WO2017175408A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDF

Info

Publication number
WO2017175408A1
WO2017175408A1 PCT/JP2016/078436 JP2016078436W WO2017175408A1 WO 2017175408 A1 WO2017175408 A1 WO 2017175408A1 JP 2016078436 W JP2016078436 W JP 2016078436W WO 2017175408 A1 WO2017175408 A1 WO 2017175408A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
recipe
maintenance
chamber
production
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/078436
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
一人 斉藤
司 八島
Original Assignee
株式会社日立国際電気
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立国際電気 filed Critical 株式会社日立国際電気
Priority to CN201680082674.8A priority Critical patent/CN108885968B/zh
Priority to JP2018510223A priority patent/JP6600081B2/ja
Publication of WO2017175408A1 publication Critical patent/WO2017175408A1/ja
Priority to US16/131,973 priority patent/US10998210B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, a method for manufacturing a semiconductor device, and a program.
  • a predetermined maintenance timing set by maintenance information for example, when a predetermined substrate processing time, a predetermined number of processing times, a predetermined cumulative film thickness value, or the like is reached, maintenance is performed.
  • a maintenance recipe was automatically executed.
  • the maintenance recipe is automatically executed at the timing when the process recipe execution is completed (Patent Document 1).
  • an object of the present invention is to provide a configuration capable of maintaining the productivity in a semiconductor manufacturing apparatus and automatically controlling the execution of a recipe.
  • a processing chamber for processing a substrate a first transfer chamber in which a substrate is transferred in a vacuum state, a second transfer chamber in which a substrate is transferred in an atmospheric pressure state
  • the control unit includes: When an instruction to execute the production recipe is received while the maintenance recipe is being executed, the maintenance recipe is temporarily stopped and the production recipe is preferentially executed.
  • a configuration for continuously executing the maintenance recipe is provided.
  • FIG. 2 is a schematic view of a plane passing through line AA in FIG. 1. It is a functional block diagram of the controller used suitably as one Embodiment of this invention. It is the hardware constitutions of the controller used suitably as one Embodiment of this invention. It is a figure which shows an example of the processing flow in this invention.
  • a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the substrate processing apparatus 10 is a cluster type, and is divided into a vacuum side and an atmosphere side.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a plurality of modules.
  • the substrate processing apparatus 10 is a process chamber (PC) 12 as a processing chamber for processing a substrate, a vacuum transfer chamber (transfer chamber: TM) 14 as a first transfer chamber, and a load lock as a spare chamber.
  • a chamber (load lock chamber: LC) 16 an atmospheric transfer chamber (LM) 18 as a second transfer chamber, and a load port (LP) 20 are provided.
  • PCs 12 Process chamber 12a and process chamber 12b for processing the wafer 2 as a substrate
  • TM14 vacuum-tight TM14
  • LC load lock chamber 16a and a load lock chamber 16b
  • PC process chamber
  • LC load lock chamber 16
  • a TM 14 is connected to each PC 12, and each LC 16 is connected to the TM 14.
  • the wall portion 22 blocks the PC 12.
  • the PC 12 processes the wafer 2. For example, the PC 12 performs a process of forming a thin film on the wafer 2, a process of forming an oxide film or a nitride film on the surface of the wafer 2, a process of forming a metal thin film or a metal compound thin film on the wafer 2.
  • each PC 12 includes a mass flow controller (MFC) 24 that controls the flow rate of the processing gas supplied into the PC 12, an auto pressure controller (APC) 26 that controls the pressure in the PC 12, And a valve I / O 30 for controlling on / off of a process gas supply / exhaust valve.
  • MFC mass flow controller
  • API auto pressure controller
  • the PC 12a communicates with TM14 via a gate valve (GV) 32a, and the PC 12b communicates with TM14 via GV32b.
  • the PC 12 and the TM 14 communicate with each other through the GV 32a and the GV 32b as the first opening / closing section.
  • the operation is as follows. First, the atmosphere in the PC 12a is the same as that in the TM14. The GV 32a is opened and the wafer 2 is transferred into the PC 12a. The GV 32a is closed and a predetermined process is performed on the wafer 2. Next, after returning the atmosphere in the PC 12a to the same atmosphere as in the TM 14, the GV 32a is opened, and the wafer 2 is unloaded from the PC 12a. Then, the GV 32a is closed. Similarly, the opening / closing operation of the GV 32b is also performed in the PC 12b, whereby the wafer 2 is processed while appropriately maintaining the indoor atmosphere.
  • Each of the PCs 12a and 12b includes a first processing unit 42, a second processing unit 44 disposed farther from the TM 14 than the first processing unit 42, the second processing unit 44 and the TM 14 And a wafer transfer device 46 for transferring the wafer 2 between them.
  • the first processing unit 42 includes a first mounting table 48 on which the wafer 2 is mounted, and a first heater 50 that heats the wafer 2 mounted on the first mounting table 48.
  • the second processing unit 44 includes a second mounting table 52 on which the wafer 2 is mounted and a second heater 54 that heats the wafer 2 mounted on the second mounting table 52.
  • the 1st mounting base 48 and the 2nd mounting base 52 are formed, for example with aluminum.
  • the wafer transfer device 46 includes a substrate support member 56 that supports the wafer 2, and a moving shaft 58 that rotates and lifts the substrate support member 56.
  • the moving shaft 58 is provided in the vicinity of the wall portion 22.
  • the wafer transfer device 46 transfers the wafer 2 to and from the TM 14 vacuum transfer robot 62 on the first processing unit 42 side by rotating the substrate support member 56 toward the first processing unit 42.
  • the moving shaft 58 is disposed on the wall portion 22 side, space saving can be achieved as compared with the case where this configuration is not provided. Specifically, the space required on the outside of each of the PCs 12a and 12b is omitted, and a large external space (for example, a maintenance space for maintenance personnel to enter) is secured.
  • the PC 12 a and the PC 12 b are configured symmetrically with respect to the wall portion 22.
  • the wafer transfer devices 46 of the PC 12a and PC 12b are arranged so as to approach each other with the wall portion 22 interposed therebetween.
  • TM14 has a load lock chamber structure that can withstand a pressure (negative pressure) less than atmospheric pressure such as a vacuum state.
  • the housing of TM14 is formed in a box shape in which the plan view is hexagonal and the upper and lower ends are closed.
  • the case of TM14 is not limited to this form, and may take other forms.
