JP2000195805A - 電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 予め設定された複数種類のメンテナンス処理
のうち、次の製造プロセスに必要なメンテナンス処理を
処理室毎に選択して自動的に行うことができ、電子デバ
イスの製造効率の低下を防止できること。 【解決手段】 制御部が、複数の処理室毎に、その稼働
状況に基づいて、メンテナンス処理を行う必要があるか
どうかについて判断し、さらに記憶部からメンテナンス
処理の処理条件、処理順、及び判定条件を読み出してメ
ンテナンス処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置や
液晶製造装置を含む電子デバイス製造装置、及びその保
守点検処理の制御を行うメンテナンス制御方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体や液晶などの電子デバイスの製造
工程においては、真空状態や加熱状態とした処理室（以
下、”プロセスチャンバ”ともいう）内でエッチング処
理やスパッタリング処理を含んだ各種製造プロセスを行
うことが一般的である。従来の電子デバイス製造装置と
して、複数種類の製造プロセスにそれぞれ対応した複数
のプロセスチャンバを備えたものが広く利用されてい
る。このような従来の電子デバイス製造装置では、各プ
ロセスチャンバの製造性能を維持するために、大気開放
メンテナンスと呼ばれる、各プロセスチャンバ内を真空
状態から大気圧の状態として、その内部に付着した反応
生成物を拭き取り除去する保守点検処理を行っていた。
さらに、従来の電子デバイス製造装置では、上述の大気
開放メンテナンスを終了した後、電子デバイスの製造プ
ロセスを行うために、製造プロセスに必要な複数種類の
メンテナンス処理を実施していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の電
子デバイス製造装置では、各処理室での製造プロセスが
異なるため、上述の大気開放メンテナンスを終了した後
での複数のメンテナンス処理を実施するタイミング、及
び複数のメンテナンス処理の内容もまた処理室毎に異な
っていた。それゆえ、従来の電子デバイス製造装置で
は、手動操作によって全てのメンテナンス処理を行う
か、または作業者を処理室毎に一人ずつ配置して自動的
に行えるメンテナンス処理を自動的に行わずに、各作業
者の指示によりメンテナンス処理を実施していた。その
結果、従来の電子デバイス製造装置では、複数の処理室
での各メンテナンス処理に作業者が必要となり、メンテ
ナンス処理に時間を要して、電子デバイスの生産性（製
造効率）が低下するという問題点があった。

【０００４】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、予め設定された複数種類
のメンテナンス処理のうち、次の製造プロセスに必要な
メンテナンス処理を処理室毎に選択して自動的に行うこ
とができ、電子デバイスの製造効率の低下を防止できる
電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制御方法
を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の電子デバイス製
造装置は、電子デバイスの製造プロセスを行うための複
数の処理室、前記複数の各処理室の稼働状況を管理し
て、各処理室を個別に制御するための制御部、及び前記
制御部に接続され、前記複数の各処理室で行われる複数
種類のメンテナンス処理の処理条件、処理順、及び判定
条件を予め記憶した記憶部を備え、前記制御部が、前記
処理室毎に、その稼働状況に基づいて、メンテナンス処
理を行う必要があるかどうかについて判断し、さらに前
記記憶部からメンテナンス処理の処理条件、処理順、及
び判定条件を読み出してメンテナンス処理を行うよう構
成している。このように構成することにより、各処理室
での必要なメンテナンス処理を自動的に行うことがで
き、電子デバイスの製造効率の低下を防止できる。

【０００６】本発明の電子デバイス製造装置のメンテナ
ンス制御方法は、複数の処理室と、前記処理室の制御を
行うための制御部と、複数種類のメンテナンス処理の処
理条件、処理順、及び判定条件を予め記憶した記憶部と
を備えた電子デバイス製造装置のメンテナンス制御方法
であって、前記制御部が、前記処理室毎に、その稼働状
況に基づいて、メンテナンス処理を行う必要があるかど
うかについて判断する判断ステップ、メンテナンス処理
を行う必要があると判断した場合、前記制御部が前記記
憶部から少なくともメンテナンス処理の処理条件と判定
条件を読み出す読み出しステップ、前記制御部が、前記
読み出しステップで読み出した処理条件に基づいて、メ
ンテナンス処理を行うステップ、及び前記制御部が、前
記読み出しステップで読み出した判定条件に基づいて、
そのメンテナンス処理が正常に行われたかどうかについ
て判断するステップを備えている。このように構成する
ことにより、各処理室での必要なメンテナンス処理を自
動的に行うことができ、電子デバイスの製造効率の低下
を防止できる。

