JP2015185826A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板処理室内の圧力、温度、ガス流量等の状態を表示する場合に、各項目をどこに表示するかカスタマイズする基板処理装置を提供する。【解決手段】各種画面のレイアウトを設定する設定画面を操作画面に表示する表示部と、各種画面又は各種データ等をファイルとして記憶する記憶部と、指示に基づいて、記憶部から所定の画面ファイルおよび各種データファイルを展開して操作画面に表示する表示制御部と、を備えた操作部を少なくとも有する。操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、設定画面上で、ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する。【選択図】図3
Description
本発明は、反応処理室内のガスパターンや圧力、温度、ガス流量等の制御状態を表示する基板処理装置に関するものである。
例えばフラッシュメモリやDRAM(Dynamic Random Access Memory)等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する基板処理工程が実施されることがある。係る工程を実施する基板処理装置において、各部のリークチェックを行うが、その際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として表示画面に表示を行う点が例えば特許文献1に記載されている。
図5に従来の基板処理装置における、表示画面の例を示す。従来の基板処理装置においては、反応室ごとに反応室内のガスパターンや圧力、温度、ガス流量等の制御状態をモニタリングするための表示画面を有している。個々の反応処理室内の圧力や温度やガス流量などの制御状態をモニタリングする表示画面では、「圧力「温度」「ガス」「ガスパターン図」など項目に分かれて表示されているが、それぞれの項目の情報を画面上に表示する位置は常に固定であり変更できない。しかしながら、ユーザによって重要視する項目は異なり、各項目の表示位置が常に固定であるのは操作性から言って不便であるため、各項目の表示位置を自由にカスタマイズしたいという課題があった。
本発明は、個々の反応室内の圧力や温度やガス流量などの制御状態をモニタリングする表示画面において、「圧力「温度」「ガス」「ガスパターン図」などの項目が表示される位置をユーザがカスタマイズすることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を操作画面に表示する表示部と、各種画面又は各種データ等をファイルとして記憶する記憶部と、前記指示に基づいて、前記記憶部から所定の画面ファイルおよび各種データファイルを展開して前記操作画面に表示する表示制御部と、を備えた操作部を少なくとも有する基板処理装置であって、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置が提供される。
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置が提供される。
本発明に係る基板処理装置によれば、項目ごとの制御情報表示位置を自由にカスタマイズでき、ユーザによって重要度の高い項目は目につきやすい位置に変えられ、操作性向上を図ることが可能となる。
<本発明の一実施形態>
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について説明する。
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について説明する。
(1)基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1、図2を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック図である。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1、図2を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック図である。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
(真空側の構成)
クラスタ型基板処理装置1の真空側には、真空気密可能な真空搬送室(トランスファチャンバ)TMと、予備室としてのバキュームロックチャンバ(ロードロック室)VL1、VL2と、基板としてのウエハWを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバPM1、PM2と、ウエハWを冷却する冷却チャンバCS1、CS2と、が設けられている。バキュームロックチャンバVL1、VL2、プロセスチャンバPM1、PM2、冷却チャンバCS1、CS2は、真空搬送室TMの外周に星状(クラスタ状)に配置されている。
クラスタ型基板処理装置1の真空側には、真空気密可能な真空搬送室(トランスファチャンバ)TMと、予備室としてのバキュームロックチャンバ(ロードロック室)VL1、VL2と、基板としてのウエハWを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバPM1、PM2と、ウエハWを冷却する冷却チャンバCS1、CS2と、が設けられている。バキュームロックチャンバVL1、VL2、プロセスチャンバPM1、PM2、冷却チャンバCS1、CS2は、真空搬送室TMの外周に星状(クラスタ状)に配置されている。
真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が六角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
真空搬送室TM内には、真空搬送機構としての真空ロボットVRが設けられている。真空ロボットVRは、バキュームロックチャンバVL1、VL2、プロセスチャンバPM1、PM2、冷却チャンバCS1、CS2との間で、ウエハWの搬送を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットVRは、エレベータEVによって、真空搬送室TMの機密性を維持しつつ昇降できるようになっている。また、バキュームロックチャンバVL1、VL2、プロセスチャンバPM1、PM2、及び冷却チャンバCS1、CS2の前の所定の位置(ゲートバルブ近傍)には、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ(図示しない)が設置されている。
