CN108630568A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108630568A
CN108630568A CN201810159094.5A CN201810159094A CN108630568A CN 108630568 A CN108630568 A CN 108630568A CN 201810159094 A CN201810159094 A CN 201810159094A CN 108630568 A CN108630568 A CN 108630568A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
substrate
aperture
treatment fluid
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810159094.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108630568B (zh
Inventor
太田乔
林昌之
奥田次郎
中岛章宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN108630568A publication Critical patent/CN108630568A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108630568B publication Critical patent/CN108630568B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。本发明提供一种基板处理装置的控制装置，其包括信息获取部、加热执行部、存储装置、开度决定部、开度设定部以及处理液供给部。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。在作为处理对象的基板中，例如，包含半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场发射显示器(Field Emission Display，FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，会使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。
日本专利特开2016-152354号公报中，揭示了一种对基板一片片地进行处理的单片式基板处理装置。所述基板处理装置包括一面水平地保持基板一面使基板围绕着通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的自旋夹头(spin chuck)、朝向由自旋夹头保持着的基板喷出处理液的喷嘴、对要供给至喷嘴的处理液进行加热的多个加热器。多个加热器包括对进行循环的处理液进行加热的上游加热器、与在由上游加热器进行了加热的处理液从喷嘴喷出之前对所述处理液进行加热的下游加热器。
供给至基板的处理液通过由包括配管以及喷嘴的多个构件而形成的流路而从喷嘴喷出。从喷嘴喷出的处理液通过喷嘴与基板之间的空间而与基板碰撞。
在供给至基板的处理液由加热器预先加热的情况下，处理液的一部分热放出至流路或空气中。这种热损失必然会发生，因此，稍低于加热器的温度的处理液被供给至基板。
在处理液的刚开始时与之后，处理液的热损失量不同。因此，即使预想到热损失而设定加热器的温度，从喷嘴喷出时的处理液的温度也随时间的经过而发生变化。为了抑制这种温度的变化，考虑在途中变更加热器的温度设定，但加热器以及处理液的温度未必会立刻变化。
因此本发明的一个目的是提供一种能够以更高的精度对从喷嘴喷出时的处理液的温度进行控制的基板处理装置以及基板处理方法。
发明内容
本发明的实施方式提供一种基板处理装置，其具备：至少一个加热器，对处理液进行加热；第1配管，对由所述至少一个加热器进行了加热的处理液进行引导；第1流量调整阀，对供给至所述第1配管的处理液的流量进行变更；第1喷嘴，将由所述第1配管引导的处理液朝向基板喷出；以及控制装置，对所述至少一个加热器与所述第1流量调整阀进行控制。
所述控制装置包括：信息获取部，获取表示由所述至少一个加热器进行了加热的处理液的温度的目标值的加热温度、与从所述第1喷嘴喷出时的处理液的温度的目标值，即比所述加热温度低的第1设定温度；加热执行部，使所述至少一个加热器以所述加热温度对处理液进行加热；存储装置，存储第1开度决定数据，所述第1开度决定数据是对与在以所述加热温度被供给至所述第1配管的处理液以第1喷出温度从所述第1喷嘴被喷出时被供给至所述第1配管的处理液的流量相对应的所述第1流量调整阀的开度进行规定的数据；第1开度决定部，基于所述存储装置中所存储的所述第1开度决定数据、与所述信息获取部所获取的所述加热温度以及第1设定温度，决定与第1目标流量相对应的第1目标开度，所述第1目标流量使所述第1喷出温度与所述第1设定温度一致或接近；第1开度设定部，将所述第1流量调整阀的开度设定为所述第1目标开度；以及第1处理液供给部，经由所述第1配管将处理液供给至所述第1喷嘴。
根据所述构成，被加热器以加热温度加热了的处理液经由第1配管而被供给至第1喷嘴。表示从第1喷嘴喷出时的处理液的温度的第1喷出温度不仅相应于供给至第1配管的处理液的温度而发生变化，也相应于供给至第1配管的处理液的流量而发生变化。即，当处理液的供给流量减少时，第1喷出温度下降，当处理液的供给流量增加时，第1喷出温度上升。这是因为：热损失量与处理液的供给流量无关而大致固定，与此相对，处理液的热容量相应于处理液的供给流量而发生变化。
即使加热温度相同，如果处理液的供给流量不同，则喷出温度也不同。对这些关系进行规定的第1开度决定数据存储于控制装置的存储装置中。关于处理液的供给流量，是以第1喷出温度与第1设定温度一致或接近的方式基于第1开度决定数据而设定。即，对处理液的供给流量进行规定的第1流量调整阀的开度被设定为与使第1喷出温度与第1设定温度一致或接近的第1目标流量相对应的第1目标开度。在此状态下，具有加热温度的处理液被供给至第1配管。由此，具有第1设定温度或与所述第1设定温度几乎相同的温度的处理液从第1喷嘴喷出。
如此，不仅恰当地对加热器的温度进行管理，而且相应于加热温度以及第1设定温度而恰当地对供给至第1配管以及第1喷嘴的处理液的流量，即，处理液的热容量进行设定，因此，能够以更高的精度对从第1喷嘴喷出时的处理液的温度进行控制。由此，能够减少想要的温度与供给至基板的处理液的实际的温度之差。并且，如果改变第1流量调整阀的开度，则能够不改变加热器的温度而变更供给至基板的处理液的温度。因此，与改变加热器的温度的情况相比，能够在短时间内变更处理液的温度。
在所述实施方式中，也可将以下的特征的至少一个添加至所述基板处理装置。
所述基板处理装置还具备：第2喷嘴，喷出处理液；第2配管，将处理液引导至所述第2喷嘴；以及第2流量调整阀，对供给至所述第2配管的处理液的流量进行变更，所述控制装置的所述信息获取部还获取从所述第2喷嘴喷出时的处理液的温度的目标值，即比所述加热温度低的第2设定温度，所述控制装置的所述存储装置还存储第2开度决定数据，所述第2开度决定数据是对与在以所述加热温度被供给至所述第2配管的处理液以第2喷出温度从所述第2喷嘴被喷出时被供给至所述第2配管的处理液的流量相对应的所述第2流量调整阀的开度进行规定的数据，所述控制装置还包括：第2开度决定部，基于所述存储装置中所存储的所述第2开度决定数据、与由所述信息获取部所获取的所述加热温度以及第2设定温度，决定与第2目标流量相对应的第2目标开度，所述第2目标流量使所述第2喷出温度与所述第2设定温度一致或接近；第2开度设定部，将所述第2流量调整阀的开度设定为所述第2目标开度；以及第2处理液供给部，经由所述第2配管将处理液供给至所述第2喷嘴。
根据所述构成，与第1喷嘴同样地，对供给至第2配管以及第2喷嘴的处理液的流量进行规定的第2流量调整阀的开度基于控制装置的存储装置中所存储的第2开度决定数据而被设定为与使第2喷出温度与第2设定温度一致或接近的第2目标流量相对应的第2目标开度。在此状态下，具有加热温度的处理液被供给至第2配管。由此，具有第2设定温度或与所述第2设定温度几乎相同的温度的处理液从第2喷嘴喷出。
直至被供给至基板为止处理液所损失的热量有时因流路而不同。这是因为：有时流路的长度或构成流路的构件不同。如前述那样，如果对第1流量调整阀以及第2流量调整阀的开度进行个别设定，则即使在所述情况下，也能够减少想要的温度与供给至基板的处理液的实际的温度之差。由此，能够以更高的精度来对经处理的基板的品质进行控制。
第2设定温度既可以是与第1设定温度相等的值，也可以是与第1设定温度不同的值。第2开度决定数据既可以是与第1开度决定数据不同的数据，也可以是与第1开度决定数据相同的数据。第2开度决定部既可以是第1开度决定部，也可以与第1开度决定部不同。第2开度设定部以及处理液供给部也与第2开度决定部一样。至少一个加热器既可以是对供给至第1喷嘴以及第2喷嘴这两者的处理液进行加热的一个加热器，也可以包括对供给至第1喷嘴的处理液进行加热的第1加热器与对供给至第2喷嘴的处理液进行加热的第2加热器。
所述基板处理装置还具备：第1基板保持机构，对利用从所述第1喷嘴喷出的处理液进行处理的基板进行保持；以及第2基板保持机构，对利用从所述第2喷嘴喷出的处理液进行处理的基板进行保持。
根据所述构成，从第1喷嘴喷出的处理液被供给至由第1基板保持机构所保持着的基板，从第2喷嘴喷出的处理液被供给至由与第1基板保持机构不同的第2基板保持机构所保持着的基板。即使在所述情况下，也能够通过对第1流量调整阀以及第2流量调整阀的开度进行个别设定而使从第1喷嘴喷出时的处理液的实际的温度与从第2喷嘴喷出时的处理液的实际的温度一致或接近。由此，能够减少利用从第1喷嘴喷出的处理液进行了处理的基板与利用从第2喷嘴喷出的处理液进行了处理的基板的品质之差。
所述基板处理装置还具备基板保持机构，所述基板保持机构一面水平地保持利用从所述第1喷嘴以及第2喷嘴喷出的处理液进行处理的基板，一面使所述基板围绕着通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转，所述第1喷嘴朝向第1位置喷出处理液，所述第1位置是由所述基板保持机构所保持着的基板上的位置，所述第2喷嘴朝向第2位置喷出处理液，所述第2位置是由所述基板保持机构所保持着的基板上的位置，且是比所述第1位置靠外侧的位置。
