WO2019181061A1

WO2019181061A1 - 基板処理装置用のピトー管式流量計、基板処理装置、および基板処理方法

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Publication number: WO2019181061A1
Application number: PCT/JP2018/041991
Authority: WO
Inventors: 昭彦瀧; 辰美下村
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2018-03-23
Filing date: 2018-11-13
Publication date: 2019-09-26
Also published as: JP2019169642A; TWI696836B; JP6985964B2; TW201940885A

Abstract

基板処理装置は、基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、薬品を含む排気が通過する排気通路と、排気通路に配置されており、薬品を含む排気の流量を測定するピトー管式流量計とを備えている。ピトー管式流量計は、薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、ケーシング内に配置されたピトー管と、ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管とを含む。

Description

基板処理装置用のピトー管式流量計、基板処理装置、および基板処理方法

　本発明は、基板処理装置用のピトー管式流量計、ピトー管式流量計を備える基板処理装置、およびピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法に関する。

　処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板などが含まれる。

　半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。

　特許文献１には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を処理する複数の処理ユニットと、複数の処理ユニットから排出された排気から液体を分離する複数の気液分離ボックスと、複数の気液分離ボックスにそれぞれ接続された複数の個別排気ダクトと、各個別排気ダクトに接続された集合排気ダクトとを備えている。

　特許文献１に記載の基板処理装置は、さらに、集合排気ダクト内を流れる排気の流量を調整する集合ダンパーと、集合排気ダクト内を流れる排気の流量を検出する集合流量計とを備えている。特許文献１の段落００８１には、集合流量計は、たとえば差圧流量計であり、集合ダンパーの上流で排気圧を検出する第１集合流量計と、集合ダンパーの下流で排気圧を検出する第２集合流量計と、を含む、と記載されている。同段落には、集合流量計は、差圧流量計に限らず、熱式質量流量計、渦流量計、超音波流量計などの他の形式の流量計であってもよい、との記載がある。

特開２０１５－１１９０４２号公報

　基板処理装置から排出される排気には、微量の薬品が含まれていることがある。たとえば、酸性薬液、アルカリ性薬液、および有機薬液などの複数種の薬液を同一の基板に順次供給するときには、酸性薬液を含んだ排気と、アルカリ性薬液を含んだ排気と、有機薬液を含んだ排気とが、排気ダクトを順次通過する。この場合、塩などの結晶が排気ダクト内に発生し、排気ダクト内で徐々に蓄積される。同じ基板に供給される薬液の種類が一つだけであっても、薬液に含まれる水分が失われると、残渣や結晶が排気ダクト内に残り、排気ダクト内で徐々に蓄積される。

　特許文献１には、差圧流量計、熱式質量流量計、渦流量計、または超音波流量計等を集合流量計として用いることが記載されているものの、集合流量計がどの形式の流量計であっても、基板の処理を続けると、残渣や結晶などの異物が集合流量計に付着し、集合流量計に徐々に溜まる。付着した異物の量がわずかであれば、流量の測定に殆ど影響しないものの、異物の量が増えると、流量の測定精度に影響をきたすおそれがある。

　そこで、本発明の目的の一つは、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる基板処理装置用のピトー管式流量計、基板処理装置、および基板処理方法を提供することである。

　本発明の一実施形態は、基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備える、基板処理装置用のピトー管式流量計を提供する。

　この構成によれば、基板を処理する薬品を含む排気が、ケーシング内を下流に流れる。ピトー管は、ケーシング内に配置されている。ケーシング内を下流に流れる排気の全圧（静圧と動圧の和）および静圧は、ピトー管によって検出される。排気の流量、つまり、単位時間においてケーシングを通過する排気の量は、排気の動圧に基づいて計算される。これにより、ケーシングを通過する排気の流量を測定できる。

　ケーシング内を下流に流れる排気は、測定孔が設けられたピトー管の外周面に接する。ピトー管が長時間排気に晒されると、塩などの異物がピトー管の測定孔に付着する。洗浄液配管によって案内された洗浄液は、ピトー管の測定孔に供給される。これにより、ピトー管の測定孔が残渣や結晶などの異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　さらに、洗浄液をピトー管やケーシングに供給するので、これらに付着している異物が洗浄液に溶ける場合には、異物を洗浄液で溶かしながら除去することができる。たとえば、酸性薬品とアルカリ性薬品との接触によって発生した塩や、水分の消失によって薬液から析出した結晶は水に溶けるので、水を含む洗浄液をピトー管等に供給すれば、塩や結晶を効果的に除去できる。したがって、洗浄液の代わりに洗浄ガスを用いる場合に比べて異物を確実に除去できる。

　基板を処理する薬品は、薬液の蒸気（薬品の気体）またはミスト（薬品の微小な液滴）であってもよいし、薬液（薬品の液体）であってもよい。同様に、排気に含まれる薬品は、薬品の蒸気（薬品の気体）であってもよいし、薬品のミスト（薬品の微小な液滴）であってもよい。

　排気の全圧および静圧は、２つのピトー管によって測定されてもよいし、１つのピトー管によって測定されてもよい。つまり、基板処理装置用のピトー管式流量計は、排気の全圧および静圧をそれぞれ測定する２つのピトー管（全圧測定管および静圧測定管）を備えていてもよいし、全圧測定管および静圧測定管が一体化された１つのピトー管を備えていてもよい。

　本実施形態において、以下の少なくとも一つの特徴が、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に加えられてもよい。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管をさらに備え、前記洗浄液配管は、前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されている。

　この構成によれば、ピトー管の測定孔に加わる圧力（全圧または静圧）が測定配管を介して差圧計に伝達される。洗浄液配管によって案内された洗浄液は、測定配管を介してピトー管の内部空間に供給される。ピトー管内の洗浄液は、測定孔からピトー管の外に排出される。異物が測定孔に付着していれば、この異物は測定孔から排出される洗浄液によって洗い流される。これにより、ピトー管の測定孔が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　加えて、測定配管を介してピトー管の内部空間に洗浄液を供給するので、洗浄液を吐出する流体ノズルをケーシング内に配置しなくてもよい。流体ノズルをケーシング内に配置すると、わずかではあるが、排気の流れに影響が及ぶ。したがって、排気の流れに影響を及ぼすことなく、ピトー管を洗浄できる。さらに、流体ノズルを設けなくてもよいので、部品点数を減らすことができる。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ケーシングの内部に流体を供給する少なくとも一つの流体ノズルをさらに備え、前記洗浄液配管は、前記少なくとも一つの流体ノズルに接続されている。

　この構成によれば、洗浄液が、洗浄液配管から流体ノズルに供給され、流体ノズルから吐出される。これにより、ケーシングの内部に洗浄液が供給される。したがって、ケーシングの内面を洗浄液で洗浄できる。それだけでなく、ピトー管などのケーシングの内部に配置された部材も洗浄液で洗浄できる。これにより、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　前記少なくとも一つの流体ノズルは、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルを含む。

　この構成によれば、洗浄液配管によって案内された洗浄液が、ケーシング内に配置された流体ノズルに供給され、流体ノズルからピトー管の外周面に向けて吐出される。これにより、洗浄液がピトー管の測定孔に供給される。異物が測定孔に付着していれば、この異物は流体ノズルから吐出された洗浄液によって洗い流される。これにより、ピトー管の測定孔が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管と、前記測定配管を介して前記ピトー管内の流体を吸引する吸引配管とをさらに備える。

　この構成によれば、ピトー管が洗浄液で洗浄された後に、ピトー管内の流体が、ピトー管に接続された測定配管を介して吸引配管に吸引される。異物や洗浄液がピトー管の中に残留していたとしても、これらは測定配管を介して吸引配管に吸引される。さらに、ピトー管の外から測定孔を介してピトー管の中に入る気流が形成されるので、測定孔に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管を乾燥させることができる。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管と、前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されており、前記測定配管を介して前記ピトー管に供給される気体を案内するガス配管とをさらに備える。