  • a vacuum transfer robot 62 as a first transfer unit is provided in the TM 14 as the first transfer chamber.
  • the vacuum transfer robot 62 places the wafer 2 on the substrate platform 62b provided on the arm 62a, and transfers the wafer 2 between the PC 12 and the LC 16.
  • the vacuum transfer robot 62 is moved up and down by the elevator 64 while maintaining the airtightness of the TM 14.
  • the arm 62 a and the substrate platform 62 b function as a first transfer unit that transfers the wafer 2.
  • the TM 14 communicates with the LC 16a via the GV 32c, and communicates with the vacuum lock chamber 16b via the GV 32d.
  • TM14 and LC16 communicate with each other through GV32c and GV32d as the second opening / closing section.
  • the LC 16 functions as a spare chamber for transferring the wafer 2 between the TM 14 and the atmosphere side while maintaining the vacuum state of the TM 14.
  • the LC 16 has a structure that can withstand negative pressure.
  • the LC 16a and LC 16b are configured such that the inside thereof is evacuated by a vacuum pump 16c.
  • a boat 66a and a boat 66b (hereinafter may be collectively referred to as “boat 66”) as a substrate support for supporting the wafer 2 are provided.
  • the boat 66 holds, for example, 25 wafers 2 stacked at regular intervals.
  • the boat 66 is made of, for example, silicon carbide or aluminum.
  • the LC 16 is provided with a cooling mechanism (not shown) for cooling the wafer 2.
  • the cooling mechanism may be provided separately from the LC 16.
  • the LC 16a and LC 16b are provided with a vacuum pump 16c used in common.
  • the LC 16a communicates with the LM 18 on the atmosphere side via the GV 32e.
  • the LC 16b communicates with the LM 18 on the atmosphere side via the GV 32f.
  • the TM 14 in a vacuum state and the LM 18 in an atmospheric pressure state are not in direct communication.
  • at least one of GV32c and GV32e is in a closed state
  • at least one of GV32d and GV32f is in a closed state.
  • the GV 32c on the TM14 side is opened
  • the GV 32e on the LM 18 side is closed and the inside of the LC 16a is evacuated by the pump 16c.
  • “Vacuum” indicates an industrial vacuum.
  • the GV 32c on the TM 14 side is closed and the inside of the LC 16a is brought into an atmospheric pressure state.
  • the wafer 2 is transferred between the LCs 16a and 16b and the LM 18 while maintaining the inside of the TM 14 in a vacuum.
  • the GVs 32c and 32d are opened to maintain the vacuum state of the TM 14, and the wafer 2 between the LCs 16a and 16b and the TM 14 is maintained. Is transported.
  • TM14 and LC16 communicate with the PC 12 via GVs 32a to 32d as opening / closing parts.
  • TM14 and LC16 function as a passage chamber through which the wafer 2 transported between the PC 12 and the LM 18 in the atmospheric pressure state passes while maintaining the vacuum state of the PC 12.
  • the LM 18 that is a second transfer chamber connected to the LC 16, and three LP 20 a, LP 20 b and LP 20 c (“LP ( Load port) 20 ").
  • Each of the LPs 20a to 20c is mounted with a pod 4 as a substrate storage container for storing a plurality of wafers 2.
  • the pod 4 is provided with a plurality of slots as substrate storage portions for storing a plurality of wafers 2.
  • an atmospheric transfer robot 72 as a second transfer unit is provided in the LM 18.
  • the atmospheric transfer robot 72 has an arm, on which a substrate placement unit for placing a plurality of wafers 2 is formed.
  • the atmospheric transfer robot 72 transfers the wafers 2 between the pod 4 and the LC 16 placed on the LP 20.
  • an alignment device 74 is provided as a substrate position correction device that aligns the orientation flat of the wafer 2.
  • the alignment device 74 may align the position of the notch of the wafer 2 instead of the orientation flat according to the type of the wafer 2 to be processed.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a controller 80 as a control unit, and each component of the substrate processing apparatus 10 is controlled by the controller 80.
  • the controller 80 includes an overall control unit 82 that collectively controls the substrate processing apparatus 10, and process chamber controllers (PMC) 84 a and 84 b that control the PCs 12 a and 12 b (hereinafter, may be collectively referred to as “PMC 84”). And an operating device 86 that exchanges information with the operator.
  • the overall control unit 82, the PMC 84, and the operation device 86 are connected to each other via a network 88 such as a LAN line.
  • the PMC 84 controls the MFC 24, the APC 26, the temperature regulator 28, and the input / output valve I / O 30 provided in the corresponding PC 12.
  • the PMC 84 performs processing such as exhausting the corresponding PC 12, supplying processing gas into the PC 12, controlling pressure and temperature, and the like, thereby processing the wafer 2.
  • the overall control unit 82 is connected to the PMC 84, the vacuum transfer robot 62, the atmospheric transfer robot 72, the GVs 32a to GV32f, the LC 16 and the like via the network 88.
  • the overall control unit 82 controls the transfer operation of the vacuum transfer robot 62 and the atmospheric transfer robot 72, the opening / closing operation of the GVs 32a to 32f, the exhaust operation inside the LC 16, and the like.
  • the overall control unit 82 includes wafer storage information relating to which slot of which pod 4 the wafer 2 is to be arranged, wafer position information relating to the current position of the wafer 2, process processing status for the wafer 2, Each component is controlled based on a wafer ID that uniquely identifies each of the plurality of wafers 2, a recipe relating to processing conditions of the wafers 2, and the like.
  • the controller 80 includes a control device 96 including a central processing unit (CPU) 92 and a memory 94, a storage device 98 such as a hard disk drive (HDD), a display device 100 such as a liquid crystal display, and an input device such as a keyboard and a mouse. 102 and a communication device 104 that communicates via a network 88.
  • a control device 96 including a central processing unit (CPU) 92 and a memory 94, a storage device 98 such as a hard disk drive (HDD), a display device 100 such as a liquid crystal display, and an input device such as a keyboard and a mouse. 102 and a communication device 104 that communicates via a network 88.
  • a general-purpose computer is used as the controller 80.
  • the controller 80 includes a display device 100, an input device 102, and the like, and performs recipe creation, setting input, or input of a recipe created in advance.
  • the display device 100 may be a touch panel, and the input
  • a predetermined program is stored in the storage device 98 via the communication device 104 or the recording medium 106, loaded into the memory 94, and executed on an OS (Operating System) operating on the control device 96.
