TWI696836B - 基板處理裝置用之皮托管式流量計、基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置用之皮托管式流量計、基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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Abstract

本發明之基板處理裝置係具備：將處理基板之藥品供給至基板的處理單元；供含有藥品之排氣通過的排氣通路；配置於排氣通路，測定含有藥品之排氣之流量的皮托管式流量計。皮托管式流量計係包含：使含有藥品之排氣通過的筒狀之殼體；包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於殼體內的皮托管；與引導供給至皮托管之洗淨液的洗淨液配管。

Description

基板處理裝置用之皮托管式流量計、基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置用之皮托管式流量計、具備皮托管式流量計之基板處理裝置、及藉由具備皮托管式流量計之基板處理裝置所執行的基板處理方法。
處理對象之基板例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板、有機EL(電致發光，Electroluminescence)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示)用基板等之基板。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，係使用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等之基板進行處理的基板處理裝置。
專利文獻1中揭示了對基材逐片進行處理的單片式之基板處理裝置。此基板處理裝置係具備：處理基板之複數個處理單元；由從複數個處理單元所排出之排氣將液體分離的複數個氣液分離箱；分別連接於複數個氣液分離箱的複數個個別排氣管；與連接於各個別排氣管的集合排氣管。
專利文獻1記載之基板處理裝置，係進一步具備：對集合排氣管內流通之排氣之流量進行調整的集合風門；與檢測流通於集合排氣管內之排氣之流量的集合流量計。專利文獻1段落0081 係記載：集合流量計例如為差壓流量計，包括於集合風門之上游檢測排氣壓之第1集合流量計、與於集合風門之下游檢測排氣壓之第2集合流量計。於同段落中記載：集合流量計並不限定於差壓流量計，亦可為熱式質量流量計、渦流量計、超音波流量計等其他形式之流量計。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-119042號公報
由基板處理裝置所排出之排氣中，有時含有微量藥品。例如，在對同一基板依序供給酸性藥液、鹼性藥液、及有機藥液等複數種藥液時，含有酸性藥液之排氣、含有鹼性藥液之排氣、及含有有機藥液之排氣將依序通過排氣管。此時，排氣管內發生鹽等結晶，逐漸累積於排氣管內。即使對相同基板之供給之藥液種類僅為一種，若藥液所含水分喪失，則殘渣或結晶殘留於排氣管內，逐漸累積於排氣管內。
專利文獻1中雖記載使用差壓流量計、熱式質量流量計、渦流量計或超音波流量計等作為集合流量計，但不論集合流量計為何種形式流量計，若持續基板處理，則殘渣或結晶等異物將附著於集合流量計，逐漸累積於集合流量計。若附著之異物量僅為些微，雖然對流量測定幾乎無影響，但若異物量增加，則有對流量之測定精度造成影響之虞。
因此，本發明之目的之一在於提供可長期依穩定精度 測定排氣流量的基板處理裝置用之皮托管式流量計、基板處理裝置及基板處理方法。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置用之皮托管式流量計，其具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；及洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液。
藉由此構成，含有處理基板之藥品的排氣係於殼體內朝下游流通。皮托管配置於殼體內。於殼體內朝下游流通之排氣之全壓(靜壓與動壓之和)及靜壓係藉由皮托管所檢測。排氣之流量、亦即每單位時間中通過殼體之排氣之量，係根據排氣之動壓所計算。藉此，可測定通過殼體之排氣的流量。
於殼體內朝下游流通之排氣，係與設有測定孔之皮托管之外周面相接。若皮托管長時間曝露於排氣中，則鹽等異物附著於皮托管之測定孔。藉洗淨液配管所引導之洗淨液被供給至皮托管之測定孔。藉此，可防止皮托管之測定孔被殘渣或結晶等異物堵塞，可長期依穩定精度測定排氣流量。
再者，由於將洗淨液供給至皮托管或殼體，故在附著於此等之異物可溶解於洗淨液的情況，可藉洗淨液溶解異物而去除。例如，因酸性藥品與鹼性藥品間之接觸而產生之鹽、或因水分消失而由藥液析出之結晶溶於水，故若將含水之洗淨液供給至皮托管等，則可有效去除鹽或結晶。從而，相較於取代洗淨液而使用洗淨氣體的情況，可更確實地去除異物。
處理基板之藥品，可為藥液之蒸氣(藥品之氣體)或霧(藥品之微小液滴)，亦可為藥液(藥品之液體)。同樣地，排氣所含之藥品可為藥品之蒸氣(藥品之氣體)，亦可為藥品之霧(藥品之微小液滴)。
排氣之全壓及靜壓可藉由2個皮托管進行測定，亦可藉由1個皮托管進行測定。亦即，基板處理裝置用之皮托管式流量計可具備分別測定排氣之全壓及靜壓的2個皮托管(全壓測定管及靜壓測定管)，亦可具備使全壓測定管及靜壓測定管一體化的1個皮托管。
本實施形態中，上述基板處理裝置用之皮托管式流量計亦可加入以下至少一個特徵。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係進一步具備連接於上述皮托管之測定配管，上述洗淨液配管係經由上述測定配管連接於上述皮托管。
根據此構成，對皮托管之測定孔所施加之壓力(全壓或靜壓)將經由測定配管而傳達到差壓計。由洗淨液配管所引導之洗淨液係經由測定配管而供給至皮托管之內部空間。皮托管內之洗淨液係由測定孔排出至皮托管外。若異物附著於測定孔，則此異物藉由從測定孔所排出之洗淨液被沖除。藉此，可防止皮托管之測定孔被異物堵塞，可長期依穩定精度測定排氣流量。
此外，由於經由測定配管對皮托管之內部空間供給洗淨液，故吐出洗淨液之流體噴嘴亦可不配置於殼體內。若將流體噴嘴配置於殼體內，則雖僅為些微，但仍對排氣流通造成影響。從而，可在不對排氣流通造成影響之下，洗淨皮托管。再者，由於亦可不 設置流體噴嘴，故可減少零件數。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係進一步具備對上述殼體內部供給流體之至少一個流體噴嘴；上述洗淨液配管係連接於上述至少一個流體噴嘴。
根據此構成，洗淨液係由洗淨液配管供給至流體噴嘴，由流體噴嘴吐出。藉此，對殼體內部供給洗淨液。從而，可藉洗淨液洗淨殼體內面。不僅如此，亦可藉由洗淨液洗淨皮托管等之殼體內部所配置的構件。如此，可長期依穩定精度測定排氣流量。
上述至少一個流體噴嘴係包含流體噴嘴，其配置於上述殼體內，朝上述皮托管之外周面吐出流體。
根據此構成，由洗淨液配管所引導之洗淨液被供給至配置於殼體內之流體噴嘴，由流體噴嘴朝皮托管之外周面吐出。藉此，洗淨液被供給至皮托管之測定孔。若異物附著於測定孔，則此異物被從流體噴嘴所吐出之洗淨液沖除。藉此，可防止皮托管之測定孔被異物堵塞，可長期依穩定精度測定排氣流量。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係進一步具備：測定配管，其連接於上述皮托管；及吸引配管，其經由上述測定配管吸引上述皮托管內之流體。
根據此構成，藉洗淨液洗淨皮托管後，皮托管內之流體係經由連接於皮托管之測定配管而被吸引至吸引配管。即使異物或洗淨液殘留於皮托管中，此等將經由測定配管被吸引至吸引配管。再者，由於形成從皮托管外經由測定孔而流入至皮托管中的氣流，故促進附著於測定孔之洗淨液的乾燥。從而，相較於藉排氣流通使皮托管乾燥的情況，可依較短時間使皮托管乾燥。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係進一步具備：測定配管，其連接於上述皮托管；以及氣體配管，其經由上述測定配管連接於上述皮托管，引導經由上述測定配管而供給至上述皮托管之氣體。