根据所述构成，从第1喷嘴喷出的处理液与从第2喷嘴喷出的处理液被供给至相同的基板。第1喷嘴朝向基板上的位置即第1位置喷出处理液，第2喷嘴朝向相同基板上的位置即第2位置喷出处理液。第2位置是在基板的径向上比第1位置靠外侧的位置。因此，从第2喷嘴喷出的处理液在从第1喷嘴喷出的处理液的外侧附着于基板。
基板上的处理液的温度有随着远离旋转轴线而下降的倾向。如果对第1流量调整阀以及第2流量调整阀的开度进行个别设定，则能够有意识地使从第2喷嘴喷出时的处理液的实际的温度高于从第1喷嘴喷出时的处理液的实际的温度。由此，能够降低基板上的处理液的温度的偏差，能够提高处理的均匀性。当然，也可以从第1喷嘴以及第2喷嘴喷出相同或者几乎相同的温度的处理液。
所述基板处理装置还具备共用配管，将处理液供给至所述第1配管以及第2配管这两者。
根据所述构成，在共同配管内流动的处理液被供给至第1配管以及第2配管这两者。因此，至少成分相等的处理液从第1喷嘴以及第2喷嘴这两者喷出。在从第1喷嘴以及第2喷嘴喷出的处理液被供给至不同的基板的情况下，能够降低多枚基板间的处理的偏差。在从第1喷嘴以及第2喷嘴喷出的处理液被供给至相同的基板的情况下，能够提高处理的均匀性。
所述基板处理装置还具备共用配管，将处理液供给至所述第1配管以及第2配管这两者，所述基板处理装置通过将作为处理液的磷酸供给至露出氧化硅膜与氮化硅膜的基板，一面抑制所述氧化硅膜的蚀刻一面对所述氮化硅膜进行蚀刻。
根据所述构成，由加热器进行了加热的高温的磷酸(例如，其浓度下的沸点的磷酸)从共用配管被供给至第1配管以及第2配管这两者，并从第1喷嘴以及第2喷嘴这两者喷出。喷出的磷酸被供给至露出氧化硅膜与氮化硅膜的基板。由此，进行一面抑制氧化硅膜的蚀刻一面对氮化硅膜进行蚀刻的选择蚀刻。
尤其，如果以从第2喷嘴喷出时的磷酸的实际的温度高于从第1喷嘴喷出时的磷酸的实际的温度的方式对第1流量调整阀以及第2流量调整阀的开度进行个别设定，则能够降低基板上的磷酸的温度的偏差，能够进一步提高蚀刻的均匀性。另外，因成分相等的磷酸从第1喷嘴以及第2喷嘴朝向相同的基板喷出，所以能够抑制或防止选择比(氮化硅膜的蚀刻量/氧化硅膜的蚀刻量)的均匀性下降。
所述第1开度设定部将所述第1流量调整阀的开度设定为比所述第1目标开度大的第1初始开度，之后，使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。
根据所述构成，控制装置的第1开度设定部将第1流量调整阀的开度设定为比第1目标开度大的第1初始开度。在此状态下，控制装置的第1处理液供给部将处理液经由第1配管而供给至第1喷嘴。之后，控制装置的第1开度设定部使第1流量调整阀的开度从第1初始开度减少至第1目标开度。在此状态下，控制装置的第1处理液供给部将处理液经由第1配管供给至第1喷嘴。
刚开始向第1配管以及第1喷嘴供给处理液时，第1配管以及第1喷嘴还处于冰冷状态，因此热损失量相对大。另一方面，当开始供给处理液后经过一定程度的时间时，第1配管以及第1喷嘴变暖，因此热损失量减少。因此，当以相同的流量将相同温度的处理液持续供给至第1配管以及第1喷嘴时，从第1喷嘴喷出时的处理液的温度随时间的经过而发生变化。
根据所述构成，使供给至第1配管以及第1喷嘴的处理液的流量随时间的经过而减少。换句话说，处理液的供给开始时，以相对大的流量将处理液供给至第1配管以及第1喷嘴。然后，当第1配管以及第1喷嘴变暖时，则以相对小的流量将处理液供给至第1配管以及第1喷嘴。由此，能够减少从第1喷嘴喷出时的处理液的温度的变动量。
所述基板处理装置还具备对处理液的温度进行检测的温度传感器，当由所述温度传感器所检测出的处理液的温度达到切换温度时，所述第1开度设定部使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。
根据所述构成，由温度传感器对供给至基板前的处理液或位于基板上的处理液的温度进行检测。当由温度传感器所检测出的处理液的温度达到切换温度时，即，当确认到第1配管以及第1喷嘴变暖时，控制装置的第1开度设定部使第1流量调整阀的开度从第1初始开度减少至第1目标开度。因此，能够防止尽管第1配管以及第1喷嘴变暖仍以相对大的流量将处理液持续供给至第1配管以及第1喷嘴这一情况。
温度传感器既可以对供给至基板前的处理液的温度进行检测，也可以对基板上的处理液的温度进行检测，还可以在收容第1喷嘴的腔室(chamber)内对处理液的温度进行检测。在对供给至基板前的处理液的温度进行检测的情况下，温度传感器既可以对第1配管内的处理液的温度进行检测，也可以对第1喷嘴内的处理液的温度进行检测。
本发明的另一其他实施方式提供一种基板处理方法，其是由基板处理装置所执行的方法，所述基板处理装置具备：至少一个加热器，对处理液进行加热；第1配管，对由所述至少一个加热器进行了加热的处理液进行引导；第1流量调整阀，对供给至所述第1配管的处理液的流量进行变更；第1喷嘴，将由所述第1配管引导的处理液朝向基板喷出；以及控制装置，对所述至少一个加热器与所述第1流量调整阀进行控制。
所述基板处理方法包括如下工序：信息获取工序，获取表示由所述至少一个加热器进行了加热的处理液的温度的目标值的加热温度、与从所述第1喷嘴喷出时的处理液的温度的目标值，即比所述加热温度低的第1设定温度；加热执行工序，使所述至少一个加热器以所述加热温度对处理液进行加热；第1开度决定工序，基于第1开度决定数据、与由所述信息获取工序所获取的所述加热温度以及第1设定温度，决定与第1目标流量相对应的第1目标开度，所述第1目标流量使所述第1喷出温度与所述第1设定温度一致或接近，所述第1开度决定数据是所述控制装置的存储装置中所存储的数据，且是对与在以所述加热温度被供给至所述第1配管的处理液以第1喷出温度从所述第1喷嘴被喷出时被供给至所述第1配管的处理液的流量相对应的所述第1流量调整阀的开度进行规定的数据；第1开度设定工序，将所述第1流量调整阀的开度设定为所述第1目标开度；以及第1处理液供给工序，经由所述第1配管将处理液供给至所述第1喷嘴。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
在所述实施方式中，也可将以下的特征的至少一个添加至所述基板处理方法。
所述基板处理装置还具备：第2喷嘴，喷出处理液；第2配管，将处理液引导至所述第2喷嘴；以及第2流量调整阀，对供给至所述第2配管的处理液的流量进行变更，所述控制装置的所述存储装置还存储第2开度决定数据，所述第2开度决定数据是对与在以所述加热温度被供给至所述第2配管的处理液以第2喷出温度从所述第2喷嘴被喷出时被供给至所述第2配管的处理液的流量相对应的所述第2流量调整阀的开度进行规定的数据，所述基板处理方法还包括如下工序：第2开度决定工序，基于所述存储装置中所存储的所述第2开度决定数据、与所述信息获取部所获取的所述加热温度以及第2设定温度，决定与第2目标流量相对应的第2目标开度，所述第2目标流量使所述第2喷出温度与所述第2设定温度一致或接近；第2开度设定工序，将所述第2流量调整阀的开度设定为所述第2目标开度；以及第2处理液供给工序，经由所述第2配管将处理液供给至所述第2喷嘴。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
所述基板处理装置还具备：第1基板保持机构，对利用从所述第1喷嘴喷出的处理液进行处理的基板进行保持；以及第2基板保持机构，对利用从所述第2喷嘴喷出的处理液进行处理的基板进行保持。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
所述基板处理装置还具备基板保持机构，所述基板保持机构一面水平地保持利用从所述第1喷嘴以及第2喷嘴喷出的处理液进行处理的基板，一面使所述基板围绕着通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转，所述基板处理方法还包括：第1喷出工序，使所述第1喷嘴朝向第1位置喷出处理液，所述第1位置是由所述基板保持机构所保持着的基板上的位置，第2喷出工序，使所述第2喷嘴朝向第2位置喷出处理液，所述第2位置是由所述基板保持机构所保持着的基板上的位置，且是比所述第1位置靠外侧的位置。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
所述基板处理装置还具备共用配管，将处理液供给至所述第1配管以及第2配管这两者。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
所述基板处理装置还具备共用配管，将处理液供给至所述第1配管以及第2配管这两者，所述基板处理方法通过将作为处理液的磷酸供给至露出氧化硅膜与氮化硅膜的基板，一面抑制所述氧化硅膜的蚀刻一面对所述氮化硅膜进行蚀刻。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
所述第1开度设定工序将所述第1流量调整阀的开度设定为比所述第1目标开度大的第1初始开度，之后，使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
所述基板处理装置还具备对处理液的温度进行检测的温度传感器，当由所述温度传感器所检测出的处理液的温度达到切换温度时，所述第1开度设定工序使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
本发明的进而另一实施方式提供一种基板处理装置，其具备：加热器，对处理液进行加热；处理液配管，对由所述加热器进行了加热的处理液进行引导；基板保持机构，对基板进行保持；喷嘴，将经由所述处理液配管而被供给的处理液朝向由所述基板保持机构所保持着的基板喷出；阀，对流经所述处理液配管的处理液的流量进行调节；温度传感器，对在所述处理液配管内流动的处理液的温度进行检测，信息获取机构，获取设定温度，所述设定温度是从所述喷嘴喷出的处理液的温度的目标值；以及控制装置，基于由所述温度传感器所检测出的温度与由所述信息获取机构所获取的处理液的设定温度，对所述阀的开度进行控制。根据所述构成，能够通过简易的构成来使从喷嘴喷出的处理液的温度接近目标温度。