プロセスチャンバPM1、PM2は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法又はPVD(Physical Vapor Deposition)法によりウエハW上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハW表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、あるいはウエハW上に金属箔膜を形成する工程を実施して、ウエハWに付加価値を与えるように構成されている。プロセスチャンバPM1、PM2には、図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図2に示すプロセスチャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)11、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)12、プロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器13、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するための入出力バルブI/O14、などが設けられる。ガス排気機構によりプロセスチャンバPM1、PM2内(処理室内)を排気しつつ、ガス導入機構により処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを生成することで、ウエハWの表面が処理されるように構成されている。
バキュームロックチャンバVL1、VL2は、真空搬送室TM内へウエハWを搬入するための予備室として、あるいは真空搬送室TM内からウエハWを搬出するための予備室として機能する。バキュームロックチャンバVL1、VL2の内部には、基板の搬入搬出用にウエハWを一時的に支持するためのバッファステージST1、ST2が、それぞれ設けられている。
バキュームロックチャンバVL1、VL2は、それぞれゲートバルブG1、G2を介して真空搬送室TMと連通可能に構成されており、また、それぞれゲートバルブG3、G4を介して後述する大気搬送室LMと連通可能に構成されている。したがって、ゲートバルブG1、G2を閉じたまま、ゲートバルブG3、G4を開けることにより、真空搬送室TM内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1、VL2と大気搬送室LMとの間でウエハWの搬送を行うことが可能である。
また、バキュームロックチャンバVL1、VL2は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブG3、G4を閉じてバキュームロックチャンバVL1、VL2の内部を真空排気した後で、ゲートバルブG3、G4を開けることにより、真空搬送室TM内の真空状態を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1、VL2と真空搬送室TMとの間で、ウエハWの搬送を行うことが可能となっている。
冷却チャンバCS1、CS2は、ウエハWを格納して冷却させるように機能する。冷却チャンバCS1、CS2も、その内部を真空排気することが可能となっている。なお、冷却チャンバCS1、CS2と真空搬送室TMとの間にも、ゲートバルブがそれぞれ設けられている。
(大気側の構成)
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、バキュームロックチャンバVL1、VL2に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。ロードポートLP1〜LP3上には、基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3が載置されるようになっている。ポッドPD1〜PD3内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、バキュームロックチャンバVL1、VL2に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。ロードポートLP1〜LP3上には、基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3が載置されるようになっている。ポッドPD1〜PD3内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
大気搬送室LMには、図示しないが、大気搬送室LM内にクリーンエアを供給するためのクリーンエアユニットが設けられている。
大気搬送室LM内には、大気搬送機構としての1台の大気ロボットARが設けられている。大気ロボットARは、バキュームロックチャンバVL1、VL2とロードポートLP1〜LP3上に載置されたポッドPD1〜PD3との間で、基板としてのウエハWの搬送を相互に行なうようになっている。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板載置部であるアームを有する。また、大気搬送室LMの前の所定の位置(ゲートバルブ近傍)にも、同様に、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ(図示しない)が設置されている。
なお、大気搬送室LM内には、基板位置補正装置として、ウエハWの結晶方位の位置合わせ等を行うためのオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置OFAが設けられている。
(制御手段の構成)
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段CNTにより制御される。図2に、制御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統合制御部としての統括制御コントローラ(CC)90と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ(PMC1)91と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ(PMC2)92と、操作員による操作を受け付ける第1の操作部(OU)100と、を備えている。
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段CNTにより制御される。図2に、制御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統合制御部としての統括制御コントローラ(CC)90と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ(PMC1)91と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ(PMC2)92と、操作員による操作を受け付ける第1の操作部(OU)100と、を備えている。