【０００７】

【発明の実施の形態】

【０００８】以下、本発明の電子デバイス製造装置、及
びそのメンテナンス制御方法を示す好ましい実施例につ
いて、図面を参照しながら具体的に説明する。

【０００９】《実施例》 ［電子デバイス製造装置の構成］図１は、本発明の実施
例である電子デバイス製造装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。図１に示すように、本実施例の電子デバイ
ス製造装置は、複数、例えば４つの処理室１Ａ〜１Ｄ、
製造プロセスに必要な加工材料を供給するためのロード
ロック室２、及び処理室１Ａ〜１Ｄとロードロック室２
との間で加工材料の搬送を行うための移載室３を具備し
ている。さらに、本実施例の電子デバイス製造装置は、
処理室１Ａ〜１Ｄをそれぞれ制御するための処理室制御
部４Ａ〜４Ｄ、ロードロック室２及び移載室３を制御す
るための移載室・ロードロック室制御部５、当該装置全
体の制御を行うための装置制御部６、及び前記装置制御
部６に接続された記憶部７を備えている。本実施例の電
子デバイス製造装置では、装置制御部６は各処理室１Ａ
〜１Ｄ内での製造プロセスの指示を処理室制御部に行う
だけでなく、必要な保守点検処理（以下、”メンテナン
ス処理”ともいう）を自動的に選択して指示するよう構
成されている（詳細は後述）。

【００１０】各処理室１Ａ〜１Ｄは、半導体や液晶を含
む電子デバイスの好ましくはドライエッチング処理を製
造プロセスとして行うためのプロセスチャンバであり、
その製造プロセスに必要な設備、及び保守点検処理を行
うための設備が設けられている。尚、製造プロセスの他
の具体例には、スパッタリング処理、真空蒸着処理、及
び熱化学蒸着処理がある。また、処理室１Ａ〜１Ｄに設
けられる設備として、原料ガスを供給するための供給装
置、内部を真空状態とするための真空ポンプ、内部の不
要なガスを排出、除去するためのクライオポンプ、加熱
状態とするためのヒータ部材、及びグロー放電を発生す
るための電極部材とその電源等の装置が、製造する電子
デバイスに応じて適宜配設されている。さらに、各処理
室１Ａ〜１Ｄには、その内部の温度及び真空度をそれぞ
れ検出、表示するための温度計及び気圧計、及び内部に
供給される原料ガスの流量を表示する流量計を含む検出
機器もまた設けられている。また、各処理室１Ａ〜１Ｄ
でのメンテナンス処理には、後で詳述するように、真空
排気処理、クライオポンプ再生処理、リークチェック処
理、及びヒータ昇温処理が含まれている。

【００１１】ロードロック室２には、半導体ウェアまた
はガラス基板に例示される加工材料を収容したカセット
が配置されている（図示せず）。尚、加工材料は、移載
室３に設けられた搬送手段、好ましくは搬送用ロボット
により、カセットに収容された状態でロードロック室２
から処理室１Ａ〜１Ｄへ搬送され、処理室１Ａ〜１Ｄ内
でカセットから取り出される。加工材料は、処理室１Ａ
〜１Ｄ内で上述の製造プロセスが施され、電子デバイス
として製造される。処理室制御部４Ａ〜４Ｄ、移載室・
ロードロック室制御部５、及び装置制御部６は、ＣＰＵ
やＭＰＵにより構成されている。処理室制御部４Ａ〜４
Ｄ、及び移載室・ロードロック室制御部５は、装置制御
部６からの指示信号に基づいて、処理室１Ａ〜１Ｄ、及
び移載室３とロードロック室２をそれぞれ制御するため
の指示信号を生成し出力する。具体的には、処理室制御
部４Ａ〜４Ｄは上述の設備、及び検出機器を作動するた
めの指示信号を出力し、移載室・ロードロック室制御部
５は上述の搬送手段を作動するための指示信号を出力す
る。