  • OS Operating System
  • the memory 94 is a recording medium that includes an EEPROM, a flash memory, a hard disk, and the like, and stores a CPU operation program and the like.
  • the memory 94 functions as a work area for the CPU.
  • the CPU 92 constitutes the center of the operation unit, executes a control program stored in the memory 94, and executes a recipe (for example, a process recipe) stored in the recipe storage unit in accordance with an instruction from the operation panel.
  • a recipe for example, a process recipe
  • the control device 96 can be configured by installing the above-described program stored in an external storage medium (for example, a semiconductor memory such as a USB memory or a memory card) 106 in a computer.
  • the storage device 98 and the storage medium 106 are configured as computer-readable recording media. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium.
  • recording medium When the term “recording medium” is used in this specification, it may include only the storage device 98 alone, only the external storage medium 106 alone, or both.
  • the means for supplying these programs is arbitrary. In addition to being able to be supplied via a predetermined recording medium as described above, for example, it may be supplied via a communication line, a communication network, a communication system, or the like. In this case, for example, the program may be posted on a bulletin board of a communication network and provided by being superimposed on a carrier wave via the network. Then, the above-described processing can be executed by starting the program thus provided and executing it in the same manner as other application programs under the control of the OS.
  • the storage device 98 of the controller 80 includes an overall control program for controlling the entire system of the substrate processing apparatus 10, a process chamber operation program for operating the PC 12, the vacuum transfer chamber 14 as a passage chamber, and the LC 16.
  • a passage chamber adjustment program for adjusting the atmosphere of the room is stored.
  • the controller 80 further includes a program storage unit and a data storage unit.
  • the program storage section there are a process program for executing a process, a recipe program for executing a recipe corresponding to the process (also referred to as a production recipe in the present embodiment), and a substrate processing program necessary for substrate processing.
  • a maintenance recipe also referred to as a maintenance recipe in the present embodiment
  • a production recipe interruption program for storing an indoor atmosphere, which will be described later, are also stored. Further, data such as the temperature, pressure, gas flow rate, etc. of the PC 12 during the recipe process is recorded in the data storage unit.
  • FIG. 5 shows a flow of a production recipe interruption program executed by the control device 96.
  • FIG. 5 shows an outline of the processing flow.
  • the maintenance recipe is configured to cycle purge the inside of the LC 16 as a spare room.
  • the LC 16 as a spare room is configured to perform a leak check.
  • the cycle purge is to repeat the purging of the preliminary chamber (LC16) and to adjust the indoor atmosphere.
  • the preparatory chamber is repeatedly depressurized to a predetermined pressure, and an inert gas (for example, N 2 gas) is supplied to the preparatory chamber (atmospheric pressure) repeatedly. Note that a small amount of inert gas may be supplied when the vacuum pump 16c is depressurized in the preliminary chamber.
  • an inert gas for example, N 2 gas
  • the control device 96 executes the maintenance recipe because the number of processed substrates in LC1 exceeds a predetermined threshold (S101). It is assumed that this maintenance recipe is composed of, for example, all 20 steps.
  • the control device 96 transfers the wafer 2 as a specified substrate from the LP 20 to the LC 2 via the atmospheric transfer robot 72.
  • the production recipe for processing the wafer 2 is executed by changing the LC 2 from the air atmosphere to the vacuum atmosphere.
  • the LC2 side confirms the execution of the production recipe after 3 seconds at the 10th step of the maintenance recipe on the LC1 side (S102). While the execution of the production recipe is not confirmed, the control device 96 continues the maintenance recipe on the LC1 side (S103).
  • the control device 96 checks the priority of the recipe execution of LC1 and LC2 (S104). If the priority of LC1 is high, the maintenance recipe executed in LC1 is continued (S103). Here, the control device 96 simply checks the preset priorities of LC1 and LC2, and if the priority of LC1 is low, it is determined that the maintenance recipe of LC1 is lower in priority than the production recipe of LC2. It may be. Further, the control device 96 may determine that the recipe type to be executed in each of the LC1 and LC2, for example, the process recipe has higher priority than the maintenance recipe (S104).
  • the control device 96 may incorporate the maintenance recipe execution status on the LC1 side into the priority determination. For example, LC1 may be determined to have a high priority if it is executed up to a predetermined step of the maintenance recipe, and if the maintenance recipe is a cycle purge, LC1 is given priority if it is executed a predetermined number of times. It may be determined that the degree is high.
  • the control device 96 temporarily stops the LC1 maintenance recipe, the time when the process recipe is executed using both LC1 and LC2, and the LC1 maintenance recipe. It is preferable to compare the time when the process recipe is executed in LC2 and to determine the priority so as to select the process recipe that ends earlier (less time). That is, in this way, the maintenance recipe can be executed while suppressing a decrease in production efficiency.
  • the control device 96 When determining that the priority of the maintenance recipe on the LC1 side is low in the step S104, the control device 96 sets all the valves of the LC1 to “Close” and puts the LC1 into a containment state (S105). Depending on the contents of Step, the 10th Step of the maintenance recipe on the LC1 side may be ended (the step being executed is ended), and the operation may be shifted to the containment operation in LC1. Alternatively, the intermediate step may be forcibly terminated immediately and the operation may be shifted to the containment operation in the LC1. In this case, when the MFC is connected, the flow rate is set to 0 SLM.
  • the control device 96 continues to execute the production recipe of LC2. During this time, the control device 96 monitors the progress state of the production recipe of LC2 (whether the recipe has been completed) at regular intervals (S107).
  • the control device 96 simultaneously monitors signals such as an interlock, and if necessary, cancels the pause state, shifts to the Reset state, and may forcibly terminate the recipe.
  • the control device 96 resumes the recipe for LC1 from the beginning of Step 10 after confirming the completion of the recipe for LC2 (S108).
  • Step 10 is a step of 30 seconds
  • the control device 96 pauses after 3 seconds, and starts Step 10 again from 0 seconds for 30 seconds when restarting.
  • the control device 96 may measure the time until the production recipe on the LC2 side is finished, and when the predetermined time or more elapses, the control recipe 96 may be executed from the beginning. Further, the maintenance recipe may be executed from the beginning according to the number of times until the maintenance recipe is temporarily stopped. For example, if the maintenance recipe is a cycle purge, the number of times until the maintenance recipe is suspended may be cleared and the cycle purge may be repeated from the first time. Further, the control device 96 may execute the maintenance recipe from the beginning unless it has been executed up to a predetermined step.
