处理环境的前处理步骤、处理衬底的成膜步骤以及后处理步骤，所述保养制程程序对构成装置的部件进行维护，其中，
在不会给所述成膜步骤的所述衬底的处理带来影响的、所述前处理步骤的第一步骤中使所述制程程序执行部执行所述保养制程程序。
20.衬底处理装置，具备使制程程序执行部根据错误的内容适当选择并执行主制程程序和保养制程程序的控制部，所述主制程程序包含调整处理炉内的处理环境的前处理步骤、处理衬底的成膜步骤以及后处理步骤，所述保养制程程序对构成装置的部件进行维护，其中，
所述制程程序执行部构成为能够在不会给所述成膜步骤的所述衬底的处理带来影响的、所述前处理步骤的第一步骤中执行所述保养制程程序。
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