【００１２】装置制御部６は、処理室１Ａ〜１Ｄ毎に稼
働状況を管理して、稼働状況に基づき各処理室１Ａ〜１
Ｄでのメンテナンス処理を指示する。詳細には、装置制
御部６は、処理室制御部４Ａ〜４Ｄ、及び移載室・ロー
ドロック室制御部５から稼働状況を示す情報を入力し
て、入力した情報に基づき処理室１Ａ〜１Ｄ毎にメンテ
ナンス処理を行う必要があるかどうかについて判断す
る。上述の稼働状況を示す情報の具体例には、各処理室
１Ａ〜１Ｄ内で行われたグロー放電の合計の放電時間や
各処理室１Ａ〜１Ｄで処理された加工材料の処理数があ
る。上述の放電時間が例えば５００時間を超えたとき、
または処理数が例えば１００００枚を超えたとき、装置
制御部６はメンテナンス処理を行う必要があると判断す
る。さらに、装置制御部６は、上述の検出機器の検出デ
ータ（処理室内の温度、及び気圧）を処理室制御部４Ａ
〜４Ｄから入力している。装置制御部６は、入力した検
出データが所定値を超えたとき、その処理室での異常発
生を図示しない表示装置やブザーによって通知する。さ
らに、装置制御部６は、電子デバイスの製造を中断する
よう対応する処理室制御部に指示する。

【００１３】装置制御部６がメンテナンス処理を行う必
要があると判断した場合、装置制御部６はその処理室に
必要なメンテナンス処理を選択して、そのメンテナンス
処理の処理条件、処理順、及び判定条件を記憶部７から
読み出し、対応する処理室制御部４Ａ〜４Ｄに転送、指
示する。これにより、処理室制御部４Ａ〜４Ｄは対応す
る処理室１Ａ〜１Ｄに設けられた設備及び検出機器を作
動して、メンテナンス処理を行う。尚、必要なメンテナ
ンス処理を選択するとき、装置制御部６は、好ましくは
各処理室１Ａ〜１Ｄ用に設定された電子デバイスの製造
予定に基づいて、その選択を行う。また、処理室１Ａ〜
１Ｄ毎に必要なメンテナンス処理を記憶部７に予め記憶
して、装置制御部が必要なメンテナンス処理を選択する
ことなく、メンテナンス処理を実施するよう構成しても
よい。さらに、製造プロセスが真空状態で行われていた
とき、装置制御部６は選択したメンテナンス処理を行う
前に大気開放メンテナンスを行うよう対応する処理室制
御部に指示するとともに、作業者や操作者に通知するよ
う構成してもよい。これにより、指示された処理室の内
部が真空状態から大気圧の状態に戻され、その内部に付
着した反応生成物が作業者によって拭き取り除去され
る。

【００１４】装置制御部６は、処理室制御部４Ａ〜４Ｄ
からメンテナンス処理の判定結果を受け取り、その判定
結果に基づいて製造プロセスの開始、または停止を判断
する。装置制御部６は、図示しない表示装置やブザーを
作動して、判断した製造プロセスの開始、または停止を
作業者や操作者に通知する。記憶部７は、ＲＡＭあるい
は類似のデータ記録装置により構成され、処理室１Ａ〜
１Ｄ内で行われる複数種類のメンテナンス処理の処理条
件、処理順、及び判定条件を記憶している。尚、上記の
説明以外に、処理室制御部４Ａ〜４Ｄ、移載室・ロード
ロック室５、装置制御部６、及び記憶部７をパーソナル
コンピュータを用いて構成してもよい。

【００１５】ここで、記憶部７に予め記憶されているメ
ンテナンス処理について、具体的に説明する。本実施例
の電子デバイス製造装置で行われるメンテナンス処理に
は、上述したように、真空排気処理、クライオポンプ再
生処理、リークチェック処理、及びヒータ昇温処理があ
る。真空排気処理は真空ポンプを用いて処理室の内部を
真空状態とする処理であり、その処理条件は到達真空度
及び真空引き完了までのタイムアウト時間を指定する所
定の処理条件が設定されている。この真空排気処理での
判定条件は、そのタイムアウト時間内に到達真空度に達
したかどうかであり、具体的な真空到達度、及びタイム
アウト時間は、それぞれ１.０×１０^ー6Toor程度、及び
１０時間程度である。