所述控制装置也可将由所述信息获取机构所获取的所述设定温度与由所述温度传感器所检测出的处理液的温度进行比较，在由所述温度传感器所检测出的处理液的温度超过所述设定温度的情况下，对所述阀的开度进行变更，以减少所述处理液的流量，在由所述温度传感器所检测出的处理液的温度低于所述设定温度的情况下，变更所述阀的开度，以增加所述处理液的流量。根据所述构成，能够起到与前述效果相同的效果。
本发明中前述的或者进而另一目的、特征以及效果通过接下来参照附图进行叙述的实施方式的说明而明确。
附图说明
图1是从上方观察本发明的第1实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是水平地观察处理单元的内部的示意图。
图3是表示本发明的第1实施方式的药液供给系统的示意图。
图4是表示基板处理装置的电气构成的框图。
图5是用以对由基板处理装置所执行的基板的处理的一例进行说明的工序图。
图6是表示控制装置的功能块的框图。
图7是表示从开始对药液加热到将经加热的药液供给至基板为止的流程的一例的工序图。
图8是表示供给至药液喷嘴的药液的流量以及温度的时间性变化的一例的图表。
图9是表示供给至药液喷嘴的药液的流量以及温度的时间性变化的另一例的图表。
图10是表示水平地观察本发明的第2实施方式的第1药液喷嘴以及第2药液喷嘴的示意图。
图11是第1药液喷嘴以及第2药液喷嘴的示意性的平面图。
图12是从图10所示的箭头XIII的方向观察第1药液喷嘴以及第2药液喷嘴的示意图。
图13是表示本发明的第2实施方式的药液供给系统的示意图。
图14是表示供给至第1药液喷嘴以及第2药液喷嘴的药液的流量的时间性变化的一例的图表。
图15是表示供给至第1药液喷嘴以及第2药液喷嘴的药液的温度的时间性变化的一例的图表。
图16是表示本发明的第3实施方式的控制装置的功能块的框图。
图17是表示从方案(recipe)的获取开始到停止经加热的药液的供给为止的处理的流程的一例的工序图。
符号的说明
1：基板处理装置
1a：外壁
2：处理单元
3、103：控制装置
4：流体箱
5：药液柜体
6：腔室
7：FFU
8：隔壁
9：挡板
10：自旋夹头
11：夹头销
12：自旋底座
13：自旋马达
14：杯体
14a：倾斜部
14b：引导部
14c：收液部
15：杯体升降单元
16：冲洗液喷嘴
17：冲洗液配管
18：冲洗液阀
21：药液喷嘴
22：药液配管
23：流量计
24：流量调整阀
25：开闭阀
26：温度传感器
27：喷嘴移动单元
31：药液槽
32：循环配管
33：加热器
34：泵
35：过滤器
41：计算机本体
42：CPU
43：主存储装置
44：周边装置
45：辅助存储装置
46：读取装置
47：通信装置
48：输入装置
49：显示装置
51、151：信息获取部
52：加热执行部
53、153：开度决定部
54、154：开度设定部
55：处理液供给部
60：喷嘴保持架
61：第1药液喷嘴
61a：第1喷出口
61b：喷出部
61c：垂下部
61d：水平部
62：第2药液喷嘴
62a：第2喷出口
62b：下水平部
62c：垂下部
62d：上水平部
63：支架
64：第1药液配管
65：第1流量计
66：第1电动阀/电动阀
67：第1温度传感器/温度传感器
68：第2药液配管
69：第2流量计
70：第2电动阀/电动阀
71：第2温度传感器/温度传感器
A1：旋转轴线
A2：喷嘴转动轴线
C：载体
CR：中心机器人
D1：第1喷出方向
D2：第2喷出方向
D3：长度方向
d：开度决定数据/开度设定数据
HC：主计算机
IR：标引机器人
LP：装载埠
M：可移动介质
P：程序
S1～S5、S11～S18、S114～S123：步骤
W：基板
具体实施方式
图1是从上方观察本发明的第1实施方式的基板处理装置1的示意图。
基板处理装置1是对半导体晶片等圆板状的基板W一片片地进行处理的单片式装置。基板处理装置1包括保持对基板W进行收容的多个载体C的多个装载埠(load port)LP、利用处理液或处理气体等处理流体对从多个装载埠LP搬送来的基板W进行处理的多个处理单元2、与对基板处理装置1进行控制的控制装置3。
基板处理装置1还包括在装载埠LP与处理单元2之间搬送基板W的搬送机器人。搬送机器人包括标引机器人(indexer robot)IR及中心机器人(center robot)CR。标引机器人IR是在装载埠LP与中心机器人CR之间搬送基板W。中心机器人CR是在标引机器人IR与处理单元2之间搬送基板W。标引机器人IR以及中心机器人CR包括支撑基板W的手部。
基板处理装置1包含收容后述开闭阀25等流体设备的多个(四个)流体箱4。处理单元2及流体箱4配置在基板处理装置1的外壁1a中，由基板处理装置1的外壁1a覆盖。收容后述药液槽31等的多个(四个)药液柜体(cabinet)5配置在基板处理装置1的外壁1a之外。药液柜体5也可以配置在基板处理装置1的侧方，还可以配置在设置基板处理装置1的洁净室(clean room)的下方(地下)。
多个处理单元2形成了俯视时以环绕中心机器人CR的方式而配置的四个塔。各塔包含上下层叠着的三个处理单元2。四个药液柜体5分别与四个塔相对应。四个流体箱4分别与四个药液柜体5相对应。药液柜体5内的药液是经由相对应的流体箱4而供给至同一塔中所含的三个处理单元2。
图2是水平地观察处理单元2的内部的示意图。
处理单元2包括具有内部空间的箱型的腔室6、在腔室6内一面水平地保持基板W一面使基板W围绕着通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转的自旋夹头(spin chuck)10、以及接住从基板W排出的处理液的筒状的杯体(cup)14。自旋夹头10是基板保持机构及基板保持单元的一例。
腔室6包括设置有基板W所经过的搬入搬出口的箱型的隔壁8、使搬入搬出口开闭的挡板(shutter)9、以及在腔室6内形成通过过滤器而过滤的空气即洁净空气(clean air)的向下流(down flow)的风机过滤单元(fan filter unit，FFU)7。腔室6内的气温因由FFU7送来的洁净空气而维持为固定。中心机器人CR通过搬入搬出口将基板W搬入至腔室6，并通过搬入搬出口从腔室6搬出基板W。
自旋夹头10包括以水平姿势而受到保持的圆板状的自旋底座12、在自旋底座12的上方将基板W以水平姿势加以保持的多个夹头销(chuck pin)11、以及通过使多个夹头销11旋转而使基板W围绕旋转轴线A1旋转的自旋马达13。自旋夹头10并不限于使多个夹头销11与基板W的外周面接触的夹持式的夹头，还可以是通过使非器件形成面即基板W的背面(下表面)吸附于自旋底座12的上表面而水平地保持基板W的真空(vacuum)式的夹头。
杯体14包括朝向旋转轴线A1向斜上方延伸的筒状的倾斜部14a、从倾斜部14a的下端部(外端部)向下方延伸的圆筒状的引导部14b、以及形成朝向上方敞开的环状的沟槽的收液部14c。倾斜部14a包含具有大于基板W及自旋底座12的内径的圆环状的上端。倾斜部14a的上端相当于杯体14的上端。杯体14的上端在俯视时环绕着基板W及自旋底座12。
处理单元2包含使杯体14在上位置(图2所示的位置)与下位置之间铅垂地升降的杯体升降单元15，所述上位置是指杯体14的上端位于比自旋夹头10保持基板W的保持位置更上方的位置，所述下位置是指杯体14的上端位于比保持位置更下方的位置。当将处理液供给至基板W时，杯体14配置在上位置。从基板W飞散至外侧的处理液在被倾斜部14a接住之后，通过引导部14b而收集至收液部14c内。
处理单元2包括朝向由自旋夹头10保持着的基板W的上表面向下方喷出药液的药液喷嘴21。药液喷嘴21与插装有开闭阀25的药液配管22连接。处理单元2包括在处理位置与退避位置之间使药液喷嘴21水平地移动的喷嘴移动单元27，在所述处理位置，将从药液喷嘴21喷出的药液供给至基板W的上表面，在所述退避位置，药液喷嘴21在俯视时远离基板W。喷嘴移动单元27例如是使药液喷嘴21围绕着在杯体14的周围铅垂地延伸的喷嘴转动轴线A2水平移动的回旋单元。
当打开开闭阀25时，将药液从药液配管22供给至药液喷嘴21，并从药液喷嘴21喷出。药液例如是作为蚀刻液的一例的磷酸。药液也可以是磷酸以外的液体。也可以将包含例如硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、醋酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，氢氧化四甲基铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)等)、表面活性剂及防腐剂中的至少一种的液体供给至药液喷嘴21。
处理单元2包含朝向由自旋夹头10保持着的基板W的上表面向下方喷出冲洗液的冲洗液喷嘴16。冲洗液喷嘴16与插装有冲洗液阀18的冲洗液配管17连接。处理单元2也可以包括在处理位置与退避位置之间使冲洗液喷嘴16水平地移动的喷嘴移动单元，在所述处理位置，将从冲洗液喷嘴16喷出的冲洗液供给至基板W，在所述退避位置，冲洗液喷嘴16在俯视时远离基板W。
当打开冲洗液阀18时，将冲洗液从冲洗液配管17供给至冲洗液喷嘴16，并从冲洗液喷嘴16喷出。冲洗液例如为纯水(去离子水：Deionized water)。冲洗液并不限于纯水，还可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水及稀释浓度(例如，10ppm～100ppm程度)的盐酸水中的任一者。
图3是表示本发明的第1实施方式的药液供给系统的示意图。图3中，利用点划线表示流体箱4，利用双点划线表示药液柜体5。点划线所围绕的区域中配置的构件是配置在流体箱4内，双点划线所围绕的区域中配置的构件是配置在药液柜体5内。
基板处理装置1包括分别对应于由多个处理单元2所形成的多个塔的多个药液供给系统。药液供给系统将药液供给至相同的塔中所包括的所有的处理单元2。图3示出了一个药液供给系统、与对应于所述药液供给系统的3个处理单元2。
药液供给系统包括对供给至基板W的药液进行贮存的药液槽31、与形成使药液槽31内的药液循环的环状的循环路径的循环配管32。药液供给系统还包括将药液槽31内的药液送至循环配管32的泵34、将颗粒(particle)等异物从药液中除去的过滤器(filter)35、与通过对药液进行加热来对药液槽31内的药液的温度进行调整的加热器33。泵34、过滤器35、以及加热器33插装于循环配管32。