  • the wafer 2 can be processed using the LC 2 while suppressing the particles of the LC 1, it is possible to suppress a decrease in the apparatus operating rate. Moreover, since the production recipe for processing the wafer 2 can be preferentially executed in the middle of the maintenance recipe, it is possible to suppress a reduction in apparatus productivity.
  • the production recipe for processing the wafer 2 using the LC 2 can be preferentially executed while considering the progress of the maintenance recipe of the LC 1.
  • the wafer 2 since the wafer 2 can be processed, it is possible to suppress a decrease in the apparatus operation rate and to execute a maintenance recipe, and thus it is possible to suppress particles.
  • the maintenance recipe of LC1 is paused, and the wafer 2 is attached using LC2. Since the priority of the maintenance recipe on the LC1 side and the production recipe on the LC2 side is determined by comparing the case of executing the production recipe to be processed, it is possible to suppress a reduction in the apparatus operating rate without reducing the production efficiency. Maintenance recipes can be executed.
  • the present invention can be applied not only to a substrate processing apparatus for a semiconductor device but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device.
  • the film formation process includes, for example, a process for forming CVD, PVD, an oxide film, a nitride film, a process for forming a film containing metal, and the like.
  • the present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses (exposure apparatus, lithography apparatus, coating apparatus, etc.).
  • the present invention can be applied to a processing apparatus configured to regularly execute a maintenance recipe in a room other than the processing room.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

生産性を維持し、自動でレシピを実行制御できる構成を提供する。基板に処理を施す処理室と、真空状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた構成において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる構成が提供される。

Description

基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
本発明は基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関するものである。
一般的な基板処理装置においては、保守情報により設定された所定の保守タイミングに到達、例えば、所定の基板処理時間、所定の処理回数、所定の累積膜厚値等に到達すると、保守（メンテナンス）用のメンテレシピを、自動的に実行していた。一方、ハードインターロック、温度偏差エラー、流量偏差エラー等のアラームが発生すると、プロセスレシピ実行が終了したタイミングで、メンテレシピを自動実行していた（特許文献１）。
近年、ロードロック（ＬＣ）室内でのパーティクルについても規制が厳しくなっている。ＬＣ室に関しては、定期的なメンテナンスが手動で行われていた。そのメンテナンスでは自動生産処理を一度停止してオペレータが手動で実施しており、このため生産効率が低下するという問題点があった。
更に、装置の排気構成により、複数のロードロックチャンバ及び真空搬送室に接続されているポンプは１個であるため、例えば第1のロードロックチャンバでポンプを使用した排気処理を伴うメンテナンス用自動レシピが実行されている場合、第２のロードロックチャンバでは排気処理を含んだレシピが実行できない。つまり、空いている片方のロードロックチャンバが使えず稼働率の低下が懸念されていた。
特開２０１１－２４３６７７号公報
本発明の目的は、斯かる実情に鑑み、半導体製造装置における生産性を維持し、自動でレシピを実行制御できる構成を提供することにある。
本発明の一態様によれば、基板に処理を施す処理室と、真空状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた構成において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる構成が提供される。
本発明によれば、半導体製造装置の稼働効率の向上をはかることが可能となる。
本発明の一実施形態として好適に用いられる基板処理装置の上方からの概略図である。 図１のＡ－Ａ線を通る面の概略図である。 本発明の一実施形態として好適に用いられるコントローラの機能ブロック図である。 本発明の一実施形態として好適に用いられるコントローラのハードウエア構成である。 本発明における、処理フローの一例を示す図である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０について図１から図３を用いて説明する。
本実施形態に係る基板処理装置１０はクラスタ型であり、真空側と大気側とに分けられる。基板処理装置１０は、複数のモジュールによって構成される。基板処理装置１０はモジュールとして、基板に処理を施す処理室としてのプロセスチャンバ（ＰＣ）１２と、第一の搬送室としての真空搬送室（トランスファチャンバ：ＴＭ）１４と、予備室としてのロードロックチャンバ（ロードロック室：ＬＣ）１６と、第二の搬送室としての大気搬送室（ＬＭ）１８と、ロードポート（ＬＰ）２０とを備える。
（真空側）基板処理装置１０の真空側には、基板としてのウエハ２を処理する二つのＰＣ１２（プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂ）と、真空気密自在なＴＭ１４と、二つのＬＣ１６（ロードロックチャンバ１６ａ及びロードロックチャンバ１６ｂ）とが設けられている。ここで、プロセスチャンバ１２ａ及びプロセスチャンバ１２ｂを「ＰＣ(プロセスチャンバ)１２」と総称し、ロードロックチャンバ１６ａ及びロードロックチャンバ１６ｂを「ＬＣ(ロードロックチャンバ)１６」と総称する場合がある。ＰＣ１２それぞれにＴＭ１４が接続され、このＴＭ１４にＬＣ１６それぞれが接続されるようにして配置されている。ＰＣ１２との間は、壁部２２によって遮られている。  
ＰＣ１２は、ウエハ２を処理する。ＰＣ１２は例えば、ウエハ２上に薄膜を形成する工程や、ウエハ２表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、ウエハ２上に金属薄膜又は金属化合物薄膜を形成する工程等を行う。