【００１６】クライオポンプ再生処理はクライオポンプ
内にため込んだ不要なガスを外部に放出する処理であ
り、その処理条件は再生方法の指定（低温状態で再生、
または常温状態で再生）及び再生終了までのタイムアウ
ト時間を指定する所定の処理条件が設定されている。こ
のクライオポンプ再生処理での判定条件は、そのタイム
アウト時間内にクライオポンプの温度が所定温度に達し
たかどうかであり、具体的な温度、及びタイムアウト時
間は、それぞれ２０Ｋ程度、及び３時間程度である。リ
ークチェック処理は処理室の内部を真空状態としたあ
と、その処理室の内部の真空度の変化を検出してリーク
（漏れ）が生じていないかどうかを気圧計を用いて調べ
る処理であり、その処理条件は監視真空度や監視時間を
指定する所定の処理条件が設定されている。このリーク
チェック処理の判定条件は、監視時間内での真空度の低
下が監視真空度以内かどうかであり、具体的な監視時
間、及び監視真空度は、それぞれ３０分程度、及び５.
０×１０^ー5Toor程度である。ヒータ昇温処理はヒータ部
材を作動して処理室の内部がタイムアウト時間内で所定
温度に達するかどうかについて調べる処理であり、その
処理条件は到達温度及び昇温完了までのタイムアウト時
間を指定する所定の処理条件が設定されている。このヒ
ータ昇温処理での判定条件は、そのタイムアウト時間内
に到達温度に達したかどうかであり、具体的な到達温
度、及びタイムアウト時間は、それぞれ２４０℃程度、
及び１０時間程度である。

【００１７】［電子デバイス製造装置の動作］以下、本
実施例の電子デバイス製造装置の動作について、図１と
図２を用いて説明する。尚、以下の説明では、説明の簡
略化のために、２つの処理室１Ａ，１Ｂにおいて、それ
ぞれ３種類のメンテナンス処理を並行して行う場合を例
示して説明する。図２は、電子デバイス製造装置のメン
テナンス制御方法の動作例を示すフローチャートであ
る。図２に示すように、本実施例の電子デバイス製造装
置では、装置制御部６が各処理室１Ａ〜１Ｄの稼働状況
に基づいて、その処理室１Ａ〜１Ｄでのメンテナンス処
理の要否を判断する（ステップＳ１）。処理室１Ａ，１
Ｂについてメンテナンス処理を行う必要があると判断し
た場合、装置制御部６はそれらの処理室１Ａ，１Ｂ内で
次に行われる製造プロセスに基づいて、必要なメンテナ
ンス処理を選択する。そして、装置制御部６は、選択し
たメンテナンス処理の処理条件、処理順、及び判定条件
を記憶部７から読み出す（ステップＳ２）。続いて、装
置制御部６は、処理室１Ａ，１Ｂ毎に、読み出した処理
順に基づいて、メンテナンス処理の処理条件と判定条件
を対応する処理室制御部４Ａ，４Ｂに順次転送、指示す
る。これにより、処理室１Ａ，１Ｂでのメンテナンス処
理が、並行、かつ独立して自動的に行われる。尚、以下
の説明では、例えば処理室１Ａではクライオポンプ再生
処理、真空排気処理、及びリークチェック処理の順にメ
ンテナンス処理を行うよう記憶部７に設定され、処理室
１Ｂでは真空排気処理、ヒータ昇温処理、及びリークチ
ェック処理の順にメンテナンス処理を行うよう記憶部７
に設定されていたとする。