　この構成によれば、ピトー管が洗浄液で洗浄された後に、ガス配管によって案内された気体が、測定配管を介してピトー管の内部空間に供給される。ピトー管内の気体は、測定孔からピトー管の外に排出される。これにより、測定孔を介してピトー管の中からピトー管の外に出る気流が形成されるので、測定孔に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管を乾燥させることができる。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルと、前記流体ノズルに接続されており、前記流体ノズルに供給される気体を案内するガス配管とをさらに備える。

　この構成によれば、ピトー管が洗浄液で洗浄された後に、ガス配管によって案内された気体が、ケーシング内に配置された流体ノズルに供給され、流体ノズルからピトー管の外周面に向けて吐出される。これにより、測定孔に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管を乾燥させることができる。

　洗浄液配管が流体ノズルに接続される場合、基板処理装置用のピトー管式流量計は、洗浄液配管が接続された洗浄液ノズルと、ガス配管が接続されたガスノズルとを備えていてもよいし、洗浄液配管およびガス配管の両方が１つの流体ノズルに接続されていてもよい。

　本発明の他の実施形態は、基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、前記基板処理装置用のピトー管式流量計とを備える、基板処理装置を提供する。

　この構成によれば、基板を処理する薬品が基板に供給される。これにより、基板が処理される。薬品を含む排気は、排気通路を通じて排出される。ピトー管式流量計は排気通路に配置されている。これにより、排気通路を流れる排気の流量を測定できる。さらに、ピトー管式流量計のピトー管が洗浄液で洗浄されるので、ピトー管の測定孔が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。加えて、ピトー管式流量計は、オリフィス流量計などの他の形式の流量計と比べて圧力損失が小さいので、エネルギーの消費量を減らすことができる。

　本実施形態において、以下の少なくとも一つの特徴が、前記基板処理装置に加えられてもよい。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置される。

　この構成によれば、ピトー管式流量計がクリーンルームの床の下に配置される。作業者が自身の手に持ったノズルやブラシを利用して、ケーシングの内部やピトー管を洗浄することが考えられる。しかしながら、ピトー管式流量計が地下に配置されている場合、ピトー管式流量計を簡単にはこのように洗浄できない。これは、クリーンルームの地下に配置された部材へのアクセスが容易ではないからである。したがって、ピトー管に洗浄液を供給する洗浄液配管を設けることにより、ピトー管式流量計を簡単に洗浄できる。

　前記ケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、前記ピトー管は、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置されている。

　この構成によれば、ケーシングの中心線が、水平に延びている、もしくは、水平面に対して斜めに傾いている。ピトー管は、通常、ケーシングの内周面の直径、つまり、ケーシングの中心線を通り、両端がケーシングの内周面上に配置された線分上に配置される。ケーシングが前述のような姿勢であり、ピトー管の中心線が鉛直である場合、残渣や結晶などの異物がピトー管の下端部に溜まり易い。したがって、ピトー管を鉛直面に対して斜めに傾けるもしくは鉛直面に直交させることにより、このような異物の付着を軽減できる。

　前記基板処理装置は、前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ユニットと、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記気体流量変更ユニットに前記給気流量および排気流量の少なくとも一方を変更させる制御装置とをさらに備える。

　前記気体流量変更ユニットは、前記基板処理装置内に気体を送る送風機であってもよいし、前記排気通路の流路断面積を変更する排気ダンパーであってもよいし、これら両方を備えていてもよい。送風機の設定値、つまり、送風機が基板処理装置内に送る気体の流量の設定値が同じであっても、基板処理装置内の気体の流速が一定であり続けるとは限らない。これは、基板処理装置の状態が変わるからである。制御装置は、流量計の測定値に基づいて送風機から基板処理装置内に送られる気体の流量を変更する。したがって、基板処理装置内の気体の流速を一定に維持したり、意図的に変化させたりすることができる。

　前記基板処理装置は、前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計と、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値と前記圧力計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する制御装置とをさらに備える。

　この構成によれば、排気通路に加わる圧力が圧力計によって測定される。排気通路内を流れる排気の流速が一定であれば、ピトー管式流量計の測定値もほぼ一定であり、圧力計の測定値もほぼ一定である。言い換えると、ピトー管の測定孔に詰まりがなく、ピトー管式流量計が適切に機能していれば、ピトー管式流量計の測定値と圧力計の測定値は、一定の関係にある。したがって、ピトー管式流量計の測定値と圧力計の測定値との関係が崩れていると、ピトー管の測定孔に異物が付着している可能性がある。制御装置は、ピトー管式流量計の測定値と圧力計の測定値とに基づいてこれを検知する。これにより、測定孔の詰まりを未然に検知できる。

　本発明のさらに他の実施形態は、前記ピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、前記排気流量測定ステップの後に、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、を含む、基板処理方法を提供する。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

　本実施形態において、以下の少なくとも一つの特徴が、前記基板処理方法に加えられてもよい。

　前記排気流量測定ステップは、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

　前記基板処理装置用のピトー管式流量計のケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、前記排気流量測定ステップは、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップ、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

　前記基板処理方法は、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ステップをさらに含む。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

　前記基板処理方法は、前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計の測定値と前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する詰まり検知ステップをさらに含む。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

　前記基板処理方法は、前記ピトー管洗浄ステップの後に、流体の吸引および供給の少なくとも一方によって気流を形成することにより、前記ピトー管を乾燥させるピトー管乾燥ステップをさらに含む。この構成によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

　本発明における前述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。基板処理装置を側方から見た模式図である。基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。制御装置のハードウェアを示すブロック図である。基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。基板処理装置の排気システムについて説明するための模式図である。ケーシングの中心線を含む平面で切断された流量計の断面を示す断面図である。図７に示す矢印ＶＩＩＩの方向に流量計を見た図である。図７に示すＩＸ－ＩＸ線に沿う流量計の断面を示す断面図である。図９に示すＸ－Ｘ線に沿うピトー管の断面を示す断面図である。ピトー管を洗浄している状態を示す断面図である。ピトー管を乾燥させている状態を示す断面図である。本発明の第１実施形態の第１変形例を示す断面図であり、ケーシングの中心線を含む平面で切断された流量計の断面を示している。本発明の第１実施形態の第２変形例を示す断面図であり、ケーシングの中心線を含む平面で切断された流量計の断面を示している。本発明の第１実施形態の第３変形例を示す断面図であり、ケーシングの中心線に直交する平面で切断された流量計の断面を示している。本発明の第２実施形態に係るタイムチャートであり、基板の回転速度とＦＦＵからチャンバー内に供給されるクリーンエアーの流量とチャンバーから排出される排気の流量の経時的な変化を示している。本発明の第３実施形態に係るフローチャートであり、制御装置が流量計の洗浄を行うか否かを判断するときの流れを示している。

　図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１を上から見た模式図である。図２は、基板処理装置１を側方から見た模式図である。

　図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、１つのロットを構成する１枚以上の基板Ｗを収容するキャリアＣを保持するロードポートＬＰと、ロードポートＬＰ上のキャリアＣから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット２と、ロードポートＬＰ上のキャリアＣと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを備えている。

　搬送ロボットは、ロードポートＬＰ上のキャリアＣに対して基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサロボットＩＲと、複数の処理ユニット２に対して基板Ｗの搬入および搬出を行うセンターロボットＣＲとを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送し、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、基板Ｗを支持するハンドＨ１を含み、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを支持するハンドＨ２を含む。

　複数の処理ユニット２は、平面視でセンターロボットＣＲのまわりに配置された複数のタワーＴＷを形成している。図１は、４つのタワーＴＷが形成されている例を示している。図２に示すように、各タワーＴＷは、上下に積層された複数（たとえば３つ）の処理ユニット２を含む。各タワーＴＷは、基板処理装置１が設置されるクリーンルームの床Ｆの上方に配置されている。

　図３は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である。

　処理ユニット２は、内部空間を有する箱型のチャンバー４と、チャンバー４内で１枚の基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック８と、回転軸線Ａ１まわりにスピンチャック８を取り囲む筒状の処理カップ１３とを含む。

　チャンバー４は、基板Ｗが通過する搬入搬出口５ｂが設けられた箱型の隔壁５と、搬入搬出口５ｂを開閉するシャッター７とを含む。処理ユニット２のＦＦＵ６（ファン・フィルター・ユニット）は、隔壁５の上部に設けられた送風口５ａの上に配置されている。ＦＦＵ６は、クリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送風口５ａからチャンバー４内に常時供給する。チャンバー４内の気体は、処理カップ１３の底部に接続された排気ダクト４１を通じてチャンバー４から排出される。これにより、クリーンエアーのダウンフローがチャンバー４内に常時形成される。