図３に示すように、各ＰＣ１２には、ＰＣ１２内に供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４と、ＰＣ１２内の圧力を制御するオートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）２６と、ＰＣ１２内の温度を調整する温度調整器２８と、処理ガスの供給・排気用バルブのオン／オフを制御するバルブＩ／Ｏ３０とが設けられている。
ＰＣ１２ａはゲートバルブ（ＧＶ）３２ａを介してＴＭ１４と連通しており、ＰＣ１２ｂはＧＶ３２ｂを介してＴＭ１４と連通している。第一の開閉部としてのＧＶ３２ａ及びＧＶ３２ｂを介して、ＰＣ１２とＴＭ１４とは連通している。
例えば、ＰＣ１２ａにおいてウエハ２を処理する場合は、以下のように動作する。まず、ＰＣ１２ａ内を、ＴＭ１４内と同様の雰囲気とする。ＧＶ３２ａを開き、ＰＣ１２ａ内にウエハ２を搬送する。ＧＶ３２ａを閉じ、ウエハ２に所定の処理を施す。次いで、ＰＣ１２ａ内の雰囲気をＴＭ１４内と同様の雰囲気に戻した後、ＧＶ３２ａを開き、このＰＣ１２ａ内からウエハ２を搬出する。そして、ＧＶ３２ａを閉じる。同様に、ＰＣ１２ｂにおいてもＧＶ３２ｂの開閉動作を行うことで、室内の雰囲気を適宜維持しつつウエハ２が処理される。
ＰＣ１２ａ、１２ｂにはそれぞれ、第一の処理部４２と、この第一の処理部４２よりもＴＭ１４から遠い位置に配置された第二の処理部４４と、この第二の処理部４４とＴＭ１４との間でウエハ２を搬送するウエハ搬送装置４６とが設けられている。
第一の処理部４２は、ウエハ２を載置する第一の載置台４８と、この第一の載置台４８に載置されたウエハ２を加熱する第一のヒータ５０とを備える。第二の処理部４４は、ウエハ２を載置する第二の載置台５２と、この第二の載置台５２に載置されたウエハ２を加熱する第二のヒータ５４とを備える。尚、第一の載置台４８及び第二の載置台５２は、例えばアルミニウムによって形成される。
ウエハ搬送装置４６は、ウエハ２を支持する基板支持部材５６と、この基板支持部材５６を回転・昇降する移動軸５８とを備える。移動軸５８は、壁部２２近傍に設けられている。ウエハ搬送装置４６は、基板支持部材５６を第一の処理部４２側へ回転させることで、この第一の処理部４２側においてＴＭ１４の真空搬送ロボット６２との間でウエハ２を授受する。
移動軸５８が壁部２２側に配置されているため、本構成を有さない場合と比較して省スペース化が図れる。具体的には、ＰＣ１２ａ、１２ｂそれぞれの外側に要するスペースが省かれ、外部のスペース（例えば、保守者が立ち入るメンテナンススペース等）が大きく確保される。
ＰＣ１２ａとＰＣ１２ｂとは、壁部２２に対して対称に構成されている。ＰＣ１２ａ及びＰＣ１２ｂそれぞれのウエハ搬送装置４６は、壁部２２を挟んで近づくように配置されている。
ＴＭ１４は、真空状態など大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造となっている。本実施形態においてＴＭ１４の筐体は、平面視が六角形であり上下両端が閉塞した箱状に形成されている。ＴＭ１４の筐体は、この形態に限らず、他の形態としてもよい。
第一搬送室であるＴＭ１４内には、第一搬送部としての真空搬送ロボット６２が設けられている。真空搬送ロボット６２は、アーム６２ａに設けられた基板載置部６２ｂにウエハ２を載せて、ＰＣ１２とＬＣ１６との間で相互にウエハ２を搬送する。真空搬送ロボット６２は、エレベータ６４によって、ＴＭ１４の気密性を維持しつつ昇降するようになっている。真空搬送ロボット６２において、アーム６２ａ及び基板載置部６２ｂは、ウエハ２を搬送する第一搬送部として機能する。
ＴＭ１４は、ＧＶ３２ｃを介してＬＣ１６ａと連通しており、ＧＶ３２ｄを介してバキュームロックチャンバ１６ｂと連通している。第二の開閉部としてのＧＶ３２ｃ及びＧＶ３２ｄを介して、ＴＭ１４とＬＣ１６とは連通している。
ＬＣ１６は、ＴＭ１４の真空状態を維持しながら、このＴＭ１４と大気側との間でウエハ２を搬送する予備室として機能する。ＬＣ１６は、負圧に耐える構造となっている。ＬＣ１６ａ及びＬＣ１６ｂは、その内部が真空ポンプ１６ｃによって真空排気されるように構成されている。
ＬＣ１６ａ及びＬＣ１６ｂそれぞれの内部には、ウエハ２を支持する基板支持体としてのボート６６ａ及びボート６６ｂ（以下、「ボート６６」と総称する場合がある）が設けられている。ボート６６は、例えば２５枚のウエハ２を一定間隔で積層するようにして保持する。ボート６６は、例えば炭化ケイ素やアルミニウムで形成される。ＬＣ１６には、ウエハ２を冷却する冷却機構（非図示）が設けられている。冷却機構は、ＬＣ１６と別個に設けるようにしてもよい。また、ＬＣ１６ａ及びＬＣ１６ｂには、共通して用いられる真空ポンプ１６ｃが設けられている。
ＬＣ１６ａは、ＧＶ３２ｅを介して大気側のＬＭ１８と連通している。ＬＣ１６ｂは、ＧＶ３２ｆを介して大気側のＬＭ１８と連通している。
真空状態にあるＴＭ１４と大気圧状態にあるＬＭ１８とは直接連通しないようになっている。具体的には、ＧＶ３２ｃ及びＧＶ３２ｅの少なくともいずれか一方は閉じられた状態となり、同様にＧＶ３２ｄ及びＧＶ３２ｆの少なくともいずれか一方は閉じられた状態となる。例えば、ＴＭ１４側のＧＶ３２ｃを開ける際は、ＬＭ１８側のＧＶ３２ｅを閉じるとともに、ポンプ１６ｃによって、ＬＣ１６ａ内を真空状態とする。なお、「真空」とは、工業的真空を示す。ＬＭ１８側のＧＶ３２ｅを開ける際は、ＴＭ１４側のＧＶ３２ｃを閉じるとともに、ＬＣ１６ａ内を大気圧状態とする。
ＧＶ３２ｃ、３２ｄを閉じた状態でＧＶ３２ｅ、３２ｆを開けるようにすることで、ＴＭ１４内を真空に維持しながら、ＬＣ１６ａ、１６ｂとＬＭ１８との間でウエハ２が搬送される。ＧＶ３２ｃ～３２ｆを閉じた状態でＬＣ１６ａ、１６ｂの内部を真空排気した後、ＧＶ３２ｃ、３２ｄを開けるようにすることで、ＴＭ１４の真空状態を維持しながら、ＬＣ１６ａ、１６ｂとＴＭ１４との間でウエハ２が搬送される。
ＴＭ１４及びＬＣ１６は、開閉部としてのＧＶ３２ａ～３２ｄを介してＰＣ１２と連通している。ＴＭ１４及びＬＣ１６は、ＰＣ１２の真空状態を維持しつつ、ＰＣ１２と大気圧状態にあるＬＭ１８との間で搬送されるウエハ２が通過する通過室として機能する。
（大気側）基板処理装置１０の大気側には、ＬＣ１６に接続された第二搬送室であるＬＭ１８と、このＬＭ１８に接続された基板収容部としての三つのＬＰ２０ａ、ＬＰ２０ｂ及びＬＰ２０ｃ（「ＬＰ(ロードポート)２０」と総称する場合がある）とが設けられている。ＬＰ２０ａ～２０ｃにはそれぞれ、複数枚のウエハ２を収容する基板収容容器としてのポッド４が載置されるようになっている。ポッド４には、ウエハ２を複数収納する基板収納部としてのスロットが複数設けられている。
ＬＭ１８内には、第二搬送部としての大気搬送ロボット７２が設けられている。大気搬送ロボット７２はアームを有し、このアームにはウエハ２を複数載置する基板載置部が形成されている。大気搬送ロボット７２は、ＬＰ２０に載置されたポッド４とＬＣ１６との間で、相互にウエハ２を搬送する。
ＬＭ１８内には、ウエハ２のオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｆｌａｔ）の位置を合わせる基板位置補正装置としての位置合わせ装置７４が設けられている。位置合わせ装置７４は、処理するウエハ２の種別に応じて、オリフラに替えてウエハ２のノッチの位置を合わせるようにしてもよい。
（制御部）基板処理装置１０は制御部としてのコントローラ８０を備え、このコントローラ８０によって基板処理装置１０の各構成部が制御される。コントローラ８０は、基板処理装置１０を総括して制御する統括制御部８２と、ＰＣ１２ａ、１２ｂそれぞれを制御するプロセスチャンバコントローラ（ＰＭＣ）８４ａ、８４ｂ（以下、「ＰＭＣ８４」と総称する場合がある）と、操作者との間で情報を授受する操作装置８６とを備える。統括制御部８２、ＰＭＣ８４及び操作装置８６は、ＬＡＮ回線等のネットワーク８８を介してそれぞれ接続されている。
ＰＭＣ８４は、対応するＰＣ１２に設けられたＭＦＣ２４、ＡＰＣ２６、温度調整器２８及び入出力バルブＩ／Ｏ３０を制御する。ＰＭＣ８４によって、対応するＰＣ１２内の排気や、ＰＣ１２内への処理ガスの供給、圧力・温度の制御等が行われることで、ウエハ２が処理される。
統括制御部８２はネットワーク８８を介して、ＰＭＣ８４や真空搬送ロボット６２、大気搬送ロボット７２、ＧＶ３２ａ～ＧＶ３２ｆ、ＬＣ１６等に接続されている。
統括制御部８２は、真空搬送ロボット６２及び大気搬送ロボット７２の搬送動作や、ＧＶ３２ａ～３２ｆの開閉動作、ＬＣ１６内部の排気動作等を制御する。具体的には、統括制御部８２は、ウエハ２をどのポッド４のどのスロットに配置するかに関するウエハ収納情報や、ウエハ２の現在の位置に関するウエハ位置情報、ウエハ２についてのプロセス処理の状況、複数のウエハ２それぞれを一意に識別するウエハＩＤ、ウエハ２の処理条件に関するレシピ等に基づいて、各構成部を制御する。
