JP2016066668A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】クラスタ型基板処理装置により生産性が向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた基盤処理構造を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室PMと、基板を待機させる待機室と、反応室と待機室に隣接する搬送室TMの天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、反応室と待機室の間で基板を搬送する搬送ロボットVR1、VR2とを備える。
【選択図】図2
【解決手段】少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室PMと、基板を待機させる待機室と、反応室と待機室に隣接する搬送室TMの天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、反応室と待機室の間で基板を搬送する搬送ロボットVR1、VR2とを備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、基板を搬送する搬送手段を備える基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
一般的なクラスタ配置型の基板処理装置の構成例を図5に示す。図5(a)は、基板処理装置の上面概略図である。図5(b)は、基板処理装置の側面概略図である。図5(c)は、基板処理装置の複数の反応室(基板処理室)の位置関係を示す概略図である。この装置は、1台の搬送ロボット100を収容した搬送室10を中心に、複数の反応室11,12,13,14が放射状に配置されており、各反応室11,12,13,14の下にも複数段の反応室が配置されている(図5(c)参照)。
しかしながら、この構成では、搬送ロボットは中央に1つ備えられているのみであるので、全ての反応室に基板を搬送する際に、搬送に時間がかかり、反応室が多いにもかかわらず生産性が向上しない。また、反応室は縦方向と横方向に垂直及び平行に設置されている。図1(c)の例では、縦方向に4個、横方向に4個の合計16個の反応室が設置されている。この場合、各反応室は、上下両方向共に空間を有している反応室は無い。そのため、反応室に供給されるガス供給系は反応室の側面から供給することになる。また、反応室の排気系も反応室底から排気できず反応室側面からの排気となってしまう。ヒータやウェハリフトピンなど加熱部や機構部も横に引き出す必要があり、ヒータ線の熱膨張等による中心位置ズレや昇降ズレが発生する可能性が高くなる。
生産性向上のために、多数の反応室を1つの真空搬送室に設置するが、搬送が困難で生産性が上がらず、また、反応室の上下に空間がない為、均一なガス供給及び排気が困難で、かつ、ヒータやサセプタなどの中心ズレや水平出しの精度が困難であり最適なプロセス環境を整えることができない。更に、反応室内のメンテナンスについても困難であるといった課題がある。
本発明は、基板処理装置の生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置が提供される。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置が提供される。
別の態様によれば、
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
更に別の態様によれば、
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラムが提供される。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラムが提供される。
本発明によれば、生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することが可能となる。
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について、図1〜図4を用いて説明する。
参照する図面において、図1は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概略上面断面図であり、図2(a)は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概略側断面図であり、図2(b)は、本発明の一実施形態にかかる反応室の設置位置関係を示す図であり、図3は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置のロボットの動作を説明するための図である。図4は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える制御手段のブロック構成図である。
(1)基板処理装置の構成
図1に、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の構成例を示す。クラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
図1に、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の構成例を示す。クラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
(a)真空側の構成
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室(トランスファモジュール)TMと、予備室としてのバキュームロッキングチャンバ(ロードロック室)VL1,VL2と、基板処理室(反応室)としてのプロセスモジュールPM1,PM2,PM3と、が設けられる。バキュームロッキングチャンバVL1,VL2、反応室PM1,PM2,PM3は、真空搬送室TMの外周に星状に配置されている。また、図1において点線で示す反応室PM4,PM5は、反応室PM1,PM2,PM3の下段に設置されている。図2、図3に示すように、バキュームロッキングチャンバVL1,VL2の下段には、バキュームロッキングチャンバVL3,VL4が設けられている。