【００１８】まず、処理室１Ａにおけるメンテナンス処
理について説明する。装置制御部６は、クライオポンプ
再生処理の開始を指示する指示信号を処理室制御部４Ａ
に出力するとともに、その処理条件と判定条件を処理室
制御部４Ａに転送する（ステップＳ３Ａ）。続いて、処
理室制御部４Ａが装置制御部６からクライオポンプ再生
処理の開始の指示信号、及びその処理条件と判定条件を
入力すると、処理室制御部４Ａは入力した処理条件に基
づいて、その処理に必要な設備や検出機器を作動しクラ
イオポンプ再生処理を行う（ステップＳ４Ａ）。その
後、処理室制御部４Ａは、入力した判定条件に基づい
て、クライオポンプ再生処理の処理結果を判定する（ス
テップＳ５Ａ）。すなわち、処理室制御部４Ａは、処理
室１Ａでクライオポンプ再生処理が正常に終了したかど
うかについて判定して、その判定結果を装置制御部６に
伝達する。判定結果が良である場合、装置制御部６は次
の真空排気処理の開始を指示する指示信号を処理室制御
部４Ａに出力するとともに、その処理条件と判定条件を
処理室制御部４Ａに転送する（ステップＳ６Ａ）。判定
結果が不可である場合、装置制御部６はクライオポンプ
再生処理に異常が生じたと判断して、その異常の発生を
通知し処理室１Ａでのメンテナンス処理を中断する。

【００１９】次に、処理室制御部４Ａが装置制御部６か
ら真空排気処理の開始の指示信号、及びその処理条件と
判定条件を入力すると、処理室制御部４Ａは入力した処
理条件に基づいて、その処理に必要な設備や検出機器を
作動し真空排気処理を行う（ステップＳ７Ａ）。その
後、処理室制御部４Ａは、入力した判定条件に基づい
て、真空排気処理の処理結果を判定する（ステップＳ８
Ａ）。すなわち、処理室制御部４Ａは、処理室１Ａで真
空排気処理が正常に終了したかどうかについて判定し
て、その判定結果を装置制御部６に伝達する。判定結果
が良である場合、装置制御部６は次のリークチェック処
理の開始を指示する指示信号を処理室制御部４Ａに出力
するとともに、その処理条件と判定条件を処理室制御部
４Ａに転送する（ステップＳ９Ａ）。判定結果が不可で
ある場合、装置制御部６は真空排気処理に異常が生じた
と判断して、その異常の発生を通知し処理室１Ａでのメ
ンテナンス処理を中断する。

【００２０】次に、処理室制御部４Ａが装置制御部６か
らリークチェック処理の開始の指示信号、及びその処理
条件と判定条件を入力すると、処理室制御部４Ａは入力
した処理条件に基づいて、その処理に必要な設備や検出
機器を作動しリークチェック処理を行う（ステップＳ１
０Ａ）。その後、処理室制御部４Ａは、入力した判定条
件に基づいて、リークチェック処理の処理結果を判定す
る（ステップＳ１１Ａ）。すなわち、処理室制御部４Ａ
は、処理室１Ａでリークチェック処理が正常に終了した
かどうかについて判定して、その判定結果を装置制御部
６に伝達する。判定結果が良である場合、装置制御部６
は全てのメンテナンス処理が正常に終了した判断して、
処理室１Ａでのメンテナンス処理を終了する。判定結果
が不可である場合、装置制御部６はリークチェック処理
が正常に行われなかったと判断して、その異常の発生を
通知し処理室１Ａでのメンテナンス処理を終了する。

【００２１】次に、処理室１Ｂにおけるメンテナンス処
理について説明する。装置制御部６は、真空排気処理の
開始を指示する指示信号を処理室制御部４Ｂに出力する
とともに、その処理条件と判定条件を処理室制御部４Ｂ
に転送する（ステップＳ３Ｂ）。続いて、処理室制御部
４Ｂが装置制御部６から真空排気処理の開始の指示信
号、及びその処理条件と判定条件を入力すると、処理室
制御部４Ｂは入力した処理条件に基づいて、その処理に
必要な設備や検出機器を作動し真空排気処理を行う（ス
テップＳ４Ｂ）。その後、処理室制御部４Ｂは、入力し
た判定条件に基づいて、真空排気処理の処理結果を判定
する（ステップＳ５Ｂ）。すなわち、処理室制御部４Ｂ
は、処理室１Ｂで真空排気処理が正常に終了したかどう
かについて判定して、その判定結果を装置制御部６に伝
達する。判定結果が良である場合、装置制御部６は次の
ヒータ昇温処理の開始を指示する指示信号を処理室制御
部４Ｂに出力するとともに、その処理条件と判定条件を
処理室制御部４Ｂに転送する（ステップＳ６Ｂ）。判定
結果が不可である場合、装置制御部６は真空排気処理に
異常が生じたと判断して、その異常の発生を通知し処理
室１Ｂでのメンテナンス処理を中断する。