  次に、コントローラ８０のハードウエア構成について説明する。  
コントローラ８０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit)９２やメモリ９４等を含む制御装置９６と、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の記憶装置９８と、液晶ディスプレイ等の表示装置１００と、キーボードやマウス等の入力装置１０２と、ネットワーク８８を介して通信する通信装置１０４とを有する。コントローラ８０としては、例えば汎用のコンピュータが用いられる。また、コントローラ８０は、表示装置１００、入力装置１０２等を具備し、レシピの作成、設定入力、或は予め作成されたレシピの入力を行う。尚、前記表示装置１００をタッチパネルとし、入力装置は省略されてもよい。
コントローラ８０において所定のプログラムは、通信装置１０４又は記録媒体１０６を介して記憶装置９８に格納され、メモリ９４にロードされて、制御装置９６で動作するＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）上で実行される。
メモリ９４は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵの動作プログラム等を記憶する記録媒体である。メモリ９４は、ＣＰＵのワークエリアなどとして機能する。
ＣＰＵ９２は、操作部の中枢を構成し、メモリ９４に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネルからの指示に従って、レシピ記憶部に記憶されているレシピ（例えば、プロセス用レシピ）を実行する。
制御装置９６は、外部記憶媒体（例えば、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１０６に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置９８や記憶媒体１０６は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置９８単体のみを含む場合、外部記憶媒体１０６単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
本実施形態において、コントローラ８０の記憶装置９８には、基板処理装置１０の全体のシステムを制御する統括制御プログラムや、ＰＣ１２を操作するプロセスチャンバ操作プログラム、通過室としての真空搬送室１４及びＬＣ１６内の雰囲気を調節する通過室調節プログラム等が格納されている。
更に、コントローラ８０はプログラム格納部、データ格納部を具備する。プログラム格納部にはプロセスを実行する為のプロセスプログラム、プロセスに対応するレシピ(本実施の形態では生産レシピともいう)を実行する為のレシピプログラム、基板処理をする為に必要な基板処理プログラムが格納され、後述する室内の雰囲気を整えるためのメンテナンス用レシピ(本実施の形態では保守レシピともいう)や生産レシピ割り込みプログラムも格納されている。また、データ格納部にはレシピ処理中のＰＣ１２の温度、圧力、ガス流量等のデータが記録される。
 統括制御プログラムが制御装置９６により実行されると、統括制御部８２に動作命令（メッセージ）を送信するともに、この統括制御部８２から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。プロセスチャンバ操作プログラムが制御装置９６により実行されると、ＰＭＣ８４に動作命令（メッセージ）を送信するとともに、このＰＭＣ８４から動作報告（メッセージ）を受信する等の機能が実現する。通過室調節プログラムが制御装置９６により実行されると、後述する通過室調節工程（Ｓ２００）を実行する通過室調節動作の機能が実現する。
次に、本発明の基板処理における実施例について、図５を参照して説明する。図５は、制御装置９６により実行される生産レシピ割り込みプログラムのフロー示す。
例えば、ＬＣ１６ａ（ＬＣ１）で保守レシピが実行されているときに生産ロットを処理するための生産レシピが実行された場合、ＬＣ１６ｂ（ＬＣ２）を使用して生産を開始することになる。図５に、処理の流れ概要を示す。ここで、保守レシピは、予備室としてのＬＣ１６内をサイクルパージするように構成されている。また、予備室としてのＬＣ１６内をリークチェックするように構成されている。ここで、サイクルパージとは、予備室(ＬＣ１６)のパージを繰返し、室内の雰囲気を整えることである。具体的には、予備室を所定の圧力までの減圧、予備室への不活性ガス(例えば、Ｎ２ガス)の供給(大気圧化)を繰返し行う。尚、真空ポンプ１６ｃを予備室の減圧時に少量の不活性ガスは供給されていても構わない。
制御装置９６は、ＬＣ１で処理基板枚数が予め定めた閾値をオーバーしたため保守レシピを実行する（Ｓ１０１）。この保守レシピは、例えば全２０Ｓｔｅｐから構成されているとする。
一方で、制御装置９６は、ＬＰ２０から、指定の基板としてのウエハ２を、大気搬送ロボット７２を経由してＬＣ２へ搬送する。搬送が終了すると、ＬＣ２を大気雰囲気から真空雰囲気に変えてウエハ２を処理するための生産レシピを実行する。制御装置９６は、例えば、ＬＣ１側の保守レシピの１０Ｓｔｅｐ目の３秒経過後に、ＬＣ２側が生産用レシピの実行を確認する（Ｓ１０２）。制御装置９６は、生産レシピの実行を確認していない間は、ＬＣ１側の保守レシピを継続する（Ｓ１０３）。
制御装置９６は、ＬＣ２側の生産用レシピの実行を確認すると、ＬＣ１とＬＣ２とのレシピ実行の優先度をチェックする（Ｓ１０４）。ＬＣ１の優先度が高い場合であれば、ＬＣ１で実行されている保守レシピを継続する（Ｓ１０３）。ここで、単に、制御装置９６は、予め設定されたＬＣ１とＬＣ２の優先度をチェックし、ＬＣ１の優先度が低い場合、ＬＣ１の保守レシピがＬＣ２の生産レシピより優先度が低いと判断するようにしてもよい。また、制御装置９６は、ＬＣ１とＬＣ２のそれぞれで実行しようとしているレシピの種別、例えば、プロセスレシピを保守レシピより優先度が高いと判断してもよい（Ｓ１０４）。
Ｓ１０４において、制御装置９６が、ＬＣ１側の保守レシピ実行状況を優先度の判定に取り入れるようにしてもよい。例えば、保守レシピの所定のステップまで実行していれば、ＬＣ１を優先度が高いと判定してもよく、また、保守レシピがサイクルパージであれば、所定回数実行していれば、ＬＣ１を優先度が高いと判定してもよい。好ましくは、制御装置９６が、ＬＣ１の保守レシピを終了するまでの時間とＬＣ１、ＬＣ２の両方を用いてプロセスレシピを実行させた場合の時間を加えた時間と、ＬＣ１の保守レシピを一時停止させてＬＣ２でプロセスレシピを実行させた場合の時間とを比較して、プロセスレシピが早く終わる方(少ない時間)を選択するよう優先度を判定するようにするのが好ましい。つまり、このようにすれば、生産効率の低下を抑制しつつ、保守レシピを実行することができる。
制御装置９６は、Ｓ１０４工程において、ＬＣ１側の保守レシピの優先度が低いと判断すると、ＬＣ１の全バルブをＣｌｏｓｅとして、ＬＣ１を封じ込め状態とする（Ｓ１０５）。Ｓｔｅｐの内容によっては、ＬＣ１側の保守レシピの１０Ｓｔｅｐ目を終了させて(実行中のステップを終了させて)、ＬＣ１内の封じ込め動作に移行してもよい。また、すぐに途中のＳｔｅｐを強制的に終了させて、ＬＣ１内の封じ込め動作に移行してもよい。この場合、ＭＦＣが接続されている場合は、流量を０ＳＬＭに設定する。
このような状態でＬＣ１の保守レシピを一時停止状態にする（Ｓ１０６）。
制御装置９６は、ＬＣ２の生産レシピの実行を継続する。この間、制御装置９６は、一定周期でＬＣ２の生産レシピの進捗状態（レシピが終了したか否か）を監視する（Ｓ１０７）。
制御装置９６は、インターロック等の信号も同時に監視し、必要であれば、一時停止状態を解除し、Ｒｅｓｅｔ状態に移行し、レシピを強制終了する場合もある。ＬＣ２側の生産レシピが終了すると、制御装置９６は、ＬＣ２のレシピ終了確認後、Ｓｔｅｐ１０の最初からＬＣ１のレシピを再開する（Ｓ１０８）。（例えば、制御装置９６は、Ｓｔｅｐ１０が３０秒のステップであった場合、３秒経過後に一時停止し、再開時もう一度Ｓｔｅｐ１０を０秒から開始して３０秒間実施する）
Ｓ１０８において、制御装置９６は、ＬＣ２側の生産レシピが終わるまでの時間を計測しておき、所定時間以上経過する場合、一時停止しておいた保守レシピを最初から実行するようにしてもよい。また、保守レシピの一時停止までに行った回数に応じて保守レシピを最初から実行してもよい。例えば、保守レシピがサイクルパージであれば、保守レシピの一時停止までに行った回数をクリアして、1回目からサイクルパージを繰返すようにしてもよい。また、制御装置９６は、所定ステップまで実行していなければ、保守レシピを最初から実行するようにしてもよい。