根據此構成，在藉洗淨液洗淨皮托管後，藉氣體配管所引導之氣體將經由測定配管而供給至皮托管之內部空間。皮托管內之氣體係由測定孔排出至皮托管外。藉此，形成經由測定孔從皮托管中流出至皮托管外的氣流，故促進附著於測定孔之洗淨液的乾燥。從而，相較於藉由排氣流通使皮托管乾燥的情況，可依較短時間使皮托管乾燥。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係進一步具備：流體噴嘴，其配置於上述殼體內，朝上述皮托管之外周面吐出流體；以及氣體配管，其連接於上述流體噴嘴，引導供給至上述流體噴嘴之氣體。
根據此構成，在藉洗淨液洗淨皮托管後，藉氣體配管所引導之氣體係供給至配置於殼體內之流體噴嘴，由流體噴嘴朝皮托管外周面吐出。藉此，促進附著於測定孔之洗淨液的乾燥。從而，相較於藉由排氣流通使皮托管乾燥的情況，可依較短時間使皮托管乾燥。
在洗淨液配管連接於流體噴嘴的情形，基板處理裝置用之皮托管式流量計可具備連接有洗淨液配管之洗淨液噴嘴、及連接有氣體配管之氣體噴嘴，亦可使洗淨液配管及氣體配管之兩者連接於一個流體噴嘴。
本發明之其他實施形態係提供一種基板處理裝置，其 具備：處理單元，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣通路，其供含有上述藥品之排氣通過；以及上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，其配置於上述排氣通路，測定含有上述藥品之排氣之流量。
根據此構成，將處理基板之藥品供給至基板。藉此，對基板進行處理。含有藥品之排氣係經由排氣通路被排出。皮托管式流量計係配置於排氣通路。藉此，可測定於排氣通路流通之排氣的流量。進而，由於皮托管式流量計之皮托管被洗淨液洗淨，故可防止異物堵塞皮托管之測定孔，可長期依穩定精度測定排氣流量。此外，相較於孔口流量計等其他形式之流量計，皮托管式流量計之壓力損失較小，故可減少能量消費量。
本實施形態中，上述基板處理裝置亦可加入以下至少一個特徵。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係配置於設置有上述基板處理裝置之無塵室之地板下。
根據此構成，皮托管式流量計係配置於無塵室之地板下。一般認為作業者利用本身手持之噴嘴或刷，對殼體之內部或皮托管進行洗淨。然而，在皮托管式流量計配置於地下時，則無法如此輕易地洗淨皮托管式流量計。此係由於配置於無塵室地下之構件不易取出所致。從而，藉由設置對皮托管供給洗淨液之洗淨液配管，可簡單地洗淨皮托管式流量計。
上述殼體係依上述殼體之中心線呈水平之水平姿勢、或上述殼體之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢，配置於上述排氣通路；上述皮托管係依在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿 勢、或在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線呈水平之水平姿勢，配置於上述殼體內。
根據此構成，殼體之中心線係水平延伸、或相對於水平面呈傾斜。皮托管通常係通過殼體之內周面之直徑、亦即通過殼體中心線，使兩端配置於位於殼體之內周面上的線段上。在殼體呈上述姿勢、皮托管之中心線為鉛直的情況，殘渣或結晶等異物容易蓄積於皮托管之下端部。從而，藉由使皮托管相對於鉛直面斜向地傾倒或與鉛直面正交，可減低此種異物附著。
上述基板處理裝置係進一步具備：氣體流量變更單元，其變更供氣流量及排氣流量之至少一者，該供氣流量表示供給至上述基板處理裝置內之氣體之流量，該排氣流量表示由上述基板處理裝置所排出之氣體之流量；以及控制裝置，其根據上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之測定值，使上述氣體流量變更單元變更上述供氣流量及排氣流量之至少一者。
上述氣體流量變更單元可為對上述基板處理裝置內吹送氣體之送風機，亦可為變更上述排氣通路之流路截面積的排氣風門，亦可具備此等兩者。送風機之設定值、亦即送風機對基板處理裝置內吹送之氣體之流量的設定值即使相同，基板處理裝置內之氣體之流速亦不一定持續固定。此係由於基板處理裝置之狀態改變所致。控制裝置係根據流量計之測定值變更自送風機吹送至基板處理裝置內之氣體的流量。從而，可將基板處理裝置內之氣體之流速維持為一定，或者意圖性地使其變化。
上述基板處理裝置係進一步具備：壓力計，其測定對上述排氣通路所施加之壓力；及控制裝置，其根據上述基板處理裝 置用之皮托管式流量計的測定值與上述壓力計之測定值，檢測上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之皮托管之測定孔之堵塞。
根據此構成，藉由壓力計測定對排氣通路所施加之壓力。若排氣通路內所流通之排氣的流速固定，則皮托管式流量計之測定值亦幾乎固定，壓力計之測定值亦幾乎固定。換言之，若皮托管之測定孔無堵塞、皮托管式流量計適當地發揮機能，則皮托管式流量計之測定值與壓力計之測定值呈一定關係。從而，若皮托管式流量計之測定值與壓力計之測定值的關係失衡，則有異物附著於皮托管之測定孔的可能性。控制裝置係根據皮托管式流量計之測定值與壓力計之測定值而檢測此情況。藉此可於事前檢測測定孔之堵塞。
本發明之其他實施形態係提供一種基板處理方法，其係藉由具備上述皮托管式流量計之基板處理裝置所執行者，其包括：基板處理步驟，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣流量測定步驟，其藉由配置於引導含有上述藥品之排氣之排氣通路上的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量；以及皮托管洗淨步驟，其於上述排氣流量測定步驟後，將由上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之洗淨液配管所引導之洗淨液，供給至上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之皮托管，藉此洗淨上述皮托管。根據此構成，可發揮與上述效果相同之效果。
本實施形態中，上述基板處理方法亦可加入以下至少一個特徵。
上述排氣流量測定步驟係包含：由配置於設置有上述基板處理裝置之無塵室之地板下的上述基板處理裝置用之皮托管 式流量計，測定含有上述藥品之排氣的流量的步驟。根據此構成，可發揮與上述效果相同之效果。
上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之殼體，係依上述殼體之中心線呈水平之水平姿勢、或上述殼體之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢，配置於上述排氣通路，上述排氣流量測定步驟係藉由依在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢而配置於上述殼體內的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量的步驟；或藉由依在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線呈水平之水平姿勢而配置於上述殼體內的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量的步驟。根據此構成，可發揮與上述效果相同之效果。
上述基板處理方法係進一步包含氣體流量變更步驟，其根據上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之測定值，變更供氣流量及排氣流量之至少一者，該供氣流量表示供給至上述基板處理裝置內之氣體之流量，該排氣流量表示由上述基板處理裝置所排出之氣體之流量。根據此構成，可發揮與上述效果相同之效果。
上述基板處理方法係進一步包含堵塞檢測步驟，其根據測定對上述排氣通路所施加之壓力之壓力計的測定值與上述基板處理裝置用之皮托管式流量計的測定值，檢測上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之皮托管之測定孔之堵塞。根據此構成，可發揮與上述效果相同之效果。
上述基板處理方法係進一步包含皮托管乾燥步驟，其 在上述皮托管洗淨步驟後，利用流體之吸引及供給之至少一者形成氣流，藉此使上述皮托管乾燥。根據此構成，可發揮與上述效果相同之效果。
本發明之上述內容或其他目的、特徵及效果，將參照隨附圖式由下述實施形態之說明所闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧隔壁
5a‧‧‧送風口
5b‧‧‧搬入搬出口
6‧‧‧FFU
7‧‧‧閘門
8‧‧‧旋轉夾具
9‧‧‧夾銷
10‧‧‧旋轉基底
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉馬達