【００２２】次に、処理室制御部４Ｂが装置制御部６か
らヒータ昇温処理の開始の指示信号、及びその処理条件
と判定条件を入力すると、処理室制御部４Ｂは入力した
処理条件に基づいて、その処理に必要な設備や検出機器
を作動しヒータ昇温処理を行う（ステップＳ７Ｂ）。そ
の後、処理室制御部４Ｂは、入力した判定条件に基づい
て、ヒータ昇温処理の処理結果を判定する（ステップＳ
８Ｂ）。すなわち、処理室制御部４Ｂは、処理室１Ｂで
ヒータ昇温処理が正常に終了したかどうかについて判定
して、その判定結果を装置制御部６に伝達する。判定結
果が良である場合、装置制御部６は次のリークチェック
処理の開始を指示する指示信号を処理室制御部４Ｂに出
力するとともに、その処理条件と判定条件を処理室制御
部４Ｂに転送する（ステップＳ９Ｂ）。判定結果が不可
である場合、装置制御部６はヒータ昇温処理に異常が生
じたと判断して、その異常の発生を通知し処理室１Ｂで
のメンテナンス処理を中断する。

【００２３】次に、処理室制御部４Ｂが装置制御部６か
らリークチェック処理の開始の指示信号、及びその処理
条件と判定条件を入力すると、処理室制御部４Ｂは入力
した処理条件に基づいて、その処理に必要な設備や検出
機器を作動しリークチェック処理を行う（ステップＳ１
０Ｂ）。その後、処理室制御部４Ｂは、入力した判定条
件に基づいて、リークチェック処理の処理結果を判定す
る（ステップＳ１１Ｂ）。すなわち、処理室制御部４Ｂ
は、処理室１Ｂでリークチェック処理が正常に終了した
かどうかについて判定して、その判定結果を装置制御部
６に伝達する。判定結果が良である場合、装置制御部６
は全てのメンテナンス処理が正常に終了した判断して、
処理室１Ｂでのメンテナンス処理を終了する。判定結果
が不可である場合、装置制御部６はリークチェック処理
が正常に行われなかったと判断して、その異常の発生を
通知し処理室１Ｂでのメンテナンス処理を終了する。

【００２４】以上のように、本実施例の電子デバイス製
造装置、及びそのメンテナンス制御方法では、装置制御
部６が各処理室１Ａ〜１Ｄの稼働状況に基づいて、処理
室１Ａ〜１Ｄ毎にメンテナンス処理を行う必要があるか
どうかについて判断している。さらに、メンテナンス処
理を行う必要があると判断した場合、装置制御部６は記
憶部７に予め記憶、設定された複数種類のメンテナンス
処理のうち、その処理室に必要なメンテナンス処理を選
択している。これにより、本実施例の電子デバイス製造
装置、及びそのメンテナンス制御方法では、各処理室１
Ａ〜１Ｄでの必要なメンテナンス処理を自動的に行うこ
とができ、電子デバイスの製造効率の低下を防止でき
る。さらに、図２に示したように、処理室１Ａ，１Ｂに
おいてそれぞれ３種類のメンテナンス処理を順次行う場
合、各処理室制御部４Ａ，４Ｂは１つのメンテナンス処
理が終了する毎に、そのメンテナンス処理が正常に行わ
れたかどうかについて判断している。これにより、本実
施例の電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制
御方法では、異常を生じた処理室を容易に特定し、さら
にその異常の原因や内容を推定することが可能となる。