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室(トランスファモジュール)TMと、予備室としてのバキュームロッキングチャンバ(ロードロック室)VL1,VL2と、基板処理室(反応室)としてのプロセスモジュールPM1,PM2,PM3と、が設けられる。バキュームロッキングチャンバVL1,VL2、反応室PM1,PM2,PM3は、真空搬送室TMの外周に星状に配置されている。また、図1において点線で示す反応室PM4,PM5は、反応室PM1,PM2,PM3の下段に設置されている。図2、図3に示すように、バキュームロッキングチャンバVL1,VL2の下段には、バキュームロッキングチャンバVL3,VL4が設けられている。
真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が六角形で、上下左右端が閉塞した箱形状に形成されている。
真空搬送室TM内には、真空搬送手段としての2台の真空ロボットVR1、VR2が設けられている。真空搬送室TMの天井部に設置している真空ロボットVR1は、バキュームロッキングチャンバVL1,VL2、VL3,VL4,反応室PM1,PM2,PM3,PM4,PM5との間で、基板としてのウエハWの搬送(搬入、搬出)を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。真空搬送室TMの底部に位置している真空ロボットVR2は、バキュームロッキングチャンバVL5,VL6、VL7,VL8,反応室PM6,PM7,PM8,PM9,PM10との間で、基板としてのウエハWの搬送(搬入、搬出)を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットVR1、VR2は、エレベータEVによって、真空搬送室TMの機密性を維持しつつ昇降できる。また、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8、反応室PM1〜PM10の近傍の所定の位置(ゲートバルブ近傍)にはウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサWSが複数設置され、アーム上のウエハWの存在を検知できるようになっている。
反応室PM1〜PM10は、例えば化学反応(CVD)による成膜など、ウエハWに付加価値を与える基板処理室として機能する。反応室PM1〜PM10は、図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図4に示す反応室内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)11、反応室内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)12、反応室内の温度を制御する温度調整器13、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するための入出力バルブI/O14、などを備えている。
バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8は、真空搬送室TM内へウエハWを搬入するための予備室として、あるいは真空搬送室TM内からウエハWを搬出するための予備室として機能する。バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8の内部には、基板の搬入搬出用にウエハWを一時的に支持するためのバッファステージST1〜ST8が、それぞれ設けられている。
バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8は、それぞれゲートバルブG1、G2,G5,G6,G9,G10,G13,G14を介して真空搬送室TMと連通しており、また、それぞれゲートバルブG3,G4,G7,G8,G11,G12,G15,G16を介して後述する大気搬送室LMと連通している。したがって、ゲートバルブG1,G2,G5,G6,G9,G10,G13,G14を閉じたまま、ゲートバルブG3,G4,G7,G8,G11,G12,G15,G16を開けることにより、真空搬送室TM内の真空気密を保持したまま、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8と大気搬送室LMとの間でウエハWの搬送を行うことが可能である。
また、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブG3,G4,G7,G8,G11,G12,G15,G16を閉じてバキュームロッキングチャンバVL1〜VL8の内部を真空排気した後で、ゲートバルブG3,G4,G7,G8,G11,G12,G15,G16を開けることにより、真空搬送室TM内の真空状態を保持したまま、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8と真空搬送室TMとの間で、ウエハWの搬送を行うことが可能である。
図1において、点線で示している反応室PM4,PM5は、実線で示している反応室PM1,PM2,PM3よりも一段下の高さに位置しており、上面から見ると、少なくとも一部が重なるように垂直方向に多段に設けている。同様に、更に一段下には、反応室PM6,PM7,PM8が設けられ、更に一段下には、反応室PM9,PM10が設けられている。また、バキュームロッキングチャンバVL1,VL2の一段下にもバキュームロッキングチャンバVL3,VL4が同様に設けられ、更に一段下には、バキュームロッキングチャンバVL5,VL6、また更に一段下には、バキュームロッキングチャンバVL7,VL8が設けられている。
また、真空ロボットVR1は、前述と同様に、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL4、反応室PM1〜PM5との間で、基板としてのウエハWの搬送(処理前の基板を搬入、処理後の基板を搬出)を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。同様に、真空ロボットVR2は、前述と同様に、バキュームロッキングチャンバVL5〜VL8、反応室PM6〜PM10との間で、基板としてのウエハWの搬送を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。
(b)大気側の構成
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された基板収納容器(以下ポッドPD1〜PD3)を載置する基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された基板収納容器(以下ポッドPD1〜PD3)を載置する基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。