13‧‧‧處理杯
14‧‧‧護件
14a‧‧‧頂板部
14b‧‧‧筒狀部
14u‧‧‧上端
15‧‧‧杯
16‧‧‧外壁構件
17‧‧‧護件升降單元
18‧‧‧酸性藥液噴嘴
19‧‧‧酸性藥液配管
20‧‧‧酸性藥液閥
21‧‧‧鹼性藥液噴嘴
22‧‧‧鹼性藥液配管
23‧‧‧鹼性藥液閥
24‧‧‧有機藥液噴嘴
25‧‧‧有機藥液配管
26‧‧‧有機藥液閥
27‧‧‧沖洗液噴嘴
28‧‧‧沖洗液配管
29‧‧‧沖洗液閥
31‧‧‧電腦本體
32‧‧‧CPU
33‧‧‧主記憶裝置
34‧‧‧周邊裝置
35‧‧‧輔助記憶裝置
36‧‧‧讀取裝置
37‧‧‧通訊裝置
38‧‧‧輸入裝置
39‧‧‧顯示裝置
40‧‧‧警報裝置
41‧‧‧排氣管
42‧‧‧個別排氣管
42a‧‧‧第1管
42b‧‧‧第2管
43‧‧‧集合排氣管
44‧‧‧排氣通路
45‧‧‧壓力計
46‧‧‧流量計
46i‧‧‧入口
46o‧‧‧出口
47‧‧‧排氣風門
51‧‧‧殼體
51i‧‧‧內周面
52‧‧‧上游凸緣
53‧‧‧主管
54‧‧‧下游凸緣
55‧‧‧皮托管
55i‧‧‧內周面
55o‧‧‧外周面
55s‧‧‧靜壓測定管
55t‧‧‧全壓測定管
56‧‧‧測定孔
56s‧‧‧靜壓測定孔
56t‧‧‧全壓測定孔
57‧‧‧測定配管
58‧‧‧差壓計
59‧‧‧整流構件
59a‧‧‧整流板
61‧‧‧常開閥
62‧‧‧洗淨液配管
63‧‧‧洗淨液閥
64‧‧‧吸引配管
65‧‧‧吸引閥
66‧‧‧吸引裝置
71‧‧‧氣體配管
72‧‧‧氣體閥
73‧‧‧流體噴嘴
73a、73b、73c、73d、73e‧‧‧流體噴嘴
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載體
CR‧‧‧中央機器人
D1‧‧‧間隔
D2‧‧‧距離
D3‧‧‧長度
Df‧‧‧流動方向
F‧‧‧地板
h1‧‧‧孔
H1、H2‧‧‧手部
IR‧‧‧索引機器人
L1、L2‧‧‧中心線
LP‧‧‧裝載埠
Ld‧‧‧對角線
M‧‧‧可移媒體
P‧‧‧程式
P1‧‧‧間距
TW‧‧‧塔
W‧‧‧基板
圖1為由上方觀看本發明之第1實施形態之基板處理裝置的示意圖。
圖2為由側方觀看基板處理裝置的示意圖。
圖3為水平地觀看基板處理裝置所具備之處理單元之內部的示意圖。
圖4為表示控制裝置之硬體的方塊圖。
圖5為用於說明藉基板處理裝置所進行之基板處理之一例的步驟圖。
圖6為用於說明基板處理裝置之排氣系統的示意圖。
圖7為表示於包含殼體中心線之平面所切剖之流量計剖面的剖面圖。
圖8為由圖7所示箭頭VIII之方向觀看流量計的圖。
圖9為表示沿著圖7所示IX-IX線之流量計剖面的剖面圖。
圖10為表示沿著圖9所示X-X線之皮托管剖面的剖面圖。
圖11A為表示洗淨皮托管之狀態的剖面圖。
圖11B為表示使皮托管乾燥之狀態的剖面圖。
圖12為表示本發明之第1實施形態之第1變形例的剖面圖， 表示於包含殼體中心線之平面所切剖之流量計剖面。
圖13為表示本發明之第1實施形態之第2變形例的剖面圖，表示於包含殼體中心線之平面所切剖之流量計剖面。
圖14為表示本發明之第1實施形態之第3變形例的剖面圖，表示於與殼體中心線正交之平面所切剖之流量計剖面。
圖15為本發明之第2實施形態之時序圖，表示基板之旋轉速度與由FFU供給至腔室內之潔淨氣體之流量、及由腔室所排出之排氣之流量的經時性變化。
圖16為本發明之第3實施形態之流程圖，表示控制裝置判斷是否進行流量計之洗淨時的流程。
圖1為由上方觀看本發明之第1實施形態之基板處理裝置1的示意圖。圖2為由側方觀看基板處理裝置1之示意圖。
如圖1所示，基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1具備：裝載埠LP，其係保持收容構成一個批次之1片以上基板W的載體C；複數個處理單元2，其係藉由處理液或處理氣體等處理流體而處理由裝載埠LP上之載體C搬送來之基板W；搬送機器人，其係於裝載埠LP上之載體C與處理單元2之間搬送基板W；及控制裝置3，其係控制基板處理裝置1。
搬送機器人係包含：對裝載埠LP上之載體C進行基板W之搬入及搬出的索引機器人IR；及對複數個處理單元2進行基板W之搬入與搬出的中央機器人CR。索引機器人IR係於裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W，中央機器人CR係於索 引機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。中央機器人CR係包含支撐基板W的手部H1，索引機器人IR係包含支撐基板W的手部H2。
複數個處理單元2係形成於俯視下配置於中央機器人CR周圍的複數個塔TW。圖1表示了形成4個塔TW的例子。如圖2所示，各塔TW係包含上下積層之複數個(例如3個)處理單元2。各塔TW係配置於基板處理裝置1所設置之無塵室的地板F上方。
圖3為水平地觀看基板處理裝置1所具備之處理單元2內部的示意圖。
處理單元2係包括：具有內部空間之箱型之腔室4；於腔室4內水平保持一片基板W，並使其繞通過基板W中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉的旋轉夾具8；及於旋轉軸線A1周圍包圍旋轉夾具8的筒狀之處理杯13。
腔室4係包含：設有供基板W通過之搬入搬出口5b的箱型之隔壁5；及對搬入搬出口5b進行開關的閘門7。處理單元2之FFU6(Fan Filter Unit，風扇過濾單元)係配置在設於隔壁5上部之送風口5a上。FFU6係由送風口5a將潔淨氣體(藉過濾器所過濾之空氣)時常地供給至腔室4內。腔室4內之氣體係經由連接於處理杯13底部之排氣管41而由腔室4排出。藉此，於腔室4內時常性地形成潔淨氣體之下降氣流。
旋轉夾具8係包含：依水平姿勢所保持之圓板狀之旋轉基底10；於旋轉基底10上方依水平姿勢保持基板W的複數個夾銷9；由旋轉基底10之中央部朝下方延伸之旋轉軸11；及藉由使 旋轉軸11旋轉而使旋轉基底10及複數個夾銷9旋轉的旋轉馬達12。旋轉夾具8並不侷限於使複數個夾銷9接觸基板W外周面之挾持式夾具，亦可為藉由使屬於非裝置形成面之基板W背面(下面)吸附於旋轉基底10上面而水平保持基板W的真空式夾具。
處理杯13係包含：承接由基板W朝外方排出之液體的護件14；承接由護件14引導至下方之液體的杯15；及包圍護件14及杯15之圓筒狀之外壁構件16。處理杯13亦可具備複數個護件14與複數個杯15。
護件14係包含：包圍旋轉夾具8之圓筒狀之筒狀部14b；與由筒狀部14b之上端部朝旋轉軸線A1斜上延伸的圓環狀之頂板部14a。杯15係配置於筒狀部14b下方。杯15係形成朝上開口的環狀之受液溝。由護件14所承接之液體被引導至受液溝。
處理單元2係包含使護件14升降的護件升降單元17。護件升降單元17係使護件14位於上位置(圖3所示位置)至下位置的任意位置。上位置係指護件14之上端14u被配置於較由旋轉夾具8所保持之基板W所配置之保持位置更上方的位置。下位置係指護件14之上端14u被配置於較保持位置更下方的位置。頂板部14a之圓環狀之上端係相當於護件14之上端14u。護件14之上端14u係於俯視下包圍基板W及旋轉基底10。
在旋轉夾具8使基板W旋轉的狀態下，若將處理液供給至基板W，則供給至基板W之處理液被甩除至基板W周圍。在將處理液供給至基板W時，護件14之上端14u係配置於較基板W更上方。從而，被排出至基板W周圍之藥液或沖洗液等之處理液被護件14承接，並被引導至杯15。
處理單元2係包含朝由旋轉夾具8所保持之基板W吐出處理液的複數個處理液噴嘴。複數個處理液噴嘴係包含：朝基板W吐出酸性藥液之酸性藥液噴嘴18；朝基板W吐出鹼性藥液之鹼性藥液噴嘴21；朝基板W吐出有機藥液之有機藥液噴嘴24；及朝基板W吐出沖洗液之沖洗液噴嘴27。
酸性藥液噴嘴18可為能夠於腔室4內水平移動之掃描噴嘴，亦可為相對於腔室4之隔壁5呈固定的固定噴嘴。鹼性藥液噴嘴21、有機藥液噴嘴24及沖洗液噴嘴27亦相同。例如，在酸性藥液噴嘴18為掃描噴嘴的情況，只要將使酸性藥液噴嘴18於腔室4內移動之噴嘴移動單元設於處理單元2即可。
處理單元2係包含：連接於酸性藥液噴嘴18之酸性藥液配管19；及對酸性藥液配管19內部進行開關的酸性藥液閥20。同樣地，處理單元2包含：連接於鹼性藥液噴嘴21之鹼性藥液配管22；對鹼性藥液配管22內部進行開關的鹼性藥液閥23；連接於有機藥液噴嘴24之有機藥液配管25；對有機藥液配管25內部進行開關的有機藥液閥26；連接於沖洗液噴嘴27之沖洗液配管28；及對沖洗液配管28內部進行開關的沖洗液閥29。