泵34始终将药液槽31内的药液送至循环配管32内。药液供给系统也可以具备通过使药液槽31内的气压上升而将药液槽31内的药液挤出至循环配管32的加压装置来代替泵34。泵34以及加压装置均是将药液槽31内的药液送至循环配管32的送液装置的一例。
循环配管32的上游端以及下游端连接于药液槽31。药液被从药液槽31送至循环配管32的上游端，并从循环配管32的下游端返回药液槽31。由此，药液槽31内的药液在循环路径中循环。在药液在循环路径中循环期间，药液中所含的异物被过滤器35除去，并且药液被加热器33加热。由此，药液槽31内的药液被维持在高于室温的固定的温度。
分别对应于相同的塔中所包括的三个处理单元2的三个药液配管22连接于相同的循环配管32。因此，相同的药液槽31内的药液被供给至相同的塔所包括的三个处理单元2。流量计23、流量调整阀24、开闭阀25、以及温度传感器26插装于各自的药液配管22。
经由药液配管22而被供给至药液喷嘴21的药液的流量由流量调整阀24进行变更。对药液喷嘴21的药液的供给以及供给停止的切换由开闭阀25进行。当开闭阀25打开时，药液以与流量调整阀24的开度相对应的流量供给至药液喷嘴21。经由药液配管22而被供给至药液喷嘴21的药液的流量由流量计23进行检测。药液配管22内的药液的温度由温度传感器26进行检测。流量计23以及温度传感器26的检测值被输入至控制装置3。
图4是表示基板处理装置1的电气构成的框图。
控制装置3包括计算机本体41、以及连接于计算机本体41的周边装置44。计算机本体41包括执行各种命令的中央处理器(central processing unit，CPU)42(中央处理装置)、以及存储信息的主存储装置43。周边装置44包括存储程序P等信息的辅助存储装置45、从可移动介质(removable media)M读取信息的读取装置46、以及与主计算机HC等其他装置进行通信的通信装置47。
控制装置3与输入装置48及显示装置49连接。输入装置48是在用户或维护负责人等操作者将信息输入至基板处理装置1时被操作。信息显示在显示装置49的画面上。输入装置48既可以是键盘、定点设备(pointing device)及触摸屏中的任一者，也可以是这些以外的装置。也可以将兼作输入装置48及显示装置49的触摸屏显示器设置在基板处理装置1中。
CPU 42执行辅助存储装置45中所存储的程序P。辅助存储装置45内的程序P既可以预先安装在控制装置3中，也可以通过读取装置46从可移动介质M发送至辅助存储装置45，还可以从主计算机HC等外部装置通过通信装置47发送至辅助存储装置45。
辅助存储装置45及可移动介质M是即使没有被供电，也保持存储的非易失性存储器。辅助存储装置45例如是硬盘驱动器等磁性存储装置。可移动介质M例如是高密度磁盘(compact disk)等光盘或存储卡等半导体存储器。可移动介质M是记录有程序P的计算机可读取的记录介质的一例。
辅助存储装置45存储有多个方案。方案是规定基板W的处理内容、处理条件及处理顺序的信息。方案中包含后述的设定温度。多个方案在基板W的处理内容、处理条件及处理顺序中的至少一者上互不相同。控制装置3是以按照通过主计算机HC而指定的方案(recipe)处理基板W的方式来控制基板处理装置1。以下各工序是通过由控制装置3控制基板处理装置1来执行。换句话说，控制装置3被编写成执行以下各工序。
图5是用以对由基板处理装置1所执行的基板W的处理的一例进行说明的工序图。
基板W的处理的具体例是将磷酸供给至露出氮化硅膜与氧化硅膜的基板W(硅晶片)的表面(器件形成面)，并选择性地对氮化硅膜进行蚀刻的选择蚀刻。在此情况下，作为药液的一例的磷酸(严格来说是磷酸水溶液)由加热器33(参照图3)维持在其浓度下的沸点。基板W的处理既可以是使用磷酸以外的蚀刻液的选择蚀刻，也可以是清洗等选择蚀刻以外的处理。
当利用基板处理装置1处理基板W时，进行将基板W搬入至腔室6内的搬入工序(图5的步骤S1)。
具体来说，在药液喷嘴21从基板W的上方退避，杯体14位于下位置的状态下，中心机器人CR(参照图1)一面利用手部支撑基板W，一面使手部进入至腔室6内。然后，中心机器人CR在基板W的表面朝向上方的状态下将手部上的基板W放置在自旋夹头10上。自旋马达13在利用夹头销11握持基板W之后，使基板W开始旋转。中心机器人CR在将基板W放置在自旋夹头10上之后，使手部从腔室6的内部退避。
其次，进行药液供给工序，将作为药液的一例的磷酸供给至基板W(图5的步骤S2)。
具体来说，喷嘴移动单元27使药液喷嘴21移动至处理位置，杯体升降单元15使杯体14上升至上位置为止。然后，打开开闭阀25，药液喷嘴21开始喷出磷酸。在药液喷嘴21喷出磷酸时，喷嘴移动单元27既可使药液喷嘴21在中央处理位置与外周处理位置之间移动，也可以磷酸的着液位置位于基板W的上表面中央部的方式使药液喷嘴21静止，在所述中央处理位置，从药液喷嘴21喷出的磷酸附着在基板W的上表面中央部，在所述外周处理位置，从药液喷嘴21喷出的磷酸附着在基板W的上表面外周部。
从药液喷嘴21喷出的磷酸附着在基板W的上表面之后，沿正在旋转的基板W的上表面向外侧流动。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的磷酸的液膜，对基板W的上表面整个区域供给磷酸。尤其是当喷嘴移动单元27使药液喷嘴21在中央处理位置与外周处理位置之间移动时，会在磷酸的着液位置上对基板W的上表面整个区域进行扫描，因此将磷酸均匀地供给至基板W的上表面整个区域。由此，对基板W的上表面均匀地进行处理。当打开开闭阀25之后经过规定时间时，关闭开闭阀25。之后，喷嘴移动单元27使药液喷嘴21移动至退避位置。
其次，进行冲洗液供给工序，将作为冲洗液的一例的纯水供给至基板W的上表面(图5的步骤S3)。
具体来说，打开冲洗液阀18，冲洗液喷嘴16开始喷出纯水。附着在基板W的上表面的纯水沿正在旋转的基板W的上表面向外侧流动。基板W上的磷酸是利用从冲洗液喷嘴16喷出的纯水来冲洗。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜。当打开冲洗液阀18之后经过规定时间时，关闭冲洗液阀18，停止喷出纯水。
其次，进行干燥工序，通过基板W的旋转而使基板W干燥(图5的步骤S4)。
具体来说，自旋马达13使基板W沿旋转方向加速，从而使基板W以大于药液供给工序及冲洗液供给工序中的基板W的旋转速度的高旋转速度(例如数千rpm)旋转。由此，将液体从基板W去除，使基板W干燥。当基板W开始高速旋转后经过规定时间时，自旋马达13停止旋转。由此，基板W停止旋转。
其次，进行搬出工序，从腔室6搬出基板W(图5的步骤S5)。
具体来说，杯体升降单元15使杯体14下降至下位置为止。然后，中心机器人CR(参照图1)使手部进入至腔室6内。中心机器人CR在多个夹头销11解除对基板W的握持之后，利用手部支撑自旋夹头10上的基板W。之后，中心机器人CR一面利用手部支撑基板W，一面使手部从腔室6的内部退避。由此，从腔室6搬出处理完毕的基板W。
图6是表示控制装置3的功能块的框图。表1是表示控制装置3中所存储的开度决定数据的一例的表。图6中所示的信息获取部51、加热执行部52、开度决定部53、开度设定部54、以及处理液供给部55是通过由CPU 42执行安装于控制装置3中的程序P来实现的功能块。
控制装置3包括获取输入至基板处理装置1中的信息的信息获取部51。由信息获取部51所获取的信息既可以是从主计算机HC等外部装置输入至基板处理装置1的信息，也可以是由操作者经由输入装置48而输入至基板处理装置1的信息。信息获取部51所获取的信息中包含后述的加热温度以及设定温度。
控制装置3包括使加热器33以加热温度对药液进行加热的加热执行部52。加热温度是由加热器进行了加热的药液的温度的目标值。加热温度例如是在主计算机HC指定方案之前输入至基板处理装置1。加热执行部52例如从收容有应处理的基板W的载体C被搬送至基板处理装置1之前，一直使加热器33以加热温度对药液进行加热。因此，当载体C被搬送至基板处理装置1，则能够立刻开始基板W的搬送以及处理。
控制装置3包括多组开度决定部53以及开度设定部54、与处理液供给部55。控制装置3将多个开度决定数据存储于辅助存储装置45中。多个开度决定数据分别与多个处理单元2相对应。同样地，多组开度决定部53以及开度设定部54分别与多个处理单元2相对应。即，专用的开度设定数据、开度决定部53、以及开度设定部54针对每个处理单元2而设置。
开度决定数据是对加热温度、喷出温度、以及供给流量的关系进行规定的数据。加热温度是由加热器33进行了加热的药液的温度的目标值。喷出温度是从药液喷嘴21喷出时的药液的实际的温度。供给流量是以加热温度被供给至药液配管22的药液以喷出温度从药液喷嘴21喷出时被供给至药液配管22的药液的实际的流量。流量调整阀24的开度与供给至药液配管22的药液的流量成正比例的关系。因此，开度决定数据也可以说是对加热温度、喷出温度、以及开度的关系进行规定的数据。
从药液喷嘴21喷出时的药液的温度的目标值，即设定温度由信息获取部51获取。流量调整阀24的开度的目标值，即，供给至药液配管22的药液的流量的目标值是基于开度决定数据、加热温度、与设定温度而决定。将流量调整阀24的开度的目标值定义为目标开度。开度决定数据既可以是对加热温度、喷出温度、以及目标开度的多个组合进行规定的矩阵(matrix)，也可以是根据加热温度以及喷出温度计算目标开度的计算式。
表1示出了开度决定数据为矩阵的示例。在表1中，Thx表示加热温度，Tdy表示喷出温度，θxy表示目标开度(x以及y表示正整数)。左端的列包含多个加热温度。上端的行包含多个喷出温度。当对加热温度以及喷出温度各确定一个时，会确定出与它们相对应的一个目标开度。在左端的列中不包含信息获取部51所获取的加热温度的情况下，从左端的列选择最接近的值即可。同样地，在上端的行中不包含信息获取部51所获取的喷出温度的情况下，从上端的行选择最接近的值即可。
[表1]
Td1 Td2 Td3 Td4 Td5
Th1 θ11 θ21 θ31 θ41 θ51
Th2 θ12 θ22 θ32 θ42 θ52
Th3 θ13 θ23 θ33 θ43 θ53
Th4 θ14 θ24 θ34 θ44 θ54
Th5 θ15 θ25 θ35 θ45 θ55
Thx：加热温度
Tdy：喷出温度
θxy：目标开度
(x＝1、2、3...)