大気搬送室LMには、図示しないが、大気搬送室LMの内部にクリーンエアを供給するためのクリーンエアユニットが設けられている。
大気搬送室LM内には、大気搬送手段としての1台の大気ロボットARが設けられている。大気ロボットARは、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8とロードポートLP1〜LP3との間で、基板としてのウエハWの搬送を相互に行なう。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板載置部であるアームを有する。また、大気搬送室LMの前の所定の位置(ゲートバルブ近傍)にも、同様に、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサWSが設置され、アーム上のウエハWの存在を検知できるようになっている。
なお、大気搬送室LM内には、基板位置補正装置として、ウエハWの結晶方位の位置合わせ等を行うためのオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置OFAが設けられている。
各ロードポートLP1〜LP3上には、複数枚のウエハWを収納することが出来る基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3(図示しない)をそれぞれ載置することが出来る。基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
(c)制御手段の構成
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、コントローラである制御手段CNTにより制御される。図4に、制御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統括制御コントローラ90と、プロセスモジュールコントローラPMC1,・・PMCnと、操作員による操作を受け付ける操作部100と、を備えており、これらはLAN回線80により相互にデータ交換可能なように接続されている。
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、コントローラである制御手段CNTにより制御される。図4に、制御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統括制御コントローラ90と、プロセスモジュールコントローラPMC1,・・PMCnと、操作員による操作を受け付ける操作部100と、を備えており、これらはLAN回線80により相互にデータ交換可能なように接続されている。
統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR1,VR2、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G16、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8と、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR1、VR2及び大気ロボットARの動作、ゲートバルブG1〜G16の開閉動作、バキュームロッキングチャンバVL1〜VL8内部の排気動作を制御する。また、統括制御コントローラ90は、上述のウエハ有無センサWSにそれぞれ接続されており、ウエハ有無センサWSからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハWの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ90は、前記ウエハWをポッドPD1〜PD3の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報と前記位置情報とに加え、ウエハWについてのプロセス処理状況、ウエハWを識別するためのウエハID、ウエハWに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空ロボットVR、VR2大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G16等の動作を制御するように構成されている。
プロセスモジュールコントローラPMC1,・・、PMCnは、反応室PM1,・・、PMnが備えるMFC11、APC12、温度調整器13、入出力バルブI/O14等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュールコントローラPMC1,・・、PMCnは、反応室PM1,・・、PMnへのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却機構等の各動作を制御する。なお、このプロセスモジュールコントローラPMCの数は、反応室の数に対応して設けられている。
操作部100は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担う。
図1、図2に本発明における装置の反応室10個(PM1〜PM10)設置した場合の構造を示す。図1においては、最上段の反応室であるPM1,PM2,PM3を実線で示している。上から2段目の反応室であるPM4,PM5を点線で示している。上から3段目の反応室であるPM6,PM7,PM8を実線で示している。4段目の反応室であるPM9,PM10を点線で示している。図2(b)に示すように、複数の反応室を真空搬送室に設置する場合、個々の反応室の直上及び直下に空間ができるように垂直方向多段に配置する。積層された反応室の各段の反応室を上方向からみて各反応室の直近上下の反応室が重ならないように水平方向にずらした配置としている。
このように、ずらした配置は直近上下の反応室の段の隣合う反応室の真ん中に配置される。この配置によりすべての反応室の直上及び直下に空間ができるようになる。このように反応室の直上に空間が存在した場合、反応室へのガス供給方法が横入れガス導入ではなく、上からガス導入可能となる。また、ウエハ中心の直上からガス導入させることも可能である。これによりガスをウエハに対して最適な均一供給方法可能な状態となる。