雖未圖示，酸性藥液閥20係包含：設有液體所流動之內部流路與包圍內部流路之環狀之閥座的閥主體；可相對於閥座進行移動的閥體；及在閥體接觸至閥座的關位置與閥體離開閥座之開位置之間使閥體移動的致動器。關於其他閥亦相同。致動器可為空壓致動器或電動致動器，亦可為此等以外的致動器。控制裝置3係藉由控制致動器，使酸性藥液閥20開關。
若打開酸性藥液閥20，來自酸性藥液供給源之酸性 藥液係朝基板W上面由酸性藥液噴嘴18吐出。同樣地，若打開鹼性藥液閥23、有機藥液閥26、及沖洗液閥29之任一者，鹼性藥液、有機藥液、及沖洗液之任一者係由鹼性藥液噴嘴21、有機藥液噴嘴24、及沖洗液噴嘴27之任一者朝基板W上面吐出。藉此，對基板W上面供給處理液。
酸性藥液之一例為氫氟酸(氟化氫酸)，鹼性藥液之一例為SC-1(氨-過氧化氫水)。有機藥液之一例為IPA(異丙醇)；沖洗液之一例為純水(去離子水：DIW(Deionized Water))。IPA為表面張力較水低、揮發性較水高之有機溶劑之一例。
酸性藥液亦可為硫酸或鹽酸等氫氟酸以外的酸性藥液。鹼性藥液亦可為TMAH(四甲基氫氧化銨)等SC-1以外之鹼性藥液。有機藥液亦可為HFE(氫氟醚)等IPA以外之有機藥液。沖洗液亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水等純水以外的沖洗液。
圖4為表示控制裝置3之硬體的方塊圖。
控制裝置3係包含電腦本體31、及連接於電腦本體31之周邊裝置34的電腦。電腦本體31係包含執行各種命令之CPU32(central processing unit：中央處理裝置)、及記憶資訊之主記憶裝置33。周邊裝置34係包含記憶程式P等資訊的輔助記憶裝置35、由可移媒體M讀取資訊的讀取裝置36、及與主電腦等其他裝置進行通訊的通訊裝置37。
控制裝置3係連接於輸入裝置38、顯示裝置39及警報裝置40。輸入裝置38係在使用者或維修負責人等操作者對基板處理裝置1輸入資訊時進行操作。資訊顯示於顯示裝置39之畫面。 輸入裝置38可為鍵盤、指向裝置及觸控板之任一者，亦可為此等以外之裝置。亦可將兼為輸入裝置38及顯示裝置39的觸控面板顯示器設於基板處理裝置1。警報裝置40係使用光、聲音、文字及圖案中之一種以上發出警報。輸入裝置38為觸控面板顯示器時，輸入裝置38亦可兼為警報裝置40。
CPU32係執行輔助記憶裝置35所記憶之程式P。輔助記憶裝置35內之程式P可為事先安裝於控制裝置3中者，亦可為經由讀取裝置36由可移媒體M傳送至輔助記憶裝置35中者，亦可由主電腦等外部裝置經由通訊裝置37傳送至輔助記憶裝置35中者。
輔助記憶裝置35及可移媒體M係即使不供給電力仍保持記憶的非揮發性記憶體。輔助記憶裝置35為例如硬碟等磁性記憶裝置。可移媒體M例如為光碟(compact disk)等之光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移媒體M為記錄了程式P之電腦可讀取之記錄媒體的一例。
輔助記憶裝置35係記憶著複數個配方(recipe)。配方係規定基板W之處理內容、處理條件及處理順序的資訊。複數個配方係彼此於基板W之處理內容、處理條件及處理順序之至少一者相異。控制裝置3係依照由主電腦所指定之配方而控制基板處理裝置1使其處理基板W。後述各步驟係藉由以控制裝置3控制基板處理裝置1而執行。換言之，控制裝置3係程式化為執行以下各步驟。
接著，說明藉基板處理裝置1所進行之基板W處理之一例。
圖5為用於說明藉基板處理裝置1所進行之基板W處理之一例的步驟圖。以下參照圖1、圖3及圖5。
藉由基板處理裝置1處理基板W時，係進行將基板W搬入至腔室4內的搬入步驟。
具體而言，依護件14位於下位置的狀態，中央機器人CR藉由手部H1支撐基板W，並使手部H1進入至腔室4內(圖5之步驟S1)。其後，中央機器人CR將手部H1上之基板W放置於旋轉夾具8上。中央機器人CR係在將基板W放置於旋轉夾具8上後，使手部H1由腔室4內部退避。
接著，進行將屬於酸性藥液一例之氫氟酸供給至基板W的酸性藥液供給步驟。
具體而言，護件升降單元17使護件14上升至上位置，使護件14內面水平地與基板W外周面相對向。旋轉馬達12係依藉夾銷9把持著基板W之狀態開始旋轉。藉此，開始基板W旋轉(圖5之步驟S2)。於此狀態下，打開酸性藥液閥20，酸性藥液噴嘴18開始吐出氫氟酸(圖5之步驟S3)。
由酸性藥液噴嘴18所吐出之氫氟酸係在著液於基板W之上面後，沿著旋轉之基板W之上面朝外方流動。藉此，於基板W上形成被覆基板W上面全域的氫氟酸之液膜。在打開酸性藥液閥20經過既定時間後，關閉酸性藥液閥20，停止由酸性藥液噴嘴18吐出氫氟酸。
接著，進行將屬於沖洗液一例之純水供給至基板W的第1沖洗液供給步驟。
具體而言，打開沖洗液閥29，沖洗液噴嘴27開始吐 出純水(圖5之步驟S4)。由沖洗液噴嘴27所吐出之純水係在著液於基板W之上面後，沿著旋轉之基板W之上面朝外方流動。藉此，基板W上之氫氟酸被置換為純水，形成被覆基板W上面全域的純水之液膜。其後，關閉沖洗液閥29，停止由沖洗液噴嘴27吐出純水。
接著，進行將屬於鹼性藥液一例之SC-1供給至基板W的鹼性藥液供給步驟。
具體而言，打開鹼性藥液閥23，鹼性藥液噴嘴21開始吐出SC-1(圖5之步驟S5)。由鹼性藥液噴嘴21所吐出之SC-1係在著液於基板W之上面後，沿著旋轉之基板W之上面朝外方流動。藉此，基板W上之純水被置換為SC-1，形成被覆基板W上面全域的SC-1之液膜。其後，關閉鹼性藥液閥23，停止由鹼性藥液噴嘴21吐出SC-1。
接著，進行將屬於沖洗液一例之純水供給至基板W的第2沖洗液供給步驟。
具體而言，打開沖洗液閥29，沖洗液噴嘴27開始吐出純水(圖5之步驟S6)。由沖洗液噴嘴27所吐出之純水係在著液於基板W之上面後，沿著旋轉之基板W之上面朝外方流動。藉此，基板W上之SC-1被置換為純水，形成被覆基板W上面全域的純水之液膜。其後，關閉沖洗液閥29，停止由沖洗液噴嘴27吐出純水。
接著，進行將屬於有機藥液一例之IPA供給至基板W的有機藥液供給步驟。
具體而言，打開有機藥液閥26，有機藥液噴嘴24開 始吐出IPA(圖5之步驟S7)。由有機藥液噴嘴24所吐出之IPA係在著液於基板W之上面後，沿著旋轉之基板W之上面朝外方流動。藉此，基板W上之純水被置換為IPA，形成被覆基板W上面全域的IPA之液膜。其後，關閉有機藥液閥26，停止由有機藥液噴嘴24吐出IPA。
接著，進行藉由基板W之旋轉使基板W乾燥的乾燥步驟(旋轉乾燥步驟)。
具體而言，由旋轉馬達12使基板W朝旋轉方向加速，使基板W依較第1藥液供給步驟至有機藥液供給步驟之期間的基板W之旋轉速度大的乾燥速度(例如數千rpm)進行旋轉。藉此，由基板W去除液體，基板W乾燥(圖5之步驟S8)。在基板W之高速旋轉開始經過既定時間後，由旋轉馬達12停止旋轉。藉此，使基板W之旋轉停止(圖5之步驟S9)。
接著，進行由腔室4搬出基板W的搬出步驟。
具體而言，護件升降單元17使護件14下降至下位置。於此狀態下，中央機器人CR使手部H1進入至腔室4內。在複數個夾銷9解除對基板W的把持後，中央機器人CR藉由手部H1支撐旋轉夾具8上之基板W。其後，中央機器人CR係藉手部H1支撐基板W，並使手部H1從腔室4內部退避。藉此，將處理完畢的基板W從腔室4搬出(圖5之步驟S10)。
接著說明基板處理裝置1之排氣系統。
圖6為用於說明基板處理裝置1之排氣系統的示意圖。以下說明中之上游及下游係意指排氣通路44內之排氣之流動方向Df之上游及下游。
基板處理裝置1係具備將在基板處理裝置1內所產生之排氣，引導至基板處理裝置1所設置之工廠中所設置之排氣處理設備的排氣管41。排氣管41係形成從複數個處理單元2朝排氣處理設備延伸的排氣通路44。排氣管41係包含：分別對應至複數個處理單元2的複數個個別排氣管42；及分別對應至複數個塔TW的複數個集合排氣管43。
複數個個別排氣管42係分別連接於複數個處理單元2。集合排氣管43係連接於對應至1個塔TW之所有個別排氣管42。換言之，連接於1個塔TW所含之所有處理單元2的所有個別排氣管42，係連接於一個集合排氣管43。
各集合排氣管43係連接於時常地吸引基板處理裝置1之排氣的排氣處理設備。基板處理裝置1係具備：測定對排氣通路44所施加之壓力(負壓)的複數個壓力計45；測定於排氣通路44所流通之排氣之流量的複數個流量計46；及變更排氣通路44之流路截面積(與排氣之流動方向Df正交之剖面的面積)的複數個排氣風門47。排氣風門47可為手動風門，亦可為自動風門。排氣風門47為自動風門時，排氣風門47係包含蝶形閥等之閥、及改變閥開度之制動器。
複數個壓力計45分別對應至複數個個別排氣管42。同樣地，複數個流量計46分別對應至複數個個別排氣管42，複數個排氣風門47分別對應至複數個個別排氣管42。亦即，壓力計45、流量計46及排氣風門47係對每個個別排氣管42設置，連接於對應之個別排氣管42。