プロセスモジュールコントローラ(PMC1、PMC2)91、92は、プロセスチャンバPM1、PM2にそれぞれ接続されて、プロセスチャンバPM1、PM2の動作を個別に制御するように構成されている。具体的には、プロセスモジュールコントローラ91、92は、プロセスチャンバPM1、PM2が備えるMFC11、APC12、温度調整器13、入出力バルブI/O14等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュールコントローラ91、92は、プロセスチャンバPM1、PM2へのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバCS1、CS2の冷却機構等の各動作をそれぞれ制御するように構成されている。
統括制御コントローラ(CC)90は、LAN回線80を介してプロセスモジュールコントローラ91、92にそれぞれ接続可能に構成され、プロセスモジュールコントローラ91、92を介してプロセスチャンバPM1、PM2の動作を統合的に制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G4、バキュームロックチャンバVL1、VL2に、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR及び大気ロボットARの動作、ゲートバルブG1〜G4の開閉動作、バキュームロックチャンバVL1、VL2内部の排気動作を制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ90は、上述のウエハ有無センサ(図示しない)にそれぞれ接続されており、ウエハ有無センサからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハWの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ90は、ウエハWをポッドPD1〜PD3の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報と前記位置情報とに加え、ウエハWについてのプロセス処理状況、ウエハWを識別するためのウエハID、ウエハWに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空ロボットVR、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G4等の動作を制御するように構成されている。
第1の操作部(OU)100は、LAN回線80を介して統括制御コントローラ90及びプロセスモジュールコントローラ91、92にそれぞれ接続可能に構成されている。第1の操作部100は、CPU、メモリ、通信インタフェース、ハードディスク、表示部を備えた汎用のコンピュータとして構成されている。第1の操作部100のハードディスクには、システム全体総括制御用プログラム、PM1操作用プログラム、PM2操作用プログラム、表示部に表示するためのレイアウト及び表示項目等が格納されている。システム全体総括制御用プログラムは、第1の操作部100のハードディスクからメモリに読み出され、CPUにより実行されることにより、統括制御コントローラ90に動作命令(メッセージ)を送信すると共に、統括制御コントローラ90から動作報告(メッセージ)を受信する機能を第1の操作部100に実現するように構成されている。また、PM1操作用プログラム、PM2操作用プログラムは、第1の操作部100のハードディスクからメモリに読み出され、CPUにより実行されることにより、統括制御コントローラ90を介してプロセスモジュールコントローラ91、92に動作命令(メッセージ)を送信すると共に、統括制御コントローラ90を介してプロセスモジュールコントローラ91、92から動作報告(メッセージ)を受信する機能を第1の操作部100に実現するように構成されている。その他、第1の操作部100は、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担うように構成されている。
<本発明の実施形態>
続いて、本発明における、表示画面のユーザ設定方法について説明する。図3は、本発明の一実施形態にかかる表示設定画面の例を示す。
続いて、本発明における、表示画面のユーザ設定方法について説明する。図3は、本発明の一実施形態にかかる表示設定画面の例を示す。
図3はユーザが反応処理室制御情報表示画面において表示レイアウトと項目別表示位置を決定する設定例を示している。
例えば、ガスパターンを左上に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト41にするのであれば「レイアウト1」を選択、ガスパターンを右上に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト42にするのであれば「レイアウト2」を選択、ガスパターンを左下に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト43にするのであれば「レイアウト3」を選択、ガスパターンを右下に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト44にするのであれば「レイアウト4」を選択する。
例えば、ガスパターンを左上に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト41にするのであれば「レイアウト1」を選択、ガスパターンを右上に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト42にするのであれば「レイアウト2」を選択、ガスパターンを左下に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト43にするのであれば「レイアウト3」を選択、ガスパターンを右下に表示し周りに項目別制御情報を表示するレイアウト44にするのであれば「レイアウト4」を選択する。
続いて項目別制御情報表示エリア45では、前述したレイアウト1〜4のそれぞれのAからGまでの位置に何の項目を表示するかを設定する。選択項目は「ガス」「圧力」「温度」「機構」「RF」「信号条件待ち」「ハードLED」となる。設定項目AからGは表示項目が重複することがないよう設定しなければいけないものとする。各選択項目部には図示するようにプルダウン形式により選択できるものとなっている。
また、初期設定は例えば、「レイアウト1」「A:ガス」「B:圧力」「C:温度」「D:機構」「E:RF」「F:信号条件待ち」「ハードLED」であるものとする。
また、初期設定は例えば、「レイアウト1」「A:ガス」「B:圧力」「C:温度」「D:機構」「E:RF」「F:信号条件待ち」「ハードLED」であるものとする。
図4の処理フローを用いて、本発明における反応処理室制御情報表示処理について説明する。
表示レイアウト設定内容確認工程S1ではユーザによって設定された表示レイアウトの内容を確認設定する。ここではあらかじめ用意している例えば4パターンのレイアウトのうちユーザによって設定されたレイアウトを選び画面に表示する。