本実施形態によれば、例えば、ＬＣ１のパーティクルを抑制しつつ、ＬＣ２を用いてウエハ２を処理することができるので、装置稼働率の低下を抑制できる。また、保守レシピの途中で、ウエハ２を処理する生産レシピを優先的に実行させることができるので、装置生産性の低下を抑制できる。
本実施形態によれば、ＬＣ１の保守レシピの進捗状況を考慮しつつ、ＬＣ２を用いてウエハ２を処理する生産レシピを優先的に実行することができる。これにより、ウエハ２を処理することができるので装置稼働率の低下を抑制でき、保守レシピを実行することができるのでパーティクルの抑制も可能である。
本実施形態によれば、ＬＣ１の保守レシピの終了後、ＬＣ１及びＬＣ２を用いてウエハ２を処理する生産レシピを実行する場合と、ＬＣ１の保守レシピを一時停止し、ＬＣ２を用いてウエハ２を処理する生産レシピを実行する場合を比較して、ＬＣ１側の保守レシピとＬＣ２側の生産レシピの優先度を決定しているので、装置稼働率の低下を抑制でき、生産効率を低下させることなく保守レシピを実行することができる。
尚、本発明は半導体装置の基板処理装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。成膜処理は、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。また、他の基板処理装置（露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置等）にも適用できることは言う迄もない。
この出願は、２０１６年４月８日に出願された日本出願特願２０１６－０７７９９７を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
　処理室以外の室にも定期的にメンテナンス用のレシピを実行するように構成されている処理装置に適用可能である。
　　　　２　　　　　　　ウエハ　　　　１０　　　　　　基板処理装置　　　　１２　　　　　　プロセスチャンバ（ＰＣ）　　　　１６　　　　　　ロードロックチャンバ（ＬＣ）　　　　８０　　　　　　コントローラ 

Claims (12)

  1. 基板に処理を施す処理室と、減圧状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室を制御して前記予備室における保守レシピを実行させ、前記処理室を制御して前記処理室における生産レシピを実行させる制御部を備えた基板処理装置において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる基板処理装置。
  2. 生産レシピを実行して基板を処理する工程と保守レシピを実行して各室内の雰囲気を整える工程とを有する半導体装置の製造方法であって、　保守レシピを実行中に前記生産レシピを実行する指示があると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる半導体装置の製造方法。
  3. 前記制御部は、前記予備室内に搬送された前記基板の枚数に基づいて前記保守レシピを実行するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記保守レシピは、前記予備室内をサイクルパージするように構成されている請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記保守レシピは、前記予備室内をリークチェックするように構成されている請求項３記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、前記保守レシピの優先度が前記生産レシピよりも低い場合に前記保守レシピを一時停止するよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  7. 前記制御部は、前記保守レシピを一時停止する際、前記予備室を封じ込め状態にするように構成されている請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記制御部は、前記保守レシピが一時停止した場合、所定ステップの途中であっても、前記所定ステップの初めから再実行するように構成されている請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記制御部は、前記生産レシピを受付けると、前記保守レシピの所定ステップが実行されているかによって、前記保守レシピを継続して実行するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  10. 前記制御部は、前記生産レシピを受付けると、前記保守レシピとして実行されているサイクルパージの回数に応じて、前記保守レシピを継続して実行するか、前記生産レシピを実行するか決定するように構成されている請求項４記載の基板処理装置。
  11. 前記制御部は、前記生産レシピを受付けると、前記保守レシピを終了するまでの時間と前記予備室を用いて前記生産レシピを実行させた場合の時間を加えた時間と、前記保守レシピを一時停止させて、前記保守レシピを実行していない予備室のみを用いて前記生産レシピを実行させた場合の時間とを比較するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
  12. 基板に処理を施す処理室と、減圧状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示があると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させる手順と、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる手順と、を制御部に実行させるプログラム。
PCT/JP2016/078436 2016-04-08 2016-09-27 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム WO2017175408A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680082674.8A CN108885968B (zh) 2016-04-08 2016-09-27 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序
JP2018510223A JP6600081B2 (ja) 2016-04-08 2016-09-27 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US16/131,973 US10998210B2 (en) 2016-04-08 2018-09-14 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-077997 2016-04-08
JP2016077997 2016-04-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/131,973 Continuation US10998210B2 (en) 2016-04-08 2018-09-14 Substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017175408A1 true WO2017175408A1 (ja) 2017-10-12

Family

ID=60000385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/078436 WO2017175408A1 (ja) 2016-04-08 2016-09-27 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10998210B2 (ja)
JP (1) JP6600081B2 (ja)
CN (1) CN108885968B (ja)
WO (1) WO2017175408A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049368A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置制御方法
JP2021077862A (ja) * 2019-10-31 2021-05-20 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871194B (zh) * 2016-09-28 2020-10-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种生产线设备的调度方法和装置