【００２５】尚、上述の説明では、装置制御部と処理室
とを処理室制御部を介して接続する構成について説明し
たが、実施例はこれに限定されるものではなく、装置制
御部と処理室とを直接的に接続して、装置制御部が各処
理室を個別に制御し、かつメンテナンス処理が正常に行
われたかどうかについて処理室毎に判定するよう構成し
てもよい。これにより、処理室制御部を省略することが
可能となる。さらに、装置制御部に移載室・ロードロッ
ク室制御部を含めて装置制御部を構成してもよい。ま
た、記憶部に記憶されるメンテナンス処理として、上述
のもの以外に、例えば原料ガスを供給する供給装置に設
けられたガスの流量をコントロールするマスフローコン
トロ−ラが正常に流量制御できているかどうかをチェッ
クするマスフローチェック処理、ガスの配管でのリーク
の有無を調べるメンテナンス処理、及び処理室からガス
を排気するためのガス抜き部材のメンテナンス処理があ
る。さらに、テンキーなどの入力機器を用いて、メンテ
ナンス処理の処理条件、処理順、及び判定条件を適宜変
更する構成でもよい。

【００２６】

【発明の効果】以上のように、本発明の電子デバイス製
造装置、及びそのメンテナンス制御方法では、制御部が
複数の各処理室の稼働状況に基づいて、処理室毎にメン
テナンス処理を行う必要があるかどうかについて判断し
ている。さらに、メンテナンス処理を行う必要があると
判断した場合、装置制御部は記憶部に予め記憶、設定さ
れた複数種類のメンテナンス処理のうち、必要なメンテ
ナンス処理を選択して読み出している。これにより、本
発明の電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制
御方法では、各処理室での必要なメンテナンス処理を自
動的に行うことができ、電子デバイスの製造効率の低下
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例である電子デバイス製造装置の
概略構成を示すブロック図

【図２】図１に示した電子デバイス製造装置でのメンテ
ナンス制御方法の動作例を示すフローチャート

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 処理室 ２ ロードロック室 ３ 移載室 ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ 処理室制御部 ５ 移載室・ロードロック室
制御部 ６ 装置制御部 ７ 記憶部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子デバイスの製造プロセスを行うため
   の複数の処理室、 前記複数の各処理室の稼働状況を管理して、各処理室を
   個別に制御するための制御部、及び前記制御部に接続さ
   れ、前記複数の各処理室で行われる複数種類のメンテナ
   ンス処理の処理条件、処理順、及び判定条件を予め記憶
   した記憶部を備え、 前記制御部が、前記処理室毎に、その稼働状況に基づい
   て、メンテナンス処理を行う必要があるかどうかについ
   て判断し、さらに前記記憶部からメンテナンス処理の処
   理条件、処理順、及び判定条件を読み出してメンテナン
   ス処理を行うよう構成した、 ことを特徴とする電子デバイス製造装置。
2. 【請求項２】 前記稼働状況を示す情報が、前記処理室
   で行われたグロー放電の合計の放電時間、または前記処
   理室で処理された加工材料の処理数を示す情報であり、
   それらの情報を前記複数の各処理室から前記制御部に伝
   達するよう構成したことを特徴とする請求項１に記載の
   電子デバイス製造装置。
3. 【請求項３】 複数の処理室と、前記処理室の制御を行
   うための制御部と、複数種類のメンテナンス処理の処理
   条件、処理順、及び判定条件を予め記憶した記憶部とを
   備えた電子デバイス製造装置のメンテナンス制御方法で
   あって、 前記制御部が、前記処理室毎に、その稼働状況に基づい
   て、メンテナンス処理を行う必要があるかどうかについ
   て判断する判断ステップ、 メンテナンス処理を行う必要があると判断した場合、前
   記制御部が前記記憶部から少なくともメンテナンス処理
   の処理条件と判定条件を読み出す読み出しステップ、 前記制御部が、前記読み出しステップで読み出した処理
   条件に基づいて、メンテナンス処理を行うステップ、及
   び前記制御部が、前記読み出しステップで読み出した判
   定条件に基づいて、そのメンテナンス処理が正常に行わ
   れたかどうかについて判断するステップを備えたことを
   特徴とする電子デバイス製造装置のメンテナンス制御方
   法。
4. 【請求項４】 前記読み出しステップにおいて、前記制
   御部が前記記憶部から複数種類のメンテナンス処理の処
   理条件、処理順、及び判定条件を読み出し、その読み出
   した処理順に基づいて、メンテナンス処理を順次行い、
   かつそのメンテナンス処理が終了する毎に正常に行われ
   たかどうかについて判断することを特徴とする請求項３
   に記載の電子デバイス製造装置のメンテナンス制御方
   法。