圖6顯示使壓力計45、流量計46及排氣風門47由 上游側起依壓力計45、流量計46、排氣風門47之順序朝排氣之流動方向Df排列的例子。壓力計45係配置於流量計46之上游，流量計46係配置於排氣風門47之上游。壓力計45、流量計46、及排氣風門47之順序並不限定於此。
壓力計45、流量計46及排氣風門47係配置於屬於無塵室之地板F下之空間的地板下空間。從而，個別排氣管42之一部分係配置於無塵室之地板下空間。個別排氣管42之下游端係於無塵室之地板下空間連接於集合排氣管43。集合排氣管43係配置於無塵室之地板下空間。
接著說明測定排氣之流量的流量計46。
以下說明中，在全壓測定管55t及靜壓測定管55s之任一者均可時稱為皮托管55，在全壓測定孔56t及靜壓測定孔56s之任一者均可時稱為測定孔56。
圖7為表示於包含殼體51中心線L1之平面所切剖之流量計46剖面的剖面圖。圖8為由圖7所示箭頭VIII之方向觀看流量計46的圖。圖9為表示沿著圖7所示IX-IX線之流量計46剖面的剖面圖。圖10為表示沿著圖9所示X-X線之皮托管55剖面的剖面圖。
流量計46為皮托管式流量計。如圖7所示，流量計46係包含：形成排氣通路44之一部分的殼體51；測定於殼體51內朝下游流動之排氣之全壓及靜壓的2個皮托管55；分別連接於2個皮托管55的2個測定配管57；及對在殼體51內朝下游流動之排氣之氣流於2個皮托管55之上游進行整流的整流構件59。2個皮托管55係經由2個測定配管57連接於差壓計58。
殼體51係包含：形成排氣通路44一部分的主管53；由主管53之上游端朝主管53之徑向外方延伸的環狀之上游凸緣52；及由主管53之下游端朝主管53之徑向外方延伸的環狀之下游凸緣54。主管53之內周面係相當於形成排氣通路44一部分的殼體51之內周面51i。如圖9所示，主管53之內周面具有圓形之剖面。主管53之內周面之剖面亦可為四角形等圓形以外之形狀。
如圖7所示，殼體51係依殼體51之中心線L1(主管53之中心線)呈水平之水平姿勢配置於排氣通路44上。殼體51係配置於個別排氣管42之第1管42a及第2管42b之間。第1管42a係配置於殼體51之上游，第2管42b係配置於殼體51之下游。殼體51係經由封條而連接於第1管42a及第2管42b。如圖8所示，將殼體51之上游凸緣52固定於第1管42a的螺栓，係插入至朝流動方向Df貫通上游凸緣52之複數個通孔h1中。同樣地，將殼體51之下游凸緣54固定於第2管42b的螺栓，係插入至朝流動方向Df貫通下游凸緣54之複數個通孔中。
如圖7所示，2個皮托管55係包含：測定於殼體51內朝下游流動之排氣之全壓的全壓測定管55t；及測定於殼體51內朝下游流動之排氣之靜壓的靜壓測定管55s。全壓測定管55t及靜壓測定管55s係插入於主管53。全壓測定管55t及靜壓測定管55s係安裝於殼體51。全壓測定管55t係配置於靜壓測定管55s之上游。
全壓測定管55t及靜壓測定管55s係於主管53之徑向上延伸。圖7為表示全壓測定管55t及靜壓測定管55s之中心線L2為鉛直的例子。全壓測定管55t及靜壓測定管55s係於主管53之徑向上貫通主管53。全壓測定管55t及靜壓測定管55s之兩端係由主 管53之外周面朝主管53之徑向外方突出。2個測定配管57係於殼體51外連接於全壓測定管55t及靜壓測定管55s。
如圖8所示，全壓測定管55t及靜壓測定管55s係配置於主管53之內周面之直徑上、亦即兩端位於主管53內周面上之線段上。全壓測定管55t及靜壓測定管55s係形狀、尺寸及素材相等的2個管。由殼體51之上游側朝殼體51之中心線L1之方向(與流動方向Df平行之方向)觀看殼體51時，全壓測定管55t係與靜壓測定管55s全體重疊，完全看不到靜壓測定管55s之任何部份。全壓測定管55t及靜壓測定管55s係重疊於殼體51之中心線L1。
如圖9所示，全壓測定管55t係包含排列於全壓測定管55t之軸向上的複數個全壓測定孔56t。圖9表示了6個全壓測定孔56t設於全壓測定管55t的例子。全壓測定管55t之軸向係與主管53之徑向上一致。由複數個全壓測定孔56t構成複數個對。成對之2個全壓測定孔56t，係配置於以殼體51之中心線L1呈180度旋轉對稱的位置。複數個全壓測定孔56t之間距P1、亦即相鄰之2個全壓測定孔56t之間隔，係隨著遠離殼體51之中心線L1而減少。
圖10係表示在與全壓測定管55t及靜壓測定管55s之軸向正交之平面所切剖之、全壓測定管55t及靜壓測定管55s之剖面為菱形的例子。全壓測定管55t之剖面中較短之對角線Ld係朝流動方向Df延伸，靜壓測定管55s之剖面中較短之對角線Ld係朝流動方向Df延伸。全壓測定管55t及靜壓測定管55s之剖面亦可為圓形等之菱形以外的形狀，亦可為彼此相異。
如圖10所示，全壓測定孔56t係於全壓測定管55t 之外周面55o及內周面55i開口，貫通全壓測定管55t。全壓測定孔56t係朝向上游。靜壓測定管55s包含複數個(例如與複數個全壓測定孔56t相同數量)靜壓測定孔56s。靜壓測定孔56s係於靜壓測定管55s之外周面55o及內周面55i開口，貫通靜壓測定管55s。靜壓測定孔56s朝向下游。
如圖7所示，複數個靜壓測定孔56s係排列於與主管53徑向一致之靜壓測定管55s的軸向上。由複數個靜壓測定孔56s構成複數個對。成對之2個靜壓測定孔56s，係配置於以殼體51之中心線L1呈180度旋轉對稱的位置。與複數個全壓測定孔56t同樣地，複數個靜壓測定孔56s之間距、亦即相鄰之2個靜壓測定孔56s之間隔，係隨著遠離殼體51之中心線L1而減少。
如圖7所示，整流構件59係配置於全壓測定管55t及靜壓測定管55s之上游。整流構件59係安裝於殼體51。整流構件59被殼體51之內周面51i所包圍。如圖8所示，在由殼體51上游側朝殼體51之中心線L1之方向觀看殼體51時，整流構件59係將由殼體51之內周面51i所包圍之空間分隔為複數個區域。
圖8為表示將在殼體51之中心線L1相交之2片整流板59a設於整流構件59的例子。在由殼體51之上游側朝殼體51之中心線L1之方向觀看殼體51時，整流板59a係於主管53之徑向上延伸。除了整流板59a之外或取代整流板59a地，整流構件59亦可具備包圍殼體51之中心線L1的整流環。又，整流構件59亦可為格子、亦可為網。
如圖7所示，排氣係由設於殼體51上游端之入口46i流入至殼體51中。流入至殼體51內之排氣通過整流構件59。藉此， 排氣氣流被整流。通過了整流構件59之排氣通過全壓測定管55t及靜壓測定管55s。其後，排氣係經由設於殼體51下游端之出口46o而由殼體51排出至下游。
於殼體51內朝下游流動之排氣的全壓，係施加至全壓測定管55t之複數個全壓測定孔56t。排氣之全壓係經由連接於全壓測定管55t之測定配管57傳達到差壓計58。同樣地，於殼體51內朝下游流動之排氣的靜壓，係施加至靜壓測定管55s之複數個靜壓測定孔56s。排氣之靜壓係經由連接於靜壓測定管55s之測定配管57傳達到差壓計58。
差壓計58係根據經由2個測定配管57由全壓測定管55t及靜壓測定管55s所傳達來的排氣的壓力，計算排氣之動壓。由差壓計58所計算之排氣之動壓，被輸入至控制裝置3。控制裝置3係根據由差壓計58所輸入之排氣之動壓與殼體51之流路截面積，計算排氣之流量。排氣之流量亦可藉由差壓計58進行計算。
控制裝置3係時常地監視由控制裝置3所計算得之排氣流量、或由差壓計58所輸入之排氣流量是否維持在適當範圍內。若排氣流量為適當範圍外，則控制裝置3使警報裝置40(參照圖4)發生警報，將排氣流量之異常傳達至基板處理裝置1的使用者。藉此，可即時地檢測出排氣流量異常。
如此，排氣係在接觸至殼體51之內周面51i、整流構件59之表面、及皮托管55之表面之同時，於殼體51內朝下游流動。皮托管55之表面係包括皮托管55之外周面55o及內周面55i、及測定孔56之內周面。殼體51之內周面51i等係由對供給至基板W之藥品具有耐受性的樹脂所形成。亦即，殼體51之內周面51i 等係由具有即使接觸藥品亦不腐蝕或變形之性質的樹脂所形成。
圖7表示了由具有耐藥品性之樹脂(例如聚氯乙烯)形成主管53全體、皮托管55全體、及整流構件59全體的例子。主管53可由透明樹脂形成，亦可由非透明樹脂形成。若主管53為透明，則可由殼體51外觀看殼體51中。從而，可不用將殼體51從個別排氣管42卸下，即可觀看殼體51中。
接著說明對流量計46進行洗淨及使其乾燥的洗淨系統。
如圖7所示，流量計46係包含：引導供給至全壓測定管55t及靜壓測定管55s之洗淨液的洗淨液配管62；對洗淨液配管62進行開關之洗淨液閥63；及對2個測定配管57進行開關之2個常開閥61。流量計46係進一步包含：經由2個測定配管57吸引全壓測定管55t及靜壓測定管55s內之流體的吸引配管64；及對吸引配管64進行開關之吸引閥65。吸引配管64可連接於抽氣機等之吸引裝置66，亦可連接於在基板處理裝置1所設置之工廠中所設置的吸引設備。