　スピンチャック８は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン９と、スピンベース１０の中央部から下方に延びるスピン軸１１と、スピン軸１１を回転させることによりスピンベース１０および複数のチャックピン９を回転させるスピンモータ１２とを含む。スピンチャック８は、複数のチャックピン９を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１０の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。

　処理カップ１３は、基板Ｗから外方に排出された液体を受け止めるガード１４と、ガード１４によって下方に案内された液体を受け止めるカップ１５と、ガード１４およびカップ１５を取り囲む円筒状の外壁部材１６とを含む。処理カップ１３は、複数のガード１４と複数のカップ１５とを備えていてもよい。

　ガード１４は、スピンチャック８を取り囲む円筒状の筒状部１４ｂと、筒状部１４ｂの上端部から回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円環状の天井部１４ａとを含む。カップ１５は、筒状部１４ｂの下方に配置されている。カップ１５は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。ガード１４によって受け止められた液体は、受液溝に案内される。

　処理ユニット２は、ガード１４を昇降させるガード昇降ユニット１７を含む。ガード昇降ユニット１７は、上位置（図３に示す位置）から下位置までの任意の位置にガード１４を位置させる。上位置は、ガード１４の上端１４ｕがスピンチャック８に保持されている基板Ｗが配置される保持位置よりも上方に配置される位置である。下位置は、ガード１４の上端１４ｕが保持位置よりも下方に配置される位置である。天井部１４ａの円環状の上端は、ガード１４の上端１４ｕに相当する。ガード１４の上端１４ｕは、平面視で基板Ｗおよびスピンベース１０を取り囲んでいる。

　スピンチャック８が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、ガード１４の上端１４ｕが、基板Ｗよりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、ガード１４に受け止められ、カップ１５に案内される。

　処理ユニット２は、スピンチャック８に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズルを含む。複数の処理液ノズルは、基板Ｗに向けて酸性の薬液を吐出する酸性薬液ノズル１８と、基板Ｗに向けてアルカリ性の薬液を吐出するアルカリ性薬液ノズル２１と、基板Ｗに向けて有機薬液を吐出する有機薬液ノズル２４と、基板Ｗに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル２７とを含む。

　酸性薬液ノズル１８は、チャンバー４内で水平に移動可能なスキャンノズルであってもよいし、チャンバー４の隔壁５に対して固定された固定ノズルであってもよい。アルカリ性薬液ノズル２１、有機薬液ノズル２４、およびリンス液ノズル２７についても同様である。たとえば酸性薬液ノズル１８がスキャンノズルである場合、チャンバー４内で酸性薬液ノズル１８を移動させるノズル移動ユニットを処理ユニット２に設ければよい。

　処理ユニット２は、酸性薬液ノズル１８に接続された酸性薬液配管１９と、酸性薬液配管１９の内部を開閉する酸性薬液バルブ２０とを含む。同様に、処理ユニット２は、アルカリ性薬液ノズル２１に接続されたアルカリ性薬液配管２２と、アルカリ性薬液配管２２の内部を開閉するアルカリ性薬液バルブ２３と、有機薬液ノズル２４に接続された有機薬液配管２５と、有機薬液配管２５の内部を開閉する有機薬液バルブ２６と、リンス液ノズル２７に接続されたリンス液配管２８と、リンス液配管２８の内部を開閉するリンス液バルブ２９とを含む。

　図示はしないが、酸性薬液バルブ２０は、液体が流れる内部流路と内部流路を取り囲む環状の弁座とが設けられたバルブボディと、弁座に対して移動可能な弁体と、弁体が弁座に接触する閉位置と弁体が弁座から離れた開位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、酸性薬液バルブ２０を開閉させる。

　酸性薬液バルブ２０が開かれると、酸性薬液供給源からの酸性薬液が、基板Ｗの上面に向けて酸性薬液ノズル１８から吐出される。同様に、アルカリ性薬液バルブ２３、有機薬液バルブ２６、およびリンス液バルブ２９のいずれかが開かれると、アルカリ性薬液、有機薬液、およびリンス液のいずれかが、アルカリ性薬液ノズル２１、有機薬液ノズル２４、およびリンス液ノズル２７のいずれかから基板Ｗの上面に向けて吐出される。これにより、基板Ｗの上面に処理液が供給される。

　酸性薬液の一例は、フッ酸（フッ化水素酸）であり、アルカリ性薬液の一例は、ＳＣ－１（アンモニア過酸化水素水）である。有機薬液の一例は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）であり、リンス液の一例は、純水（脱イオン水：ＤＩＷ（Ｄeionized Ｗater））である。ＩＰＡは、水よりも表面張力が低く、水よりも揮発性が高い有機溶剤の一例である。

　酸性薬液は、硫酸や塩酸などのフッ酸以外の酸性薬液であってもよい。アルカリ性薬液は、ＴＭＡＨ（トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド）などのＳＣ－１以外のアルカリ性薬液であってもよい。有機薬液は、ＨＦＥ（ハイドロフロロエーテル）などのＩＰＡ以外の有機薬液であってもよい。リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などの純水以外のリンス液であってもよい。

　図４は、制御装置３のハードウェアを示すブロック図である。

　制御装置３は、コンピュータ本体３１と、コンピュータ本体３１に接続された周辺装置３４とを含む、コンピュータである。コンピュータ本体３１は、各種の命令を実行するＣＰＵ３２（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶する主記憶装置３３とを含む。周辺装置３４は、プログラムＰ等の情報を記憶する補助記憶装置３５と、リムーバブルメディアＭから情報を読み取る読取装置３６と、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置３７とを含む。

　制御装置３は、入力装置３８、表示装置３９、および警報装置４０に接続されている。入力装置３８は、ユーザーやメンテナンス担当者などの操作者が基板処理装置１に情報を入力するときに操作される。情報は、表示装置３９の画面に表示される。入力装置３８は、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。入力装置３８および表示装置３９を兼ねるタッチパネルディスプレイが基板処理装置１に設けられていてもよい。警報装置４０は、光、音、文字、および図形のうちの１つ以上を用いて警報を発する。入力装置３８がタッチパネルディスプレイの場合、入力装置３８が、警報装置４０を兼ねていてもよい。

　ＣＰＵ３２は、補助記憶装置３５に記憶されたプログラムＰを実行する。補助記憶装置３５内のプログラムＰは、制御装置３に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置３６を通じてリムーバブルメディアＭから補助記憶装置３５に送られたものであってもよいし、ホストコンピュータなどの外部装置から通信装置３７を通じて補助記憶装置３５に送られたものであってもよい。

　補助記憶装置３５およびリムーバブルメディアＭは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。補助記憶装置３５は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。リムーバブルメディアＭは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアＭは、プログラムＰが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。

　補助記憶装置３５は、複数のレシピを記憶している。レシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順を規定する情報である。複数のレシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順の少なくとも一つにおいて互いに異なる。制御装置３は、ホストコンピュータによって指定されたレシピにしたがって基板Ｗが処理されるように基板処理装置１を制御する。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。

　次に、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明する。

　図５は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図１、図３および図５を参照する。

　基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるときは、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程が行われる。

　具体的には、ガード１４が下位置に位置している状態で、センターロボットＣＲが、基板ＷをハンドＨ１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させる（図５のステップＳ１）。その後、センターロボットＣＲは、ハンドＨ１上の基板Ｗをスピンチャック８の上に置く。センターロボットＣＲは、基板Ｗをスピンチャック８の上に置いた後、ハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。

　次に、酸性薬液の一例であるフッ酸を基板Ｗに供給する酸性薬液供給工程が行われる。

　具体的には、ガード昇降ユニット１７は、ガード１４を上位置まで上昇させて、ガード１４の内面を基板Ｗの外周面に水平に対向させる。スピンモータ１２は、基板Ｗがチャックピン９によって把持されている状態で回転を開始する。これにより、基板Ｗの回転が開始される（図５のステップＳ２）。この状態で、酸性薬液バルブ２０が開かれ、酸性薬液ノズル１８がフッ酸の吐出を開始する（図５のステップＳ３）。