また、ガス供給ラインに存在するバルブを直上に配置することでバルブ二次側以降のラインを最短化し、プロセスガス抜き等の時間を最短化することが可能となる。反応室の直下に空間が存在した場合、反応室のヒータの配線取出し位置をヒータ中心下方にすることが出来る。それによって、ヒータ中心から熱膨張による影響が円周の外方向に伸びるため、温度昇降によるウエハ中心の位置ズレを抑制することができる。横方向にヒータの配線を出す場合は、一方向にのみ配線を出すとその反対側に熱膨張で伸び中心位置がずれる。複数方向にヒータの配線を横に出す場合は、熱膨張により破損する可能性がある。また、反応室内の昇降軸も同様のことが言える。
図2(a)に示すように、真空搬送室TMでのウエハ処理能力を向上する為、真空搬送室TMに2台のロボットVR1、VR2を設置する。真空搬送室TMに2台のロボットを設置することでロボット1台の時の2倍の生産性を向上させることができる。設置方法は既存ロボットVR1を逆向きにし、真空搬送室TMの天井部の下ロボットVR2の上部に設置する。真空搬送室TMは2分割でも一体でもどちらでも良い。図2(a)は、一体型を図示する。搬送動作は1台の場合と2台の場合で同じであり、真空搬送ロボットを2台にすることで2倍の生産性を向上させることができる。1台の装置が故障して代替が無い場合や特急処理ウエハがあり早急に処理する必要がある場合などは、生産性は半分に落ちるが、装置を継続運用させることができる。
真空搬送室TMからバキュームロッキングチャンバVLや反応室PMに処理前のウエハを搬入したり、処理後のウエハを搬出する際、ウエハWが確実に搬送されたかを確認するために真空搬送室TMにウエハ有無センサWSが設置されている。ウエハ有無センサWSは投光受光センサで構成されており、その間にウエハが有る場合は、光が遮断されウエハ有と認識する。またウエハ無の場合は、光が投光されたままで遮断されないため、ウエハ無と認識する。また、ウエハアライメントシステムは、一例として、ウエハWを反応室やロードロック室に挿入する際、投光受光センサの遮断タイミングを確認することによりウエハWを搬入する際に、ウエハWが反応室やロードロック室の真ん中に置かれるように調整して搬入される。本発明によりロボットVR1,VR2を上下に対象に設置し、ウエハ検知センサWSも対象に設置することによりウエハ検知及びウエハアライメントシステム機能を具備しかつ、生産性を向上した搬送系を有することになる。
図3を用いて、各バキュームロッキングチャンバ室と各真空搬送ロボットVRと各反応室PMとのウエハのアクセスの制御について説明する。図3(a)は、各バキュームロッキングチャンバ室と各真空搬送ロボットVRと各反応室PMとの概略の位置関係を示す図である。図3(b)は、真空搬送ロボットVR1,VR2によるウエハの各バキュームロッキングチャンバと各真空搬送ロボットVRとのアクセスの制御について説明する図である。
図3(a)、(b)に示すように、真空反応室TMの天井部に設けられた真空搬送ロボットVR1は、バキュームロッキングチャンバVL1にアクセスし、ウエハを反応室PM1へ搬入する。同時に、真空反応室TMの底部に設けられた真空搬送ロボットVR2は、バキュームロッキングチャンバVL6にアクセスし、ウエハを反応室PM7へ搬送する。この時、バキュームロッキングチャンバVL1とバキュームロッキングチャンバVL6及び反応室PM1と反応室PM7とはそれぞれ異なる列に有るため、真空搬送ロボットVR1と真空搬送ロボットVR2が干渉することは無い。以降同様に、真空搬送ロボットVR1は、バキュームロッキングチャンバVL3にアクセスし、ウエハを反応室PM2へ搬送する。同時に、真空搬送ロボットVR2は、バキュームロッキングチャンバVL8にアクセスし、ウエハを反応室PM8へ搬送する。続いて、真空搬送ロボットVR1は、バキュームロッキングチャンバVL2にアクセスし、ウエハを反応室PM3へ搬送する。同時に、真空搬送ロボットVR2は、バキュームロッキングチャンバVL5にアクセスし、ウエハを反応室PM9へ搬送する。続いて、真空搬送ロボットVR1は、バキュームロッキングチャンバVL4にアクセスし、ウエハを反応室PM4へ搬送する。同時に、真空搬送ロボットVR2は、バキュームロッキングチャンバVL7にアクセスし、ウエハを反応室PM10へ搬送する。以降、同様に真空搬送ロボットは処理前のウエハをバキュームロッキングチャンバVLから反応室PMへ搬送してウエハWを処理する。このような搬送制御することにより、2台の真空搬送ロボットVR1、VR2が同時に同じ列のバキュームロッキングチャンバVLや反応室PMにアクセスすることがないため、各バキュームロッキングチャンバ及び反応室入口近傍に設けられたウエハ有無センサWSでウエハWを確実に検知することができる。
真空反応室TMの天井部に設けられた真空搬送ロボットVRが、反応室PMから処理済みのウエハを搬出し、バキュームロッキングチャンバVLに搬入する際にも、同様に2台の真空搬送ロボットVR1,VR2が同時に同じ列のバキュームロッキングチャンバVLや反応室PMにアクセスすることがないように制御部CNTで制御する。別の表現では、真空搬送ロボットVR1,VR2が同時に同じウエハ有無センサWSでウエハ検知することがないように制御部CNTで制御する。
(4)本発明による効果
本発明によれば、生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することができる。
本発明によれば、生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することができる。
<本発明の他の実施形態>
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
本発明の実施の形態にかかるコントローラである制御手段CNTは、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、前述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体(フレキシブルディスク、CD−ROM、USBなど)から当該プログラムをインストールすることにより、前述の処理を実行する操作部を構成することができる。
そして、これらのプログラム(例えば、インストーラ)を供給するための手段は任意である。前述のように、所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、OSの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、前述の処理を実行する事が出来る。
本発明は、成膜処理の他、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