US11535931B2 (en) * 2018-06-26 2022-12-27 Kokusai Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device, method of managing parts, and recording medium
CN111276429B (zh) * 2020-01-19 2021-07-20 长江存储科技有限责任公司 半导体机台控制方法、装置及存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195805A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制御方法
JP2004281832A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置
JP2009267218A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその基板搬送方法
JP2011181771A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2014232816A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100793453B1 (ko) * 2000-07-07 2008-01-14 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치의 유지 보수 방법, 처리 장치의 자동 검사방법, 처리 장치의 자동 복귀 방법 및 처리 장치를구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법
JP4656613B2 (ja) * 2000-07-24 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置のメンテナンス方法
JP5545795B2 (ja) * 2008-02-26 2014-07-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体製造装置管理方法
JP6094148B2 (ja) 2012-10-29 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPWO2014125653A1 (ja) * 2013-02-15 2017-02-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195805A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス製造装置、及びそのメンテナンス制御方法
JP2004281832A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置
JP2009267218A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその基板搬送方法
JP2011181771A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2014232816A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049368A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置制御方法
JP2021077862A (ja) * 2019-10-31 2021-05-20 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7170692B2 (ja) 2019-10-31 2022-11-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
US10998210B2 (en) 2021-05-04
JPWO2017175408A1 (ja) 2019-01-24
CN108885968A (zh) 2018-11-23
US20190013223A1 (en) 2019-01-10
JP6600081B2 (ja) 2019-10-30
CN108885968B (zh) 2023-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6600081B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP5491022B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理装置の制御方法および基板処理装置の表示方法
JP5570775B2 (ja) 基板処理装置のセットアップ方法、基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US10133264B2 (en) Method of performing aging for a process chamber
US20180350642A1 (en) Method of Manufacturing Semiconductor Device
JP2012109333A (ja) 基板処理装置
KR101500050B1 (ko) 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP2011100968A (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法及び装置状態遷移方法
US9818629B2 (en) Substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
KR20200012665A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101916394B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP2005322762A (ja) 基板処理装置
TW202034408A (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
JP6244131B2 (ja) 基板処理装置及びその制御方法、並びにプログラム
JP2008288282A (ja) 基板処理装置
JP5709286B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び半導体装置の製造方法
JP2016066668A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6906559B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US20210134683A1 (en) Method of Manufacturing Semiconductor Device, Non-transitory Computer-readable Recording Medium and Substrate Processing Apparatus
JP2014130895A (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法及び半導体装置の製造方法
JP2012104700A (ja) 基板処理システム
JP6262020B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
TW202341314A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
JP2012164850A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法
JP2011114264A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2018510223

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16897960

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16897960

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1