(y＝1、2、3...)
开度决定部53基于开度决定数据与信息获取部51所获取的加热温度以及设定温度来决定与目标流量相对应的目标开度，所述目标流量使喷出温度与设定温度一致或接近。目标流量是供给至药液配管22的药液的流量的目标值。开度设定部54将流量调整阀24的开度设定为目标开度。处理液供给部55借助对开闭阀25进行开闭，在此状态下将药液供给至药液喷嘴21。关于流量调整阀24的具体的动作将后述。
图7是表示从开始对药液加热到将经加热的药液供给至基板W为止的流程的一例的工序图。
在开始加热应供给至基板W的药液时，由控制装置3的信息获取部51获取表示由加热器33进行了加热的药液的温度的目标值的加热温度(图7的步骤S11)。之后，控制装置3的加热执行部52使加热器33以加热温度对药液进行加热(图7的步骤S12)。由此，开始药液的加热，药液槽31内的药液的温度上升。当开始药液的加热后经过一定程度的时间时，药液槽31内的药液以加热温度或与所述加热温度几乎相同的温度得到稳定。
应由基板处理装置1进行处理的基板W在被收容于载体C中的状态下被搬送至装载埠LP(图7的步骤S13)。当载体C被搬送至装载埠LP时，指定应适用于载体C内的基板W的方案的信号从主计算机HC输入至控制装置3(图7的步骤S14)。由此，由控制装置3的信息获取部51获取从药液喷嘴21喷出时的药液的温度的目标值，即比加热温度低的设定温度(图7的步骤S15)。
控制装置3的开度决定部53基于控制装置3中所存储的开度决定数据与信息获取部51所获取的加热温度以及设定温度来决定与目标流量相对应的目标开度，所述目标流量使喷出温度与设定温度一致或接近(图7的步骤S16)。之后，开度设定部54将流量调整阀24的开度设定为目标开度(图7的步骤S17)。处理液供给部55在此状态下经由药液配管22将药液供给至药液喷嘴21(图7的步骤S18)。对药液喷嘴21的药液的供给，既可以是在将流量调整阀24的开度设定为目标开度之后开始，也可以在此之前开始。图8以及图9示出了后者。
图8是表示供给至药液喷嘴21的药液的流量以及温度的时间性变化的一例的图表。图9是表示供给至药液喷嘴21的药液的流量以及温度的时间性变化的另一例的图表。
在开始从药液喷嘴21喷出药液时，控制装置3使流量调整阀24的开度增加至与由方案所指定的指定流量相对应的开度。与指定流量相对应的流量调整阀24的开度是比目标开度大的初始开度的一例。在将流量调整阀24的开度设定为与指定流量相对应的大小之后，控制装置3打开开闭阀25，使药液喷嘴21开始喷出药液。
在药液的喷出开始之后，以使药液以由方案所指定的指定流量从药液喷嘴21喷出的方式，进行基于流量计23的检测值来变更流量调整阀24的开度的流量反馈(feedback)控制。具体来说，控制装置3基于流量计23的检测值使流量调整阀24的开度增加以及减少。
如图8所示，从药液喷嘴21喷出的药液的流量，即喷出流量自开闭阀25打开之后急剧增加，达到指定流量附近。之后，通过流量反馈控制喷出流量以指定流量或在指定流量附近得到稳定。另一方面，从药液喷嘴21喷出时的药液的温度，即喷出温度比流量的增加稍微延迟后开始急剧增加。
控制装置3对基于温度传感器26的检测值而计算出的检测温度进行监视。当检测温度达到切换温度时，控制装置3以将检测温度限制于包含设定温度的设定温度范围内的方式，进行基于温度传感器26的检测值来变更流量调整阀24的开度的温度反馈控制。设定温度例如是设定温度范围的中央值。只要是设定温度范围内的值，则设定温度也可以不为设定温度范围的中央值。
当开始温度反馈控制时，控制装置3使表示供给至药液喷嘴21的药液的流量的目标值的设定流量从指定流量减少至目标流量。具体来说，控制装置3事先基于开度设定数据、加热温度与设定温度，决定与目标流量相对应的目标开度，所述目标流量使喷出温度与设定温度一致或接近。当开始温度反馈控制时，控制装置3使流量调整阀24的开度减少并接近目标开度。之后，控制装置3基于温度传感器26的检测值而使流量调整阀24的开度增减。
图8示出了如下示例，即当检测温度达到切换温度时使喷出流量急剧减少，之后使喷出流量增加以及减少。检测温度在温度反馈控制开始后限制于设定温度范围内。在温度反馈控制的执行过程中，检测温度虽然在设定温度范围内增加以及减少，但其变动量随时间的经过而减少。当开始温度反馈控制后经过一定程度的时间时，检测温度以设定温度范围的中央值或在所述中央值的附近得到稳定。由此，与设定温度相等或大致相等的温度的药液从药液喷嘴21喷出。
图8所示的示例中，对执行温度反馈控制的情况进行了说明，但如图9所示，控制装置3也可以不执行温度反馈控制。在图9所示的示例中，与图8所示的示例同样地，最初将设定流量设定为指定流量，将流量调整阀24的开度设定为与指定流量相对应的值。之后，控制装置3将流量调整阀24的开度变更为目标开度。将流量调整阀24的开度变更为目标开度的时机(timing)既可以是检测温度达到切换温度时，也可以是从打开开闭阀25之后经过规定的时间时。在后者的情况下，在控制装置3中配备定时器(timer)。在此情况下，不需要温度传感器26。
从药液槽31开始到药液喷嘴21为止的流路的长度有时因多个药液喷嘴21而不同。在此情况下，直至供给至基板W为止所损失的药液的热量，因流路而不同。开度决定数据是针对每个药液喷嘴21而设，流量调整阀24的开度的设定是针对每个药液喷嘴21来执行。即，使喷出温度与设定温度一致或接近的控制是针对每个药液喷嘴21来执行。由此，能够减轻多个药液喷嘴21中喷出温度的偏差，能够降低利用不同的处理单元2所处理的多枚基板W间的处理品质之差。
如上所述在第1实施方式中，由加热器33以加热温度进行了加热的药液经由药液配管22而被供给至药液喷嘴21。表示从药液喷嘴21喷出时的药液的温度的喷出温度不仅相应于供给至药液配管22的药液的温度而发生变化，也相应于供给至药液配管22的药液的流量而发生变化。即，当药液的供给流量减少时，喷出温度下降，当药液的供给流量增加时，喷出温度上升。这是因为：热损失量与药液的供给流量无关而大致固定，与此相对，药液的热容量相应于药液的供给流量而发生变化。
即使加热温度相同，如果药液的供给流量不同，则喷出温度也不同。对这些关系进行规定的开度决定数据存储于控制装置3中。关于药液的供给流量，是以喷出温度与设定温度一致或接近的方式基于开度决定数据而设定。即，对药液的供给流量进行规定的流量调整阀24的开度被设定为与使喷出温度与设定温度一致或接近的目标流量相对应的目标开度。在此状态下，具有加热温度的药液被供给至药液配管22。由此，具有设定温度或与所述设定温度几乎相同的温度的药液从药液喷嘴21喷出。
如此，不仅恰当地对加热器33的温度进行管理，而且相应于加热温度以及设定温度而恰当地对供给至药液配管22以及药液喷嘴21的药液的流量，即，药液的热容量进行设定，因此，能够以更高的精度对从药液喷嘴21喷出时的药液的温度进行控制。由此，能够减少想要的温度与供给至基板W的药液的实际的温度之差。并且，如果改变流量调整阀24的开度，则能够不改变加热器33的温度而变更供给至基板W的药液的温度。因此，与改变加热器33的温度的情况相比，能够在短时间内变更药液的温度。
在第1实施方式中，在作为共用配管的一例的循环配管32内流动的药液被供给至多个药液配管22。因此，至少成分相等的药液从多个药液喷嘴21喷出。从多个药液喷嘴21喷出的药液被供给至不同的基板W。因此能够将至少成分相等的药液供给至不同的基板W，能够降低多枚基板W间的处理的偏差。
在第1实施方式中，控制装置3的开度设定部54将流量调整阀24的开度设定为比目标开度大的初始开度。具体来说，控制装置3的开度设定部54将流量调整阀24的开度设定为与由方案所指定的指定流量相对应的开度。在此状态下，控制装置3的处理液供给部55经由药液配管22而将药液供给至药液喷嘴21。之后，控制装置3的开度设定部54使流量调整阀24的开度从初始开度减少至目标开度。在此状态下，控制装置3的处理液供给部55经由药液配管22而将药液供给至药液喷嘴21。
刚开始向药液配管22以及药液喷嘴21供给药液时，药液配管22以及药液喷嘴21还处于冰冷状态，因此热损失量相对大。另一方面，当开始供给药液后经过一定程度的时间时，药液配管22以及药液喷嘴21变暖，因此热损失量减少。因此，当以相同的流量将相同温度的药液持续供给至药液配管22以及药液喷嘴21时，从药液喷嘴21喷出时的药液的温度随时间的经过而发生变化。
在第1实施方式中，使供给至药液配管22以及药液喷嘴21的药液的流量随时间的经过而减少。换句话说，药液的供给开始时，以相对大的流量将药液供给至药液配管22以及药液喷嘴21。然后，当药液配管22以及药液喷嘴21变暖时，则以相对小的流量将药液供给至药液配管22以及药液喷嘴21。由此，能够减少从药液喷嘴21喷出时的药液的温度的变动量。
在第1实施方式中，由温度传感器26检测供给至基板W前的药液的温度。当由温度传感器26所检测出的药液的温度达到切换温度时，即，当确认到药液配管22以及药液喷嘴21变暖时，控制装置3的开度设定部54使流量调整阀24的开度减少至目标开度。因此，能够防止尽管药液配管22以及药液喷嘴21变暖仍以相对大的流量将药液持续供给至药液配管22以及药液喷嘴21这一情况。
其次，对本发明的第2实施方式进行说明。
第2实施方式相对于第1实施方式主要的不同点在于：将朝向相同的基板W喷出同种的处理液的多个喷嘴设于相同的处理单元2。
以下的图10～图15中，对与前述图1～图9中所示的构成相同的构成标注与图1等相同的参照符号并省略其说明。
图10是水平地观察本发明的第2实施方式的第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62的示意图。图11是第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62的示意性的平面图。图12是从图10所示的箭头XIII的方向观察第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62的示意图。图10～图12示出了将第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62配置于处理位置的状态。
如图10所示，处理单元2包括：第1药液喷嘴61，设有朝向基板W的上表面喷出药液的第1喷出口61a；以及第2药液喷嘴62，设有朝向基板W的上表面喷出药液的多个第2喷出口62a。第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62保持于喷嘴保持架(holder)60上。喷嘴移动单元通过使喷嘴保持架60移动而使第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62在处理位置与退避位置之间移动。
第1药液喷嘴61包括：水平部61d，朝远离喷嘴保持架60的方向水平延伸；垂下部61c，从水平部61d向下方延伸；以及喷出部61b，从垂下部61c向下方延伸，且比垂下部61c细。第2药液喷嘴62包括：上水平部62d，朝远离喷嘴保持架60的方向水平延伸；垂下部62c，从上水平部62d向下方延伸；以及下水平部62b，从垂下部62c向喷嘴转动轴线A2水平延伸。
第1药液喷嘴61的水平部61d与第2药液喷嘴62的上水平部62d彼此平行，且沿水平的长度方向D3延伸。第1药液喷嘴61在长度方向D3上比第2药液喷嘴62短。如图11所示，在第2药液喷嘴62配置在处理位置时，第2药液喷嘴62的垂下部62c在俯视时与基板W的中央部重叠，第2药液喷嘴62的下水平部62b的外端部在俯视时与基板W的外周部重叠。
第2药液喷嘴62的上水平部62d配置于第2药液喷嘴62的下水平部62b的上方，在俯视时与下水平部62b重叠。如图10所示，下水平部62b经由从上水平部62d向下方延伸的支架(bracket)63而支撑于上水平部62d。多个第2喷出口62a设于第2药液喷嘴62的下水平部62b。多个第2喷出口62a沿与长度方向D3一致的下水平部62b的轴向排列。在第2药液喷嘴62配置于处理位置时，最内侧的第2喷出口62a位于比设于第1药液喷嘴61的喷出部61b处的第1喷出口61a靠内侧，即旋转轴线A1侧，最外侧的第2喷出口62a位于比第1喷出口61a靠外侧。