項目別表示位置設定内容確認工程S2ではユーザによって設定された表示位置AからGの表示項目の内容を確認設定する。
表示処理S3では、ユーザに選択、設定されたレイアウト、項目別表示設定位置にそれぞれの項目等の表示を行う。
表示レイアウト設定内容確認工程S1ではユーザによって設定された表示レイアウトの内容を確認設定する。ここではあらかじめ用意している例えば4パターンのレイアウトのうちユーザによって設定されたレイアウトを選び画面に表示する。
項目別表示位置設定内容確認工程S2ではユーザによって設定された表示位置AからGの表示項目の内容を確認設定する。
表示処理S3では、ユーザに選択、設定されたレイアウト、項目別表示設定位置にそれぞれの項目等の表示を行う。
上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばCVD、PVD、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
以上のように、上記実施例ではクラスタ型の基板処理装置を用いて説明したが、縦型の基板処理装置にも同様に適用可能である。
また、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
また、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
なお、本発明は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法、PVD(Physical Vapor Deposition)法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、プラズマ処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本発明では、クラスタ型の基板処理装置100に限らず、枚葉方式、横型の基板処理装置や、縦型の各種基板処理装置であってもよい。
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置100のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するLCD(Liquid Crystal Display)製造装置や太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
<本発明の好ましい態様>
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
<付記1>
少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を操作画面に表示する表示部と、各種画面又は各種データ等をファイルとして記憶する記憶部と、前記指示に基づいて、前記記憶部から所定の画面ファイルおよび各種データファイルを展開して前記操作画面に表示する表示制御部と、を備えた操作部を少なくとも有する基板処理装置であって、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置。
少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を操作画面に表示する表示部と、各種画面又は各種データ等をファイルとして記憶する記憶部と、前記指示に基づいて、前記記憶部から所定の画面ファイルおよび各種データファイルを展開して前記操作画面に表示する表示制御部と、を備えた操作部を少なくとも有する基板処理装置であって、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置。
<付記2>
更に、前記制御情報として、ガス流量情報を示す「ガス」、圧力情報を示す「圧力」、温度情報を示す「温度」、搬送機構情報を示す「機構」、高周波電力情報を示す「RF」、信号待ち条件を示す「信号条件待ち」、ハードインターロック情報を示す「ハードLED」から少なくとも一つの情報が選択される付記1の基板処理装置。
する付記1の基板処理装置。
更に、前記制御情報として、ガス流量情報を示す「ガス」、圧力情報を示す「圧力」、温度情報を示す「温度」、搬送機構情報を示す「機構」、高周波電力情報を示す「RF」、信号待ち条件を示す「信号条件待ち」、ハードインターロック情報を示す「ハードLED」から少なくとも一つの情報が選択される付記1の基板処理装置。
する付記1の基板処理装置。
<付記3>
更に、
少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を記憶部より読み出して表示部に表示する工程と、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する工程と、
を有する基板処理装置の表示方法。
更に、
少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を記憶部より読み出して表示部に表示する工程と、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する工程と、
を有する基板処理装置の表示方法。
<付記4>
更に、
少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を記憶部より読み出して表示部に表示し、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置の表示プログラム。
更に、
少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を記憶部より読み出して表示部に表示し、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置の表示プログラム。
1 基板処理装置
W ウエハ(基板)
CNT 制御手段
90 統括制御コントローラ
100 操作部
W ウエハ(基板)
CNT 制御手段
90 統括制御コントローラ
100 操作部
Claims (1)
- 少なくとも各種画面のレイアウトを設定する設定画面を操作画面に表示する表示部と、各種画面又は各種データ等をファイルとして記憶する記憶部と、前記指示に基づいて、前記記憶部から所定の画面ファイルおよび各種データファイルを展開して前記操作画面に表示する表示制御部と、を備えた操作部を少なくとも有する基板処理装置であって、
前記操作部は、前記画面のうち、ガスパターン画面のレイアウトを設定する設定画面を表示し、
前記設定画面上で、前記ガスパターンのレイアウト及び制御情報として表示する表示項目が選択されると、前記記憶部から前記選択されたレイアウト及び表示項目に該当するファイルを展開して、前記操作画面に表示する基板処理装置。
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