洗淨液配管62之下游端係連接於2個測定配管57之各管。吸引配管64之上游端係連接於2個測定配管57之各管。常開閥61係在較洗淨液配管62與測定配管57之連接位置更靠差壓計58側的位置介設於測定配管57。常開閥61係僅在對流量計46進行洗淨及使其乾燥時關閉。常開閥61為例如藉空壓制動器而開關的氣閥。由洗淨液配管62所引導之洗淨液例如為純水。洗淨液亦可為純水以外之液體。例如，亦可使用上述沖洗液之具體例中的任一者作為洗淨液。
圖11A為表示洗淨皮托管55之狀態的剖面圖。圖11B為表示使皮托管55乾燥之狀態的剖面圖。
如圖11A所示，在洗淨全壓測定管55t及靜壓測定管55s時，控制裝置3打開洗淨液閥63。藉此，洗淨液一例之純水係經由2個測定配管57由洗淨液配管62供給至全壓測定管55t及靜壓測定管55s。全壓測定管55t內之純水係由複數個全壓測定孔56t被排出至全壓測定管55t外。同樣地，靜壓測定管55s內之純水係由複數個靜壓測定孔56s被排出至靜壓測定管55s外。藉此，對全壓測定孔56t及靜壓測定孔56s供給純水，將附著於全壓測定孔56t及靜壓測定孔56s之異物沖除。
在打開洗淨液閥63經過既定時間後，控制裝置3關閉洗淨液閥63。藉此，停止對全壓測定管55t及靜壓測定管55s的純水供給。其後，控制裝置3打開吸引閥65。藉此，如圖11B所示，全壓測定管55t及靜壓測定管55s內之流體係經由2個測定配管57被吸引至吸引配管64。即使異物或洗淨液殘留於皮托管55中，此等仍經由2個測定配管57被吸引至吸引配管64。藉此，全壓測定管55t及靜壓測定管55s乾燥。
流量計46之洗淨可於每處理1片基板W時執行，或於每次處理複數片基板W時執行，亦可依每固定時間執行，或於任意時期執行。在每次處理複數片基板W而洗淨流量計46時，可每處理1個批次所含之所有基板W則洗淨流量計46，亦可每處理任意片數之基板W則洗淨流量計46。
如以上，本實施形態中，含有處理基板W之藥品的排氣係於殼體51內朝下游流動。皮托管55配置於殼體51內。於 殼體51內朝下游流動之排氣之全壓(靜壓與動壓之和)及靜壓係藉由皮托管55所檢測。排氣之流量、亦即每單位時間通過殼體51之排氣的量，係根據排氣之動壓進行計算。藉此，可測定通過殼體51之排氣的流量。
於殼體51內朝下游流動之排氣係與設有測定孔56之皮托管55之外周面55o相接。若皮托管55長時間曝露於排氣中，則鹽等異物附著於皮托管55之測定孔56。由洗淨液配管62所引導之洗淨液被供給至皮托管55之測定孔56。藉此，可防止皮托管55之測定孔56因殘渣或結晶等異物而堵塞，可長期依穩定精度測定排氣流量。
再者，由於將洗淨液供給至皮托管55或殼體51，故在附著於此等之異物可溶解於洗淨液的情況，可藉洗淨液溶解異物而去除。例如，因酸性藥品與鹼性藥品間之接觸而產生之鹽、或因水分消失而由藥液析出之結晶可溶於水，故若將含水之洗淨液供給至皮托管55等，則可有效去除鹽或結晶。從而，相較於取代洗淨液而使用洗淨氣體的情況，可更確實地去除異物。
本實施形態中，對皮托管55之測定孔56所施加之壓力(全壓或靜壓)將經由測定配管57而傳達到差壓計58。由洗淨液配管62所引導之洗淨液係經由測定配管57而供給至皮托管55之內部空間。皮托管55內之洗淨液係由測定孔56排出至皮托管55外。若異物附著於測定孔56，則此異物藉由從測定孔56所排出之洗淨液而被沖除。藉此，可防止皮托管55之測定孔56被異物堵塞，可長期依穩定精度測定排氣流量。
此外，由於經由測定配管57對皮托管55之內部空間 供給洗淨液，故吐出洗淨液之流體噴嘴73(參照圖13)亦可不配置於殼體51內。若將流體噴嘴73配置於殼體51內，則雖僅為些微，但仍對排氣氣流造成影響。從而，可在不對排氣氣流造成影響之情況下，洗淨皮托管55。再者，由於亦可不設置流體噴嘴73，故可減少零件數。
本實施形態中，藉洗淨液洗淨皮托管55後，皮托管55內之流體係經由連接於皮托管55之測定配管57而被吸引至吸引配管64。即使異物或洗淨液殘留於皮托管55中，此等將經由測定配管57被吸引至吸引配管64。再者，由於形成從皮托管55外經由測定孔56而流入至皮托管55中的氣流，故促進附著於測定孔56之洗淨液的乾燥。從而，相較於藉排氣氣流使皮托管55乾燥的情況，可依較短時間使皮托管55乾燥。
本實施形態中，將處理基板W之藥品供給至基板W。藉此，對基板W進行處理。含有藥品之排氣係經由排氣通路44被排出。流量計46係配置於排氣通路44。藉此，可測定於排氣通路44流通之排氣的流量。進而，由於流量計46之皮托管55被洗淨液洗淨，故可防止異物堵塞皮托管55之測定孔56，可長期依穩定精度測定排氣流量。此外，相較於孔口流量計等其他形式之流量計，流量計46之壓力損失較小，故可減少能量消費量。
本實施形態中，流量計46係配置於無塵室之地板F下。一般認為作業者利用本身手持之噴嘴或刷，對殼體51之內部或皮托管55進行洗淨。然而，在流量計46配置於地下時，則無法如此輕易地洗淨流量計46。此係由於配置於無塵室地下之構件不易取用所致。從而，藉由設置對皮托管55供給洗淨液之洗淨液配管 62，可簡單地洗淨流量計46。
尚且，如圖12所示，流量計46中亦可取代吸引配管64或在另外具備：引導經由2個測定配管57供給至全壓測定管55t及靜壓測定管55s之氣體的氣體配管71；及對氣體配管71進行開關的氣體閥72。
在圖12所示之構成的情況，控制裝置3在藉洗淨液洗淨全壓測定管55t及靜壓測定管55s後，打開氣體閥72，將潔淨氣體或乾燥氣體等氣體供給至全壓測定管55t及靜壓測定管55s。藉此，形成經由測定孔56從皮托管55中流出至皮托管55外的氣流，故促進附著於測定孔56之洗淨液的乾燥。從而，相較於藉由排氣氣流使皮托管55乾燥的情況，可依較短時間使皮托管55乾燥。
又，如圖13所示，流量計46亦可具備至少一個流體噴嘴73。圖13表示了設有10個流體噴嘴73a、73b、73c、73d、73e的例子。洗淨液配管62及氣體配管71並未連接於皮托管55，而連接於各流體噴嘴73a、73b、73c、73d、73e。洗淨液配管62及氣體配管71亦可連接於皮托管55及流體噴嘴73之雙方。流量計46亦可具備洗淨液配管62所連接之洗淨液噴嘴、及氣體配管71所連接之氣體噴嘴而取代流體噴嘴73。
2個流體噴嘴73a係配置於殼體51外，剩餘之8個流體噴嘴73b、73c、73d、73e係配置於殼體51中。6個流體噴嘴73b、73c、73d係配置於2個皮托管55之上游，2個流體噴嘴73e係配置於2個皮托管55之下游。2個流體噴嘴73d係配置於整流構件59與皮托管55之間。
2個流體噴嘴73a係朝整流構件59之上游端吐出洗淨 液及氣體等流體。2個流體噴嘴73b係朝殼體51之內周面51i吐出流體。2個流體噴嘴73c係朝整流構件59之側面吐出流體。2個流體噴嘴73d係朝全壓測定管55t之外周面吐出流體。2個流體噴嘴73e係朝靜壓測定管55s之外周面吐出流體。
在圖13所示構成的情況，控制裝置3係打開洗淨液閥63，使所有流體噴嘴73吐出洗淨液。藉此，洗淨液供給至殼體51之內周面51i、整流構件59之表面、及皮托管55之外周面。控制裝置3係在關閉洗淨液閥63後，打開氣體閥72，使所有流體噴嘴73吐出氣體。藉此，使殼體51之內周面51i、整流構件59之表面、及皮托管55之外周面乾燥。
如此，洗淨流量計46。若異物附著於皮托管55之測定孔56，則此異物被由流體噴嘴73吐出之洗淨液沖除。其後，藉由從所有流體噴嘴73吐出氣體，促進附著於測定孔56之洗淨液的乾燥。從而，相較於藉由排氣流使皮托管55乾燥的情況，可依較短時間使皮托管55乾燥。
又，如圖14所示，皮托管55亦可依在殼體51之中心線L1之方向上觀看殼體51時皮托管55之中心線L2相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢、或依在殼體51之中心線L1之方向上觀看殼體51時皮托管55之中心線L2呈水平之水平姿勢，配置於殼體51內。圖14係表示前者之例。
圖14中之黑圓點，係表示附著於殼體51之內周面51i之下端部的殘渣或結晶等異物。在殼體51之中心線L1為水平或相對於水平面呈傾斜，且皮托管55之中心線L2為鉛直的情況，殘渣或結晶等異物容易蓄積於皮托管55之下端部。從而，藉由使 皮托管55相對於鉛直面呈傾斜、或與鉛直面正交，可減輕此種異物附著。
[第2實施形態]
圖15為本發明第2實施形態之時序圖，表示基板W之旋轉速度、由FFU6供給至腔室4內之潔淨氣體之流量、及由腔室4所排出之排氣之流量的經時性變化。以下參照圖6與圖15。
相對於第1實施形態，第2實施形態之主要相異點在於：根據流量計46之測定值，控制裝置3係變更FFU6之輸出設定值、亦即變更FFU6對腔室4內吹送之潔淨氣體的流量設定值。