在第1药液喷嘴61配置于处理位置时，第1药液喷嘴61朝向基板W的上表面中央部喷出药液。在第2药液喷嘴62配置于处理位置时，第2药液喷嘴62朝向除中央部之外的基板W的上表面上的多个着液位置喷出药液。多个着液位置与旋转轴线A1的距离互不相同。只要与旋转轴线A1的距离互不相同，则多个着液位置也可在基板W的圆周方向(基板W的旋转方向)上错开。
如图10以及图12所示，第1喷出口61a沿第1喷出方向D1喷出药液，所述第1喷出方向D1是从第1喷出口61a朝向基板W的上表面中央部的方向。第2喷出口62a沿第2喷出方向D2喷出药液，所述第2喷出方向D2是从第2喷出口62a朝向基板W的上表面的方向。第1喷出方向D1是相对于基板W的上表面沿基板W的径向倾斜的斜方向。第2喷出方向D2是相对于基板W的上表面沿基板W的圆周方向倾斜的斜方向。第1喷出方向D1以及第2喷出方向D2的至少一者也可以是相对于基板W的上表面垂直的铅垂方向。
在自旋夹头10使基板W旋转时，从第1药液喷嘴61的第1喷出口61a喷出的药液附着于基板W的上表面中央部，并沿基板W的上表面流向外侧。从第2药液喷嘴62的多个第2喷出口62a喷出的药液附着于基板W的上表面上的多个着液位置，并沿基板W的上表面流向外侧。由此，形成覆盖基板W的上表面整个区域的药液的液膜，将药液均匀地供给至基板W的上表面的各部。
图13是表示本发明的第2实施方式的药液供给系统的示意图。
第1药液喷嘴61连接于第1药液配管64，第2药液喷嘴62连接于第2药液配管68。第1药液配管64以及第2药液配管68连接于循环配管32。因此，相同的药液槽31内的药液被供给至第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62。第1流量计65、第1电动阀66以及第1温度传感器67插装于第1药液配管64。同样地，第2流量计69、第2电动阀70以及第2温度传感器71插装于第2药液配管68。
第1电动阀66以及第2电动阀70均是进行液体的供给以及供给停止的切换与液体的供给流量的变更的电动阀。电动阀包括形成流路的阀体(valve body)、配置于流路内的阀元件(valve element)、与使阀元件移动的电动致动器(actuator)。阀元件可在全闭位置与全开位置之间移动，在所述全闭位置，电动阀通过阀元件与阀座的接触而关闭，在所述全开位置，电动阀的开度最大。控制装置3通过控制电动致动器来使阀元件位于从全闭位置到全开位置的范围内的任意位置。
处理单元2也可以具备开闭阀25与流量调整阀24来代替第1电动阀66。同样地，处理单元2也可以具备开闭阀25与流量调整阀24来代替第2电动阀70。开闭阀25是会完全关闭的阀，流量调整阀24是不会完全关闭的阀。开闭阀25的阀元件可在阀元件接触阀座的全闭位置与阀元件离开阀座的全开位置之间移动。流量调整阀24的阀元件可在阀元件离开阀座的低流量位置与阀元件离开阀座的高流量位置之间移动。阀元件配置于低流量位置时的流量调整阀24的开度小于阀元件配置于高流量位置时的流量调整阀24的开度。
第1温度传感器67配置于第1流量计65以及第1电动阀66的下游。即，第1温度传感器67相对于第1流量计65以及第1电动阀66配置于第1药液喷嘴61侧。同样地，第2温度传感器71相对于第2流量计69以及第2电动阀70配置于第2药液喷嘴62侧。第1温度传感器67以及第2温度传感器71配置于腔室6之中。图10以及图11示出了将第1温度传感器67以及第2温度传感器71配置于喷嘴保持架60上的示例。
第1温度传感器67的温度检测位置靠近第1药液喷嘴61，因此能够使基于第1温度传感器67的检测值而计算出的第1检测温度接近从第1药液喷嘴61喷出时的药液的实际的温度。同样地，第2温度传感器71的温度检测位置靠近第2药液喷嘴62，因此能够使基于第2温度传感器71的检测值而计算出的第2检测温度接近从第2药液喷嘴62喷出时的药液的实际的温度。由此，能够以更高的精度对从第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62喷出时的药液的实际的温度进行监视。
图14是表示供给至第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62的药液的流量的时间性变化的一例的图表。图15是表示供给至第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62的药液的温度的时间性变化的一例的图表。
控制装置3的辅助存储装置45存储有多个方案与多个开度决定数据(参照图4)。多个开度决定数据中包含对应于第1药液喷嘴61的第1开度决定数据与对应于第2药液喷嘴62的第2开度决定数据。方案中包含表示从第1药液喷嘴61喷出的药液的流量的目标值的第1指定流量、与表示从第2药液喷嘴62喷出的药液的流量的目标值的第2指定流量。并且，方案中包含表示从第1药液喷嘴61喷出的药液的温度的目标值的第1设定温度、与表示从第2药液喷嘴62喷出的药液的温度的目标值的第2设定温度。
第1指定流量是比第1目标开度大的第1初始开度的一例，第2指定流量是比第2目标开度大的第2初始开度的一例。第1指定流量以及第2指定流量既可以是彼此相等的值，也可以是互不相同的值。第1设定温度以及第2设定温度也一样。图14示出了第1指定流量少于第2指定流量的示例。图15示出了第1设定温度低于第2设定温度的示例。
在开始向第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62供给药液时，控制装置3使第1电动阀66的开度增加至与第1指定流量相对应的开度。同样地，控制装置3使第2电动阀70的开度增加至与第2指定流量相对应的开度。在第2实施方式中，第1电动阀66以及第2电动阀70兼作开闭阀25，因此当第1电动阀66以及第2电动阀70打开时，药液开始从第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62喷出。图14中示出了第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62同时开始喷出药液的示例。但是，第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62也可以在互不相同的时期开始喷出药液。
如图15所示，当第1电动阀66以及第2电动阀70打开时，第1检测温度以及第2检测温度急剧增加。当第1检测温度达到第1切换温度时，控制装置3开始温度反馈控制，使第1电动阀66的开度接近第1目标开度。同样地，当第2检测温度达到第2切换温度时，控制装置3开始温度反馈控制，使第2电动阀70的开度接近第2目标开度。第1目标开度是基于第1开度决定数据、加热温度与第1设定温度而决定的值。第2目标开度是基于第2开度决定数据、加热温度与第2设定温度而决定的值。第1目标温度低于第2目标温度。
当开始温度反馈控制时，控制装置3基于第1温度传感器67的检测值而使第1电动阀66的开度增减。同样地，控制装置3基于第2温度传感器71的检测值而使第2电动阀70的开度增减。当开始温度反馈控制后经过一定程度的时间时，第1检测温度限制于包含第1设定温度的第1设定温度范围内，第2检测温度限制于包含第2设定温度的第2设定温度范围内。由此，与第1设定温度以及第2设定温度相等或大致相等的温度的药液从第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62喷出。
如上所述在第2实施方式中，从第1药液喷嘴61喷出的药液与从第2药液喷嘴62喷出的药液被供给至相同的基板W。第1药液喷嘴61朝向基板W的上表面中央部喷出药液，第2药液喷嘴62朝向基板W的上表面上的多个着液位置喷出药液。多个着液位置是在基板W的径向上比基板W的上表面中央部靠外侧的位置。因此，从第2药液喷嘴62喷出的药液在从第1药液喷嘴61喷出的药液的外侧附着于基板W上。
基板W上的药液的温度存在随着远离旋转轴线A1而下降的倾向。如果对第1电动阀66以及第2电动阀70的开度进行个别设定，则可有意识地使从第2药液喷嘴62喷出时的药液的实际的温度高于从第1药液喷嘴61喷出时的药液的实际温度。由此，能够降低基板W上的药液的温度的偏差，并能够提高处理的均匀性。当然也能够从第1药液喷嘴61以及第2药液喷嘴62喷出相同温度或几乎相同温度的药液。
其次，对本发明的第3实施方式进行说明。
第3实施方式与第1实施方式以及第2实施方式主要的不同点在于：在第3实施方式中，流量调整阀24以及电动阀66、电动阀70的设定开度基于温度传感器26、温度传感器67、温度传感器71所输出的药液配管22中的药液的检测温度、与信息获取部所获取的设定温度而动态变更。下述内容可应用于第1实施方式以及第2实施方式中的任一者，但以下，以第1实施方式的构成为例进行说明。
图16是表示本发明的第3实施方式的控制装置103的功能块的框图。表2是表示控制装置103中所存储的开度决定数据d的一例的表。图16所示的信息获取部151、开度决定部153、以及开度设定部154是通过CPU 42执行安装于控制装置103中的程序P来实现的功能块。开度决定部153以及开度设定部154针对每个药液喷嘴21而设。信息获取部151是信息获取机构的一例。
基板处理方案中规定有从药液喷嘴21喷出的药液的设定温度以及药液喷出时间。信息获取部151从所述方案获取药液的设定温度。温度传感器26探测流经各处理单元2的药液配管22的药液的温度并将其输出至信息获取部151。信息获取部151获取药液的检测温度、设定温度以及开度设定数据d，并将其输出至开度决定部153。开度决定部153基于从信息获取部151输出的信息来决定设定开度。开度设定部154以使各流量调整阀24成为由开度决定部153所决定的设定开度的方式对所述各流量调整阀24进行控制。
表2是表示第3实施方式中开度决定数据d的一例的表，所述表中存储有3等级的开度设定数据。最小开度p1对应于流量调整阀24的最小开度，最大开度p3对应于流量调整阀24的最大开度。中间开度p2是能够使如下中间流量流过的流量调整阀24的开度，所述中间流量是设定为最小开度p1时流经流量调整阀24的流量与设定为最大开度p3时流经流量调整阀24的流量的中间流量。开度设定数据d也可以因方案以及流量调整阀24而不同。
[表21
最小开度 p1
中间开度 p2
最大开度 p3
图17是表示第3实施方式中流量调整阀24的调整的工序图。在开始图17的工序的时间点，药液被加热且在循环配管32(参照图2)中循环，药液的温度以设定温度而得到稳定。另外，处理单元2的自旋底座12上保持有基板W。
首先，指定要由处理单元2执行的方案(步骤S114)。其次，信息获取部151从经指定的方案中获取药液的设定温度与药液的喷出时间。另外，信息获取部151获取与经指定的方案相对应的开度决定数据d(步骤S115)。信息获取部151参照步骤S115中所获取的开度决定数据d而获取中间开度p2(步骤S116)。开度设定部154以使流量调整阀24成为中间开度p2的方式对所述流量调整阀24进行调整(步骤S117)。处理液供给部55在此状态下经由药液配管22将药液供给至药液喷嘴21(步骤S118)。由此，药液以中间流量从药液喷嘴21朝向基板W喷出。药液的喷出开始后，信息获取部151获取由温度传感器26获取的药液的检测温度(步骤S119)。
其次，开度决定部153基于在步骤S119中所获取的检测温度与设定温度的大小关系来决定新的开度(步骤S120)。
即，在检测温度超过设定温度的情况下，为了使药液的流量减少，而将比现在的设定开度稍小且不低于最小开度p1的开度决定为最新开度。在检测温度低于设定温度的情况下，为了使药液的流量增加，而将比现在的设定开度稍大且不超过最大开度p3的开度决定为最新开度。在检测温度与设定温度相同的情况下，将现在的设定开度维持为最新开度。
之后，开度设定部154以使流量调整阀24成为在步骤S120中所决定的设定开度的方式对所述流量调整阀24进行控制(步骤S121)。
之后，开度设定部154判断是否经过了方案中所规定的药液喷出时间(步骤S122)。
当开度设定部154判断为经过了规定的药液喷出时间时，转移至步骤S123，处理液供给部55停止对药液喷嘴21的药液供给。另一方面，当开度设定部154判断为未经过药液喷出时间时，回到步骤S119，再次执行所述步骤S119至步骤S122的处理循环(cycle)。