また、基板処理装置として、半導体製造装置だけでなく、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。成膜処理は、例えば、CVD、pvd、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理を含む。また、ほかの基板処理装置である露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置にも適用できる。
また、基板処理装置として、半導体製造装置だけでなく、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。成膜処理は、例えば、CVD、pvd、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理を含む。また、ほかの基板処理装置である露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置にも適用できる。
以下に、付記として本発明の態様を記す。
<付記1>
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置。
<付記2>
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
<付記3>
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラム。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラム。
<付記4>
前記天井部に設けられた搬送ロボットと、前記底部に設けられた搬送ロボットのそれぞれが、上下同じ位置で動作をしないように前記搬送ロボットを制御する制御部を有する、付記1に記載の基板処理装置。
前記天井部に設けられた搬送ロボットと、前記底部に設けられた搬送ロボットのそれぞれが、上下同じ位置で動作をしないように前記搬送ロボットを制御する制御部を有する、付記1に記載の基板処理装置。
<付記5>
前記基板処理装置は、前記搬送室内に基板検知手段を有する、付記1または2に記載の基板処理装置。
前記基板処理装置は、前記搬送室内に基板検知手段を有する、付記1または2に記載の基板処理装置。
<付記6>
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
をコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
をコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
<付記7>
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する基板処理方法。
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する基板処理方法。
AR 大気ロボット(大気搬送手段)
CNT 制御手段
LP ロードポート(基板収容部)
LM 大気搬送室
PD ポッド(基板収納容器)
PM プロセスモジュール(基板処理室)
TM 真空搬送室
VL バキュームロッキングチャンバ(予備室)
VR 真空ロボット(真空搬送手段)
W ウエハ(基板)
WS ウエハ有無センサ(基板検知手段)
100 操作部
CNT 制御手段
LP ロードポート(基板収容部)
LM 大気搬送室
PD ポッド(基板収納容器)
PM プロセスモジュール(基板処理室)
TM 真空搬送室
VL バキュームロッキングチャンバ(予備室)
VR 真空ロボット(真空搬送手段)
W ウエハ(基板)
WS ウエハ有無センサ(基板検知手段)
100 操作部
Claims (3)
- 少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置。 - 少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも1つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193740A JP2016066668A (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014193740A JP2016066668A (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2016066668A true JP2016066668A (ja) | 2016-04-28 |
Family
ID=55804255
Family Applications (1)
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JP2014193740A Pending JP2016066668A (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
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JP (1) | JP2016066668A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021064654A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、及び基板処理方法 |
-
2014
- 2014-09-24 JP JP2014193740A patent/JP2016066668A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021064654A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、及び基板処理方法 |
JP7336956B2 (ja) | 2019-10-10 | 2023-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、及び基板処理方法 |
JP7504269B2 (ja) | 2019-10-10 | 2024-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、及び基板処理方法 |
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