具體而言，在進行基板W之處理時，基板W之旋轉速度並非固定，而配合處理內容變化。圖15表示了基板W之旋轉速度由零起增加至液處理速度，其後由液處理速度增加至乾燥速度之例。液處理速度係在將藥液或沖洗液等處理液供給至基板W時的基板W之旋轉速度，乾燥速度係在使基板W乾燥時的基板W之旋轉速度。在基板W之乾燥結束時，基板W之旋轉速度將由乾燥速度減少至零。
流入至腔室4內之潔淨氣體之流量與由腔室4所排出之排氣之流量，係即使不改變FFU6輸出設定值亦發生變化。此係由於腔室4內之狀態改變所致。例如，若基板W之旋轉速度上升，則即使FFU6之輸出設定值相同，流入至腔室4內之潔淨氣體之流量與由腔室4所排出之排氣之流量仍增加。如圖15中由二點鏈線所示般，基板W之旋轉速度為液處理速度時，排氣之流量係較基板W旋轉速度為零時大；在基板W之旋轉速度為乾燥速度時，排 氣之流量係較基板W旋轉速度為液處理速度時大。
若排氣之流量發生變化，則流量計46之測定值亦改變。如圖15所示，控制裝置3係根據流量計46之測定值變更FFU6之輸出設定值，使由腔室4所排出之排氣流量的變動幅度減少。例如，在基板W之旋轉速度為液處理速度時，控制裝置3使FFU6之輸出設定值較基板W旋轉速度為零時減少；在基板W之旋轉速度為乾燥速度時，使FFU6之輸出設定值較基板W旋轉速度為液處理速度時減少。
若使FFU6之輸出設定值如此變化，則可使下降氣流之速度穩定，並可使FFU6所消耗之能量較未變更FFU6輸出設定值的情況減少。再者，若使FFU6之輸出設定值如此變化，則可減少基板處理裝置1所需之潔淨氣體的最大流量，可減少潔淨氣體之使用量。
第2實施形態中，係除了第1實施形態的作用效果之外，尚可發揮下述作用效果。具體而言，屬於送風機一例之FFU6係將氣體吹送至基板處理裝置1內。FFU6之輸出設定值、亦即FFU6對基板處理裝置1內吹送之氣體之流量的設定值即使相同，基板處理裝置1內之氣流之流速亦不一定持續固定。此係由於基板處理裝置1之狀態改變所致。控制裝置3係根據流量計46之測定值變更由FFU6吹送至基板處理裝置1內之氣體的流量。從而，可將基板處理裝置1內之氣體之流速維持為一定，或者意圖性地使其變化。
尚且，上述說明中，說明了根據流量計46之測定值變更FFU6之輸出設定值的情況，而在排氣風門47(參照圖6)為自動風門的情況，亦可在FFU6之輸出設定值之變更之外或取代此動 作地，而變更排氣風門47之開度。若改變排氣風門47之開度，由於排氣風門47造成的壓力損失改變，故通過個別排氣管42由腔室4內所排出之排氣的流量發生變化。藉由調整排氣流量，可減低在基板處理裝置1所設置之工廠中所設置之排氣處理設備的負荷。
[第3實施形態]
圖16為本發明第3實施形態之流程圖，表示控制裝置3判斷是否進行流量計46之洗淨時的流程。以下參照圖6與圖16。
相對於第1實施形態，第3實施形態之主要相異點在於：根據流量計46之測定值與壓力計45之測定值，控制裝置3判斷流量計46之洗淨的必要性。
具體而言，藉由壓力計45測定對排氣通路44所施加之壓力。若排氣通路44內所流通之排氣的流速固定，則流量計46之測定值亦幾乎固定，壓力計45之測定值亦幾乎固定。換言之，若皮托管55之測定孔56無堵塞、流量計46適當地發揮機能，則流量計46之測定值與壓力計45之測定值呈一定關係。從而，若流量計46之測定值與壓力計45之測定值的關係失衡，則有異物附著於皮托管55之測定孔56的可能性。
如圖16所示，控制裝置3取得流量計46之測定值與壓力計45之測定值(步驟S11)。其後，控制裝置3根據流量計46之測定值與壓力計45之測定值間的關係，判斷流量計46之測定值是否為適當範圍內(步驟S12)。流量計46之測定值與壓力計45之測定值間的關係，係根據事先測定之實驗值所作成，並記憶於控制裝置3之輔助記憶裝置35(參照圖4)中。
若流量計46之測定值為適當範圍內(步驟S12為Yes)，控制裝置3將再次取得流量計46之測定值與壓力計45之測定值(回到步驟S11)。若流量計46之測定值為適當範圍外(步驟S12為No)，控制裝置3判斷異物附著於皮托管55之測定孔56，使洗淨系統洗淨流量計46(步驟S13)。藉此，可於事前地檢測測定孔56之堵塞，可長期依穩定精度測定排氣流量。
[其他實施形態]
本發明並不限定於上述實施形態之內容，而可進行各種變更。
例如，在藉由排氣氣流使附著於皮托管55之洗淨液等液體蒸發時，亦可省略吸引配管64及氣體配管71。
殼體51亦可依並非殼體51之中心線L1為水平之水平姿勢，而是依殼體51之中心線L1相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢配置於排氣通路44中。或者殼體51亦可依殼體51之中心線L1為鉛直之鉛直姿勢配置於排氣通路44中。
亦可並非殼體51之主管53全體，而僅使主管53之內周面由具有耐藥品性之樹脂所形成。例如，主管53亦可為具備由金屬等樹脂以外之材料所形成的外筒、與塗佈於外筒之內周面全體的樹脂層。
同樣地，亦可並非皮托管55之全體，而僅使皮托管55之表面由具有耐藥品性之樹脂所形成。亦即，若流量計46中與排氣相接之任一部分均由具有耐藥品性之樹脂所形成，則其以外之部分可由任意材料所形成。
流量計46亦可未對每個處理單元2設置，而對每個 塔TW設置。亦即，亦可僅於集合排氣管43設置流量計46。
流量計46亦可配置於無塵室之地板F上方。例如，亦可將流量計46配置於基板處理裝置1之內部。
基板處理裝置1並不侷限於對圓板狀之基板W進行處理的裝置，亦可為對多角形之基板W進行處理的裝置。
基板處理裝置1並不侷限於單片式裝置，亦可為一概地對複數片基板W進行處理的批次式裝置。
亦可將上述所有構成之2個以上組合。亦可將上述所有步驟之2個以上組合。
本申請案係對應至2018年3月23日向日本特許廳提出之日本專利特願2018-057253號，此申請案之所有揭示內容係藉由引用而組入於此。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明，但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例，本發明並不應限定於此等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
42‧‧‧個別排氣管
42a‧‧‧第1管
42b‧‧‧第2管
44‧‧‧排氣通路
46‧‧‧流量計
46i‧‧‧入口
46o‧‧‧出口
51‧‧‧殼體
51i‧‧‧內周面
52‧‧‧上游凸緣
53‧‧‧主管
54‧‧‧下游凸緣
55‧‧‧皮托管
55s‧‧‧靜壓測定管
55t‧‧‧全壓測定管
56‧‧‧測定孔
56s‧‧‧靜壓測定孔
56t‧‧‧全壓測定孔
57‧‧‧測定配管
58‧‧‧差壓計
59‧‧‧整流構件
59a‧‧‧整流板
61‧‧‧常開閥
62‧‧‧洗淨液配管
63‧‧‧洗淨液閥
64‧‧‧吸引配管
65‧‧‧吸引閥
66‧‧‧吸引裝置
Df‧‧‧流動方向
L1、L2‧‧‧中心線

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置用之皮托管式流量計，其具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；及至少一個流體噴嘴，其對上述殼體內部供給流體；上述洗淨液配管係連接於上述至少一個流體噴嘴。
  2. 如請求項1之基板處理裝置用之皮托管式流量計，其中，上述至少一個流體噴嘴係包含流體噴嘴，其配置於上述殼體內，朝上述皮托管之外周面吐出流體。
  3. 一種基板處理裝置用之皮托管式流量計，其具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；測定配管，其連接於上述皮托管；以及吸引配管，其經由上述測定配管吸引上述皮托管內之流體。
  4. 一種基板處理裝置用之皮托管式流量計，其具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；測定配管，其連接於上述皮托管；以及 氣體配管，其經由上述測定配管連接於上述皮托管，引導經由上述測定配管而供給至上述皮托管之氣體。
  5. 一種基板處理裝置用之皮托管式流量計，其具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；流體噴嘴，其配置於上述殼體內，朝上述皮托管之外周面吐出流體；以及氣體配管，其連接於上述流體噴嘴，引導供給至上述流體噴嘴之氣體。