其他实施方式
本发明不限于所述实施方式的内容，可进行各种变更。
例如，在所述实施方式中，对通过流量的设定来控制药液的温度的情况进行了说明，但也可以通过流量的设定来对药液以外的液体的温度进行控制。
也可以针对每个药液喷嘴21来设置药液槽31与加热器33。
对在开始向药液喷嘴21供给药液时，使流量调整阀24的开度增加至与由方案所指定的指定流量相对应的开度(初始开度)，之后使所述流量调整阀24的开度减少至目标开度的情况进行了说明，但只要比目标开度大，则初始开度也可以是不同于与指定流量相对应的开度的开度。
设于第1药液喷嘴61的第1喷出口61a的数量也可以是两个以上。与此相反，设于第2药液喷嘴62的第2喷出口62a的数量，也可以是一个。
基板处理装置1并不限于对圆板状的基板W进行处理的装置，也可以是对多边形的基板W进行处理的装置。
也可以对前述所有的构成的两个以上进行组合。也可以对前述所有的工序的两个以上进行组合。
另外，能够在权利要求中所记载的事项的范围内实施各种设计变更。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其特征在于，其具备：
至少一个加热器，对处理液进行加热；
第1配管，对由所述至少一个加热器进行了加热的所述处理液进行引导；
第1流量调整阀，对供给至所述第1配管的所述处理液的流量进行变更；
第1喷嘴，将由所述第1配管引导的所述处理液朝向基板喷出；以及
控制装置，对所述至少一个加热器与所述第1流量调整阀进行控制；并且
所述控制装置包括：
信息获取部，获取表示由所述至少一个加热器进行了加热的所述处理液的温度的目标值的加热温度、与从所述第1喷嘴喷出时的所述处理液的温度的目标值，即比所述加热温度低的第1设定温度；
加热执行部，使所述至少一个加热器以所述加热温度对所述处理液进行加热；
存储装置，存储第1开度决定数据，所述第1开度决定数据是对与在以所述加热温度被供给至所述第1配管的所述处理液以第1喷出温度从所述第1喷嘴被喷出时被供给至所述第1配管的所述处理液的流量相对应的所述第1流量调整阀的开度进行规定的数据；
第1开度决定部，基于所述存储装置中所存储的所述第1开度决定数据、与所述信息获取部所获取的所述加热温度以及第1设定温度，决定与第1目标流量相对应的第1目标开度，所述第1目标流量使所述第1喷出温度与所述第1设定温度一致或接近；
第1开度设定部，将所述第1流量调整阀的开度设定为所述第1目标开度；以及
第1处理液供给部，经由所述第1配管将所述处理液供给至所述第1喷嘴。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中
所述基板处理装置还具备：第2喷嘴，喷出处理液；第2配管，将所述处理液引导至所述第2喷嘴；以及第2流量调整阀，对供给至所述第2配管的所述处理液的流量进行变更，
所述控制装置的所述信息获取部还获取从所述第2喷嘴喷出时的所述处理液的温度的目标值，即比所述加热温度低的第2设定温度，
所述控制装置的所述存储装置还存储第2开度决定数据，所述第2开度决定数据是对与在以所述加热温度被供给至所述第2配管的所述处理液以第2喷出温度从所述第2喷嘴被喷出时被供给至所述第2配管的所述处理液的流量相对应的所述第2流量调整阀的开度进行规定的数据，
所述控制装置还包括：
第2开度决定部，基于所述存储装置中所存储的所述第2开度决定数据、与所述信息获取部所获取的所述加热温度以及第2设定温度，决定与第2目标流量相对应的第2目标开度，所述第2目标流量使所述第2喷出温度与所述第2设定温度一致或接近；
第2开度设定部，将所述第2流量调整阀的开度设定为所述第2目标开度；以及
第2处理液供给部，经由所述第2配管将所述处理液供给至所述第2喷嘴。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述基板处理装置还具备：第1基板保持机构，对利用从所述第1喷嘴喷出的所述处理液进行处理的基板进行保持；以及第2基板保持机构，对利用从所述第2喷嘴喷出的所述处理液进行处理的基板进行保持。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述基板处理装置还具备基板保持机构，所述基板保持机构一面水平地保持利用从所述第1喷嘴以及所述第2喷嘴喷出的所述处理液进行处理的基板，一面使所述基板围绕着通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转，
所述第1喷嘴朝向第1位置喷出所述处理液，所述第1位置是由所述基板保持机构所保持着的所述基板上的位置，
所述第2喷嘴朝向第2位置喷出所述处理液，所述第2位置是由所述基板保持机构所保持着的所述基板上的位置，且是比所述第1位置靠外侧的位置。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中所述基板处理装置还具备共用配管，将所述处理液供给至所述第1配管以及所述第2配管这两者。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中所述基板处理装置还具备共用配管，将所述处理液供给至所述第1配管以及所述第2配管这两者，
所述基板处理装置通过将作为所述处理液的磷酸供给至露出氧化硅膜与氮化硅膜的所述基板，一面抑制所述氧化硅膜的蚀刻一面对所述氮化硅膜进行蚀刻。
7.根据权利要求1、2、3、4以及6中任一项所述的基板处理装置，其中所述第1开度设定部将所述第1流量调整阀的开度设定为比所述第1目标开度大的第1初始开度，之后，使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述基板处理装置还具备对所述处理液的温度进行检测的温度传感器，
当由所述温度传感器所检测出的所述处理液的温度达到切换温度时，所述第1开度设定部使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。
9.一种基板处理方法，其是由基板处理装置所执行的方法，其特征在于，所述基板处理装置具备：至少一个加热器，对处理液进行加热；第1配管，对由所述至少一个加热器进行了加热的所述处理液进行引导；第1流量调整阀，对供给至所述第1配管的所述处理液的流量进行变更；第1喷嘴，将由所述第1配管引导的所述处理液朝向基板喷出；以及控制装置，对所述至少一个加热器与所述第1流量调整阀进行控制，
所述基板处理方法包括如下工序：
信息获取工序，获取表示由所述至少一个加热器进行了加热的所述处理液的温度的目标值的加热温度、与从所述第1喷嘴喷出时的所述处理液的温度的目标值，即比所述加热温度低的第1设定温度；
加热执行工序，使所述至少一个加热器以所述加热温度对所述处理液进行加热；
第1开度决定工序，基于第1开度决定数据、与由所述信息获取工序所获取的所述加热温度以及第1设定温度，决定与第1目标流量相对应的第1目标开度，所述第1目标流量使第1喷出温度与所述第1设定温度一致或接近，所述第1开度决定数据是所述控制装置的存储装置中所存储的数据，且是对与在以所述加热温度被供给至所述第1配管的所述处理液以所述第1喷出温度从所述第1喷嘴被喷出时被供给至所述第1配管的所述处理液的流量相对应的所述第1流量调整阀的开度进行规定的数据；
第1开度设定工序，将所述第1流量调整阀的开度设定为所述第1目标开度；以及
第1处理液供给工序，经由所述第1配管将所述处理液供给至所述第1喷嘴。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中所述基板处理装置还具备：第2喷嘴，喷出处理液；第2配管，将所述处理液引导至所述第2喷嘴；以及第2流量调整阀，对供给至所述第2配管的所述处理液的流量进行变更，
所述控制装置的所述存储装置还存储第2开度决定数据，所述第2开度决定数据是对与在以所述加热温度被供给至所述第2配管的所述处理液以第2喷出温度从所述第2喷嘴被喷出时被供给至所述第2配管的所述处理液的流量相对应的所述第2流量调整阀的开度进行规定的数据，
所述基板处理方法还包括如下工序：
第2开度决定工序，基于所述存储装置中所存储的所述第2开度决定数据、与所述信息获取部所获取的所述加热温度以及第2设定温度，决定与第2目标流量相对应的第2目标开度，所述第2目标流量使所述第2喷出温度与所述第2设定温度一致或接近；
第2开度设定工序，将所述第2流量调整阀的开度设定为所述第2目标开度；以及
第2处理液供给工序，经由所述第2配管将所述处理液供给至所述第2喷嘴。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中所述基板处理装置还具备：第1基板保持机构，对利用从所述第1喷嘴喷出的所述处理液进行处理的基板进行保持；以及第2基板保持机构，对利用从所述第2喷嘴喷出的所述处理液进行处理的基板进行保持。
12.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中所述基板处理装置还具备基板保持机构，所述基板保持机构一面水平地保持利用从所述第1喷嘴以及所述第2喷嘴喷出的所述处理液进行处理的基板，一面使所述基板围绕着通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转，
所述基板处理方法还包括：
第1喷出工序，使所述第1喷嘴朝向第1位置喷出所述处理液，所述第1位置是由所述基板保持机构所保持着的所述基板上的位置；以及
第2喷出工序，使所述第2喷嘴朝向第2位置喷出所述处理液，所述第2位置是由所述基板保持机构所保持着的所述基板上的位置，且是比所述第1位置靠外侧的位置。
13.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其中所述基板处理装置还具备共用配管，将所述处理液供给至所述第1配管以及所述第2配管这两者。
14.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中所述基板处理装置还具备共用配管，将所述处理液供给至所述第1配管以及所述第2配管这两者，
所述基板处理方法通过将作为所述处理液的磷酸供给至露出氧化硅膜与氮化硅膜的所述基板，一面抑制所述氧化硅膜的蚀刻一面对所述氮化硅膜进行蚀刻。
15.根据权利要求9、10、11、12以及14中任一项所述的基板处理方法，其中所述第1开度设定工序将所述第1流量调整阀的开度设定为比所述第1目标开度大的第1初始开度，之后，使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中所述基板处理装置还具备对所述处理液的温度进行检测的温度传感器，
当由所述温度传感器所检测出的所述处理液的温度达到切换温度时，所述第1开度设定工序使所述第1流量调整阀的开度从所述第1初始开度减少至所述第1目标开度。
17.一种基板处理装置，其特征在于，其具备：加热器，对处理液进行加热；处理液配管，对由所述加热器进行了加热的所述处理液进行引导；基板保持机构，对基板进行保持；喷嘴，将经由所述处理液配管而被供给的所述处理液朝向由所述基板保持机构所保持着的所述基板喷出；阀，对流经所述处理液配管的所述处理液的流量进行调节；温度传感器，对在所述处理液配管内流动的所述处理液的温度进行检测；信息获取机构，获取设定温度，所述设定温度是从所述喷嘴喷出的所述处理液的温度的目标值；以及控制装置，基于由所述温度传感器所检测出的温度与由所述信息获取机构所获取的所述处理液的设定温度，对所述阀的开度进行控制。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中所述控制装置将由所述信息获取机构所获取的所述设定温度与由所述温度传感器所检测出的所述处理液的温度进行比较，在由所述温度传感器所检测出的所述处理液的温度超过所述设定温度的情况下，对所述阀的开度进行变更，以减少所述处理液的流量，在由所述温度传感器所检测出的所述处理液的温度低于所述设定温度的情况下，变更所述阀的开度，以增加所述处理液的流量。