　酸性薬液ノズル１８から吐出されたフッ酸は、基板Ｗの上面に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆うフッ酸の液膜が基板Ｗ上に形成される。酸性薬液バルブ２０が開かれてから所定時間が経過すると、酸性薬液バルブ２０が閉じられ、酸性薬液ノズル１８からのフッ酸の吐出が停止される。

　次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程が行われる。

　具体的には、リンス液バルブ２９が開かれ、リンス液ノズル２７が純水の吐出を開始する（図５のステップＳ４）。リンス液ノズル２７から吐出された純水は、基板Ｗの上面に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上のフッ酸が純水に置換され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。その後、リンス液バルブ２９が閉じられ、リンス液ノズル２７からの純水の吐出が停止される。

　次に、アルカリ性薬液の一例であるＳＣ－１を基板Ｗに供給するアルカリ性薬液供給工程が行われる。

　具体的には、アルカリ性薬液バルブ２３が開かれ、アルカリ性薬液ノズル２１がＳＣ－１の吐出を開始する（図５のステップＳ５）。アルカリ性薬液ノズル２１から吐出されたＳＣ－１は、基板Ｗの上面に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上の純水がＳＣ－１に置換され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ－１の液膜が形成される。その後、アルカリ性薬液バルブ２３が閉じられ、アルカリ性薬液ノズル２１からのＳＣ－１の吐出が停止される。

　次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程が行われる。

　具体的には、リンス液バルブ２９が開かれ、リンス液ノズル２７が純水の吐出を開始する（図５のステップＳ６）。リンス液ノズル２７から吐出された純水は、基板Ｗの上面に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ－１が純水に置換され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。その後、リンス液バルブ２９が閉じられ、リンス液ノズル２７からの純水の吐出が停止される。

　次に、有機薬液の一例であるＩＰＡを基板Ｗに供給する有機薬液供給工程が行われる。

　具体的には、有機薬液バルブ２６が開かれ、有機薬液ノズル２４がＩＰＡの吐出を開始する（図５のステップＳ７）。有機薬液ノズル２４から吐出されたＩＰＡは、基板Ｗの上面に着液した後、回転している基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗ上の純水がＩＰＡに置換され、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜が形成される。その後、有機薬液バルブ２６が閉じられ、有機薬液ノズル２４からのＩＰＡの吐出が停止される。

　次に、基板Ｗの回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（スピンドライ工程）が行われる。

　具体的には、スピンモータ１２が基板Ｗを回転方向に加速させ、第１薬液供給工程から有機薬液供給工程までの期間における基板Ｗの回転速度よりも大きい乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、液体が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する（図５のステップＳ８）。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１２が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される（図５のステップＳ９）。

　次に、基板Ｗをチャンバー４から搬出する搬出工程が行われる。

　具体的には、ガード昇降ユニット１７がガード１４を下位置まで下降させる。この状態で、センターロボットＣＲが、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させる。センターロボットＣＲは、複数のチャックピン９が基板Ｗの把持を解除した後、スピンチャック８上の基板ＷをハンドＨ１で支持する。その後、センターロボットＣＲは、基板ＷをハンドＨ１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される（図５のステップＳ１０）。

　次に、基板処理装置１の排気システムについて説明する。

　図６は、基板処理装置１の排気システムについて説明するための模式図である。以下の説明における上流および下流は、排気通路４４内における排気の流れ方向Ｄｆの上流および下流を意味する。

　基板処理装置１は、基板処理装置１内で発生した排気を基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備の方に案内する排気ダクト４１を備えている。排気ダクト４１は、複数の処理ユニット２から排気処理設備の方に延びる排気通路４４を形成している。排気ダクト４１は、複数の処理ユニット２にそれぞれ対応する複数の個別排気ダクト４２と、複数のタワーＴＷにそれぞれ対応する複数の集合排気ダクト４３とを含む。

　複数の個別排気ダクト４２は、それぞれ、複数の処理ユニット２に接続されている。集合排気ダクト４３は、１つのタワーＴＷに対応する全ての個別排気ダクト４２に接続されている。言い換えると、１つのタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット２に接続された全ての個別排気ダクト４２が、１つの集合排気ダクト４３に接続されている。

　各集合排気ダクト４３は、基板処理装置１の排気を常時吸引する排気処理設備に接続されている。基板処理装置１は、排気通路４４に加わる圧力（負圧）を測定する複数の圧力計４５と、排気通路４４を流れる排気の流量を測定する複数の流量計４６と、排気通路４４の流路断面積（排気の流れ方向Ｄｆに直交する断面の面積）を変更する複数の排気ダンパー４７とを備えている。排気ダンパー４７は、マニュアルダンパーであってもよいし、オートダンパーであってもよい。排気ダンパー４７がオートダンパーである場合、排気ダンパー４７は、バタフライバルブなどのバルブと、バルブの開度を変更するアクチュエータとを含む。

　複数の圧力計４５は、それぞれ、複数の個別排気ダクト４２に対応している。同様に、複数の流量計４６は、それぞれ、複数の個別排気ダクト４２に対応しており、複数の排気ダンパー４７は、それぞれ、複数の個別排気ダクト４２に対応している。つまり、圧力計４５、流量計４６、および排気ダンパー４７は、個別排気ダクト４２ごとに設けられており、対応する個別排気ダクト４２に接続されている。

　図６は、圧力計４５、流量計４６、および排気ダンパー４７が、上流側から圧力計４５、流量計４６、排気ダンパー４７の順番で排気の流れ方向Ｄｆに並んでいる例を示している。圧力計４５は、流量計４６の上流に配置されており、流量計４６は、排気ダンパー４７の上流に配置されている。圧力計４５、流量計４６、および排気ダンパー４７の順番は、これに限られない。

　圧力計４５、流量計４６、および排気ダンパー４７は、クリーンルームの床Ｆの下の空間である床下空間に配置されている。したがって、個別排気ダクト４２の一部は、クリーンルームの床下空間に配置されている。個別排気ダクト４２の下流端は、クリーンルームの床下空間で集合排気ダクト４３に接続されている。集合排気ダクト４３は、クリーンルームの床下空間に配置されている。

　次に、排気の流量を測定する流量計４６について説明する。

　以下の説明において、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓのいずれでも構わない場合はピトー管５５といい、全圧測定孔５６ｔおよび静圧測定孔５６ｓのいずれでも構わない場合は測定孔５６という。

　図７は、ケーシング５１の中心線Ｌ１を含む平面で切断された流量計４６の断面を示す断面図である。図８は、図７に示す矢印ＶＩＩＩの方向に流量計４６を見た図である。図９は、図７に示すＩＸ－ＩＸ線に沿う流量計４６の断面を示す断面図である。図１０は、図９に示すＸ－Ｘ線に沿うピトー管５５の断面を示す断面図である。

　流量計４６は、ピトー管式流量計である。図７に示すように、流量計４６は、排気通路４４の一部を形成するケーシング５１と、ケーシング５１内を下流に流れる排気の全圧および静圧を測定する２つのピトー管５５と、２つのピトー管５５にそれぞれ接続された２つの測定配管５７と、ケーシング５１内を下流に流れる排気の流れを２つのピトー管５５の上流で整える整流部材５９とを含む。２つのピトー管５５は、２つの測定配管５７を介して差圧計５８に接続されている。

　ケーシング５１は、排気通路４４の一部を形成するメインチューブ５３と、メインチューブ５３の上流端からメインチューブ５３の径方向外方に延びる環状の上流フランジ５２と、メインチューブ５３の下流端からメインチューブ５３の径方向外方に延びる環状の下流フランジ５４とを含む。メインチューブ５３の内周面は、排気通路４４の一部を形成するケーシング５１の内周面５１ｉに相当する。図９に示すように、メインチューブ５３の内周面は、円形の断面を有している。メインチューブ５３の内周面の断面は、四角形などの円形以外の形状であってもよい。

　図７に示すように、ケーシング５１は、ケーシング５１の中心線Ｌ１（メインチューブ５３の中心線）が水平な水平姿勢で排気通路４４上に配置されている。ケーシング５１は、個別排気ダクト４２の第１ダクト４２ａおよび第２ダクト４２ｂの間に配置されている。第１ダクト４２ａは、ケーシング５１の上流に配置されており、第２ダクト４２ｂは、ケーシング５１の下流に配置されている。ケーシング５１は、シールを介して第１ダクト４２ａおよび第２ダクト４２ｂに連結されている。図８に示すように、ケーシング５１の上流フランジ５２を第１ダクト４２ａに固定するボルトは、上流フランジ５２を流れ方向Ｄｆに貫通する複数の通り穴ｈ１に挿入される。同様に、ケーシング５１の下流フランジ５４を第２ダクト４２ｂに固定するボルトは、下流フランジ５４を流れ方向Ｄｆに貫通する複数の通り穴に挿入される。

　図７に示すように、２つのピトー管５５は、ケーシング５１内を下流に流れる排気の全圧を測定する全圧測定管５５ｔと、ケーシング５１内を下流に流れる排気の静圧を測定する静圧測定管５５ｓとを含む。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、メインチューブ５３に挿入されている。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、ケーシング５１に取り付けられている。全圧測定管５５ｔは、静圧測定管５５ｓの上流に配置されている。

　全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、メインチューブ５３の径方向に延びている。図７は、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓの中心線Ｌ２が鉛直である例を示している。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、メインチューブ５３をメインチューブ５３の径方向に貫通している。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓの両端は、メインチューブ５３の外周面からメインチューブ５３の径方向外方に突出している。２つの測定配管５７は、ケーシング５１の外で全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓに接続されている。

　図８に示すように、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、メインチューブ５３の内周面の直径、つまり、両端がメインチューブ５３の内周面上に配置された線分上に配置されている。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、形状、大きさ、および素材が等しい２つの管である。ケーシング５１をケーシング５１の上流側からケーシング５１の中心線Ｌ１の方向（流れ方向Ｄｆと平行な方向）に見ると、全圧測定管５５ｔが静圧測定管５５ｓの全体に重なっており、静圧測定管５５ｓのいずれの部分も見えない。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓは、ケーシング５１の中心線Ｌ１に重なっている。

　図９に示すように、全圧測定管５５ｔは、全圧測定管５５ｔの軸方向に並んだ複数の全圧測定孔５６ｔを含む。図９は、６つの全圧測定孔５６ｔが全圧測定管５５ｔに設けられている例を示している。全圧測定管５５ｔの軸方向は、メインチューブ５３の径方向に一致している。複数の全圧測定孔５６ｔは、複数の対を構成している。対をなす２つの全圧測定孔５６ｔは、ケーシング５１の中心線Ｌ１に関して１８０度回転対称な位置に配置されている。複数の全圧測定孔５６ｔのピッチＰ１、つまり、隣接する２つの全圧測定孔５６ｔの間隔は、ケーシング５１の中心線Ｌ１から離れるにしたがって減少している。

　図１０は、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓの軸方向に直交する平面で切断された全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓの断面がひし形である例を示している。全圧測定管５５ｔの断面の短い方の対角線Ｌｄは、流れ方向Ｄｆに延びており、静圧測定管５５ｓの断面の短い方の対角線Ｌｄは、流れ方向Ｄｆに延びている。全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓの断面は、円形などのひし形以外の形状であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

　図１０に示すように、全圧測定孔５６ｔは、全圧測定管５５ｔの外周面５５ｏおよび内周面５５ｉで開口しており、全圧測定管５５ｔを貫通している。全圧測定孔５６ｔは、上流に向けられている。静圧測定管５５ｓは、複数（たとえば、複数の全圧測定孔５６ｔと同数）の静圧測定孔５６ｓを含む。静圧測定孔５６ｓは、静圧測定管５５ｓの外周面５５ｏおよび内周面５５ｉで開口しており、静圧測定管５５ｓを貫通している。静圧測定孔５６ｓは、下流に向けられている。

　図７に示すように、複数の静圧測定孔５６ｓは、メインチューブ５３の径方向に一致する静圧測定管５５ｓの軸方向に並んでいる。複数の静圧測定孔５６ｓは、複数の対を構成している。対をなす２つの静圧測定孔５６ｓは、ケーシング５１の中心線Ｌ１に関して１８０度回転対称な位置に配置されている。複数の全圧測定孔５６ｔと同様に、複数の静圧測定孔５６ｓのピッチ、つまり、隣接する２つの静圧測定孔５６ｓの間隔は、ケーシング５１の中心線Ｌ１から離れるにしたがって減少している。

　図７に示すように、整流部材５９は、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓの上流に配置されている。整流部材５９は、ケーシング５１に取り付けられている。整流部材５９は、ケーシング５１の内周面５１ｉによって取り囲まれている。図８に示すように、ケーシング５１をケーシング５１の上流側からケーシング５１の中心線Ｌ１の方向に見ると、整流部材５９は、ケーシング５１の内周面５１ｉによって取り囲まれた空間を複数の領域に仕切っている。

　図８は、ケーシング５１の中心線Ｌ１で交わる２枚の整流板５９ａが整流部材５９に設けられている例を示している。ケーシング５１をケーシング５１の上流側からケーシング５１の中心線Ｌ１の方向に見ると、整流板５９ａは、メインチューブ５３の径方向に延びている。整流部材５９は、整流板５９ａに加えてまたは代えて、ケーシング５１の中心線Ｌ１を取り囲む整流リングを備えていてもよい。また、整流部材５９は、格子であってもよいし、網であってもよい。

　図７に示すように、排気は、ケーシング５１の上流端に設けられた入口４６ｉからケーシング５１の中に流入する。ケーシング５１内に流入した排気は、整流部材５９を通過する。これにより、排気の流れが整えられる。整流部材５９を通過した排気は、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓを通過する。その後、排気は、ケーシング５１の下流端に設けられた出口４６ｏを介してケーシング５１から下流に排出される。

　ケーシング５１内を下流に流れる排気の全圧は、全圧測定管５５ｔの複数の全圧測定孔５６ｔに加わる。排気の全圧は、全圧測定管５５ｔに接続された測定配管５７を介して差圧計５８に伝達される。同様に、ケーシング５１内を下流に流れる排気の静圧は、静圧測定管５５ｓの複数の静圧測定孔５６ｓに加わる。排気の静圧は、静圧測定管５５ｓに接続された測定配管５７を介して差圧計５８に伝達される。

　差圧計５８は、２つの測定配管５７を介して全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓから伝達された排気の圧力に基づいて排気の動圧を計算する。差圧計５８によって計算された排気の動圧は、制御装置３に入力される。制御装置３は、差圧計５８から入力された排気の動圧とケーシング５１の流路断面積とに基づいて排気の流量を計算する。排気の流量は、差圧計５８によって計算されてもよい。

　制御装置３は、制御装置３によって計算された排気の流量、または、差圧計５８から入力された排気の流量が適切な範囲内に維持されているかを常時監視する。排気の流量が適切な範囲外であれば、制御装置３は、警報装置４０（図４参照）に警報を発生させ、排気の流量の異常を基板処理装置１のユーザーに伝える。これにより、排気の流量の異常を即座に検知することができる。

　このように、排気は、ケーシング５１の内周面５１ｉ、整流部材５９の表面、およびピトー管５５の表面に接触しながらケーシング５１内を下流に流れる。ピトー管５５の表面には、ピトー管５５の外周面５５ｏおよび内周面５５ｉと、測定孔５６の内周面が含まれる。ケーシング５１の内周面５１ｉ等は、基板Ｗに供給される薬品に対する耐性を有する樹脂で形成されている。つまり、ケーシング５１の内周面５１ｉ等は、薬品に接触しても腐食したり変形したりしない性質を有する樹脂で形成されている。

　図７は、メインチューブ５３の全体とピトー管５５の全体と整流部材５９の全体とが耐薬品性を有する樹脂（たとえば、ポリ塩化ビニル）で形成されている例を示している。メインチューブ５３は、透明な樹脂で形成されていてもよいし、非透明な樹脂で形成されていてもよい。メインチューブ５３が透明であれば、ケーシング５１の外からケーシング５１の中を見ることができる。したがって、ケーシング５１を個別排気ダクト４２から外さずに、ケーシング５１の中を見ることができる。

　次に、流量計４６を洗浄および乾燥させる洗浄システムについて説明する。

　図７に示すように、流量計４６は、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓに供給される洗浄液を案内する洗浄液配管６２と、洗浄液配管６２を開閉する洗浄液バルブ６３と、２つの測定配管５７を開閉する２つの常時開弁６１とを含む。流量計４６は、さらに、２つの測定配管５７を介して全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓ内の流体を吸引する吸引配管６４と、吸引配管６４を開閉する吸引バルブ６５とを含む。吸引配管６４は、アスピレーターなどの吸引装置６６に接続されていてもよいし、基板処理装置１が設置される工場に設けられた吸引設備に接続されていてもよい。

　洗浄液配管６２の下流端は、２つの測定配管５７のそれぞれに接続されている。吸引配管６４の上流端は、２つの測定配管５７のそれぞれに接続されている。常時開弁６１は、洗浄液配管６２と測定配管５７との接続位置よりも差圧計５８側の位置で測定配管５７に介装されている。常時開弁６１は、流量計４６を洗浄および乾燥させるときだけ閉じられる。常時開弁６１は、たとえば、空圧アクチュエータによって開閉されるエアバルブである。洗浄液配管６２によって案内される洗浄液は、たとえば純水である。洗浄液は、純水以外の液体であってもよい。たとえば、前述のリンス液の具体例のうちのいずれかを洗浄液として用いてもよい。

　図１１Ａは、ピトー管５５を洗浄している状態を示す断面図である。図１１Ｂは、ピトー管５５を乾燥させている状態を示す断面図である。

　図１１Ａに示すように、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓを洗浄するときは、制御装置３が洗浄液バルブ６３を開く。これにより、洗浄液の一例である純水が、２つの測定配管５７を介して洗浄液配管６２から全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓに供給される。全圧測定管５５ｔ内の純水は、複数の全圧測定孔５６ｔから全圧測定管５５ｔの外に排出される。同様に、静圧測定管５５ｓ内の純水は、複数の静圧測定孔５６ｓから静圧測定管５５ｓの外に排出される。これにより、全圧測定孔５６ｔおよび静圧測定孔５６ｓに純水が供給され、全圧測定孔５６ｔおよび静圧測定孔５６ｓに付着している異物が洗い流される。

　洗浄液バルブ６３が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、洗浄液バルブ６３を閉じる。これにより、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓへの純水の供給が停止される。その後、制御装置３は、吸引バルブ６５を開く。これにより、図１１Ｂに示すように、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓ内の流体が、２つの測定配管５７を介して吸引配管６４に吸引される。異物や洗浄液がピトー管５５の中に残留していたとしても、これらは２つの測定配管５７を介して吸引配管６４に吸引される。これにより、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓが乾燥する。

　流量計４６の洗浄は、１枚の基板Ｗを処理するごとに実行されてもよいし、複数枚の基板Ｗを処理するごとに実行されてもよいし、一定時間ごとに実行されてもよいし、任意の時期に実行されてもよい。複数枚の基板Ｗを処理するごとに流量計４６を洗浄する場合、１つのロットに含まれる全ての基板Ｗを処理するごとに流量計４６が洗浄されてもよいし、任意の枚数の基板Ｗを処理するごとに流量計４６が洗浄されてもよい。

　以上のように本実施形態では、基板Ｗを処理する薬品を含む排気が、ケーシング５１内を下流に流れる。ピトー管５５は、ケーシング５１内に配置されている。ケーシング５１内を下流に流れる排気の全圧（静圧と動圧の和）および静圧は、ピトー管５５によって検出される。排気の流量、つまり、単位時間においてケーシング５１を通過する排気の量は、排気の動圧に基づいて計算される。これにより、ケーシング５１を通過する排気の流量を測定できる。

　ケーシング５１内を下流に流れる排気は、測定孔５６が設けられたピトー管５５の外周面５５ｏに接する。ピトー管５５が長時間排気に晒されると、塩などの異物がピトー管５５の測定孔５６に付着する。洗浄液配管６２によって案内された洗浄液は、ピトー管５５の測定孔５６に供給される。これにより、ピトー管５５の測定孔５６が残渣や結晶などの異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　さらに、洗浄液をピトー管５５やケーシング５１に供給するので、これらに付着している異物が洗浄液に溶ける場合には、異物を洗浄液で溶かしながら除去することができる。たとえば、酸性薬品とアルカリ性薬品との接触によって発生した塩や、水分の消失によって薬液から析出した結晶は水に溶けるので、水を含む洗浄液をピトー管５５等に供給すれば、塩や結晶を効果的に除去できる。したがって、洗浄液の代わりに洗浄ガスを用いる場合に比べて異物を確実に除去できる。

　本実施形態では、ピトー管５５の測定孔５６に加わる圧力（全圧または静圧）が測定配管５７を介して差圧計５８に伝達される。洗浄液配管６２によって案内された洗浄液は、測定配管５７を介してピトー管５５の内部空間に供給される。ピトー管５５内の洗浄液は、測定孔５６からピトー管５５の外に排出される。異物が測定孔５６に付着していれば、この異物は測定孔５６から排出される洗浄液によって洗い流される。これにより、ピトー管５５の測定孔５６が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　加えて、測定配管５７を介してピトー管５５の内部空間に洗浄液を供給するので、洗浄液を吐出する流体ノズル７３（図１３参照）をケーシング５１内に配置しなくてもよい。流体ノズル７３をケーシング５１内に配置すると、わずかではあるが、排気の流れに影響が及ぶ。したがって、排気の流れに影響を及ぼすことなく、ピトー管５５を洗浄できる。さらに、流体ノズル７３を設けなくてもよいので、部品点数を減らすことができる。

　本実施形態では、ピトー管５５が洗浄液で洗浄された後に、ピトー管５５内の流体が、ピトー管５５に接続された測定配管５７を介して吸引配管６４に吸引される。異物や洗浄液がピトー管５５の中に残留していたとしても、これらは測定配管５７を介して吸引配管６４に吸引される。さらに、ピトー管５５の外から測定孔５６を介してピトー管５５の中に入る気流が形成されるので、測定孔５６に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管５５を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管５５を乾燥させることができる。

　本実施形態では、基板Ｗを処理する薬品が基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗが処理される。薬品を含む排気は、排気通路４４を通じて排出される。流量計４６は排気通路４４に配置されている。これにより、排気通路４４を流れる排気の流量を測定できる。さらに、流量計４６のピトー管５５が洗浄液で洗浄されるので、ピトー管５５の測定孔５６が異物で詰まることを防止でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。加えて、流量計４６は、オリフィス流量計などの他の形式の流量計と比べて圧力損失が小さいので、エネルギーの消費量を減らすことができる。

　本実施形態では、流量計４６がクリーンルームの床Ｆの下に配置される。作業者が自身の手に持ったノズルやブラシを利用して、ケーシング５１の内部やピトー管５５を洗浄することが考えられる。しかしながら、流量計４６が地下に配置されている場合、流量計４６を簡単にはこのように洗浄できない。これは、クリーンルームの地下に配置された部材へのアクセスが容易ではないからである。したがって、ピトー管５５に洗浄液を供給する洗浄液配管６２を設けることにより、流量計４６を簡単に洗浄できる。

　なお、図１２に示すように、流量計４６は、吸引配管６４に代えてもしくは加えて、２つの測定配管５７を介して全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓに供給される気体を案内するガス配管７１と、ガス配管７１を開閉するガスバルブ７２とを備えていてもよい。

　図１２に示す構成の場合、制御装置３は、全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓが洗浄液で洗浄された後に、ガスバルブ７２を開いて、クリーンエアーやドライエアーなどの気体を全圧測定管５５ｔおよび静圧測定管５５ｓに供給する。これにより、測定孔５６を介してピトー管５５の中からピトー管５５の外に出る気流が形成されるので、測定孔５６に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管５５を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管５５を乾燥させることができる。

　また、図１３に示すように、流量計４６は、少なくとも一つの流体ノズル７３を備えていてもよい。図１３は、１０個の流体ノズル７３ａ、７３ｂ、７３ｃ、７３ｄ、７３ｅが設けられている例を示している。洗浄液配管６２およびガス配管７１は、ピトー管５５ではなく、各流体ノズル７３ａ、７３ｂ、７３ｃ、７３ｄ、７３ｅに接続されている。洗浄液配管６２およびガス配管７１は、ピトー管５５および流体ノズル７３の両方に接続されていてもよい。流量計４６は、流体ノズル７３の代わりに、洗浄液配管６２が接続された洗浄液ノズルと、ガス配管７１が接続されたガスノズルとを備えていてもよい。

　２つの流体ノズル７３ａは、ケーシング５１の外に配置されており、残り８つの流体ノズル７３ｂ、７３ｃ、７３ｄ、７３ｅは、ケーシング５１の中に配置されている。６つの流体ノズル７３ｂ、７３ｃ、７３ｄは、２つのピトー管５５の上流に配置されており、２つの流体ノズル７３ｅは、２つのピトー管５５の下流に配置されている。２つの流体ノズル７３ｄは、整流部材５９とピトー管５５との間に配置されている。

　２つの流体ノズル７３ａは、洗浄液およびガスなどの流体を整流部材５９の上流端に向けて吐出する。２つの流体ノズル７３ｂは、ケーシング５１の内周面５１ｉに向けて流体を吐出する。２つの流体ノズル７３ｃは、整流部材５９の側面に向けて流体を吐出する。２つの流体ノズル７３ｄは、全圧測定管５５ｔの外周面に向けて流体を吐出する。２つの流体ノズル７３ｅは、静圧測定管５５ｓの外周面に向けて流体を吐出する。

　図１３に示す構成の場合、制御装置３は、洗浄液バルブ６３を開いて、全ての流体ノズル７３に洗浄液を吐出させる。これにより、洗浄液が、ケーシング５１の内周面５１ｉ、整流部材５９の表面、およびピトー管５５の外周面に供給される。制御装置３は、洗浄液バルブ６３を閉じた後、ガスバルブ７２を開いて、全ての流体ノズル７３に気体を吐出させる。これにより、ケーシング５１の内周面５１ｉ、整流部材５９の表面、およびピトー管５５の外周面が乾燥する。

　このようにして、流量計４６が洗浄される。異物がピトー管５５の測定孔５６に付着していれば、この異物は流体ノズル７３から吐出された洗浄液によって洗い流される。その後、全ての流体ノズル７３からの気体の吐出によって、測定孔５６に付着している洗浄液の乾燥が促進される。したがって、ピトー管５５を排気の流れで乾燥させる場合に比べて短時間でピトー管５５を乾燥させることができる。

　また、図１４に示すように、ピトー管５５は、ケーシング５１をケーシング５１の中心線Ｌ１の方向に見たときにピトー管５５の中心線Ｌ２が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢、または、ケーシング５１をケーシング５１の中心線Ｌ１の方向に見たときにピトー管５５の中心線Ｌ２が水平な水平姿勢で、ケーシング５１内に配置されていてもよい。図１４は、前者の例を示している。

　図１４中の黒丸は、ケーシング５１の内周面５１ｉの下端部に付着した、残渣や結晶などの異物を示している。ケーシング５１の中心線Ｌ１が水平または水平面に対して斜めに傾いており、ピトー管５５の中心線Ｌ２が鉛直である場合、残渣や結晶などの異物がピトー管５５の下端部に溜まり易い。したがって、ピトー管５５を鉛直面に対して斜めに傾けるもしくは鉛直面に直交させることにより、このような異物の付着を軽減できる。

　第２実施形態
　図１５は、本発明の第２実施形態に係るタイムチャートであり、基板Ｗの回転速度とＦＦＵ６からチャンバー４内に供給されるクリーンエアーの流量とチャンバー４から排出される排気の流量の経時的な変化を示している。以下では、図６と図１５とを参照する。

　第１実施形態に対する第２実施形態の主要な相違点は、流量計４６の測定値に基づいて、制御装置３が、ＦＦＵ６の出力設定値、つまり、ＦＦＵ６がチャンバー４内に送るクリーンエアーの流量の設定値を変更することである。

　具体的には、基板Ｗの処理が行われているとき、基板Ｗの回転速度は、一定ではなく処理の内容に応じて変化する。図１５は、基板Ｗの回転速度が零から液処理速度に増加し、その後、液処理速度から乾燥速度に増加する例を示している。液処理速度は、薬液やリンス液などの処理液を基板Ｗに供給しているときの基板Ｗの回転速度であり、乾燥速度は、基板Ｗを乾燥させているときの基板Ｗの回転速度である。基板Ｗの乾燥が終了すると、基板Ｗの回転速度は、乾燥速度から零まで減少する。

　チャンバー４内に流入するクリーンエアーの流量とチャンバー４から排出される排気の流量は、ＦＦＵ６の出力設定値を変えなくても変化する。これは、チャンバー４内の状態が変化するからである。たとえば、基板Ｗの回転速度が上昇すると、ＦＦＵ６の出力設定値が同じであっても、チャンバー４内に流入するクリーンエアーの流量とチャンバー４から排出される排気の流量とが増加する。図１５において二点鎖線で示すように、基板Ｗの回転速度が液処理速度のときは、基板Ｗの回転速度が零のときよりも排気の流量が大きく、基板Ｗの回転速度が乾燥速度のときは、基板Ｗの回転速度が液処理速度のときよりも排気の流量が大きい。

　排気の流量が変化すると、流量計４６の測定値も変化する。図１５に示すように、制御装置３は、流量計４６の測定値に基づいてＦＦＵ６の出力設定値を変更し、チャンバー４から排出される排気の流量の変動幅を減少させる。たとえば、制御装置３は、基板Ｗの回転速度が液処理速度のときは、基板Ｗの回転速度が零のときよりもＦＦＵ６の出力設定値を減少させ、基板Ｗの回転速度が乾燥速度のときは、基板Ｗの回転速度が液処理速度のときよりもＦＦＵ６の出力設定値を減少させる。

　ＦＦＵ６の出力設定値をこのように変化させれば、ダウンフローの速度を安定させながら、ＦＦＵ６の出力設定値を変更しない場合に比べてＦＦＵ６で消費されるエネルギーを減らすことができる。さらに、ＦＦＵ６の出力設定値をこのように変化させれば、基板処理装置１が必要とするクリーンエアーの最大流量を減らすことができ、クリーンエアーの使用量を減らすことができる。

　第２実施形態では、第１実施形態に係る作用効果に加えて、次の作用効果を奏することができる。具体的には、送風機の一例であるＦＦＵ６が気体を基板処理装置１内に送る。ＦＦＵ６の出力設定値、つまり、ＦＦＵ６が基板処理装置１内に送る気体の流量の設定値が同じであっても、基板処理装置１内の気体の流速が一定であり続けるとは限らない。これは、基板処理装置１の状態が変わるからである。制御装置３は、流量計４６の測定値に基づいてＦＦＵ６から基板処理装置１内に送られる気体の流量を変更する。したがって、基板処理装置１内の気体の流速を一定に維持したり、意図的に変化させたりすることができる。

　なお、前述の説明では、流量計４６の測定値に基づいてＦＦＵ６の出力設定値を変更する場合について説明したが、排気ダンパー４７（図６参照）がオートダンパーである場合、ＦＦＵ６の出力設定値の変更に加えてもしくは代えて、排気ダンパー４７の開度を変更してもよい。排気ダンパー４７の開度が変わると、排気ダンパー４７での圧力損失が変わるので、個別排気ダクト４２を通じてチャンバー４内から排出される排気の流量が変化する。排気の流量を調整することで、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備の負荷を低減することができる。

　第３実施形態
　図１６は、本発明の第３実施形態に係るフローチャートであり、制御装置３が流量計４６の洗浄を行うか否かを判断するときの流れを示している。以下では、図６と図１６とを参照する。

　第１実施形態に対する第３実施形態の主要な相違点は、流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値とに基づいて制御装置３が流量計４６の洗浄の必要性を判断することである。

　具体的には、排気通路４４に加わる圧力は、圧力計４５によって測定される。排気通路４４内を流れる排気の流速が一定であれば、流量計４６の測定値もほぼ一定であり、圧力計４５の測定値もほぼ一定である。言い換えると、ピトー管５５の測定孔５６に詰まりがなく、流量計４６が適切に機能していれば、流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値は、一定の関係にある。したがって、流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値との関係が崩れていると、ピトー管５５の測定孔５６に異物が付着している可能性がある。

　図１６に示すように、制御装置３は、流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値とを取得する（ステップＳ１１）。その後、制御装置３は、流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値との関係に基づいて流量計４６の測定値が適切な範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ１２）。流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値との関係は、予め測定された実験値に基づいて作成され、制御装置３の補助記憶装置３５（図４参照）に記憶される。

　流量計４６の測定値が適切な範囲内であれば（ステップＳ１２でＹｅｓ）、制御装置３は、流量計４６の測定値と圧力計４５の測定値とを再び取得する（ステップＳ１１に戻る）。流量計４６の測定値が適切な範囲外であれば（ステップＳ１２でＮｏ）、制御装置３は、ピトー管５５の測定孔５６に異物が付着していると判断し、洗浄システムに流量計４６を洗浄させる（ステップＳ１３）。これにより、測定孔５６の詰まりを未然に検知でき、長期にわたって安定した精度で排気の流量を測定できる。

　他の実施形態
　本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。

　たとえば、ピトー管５５に付着している洗浄液等の液体を排気の流れで蒸発させる場合は、吸引配管６４およびガス配管７１を省略してもよい。

　ケーシング５１は、ケーシング５１の中心線Ｌ１が水平な水平姿勢ではなく、ケーシング５１の中心線Ｌ１が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、排気通路４４に配置されていてもよい。もしくは、ケーシング５１は、ケーシング５１の中心線Ｌ１が鉛直な鉛直姿勢で、排気通路４４に配置されていてもよい。

　ケーシング５１のメインチューブ５３の全体ではなく、メインチューブ５３の内周面だけが耐薬品性を有する樹脂で形成されていてもよい。たとえば、メインチューブ５３は、金属などの樹脂以外の材料で形成された外筒と、外筒の内周面の全体にコーティングされた樹脂層とを備えていてもよい。

　同様に、ピトー管５５の全体ではなく、ピトー管５５の表面だけが、耐薬品性を有する樹脂で形成されていてもよい。つまり、流量計４６において排気に接するいずれの部分も耐薬品性を有する樹脂で形成されているのであれば、それ以外の部分は、どのような材料で形成されてもよい。

　流量計４６は、処理ユニット２ごとではなく、タワーＴＷごとに設けられていてもよい。つまり、集合排気ダクト４３だけに流量計４６が設けられていてもよい。

　流量計４６は、クリーンルームの床Ｆの上方に配置されてもよい。たとえば、基板処理装置１の内部に流量計４６が配置されていてもよい。

　基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。

　基板処理装置１は、枚葉式の装置に限らず、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式の装置であってもよい。

　前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全てのステップの２つ以上が組み合わされてもよい。

　この出願は、２０１８年３月２３日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－０５７２５３号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

１　　　　：基板処理装置
２　　　　：処理ユニット
３　　　　：制御装置
４２　　　：個別排気ダクト
４３　　　：集合排気ダクト
４４　　　：排気通路
４５　　　：圧力計
４６　　　：流量計
４７　　　：排気ダンパー
５１　　　：ケーシング
５１ｉ　　：ケーシングの内周面
５２　　　：上流フランジ
５３　　　：メインチューブ
５４　　　：下流フランジ
５５　　　：ピトー管
５５ｉ　　：ピトー管の内周面
５５ｏ　　：ピトー管の外周面
５５ｓ　　：静圧測定管
５５ｔ　　：全圧測定管
５６　　　：測定孔
５６ｓ　　：静圧測定孔
５６ｔ　　：全圧測定孔
５７　　　：測定配管
５８　　　：差圧計
６１　　　：常時開弁
６２　　　：洗浄液配管
６３　　　：洗浄液バルブ
６４　　　：吸引配管
６５　　　：吸引バルブ
６６　　　：吸引装置
７１　　　：ガス配管
７２　　　：ガスバルブ
７３　　　：流体ノズル
Ｄｆ　　　：排気の流れ方向
Ｆ　　　　：クリーンルームの床
Ｌ１　　　：ケーシングの中心線
Ｌ２　　　：ピトー管の中心線
Ｗ　　　　：基板

Claims

　基板を処理する薬品を含む排気が通過する筒状のケーシングと、
　排気に接する測定孔が開口した外周面を含み、前記ケーシング内に配置されたピトー管と、
　前記ピトー管に供給される洗浄液を案内する洗浄液配管と、を備える、基板処理装置用のピトー管式流量計。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管をさらに備え、
　前記洗浄液配管は、前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されている、請求項１に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ケーシングの内部に流体を供給する少なくとも一つの流体ノズルをさらに備え、
　前記洗浄液配管は、前記少なくとも一つの流体ノズルに接続されている、請求項１または２に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。
　前記少なくとも一つの流体ノズルは、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルを含む、請求項３に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管と、前記測定配管を介して前記ピトー管内の流体を吸引する吸引配管とをさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ピトー管に接続された測定配管と、前記測定配管を介して前記ピトー管に接続されており、前記測定配管を介して前記ピトー管に供給される気体を案内するガス配管とをさらに備える、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記ケーシング内に配置されており、前記ピトー管の外周面に向けて流体を吐出する流体ノズルと、前記流体ノズルに接続されており、前記流体ノズルに供給される気体を案内するガス配管とをさらに備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計。
　基板を処理する薬品を基板に供給する処理ユニットと、
　前記薬品を含む排気が通過する排気通路と、
　前記排気通路に配置されており、前記薬品を含む排気の流量を測定する、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置用のピトー管式流量計とを備える、基板処理装置。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計は、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置される、請求項８に記載の基板処理装置。
　前記ケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、
　前記ピトー管は、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置されている、請求項８または９に記載の基板処理装置。
　前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ユニットと、
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記気体流量変更ユニットに前記給気流量および排気流量の少なくとも一方を変更させる制御装置とをさらに備える、請求項８～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計と、
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値と前記圧力計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する制御装置とをさらに備える、請求項８～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　請求項１～７のいずれか一項に記載のピトー管式流量計を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
　基板を処理する薬品を基板に供給する基板処理ステップと、
　前記薬品を含む排気を案内する排気通路に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させる排気流量測定ステップと、
　前記排気流量測定ステップの後に、前記基板処理装置用のピトー管式流量計の洗浄液配管によって案内された洗浄液を前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管に供給することにより、前記ピトー管を洗浄するピトー管洗浄ステップと、を含む、基板処理方法。
　前記排気流量測定ステップは、前記基板処理装置が設置されるクリーンルームの床の下に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計のケーシングは、前記ケーシングの中心線が水平な水平姿勢、または、前記ケーシングの中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記排気通路に配置されており、
　前記排気流量測定ステップは、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平面に対して斜めに傾いた傾斜姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップ、または、前記ケーシングを前記ケーシングの中心線の方向に見たときに前記ピトー管の中心線が水平な水平姿勢で、前記ケーシング内に配置された、前記基板処理装置用のピトー管式流量計に、前記薬品を含む排気の流量を測定させるステップを含む、請求項１３または１４に記載の基板処理方法。
　前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値に基づいて、前記基板処理装置内に供給される気体の流量を表す給気流量および前記基板処理装置から排出される気体の流量を表す排気流量の少なくとも一方を変更する気体流量変更ステップをさらに含む、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
　前記排気通路に加わる圧力を測定する圧力計の測定値と前記基板処理装置用のピトー管式流量計の測定値とに基づいて、前記基板処理装置用のピトー管式流量計のピトー管の測定孔の詰まりを検知する詰まり検知ステップをさらに含む、請求項１３～１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
　前記ピトー管洗浄ステップの後に、流体の吸引および供給の少なくとも一方によって気流を形成することにより、前記ピトー管を乾燥させるピトー管乾燥ステップをさらに含む、請求項１３～１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。