  6. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣通路，其供含有上述藥品之排氣通過；以及請求項1至5中任一項之基板處理裝置用之皮托管式流量計，其配置於上述排氣通路，測定含有上述藥品之排氣之流量。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係配置於設置有上述基板處理裝置之無塵室之地板下。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中，進一步具備：氣體流量變更單元，其變更供氣流量及排氣流量之至少一者，該供氣流量表示供給至上述基板處理裝置內之氣體之流量，該排氣流量表示由上述基板處理裝置所排出之氣體之流量；以及控制裝置，其根據上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之測定 值，使上述氣體流量變更單元變更上述供氣流量及排氣流量之至少一者。
  9. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣通路，其供含有上述藥品之排氣通過；以及基板處理裝置用之皮托管式流量計，其配置於上述排氣通路，測定含有上述藥品之排氣之流量；上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係具備：筒狀之殼體，其供含有上述藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；及洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；上述殼體係依上述殼體之中心線呈水平之水平姿勢、或上述殼體之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢，配置於上述排氣通路；上述皮托管係依在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢、或在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線呈水平之水平姿勢，配置於上述殼體內。
  10. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣通路，其供含有上述藥品之排氣通過；基板處理裝置用之皮托管式流量計，其配置於上述排氣通路，測定含有上述藥品之排氣之流量；壓力計，其測定對上述排氣通路所施加之壓力；以及 控制裝置，其根據上述基板處理裝置用之皮托管式流量計的測定值與上述壓力計之測定值，檢測上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之皮托管之測定孔之堵塞；上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係具備：筒狀之殼體，其供含有上述藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；及洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液。
  11. 一種基板處理方法，其係藉由具備請求項1至5中任一項之基板處理裝置用之皮托管式流量計之基板處理裝置所執行者，其包括：基板處理步驟，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣流量測定步驟，其使配置於引導含有上述藥品之排氣之排氣通路上的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量；以及皮托管洗淨步驟，其於上述排氣流量測定步驟後，將由上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之洗淨液配管所引導之洗淨液，供給至上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之皮托管，藉此洗淨上述皮托管。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中，上述排氣流量測定步驟係包含：使配置於設置有上述基板處理裝置之無塵室之地板下的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量的步驟。
  13. 如請求項11之基板處理方法，其中，進一步包含氣體流量變 更步驟，其根據上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之測定值，變更供氣流量及排氣流量之至少一者，該供氣流量表示供給至上述基板處理裝置內之氣體之流量，該排氣流量表示由上述基板處理裝置所排出之氣體之流量。
  14. 一種基板處理方法，其係藉由具備基板處理裝置用之皮托管式流量計之基板處理裝置所執行者，上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；及洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；上述基板處理方法係包括：基板處理步驟，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣流量測定步驟，其使配置於引導含有上述藥品之排氣之排氣通路上之上述皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量；以及皮托管洗淨步驟，其於上述排氣流量測定步驟後，將由上述皮托管式流量計之洗淨液配管所引導之洗淨液，供給至上述皮托管式流量計之皮托管，藉此洗淨上述皮托管；上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之殼體，係依上述殼體之中心線呈水平之水平姿勢、或上述殼體之中心線相對於水平面呈傾斜之傾斜姿勢，配置於上述排氣通路，上述排氣流量測定步驟係包含：使依在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線相對於水平面呈傾斜之傾 斜姿勢而配置於上述殼體內的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量的步驟；或使依在上述殼體之中心線之方向上觀看上述殼體時上述皮托管之中心線呈水平之水平姿勢而配置於上述殼體內的上述基板處理裝置用之皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量的步驟。
  15. 一種基板處理方法，其係藉由具備基板處理裝置用之皮托管式流量計之基板處理裝置所執行者，上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；及洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；上述基板處理方法係包括：基板處理步驟，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣流量測定步驟，其使配置於引導含有上述藥品之排氣之排氣通路上之上述皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量；皮托管洗淨步驟，其於上述排氣流量測定步驟後，將由上述皮托管式流量計之洗淨液配管所引導之洗淨液，供給至上述皮托管式流量計之皮托管，藉此洗淨上述皮托管；以及堵塞檢測步驟，其根據測定對上述排氣通路所施加之壓力之壓力計的測定值與上述基板處理裝置用之皮托管式流量計的測定值，檢測上述基板處理裝置用之皮托管式流量計之皮托管之測定孔之堵塞。
  16. 一種基板處理方法，其係藉由具備基板處理裝置用之皮托管 式流量計之基板處理裝置所執行者，上述基板處理裝置用之皮托管式流量計係具備：筒狀之殼體，其供含有處理基板之藥品之排氣通過；皮托管，其包含與排氣相接之開設有測定孔的外周面，並配置於上述殼體內；及洗淨液配管，其引導供給至上述皮托管之洗淨液；上述基板處理方法係包括：基板處理步驟，其將處理基板之藥品供給至基板；排氣流量測定步驟，其使配置於引導含有上述藥品之排氣之排氣通路上之上述皮托管式流量計，測定含有上述藥品之排氣之流量；皮托管洗淨步驟，其於上述排氣流量測定步驟後，將由上述皮托管式流量計之洗淨液配管所引導之洗淨液，供給至上述皮托管式流量計之皮托管，藉此洗淨上述皮托管；以及皮托管乾燥步驟，其在上述皮托管洗淨步驟後，利用流體之吸引及供給之至少一者形成氣流，藉此使上述皮托管乾燥。
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