CN201810159094.5A 2017-03-24 2018-02-26 基板处理装置及基板处理方法 Active CN108630568B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017060050A JP6878077B2 (ja) 2017-03-24 2017-03-24 基板処理装置および基板処理方法
JP2017-060050 2017-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108630568A true CN108630568A (zh) 2018-10-09
CN108630568B CN108630568B (zh) 2022-01-11

Family

ID=63706060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810159094.5A Active CN108630568B (zh) 2017-03-24 2018-02-26 基板处理装置及基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6878077B2 (zh)
KR (1) KR102101073B1 (zh)
CN (1) CN108630568B (zh)
TW (1) TWI665023B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112695297A (zh) * 2020-11-24 2021-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285724B2 (ja) * 2019-07-30 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
KR102268616B1 (ko) * 2019-08-06 2021-06-23 세메스 주식회사 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법
WO2021131832A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021152762A (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 学習済みモデル生成方法、学習済みモデル、異常要因推定装置、基板処理装置、異常要因推定方法、学習方法、学習装置、及び、学習データ作成方法
KR102355356B1 (ko) * 2020-03-25 2022-01-25 무진전자 주식회사 반도체 공정의 약액 공급 관리 시스템
JP2022072072A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2023169532A (ja) * 2022-05-17 2023-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200534925A (en) * 2004-03-19 2005-11-01 Dainippon Screen Mfg Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP2015115455A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2015113523A (ja) * 2013-12-16 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN104992904A (zh) * 2013-09-02 2015-10-21 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
JP2015185826A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社日立国際電気 基板処理装置
TW201606911A (zh) * 2014-07-02 2016-02-16 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2016162922A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2016189434A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TW201643954A (zh) * 2015-03-27 2016-12-16 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR20160150019A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123709A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5280473B2 (ja) * 2011-03-03 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP6325919B2 (ja) * 2014-07-02 2018-05-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20160010099A (ko) * 2014-07-18 2016-01-27 플로우닉스 주식회사 유량 제어 장치
JP6313231B2 (ja) 2015-01-08 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200534925A (en) * 2004-03-19 2005-11-01 Dainippon Screen Mfg Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus
CN104992904A (zh) * 2013-09-02 2015-10-21 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
JP2015115455A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2015113523A (ja) * 2013-12-16 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2015185826A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社日立国際電気 基板処理装置
TW201606911A (zh) * 2014-07-02 2016-02-16 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2016162922A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TW201643954A (zh) * 2015-03-27 2016-12-16 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2016189434A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20160150019A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN106257638A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 株式会社思可林集团 基板处理装置以及基板处理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112695297A (zh) * 2020-11-24 2021-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI665023B (zh) 2019-07-11
JP2018163978A (ja) 2018-10-18
CN108630568B (zh) 2022-01-11
JP6878077B2 (ja) 2021-05-26
KR20180108432A (ko) 2018-10-04
TW201900285A (zh) 2019-01-01
KR102101073B1 (ko) 2020-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108630568A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
TWI701086B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
CN105895560B (zh) 基板处理装置
TWI672178B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI525685B (zh) 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
US9217922B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium for liquid processing
TW200422113A (en) Device and method for wet treating disc-shaped articles
WO2017018219A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102182116B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN112331608A (zh) 基片处理装置和基片干燥方法
TW201842166A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6785605B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置、および、記録媒体
WO2020166136A1 (ja) 基板乾燥方法および基板処理装置
JP2020167385A (ja) 基板処理装置、反応管及び半導体装置の製造方法
KR20110119528A (ko) 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법
US20240173742A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP7157786B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7412990B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
WO2021124900A1 (ja) 基板処理方法
TWI696836B (zh) 基板處理裝置用之皮托管式流量計、基板處理裝置及基板處理方法
TW201946192A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、及刷子
US20140053982A1 (en) Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
KR20150012848A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant