CN104662644B - 处理液供给装置及方法、处理液及基板处理装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的处理液供给装置(100)用于从喷出口(53)喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物(W)，包括：第一管(51)，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口(53)相连通；X射线照射单元(62)，用于向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。所述第一管(51)的管壁上具有开口(52)，所述开口(52)被窗构件(71)堵塞，所述窗构件(71)由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元(62)，经由所述窗构件(71)向在所述第一管(51)内存在的处理液照射X射线。

Description

处理液供给装置及方法、处理液及基板处理装置及方法
技术领域
本发明涉及处理液供给装置、基板处理装置、处理液供给方法、基板处理方法、处理液处理装置及处理液处理方法。使用处理液进行处理的处理对象物包括基板、容器、光学器件等。作为处理对象物来使用的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、OLED(有机电致发光显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在半导体器件、液晶显示装置的制造工序中，进行如下处理等，即：向半导体晶片、液晶显示板用玻璃基板等基板的表面供给处理液，利用处理液清洗该基板表面。
例如，一张一张地对基板进行处理(单张式清洗处理)的基板处理装置包括：旋转卡盘，用多个卡盘销大致水平地保持基板，并使该基板旋转；处理液喷嘴，用于向借助该旋转卡盘旋转的基板表面供给处理液。
在基板处理中，通过旋转卡盘使基板旋转。另外，从喷嘴将药液供给至旋转的基板表面。供给至基板表面的药液受到因基板旋转而产生的离心力，在基板表面上向周边流动。由此，使药液遍及基板表面的整个区域，从而使用药液对基板表面进行处理。另外，在所述使用药液的处理之后，进行用纯水洗掉附着在基板上药液的漂洗处理。即，从处理液喷嘴向通过旋转卡盘旋转的基板表面供给纯水，该纯水受到因基板旋转而产生的离心力而扩散，由此使附着在基板表面的药液被洗掉。在该漂洗处理之后，进行使基板干燥的如下旋转干燥处理，即：使通过旋转卡盘旋转的基板的转速上升，由此甩掉附着在基板上的纯水(参照下述专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2005-191511号公报
发明内容
要解决的技术问题
然而，就这样的现有基板处理装置而言，在漂洗处理时，在旋转状态的基板表面和纯水之间发生接触和分离，有可能使基板因纯水的流动而带电(flow electrification)。在基板为玻璃基板或硅晶片的情况下，基板带正电荷。若基板带电，则放出该电荷时，有可能破坏形成在基板表面的器件。
另外，在半导体器件、液晶显示装置等的制造工序中，也采用对多张基板同时进行处理的成批处理型(batch type)基板处理装置。成批处理型基板处理装置例如包括多个处理槽，所述多个处理槽包括储存有药液的药液处理槽及储存有水的漂洗处理槽。在对多张基板同时进行处理的情况下，基板依次浸泡于药液处理槽及漂洗处理槽。
在漂洗处理槽中的漂洗处理过程中，有可能发生基板带电的现象。在基板为硅晶片或玻璃基板的情况下，基板带正电荷。若经过一连串处理后的基板带电，则在放出该电荷的时，有可能破坏形成在基板表面的器件。另外，即使处理对象物在搬入处理槽之前就带电，也有可能会发生同样的问题。因此，需要力求实现基板的防止带电及除静电的同时，进行漂洗处理(使用处理液的处理)。
使用处理液的处理中防止带电及除静电的问题，并不是局限于处理对象物为基板的情况下的问题，是处理对象为容器或其他光学器件等的情况下也存在的相同的问题。
于是，本发明的目的在于，提供一种能够在防止处理对象物带电或实现除静电的同时能够向该处理对象物供给处理液的处理液供给装置及处理液供给方法。
另外，本发明的其他目的在于，提供一种能够在防止基板带电或实现除静电的同时能够使用处理液对该基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的其他目的在于，提供一种能够在防止处理对象物带电或实现除静电的同时能够使用处理液对该处理对象物进行处理的处理液处理装置及处理液处理方法。
用于解决问题的手段
本发明的第一形态提供一种处理液供给装置，用于从喷出口喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物，其特征在于，包括：第一管，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口相连通；X射线照射单元，用于向在所述第一管内存在的处理液照射X射线。
若根据该结构，则向在第一管内存在的处理液照射X射线。而且，从与第一管的内部相连通喷出口喷出的处理液供给至处理对象物。在处理液中被照射X射线的部分(下面，称之为“处理液中的照射部分”)，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
从喷出口喷出的处理液，供给至处理对象物并与该处理对象物相接触。下面，对于从喷出口喷出的处理液在喷出口和处理对象物之间以液体状连接在一起情形进行说明。在这样的情况下，处理对象物和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子顺着以液体状连接在一起的处理液，向与处理对象物相接触的处理液移动。由此，使与处理对象物相接触的处理液具有大量的电子，所以带正电荷的处理对象物被除静电。
另一方面，若处理对象物带负电荷，则来自处理对象物的电子顺着以液体状连接在一起的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，使带负电荷的处理对象物被除静电。
因此，能够防止处理对象物在处理液的供给中带电。
另外，即使处理对象物在供给处理液之前就带正或负电荷，根据上述的原理，也能够使该处理对象物经由以液体状连接在一起的处理液被除静电。
因此，能够在防止处理对象物带电或实现除静电的同时向该处理对象物供给处理液。
此外，在本说明书及权利要求书中，“X射线”是指具有0.001nm～10nm左右的波长的电磁波，包括波长相对长的“软X射线”(0.1nm～10nm左右)和波长相对短的“硬X射线”(0.001nm～0.1nm左右)。
另外，在本说明书及权利要求书中，“处理对象物”包括基板、容器、光学器件等。
在本发明的一实施方式中，在所述第一管的管壁上具有开口，所述开口被窗构件堵塞，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元，经由所述窗构件向在所述第一管内存在的处理液照射X射线。
若根据该结构，则由能够使X射线透过的材料形成窗构件。另外，从X射线照射单元照射的X射线，经由窗构件照射至在所述第一管内存在的处理液。由此，在处理液中的照射部分，能够良好地形成水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，所述窗构件也可以由铍或聚酰亚胺树脂形成。
若采用如铍那样的原子量小的物质，则也能够使透过力弱的X射线透。因此，通过由铍形成窗构件，能够使X射线透过窗构件。
另外，在由聚酰亚胺树脂形成窗构件的情况下，能够使X射线透过窗构件。而且，由于聚酰亚胺树脂具有优异的化学稳定性，所以能够长期持续地使用窗构件。
另外，优选地，在窗构件的存在处理液的一侧的壁面具有亲水性。在这样的情况下，能够抑制或防止气泡混入该壁面和处理液之间。由此，对在第一管内存在的处理液，能够良好地照射X射线。
在所述窗构件的存在处理液的一侧的壁面，可以形成有保护膜。由此，能够对照射窗进行保护。尤其是，在由抗酸特性差的铍形成窗构件的情况下，能够良好地保护窗构件受到酸性处理液的影响。
该保护膜优选由亲水性材料形成。在这样的情况下，能够抑制或防止气泡混入该保护膜和处理液之间。由此，对在第一管内存在的处理液，能够良好地照射X射线。
在这样的情况下，所述保护膜，可以是含有聚酰亚胺树脂、类金刚石碳、氟类树脂及烃类树脂中的一种以上材料的保护膜。
所述X射线照射单元也可以包括X射线发生器，所述X射线发生器用于发生X射线，并具有与所述窗构件相向配置的照射窗，从所述照射窗照射所发生的X射线。
若根据该结构，则由X射线发生器发生的X射线，从X射线发生器的照射窗照射至在第一管内流动的处理液。
所述X射线照射单元还可以包括：罩体，以与所述X射线发生器相隔开的方式包围该X射线发生器的周围；气体供给单元，用于向所述罩体的内部供给气体。
若根据该结构，则X射线发生器在驱动时可能会发热。通过向罩体内供给气体来使X射线发生器冷却，从而能够抑制X射线发生器的周围空气升温。
在本发明的一实施方式中，所述第一管可以包括处理液管，在所述处理液管的内部，处理液向所述喷出口流动，所述X射线照射单元可以向在所述第一管内流动的处理液照射所述X射线。
另外，在本发明的其他实施方式中，所述处理液供给装置还可以包括处理液管，在所述处理液管的内部，处理液向所述喷出口流动，所述第一管可以包括从所述处理液管分支而成的分支管。在这样的情况下，向在分支管内存在的处理液照射所述X射线。
优选地，还可以包括配置在所述喷出口的纤维状物质，从该喷出口喷出的处理液沿着该纤维状物质流动。
若根据该结构，由于从喷出口喷出的处理液沿着纤维状物质流动，所以即使在从喷出口喷出的处理液的喷出流量少的情况下，也能够使从喷出口喷出的处理液的形态呈将该喷出口和所述处理对象物连接起来的连续液流形状。因此，通过简单的结构，能够将处理对象物和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
在通过从喷出口喷出处理液来在处理对象物上形成了处理液的液膜的情况下，纤维状物质的前端也可以与该处理液的液膜或处理对象物相接触。在这样的情况下，能够容易地使从喷出口喷出的处理液的形态维持为如上所述的连续液流形状。
还可以包括：电极，配置在所述第一管上的比所述X射线的照射位置更靠处理液流动方向上的下游侧的位置；电源，用于对所述电极施加电压。
若根据该结构，则向在第一管内存在的处理液照射X射线，并通过电源对电极施加电压。通过对电极施加电压，能够使电极发生正电荷或负电荷。
通过使电极发生正电荷，能够使在处理液中的照射部分(等离子状态)存在的电子被电极的正电荷吸引，从而向电极移动。由此，能够促使电子向基板侧移动。
所述电极也可以配置在所述第一管的前端部。若根据该结构，则电极配置在第一管的前端部。因此，能够使在处理液中的照射部分(等离子状态)存在的电子被电极的正电荷吸引，从而移动至第一管的前端部。即，能够使大量的电子吸引至第一管的前端部。由此，能够进一步促使电子向基板侧移动。
所述处理液供给装置还可以包括：处理液检测单元，用于检测在所述第一管的所述X射线的所述照射位置是否存在处理液；X射线照射控制单元，在所述照射位置存在处理液时，使所述X射线照射单元照射X射线，在所述照射位置不存在处理液时，使所述X射线照射单元不照射X射线。
若在第一管上的X射线照射位置不存在处理液的状态下照射X射线，则可能会使该X射线向第一管外部泄漏。
若根据该结构，则在第一管的X射线的照射位置不存在处理液时，禁止对该X射线的照射位置照射X射线。由此，能够抑制或防止X射线向第一管的外部泄漏。
本发明的第一形态提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，用于保持基板；如上所述的处理液供给装置。从所述喷出口喷出的处理液供给至所述基板的主面。
若根据该结构，向在处理液供给装置的第一管内存在的处理液照射X射线。另外，从与第一管的内部相连通的喷出口喷出的处理液供给至基板的主面。在处理液中的照射部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
从喷出口喷出的处理液供给至基板的主面，并与该基板的主面相接触。下面，对从喷出口喷出的处理液在喷出口和基板的主面之间以液体状连接在一起的情形进行说明。在这样的情况下，基板的主面和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
此时，若基板带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向与基板相接触的处理液移动。由此，使与基板相接触的处理液具有大量的电子，所以带正电荷的基板被除静电。
由此，基板不会因与处理液接触和分离而带电。因此，能够防止基板在处理液的供给中带电。
另外，即使基板在供给处理液之前就带正电荷，根据如上所述的原理，也能够使该处理对象物经由以液体状连接在一起的处理液被除静电。其结果，能够防止因基板带电引起的器件破坏。
因此，能够在防止基板带电或实现除静电的同时，使用处理液来对该基板进行处理。
在本发明的一实施方式中，所述基板保持单元包括基板保持旋转单元，该基板保持旋转单元用于将基板保持为水平姿势，并使该基板绕着铅垂方向的规定的旋转轴线旋转，所述基板处理装置还包括筒状的液体阻挡构件，该液体阻挡构件包围所述基板保持旋转单元的周围，所述处理液供给装置还包括处理液管，在所述处理液管的内部，处理液向所述喷出口流动，所述处理液供给装置的所述第一管包括从所述处理液管分支而成的分支管，所述分支管包括用于向所述液体阻挡构件喷出处理液的液体阻挡构件用喷出口。
若根据该结构，则一边从液体阻挡构件用喷出口向液体阻挡构件喷出处理液，一边从X射线照射单元对在分支管内流动的处理液照射X射线。在分支管内的处理液中的照射部分，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
液体阻挡构件用从喷出口喷出的处理液供给至液体阻挡构件，并与该液体阻挡构件相接触。在液体阻挡构件用从喷出口喷出的处理液在液体阻挡构件用喷出口和液体阻挡构件之间以液体状连接在一起的情况下，液体阻挡构件和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
此时，若液体阻挡构件带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的液体阻挡构件之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向与液体阻挡构件相接触的处理液移动。由此，使与液体阻挡构件相接触的处理液具有大量的电子，所以带正电荷的液体阻挡构件被除静电。
另一方面，若液体阻挡构件带负电荷，则来自液体阻挡构件的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，带负电荷液体阻挡构件被除静电。
因此，不仅能够防止基板带电或实现除静电，而且能够防止液体阻挡构件带电。
在本发明的其他实施方式中，所述基板保持单元包括基板保持旋转单元，该基板保持旋转单元将基板保持为水平姿势，并使该基板绕着铅垂方向的规定的旋转轴线旋转，所述基板保持旋转单元具有支撑构件，所述支撑构件与所述基板的下表面的至少一部分接触，来将该基板支撑为水平姿势，所述支撑构件由多孔材料形成，从所述喷出口喷出的处理液供给至所述支撑构件。
若根据该结构，则供给至支撑构件的处理液含浸至该支撑构件的内部。含浸至支撑构件的内部的处理液从支撑构件渗出，在支撑构件上形成处理液的液膜。通过使该处理液的液膜与基板的下表面相接触，来对基板的下表面进行处理。
此时，在从喷出口喷出的处理液呈将该喷出口和支撑构件连接起来的连续液流形状的情况下，喷出口和基板的下表面经由含浸至支撑构件的内部的处理液以液体状连接在一起，因此能够使基板的下表面和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
由此，在能够防止基板带电或实现除静电的同时，能够使用处理液来对该基板的下表面进行处理。
另外，所述基板保持单元可以包括基板保持搬运单元，所述基板保持搬运单元一边保持所述基板，一边向规定的搬运方向搬运该基板。若根据该结构，则从喷出口喷出的处理液供给至由基板保持搬运单元搬运中的基板的主面(上表面)，来与该基板的主面(上表面)相接触。
下面，对于从喷出口喷出的处理液在喷出口和基板的主面之间以液体状连接在一起的情形进行说明。在这样的情况下，基板的主面和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
此时，若基板带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向与基板相接触的处理液移动。由此，使与基板相接触的处理液具有大量的电子，所以带正电荷的基板被除静电。
在这样的情况下，优选地，所述基板保持搬运单元，在以相对于水平面倾斜的姿势保持所述基板的情况下，沿着所述搬运方向搬运所述基板。
若根据该结构，则基板被保持为倾斜姿势，所以从喷出口喷出的处理液在基板上沿着倾斜面流动。因此，处理液不会滞留在基板上，所以能够防止或抑制负荷因处理液的重量而集中在基板的规定的一个位置。另外，处理液能够在基板上顺畅地流动，所以能够在基板的上表面形成以大范围扩散的处理液的液膜。由此，能够防止基板在大范围内带电或实现大范围的除静电。
本发明的第一形态提供一种处理液供给方法，用于从处理液供给装置的喷出口喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物，该方法包括：相向配置工序，使所述喷出口与所述处理对象物相向；X射线照射工序，将X射线照射至在与所述喷出口相连通的第一管的内部存在的处理液；处理液喷出工序，与所述X射线照射工序并行地从所述喷出口喷出处理液。在所述处理液喷出工序中，处理液在所述喷出口和所述处理对象物之间以液体状连接在一起。
若根据该方法，则向在第一管内存在的处理液照射X射线。而且，将从与第一管的内部相连通的喷出口喷出的处理液供给至处理对象物。在处理液中被照射X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
从喷出口喷出的处理液在喷出口和处理对象物之间以液体状连接在一起。在这样的情况下，处理对象物和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向与处理对象物相接触的处理液移动。由此，使与处理对象物相接触的处理液具有大量的电子，所以带正电荷的处理对象物被除静电。
另一方面，若处理对象物带负电荷，来自处理对象物的电子顺着以液体状连接在一起的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，带负电荷的处理对象物被除静电。
因此，能够防止处理对象物在处理液的供给中带电。
另外，即使处理对象物在供给处理液之前就正或带负电荷，根据如上所述的原理，也能够使该处理对象物经由以液体状连接在一起的处理液被除静电。
因此，能够在防止处理对象物带电或实现除静电的同时向该处理对象物供给处理液。
在这样的情况下，优选地，在所述处理液喷出工序中，从所述喷出口喷出的处理液呈将该喷出口和所述处理对象物连接起来的连续液流形状。在这样的情况下，能够简单地将处理对象物和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
所述处理对象物可以是内部流动液体的第二管，也可以是用于收容物品的容器。
本发明的第一形态提供一种基板处理方法，利用从处理液供给装置的喷出口喷出的处理液，对基板进行处理，该方法包括：相向配置工序，使所述喷出口与被基板保持单元保持的基板的主面相向；X射线照射工序，将X射线照射至在与所述喷出口相连通的第一管的内部存在的处理液；处理液喷出工序，与所述X射线照射工序并行地从所述喷出口喷出处理液。在所述处理液喷出工序中，处理液在所述喷出口和所述基板的主面之间以液体状连接在一起。
若根据该方法，则向在第一管内存在的处理液照射X射线。另外，将从与第一管的内部相连通的喷出口喷出的处理液，供给至基板的主面。在处理液中被照射X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
从喷出口喷出的处理液供给至基板的上表面，从而与该基板的上表面相接触。从喷出口喷出的处理液，在喷出口和基板的主面之间以液体状连接在一起。在这样的情况下，基板的主面和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
此时，若基板带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向与基板相接触的处理液移动。由此，使与基板相接触的处理液具有大量的电子，所以带正电荷的基板被除静电。
由此，基板不会因与处理液接触和分离而带电。因此，能够防止基板在处理液的供给中带电。
另外，即使处理对象物在供给处理液之前就带正电荷，根据如上所述的原理，能够使该处理对象物经由以液体状连接在一起的处理液被除静电。其结果，能够防止因基板带电而引起的器件破坏。
因此，在能够防止基板带电或实现除静电的同时，能够使用处理液来对该基板进行处理。
在这样的情况下，优选地，在所述处理液喷出工序中，从所述喷出口喷出的处理液呈将该喷出口和所述基板的主面连接起来的连续液流形状。由此，能够简单地将基板的主面和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。
造本发明的一实施方式中，所述基板被所述基板保持单元保持为水平姿势，所述相向配置工序，包括使所述喷出口与被所述基板保持单元保持的基板的上表面相向的工序。
若根据该方法，则从喷出口喷出的处理液供给至基板的上表面，并与该基板的上表面相接触。从喷出口喷出的处理液，在喷出口和基板上表面之间以液体状连接在一起，以使处理对象物和处理液中的照射部分经由处理液连接在一起。因此，若基板的上表面带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板的上表面之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，顺着以液体状连接在一起的处理液向与基板的上表面相接触的处理液移动。由此，与基板的上表面相接触的处理液具有大量的电子，所以能够使带正电荷的基板的上表面被除静电。
在本发明的其他实施方式中，所述基板被所述基板保持单元保持为水平姿势，所述相向配置工序，包括使所述喷出口与被所述基板保持单元保持的基板的下表面相向的工序，所述基板处理方法还包括：
基板旋转工序，与所述处理液喷出工序并行地使所述基板绕着铅垂方向的规定的旋转轴线旋转；上表面处理液供给工序，与所述处理液喷出工序及所述基板旋转工序并行地向所述基板的上表面供给处理液。
若根据该方法，则从喷出口喷出的处理液供给至基板的下表面，并与该基板的下表面相接触。与基板的下表面相接触的处理液沿着基板的下表面向周边部扩散，由此在基板的下表面的整个区域形成处理液的液膜。沿着基板的下表面到达周边部的处理液，经由基板的周端面(绕到？)基板的上表面的周边部。
而且，将处理液供给至基板的上表面。供给至基板的处理液受到因基板旋转而产生的离心力，在基板的上表面向周边部扩散，由此在基板的上表面的整个区域形成处理液的液膜。而且，从基板下表面侧绕到的处理液与基板上表面侧的处理液的液膜合流，其结果，基板上表面侧的处理液的液膜和基板下表面侧的处理液的液膜彼此连接在一起。
由此，基板的上表面和基板的下表面，经由处理液都与处理液中的照射部分相连接。因此，能够防止基板的上下两表面带电或实现两表面的除静电。
还可以包括第二X射线照射工序，在所述第二X射线照射工序中，与在所述处理液喷出工序结束后执行的液体甩干处理或干燥处理并行地，向所述基板的主面照射X射线。
若根据该方法，通过液体甩干处理或干燥处理，能够从基板的主面除去处理液。向刚刚除去处理液之后的基板的主面照射X射线。由此，能够更加可靠地防止基板带电及实现除静电。
本发明的第二形态提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，用于保持基板；X射线照射单元，用于向被所述基板保持单元保持的基板的表面照射X射线；处理液供给单元，用于向被所述基板保持单元保持的基板的表面供给处理液；控制单元，以使对于基板的表面的处理液的供给和X射线的照射并行进行的方式，对所述X射线照射单元及所述处理液供给单元进行控制。
若根据该结构，则在基板表面形成与该表面相接触的处理液的液膜。向处理液的液膜照射X射线。在处理液的液膜中被照射X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。由此，即使在基板因与处理液接触和分离而带正电荷的情况下，因照射X射线而在处理液中发生的电子，被基板所带的正电荷吸引而经由处理液的液膜移动，从而中和掉该电荷，由此，也能够抑制基板带电。另外，即使基板在漂洗处理之前就带电，也能够经由与基板表面相接触的处理液的液膜来使带电的该基板被除静电。其结果，能够防止因基板带电而引起的器件破坏。
另外，由于照射X射线不会使处理液的特性变化，所以与使用碳酸水等酸性的处理液来对基板进行处理的情况不同，不会对器件带来不良影响。
在本发明的一实施方式中，所述X射线照射单元包括X射线发生器，所述X射线发生器用于发生X射线且具有照射窗，从所述照射窗照射所发生的X射线。
若根据该结构，则将由X射线发生器发生的X射线从X射线发生器的照射窗照射至基板表面。
还可以包括罩体，所述罩体以与所述X射线发生器相隔开的方式包围所述X射线发生器的周围，在所述罩体的与所述照射窗相向的部分形成有开口。
若根据该结构，则在X射线发生器的周围的空气含有大量的水分的情况下，可能会在发生X射线时发生高电压的漏电。因此，为了防止水分侵入X射线发生器的周围，使用罩体来覆盖X射线发生器的周围。在这样的情况下，在罩体的与照射窗相向的部分具有开口，将来自照射窗的X射线经由开口导入至基板表面。由此，在不阻碍从X射线发生器照射的X射线的情况下，能够防止水分进入X射线发生器的周围的空气。
在这样的情况下，优选地，所述基板处理装置还包括用于向所述罩体的内部供给气体的气体供给单元。若罩体上形成有开口，则含有大量水分的罩体外部的空气，可能会经由开口进入罩体内。
若根据该结构，则通过向罩体内供给气体，来在X射线发生器和罩体之间的空间内形成流向开口的气流。因此，能够抑制或防止罩体外部的空气经由开口进入罩体内。从气体供给单元供给至罩体的内部的气体，例如为CDA(低湿度的清洗空气)或氮气。
所述气体供给单元可以供给温度比常温更高的气体。
若根据该结构，则供给至罩体内的高温的气体，经由X射线发生器和罩体之间的空间而到达照射窗的外表面。通过高温的气体，能够通过蒸发来除去附着于照射窗的外表面的水滴，由此能够抑制或防止照射窗发雾。
在所述照射窗的外表面可以形成有保护膜。由此，能够保护照射窗。尤其是，在由抗酸特性差的铍形成照射窗的情况下，能够良好地保护该照射窗免受酸性的处理液的影响。
该保护膜优选由疏水性材料形成。在这样的情况下，能够防止水分在照射窗前表面以膜状析出，而使水分变为微细的水滴。附着在照射窗的外表面的水滴，处于在该外表面上易于移动的状态。因此，能够易于从照射窗的外表面除去水滴，由此能够抑制或防止照射窗发雾。
所述基板处理装置优选包括如下两者：在所述照射窗的外表面上形成的所述保护膜；所述气体供给单元。附着在照射窗的外表面的水滴处于容易在该外表面上移动的状态，所以附着在照射窗的外表面的水滴，一受到形成于该空间内的气流的影响就移动。由此，能够良好地从照射窗的外表面除去水滴，从而能够可靠地防止照射窗发雾。
所述保护膜可以为聚酰亚胺树脂的保护膜。
另外，所述保护膜可以为类金刚石碳的保护膜。
还有，所述保护膜可以为非晶质氟类树脂的保护膜。
有效地，在所述罩体上的所述开口的周围及所述照射窗中的至少一方，配设有发热构件。
若根据该结构，则通过发热构件，对X射线发生器的照射窗的周围进行加热。因此，能够通过蒸发来除去附着在照射窗的外表面的水滴，由此能够抑制或防止照射窗发雾。
所述基板处理装置还可以包括遮蔽构件，所述遮蔽构件与被所述基板保持单元保持的基板的表面相向，用于从周围遮蔽该基板的表面上方的空间。所述遮蔽构件用于使从所述照射窗照射的X射线滞留在该基板的表面上方的空间内。
若根据该结构，则从照射窗照射的X射线滞留在基板表面上方的空间内。因此，能够抑制或防止从照射窗照射的X射线向基板的周围散射。由此，能够提高基板处理装置的安全性。
所述遮蔽构件也可以与所述罩体一体移动。
所述基板处理装置还包括移动单元，所述移动单元用于使所述X射线照射单元沿着被所述基板保持单元保持的基板的表面移动。
若根据该结构，则能够在使X射线照射单元与基板表面相向的情况下，从X射线照射单元照射X射线，并使X射线照射单元沿着基板表面移动。由此，能够将发生电离的处理液供给至基板表面的整个区域。由此，能够在基板的整个区域对基板进行除静电处理。
另外，所述处理液也可以为水。
本发明的第二形态提供一种基板处理方法，包括：处理液供给工序，向被基板保持单元保持的基板的表面供给处理液；X射线照射工序，与所述处理液供给工序并行地，向被所述基板保持单元保持的基板的表面照射X射线。
若根据本发明的方法，则在基板表面形成与该表面相接触的处理液的液膜。向处理液的液膜照射X射线。在处理液的液膜中被照射X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。由此，即使在基板因与处理液接触和分离而带正电荷的情况下，因照射X射线而在处理液中发生的电子被基板所带的正电荷吸引而经由处理液的液膜移动，从而中和掉该电荷，由此也能够抑制基板带电。另外，即使基板在漂洗处理之前就带电，通过与基板表面相接触的处理液的液膜，也能够使带电的该基板被除静电。其结果，能够防止因基板带电而引起的器件破坏。
本发明的第三形态提供一种处理液处理装置，用于将处理对象物浸渍在处理液中来进行处理，该装置包括：处理槽，用于储存处理液，并在该处理液中浸渍处理对象物；X射线照射单元，用于向储存在所述处理槽内的处理液或在管内存在的处理液照射X射线，所述管是指，能够使处理液在内部流动的管，该管的内部与所述处理槽的内部相连通。
若根据该结构，则向储存于处理槽内的处理液或在内部与所述处理槽内部相连通管内存在的处理液照射X射线。在该处理液中被照射X射线的部分(处理液中的照射部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
在向储存于处理槽中的处理液照射X射线的情况下，在储存于处理槽内的处理液中所浸渍的处理对象物和处理液中的照射部分，经由储存于处理槽内的处理液连接在一起。此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由储存于处理槽中的处理液向处理对象物移动。由此，向处理对象物供给大量的电子，其结果，带正电荷的处理对象物被除静电。另一方面，若处理对象物带负电荷，则来自处理对象物的电子经由储存于处理槽中的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从处理对象物除去电子，其结果，能够使带负电荷的处理对象物被除静电。
另外，在向管内存在的处理液照射X射线的情况下，在储存于处理槽内的处理液中所浸渍的处理对象物和处理液中的照射部分，经由储存于处理槽内的处理液及管内的处理液连接在一起。此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由储存于处理槽内的处理液及管内的处理液向处理对象物移动。由此，向处理对象物供给大量的电子，其结果，使带正电荷的处理对象物被除静电。另一方面，若处理对象物带负电荷，则来自处理对象物的电子经由储存于处理槽内的处理液及管内的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从处理对象物除去电子，其结果，能够使带负电荷的处理对象物被除静电。
另外，即使处理对象物在浸渍于处理液中之前就带正或带负电荷，根据如上所述的原理，也能够经由处理槽内的处理液或管内的处理液来使该处理对象物被除静电。
本发明的一实施方式中，在所述管的管壁或所述处理槽的壁上具有开口，所述开口被窗构件堵塞，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成，所述X射线照射单元，经由所述窗构件照射X射线。
若根据该结构，则由能够使X射线透过的材料形成窗构件。另外，从X射线照射单元照射的X射线，经由窗构件照射至在所述管内存在的处理液。由此，在处理液中的照射部分，能够良好地形成水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，所述窗构件可以由铍或聚酰亚胺树脂形成。
如果采用如铍那样原子量小的物质，则即使是透过力弱的X射线也能够透过。因此，通过由铍形成窗构件，能够使X射线透过窗构件。
另外，在由聚酰亚胺树脂形成窗构件的情况下，能够使X射线透过窗构件。另外，聚酰亚胺树脂具有优异的化学稳定性，所以能够长期持续地使用窗构件。
另外，优选地，窗构件的存在处理液的一侧的壁面具有亲水性。在这样的情况下，能够抑制或防止气泡混入该壁面和处理液之间。由此，能够良好地对在管内存在的处理液照射X射线。
在所述窗构件的存在处理液的一侧的壁面，可以形成有保护膜。由此，能够保护照射窗。尤其是，在由抗酸特性差的铍形成窗构件的情况下，能够良好地保护窗构件免受酸性的处理液的影响。
该保护膜优选由亲水性材料形成。在这样的情况下，能够抑制或防止气泡混入该保护膜和处理液之间。由此，能够良好地对在管内存在的处理液照射X射线。
在这样的情况下，所述保护膜可以是含有聚酰亚胺树脂、类金刚石碳、氟类树脂及烃类树脂中的一种以上材料的保护膜。
所所述X射线照射单元可以包括X射线发生器，所述X射线发生器用于发生X射线，并具有与所述窗构件相向配置的照射窗，从所述照射窗照射所发生的X射线。
若根据该结构，则由X射线发生器发生的X射线，从X射线发生器的照射窗照射至在管内流动的处理液。
所述X射线照射单元还可以包括：罩体，以与所述X射线发生器相隔开的方式包围该X射线发生器的周围；气体供给单元，用于向所述罩体的内部供给气体。
若根据该结构，则X射线发生器可能会因驱动而发热。通过向罩体内供给气体来对X射线发生器进行冷却，从而能够抑制X射线发生器的周围的空气升温。
在本发明的一实施方式中，所述管可以包括处理液供给管，所述处理液供给管与所述处理槽的内部相连通，用于向所述处理槽内供给处理液，所述X射线照射单元可以向在所述处理液供给管内流动的处理液照射所述X射线。
另外，在本发明的其他的实施方式中，所述处理槽可以包括：内槽，用于储存处理液，在该处理液中浸渍处理对象物；外槽，用于回收从所述内槽溢出的处理液。所述管可以包括溢流管，从所述外槽回收的处理液在所述溢流管内流动，所述X射线照射单元可以向在所述溢流管内流动的处理液照射所述X射线。
在本发明的其他实施方式中，所述处理槽可以包括：内槽，用于储存处理液，在该处理液中浸渍处理对象物；外槽，用于回收从所述内槽溢出的处理液。所述X射线照射单元可以向储存于所述内槽内的处理液照射所述X射线。
在本发明的其他实施方式中，所述处理槽可以包括：内槽，用于储存处理液，在该处理液中浸渍处理对象物；外槽，用于回收从所述内槽溢出的处理液。所述管可以包括内部与所述内槽的内部相连通的管。
本发明的第三形态提供一种处理液处理方法，包括：处理对象物浸渍工序，在储存于处理槽内的处理液中浸渍处理对象物；X射线照射工序，与所述处理对象物浸渍工序并行地，向储存在所述处理槽内的处理液或在管内存在的处理液照射X射线，所述管是指，能够使处理液在内部流动的管，该管的内部与所述处理槽的内部相连通。
若根据该方法，则向储存于处理槽内的处理液或在内部与所述处理槽的内部相连通的管内存在的处理液，照射X射线。在该处理液中被照射X射线的部分(处理液中的照射部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
在向储存于处理槽内的处理液照射X射线的情况下，在储存于处理槽内的处理液中所浸渍的处理对象物和处理液中的照射部分，经由储存于处理槽内的处理液连接在一起。此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由储存于处理槽内的处理液向向处理对象物移动。由此，向处理对象物供给大量的电子，其结果，能够使带正电荷的处理对象物被除静电。另一方面，若处理对象物带负电荷，则来自处理对象物的电子经由储存于处理槽内的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从处理对象物除去电子，其结果，能够使带负电荷的处理对象物被除静电。
另外，在向管内存在的处理液照射X射线的情况下，在储存于处理槽内的处理液中所浸渍的处理对象物和处理液中的照射部分，经由储存于处理槽内的处理液及管内的处理液连接在一起。此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由储存于处理槽内的处理液及管内的处理液向处理对象物移动。由此，向处理对象物供给大量的电子，其结果，能够使带正电荷的处理对象物被除静电。另一方面，若处理对象物带负电荷，则来自处理对象物的电子经由储存于处理槽内的处理液及管内的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从处理对象物除去电子，其结果，能够使带负电荷的处理对象物被除静电。
另外，即使处理对象物在浸渍于处理液中之前就带正或带负电荷，根据如上所述的原理，也能够经由处理槽内的处理液或管内的处理液来使该处理对象物被除静电。
本发明的第四形态提供一种处理液处理方法，包括：处理对象物浸渍工序，在储存于处理槽内的处理液中浸渍处理对象物；处理液喷出工序，与所述处理对象物浸渍工序并行地，从喷出口向所述处理槽内喷出处理液；X射线照射工序，与所述处理液喷出工序并行地，向在管的内部存在的处理液照射X射线，所述管是指，与所述喷出口相连通的管。在所述处理液喷出工序中，使处理液在所述喷出口和储存于所述处理槽内的处理液的液面之间以液体状连接在一起。
若根据该方法，则向在管内存在的处理液照射X射线。另外，从与管的内部相连通的喷出口喷出的处理液供给至处理对象物。在处理液中被照射X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
从喷出口喷出的处理液与处理液的液面之间以液体状连接在一起。在这样的情况下，处理对象物和处理液中的照射部分，经由处理液连接在一起。
此时，若处理对象物带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的处理对象物之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由以液体状连接在一起的处理液及储存于处理槽内的处理液向处理对象物移动。由此，向处理对象物供给大量的电子，其结果，能够使带正电荷的处理对象物被除静电。另一方面，若处理对象物带负电荷，则来自处理对象物的电子，经由以液体状连接在一起的处理液及储存于处理槽内的处理液向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从处理对象物除去电子，其结果，能够使带负电荷的处理对象物被除静电。
因此，能够在防止处理对象物带电或实现除静电的同时使用处理液来对该处理对象物进行处理。
本发明的如上所述的目的、特征及效果或其他的目的、特征及效果，在参照随附的附图来对下面的实施方式进行说明的过程中，会变得明确。
附图说明
图1是示出了本发明第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是示出了图1中的一体型头部的示意性纵向剖视图。
图3是示出了图1中的基板处理装置的电气结构的方框图。
图4是示出了图1的基板处理装置中执行的处理例的工序图。
图5是示出了向水喷嘴内照射软X射线的照射状态的示意性剖视图。
图6是示出了对基板进行漂洗处理的状态的图。
图7是用于说明在图4中示出的处理例的变形例的流程图。
图8是示意性示出了本发明第二实施方式的一体型头部的结构的图。
图9是沿着图8中的剖切线IX-IX观察时的剖视图。
图10是用于说明本发明第三实施方式的一体型头部的结构的图。
图11是示出了本发明第四实施方式的基板处理装置的结构的图。
图12是示出了本发明第五实施方式的基板处理装置的结构的图。
图13是用于说明本发明第五实施方式的处理液的喷出动作的图。
图14是示出了本发明第六实施方式的基板处理装置的结构的图。
图15是示出了本发明第七实施方式的基板处理装置的结构的图。
图16是示出了本发明第八实施方式的基板处理装置的结构的图。
图17是示出了本发明第九实施方式的基板处理装置的结构的图。
图18是示出了本发明第十实施方式的基板处理装置的结构的图。
图19是示出了图18所示的基板处理装置中进行漂洗处理时的DIW的流动的图。
图20是示出了本发明第十一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图21是示出了图20所示的供水单元向杯体上部的倾斜部供给DIW的状态的图。
图22是示出了本发明第十二实施方式的基板处理装置的结构的图。
图23是示出了图22所示的供水单元向外筒部供给DIW的状态的图。
图24是示出了本发明第十三实施方式的基板处理装置的结构的示意性立体图。
图25是示出了图24所示的辊轮式搬运单元的结构的立体图。
图26是示出了图24所示的供水单元向基板供给DIW的状态的剖视图。
图27是示出了图24所示的软X射线照射单元向基板的上表面照射软X射线的状态的剖视图。
图28是示出了本发明第十四实施方式的基板处理装置的结构的图。
图29是示出了图28所示的基板容器的结构的立体图。
图30是用于说明在除静电试验中使用的试验装置的图。
图31是示出了本发明第十五实施方式的基板处理装置的结构的图。
图32是图31所示的软X射线照射头部的示意性纵向剖视图。
图33是示出了图31所示的软X射线照射头部的移动动作的俯视图。
图34是示出了图31所示的基板处理装置的电气结构的方框图。
图35是示出了图31所示的基板处理装置中执行的处理例的工序图。
图36是用于说明漂洗处理的示意图。
图37是示出了漂洗处理中的基板表面附近状态的示意图。
图38是用于说明试验中使用的试验装置的图。
图39是示意性示出了本发明第十六实施方式的基板处理装置的结构的图。
图40是示意性示出了本发明第十七实施方式的基板处理装置的结构的图。
图41是示意性示出了本发明第十八实施方式的基板处理装置的结构的图。
图42是示出了本发明的变形例的图(其一)。
图43是示出了本发明的变形例的图(其二)。
图44是示出了采用本发明第十九实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图45A是分别示出了图44所示的分支管及软X射线照射单元的结构的示意性剖视图。
图45B是示出了图44所示的基板处理装置中执行的基板处理的处理例的工序图。
图46是示出了向图44所示的分支管内照射软X射线的照射状态的示意图。
图47示出了采用本发明第二十实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图48示出了处理液从内槽的上端部溢出的状态的示意性剖视图。
图49是示出了采用本发明第二十一实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图50是示出了采用本发明第二十二实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图51是示出了采用本发明第二十三实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图52是示出了采用本发明第二十四实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图53是示出了采用本发明第二十五实施方式的处理液处理装置的基板处理装置的结构的图。
图54是示出了采用本发明第二十六实施方式的处理液处理装置的物品清洗装置的结构的图。
图55是示出了采用本发明第二十七实施方式的处理液处理装置的物品清洗装置的结构的图。
图56是示出了图55所示的基板容器的结构的立体图。
具体实施方式
图1是示出了本发明第一实施方式的基板处理装置1的结构的图。
基板处理装置1是，用于使用处理液(药液及水)来对基板(处理对象物)W的一例即圆形半导体晶片(硅晶片)的表面(处理对象面)实施处理的单张式装置。该实施方式中，为了在药液处理后漂洗基板W而使用水。
基板处理装置1在由间隔壁(未图示)划分的处理室3内包括：旋转卡盘(基板保持旋转单元)4，以水平姿势保持基板W并使其旋转；供水单元(处理液供给装置)100，用于向基板W上表面(上侧的主面。表面)供给水的一例即DIW(脱离子水：deionized water)，且在将DIW供给至基板W之前，向DIW照射软X射线；药液喷嘴7，用于将药液供给至由旋转卡盘4保持的基板W的上表面。
旋转卡盘4例如采用夹持式旋转卡盘。具体而言，旋转卡盘4包括：旋转马达8；旋转轴9，与该旋转马达8的驱动轴成为一体；圆板状的旋转底座10，大致水平地安装于旋转轴9的上端；多个夹持构件11，大致等间隔地设置于旋转底座10的周边部的多处。通过这些结构，旋转卡盘4在由多个夹持构件11夹持基板W的状态下，通过旋转马达8的旋转驱动力使旋转底座10旋转，由此能够使该基板W保持大致水平的姿势的状态下，与旋转底座10一起绕铅垂的旋转轴线C旋转。
此外，旋转卡盘4并不仅限定于夹持式，例如也可以采用真空吸附式旋转卡盘(真空卡盘)，该真空吸附式旋转卡盘通过真空吸附基板W的背面，来将基板W保持为水平姿势，进而在该状态下绕铅垂的旋转轴线旋转，从而能够使所保持的该基板W旋转。
旋转卡盘4收容于杯体(液体阻挡构件)17内。杯体17包括杯体下部18和可升降地设置在杯体下部18的上方的杯体上部19。
杯体下部18呈其中心轴线与旋转轴线C相一致的有底圆筒状。在杯体下部18底面上形成有喷气口(未图示)，在基板处理装置1运转的过程中，杯体17内的气体始终从喷气口喷出。
杯体上部19一体地包括：圆筒状的圆筒部20，与杯体下部18共同具有中心轴线；倾斜部21，以从该圆筒部20的上端越接近圆筒部20的中心轴线越变高的方式倾斜。在杯体上部19上结合有用于使杯体上部19升降(上下移动)的杯体升降单元22。杯体上部19通过杯体升降单元22移动至使圆筒部20配置于旋转底座10的侧方的位置和使倾斜部21的上端配置于旋转底座10的下方的位置。
杯体上部19及杯体下部18分别由树脂材料(例如PTFE(poly tetra-fluoroethylene：聚四氟乙烯))形成。
药液喷嘴7例如是连续液流形状态喷出药液的直线型喷嘴，以使其喷出口朝向基板W的旋转中心附近的方式固定配置在旋转卡盘4的上方。药液喷嘴7与药液供给管15相连接，来自药液供给源的药液供给至该药液供给管15。在药液供给管15的中途部设置有用于切换来自药液喷嘴7的药液的供给/停止供给的药液阀16。
另外，药液喷嘴7无需固定配置在旋转卡盘4，而例如也可以采用所谓的扫描喷嘴的形态，在该所谓的扫描喷嘴的形态中，药液喷嘴7在杯体17的上方安装于可在水平面内摇动的臂上，通过该臂的摇动来使药液在基板W表面上的着落位置得以扫描。
此外，药液使用与对基板W表面的处理内容相对应的药液。例如，在进行用于从基板W表面除去颗粒异物的清洗处理时，使用APM(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水和过氧化氢溶液的混合液)等。另外，在进行用于对基板W表面的氧化膜进行蚀刻等的清洗处理时，使用氢氟酸、BHF(Bufferd HF：缓冲氢氟酸)或TMAH(TetramethylammoniumHydroxide：四甲基氢氧化铵)等，在进行用于剥离基板W表面上形成的抗蚀膜的抗蚀剂剥离处理、用于除去抗蚀剂剥离后作为聚合物残留在基板W表面上抗蚀剂残渣的聚合物除去处理时，使用SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸和过氧化氢溶液的混合液)或APM(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水和过氧化氢溶液的混合液)等抗蚀剂剥离液或聚合物除去液。除去金属污染物的清洗处理中使用氢氟酸、HPM(hydrochloricacid/hydrogen peroxide mixture：盐酸和过氧化氢溶液的混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸和过氧化氢溶液的混合液)等。
供水单元100包括以与旋转卡盘4的上方相向的方式配置的一体型头部6。一体型头部6具有一体地包括水喷嘴(处理液喷嘴)61和软X射线照射单元(X射线照射单元)62的结构，其中所述水喷嘴61用于喷出作为水的一例的DIW；所述X射线照射单元62用于向在水喷嘴61内流动的水照射软X射线。软X射线照射单元62安装于水喷嘴61上。水喷嘴61，例如是以连续液流的状态喷出药液的直线型喷嘴，并以使其喷出口53朝向下方的状态配置。水喷嘴61与供给来自DIW供给源的DIW的供水管13相连接。在供水管13的中途部设置有用于切换来自水喷嘴61的DIW的供给/停止供给的水阀14。关于软X射线照射单元62，在下文中进行说明。
图2是一体型头部6的示意性纵向剖视图。
一体型头部6的水喷嘴61具有沿着铅垂方向延伸的圆管状(圆筒状)的第一喷嘴管51。第一喷嘴管51例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoroethylene：聚四氟乙烯)、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。圆形喷出口53在第一喷嘴管51前端部(下端部)开口而成。在第一喷嘴管51中，在中途部的管壁上形成有例如圆形的第一开口52。在第一喷嘴管51以堵塞第一开口52的方式安装有软X射线照射单元62。一体型头部6在通过旋转卡盘4旋转的基板W的旋转轴线C的上方，以使其喷出口53朝向下方(基板W的旋转中心附近)的方式固定而配置。
在第一喷嘴管51的前端部以外嵌的方式固定有圆环状的电极56。通过电源57(参照图3)向该电极56施加了相对于装置接地端的电压，由此向通过电极56附近的处理液施加电场。
软X射线照射单元62包括：软X射线发生器(X射线发生器)25；例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)制成的罩体26，以包围的方式覆盖软X射线发生器25的周围；气体喷嘴(气体供给单元)27，用于向罩体26的内部供给气体。并且，软X射线照射单元62横向照射软X射线。罩体26呈横向长的矩形箱体状，并以与软X射线发生器25相隔开的方式包围软X射线发生器25的周围，在铅垂板状的横向壁26A上的与软X射线发生器25的下述的照射窗35相向的部分，形成有例如圆形的第二开口28，该第二开口28具有与第一开口52相同的直径。软X射线照射单元62安装于喷嘴管51，而且使罩体26的第二开口28与第一喷嘴管51的第一开口52相一致，使横向壁26A贴紧于第一喷嘴管51的外周。
第二开口28由圆板状的窗构件71来堵塞。窗构件71从罩体26的内侧堵塞第二开口28。用窗构件71不仅堵塞第二开口28，而且也堵塞第一开口52。窗构件71的材料使用原子量小的物质例如铍(Be)，以使透过力弱的软X射线容易透过。窗构件71的厚度例如设定为0.3mm左右。
软X射线发生器25射出(放射)用于使在第一喷嘴管51中流动的处理液电离的软X射线。软X射线发生器25包括：壳体29；左右方向上长的软X射线管30，用于产生软X射线；高电压单元31，用于对软X射线管30供给高电压。壳体29呈横向长的矩形筒状，用于在其内部收容软X射线管30及高电压单元31，并由具有导电性及热传导性的材料(例如铝等金属材料)形成。
高电压单元31对软X射线管30输入例如-9.5kV的高电位的驱动电压。来自电源(未图示)的电压经由供电线43供给至高电压单元31，该供电线43通过形成在罩体26上的贯通孔42引出至罩体26外部。
软X射线管30由玻璃或金属制的圆筒形状的真空管构成，管方向与水平方向一致。软X射线管30的一端部(开口端部；在图2中位左端部)形成圆形开口41。软X射线管30的他端部(在图2中为右端部)被封闭且成为管座(stem)32。作为阴极的灯丝(filament)33和作为阳极的靶体36相向地配置在软X射线管30内。在软X射线管30内收容有灯丝33及聚焦部34。具体而言，作为负极的灯丝33配置在管座32。灯丝33与高电压单元31相电连接。灯丝33被圆筒状的聚焦部34包围。
软X射线管30的开口端部被呈铅垂姿势的板状照射窗35堵塞。照射窗35例如呈圆板状，通过银焊来固定在软X射线管30的开口端部的壁面上。照射窗35的材料使用原子量小的物质例如铍(Be)，以使透过力弱的软X射线容易透过。照射窗35的厚度例如设定为0.3mm左右。照射窗35以与窗构件71的内表面71A相向且与该窗构件71相隔开微小的间隔。
金属制的靶体36通过蒸镀形成在照射窗35的内表面35A上。靶体36采用钨(W)、钽(Ta)等原子量大且熔点高的金属。
通过将来自高电压单元31的驱动电压施加于作为阴极的灯丝33，使灯丝33放出电子。从灯丝33放出的电子，在聚焦部34聚束形成电子束后冲击靶体36，从而发生软X射线。所发生的软X射线从照射窗35横向(在图2中左侧)射出(放射)，并通过窗构件71及第一开口52照射第一喷嘴管51的内部。从照射窗35照射软X射线的照射角(照射范围)为如图5所示的广角(例如130°)。从照射窗35向第一喷嘴管51的内部照射的软X射线的波长，例如为0.13～0.4nm。
窗构件71的外表面(封闭窗的处理液流动的那一侧壁面)71B的整个区域被亲水性保护膜38覆盖。亲水性保护膜38例如是聚酰亚胺树脂保护膜。用亲水性保护膜38覆盖窗构件71的外表面71B，是为了保护抗酸特性差的由铍制成的窗构件71免受水等处理液中含有的酸的影响。亲水性保护膜38的厚度优选在50μm以下，更优选为10μm左右。由于亲水性保护膜38具有亲水性，因此能够抑制或防止气泡混入保护膜38和DIW之间。由此，能够使来自照射窗35的软X射线良好地照射至在第一喷嘴管51内流动的DIW。
气体喷嘴27的喷出口在罩体26横向壁开口而成。来自气体供给源(未图示)的气体经由气阀(气体供给单元)37供给至气体喷嘴27。作为气体喷嘴27喷出的气体，可以举例CDA(低湿度的清洗空气)、氮气等非活性气体。从气体喷嘴27喷出的气体供给至罩体26的内部。软X射线发生器25在驱动时可能会发热，但通过向罩体26的内部供给气体来对软X射线发生器25进行冷却，由此能够抑制软X射线发生器25的周围的气体升温。
图3是示出了基板处理装置1的电气结构的方框图。基板处理装置1还包括控制装置(X射线照射控制单元)40，该控制装置(X射线照射控制单元)40具有包括微型计算机的结构。控制装置40连接有作为控制对象的杯体升降单元22、旋转马达8、高电压单元31、药液阀16、水阀14、电源57、气阀37等。
此外，为了发散罩体26内的热量，在电源对基板处理装置1供电期间，使气阀37常开。
图4是示出了基板处理装置1中执行的基板W的处理例的工序图。在该处理例中，在执行药液处理后，再执行漂洗处理。参照图1、图3及图4，针对基板处理装置1中对基板W执行的处理进行说明。
在基板W的处理中，用搬运机械手(未图示)将未处理的基板W搬运至处理室3内(步骤S1)，并以使其表面朝上方的状态传递至旋转卡盘4。
在将基板W保持在旋转卡盘4上后，控制装置40通过控制旋转马达8使保持在旋转卡盘4上的基板W开始旋转(步骤S2)。将基板W的转速提升至规定的液处理速度(例如500rpm)，然后维持该液处理速度。
若基板W的转速达到液处理速度，则控制装置40打开药液阀16，从药液喷嘴7向基板W上表面的旋转中心喷出药液。供给至基板W的上表面的药液受到因基板W旋转而产生的离心力，向基板W的周边流动(向基板W的整个区域扩散)。由此，对基板W表面的整个区域进行使用药液的处理(S3：药液处理)。
若从开始供给药液起经过了规定的药液处理时间，则控制装置40关闭药液阀16，停止从药液喷嘴7供给药液。
另外，控制装置40打开水阀14，从一体型头部6的水喷嘴61向处在旋转状态的基板W上表面的旋转中心喷出DIW(步骤S4)。
从打开水阀14经过规定时间(例如2秒)，则到软X射线的照射时刻。该规定时间设定为，在使DIW充分地填满第一喷嘴管51的内部后开始软X射线的照射。到软X射线的照射时刻，则控制装置40通过控制高电压单元31，在软X射线照射单元62的软X射线发生器25发生软X射线，并将该软X射线从照射窗35经由窗构件71向第一喷嘴管51的内部照射(步骤S5)。由此，对在第一喷嘴管51内流动的DIW照射软X射线。
图5示出了向水喷嘴61内照射软X射线的照射状态的示意性剖视图。
在漂洗处理中，向在水喷嘴61的第一喷嘴管51内流动的DIW照射软X射线。另外，从喷出口53喷出的处理液供给至基板W的上表面。第一喷嘴管51内的DIW中被照射软X射线的部分(第一喷嘴管51内的与第一开口52相向的部分。图5中所示的阴影区。以下，称之为“DIW的照射部分54”。)中，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，DIW的照射部分54处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
图6是示出了对基板进行漂洗处理的状态的图。
供给至基板W上表面的DIW受到因基板W旋转而产生的离心力，向基板W的周边部流动(向基板W的整个区域扩散)。由此，在基板W上表面的整个区域上形成接触该上表面的DIW液膜63。通过DIW液膜63，清洗掉附着在基板W上表面上的药液。
漂洗处理中对水喷嘴61的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从水喷嘴61的喷出口53喷出的DIW的形态呈与喷出口53和基板W上表面的DIW液膜63的两者相连的连续液流形状，另外，在第一喷嘴管51内，DIW处于液密状态。此时，DIW液膜63和DIW的照射部分54经由DIW相连。
如图5及图6所示，若基板W带正电荷，则DIW的照射部分54和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自DIW的照射部分54的电子顺着连续液流形状的DIW向基板W上表面的DIW液膜63移动。由此，使基板W上表面的DIW液膜63具有大量的电子，因此使带正电荷的基板W得以除静电。
由此，即使将DIW供给至旋转状态的基板W，也不会发生由与处理液的接触和分离引起的基板带电的情况。因此，能够防止漂洗处理时基板W带电的情况。另外，即使基板W在漂洗处理前就带电，也能够除去该基板W带的电荷(即，除静电)。其结果，能够防止器件因基板W带电而发生破坏。
通过以上结构和方法，能够在力求实现基板W的防止带电或除静电的同时，对该基板W进行漂洗处理。
另外，照射软X射线不会使DIW的特性发生变化，因此与使用碳酸水等酸性处理液处理基板W的情况不同，不存在对基板W上的器件带来不良影响的顾虑。
另外，在由软X射线照射单元62照射软X射线时，通过电源57向电极56施加电压。在这样的情况下，优选使电极56带正电荷。在这样的情况下，由于电极56带正电荷，所以因照射软X射线而在DIW的照射部分54发生的电子被吸引到电极56侧，移动至电极56所在的第一喷嘴管51(水喷嘴61)的前端部。即，能够向水喷嘴61的喷出口53吸引大量的电子。由此，能够促进电子向基板W侧的移动。
如图1、图3及图4所示，从供给DIW开始经过规定的漂洗时间，则控制装置40关闭水阀14且停止供给DIW(步骤S6)，并且通过控制高电压单元31停止从软X射线照射单元62的照射窗35照射软X射线(步骤S7)。另外，控制装置40不仅停止从软X射线照射单元62照射软X射线，而且停止向电极56施加电场。
然后，控制装置40通过控制旋转马达使基板W的转速上升至旋转干燥转速(例如2500rpm)。由此，借助离心力甩掉附着在漂洗处理后的基板W上表面的DIW，从而对基板W进行干燥(S8：旋转干燥(干燥处理))。
若旋转干燥进行了规定的干燥时间，则旋转卡盘4停止旋转。然后，利用搬运机械手(未图示)从处理室3搬出经过处理的基板W(步骤S9)。
因此，在第一实施方式中，向在水喷嘴61的第一喷嘴管51内流动的DIW照射软X射线。由此，DIW的照射部分54处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。这些电子顺着连续液流形状的DIW移动至DIW液膜63，其结果，使该DIW液膜63具有大量的电子。因此，即使将DIW供给至旋转状态的基板W，也不会发生基板因与DIW接触及分离而带电的现象。因此，能够防止漂洗处理时基板W带电的情况。另外，即使基板W在漂洗处理前就带电，也能够除去该基板W带的电荷(即，除静电)。其结果，能够防止器件因基板W带电而发生破坏。
另外，由于照射软X射线不会使DIW的特性发生变化，因此与使用碳酸水等酸性处理液处理基板W的情况不同，不存在对基板W上的器件带来不良影响的顾虑。
图7是用于说明图4中示出的处理例的变形例的流程图。
在图7所示的变形例中，到如上所述的软X射线照射时刻时，如果在第一喷嘴管51的第一开口52附近存在DIW，则通过软X射线照射单元62执行软X射线的照射，如果在第一喷嘴管51的第一开口52附近不存在DIW，则不进行通过软X射线照射单元62的软X射线的照射。以下，进行具体说明。
如图1中に双点划线所示，在供水单元100中，在水喷嘴61的第一喷嘴管51配置有液体检测传感器(处理液检测单元)101，用于在规定的水检测位置102检测在第一喷嘴管51内是否存在DIW。水检测位置102设定为如下位置，即：相对于第一喷嘴管51的流动方向，与第一开口(开口，软X射线的照射位置)52(参照图2)相同的位置或者离第一开口52较近的位置。
液体检测传感器101例如由电容式传感器构成，并在第一喷嘴管51的外周壁(未图示)进行直接安装配置或邻近配置。液体检测传感器101用于检测在水检测位置102周围的第一喷嘴管51内是否存在DIW，并输出与该检测结果相应的信号。若在第一喷嘴管51的第一开口52附近存在DIW，则检测出DIW，另一方面，若在第一喷嘴管51的第一开口52附近不存在DIW，则检测不出DIW。
另外，液体检测传感器101，可以采用光学式(例如，将发光二极管和感光元件组合，利用气体和液体的折射率差)传感器或电导传感器。
若到了如上所述的软X射线照射时刻(步骤S11中的YES)，则控制装置40参照液体检测传感器101的检测输出，并检查在第一开口52附近是否存在DIW(是否存在液体)(步骤S12)。如果在第一开口52附近存在DIW(步骤S12中的YES)，则控制装置40使软X射线照射单元62开始照射软X射线(步骤S13)。另一方面，若在第一开口52附近不存在DIW(步骤S12中的NO)或还未到软X射线照射时刻(步骤S11中的NO)，则软X射线照射单元62不开始进行X射线照射，并返回重新进行图7的处理。
在这样的情况下，若在第一开口52附近不存在DIW，则禁止向第一开口52照射软X射线。由此，能够抑制或防止软X射线向第一喷嘴管51外泄漏。
此外，也可以在具有与供水单元100相同的结构的供水单元230、250、600(参照图15的(a)、15的(b)、图16、图28)中采用液体检测传感器101。在这样的情况下，能够执行图7所示的处理。
图8是示意性示出了本发明第二实施方式的一体型头部6A的结构的图。图9是沿着图8中的剖切线IX-IX观察时的剖视图。
对于一体型头部6A中与第一实施方式的一体型头部6具有相同结构的部分，标注了与图1～图6的情形相同的附图标记，并省略其说明。一体型头部6A与一体型头部6不同的主要点是，在水喷嘴61采用了前端部呈扁平状的第一喷嘴管51A的那一点。除了前端部的其他区域的第一喷嘴管51A与第一喷嘴管51同样，具有圆管状(圆筒状)。另外，第一喷嘴管51A与第一喷嘴管51同样地沿着铅垂方向延伸，并由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)的树脂材料形成。
在第一喷嘴管51A的前端部形成有其剖面呈大致长方形的扁平部151。扁平部151是通过热成型对圆管进行变形而得到的。一对平坦壁部152，153间的宽度W1例如设定为5～10mm左右。在一侧的平坦壁部152，在第一喷嘴管51A的中途部形成有例如圆形的第三开口(开口，X射线的照射位置)52A。在第一喷嘴管51A以堵塞第三开口52A的方式安装有软X射线照射单元62。具体而言，软X射线照射单元62安装于第一喷嘴管51A，而且使罩体26A的第二开口28与第一喷嘴管51A的第三开口52A相一致，使横向壁26A贴紧于第一喷嘴管51A的外周。
扁平部151的宽度W1设定为：在DIW充满扁平部151的状态下，使从软X射线照射单元62的照射窗35照射的软X射线能够到达另一侧的平坦壁部153的程度的宽度。因此，来自软X射线照射单元62的软X射线能够照射在第一喷嘴管51A的扁平部151流动的全部DIW。由此，能够以宽范围保持DIW的照射部分54，因此能够更一层地增加在基板W上表面的DIW液膜63中包含的电子量。由此，能够切实地抑制由于与DIW的接触和分离而基板W发生带电的情况，另外，即使基板W在漂洗处理前就带电，也能够更可靠地对该基板W进行除静电处理。
图10的(a)、(b)是用于说明本发明第三实施方式的一体型头部6B的结构的图。图10的(a)示出了漂洗处理中的一体型头部6B的主要部分的剖视图，图10的(b)是从图10的(a)的下方观察时的图。
在一体型头部6B，在水喷嘴61的第一喷嘴管51的喷出口53安装有由多根线状纤维构成的纤维束(纤维状物质)65。纤维束65呈具有沿第一喷嘴管51的长度方向的中心轴线的圆柱状。纤维束65从第一喷嘴管51的喷出口53突出的长度设定为，与由旋转卡盘4保持的基板W和喷出口53之间间隔相同的程度。
在漂洗处理时，从第一喷嘴管51的喷出口53喷出的DIW沿着纤维束65所包含的多根纤维向下方流动。纤维束65的前端与形成在基板W上表面的DIW液膜63相接触，漂浮在该液膜63中。纤维束65将DIW良好地从喷出口53引导至DIW液膜63，因此容易将从喷出口53喷出的DIW的形态维持为与喷出口53和DIW液膜63的两者相连的连续液流形状。
另外，即使在来自喷出口53的DIW喷出流量为少流量的情况下，也能够将从喷出口53喷出的DIW的形态维持为所述连续液流形状。由此，能够较少DIW使用量的同时，力求实现基板W的防止带电或基板W的除静电。此外，在漂洗处理时，可以使纤维束65前端不仅与液膜63相接触，而且与基板W上表面相接触。
此外，在第一喷嘴管51A(参照图8)的前端部可以设置纤维束65。另外，在采用与供水单元100相同结构的供水单元230、250、600(参照图15的(a)、15的(b)、图16、图28)中，在第一喷嘴管51的前端部可以设置纤维束65。
另外，在第三实施方式中，作为安装在水喷嘴61的第一喷嘴管51的喷出口53上的纤维状物质，由多根线状纤维构成的纤维束65为例进行了说明，但纤维状物质并不仅限定于由多根线状纤维构成的纤维束，例如，可以由一根粗的线状纤维构成，也可以由布状纤维构成，而不是线状纤维。
图11是示出了本发明第四实施方式的基板处理装置201的结构图。
在第四实施方式中，对于与第一实施方式具有相同结构的部分，标注了与图1～图6的情形相同的附图标记，并省略其说明。在基板处理装置201中设置分别设置有喷嘴和软X射线照射单元的供水单元(处理液供给装置)200，以代替第一实施方式的供水单元100(参照图1)。
供水单元200包括：水喷嘴202；供水管(处理液管)204，向水喷嘴202供给来自DIW供给源的DIW(水的一例)；软X射线照射单元(X射线照射单元)203，用于向在供水管204内存在的DIW照射软照射X射线。软X射线照射单元203安装于供水管204。
水喷嘴202具有圆管状(圆筒状)的喷嘴管，并安装于供水管204的前端。水喷嘴202由以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴构成，并以使其喷出口202A朝向基板W上表面的中央部的状态固定配置在处理室3内。水喷嘴202，除了未形成有第一开口52(参照图2)的这一点，采用了与第一实施方式的水喷嘴61(参照图2)相同的结构。即，在水喷嘴202的喷嘴管的前端部以外嵌的方式固定有圆环状的电极56，而且通过电源57(参照图3)向该电极56施加有相对于装置接地端的电压。
供水管204呈圆管状(圆筒状)。供水管204由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在供水管204的中途部的管壁上形成有开口(未图示)。
软X射线照射单元203采用与第一实施方式的软X射线照射单元62(参照图2)相同的结构。软X射线照射单元203以堵塞供水管204的开口的方式安装于供水管204。具体而言，软X射线照射单元203的罩体的开口(相当于软X射线照射单元62的罩体26的第二开口28(参照图2)的开口)与供水管204的所述开口相一致，而且软X射线照射单元203的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元62的罩体26的横向壁26A(参照图2))贴紧于供水管204的外周。软X射线照射单元203的高电压单元(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的高电压单元31(参照图2))与控制装置40(参照图3)相连接。
在供水管204上安装有用于开闭供水管204的水阀205。若打开水阀205，则从供水管204向水喷嘴202供给DIW，另外，若关闭水阀205，则停止从供水管204向水喷嘴202供给DIW。水阀205与控制装置40(参照图3)相连接。
在基板处理装置201中，执行与图4中所示的处理例的情形相同的处理。在漂洗处理(图4中的步骤S4～S6)中，控制装置40(参照图3)打开水阀205。由此，使在供水管204流动的DIW向水喷嘴202供给。DIW从水喷嘴202的喷出口202A向处在旋转状态的基板W的上表面的旋转中心喷出。
另外，若水阀205打开后经过了规定时间而到了软X射线照射时刻，则控制装置40通过控制软X射线照射单元203的高电压单元，以使软X射线照射单元203的软X射线发生器(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的软X射线发生器25(参照图2))发生软X射线，并将该软X射线向供水管204的内部照射。由此，将软X射线照射至在供水管204内流动的DIW。
供给至基板W上表面的DIW受到因基板W旋转而产生的离心力，向基板W的周边流动(向基板W的整个区域扩散)。由此，在基板W上表面的整个区域形成DIW液膜。通过DIW液膜清洗掉附着在基板W上表面的药液。
在漂洗处理中，向水喷嘴202的DIW供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从水喷嘴202的喷出口202A喷出的DIW的形态呈与喷出口202A和基板W上表面的DIW液膜的两者相连的连续液流形状的形态。另外，在水喷嘴202的喷嘴管内及供水管204内，DIW处于液密状态。
在漂洗处理中，若向在供水管204内流动的DIW照射软X射线，则在供水管204内的DIW的照射部分(与图5所示的第一实施方式的DIW的照射部分54同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，供水管204内的DIW的照射部分，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。DIW的照射部分，经由DIW与形成在基板W上表面的DIW液膜相连。
若基板W带正电荷，则在供水管204内的DIW的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自供水管204内的DIW的照射部分的电子顺着连续液流形状的DIW向基板W上表面的DIW液膜移动。由此，使基板W上表面的DIW液膜具有大量的电子。
通过以上结构和方法，在第四实施方式也产生与第一实施方式中描述的作用效果同等的作用效果。
图12是示出了本发明第五实施方式的基板处理装置211的结构的图。
针对基板处理装置211中与第四实施方式的基板处理装置201具有相同结构的部分，标注了与图11的情形相同的附图标记，并省略其说明。基板处理装置211与基板处理装置201不同点是，设置具有多个喷出口216的水喷嘴212来代替水喷嘴202(参照图11)的这一点。
水喷嘴212包括：由圆管状(圆筒状)的喷嘴管构成的主体部213；多个(图12中，例如3个)喷出口部215，在主体部213的前端部沿着水平方向排列而配置；连通部214，用于连通主体部213的内部空间和各个喷出口部215的内部空间。各个喷出口部215具有喷出口216。各个喷出口部215由以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴构成。在各喷出口部215以外嵌的方式固定有电极56。水喷嘴212以使多个喷出口216朝向基板W上表面的中央部的状态固定配置在处理室3内。供水管204连接于水喷嘴212的主体部213。
在漂洗处理中，向水喷嘴212供给DIW(水的一例)，并从水喷嘴212的各喷出口216喷出DIW。漂洗处理中，在基板W上表面的整个区域形成DIW液膜。另外，如图12所示，在漂洗处理中，从各个喷出口216喷出的DIW的形态呈与喷出口216和基板W上表面的DIW液膜的两者相连的连续液流形状。另外，在水喷嘴212的喷嘴管内及供水管204内，DIW处于液密状态。
在基板处理装置211中，从至少一个喷出口216喷出的DIW的形态可以呈与该喷出口216和基板W上表面的DIW液膜的两者相连的连续液流形状。换言之，水喷嘴212的喷嘴管内和基板W上表面的DIW液膜通过至少一股连续液流64A(参照图13)来相连。
具体而言，可以考虑如下情况，即：图13所示，在多个喷出口216中的一个喷出口216A，DIW的形态呈与该喷出口216和基板W上表面的DIW液膜的两者相连的连续液流形状，但在其他喷出口216B、216C并未呈连续液流形状。此时，DIW从喷出口216B、喷出口216C以液滴的形态喷出，或并未喷出。
即使在图13所示的情况下，水喷嘴212的喷嘴管内和基板W上表面的DIW液膜也通过至少一股连续液流64A来相连。因此，若基板W带正电荷，则来自供水管204内的DIW的照射部分的电子随着该一股连续液流64A向基板W上表面的DIW液膜63移动。由此，能够力求实现基板W的防止带电、基板W的除静电。
图14是示出了本发明第六实施方式的基板处理装置221的结构的图。
对于基板处理装置221中与第四实施方式的基板处理装置201具有相同结构的部分，标注了与图11的情形相同的附图标记，并省略其说明。在基板处理装置221设置有供水单元(处理液供给装置)220，以代替供水单元200。
供水单元220包括：水喷嘴202；供水管204；第一分支管(分支管)222，从供水管204的中途部分支的；软X射线照射单元(X射线照射单元)223，用于向在第一分支管222内存在的DIW(水的一例)照射软X射线。软X射线照射单元223安装于第一分支管222。即，在供水单元220中，软X射线照射单元223安装于第一分支管222，而不是供水管204。
第一分支管222在供水管204从水阀205的上游侧部分开始分支。第一分支管222呈圆管状(圆筒状)，由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoroethylene：聚四氟乙烯)、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在第一分支管222的中途部安装有用于开闭第一分支管222的分支阀225。分支阀225与控制装置40(参照图3)相连接。在第一分支管222，在分支阀225的上游侧的规定部分的管壁上形成有开口(未图示)。
在第一分支管222的下游端安装有第一杯体用喷嘴224。第一杯体用喷嘴224由以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴构成，并以使该喷出口(液体阻挡构件用喷出口)224A朝向杯体上部19的外壁(例如倾斜部21上表面)的状态固定配置在处理室3内的杯体上部19的上方。
软X射线照射单元223采用与第一实施方式的软X射线照射单元62(参照图2)相同的结构。软X射线照射单元223以堵塞第一分支管222的开口的方式安装于第一分支管222。具体而言，软X射线照射单元223的罩体的开口(相当于软X射线照射单元62的罩体26的第二开口28(参照图2))与第一分支管222的所述开口一致，而且软X射线照射单元223的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元62的罩体26的横向壁26A(参照图2))紧贴于第一分支管222的外周。软X射线照射单元223的高电压单元(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的高电压单元31(参照图2))与控制装置40(参照图3)相连接。
若在分支阀225被关闭的状态下打开水阀205，则从供水管204供给DIW至水喷嘴202，从水喷嘴202的喷出口202A喷出DIW。若在水阀205被关闭的状态下打开分支阀225，则从第一分支管222供给DIW至第一杯体用喷嘴224，从第一杯体用喷嘴224的喷出口224A喷出DIW。
但是，由于杯体上部19借助杯体升降单元22进行升降，所以杯体17(尤其是杯体上部19)可能会带电。因此，在对基板W进行处理之前，需要对杯体上部19进行除静电处理。
在基板处理装置221中执行与图4所示的处理例的情形相同的处理，但在执行图4中的步骤S1即搬入基板W之前，对杯体17进行除静电处理。具体而言，控制装置40控制软X射线照射单元223的高电压单元，以使软X射线照射单元223的软X射线发生器(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的软X射线发生器25(参照图2))发生软X射线，并将该软X射线照射至第一分支管222的内部。由此，将软X射线照射至存在于第一分支管222中的DIW。
另外，控制装置40一边关闭水阀205一边打开分支阀225。由此，将在第一分支管222流动的DIW供给至第一杯体用喷嘴224。第一杯体用喷嘴224的喷出口224A朝向杯体上部19的倾斜部21上表面喷出DIW。所供给的DIW沿着倾斜部21上表面向下方流动。因此，在倾斜部21上表面形成DIW液膜。此时，将对于第一杯体用喷嘴224的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从第一杯体用喷嘴224的喷出口224A喷出的DIW的形态，呈将喷出口224A和倾斜部21上表面的DIW液膜连接起来的连续液流形状。另外，在第一杯体用喷嘴224的喷嘴管内及第一分支管222内，DIW处于液密状态。
若杯体上部19带正电荷，则在第一分支管222内的DIW的照射部分和带正电荷的杯体上部19之间发生电位差，使得来自第一分支管222内的DIW的照射部分的电子，顺着连续液流形状的DIW朝向倾斜部21上表面的DIW液膜移动。由此，使倾斜部21上表面的DIW液膜具有大量的电子，所以在带正电荷的杯体上部19中与DIW液膜接触的部分被除静电。
另一方面，在杯体上部19带负电荷时，来自杯体上部19的电子顺着连续液流形状的DIW朝向第一分支管222内的DIW的照射部分的正离子移动。因此，在带负电荷的杯体上部19中与DIW液膜接触的部分被除静电。
在对杯体上部19进行了除静电处理之后，将未处理的基板W搬入处理室3并传递给旋转卡盘4。
在旋转卡盘4保持了基板W之后，控制装置40控制旋转马达8以使旋转卡盘4开始使基板W旋转(图4中的步骤S2)。基板W的转速提升至规定的液处理速度(例如500rpm)，然后维持该液处理速度。
在漂洗处理(图4中的步骤S4～S6)中，控制装置40(参照图3)使分支阀225关闭并使水阀205打开。
另外，若在水阀205打开后经过了规定时间到达软X射线照射时刻，则控制装置40控制软X射线照射单元223的高电压单元，以使软X射线照射单元223的软X射线发生器发生软X射线，并将该软X射线照射至第一分支管222的内部。由此，将软X射线照射至在第一分支管222内流动的DIW。
水喷嘴202的喷出口202A向旋转状态的基板W上表面的旋转中心喷出DIW。在漂洗处理中，在基板W上表面的整个区域形成DIW液膜。从水喷嘴202的喷出口202A喷出的DIW的形态，呈将喷出口202A和基板W上表面的DIW液膜连接起来的连续液流形状。另外，在水喷嘴202的喷嘴管内、供水管204内及第一分支管222内，DIW处于液密状态。
在漂洗处理中，若将软X射线照射至存在于第一分支管222内的DIW，则在第一分支管222内的DIW的照射部分(与如图5所示的第一实施方式的DIW的照射部分54相同等)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，第一分支管222内的DIW的照射部分，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。DIW的照射部分与形成于基板W上表面的DIW液膜通过DIW相连接。
若基板W带正电荷，则在第一分支管222内的DIW的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自第一分支管222内的DIW的照射部分的电子，顺着供水管204及连续液流形状的DIW向基板W上表面的DIW液膜移动。由此，使基板W上表面的DIW液膜具有大量的电子。
因此，在第六实施方式中，除了产生与第一实施方式中所述的作用效果同等的作用效果之外，还能够产生良好地对杯体上部19进行除静电处理的作用效果。
另外，若亲水性保护膜(相当于亲水性保护膜38(参照图2))从X射线照射单元223的窗构件的外表面(相当于窗构件71的外表面71B(参照图2))被剥离掉，则该窗构件所含有的铍可能被DIW等处理液溶解。即使在这样的情况下，由于在第一分支管222设置有X射线照射单元223，所以这样的含有铍的DIW会供给至第一杯体用喷嘴224而不是水喷嘴202，由此也能够可靠地防止含有铍的DIW供给至基板W。
在第一～第六实施方式中，对利用从水喷嘴61、202喷出的DIW(水的一例)来防止基板W在漂洗处理时带电或实现除静电的情形进行了说明，但在如下所述的第七～第九实施方式的基板处理装置231、251、261中，对利用从水喷嘴61、202喷出的DIW(水的一例)来对内部流动处理液的第二喷嘴管(第二管)232、262实现除静电的情形进行说明。
图15的(a)、15的(b)是示出了本发明第七实施方式的基板处理装置231的结构的图。
基板处理装置231与第一实施方式的基板处理装置1的不同点在于：具有第二喷嘴管232，该第二喷嘴管232用于向由旋转卡盘4保持的基板W供给处理液；由供水单元230向第二喷嘴管232供给作为水的一例的DIW。由于供水单元230采用与供水单元100(参照图1)相同的结构，所以标注与供水单元100的情形相同的附图标记并省略其说明。在图15的(a)、15的(b)中仅示出了与供水单元230相关的结构，并省略其他部分的图示。图15的(a)是示出了第二喷嘴管232收容于如下所述的待机容器237中的状态的剖视图，图15的(b)是沿着图15的(a)中的剖切线B-B观察时的剖视图。
第二喷嘴管232一体地具有沿着水平方向延伸的圆筒状的水平部233和从该水平部233的前端垂下来的圆筒状的垂下部234。第二喷嘴管232由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。
在第二喷嘴管232的内部形成有处理液流动通道235。处理液流动通道235在垂下部234的下端开口形成圆形状的喷出口236。来自处理液供给源的处理液(药液或水)经由处理液阀(未图示)供给至第二喷嘴管232。若该处理液阀打开，则处理液供给至第二喷嘴管232的水平部233的上游端。导入至第二喷嘴管232的处理液，在处理液流动通道235内流动并从喷出口236喷出。
第二喷嘴管232被在杯体17(参照图1)的侧方沿着大致铅垂方向延伸的支撑轴(未图示)支撑，通过对该支撑轴输入旋转力来使该支撑轴转动，由此能够使第二喷嘴管232在旋转卡盘4(参照图1)的上方摇动。即，第二喷嘴管232具有扫描喷嘴的形态。在不对基板W(参照图1)供给处理液时，第二喷嘴管232退避到设置于杯体17(参照图1)的侧方的初始位置(home position)。在对基板W(参照图1)供给处理液时，第二喷嘴管232被移动至基板W的上方。
如图15的(a)、15的(b)所示，基板处理装置231包括用于收容初始位置的第二喷嘴管232的槽状的待机容器237。待机容器237具有沿着第二喷嘴管232的长度方向延伸且横截面大致为矩形的容器本体238。容器本体238的上面形成有沿着第二喷嘴管232的长度方向延伸的储液槽239。储液槽239形成在除了长度方向上的两端之外的长度方向上的整个区域。储液槽239的横截面大致呈U字状。储液槽239的宽度及深度被设定为能够收容第二喷嘴管232的尺寸。
在容器本体238的长度方向上的两端，分别设置有端壁240。在各端壁240形成有圆孔的插入通过孔241，该插入通过孔241与第二喷嘴管232大致匹配。在储液槽239的底部连接有废液管242。在废液管242的中途部(即非端部的部分)，安装有用于开闭废液管242的废液阀243。在第二喷嘴管232位于初始位置时，第二喷嘴管232收容于储液槽239。此时，第二喷嘴管232被插入通过两侧端壁240的插入通过孔241。
供水单元230的水喷嘴61固定配置在待机容器237的上方，且处于使喷出口53朝向储液槽239的状态。在第二喷嘴管232配置于初始位置的状态且废液阀243被关闭的状态下，从供水单元230的水喷嘴61喷出DIW。由此，在待机容器237的储液槽239中储存DIW。另外，利用储存在储液槽239中的DIW，来对第二喷嘴管232(的水平部233)的周方向上的整个区域进行浸渍。
在第二喷嘴管232位于初始位置的期间(待机时)，水喷嘴61继续喷出DIW。此时对水喷嘴61的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从水喷嘴61的喷出口53喷出的DIW的形态，呈将喷出口53和储存于储液槽239中的DIW连接起来的连续液流形状。即，在喷出口53和第二喷嘴管232的外周壁之间，从喷出口53喷出的DIW以液体状连接在一起。在第一喷嘴管51内，DIW处于液密状态。
另外，在第二喷嘴管232位于初始位置的期间(待机时)，来自软X射线照射单元62的软X射线照射至水喷嘴61(第一喷嘴管51)的内部。若将软X射线照射到在第一喷嘴管51内存在的DIW，则DIW的照射部分54(参照图5)处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。此时，DIW的照射部分54经由DIW与接触于第二喷嘴管232的外周壁的DIW相连接。
但是，在停止对第二喷嘴管232供给处理液的期间，第二喷嘴管232的内部(尤其是水平部233)残留有处理液。此时，若第二喷嘴管232的外周壁带正电荷或负电荷，则由于感应带电现象，就连第二喷嘴管232内残留的处理液也可能会带正电荷或负电荷。若将处于这样的带电状态下的处理液供给至基板W，则就连基板W也会带电荷，这些电荷放电时，可能会使形成于基板W上表面的器件遭到破坏。
若第二喷嘴管232带正电荷，则在DIW的照射部分54(参照图5)和带正电荷的第二喷嘴管232的外周壁之间发生电位差，使得来自DIW的照射部分54(参照图5)的电子，顺着连续液流形状的DIW及储存于储液槽239的DIW向第二喷嘴管232的外周壁移动。由此，带正电荷的第二喷嘴管232的外周壁被除静电。
另一方面，若第二喷嘴管232带负电荷，则来自第二喷嘴管232的外周壁的电子，顺着连续液流形状的DIW向DIW的照射部分54(参照图5)的正离子移动。由此，带负电荷第二喷嘴管232被除静电。
图16是示出了本发明第八实施方式的基板处理装置251的结构的图。
基板处理装置251与第七实施方式的基板处理装置231(图15的(a)、15的(b)参照)的不同点在于，不是在储存于储液槽239的DIW中浸渍第二喷嘴管232，而是通过将来自供水单元(处理液供给装置)250的水喷嘴61的喷出口53的DIW，直接供给至第二喷嘴管232的外周壁，来对第二喷嘴管232进行除静电处理。除了如下所述的移动单元252的结构之外，供水单元250采用与供水单元100(参照图1)相同的结构。因此，标注与供水单元100的情形相同的附图标记并省略其说明。在供水单元250中，一体型头部6与用于使该一体型头部6在水平方向上移动的移动单元252相结合。移动单元252由滚珠丝杠螺母(ball nut)及马达构成，作为控制装置40的控制对象连接至控制装置40(参照图3)。
在第二喷嘴管232位于初始位置的期间(待机时)，控制装置40向水喷嘴61(第一喷嘴管51)供给DIW(水的一例)，并向水喷嘴61(第一喷嘴管51)的内部照射来自软X射线照射单元62的软X射线。从一体型头部6的水喷嘴61喷出的DIW供给至第二喷嘴管232的外周壁，沿着第二喷嘴管232的外周壁向下方流动。
此时对水喷嘴61的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从水喷嘴61的喷出口53喷出的DIW的形态，呈将喷出口53和第二喷嘴管232的外周壁连接起来的连续液流形状。在第一喷嘴管51内，DIW处于液密状态。
另外，在第二喷嘴管232位于初始位置的期间(待机时)，向水喷嘴61(第一喷嘴管51)的内部照射来自软X射线照射单元62的软X射线。若向在第一喷嘴管51内存在的DIW照射软X射线，则DIW的照射部分54(参照图5)处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。此时，DIW的照射部分54经由DIW与接触于第二喷嘴管232的外周壁的DIW相连接。
若第二喷嘴管232带正电荷，则在DIW的照射部分54(参照图5)和带正电荷的第二喷嘴管232之间发生电位差，使得来自DIW的照射部分54(参照图5)电子顺着连续液流形状的DIW向第二喷嘴管232上的与DIW接触的位置移动。由此，第二喷嘴管232上的DIW的着液部位被除静电。
另一方面，若第二喷嘴管232带负电荷，则来自第二喷嘴管232的电子顺着连续液流形状的DIW向DIW的照射部分54(参照图5)的正离子移动。由此，第二喷嘴管232上的DIW的着液部位被除静电。
另外，控制装置40控制移动单元252，使得第二喷嘴管232(水平部233)的外周壁上的DIW的着液部位在第二喷嘴管232的长度方向上向一方向移动或进行往复移动。由此，能够使要除静电的第二喷嘴管232的位置在第二喷嘴管232(水平部233)的长度方向上移动，所以能够良好地对第二喷嘴管232(水平部233)的外周壁的大致整个区域进行除静电处理。
图17的(a)、图17的(b)是示出了本发明第九实施方式的基板处理装置261的结构的图。
基板处理装置261与第一实施方式的基板处理装置1(参照图1)的不同点在于，采用供水单元(处理液供给装置)260来替代第一实施方式的供水单元100(参照图1)，而其他结构与基板处理装置1相同。在图17的(a)、17的(b)中仅示出了与供水单元260相关的结构，并省略了其他部分的图示。图17的(a)是如下所述的第二喷嘴管262及第三喷嘴管272的纵向剖视图，图17的(b)是沿着图17的(a)中的剖切线B1-B1观察时的剖视图。
供水单元260具有第二喷嘴管262和第三喷嘴管272。第二喷嘴管262及第三喷嘴管272具有双重管结构，第二喷嘴管262插入通过第三喷嘴管272内。
第二喷嘴管262一体地具有沿着水平方向延伸的圆筒状的水平部263和从该水平部263的前端垂下来的圆筒状的垂下部264。第二喷嘴管262由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。
在第二喷嘴管262的内部形成有处理液流动通道265。处理液流动通道265在垂下部264的下端开口形成圆形状的喷出口266。来自处理液供给源的处理液(药液或水)经由处理液阀(未图示)供给至第二喷嘴管262。
供水单元260包括第四实施方式的供水单元200(参照图11)的结构的一部分。即，供水单元260包括供水管204、软X射线照射单元203及水阀205。除了供水管204对第三喷嘴管272供给来自DIW供给源的DIW(水的一例)这一点之外，软X射线照射单元203及供水管204的结构就是第四实施方式中所说明的结构，所以省略其详细说明。
第三喷嘴管272一体地具有沿着水平方向延伸的圆筒状的水平部273和从该水平部273的前端垂下来的圆筒状的垂下部274。第三喷嘴管272由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。第二喷嘴管262的水平部263插入通过第三喷嘴管272的水平部273内，并贯通第三喷嘴管272的垂下部274的管壁且该水平部263的下游端与第二喷嘴管262的垂下部264相连接。在第三喷嘴管272的内壁和第二喷嘴管262的外壁之间的空间形成有水流动通道275。水流动通道275在垂下部274的下端开口形成圆环状的喷出口276。
在使用处理液对基板W进行处理液处理时，所述的处理液阀被打开。若处理液阀打开，则处理液供给至第二喷嘴管262的水平部263的上游端。导入至第二喷嘴管262的处理液，在处理液流动通道265内流动并从喷出口266喷出。若到了停止供给处理液的时刻，则所述的处理液阀被关闭，但之后在第二喷嘴管262的内部(尤其是水平部263)残留有处理液。
在对基板W供给DIW时，水阀205被打开。DIW供给至第三喷嘴管272的水流动通道275的上游端。导入至第三喷嘴管272的DIW，在水流动通道275内流动并从喷出口276喷出。若到了停止供给DIW的时刻，则水阀205被关闭，但之后在第三喷嘴管272的内壁和第二喷嘴管262的外壁之间的空间内也会残留有DIW。
但是，若第二喷嘴管262的外周壁带正电荷或负电荷，则由于感应带电现象，就连第二喷嘴管262内的残留处理液也可能会带正电荷或负电荷。若将处于这样的带电状态下的处理液供给至基板W，则就连基板W也会带电荷，这些电荷放电时，可能会使形成于基板W上表面的器件遭到破坏。
这样的第二喷嘴管262的外周壁带电的原理可能是如下情形：首先，第三喷嘴管272的外周壁先带电，接着，第二喷嘴管262的外周壁，通过在第二喷嘴管262的外壁和第三喷嘴管272的内壁之间残留的DIW再带电。
在基板处理装置261中，即使第三喷嘴管272不向基板W供给DIW(即，漂洗处理时之外)，软X射线照射单元203继续向供水管204的内部照射软X射线。
此时，在第二喷嘴管262的外壁和第三喷嘴管272的内壁之间残留的DIW与在供水管204内存在的DIW以液密状态(连续液流的形态)连接在一起。
若第三喷嘴管272带正电荷，则在供水管204内的DIW的照射部分和带正电荷的第三喷嘴管272之间发生电位差，使得来自供水管204内的DIW的照射部分的电子，顺着供水管204内的DIW以及在第二喷嘴管262的外壁和第三喷嘴管272的内壁之间残留的DIW向第三喷嘴管272移动。由此，带正电荷的第三喷嘴管272被除静电。
另一方面，若第三喷嘴管272带负电荷，则来自第三喷嘴管272的电子顺着供水管204内的DIW以及在第二喷嘴管262的外壁和第三喷嘴管272的内壁之间残留的DIW向供水管204内的DIW的照射部分的正离子移动。由此，第三喷嘴管272被除静电。
即，由于能够实现对第三喷嘴管272的除静电，所以第二喷嘴管262不会带电。
另外，如果第二喷嘴管262带正电荷，那么，来自供水管204内的DIW的照射部分的电子顺着供水管204内的DIW及在第二喷嘴管262的外壁和第三喷嘴管272的内壁之间残留的DIW向第二喷嘴管262。如果第二喷嘴管262带负电荷，则来自第二喷嘴管262的电子，顺着供水管204内的DIW及在第二喷嘴管262的外壁和第三喷嘴管272的内壁之间残留的DIW向供水管204内的DIW的照射部分的正离子移动。即，即使第二喷嘴管262带电，这样能够实现对第二喷嘴管262的除静电。
图18是示出了本发明第十实施方式的基板处理装置301的结构的图。
在第十实施方式中，对与第一实施方式相同的部分标注了与图1～图6的情形相同的附图标记，并省略其说明。基板处理装置301与第一实施方式的基板处理装置1(参照图1)的不同点为如下两点：具有用于对基板W下表面供给DIW(水的一例)的供水单元(处理液供给装置)300；利用水喷嘴302来对基板W上表面供给DIW(水的一例)以替代供水单元100(参照图1)。
水喷嘴302由以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴构成，且固定配置在处理室3内，喷出口朝向基板W上表面的中央部。水喷嘴302连接有供水管303，该供水管303用于从DIW供给源供给DIW。在供水管303上安装有用于开闭供水管303的水阀304。
基板处理装置301的旋转轴9为中空轴。下侧处理液供给管305以非接触状态插入通过旋转轴9的内部。
供水单元300包括下侧处理液供给管305、安装在下侧处理液供给管305的上端的下表面喷嘴306、向下侧处理液供给管305供给来自DIW供给源的DIW的供水管(处理液管)307、用于向在供水管307内存在的DIW照射软X射线的软X射线照射单元(X射线照射单元)309。软X射线照射单元309安装在供水管307。下表面喷嘴306配置成喷出口306A(参照图19)靠近被夹持构件11支撑的基板W的下表面的中央部。
下侧处理液供给管305连接有供水管307。由此，能够由下侧处理液供给管305向下表面喷嘴306供给DIW，并从下表面喷嘴306的喷出口306A(参照图19)朝向基板W下表面的中央部喷出DIW。
供水管307呈圆管状(圆筒状)。供水管307由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在供水管307的中途部的管壁形成有开口(未图示)。
软X射线照射单元309采用与第一实施方式的软X射线照射单元62(参照图2)相同的结构。软X射线照射单元309以堵塞供水管307的开口的方式安装在供水管307。具体而言，软X射线照射单元309的罩体的开口(相当于软X射线照射单元62的罩体26的第二开口28(参照图2))与供水管307的所述开口一致，而且软X射线照射单元309的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元62的罩体26的横向壁26A(参照图2))紧贴于供水管307的外周。软X射线照射单元309的高电压单元(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的高电压单元31(参照图2))与控制装置40(参照图3)相连接。
在供水管307安装有用于开闭供水管307的水阀308。水阀308与控制装置40(参照图3)相连接。
在基板处理装置301中，执行与图4所示的处理例的情形相同的处理。
在漂洗处理(图4中的步骤S4～S6)中，控制装置40(参照图3)使水阀304打开。由此，从水喷嘴302向基板W上表面的中央部喷出DIW。另外，控制装置40(参照图3)使水阀308打开。由此，在供水管307内流动的DIW供给至下表面喷嘴306。由此，从下表面喷嘴306的喷出口306A向基板W下表面的中央部向上喷出DIW。
若水阀308打开后经过了规定时间而到了软X射线照射时刻，则控制装置40控制软X射线照射单元309的高电压单元，以使软X射线照射单元309的软X射线发生器(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的软X射线发生器25(参照图2))发生软X射线，并将该软X射线照射至供水管307的内部。由此，将软X射线照射至在供水管307内流动的DIW。
图19是示出了基板处理装置301中进行漂洗处理时的DIW的流动的图。
供给至基板W上表面的中央部的DIW受到因基板W旋转而产生的离心力，所以在基板W上表面从中央部向周边部扩散。由此，在基板W上表面的整个区域形成有DIW液膜。通过DIW液膜，清洗掉附着在基板W上表面的药液。
另一方面，供给至基板W下表面的中央部的DIW受到因基板W旋转而产生的离心力，顺着基板W的下表面向旋转半径外方侧扩散至基板W的下表面周边部321。因此，在基板W下表面的整个区域形成DIW液膜。此时，到达下表面周边部321的DIW，经由基板W的周端面322绕到基板W的上表面周边部323。另外，顺着基板W上表面扩散来的DIW和经由基板W的周端面322绕到的DIW，如图19所示，在基板W的上表面周边部323合流。因此，形成于基板W上表面的DIW液膜和形成于基板W下表面的DIW液膜处于彼此连接在一起的状态。
漂洗处理中对下表面喷嘴306的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从下表面喷嘴306的喷出口306A喷出的DIW的形态，呈将喷出口306A和形成于基板W下表面的DIW液膜连接起来的连续液流形状。由于如上所述那样形成于基板W上表面的DIW液膜和形成于基板W下表面的DIW液膜彼此连接在一起，所以从喷出口306A喷出的DIW除了与形成于基板W下表面的DIW液膜之外，还与形成于基板W上表面的DIW液膜也会以液体状连接在一起。另外，在下表面喷嘴306的喷嘴管内、下侧处理液供给管305内以及供水管307内，DIW处于液密状态。
在漂洗处理中，若将软X射线照射至在供水管307内存在的DIW，则在供水管307内的DIW的照射部分(与如图5所示的第一实施方式的DIW的照射部分54同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，供水管307内的DIW的照射部分，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。DIW的照射部分，经由DIW分别与形成于基板W下表面的DIW液膜及形成于基板W上表面的DIW液膜相连接。
若基板W下表面带正电荷，则在供水管307内的DIW的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自供水管307内的DIW的照射部分的电子，顺着下侧处理液供给管305、供水管307及连续液流形状的DIW向基板W上表面及下表面的DIW液膜移动。由此，使形成于基板W下表面及上表面的DIW液膜分别具有大量的电子。
因此，在同时对基板W的上下两表面进行漂洗处理的情况下，即使对旋转状态的基板W的上下表面供给DIW，也不会发生基板因与DIW接触及分离而带电的现象，所以能够防止基板在漂洗处理的过程中带电。另外，即使基板W在漂洗处理之前就带电，也能够除去该基板W所带的电荷(即，除静电)。其结果，能够防止器件因基板W带电而发生破坏。
图20是示出了本发明第十一实施方式的基板处理装置311的结构的图。
对于基板处理装置311中的与第十实施方式的基板处理装置301相同的部分，标注了与图18的情形相同的附图标记，并省略其说明。在基板处理装置311中设置有供水单元(处理液供给装置)310以替代供水单元300(参照图18)。另外，软X射线照射单元314配置在处理室3内。第十一实施方式中的这些点与第十实施方式不同。
供水单元310包括下侧处理液供给管305、下表面喷嘴306、供水管307、从供水管307的中途部分支而成的第二分支管(分支管)312以及用于向第二分支管312内存在的DIW(水的一例)照射软X射线的软X射线照射单元(X射线照射单元)319。软X射线照射单元319安装在第二分支管312。
第二分支管312从比供水管307上的水阀308更靠上游侧的部分分支而成。第二分支管312呈圆管状(圆筒状)，并由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在第二分支管312的中途部，安装有用于开闭第二分支管312的分支阀318。分支阀318与控制装置40(参照图3)相连接。在第二分支管312的比分支阀318更靠上游侧的规定部分的管壁，形成有开口(未图示)。
在第二分支管312的下游端安装有第二杯体用喷嘴313。第二杯体用喷嘴313由以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴构成，并例如以其喷出口313A(参照图21；液体阻挡构件用喷出口)朝向杯体上部19的内壁(例如，倾斜部21的下表面)的状态固定配置在旋转卡盘4的外壁。
软X射线照射单元319采用与第一实施方式的软X射线照射单元62(参照图2)相同的结构。软X射线照射单元319以堵塞第二分支管312的开口的方式安装在第二分支管312。具体而言，软X射线照射单元319的罩体的开口(相当于软X射线照射单元62的罩体26的第二开口28(参照图2))与第二分支管312的所述开口一致，而且软X射线照射单元319的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元62的罩体26的横向壁26A(参照图2))紧贴于第二分支管312的外周。软X射线照射单元319的高电压单元(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的高电压单元31(参照图2))与控制装置40(参照图3)相连接。
若分支阀318被关闭的状态下打开水阀308，则从供水管307经由下侧处理液供给管305向下表面喷嘴306供给DIW，从下表面喷嘴306的喷出口306A喷出DIW。若水阀308被关闭的状态下打开分支阀318，则从第二分支管312向第二杯体用喷嘴313供给DIW，从第二杯体用喷嘴313的喷出口313A喷出DIW。
在软X射线照射单元314内置有具有照射窗316的软X射线发生器315。所发生的软X射线，通过照射窗316向软X射线照射单元314的外部射出(放射)。来自照射窗316的软X射线的照射角(照射范围)例如为130°，从照射窗316照射的软X射线的波长例如为0.13～0.41nm。软X射线发生器315采用与软X射线照射单元309所具有的软X射线发生器25(参照图2)相同的结构，照射窗316相当于照射窗35(参照图2)。软X射线照射单元314配置在杯体上部19的上方，照射窗316与杯体上部19的倾斜部21上表面相向。
在基板处理装置311中，执行与图4所示的处理例的情形相同的处理，但在执行图4中的步骤S1即搬入基板W之前，对杯体17进行除静电处理。
就第十一实施方式而言，在对杯体17进行除静电处理的这一点上与第六实施方式的情形相同，但与第六实施方式的情形的不同点在于，在对杯体上部19不仅供给DIW，还与该DIW的供给并行地，从软X射线照射单元314照射软X射线来对杯体17进行除静电处理。
具体而言，控制装置40控制软X射线照射单元319的高电压单元，以使软X射线照射单元319的软X射线发生器(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的软X射线发生器25(参照图2))发生软X射线，并将该软X射线照射至第二分支管312的内部。另外，控制装置40一边使水阀308关闭一边使分支阀318打开。由此，在第二分支管312中流动的DIW从第二杯体用喷嘴313的喷出口313A(参照图21)喷出。
图21是示出了图20所示的供水单元310向杯体上部19的倾斜部21供给DIW的状态的图。
如图21所示，从喷出口313A喷出的DIW供给至杯体上部19的倾斜部21的下表面，顺着倾斜部21的下表面向下方流动。因此，在倾斜部21的下表面形成有DIW液膜。
此时，将对第二杯体用喷嘴313的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从第二杯体用喷嘴313的喷出口313A喷出的DIW的形态，呈将喷出口313A和倾斜部21的下表面的DIW液膜连接起来的连续液流形状。另外，在第二杯体用喷嘴313的喷嘴管内及第二分支管312内，DIW处于液密状态。
若杯体上部19带正电荷，则在第二分支管312内的DIW的照射部分和带正电荷的杯体上部19之间发生电位差，使得来自第二分支管312内的DIW的照射部分的电子，顺着连续液流形状的DIW向倾斜部21的下表面的DIW液膜移动。由此，使倾斜部21的下表面的DIW液膜具有大量的电子，所以带正电荷的杯体上部19中与DIW液膜接触的部分被除静电。
另一方面，若杯体上部19带负电荷，则来自杯体上部19的电子顺着连续液流形状的处理液向第二分支管312内的DIW的照射部分的正离子移动。因此，在带负电荷的杯体上部19中与DIW液膜接触的部分被除静电。
另外，控制装置40控制软X射线照射单元314的高电压单元，使得软X射线照射单元314的软X射线发生器315发生软X射线，并将该软X射线照射至杯体上部19的倾斜部21上表面。杯体上部19的倾斜部21为在处理中配置在基板W的周围的构件，通过照射来自软X射线照射单元314的软X射线，能够防止倾斜部21带电及实现除静电。
在对杯体上部19进行了除静电处理之后，将未处理的基板W搬入处理室3并传递给旋转卡盘4。
在旋转卡盘4保持了基板W之后，控制装置40控制旋转马达8以使旋转卡盘4开始使基板W旋转(图4中的步骤S2)。基板W的转速提升至规定的液处理速度(例如500rpm)，然后维持该液处理速度。
在漂洗处理(图4中的步骤S4～S6)中，控制装置40(参照图3)使分支阀318关闭并使水阀308打开。另外，若水阀308打开后经过了规定时间而到了软X射线照射时刻，则控制装置40控制软X射线照射单元319的高电压单元，以使软X射线照射单元319的软X射线发生器发生软X射线，并将该软X射线照射至第二分支管312的内部。由此，从下表面喷嘴306向基板W下表面的中央部喷出DIW。
与第十实施方式的情形相同地，供给至基板W下表面的中央部的DIW顺着基板W下表面向旋转半径外方侧扩散，并经由基板W的周端面322(参照图19)绕到基板W的上表面周边部。然后，顺着基板W上表面扩散来的DIW和经由基板W的周端面322绕到的DIW在基板W的上表面周边部合流，其结果，形成于基板W上表面的整个区域的DIW液膜和形成于基板W下表面的整个区域的DIW液膜处于彼此连接在一起的状态。
另外，从下表面喷嘴306的喷出口306A喷出的DIW的形态，呈将喷出口306A和形成于基板W下表面的DIW液膜连接起来的连续液流形状的形态。由于形成于基板W上表面的DIW液膜和形成于基板W下表面的DIW液膜彼此连接在一起，所以从喷出口306A喷出的DIW除了与形成于基板W下表面的DIW液膜之外，还与形成于基板W上表面的DIW液膜也会以液体状连接在一起。另外，在下表面喷嘴306的喷嘴管内、下侧处理液供给管305内、供水管307内及第二分支管312内，DIW处于液密状态。
在漂洗处理中，若将软X射线照射至在第二分支管312内存在的DIW，则在第二分支管312内的DIW的照射部分(与如图5所示的第一实施方式的DIW的照射部分54同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，第二分支管312内的DIW的照射部分，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。DIW的照射部分，经由DIW分别与形成于基板W下表面的DIW液膜及形成于基板W上表面的DIW液膜相连接。
若基板W带正电荷，则在第二分支管312内的DIW的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自第二分支管312内的DIW的照射部分的电子，顺着下侧处理液供给管305、供水管307、第二分支管312及连续液流形状的DIW向基板W上表面及下表面的DIW液膜移动。由此，使基板W上表面及下表面的DIW液膜具有大量的电子。
因此，在第十一实施方式中，除了产生与第十实施方式中所述的作用效果同等的作用效果之外，还能够产生良好地对杯体上部19进行除静电处理的作用效果。
若亲水性保护膜(相当于亲水性保护膜38(参照图2))从软X射线照射单元319的窗构件的外表面(相当于窗构件71的外表面71B(参照图2))被剥离掉，则该窗构件所含有的铍可能被处理液(例如，DIW等的水)溶解。即使在这样的情况下，由于在第二分支管312设置有软X射线照射单元319，所以这样的含有铍的DIW会供给至第二杯体用喷嘴313而不是下表面喷嘴306，由此也能够可靠地防止含有铍的DIW供给至基板W。
此外，在上述的说明中，对在搬入基板W之前由软X射线照射单元314照射软X射线的情形进行了说明，但并不仅限定于搬入基板W之前，也可以在旋转干燥(图4中的步骤S8)时由软X射线照射单元314照射软X射线。在这样的情况下，优选对基板W表面(上表面)照射软X射线，由此能够对刚刚甩干处理液之后就对基板W表面照射软X射线，从而能够更加可靠地防止基板W带电及实现除静电。
此外，就第十一实施方式的结构而言，与第十实施方式的结构相比，同时设置了包括第二杯体用喷嘴313的结构的供水单元310和软X射线照射单元314，但也可以采用在第十实施方式的结构的基础上仅设置有供水单元310及软X射线照射单元314中的一个的结构。
图22是示出了本发明第十二实施方式的基板处理装置401的结构的图。
在第十二实施方式中，对与第十实施方式相同的部分标注了与图18及图19的情形相同的附图标记，并省略其说明。基板处理装置401与第十实施方式的基板处理装置301(参照图18)的不同点在于如下两点：采用旋转卡盘(基板保持旋转单元)402来替代旋转卡盘4；经由旋转卡盘402对基板W下表面供给DIW(水的一例)。基板处理装置401具有供水单元(处理液供给装置)400。
旋转卡盘402为夹持式卡盘。具体而言，旋转卡盘402包括：旋转马达403；旋转轴(支撑构件)404，与该旋转马达403的驱动轴成为一体；圆板状的旋转底座(支撑构件)405，大致水平地安装在旋转轴404的上端；多个夹持构件406，大致等间隔地设置于旋转底座405的周边部的多处。
旋转轴404包括由树脂或钢材等形成的内轴部407、由多孔材料形成的外筒部408，在将内轴部407插入通过外筒部408的状态下成为一体。即，内轴部407的外周与外筒部408紧贴的状态被外筒部408包围。
旋转底座405由多孔材料形成。外筒部408的上端面以紧贴的状态与旋转底座405的下表面405B相连接。
夹持构件406由钢材等形成。以在基板W被多个夹持构件406夹持的状态下，基板W下表面的整个区域能够与旋转底座405的上表面接触的方式，分别对夹持构件406的规格及旋转底座405的高度方向上的厚度进行设定。
作为旋转轴404的外筒部408及旋转底座405的材料的多孔材料例如为由PVA(polyvinyl alcohol：聚乙烯醇)制成的海绵，具有多个孔洞。多孔材料的孔洞具有能够使DIW(水的一例)通过的大小(例如，0.05～100μm的直径)。因此，能够使DIW从多孔材料的孔洞通过，从而能够使DIW在外筒部408的内部及旋转底座405的内部移动。
此外，作为多孔材料的原材料，除了PVA之外，还可以列举聚氨酯树脂、氟类树脂(PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯))、PEEK(polyether-ether-ketone：聚醚醚酮)、PVC(poly-vinyl chloride：聚氯乙烯)及PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)。
供水单元400包括水喷嘴409、对水喷嘴409供给来自DIW供给源的DIW(水的一例)的供水管(处理液管)410、用于对供水管410内存在的DIW照射软X射线的软X射线照射单元(X射线照射单元)412。软X射线照射单元412安装在供水管410。
水喷嘴409具有圆管状(圆筒状)的喷嘴管，安装在供水管410的前端。水喷嘴409由以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴构成，并以其喷出口409A朝向旋转轴404的外筒部408的状态固定配置处理室3内。
供水管410呈圆管状(圆筒状)。供水管410由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在供水管410的中途部的管壁形成有开口(未图示)。
软X射线照射单元412采用与第一实施方式的软X射线照射单元62(参照图2)相同的结构。软X射线照射单元412以堵塞供水管410的开口的方式安装在供水管410。具体而言，软X射线照射单元412的罩体的开口(相当于软X射线照射单元62的罩体26的第二开口28(参照图2))与供水管410的所述开口一致，而且软X射线照射单元412的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元62的罩体26的横向壁26A(参照图2))紧贴于供水管410的外周。软X射线照射单元412的高电压单元(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的高电压单元31(参照图2))与控制装置40(参照图3)相连接。
在供水管410上安装有用于开闭供水管410的水阀411。水阀411与控制装置40(参照图3)相连接。若水阀411被打开，则从供水管410向水喷嘴409供给DIW，若水阀411被关闭，则停止向水喷嘴409供给DIW。
图23是示出了供水单元400向外筒部408供给DIW的状态的图。
在基板处理装置401中，执行与图4所示的处理例的情形相同的处理。
在漂洗处理(图4中的步骤S4～S6)中，控制装置40(参照图3)使水阀304打开。由此，从水喷嘴302的喷出口302A向基板W上表面的中央部喷出DIW。供给至基板W上表面的中央部的DIW受到因基板W旋转而产生的离心力，顺着基板W上表面从中央部向周边部扩散。由此，在基板W上表面的整个区域形成有DIW液膜。通过DIW液膜，清洗掉附着在基板W上表面的药液。
在漂洗处理(图4中的步骤S4～S6)中，控制装置40(参照图3)使水阀304打开并使水阀411打开。由此，在供水管410中流动的DIW供给至水喷嘴409。从水喷嘴409的喷出口409A朝向旋转轴404的外筒部408横向喷出DIW。
供给至外筒部408的外周面的DIW向外筒部408的内部渗透，并通过外筒部408的内部后供给至旋转底座405的下表面405B。供给至旋转底座405的下表面405B的DIW向旋转底座405的内部渗透，并通过外筒部408的内部后供给至旋转底座405的上表面405A。含浸在旋转底座405的内部的DIW从上表面405A渗出，如图23所示，在上表面405A形成DIW液膜。该DIW液膜与基板W下表面接触，使得附着在基板W下表面的药液被DIW清洗。由此，能够对基板W下表面的整个区域进行漂洗处理。
水喷嘴409的喷出口409A与外筒部408的外周面之间具有微小的间隔S1。另外，在漂洗处理中对水喷嘴61的DIW的供给流量设定为相对大的流量(例如0.5～2.0L/min)。因此，从水喷嘴409的喷出口409A喷出的DIW的形态，呈将喷出口409A和旋转轴404的外筒部408的外周面连接起来的连续液流形状。因此，从喷出口409A喷出的DIW与形成于基板W下表面的DIW液膜以液体状连接在一起。另外，在水喷嘴409的喷嘴管内及供水管410内，DIW处于液密状态。
若水阀411打开后经过了规定时间而到了软X射线照射时刻，则控制装置40控制软X射线照射单元412的高电压单元，以使软X射线照射单元412的软X射线发生器(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的软X射线发生器25(参照图2))发生软X射线，并将该软X射线照射至供水管410的内部。由此，将软X射线照射至在供水管410内流动的DIW。
在漂洗处理中，若将软X射线照射至在供水管410内流动的DIW，则在供水管410内的DIW的照射部分(与如图5所示的第一实施方式的DIW的照射部分54同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，供水管410内的DIW的照射部分，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。DIW的照射部分，经由DIW与形成于基板W下表面的DIW液膜相连接。
若基板W下表面带正电荷，则在供水管410内的DIW的照射部分和带正电荷的基板W下表面之间发生电位差，使得来自供水管410内的DIW的照射部分的电子，顺着连续液流形状的DIW向与基板W下表面相接触的DIW液膜移动。由此，使与基板W下表面相接触的DIW液膜具有大量的电子。
因此，第十二实施方式，也具有与第十实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
如上所述，在第一～第十二实施方式中，举例说明了将本发明适用于对圆形基板W进行处理的单张式基板处理装置1、201、211、221、231、251、261、301、311、401的情形，但也可以将本发明适用于对方形(片状)的基板进行处理的基板搬运型的基板处理装置。
图24是示出了本发明第十三实施方式的基板处理装置501的结构的示意性立体图。基板处理装置501，是利用水等的处理液来对作为基板W的一例的方形的液晶显示装置用玻璃基板的表面(处理对象面)进行清洗的装置。作为处理对象的方形的基板W的一边的长度，例如在几十cm～2m左右的范围内，基板厚度为0.5～1.2mm左右。
下面，将下述的沿着基板W的搬运方向的水平方向设为X方向，将与X方向垂直的水平方向设为Y方向，将上下方向设为Z方向。
基板处理装置501包括：辊轮式搬运单元504(基板保持搬运单元)，用于沿着X方向搬运基板W；供水单元(处理液供给装置)500，向由辊轮式搬运单元504搬运中的基板W表面供给作为处理液的DIW(水的一例)；风刀喷嘴519，向由辊轮式搬运单元504搬运中的基板W表面吹送作为非活性气体的一例的氮气；软X射线照射单元512，由辊轮式搬运单元504搬运中的基板W表面照射软X射线。
基板处理装置501包括：清洗处理室502，向基板W表面供给DIW来对基板W的表面实施清洗处理；液体甩干室503，用于实施液体甩干处理，该液体甩干处理是指对附着于基板W表面的DIW进行液体甩干的处理。清洗处理室502及液体甩干室503彼此相邻配置。在清洗处理室502内，供给单元500配置在辊轮式搬运单元504的上方。在液体甩干室503内，风刀喷嘴519及软X射线照射单元512在搬运方向上依次配置在辊轮式搬运单元504的上方。
辊轮式搬运单元504，横跨在清洗处理室502的内部空间和液体甩干室503的内部空间之间，并以沿着左右方向延伸的状态配置。从形成于清洗处理室502的上游侧的侧壁上的基板搬入口523搬入的基板W，由辊轮式搬运单元504进行搬运，经由形成于间隔壁521的基板通过口522搬运至液体甩干室503，其中，间隔壁521为用于划分清洗处理室502和液体甩干室503的壁。另外，由辊轮式搬运单元504搬运至液体甩干室503内后，从形成于液体甩干室503的下游侧的侧壁上的基板搬出口524搬出。
基板W以其表面朝向上方的状态装载在辊轮式搬运单元504上。通过沿着X方向搬运基板W，使基板W表面依次被水供给位置P1及非活性气体喷射位置P2扫描。由此，对基板W表面，首先供给DIW，然后经过了规定的时间之后再喷射氮气。
图25是示出了辊轮式搬运单元504的结构的立体图。
在辊轮式搬运单元504中，沿着X方向大致等间距地并排设置有搬运辊轮505。各搬运辊轮505借助驱动单元(未图示)的驱动来向同一方向同步旋转。
各搬运辊轮505在与X方向垂直的面(Y-Z面)内具有相对水平面倾斜的辊轮轴515。因此，由辊轮式搬运单元504实现的搬运路径，相对水平面整体上向Y方向倾斜。基板W以保持倾斜姿势的状态被搬运。此外，基板W相对于水平面的倾斜角度α(参照图26)例如设定为约5°。
各搬运辊轮505例如为所谓的部分支撑型搬运辊轮，包括：左右一对侧部辊516，外嵌在辊轮轴515的左右两侧部且能够与辊轮轴515一起旋转；中央辊517，设置在辊轮轴515的中央部。
侧部辊516各自在外方侧部具有与侧部辊516一体设置的凸缘部516A。凸缘部516A用于防止所搬运的基板W发生横向错位，并通过下侧的凸缘部516A来防止基板W沿着倾斜面滑落。另外，在各辊516、517上外嵌有由橡胶等构成的O形圈(未图示)，利用该O形圈的防滑作用，来更加可靠地防止基板W滑落。
如图24所示，供水单元500包括：配置在清洗处理室502内的多个(在图24中，例如为3个)水喷嘴531；用于向各水喷嘴531供给DIW的供水管(处理液管)533；分别与各供水管533的上游端相连接的集水管532。多个水喷嘴531沿着X方向例如以等间隔配置。各水喷嘴531的喷出口531A，以朝向下方的状态固定配置在与由辊轮式搬运单元504搬运的基板W的上部相向的位置。集水管532，是用于将来自DIW供给源的DIW(水的一例)向多个供水管533供给的管。在各水喷嘴531的前端部，外嵌固定有圆环状的电极56，而且通过电源57(参照图3)对电极56施加有相对于装置接地端的电压。
如图24所示，供水单元500还包括软X射线照射单元(X射线照射单元)534，该软X射线照射单元(X射线照射单元)534用于向集水管532内存在的DIW照射软X射线。软X射线照射单元534安装在集水管532。
集水管532呈圆管状(圆筒状)，例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)形成。在集水管532的中途部，安装有用于开闭集水管532的集水阀535。在集水管532上的比集水阀535更靠下游侧的规定部分的管壁上形成有开口(未图示)。
如图24所示，软X射线照射单元534采用与第一实施方式的软X射线照射单元62(参照图2)相同的结构。软X射线照射单元534以堵塞集水管532的开口的方式安装于集水管532。具体而言，软X射线照射单元534的罩体的开口(相当于软X射线照射单元62的罩体26的第二开口28(参照图2))与集水管532的所述开口一致，而且软X射线照射单元534的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元62的罩体26的横向壁26A(参照图2))紧贴于集水管532的外周。软X射线照射单元534的高电压单元(相当于第一实施方式的软X射线照射单元62的高电压单元31(参照图2))与控制装置40(参照图3)相连接。若集水阀535打开，则从集水管532向各个供水管533供给DIW，从各水喷嘴531的喷出口531A喷出DIW。
如图24所示，风刀喷嘴519，是一种为了吹飞掉附着在基板W上表面的DIW，向由辊轮式搬运单元504搬运中的基板W上表面喷射作为非活性气体的一例的氮气的喷嘴。作为非活性气体的其他例子，还可以举例CDA(低湿度的清洗空气)。在风刀喷嘴519的前端具有在Y方向上长的狭缝喷射口519A，能够将氮气供给至由辊轮式搬运单元504搬运中的基板W的Y方向的整个宽度范围内。风刀喷嘴519固定配置在液体甩干室503内，而且狭缝喷射口519A与基板W上表面相向且相隔开微小间隔。
来自氮气供给源的氮气经由非活性气体阀511供给至风刀喷嘴519。风刀喷嘴519以在Y方向延伸的带状喷射氮气。
将来自风刀喷嘴519的狭缝喷射口519A的非活性气体向基板W上表面吹送的吹送方向，相对于铅垂方向向与基板W的搬运方向相反的方向(图24中的左侧)倾斜。其倾斜角度θ(参照图27)例如在20°～70°的范围内。
如图24所示，在软X射线照射单元512内置有具有照射窗514的软X射线发生器513。所发生的软X射线，通过照射窗514向软X射线照射单元512的外部射出(放射)。来自照射窗514的软X射线的照射角(照射范围)例如为130°，从照射窗514照射的软X射线的波长例如为0.13～0.41nm。软X射线发生器513采用与软X射线照射单元534所具有的的软X射线发生器25(参照图2)相同的结构，照射窗514照射窗514相当于照射窗35(参照图2)。软X射线照射单元512配置在由辊轮式搬运单元504搬运的基板W的上方且比风刀喷嘴519更靠下游侧的位置。具体而言，软X射线照射单元512配置为照射窗514与非活性气体喷射位置P2相向。
图26是示出了供水单元500对基板W供给DIW的状态的剖视图。图27是示出了软X射线照射单元512向基板W上表面照射软X射线的状态的剖视图。
如图26及图27所示，从各喷出口531A喷出的DIW供给至基板W上表面的水供给位置P1，在基板W上表面顺着倾斜面流动。由此，基板W上表面形成有DIW液膜。另外，对各水喷嘴531的DIW的供给流量设定为相对大的流量(根据玻璃基板的大小及清洗程度，例如为1～几十L/min)。因此，从各喷出口531A喷出的DIW，呈将水喷嘴531的喷出口531A和基板W上表面的DIW液膜的两者连接在一起的连续液流的形态。另外，在水喷嘴531的喷嘴管内、集水管532内及供水管533内，DIW处于液密状态。
在一系列的处理中，向集水管532的内部照射来自软X射线照射单元534的软X射线。若向集水管532内存在的DIW照射软X射线，则在集水管532内的DIW的照射部分(与如图5所示的第一实施方式的DIW的照射部分54同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，集水管532内的DIW的照射部分，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。DIW的照射部分经由DIW与形成于基板W上表面的DIW液膜相连接。
若基板W带正电荷，则在集水管532内的DIW的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自集水管532内的DIW的照射部分的电子，顺着连续液流形状的DIW向基板W上表面的DIW液膜移动。由此，使基板W上表面的DIW液膜具有大量的电子。
由此，通过利用DIW的处理，能够防止基板W带电。另外，即使基板W在清洗处理之前就带电，也能够除去该基板W所带的电荷(即，除静电)。其结果，能够防止器件因基板W带电而发生破坏。
另外，在非活性气体喷射位置P2，将来自风刀喷嘴519的狭缝喷射口519A的氮气吹送至形成于基板W上表面的DIW液膜(经由DIW的连续液流与喷出口531A连接在一起的液膜)。另外，在非活性气体喷射位置P2，将由软X射线照射单元512的软X射线发生器513发生的软X射线照射至基板W上表面。
通过吹送氮气，能够从基板W上表面吹飞DIW，从而能够除去附着在基板W上表面的DIW。另外，在非活性气体喷射位置P2，照射软X射线。由于将软X射线照射至基板W上表面中刚刚甩干(吹飞)DIW之后的部分，所以更加可靠地防止基板W带电及实现除静电。
在第十三实施方式中，举例说明了在清洗处理室502内利用水(例如DIW)来对基板W进行处理的情形，但也可以在清洗处理室502内通过利用药液及水的处理来对基板W进行处理。在这样的情况下，如在图24中以双点划线所示出那样，药液喷嘴506配置在比供水单元500更靠上游侧的位置。来自药液供给源的药液经由药液阀508供给至药液喷嘴506。即，药液供给位置P0设定在比水供给位置P1更靠上游侧的位置。
在第十三实施方式中，举例说明了以倾斜姿势搬运基板W的辊轮式搬运单元504，但辊轮式搬运单元504也可以采用以将基板W保持为水平姿势的状态下进行搬运的形式。
另外，针对第十三实施方式的基板处理装置501，举例说明了对基板W上表面(上侧的主面)进行清洗的形式，但也能够将本发明适用于对基板的两个面进行清洗处理的形式的基板处理装置中。在这样的情况下，在清洗处理室502及液体甩干室503中的辊轮式搬运单元504的下方侧，也分别配置供水单元500及风刀喷嘴519，并在水供给位置P1，由下方侧的供水单元500向基板W下表面供给DIW，而且在非活性气体喷射位置P2，由下方侧的风刀喷嘴519对基板W下表面喷射氮气。
在第一～第十三实施方式中，举例说明了装载在将基板W作为处理对象物的基板处理装置1、201、211、221、231、251、261、301、311、401、501上的处理液供给单元100、200、220、230、250、260、300、310、400、500，但本发明也可以适用于将基板W以外的物品为处理对象物并利用清洗液(处理液)来对处理对象物进行清洗的容器清洗装置601。
图28是示出了本发明第十四实施方式的物品清洗装置601的结构的图。图29是示出了基板容器602的结构的立体图。
如图29所示，基板容器602是用于以密闭状态收容基板W的容器。作为基板容器602的一例，可以举例FOSB(Front Opening Shipping Box：前开式运输盒)。FOSB专门用于半导体晶片厂商将基板W供货给半导体器件厂商的过程中。FOSB用于收容未处理的多张基板W，既能维持这些基板W的清洁度，又能防止基板W受到损伤。
如图28所示，物品清洗装置601包括：装载台607，用于装载基板容器602的容器本体603；供水单元(处理液供给装置)600，用于对基板容器602供给作为清洗液的一例的DIW。供水单元600采用与第一实施方式的供水单元100(参照图1)相同的结构。因此，在图28中标注了相同的附图标记，并省略其说明。供水单元600的水喷嘴61配置在装在于装载台607的容器本体603的上方，而且其喷出口53朝向下方。
基板容器602包括：容器本体603，侧方具有开口603A且呈有底箱状；盖604，用于开闭容器本体603的开口603A的(在图28中示出了盖604被关闭的状态)；多层容器支撑架606，安装在容器本体603的内壁上；多层盖支撑架605，安装在盖604上。经由开口603A，对于容器本体603的内部进行基板W的搬入搬出。容器本体603及盖604分别例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)等树脂材料形成。容器本体603具有大致立方体形状的外廓形状，如图28所示，开口侧的口径也可以比底部侧口径稍微大。在这样的情况下，容器本体603的上表面呈倾斜面。
在清洗处理中，供水单元600对基板容器602的容器本体603的外壁供给DIW。具体而言，打开水阀14，将在供水管13中流动的DIW供给至水喷嘴61。由此，从水喷嘴61的喷出口53朝向容器本体603的外壁的上表面向下喷出DIW。另外，控制装置40使软X射线发生器25(参照图2)发生软X射线，并将该软X射线照射至水喷嘴61的第一喷嘴管51的内部。由此，向在第一喷嘴管51内流动的DIW照射软X射线。
供给至容器本体603的外壁的上方的侧面的DIW，顺着形成倾斜面的该上方的侧面及底面流下。由此，在容器本体603的外壁上形成DIW液膜。通过该液膜，清洗掉附着于容器本体603的外壁上的污染、异物等。
在清洗处理中，若向在第一喷嘴管51内存在的DIW照射软X射线，则在第一喷嘴管51内的DIW的照射部分54(参照图5)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，DIW的照射部分54处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在清洗处理中对水喷嘴61的DIW的供给流量设定为相对大的流量(根据基板容器602的大小等，例如设定为1～10L/min)。因此，从水喷嘴61的喷出口53喷出的DIW的形态，呈将喷出口53和容器本体603的外壁的两则连接起来的连续液流形状。因此，在容器本体603的外壁形成有DIW液膜。由于形成该液膜，所以形成于容器本体603的外壁的液膜63经由DIW与DIW的照射部分54相连接。另外，在水喷嘴61的喷嘴管内，DIW处于液密状态。
若容器本体603的外壁带正电荷，则在DIW的照射部分54和带正电荷的容器本体603的外壁之间发生电位差，使得来自DIW的照射部分54的电子，顺着连续液流形状的DIW向与容器本体603的外壁相接触的DIW液膜移动。由此，使与容器本体603的外壁相接触的DIW液膜具有大量的电子。
此时，DIW液膜63经由DIW与DIW的照射部分54相连接。
因此，根据第十四实施方式，能够防止清洗处理中的容器本体603带电。另外，即使是容器本体603在清洗处理之前就带电，也能够除去该容器本体603所带的电荷(即，除静电)。
此外，在第十四实施方式中，举例说明了对容器本体603进行清洗的情形，但在对盖604、支撑架605、606进行清洗的情况下，也能够采用相同的清洗方法，既能够对盖604、支撑架605、606进行除静电处理，又能够对盖604、支撑架605、606实施清洗处理。
另外，作为基板容器602，举例说明了FOSB，但也可以举例在半导体晶片厂商的工厂内部专门用来搬运基板W且能够以密闭状态收容基板W的FOUP(Front Opening UnifiedPod：前开式标准箱)。还有，作为基板容器602，也可以举例FOUP(Front Opening UnifiedPod：前开式标准箱)、SMIF(Standard Mechanical Interface：标准机械界面)容器、OC(Open Cassette：开放式盒子)等其他形态的基板容器。
另外，容器并不仅限定于用于收容基板W的容器，作为容器，也可以将用于收容CD、DVD、蓝光盘等圆盘状的存储介质的存储介质容器、用于收容镜片、反射镜、衍射光栅等光学器件的器件容器作为处理对象物。
接下来，通过由内置有软X射线照射单元的供水单元供给DIW(水的一例)来进行了除静电试验，该除静电试验，用于确认能否对硅晶片、玻璃基板、容器等处理对象物实现除静电。下面，对该除静电试验的内容及结果进行说明。
图30是用于说明在除静电试验中使用的试验装置651的图。
试验装置651包括：有底状的容器652，由树脂制成；带电体保持台653，用于在容器652内保持带电体E；供水单元654，用于对由带电体保持台653保持的带电体E供给处理液；带电板检测仪655，一边使由带电体保持台653保持的带电体E带电，一边计测该带电体E的带电量；记录仪656，用于记录带电板检测仪655所计测的带电量。带电板检测仪655具有与带电体E向导通的金属板671。作为带电板检测仪655的一例，可以举例美国离子系统公司(Ion Systems Inc)制造的CPM210，另外，作为记录仪656的一例，可以举例日置电机株式会社制造的HIOKI8841。
供水单元654包括水喷嘴661、用于向在水喷嘴661内流动的DIW(水的一例)照射软X射线的软X射线照射单元662、对水喷嘴661供给来自DIW水箱670的DIW的供水管663。软X射线照射单元662安装在供水管663。供水管663上安装有用于开闭供水管663及调节供水管663的开度的阀664。
水喷嘴661包括：电离腔665；流入口部666，具有用于使DIW流入电离腔665的入口666A；流出口部667，具有在电离腔665内流动的DIW的出口667A。电离腔665形成为矩形扁平状，将电离腔665的内部空间设定为，流动方向上的长度约100mm×流动方向上的宽度约5mm×流动方向上的进深约60mm的矩形空间。
软X射线照射单元662采用与第一实施方式的软X射线照射单元62相同的结构。软X射线照射单元662具有相当于第一实施方式的软X射线发生器25(参照图2)的软X射线发生器。作为该软X射线发生器，可以举例软X射线除静电仪(L9490；滨松光子学株式会社制造)。在软X射线照射单元662的相当于第二开口28(参照图2)的圆形开口的直径例如为17mm。
在该除静电试验中，作为计测对象的带电体E采用方形的金属板(130mm×93mm×厚度1mm)。带电体保持台653以倾斜姿势保持带电体E，使得带电体E相对于水平面倾斜规定角度。在带电体E被带电体保持台653保持的状态下，带电体E和容器652借助带电体保持台653所具有的由PTFE(polytetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)制成的支撑块668彼此绝缘。带电体E的上端部和出口667A之间的间隔例如为55mm。
在该试验装置651中，按照如下的步骤进行实验。
第一工序：对阀664进行调节，以使DIW(在这样的情况下，导电率为1μS/cm以下)从水喷嘴661的出口667A以液滴状(非连续液流形状)滴下。液滴状是指，液滴和下一个液滴没有连接在一起的状态。
第二工序：通过带电板检测仪655的金属板671使带电体E带电，接通/断开软X射线照射单元662的软X射线发生器，此时，使用带电板检测仪655和记录仪656，对带电体E的电位从+/-4.5kV→+/-3.5kV为止衰减的时间(除静电时间)进行计测。
第三工序：接着，对阀664进行调节，以使DIW从水喷嘴661的出口667A以规定流量(0.77L/min或0.08L/min)且以连续液流形状(以液柱状流动的状态)流下。此时，通过改变水喷嘴661的高度，分别对从水喷嘴661的出口667A到带电体E的上端的距离为55mm、1000mm及3000mm的情况进行计测。在距离为1000mm及3000mm的情况下，将以线圈状卷绕而成的φ6×4mm的氯乙烯管安装在水喷嘴661的前端。
第四工序：通过带电板检测仪655的金属板671使容器652内的带电体E带电，接通/断开软X射线发生器，此时，使用带电板检测仪655和记录仪656，对带电体E的电位从+/-1kV→+/-0.1kV为止衰减的时间(除静电时间)进行计测。该实验结果如表1～表3所示。
表1
使DIW以液滴状滴下的情况的实验结果如表1所示。如表1所示，不管软X射线发生器接通还是断开，带电体E的电位从+/-4.5kV→+/-3.0kV为止衰减的时间(除静电时间)大致恒定。如表1所示的实验结果可知，在使DIW以液滴状滴下的情况下，带电体E几乎没有被除静电。
表2
使DIW以连续液流形状流下的情况的实验结果如表2所示。如表2所示，在DIW的流量为0.774L/min时及0.08L/min时，接通软X射线发生器都能够使带电体E的电位从+/-1kV→+/-0.1kV为止衰减的时间(除静电时间)变短。在这种情况下的除静电时间为1秒多。从如表2所示的实验结果可知，在使DIW以连续液流形状流下的情况下，能够使除静电性能提高。
表3
使DIW以连续液流形状流下且改变从水喷嘴661的出口到带电体E的距离的情况的实验结果如表3所示。如表3所示，随着从水喷嘴661的出口到带电体E的距离变长，虽带电体E的电位从+/-1kV→+/-0.1kV为止衰减的时间(除静电时间)稍微变长，但即使在该距离为3000mm的情况下，也能够在1～2秒钟内除静电。由此可知，从水喷嘴661的出口到带电体E的距离对除静电性能的影响并不大。
从这些实验结果，可推断出通过由内置有软X射线照射单元的供水单元供给DIW来对处理对象物进行除静电处理的除静电原理如下：从因照射软X射线而激发的水分子放出电子，由此使该照射部分处于被软X射线激发的水分子的正离子和电子混合在一起的等离子状态。
若处理对象物带正电荷，则在DIW的照射部分和带电的处理对象物之间发生电位差，使得来自DIW的照射部分的电子向带正电荷的处理对象物移动，使得带正电荷的处理对象物被除静电。另外，若处理对象物带负电荷，则电子从带电的处理对象物向DIW的照射部分的正离子移动，使得带负电荷的处理对象物被除静电。
图31是示出了本发明第十五实施方式的基板处理装置701的结构的图。
基板处理装置701，是用于对作为基板W的一例的圆形半导体晶片(硅晶片)的表面(处理对象面)实施利用处理液(药液及水)的处理的单张式的装置。该实施方式中，为了在药液处理后对基板W进行漂洗而使用水。在处理对象的基板W表面，例如形成有氧化膜等。
基板处理装置701在由间隔壁702划分的处理室703内具有：旋转卡盘(基板保持单元)704，以水平姿势保持基板W并使其旋转；水喷嘴(水供给单元)705，用于将作为水的一例的DIW(脱离子水；纯水)喷出至被旋转卡盘704保持的基板W表面(上表面)；软X射线照射头部(X射线照射单元)706，用于向被旋转卡盘704保持的基板W表面照射软X射线；药液喷嘴7，用于向被旋转卡盘704保持的基板W表面喷出药液。
旋转卡盘704例如采用夹持式旋转卡盘。具体而言，旋转卡盘704包括旋转马达708、与该旋转马达708的驱动轴成为一体的旋转轴709、大致水平地安装在旋转轴709的上端的圆板状的旋转底座710、大致等间隔地安装在旋转底座710的周边部的多处的多个夹持构件711。由此，旋转卡盘704在由多个夹持构件711对基板W进行夹持的状态下，借助旋转马达708的旋转驱动力来使旋转底座710旋转，从而能够使该基板W保持大致水平的姿势的状态下，与旋转底座710一起绕着旋转轴线C旋转。
此外，旋转卡盘704并不仅限定于夹持式旋转卡盘，例如也可以采用真空吸附式旋转卡盘(真空卡盘)，该真空吸附式旋转卡盘通过对基板W的背面进行真空吸附，来将基板W保持为水平姿势，进而在该状态下绕着铅垂的旋转轴线C旋转，从而能够使所保持的该基板W旋转。
水喷嘴705是例如以连续液流的状态喷出DIW的直线型喷嘴，以使其喷出口朝向基板W的旋转中心附近的方式固定配置在旋转卡盘704的上方。水喷嘴705与水供给管713相连接，来自DIW供给源的DIW供给至该水供给管713。在水供给管713的中途部，设置有用于切换来自水喷嘴705的DIW的供给/停止供给的水阀(水供给单元)714。
药液喷嘴707是例如以连续液流的状态喷出药液的直线型喷嘴，以其喷出口朝向基板W的旋转中心附近的方式固定配置在旋转卡盘704的上方。药液喷嘴707与药液供给管715相连接，来自药液供给源的药液供给至该药液供给管715。在药液供给管715的中途部，安装有用于切换来自药液喷嘴707的药液的供给/停止供给的药液阀716。
另外，药液喷嘴707无需相对于旋转卡盘704固定配置，而例如也可以采用所谓的扫描喷嘴的形态，在该所谓的扫描喷嘴的形态中，药液喷嘴707在旋转卡盘704的上方安装于可在水平面内摇动的臂上，通过该臂的摇动来使药液在基板W表面上的着落位置得以扫描。
在旋转卡盘704的侧方，配置有沿着铅垂方向延伸的支撑轴717。支撑轴717的上端部与沿着水平方向延伸的臂718相结合，并在臂718的前端安装有软X射线照射头部706。另外，支撑轴717与摇动驱动机构(移动单元)719及升降驱动机构(移动单元)720相结合，该摇动驱动机构(移动单元)719用于使支撑轴717绕着轴转动，该升降驱动机构(移动单元)720用于使支撑轴717沿着该轴的方向上下移动。
通过由摇动驱动机构719向支撑轴717输入驱动力，来使支撑轴717在规定的角度范围内转动，从而使臂718在被旋转卡盘704保持的基板W的上方以支撑轴717为支点进行摇动。通过使臂718摇动，能够使软X射线照射头部706在包括基板W的旋转轴线C的上方的位置(与基板W的旋转中心相向的位置)和设定于旋转卡盘704的侧方的初始位置之间移动。另外，通过由升降驱动机构720向支撑轴717输入驱动力，来使支撑轴717升降，从而使软X射线照射头部706在接近位置(在图31中以双点划线示出的位置)和退避位置(在图31中以实线示出的位置)之间升降，该接近位置为与被旋转卡盘704保持的基板W的表面接近的位置，该退避位置为向该基板W的上方退避的位置。在该实施方式中，将接近位置设定为：被旋转卡盘704保持的基板W表面和软X射线照射头部706的下表面(下壁726A的下表面)之间的间隔为在1～30mm的范围内的规定间隔(例如10mm左右)的位置。
在间隔壁702的侧壁(多个侧壁中的一个)，形成有对于处理室703内部进行基板W的搬入搬出的开口721。在搬入搬出基板W时，位于处理室703外部且与开口721相向的搬运机械手(未图示)，使手部经由开口721进入处理室703内部。由此，能够在旋转卡盘704上装载未处理的基板W，或从旋转卡盘704上取出经过处理的基板W。开口721被闸门722开闭。与闸门722相结合的闸门升降机构(未图示)，使该闸门722在覆盖开口721的关闭位置(在图31中以实线示出)和开放开口721的打开位置(在图31中以双点划线示出)之间升降。
图32是软X射线照射头部706的示意性剖视图。
软X射线照射头部706包括：X射线发生器725；例如由聚氯乙烯(PVC)制成的罩体726，以包围的方式覆盖X射线发生器725的周围；气体喷嘴(气体供给单元)727，用于向罩体726的内部供给气体。罩体726呈纵长的矩形箱状，以与X射线发生器725相隔开的方式包围X射线发生器725的周围，在水平板状的下壁726A上的与X射线发生器725的如下所述的照射窗735相向的部分，例如形成有圆形开口728。
X射线发生器725射出(放射)用于使基板W上的DIW电离的软X射线。X射线发生器725包括：壳体729；上下方向上长的X射线管730，用于发生X射线；高电压单元731，用于对X射线管730供给高电压。壳体729呈纵长的矩形筒状，用于在其内部收容X射线管730及高电压单元731，由具有导电性及热传导性的材料(例如铝等的金属材料)形成。
高电压单元731对X射线管730输入例如-9.5kV的高电位的驱动电压。来自电源(未图示)的电压经由供电线743供给至高电压单元731，该供电线743通过形成在罩体726上的贯通孔742引出至罩体726外部。
X射线管730由玻璃或金属制的圆筒形状的真空管构成，管方向与铅垂方向一致。X射线管730的下端部(开口端部)开口以形成圆形开口741。X射线管730的上端部被封闭且成为管座732。作为阴极的灯丝733和作为阳极的靶体736相向地配置在X射线管730内。X射线管730收容有灯丝733及聚焦部734。具体而言，作为负极的灯丝733配置在管座732。灯丝733与高电压单元731相电连接。灯丝733被圆筒状的聚焦部734包围。
X射线管730的开口端部被呈铅垂姿势的板状的照射窗735堵塞。照射窗735例如呈圆板状，通过银焊来固定在X射线管730的开口端部的壁面上。照射窗735的材料采用原子量小的物质，使得透过力弱的软X射线容易透过，本实施方式中采用铍(Be)。照射窗735的厚度例如设定为0.3mm左右。
在照射窗735的内表面735A，通过蒸镀形成有金属制的靶体736。靶体736采用钨(W)、钽(Ta)等原子量大且熔点高的金属。
通过将来自高电压单元731的驱动电压施加于作为阴极的灯丝733，使灯丝733放出电子。从灯丝733放出的电子，在聚焦部734聚束形成电子束后冲击靶体736，从而发生软X射线。所发生的软X射线从照射窗735向下方射出(放射)。来自照射窗735的软X射线的照射角(照射范围)为如图37所示的广角(例如130°)。从照射窗735照射至软X射线照射头部706外部的软X射线的波长，例如为0.13～0.41nm。
照射窗735是用于发生软X射线的发生源。因此，若因在外表面735B上附着水滴等而该照射窗735发雾，则可能会阻碍来自照射窗735的软X射线的照射，这可能会成为问题。
照射窗735的外表面735B的整个区域被具有疏水性的聚酰亚胺树脂保护膜738覆盖。利用保护膜738覆盖照射窗735的外表面735B，是为了保护抗酸特性差的由铍制成的照射窗735免受水等处理液中含有的酸的影响。聚酰亚胺树脂保护膜738含有聚酰胺酸(polyamic acid)类型的聚酰亚胺树脂。聚酰亚胺树脂保护膜738的膜厚为50μm以下，更优选为10μm左右。由于保护膜738具有疏水性，所以能够由照射窗735的外表面735B隔离水分。由此，能够抑制或防止照射窗735发雾。另外，由于聚酰亚胺树脂保护膜738具有优异的化学稳定性，所以能够长期持续地保护照射窗735的外表面735B。
但是，利用罩体726覆盖X射线发生器725的周围，是为了保护X射线发生器725受到水分的影响。由于如上所述那样X射线发生器725具有高电压单元731，所以若X射线发生器725的周围的空气含有大量的水分，则可能会使高电压在发生软X射线时发生漏电。因此，为了抑制水分侵入X射线发生器725，利用罩体726覆盖X射线发生器725的周围。
气体喷嘴727的喷出口在罩体726的上壁上开口而成。来自气体供给源(未图示)的气体经由气阀(气体供给单元)737供给至气体喷嘴727。还有，比常温(例如25℃)高(例如60℃)的气体供给至气体喷嘴727，所以气体喷嘴727喷出高温(例如60℃)的气体。作为从气体喷嘴727喷出的气体，可以举例CDA(低湿度的清洗空气)、氮气等的非活性气体。从气体喷嘴727喷出的气体供给至罩体726的内部。
如上所述那样、在罩体726的下壁726A，形成有用于使来自照射窗735的软X射线透过的开口728。因此，在向罩体726的内部供给气体时，也即在罩体726和X射线发生器725的外壁之间的空间，形成朝向开口728的气流。因此，能够抑制或防止罩体726外部的空气经由开口728进入罩体726内，从而能够更加可靠地抑制水分进入X射线发生器725的周围的空气中。
另外，如上所述那样，在照射窗735的外表面735Bに形成有疏水性的保护膜738。因此，在照射窗735前表面上，水分变成微细的水滴而不是析出成膜状。附着在照射窗735的外表面735B的该水滴，以大的接触角与外表面735B向接触，所以该水滴处于在外表面735B上容易移动的状态。供给至罩体726内的气体，经由X射线发生器725和罩体726之间的空间739达到照射窗735的外表面。附着在照射窗735的外表面735B上的水滴，受到形成于空间739内气流的影响而移动。由此，能够良好地从照射窗735的外表面735B除去水滴，从而能够可靠地防止照射窗735发雾。还有，由于供给至罩体726内的气体为高温气体，所以也可以通过蒸发来除去附着在照射窗735的外表面735B上的水滴，由此能够更加可靠地防止照射窗735发雾。
在罩体726的下壁726A上的开口728周围附近，配置有片状的加热器(发热构件)744。加热器744是通过将电阻体印刷成片状而成的。通过对加热器744通电来使加热器744升温以加热其周围的构件，从而对照射窗735进行加热。因此，能够通过蒸发来除去附着在照射窗735的外表面735B上的水滴，从而能够更加可靠地防止照射窗735发雾。
图33是示出了软X射线照射头部706的配置位置的俯视图。
通过控制摇动驱动机构719，能够使软X射线照射头部706，在被旋转卡盘704保持的基板W表面上以描画与基板W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹的方式移动。在由软X射线照射头部706向基板W表面照射软X射线的情况下，软X射线照射头部706配置在接近位置。而且，在照射软X射线的过程中，始终配置在该接近位置。在图33中以实线示出的软X射线照射头部706的配置位置是中央接近位置，是将基板W表面的旋转中心(旋转轴线C上方)包含在利用软X射线照射头部706的照射窗735的照射区域内的接近位置。在图33中以双点划线示出的软X射线照射头部706的配置位置是边缘(edge)接近位置，是将基板W表面的周边包含在利用软X射线照射头部706的照射窗735的照射区域内的接近位置。
图34是示出了基板处理装置701的电气结构的方框图。基板处理装置701还包括控制装置(控制单元)740，该控制装置(控制单元)740具有包括微型计算机的结构。控制装置740连接有作为控制对象的旋转马达708、高电压单元731、摇动驱动机构719、升降驱动机构720、药液阀716、水阀714、气阀737、加热器744等。
此外，为了保持照射窗735没有发雾的状态，在对基板处理装置701投入电源期间，使气阀737常开，并对加热器744进行驱动。加热器744加热升温至例如100℃左右。
图35是示出了基板处理装置701中执行的基板W的处理例的工序图。在该处理例中，在执行药液处理后，再执行漂洗处理。在该漂洗处理中，向基板W表面照射来自软X射线照射头部706的软X射线。参照图31、图33、图34及图35，对基板处理装置701に中对基板W执行的处理进行说明。
在基板W的处理中，使闸门722从关闭状态变为打开状态。由此，开口721被开放。然后，利用搬运机械手(未图示)将未处理的基板W经由开口721搬入处理室703内(步骤S701)，并以其表面朝向上方的状态传递给旋转卡盘704。此时，软X射线照射头部706配置在初始位置，以免妨碍基板W的搬入。在搬运机械手的手部退避至处理室703外部之后，闸门722变为关闭状态。
在将基板W保持在旋转卡盘704上之后，控制装置740控制旋转马达708来使被旋转卡盘704保持的基板W开始旋转(步骤S702)。将基板W的转速提升至规定的液处理速度(例如500rpm)，然后维持该液处理速度。
若基板W的转速到达液处理速度，则控制装置740使药液阀716打开，从药液喷嘴707向基板W表面的旋转中心喷出药液(S703：药液供给)。供给至基板W表面的药液受到因基板W旋转而产生的离心力，向基板W的周边流动(向基板W的整个区域扩散)。由此，对基板W表面的整个区域进行使用药液的处理。
若从开始供给药液起经过了规定的药液处理时间，则控制装置740使药液阀716关闭，停止从药液喷嘴707供给药液。
另外，控制装置740使水阀714打开，从水喷嘴705向处于旋转状态的基板W表面的旋转中心喷出DIW(步骤S704)。另外，控制装置740控制摇动驱动机构719，使软X射线照射头部706从设定于旋转卡盘704的侧方的初始位置移动至旋转卡盘704的上方，然后控制升降驱动机构720，使软X射线照射头部706配置在接近于基板W表面的接近位置。另外，控制装置740控制高电压单元731，使软X射线照射头部706的X射线发生器725发生软X射线，并从照射窗735朝向下方照射该软X射线(步骤S704)。
供给至基板W表面的DIW受到因基板W旋转而产生的离心力，向基板W的周边流动(向基板W的整个区域扩散)。由此，利用DIW来清洗掉附着在基板W表面上的药液(漂洗处理)。
图36是用于说明漂洗处理的示意图。
如图35及图36所示，与对基板W的DIW的供给并行地，由软X射线照射头部706持续地照射软X射线。另外，软X射线照射头部706在中央接近位置和边缘接近位置之间往复移动。换言之，将来自软X射线照射头部706的软X射线导入基板W表面上的照射位置，在从基板W的旋转中心到基板W的周边部的范围内，以描画与基板W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹的方式往复移动。由此，能够对基板W表面的整个区域照射软X射线。
图37是示出了漂洗处理中的基板W表面附近的状态的示意图。
在漂洗处理中，如上所述那样，一边对基板W表面供给DIW，一边对该基板W表面照射软X射线。此时，软X射线照射至在基板W表面上向周边流动的DIW。具体而言，通过在基板W表面上流动的DIW，在基板W表面上形成与该表面接触的DIW液膜，软X射线照射至该液膜的表面部分(在图37中以阴影示出的部分)。由于照射软X射线，所以在DIW液膜中被照射软X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。另外，即使在向旋转状态的基板W供给DIW以使基板W因与DIW接触和分离而带正电荷的情况下，因照射软X射线而从DIW中发生的电子，被在基板W发生的负电荷吸引而移动，从而中和掉该电荷。由此，能够抑制基板W带电。
如图31、图34及图35所示，若从开始供给DIW起经过了规定的漂洗时间，则控制装置740使水阀714关闭来停止供给DIW(步骤S705)。由此，结束漂洗处理。
在从停止供给DIW起经过了规定的时间之后，控制装置740控制高电压单元731，停止从软X射线照射头部706的照射窗735照射软X射线(步骤S706)。另外，控制装置740控制摇动驱动机构719及升降驱动机构720，使软X射线照射头部706返回至初始位置。此外，直到开始如下所述的旋转干燥之前为止，由软X射线照射头部706向基板W表面照射X射线。
若到了规定的旋转干燥开始时刻，控制装置740控制旋转马达708来将基板W的转速提升至旋转干燥转速(例如2500rpm)。由此，借助离心力甩掉附着在漂洗处理后的基板W表面上的DIW，由此对基板W进行干燥(S707：旋转干燥)。
若旋转干燥进行了规定的干燥时间，则旋转卡盘704停止旋转。然后，使闸门722从关闭状态变为打开状态，来使开口721开放。另外，利用搬运机械手(未图示)经由开口721搬出经过处理的基板W(步骤S708)。
由此，在该实施方式中，软X射线照射至形成于基板W表面的DIW液膜。在DIW液膜中照射软X射线的部分，因水分子被激发而从该水分子放出电子，其结果，处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。由此，即使基板W因与DIW的接触和分离而发生了正电荷的情况下，因照射软X射线而从DIW中发生的电子，经由DIW液膜被在基板W发生的负电荷吸引而移动，从而中和掉该电荷。由此，能够抑制基板W带电。另外，即使基板W在漂洗处理前就带电，也能够通过与基板W表面相接触的DIW液膜，来对带电的该基板W实现除静电。其结果，能够防止因基板W带电而发生的器件破坏。
接下来，为了确认通过从X射线照射头部照射软X射线，能否对硅晶片或玻璃基板等基板实现除静电，而进行了除静电试验及电离试验的2个试验。下面，对该试验的内容及结果进行说明。
图38是用于说明在这些试验中使用的试验装置902的剖视图。
试验装置902包括：水槽903，呈矩形箱状，用于储存DIW；X射线照射头部904，从上方安装在水槽903，用于对储存于水槽903中的DIW照射软X射线。
水槽903形成为宽度100mm、进深100mm、高度100mm。水槽903的底壁、4个侧壁及上壁分别由厚度为5mm的聚氯乙烯板构成。X射线照射头部904是具有与图32等所示的X射线发生器725相同的结构的软X射线除静电仪(滨松光子学株式会社制)，以其照射窗735朝向下方的方式配置。在水槽903的上壁形成有开口905，包括照射窗735在内的软X射线照射头部904的下端部从该开口905进入水槽内。在将软X射线照射头部904安装在水槽903上的状态下，软X射线照射头部904的照射窗的下表面位于水槽903的上壁下表面的下方5mm处。在水槽903的上壁上的开口905的侧端边和软X射线照射头部904的下端部之间的间隙，嵌入有由硅橡胶制成的密封件906，由此将软X射线照射头部904固定于水槽903的上壁。
在该试验中，作为计测对象，采用由不锈钢制成的方形(80cm×80cm)的网状物(mesh)911、912(具有格子状且整体上呈板状)，以替代硅晶片或玻璃基板等基板。在水槽903内，分别以水平姿势安装有2张网状物911、912，这些2张网状物911、912在上下方向上隔开间隔。上网状物911和软X射线照射头部904的照射窗735的外表面735B之间的间隔，例如为10mm。下网状物912和软X射线照射头部904的照射窗735的外表面735B之间的间隔，例如为25mm。
在水槽903的侧壁，安装有排水用管接头907及注水用管接头908。各管接头907、908分别贯通水槽903的侧壁的内外。排水用管接头907配置在与水槽903的上壁的下表面相距20mm的位置(即，上网状物911的下方5mm处且下网状物912的上方10mm处的位置)。注水用管接头908配置在下网状物912的下方且与下网状物912相隔开大间隔。在注水用管接头908上连接有注水用管(未图示)，在排水用管接头907上连接有排水用管(未图示)。水经由注水用管供给至水槽903，并经由排水用管接头907及排水用管喷出。
下网状物912通过高电压电缆与带电板检测仪CPM(米国离子系统公司制造；CPM210)的金属板(未图示)相连接。
另外，水经由注水用管供给至水槽903。此时，即使持续地向水槽903供水，储存在水槽903中的DIW的水位也不会超出排水用管接头907的高度。在储存于水槽903中的DIW的水位达到排水用管接头907的高度的状态下，位于排水用管接头907的下方的下网状物912浸渍在DIW中，而位于排水用管接头907的上方的上网状物911未被DIW浸渍。
(1)除静电试验
与向水槽903的水的供给并行地，通过带电板检测仪CPM使液中的下网状物912带电+/-1kV或+/-5kV。然后，接通软X射线照射头部904，向储存于水槽903中的DIW照射软X射线，并对从该照射开始起下网状物912的电位变为+/-100kV为止的时间(除静电时间)进行计测。
其结果，带电+/-1kV的情况下的除静电时间为1秒钟以内，带电+/-5kV的情况下的除静电时间为2秒左右。
从上述除静电试验可知，通过向DIW照射软X射线，对DIW中的带电体(下网状物912)能够良好地实现除静电。
(2)电离试验
在上及下网状物911、912之间连接超绝缘电阻表(横河惠普(yokokawa Hewlett-Packard)株式会社制造；Model4329A)，来对照射你未照射软X射线时的2张网状物911、912之间的电阻的变化进行了计测。
首先，将DIW向水槽903储存至排水用管接头907的高度。然后，在断开软X射线照射头部904的情况下，对下网状物912施加10V的电压，并对2张网状物911、912之间的电阻进行了计测。接着，在对下网状物912施加10V的电压的情况下，接通软X射线照射头部904，向储存于水槽903中的DIW照射软X射线，在这样的状态下对2张网状物911、912之间的电阻进行了计测。
其结果，照射软X射线时的电阻从照射软X射线前的1×1011(Ω)下降至1×109(Ω)。
从上述的电离试验可知，通过向DIW照射软X射线，能够使DIW电离。
从上述可知，通过对DIW照射软X射线来能够使DIW电离，由于该DIW电离，所以对与DIW相接触的带电体能够良好地实现除静电。
图39是示意性示出了本发明第十六实施方式的基板处理装置820的结构的图。对于基板处理装置820的与第十五实施方式的基板处理装置701相同的部分，标注了与图31～图37相同的附图标记，并省略其说明。基板处理装置820与基板处理装置701之间的主要不同点在于，采用扫描喷嘴形态的水喷嘴(水供给单元)821来替代固定的水喷嘴705。
水喷嘴821例如为以连续液流的状态喷出DIW的直线型喷嘴。水喷嘴821以其喷出口朝向下方的状态安装在大致水平地延伸的水臂823的前端。水喷嘴821与水供给管713相连接。水臂823能够绕着在铅垂方向上延伸的规定的摇动轴线转动。水臂823与用于使水臂823在规定角度范围内摇动的水臂摇动驱动机构822相结合。水喷嘴821借助水臂823的摇动，在基板W的旋转轴线C上方的位置(与基板W的旋转中心相向的位置)和设定于旋转卡盘704的侧方的初始位置之间移动。
在漂洗处理中，控制水臂摇动驱动机构822，以使水喷嘴821在基板W的旋转中心上方和周边部上方之间往复移动。由此，将来自水喷嘴821的DIW导入基板W表面上的供给位置，在从基板W的旋转中心到基板W的周边部的范围内，以描画与基板W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹的方式往复移动。此时，分别对水喷嘴821及软X射线照射头部706的摇动位置进行控制，使得水喷嘴821和软X射线照射头部706之间不发生干涉。
图40是示意性示出了本发明第十七实施方式的基板处理装置830的结构的图。对于基板处理装置830的与第十五实施方式的基板处理装置701相同的部分，标注了与图31～图37相同的附图标记，并省略其说明。基板处理装置830与基板处理装置701之间的主要不同点在于，采用一体地具有水喷嘴和软X射线照射头部的一体型头部831。一体型头部831包括：水喷嘴(水供给单元)833，具有与第二实施方式的水喷嘴821相同的结构；软X射线照射单元(X射线照射单元)834，具有与第一实施方式的软X射线照射头部706相同的结构；保持架835，用于保持水喷嘴833和软X射线照射单元834。一体型头部831安装在大致水平地延伸的臂832的前端。臂832能够绕着在铅垂方向上延伸的规定的摇动轴线转动。一体型头部831借助臂832的摇动，在基板W的旋转轴线C的上方的位置(与基板W的旋转中心相向的位置)和设定于旋转卡盘704的侧方的初始位置之间移动。在漂洗处理中，一体型头部831在基板W的旋转中心的上方和周边部的上方之间往复移动。由此，将来自水喷嘴833的DIW导入基板W表面上的供给位置以及将来自软X射线照射单元834的软X射线导入基板W表面上的照射位置，在从基板W的旋转中心到基板W的周边部的范围内，以描画与基板W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹的方式往复移动。
图41是示意性示出了本发明第十八实施方式的基板处理装置840的结构的图。基板处理装置840采用软X射线照射头部(X射线照射单元)841以替代第一实施方式中的软X射线照射头部706。软X射线照射头部841与软X射线照射头部706的主要不同点在于具有遮蔽板部(遮蔽构件)842，该遮蔽板部(遮蔽构件)842从罩体726的侧壁下端沿着水平方向往外方凸出(从罩体726向侧方突出)。遮蔽板部842呈四角环板状，其下表面具有与罩体726的下壁726A相连续的水平面。在漂洗处理中，遮蔽板部842与被旋转卡盘704保持的基板W表面相向。通过遮蔽板部842，使从照射窗735照射的软X射线滞留在基板W和遮蔽板部842之间的空间内，从而能够抑制或防止从照射窗735照射的软X射线向基板W的周围散射，由此能够提高基板处理装置840的安全性。
图44是示出了采用本发明第十九实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1001的结构的图。
基板处理装置1001，是例如对多张基板W同时实施处理液处理(清洗处理)的成批处理型基板处理装置。基板处理装置1001包括：用于储存处理液是处理槽1002；用于向处理槽1002供给处理液的处理液喷嘴1003；用于将基板W浸渍于处理槽1002内的处理液中的升降装置1004；用于使储存在处理槽1002中的处理液循环的循环机构1005；用于控制基板处理装置1001所具有的各机器及阀的控制装置1006。
处理槽1002具有双重槽结构，包括具有向上开放的上部开口的内槽1007及外槽1008。内槽1007构成为能够储存处理液并收容多张基板W。外槽1008设置在内槽1007的上部开口的外侧面，而且外槽1008的上端的高度比内槽1007的上端的高度更高。
在内槽1007的底壁安装有排液阀1020。排液阀1020构成为所谓的气缸阀，该所谓的气缸阀借助气缸(未图示)的進退移动，来使内槽1007的底壁的一部分开闭。通过使气缸(未图示)后退，来使内槽1007的底面的一部脱离以在内槽1007的底面形成排液口，由此使处理液急速排出。即，处理槽1002具有QDR(Quick Dump Rinse：快速排水漂洗)功能。从内槽1007的底部排出的处理液输送到废液装置并进行处理。
处理液喷嘴1003与安装有处理液阀1009的处理液管1010相连接。处理液喷嘴1003由具有多个微细的喷出口(未图示)且例如以液滴的形态喷出液体的喷淋喷嘴构成。若控制装置1006使处理液阀1009打开，则从处理液喷嘴1003以喷淋状喷出的处理液供给至内槽1007内。另外，若处理液从内槽1007的上端溢出，则所溢出的处理液由外槽1008接收并回收。
处理液采用水或稀释药液。水，可以采用DIW(脱离子水)、碳酸水、电解离子水、富氢水、臭氧水及稀释浓度(例如，10PPm～100PPm左右)的盐酸水中的一种。稀释药液，可以采用以规定浓度稀释的氢氟酸、BHF(Bufferd HF：缓冲氢氟酸)、APM(ammonia-hydrogenperoxide mixture：氨水和过氧化氢溶液的混合液)、TMAH(TetramethylammoniumHydroxide：四甲基氢氧化铵)、氨水、HPM(hydrochloric acid/hydrogen peroxidemixture：盐酸和过氧化氢溶液的混合液)等。除了该实施方式(第十九实施方式)之外，在第十九～第二十七实施方式中也采用上述处理液。
被升降装置1004保持的基板W被浸渍在储存于内槽1007内的处理液中。
升降装置1004包括沿着水平方向延伸的多个保持棒1011。多个保持棒1011以与各基板W的下端抵接的方式将多张基板W保持为起立姿势(铅垂姿势)，而且使多张基板W处于在与纸面垂直的方向上排列的状态。
升降装置100包括升降机构1022。升降机构1022用于使升降装置1004在被升降装置1004保持的基板W位于内槽1007内的处理位置(在图44中示出的位置)和被升降装置1004保持的基板W位于内槽1007的上方的退避位置(未图示)之间升降。因此，通过由升降机构1022将升降装置1004移动至处理位置，来使被升降装置1004保持的多张基板W浸渍在处理液中。由此，使用处理液来对基板W实施处理。
循环机构1005包括；循环管1012，用于将从处理槽1002排出的处理液重新导入处理槽1002中；多个循环喷嘴1013，分别连接至循环管1012的下游侧的端部；循环泵1014，用于从循环管1012向循环喷嘴1013输送处理液。循环管1012包括：溢流管(over fllow pipe)1019，该溢流管1019的上游侧的端部连接至外槽1008的底部；多个分支管(处理液供给管)1016，从溢流管1019的下游侧的端部分支而成。在各分支管1016的前端安装有循环喷嘴1013。各循环喷嘴1013具有一个或多个喷出口，向内槽1007内喷出处理液。在溢流管1019上，从上游侧开始依次安装有循环泵1014、过滤器1015、循环阀1021。过滤器1015是用于对在循环管1012中流动的处理液进行过滤的过滤器，循环阀1021是用于使溢流管1019开闭的阀。
在多个分支管1016中的至少一个(在该实施方式中为1个)上安装有软X射线照射单元(X射线照射单元)1017。软X射线照射单元1017是用于对分支管1016内存在的处理液照射软X射线的单元。
图45A是分别示出了分支管1016及软X射线照射单元1017的结构的示意性剖视图。
分支管1016例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoroethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在分支管1016的中途部的管壁上，例如形成有圆形的第一开口1052。在分支管1016，以堵塞第一开口1052的方式安装有软X射线照射单元1017。
软X射线照射单元1017用于横向照射软X射线，而且包括：软X射线发生器(X射线发生器)1025；例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)制成的罩体1026，以包围的方式覆盖软X射线发生器1025的周围；气体喷嘴(气体供给单元)1027，用于向罩体1026的内部供给气体。罩体1026呈横向长的矩形箱状，并以与软X射线发生器1025相隔开的方式包围软X射线发生器1025的周围，在铅垂板状的横向壁1026A上的与软X射线发生器1025的下述的照射窗1035相向的部分，形成有例如圆形第二开口1028，该例如圆形第二开口1028具有与第一开口1052相同的直径。软X射线照射单元1017安装在，而且使罩体1026的第二开口1028与分支管1016的第一开口1052相一致，使横向壁1026A紧贴于分支管1016的外周。
第二开口1028被圆板状的窗构件1071堵塞。窗构件1071从罩体1026的内侧堵塞第二开口1028。窗构件107不仅堵塞第二开口1028，而且也堵塞第一开口1052。窗构件1071的材料采用原子量小的物质例如铍(Be)，以使透过力弱的软X射线容易透过。窗构件1071的厚度例如为0.3mm左右。
软X射线发生器1025射出(放射)用于使在分支管1016中流动的处理液电离的软X射线。软X射线发生器1025包括：壳体1029；左右方向上长的软X射线管1030，用于发生软X射线；高电压单元1031，用于对软X射线管1030供给高电压的。壳体1029呈横向长的矩形筒状，用于在其内部收容软X射线管1030及高电压单元1031，并由具有导电性及热传导性的材料(例如铝等的金属材料)形成。
高电压单元1031对软X射线管1030输入例如-9.5kV的高电位的驱动电压。来自电源(未图示)的电压经由供电线1043供给至高电压单元1031，该供电线1043通过形成于罩体1026上的贯通孔1042引出至罩体1026外部。
软X射线管1030由玻璃或金属制的圆筒形状的真空管构成，管方向与水平方向一致。软X射线管1030的一端部(开口端部；在图45A中为左端部)形成圆形开口1041。软X射线管1030的他端部(在图45A中为右端部)被封闭且成为管座1032。作为阴极的灯丝1033和作为阳极的靶体1036相向地配置在软X射线管1030内。在软X射线管1030内收容有灯丝1033及聚焦部1034。具体而言，作为负极的灯丝1033配置在管座1032。灯丝1033与高电压单元1031相电连接。灯丝1033被圆筒状的聚焦部1034包围。
软X射线管1030的开口端部被呈铅垂姿势的板状的照射窗1035堵塞。照射窗1035例如呈圆板状，通过银焊固定在软X射线管1030的开口端部的壁面上。照射窗1035的材料采用原子量小的物质例如铍(Be)，以使透过力弱的软X射线容易透过。照射窗1035的厚度例如为0.3mm左右。照射窗1035与窗构件1071的内表面1071A相向且与该窗构件1071相隔开微小的间隔。
在照射窗1035的内表面1035A上，通过蒸镀形成有金属制的靶体1036。靶体1036采用钨(W)或钽(Ta)等原子量大且熔点高的金属。
通过将来自高电压单元1031的驱动电压施加至作为阴极的灯丝1033，来使灯丝1033放出电子。从灯丝1033放出的电子，在聚焦部1034聚束形成电子束后冲击靶体1036，从而发生软X射线。所发生的软X射线从照射窗1035横向(在图45A中的左侧)射出(放射)，并通过窗构件1071及第一开口1052照射至分支管1016的内部。来自照射窗1035的软X射线的照射角(照射范围)为如图46所示的广角(例如130°)。从照射窗1035向分支管1016的内部照射的软X射线的波长例如为0.13～0.4nm。
窗构件1071的外表面(封闭窗的处理液流动的那一侧壁面)1071B的整个区域被亲水性保护膜1038覆盖。亲水性保护膜1038例如为聚酰亚胺树脂保护膜。利用亲水性保护膜1038来覆盖窗构件1071的外表面1071B，是为了保护抗酸特性差的由铍制成的窗构件1071免受水等的处理液中含有的酸的影响。亲水性保护膜1038的膜厚为50μm以下，优选为10μm左右。由于亲水性保护膜1038具有亲水性，所以能够抑制或防止气泡混入保护膜1038和处理液之间。由此，能够使来自照射窗1035的软X射线良好地照射至在分支管1016中流动的处理液。
气体喷嘴1027的喷出口在罩体1026的上壁开口而成。来自气体供给源(未图示)的气体经由气阀(气体供给单元)1037供给至气体喷嘴1027。作为气体喷嘴1027喷出的气体，可以举例CDA(低湿度的清洗空气)、氮气等非活性气体。从气体喷嘴1027喷出的气体供给至罩体1026的内部。软X射线发生器1025在驱动时可能会发热，但通过向罩体1026的内部供给气体来对软X射线发生器1025进行冷却，从而能够抑制软X射线发生器1025的周围空气升温。
如图44所示，控制装置1006具有包括微型计算机的结构，按照预先设定的程序，来对升降机构1022及循环泵1014等的动作进行控制。控制装置1006还对处理液阀1009、排液阀1020等的开闭动作也进行控制。
图45B是示出了基板处理装置1001中执行的基板处理的处理例的工序图。下面，参照图44、图45A及图45B，对基板处理的处理例进行说明。
即使在处理槽1002中不对基板W进行处理时，循环机构1005也持续地使处理液循环。即，除了更换处理液或对装置进行维护等的特定的状况之外，在处理槽1002内始终储存有处理液，而且处理液不会滞留在处理槽1002内而经由循环管1012进行循环。在这样进行循环时，循环阀1021被开放。其结果，从外槽1008流出的处理液，经由循环管1012从循环喷嘴1013供给至内槽1007的内部。在内槽1007的内部充满处理液的状态下，若从循环喷嘴1013进一步供给处理液，则剩余的处理液从内槽1007的上端部溢流而流入外槽1008。然后，从外槽1008流出的处理液，经由循环管1012从循环喷嘴1013供给至内槽1007的内部。
伴随着基板浸渍处理的开始，使循环阀1021关闭且使循环泵1014停止驱动，并使排液阀1020打开，以使储存在内槽1007中的处理液急速被排出(步骤S1001)。
在从内槽1007排出处理液以使内槽1007内部变空之后，控制装置1006控制升降装置1004，使在交接位置接受的多张基板W下降至内槽1007的内部的处理位置。由此，将基板W投入处理槽1002内(步骤S1002)。基板W被保持在变空的内槽1007的内部。
在将未处理的基板W投入空的处理槽1002内并保持在处理位置之后，控制装置1006使处理液阀1009开放，使处理液喷嘴1003以喷淋状喷出处理液(步骤S1003)。此时，排液阀1020处于打开状态，且排液口(未图示)也被开放，所以包含污染物质的处理液不会被储存。
然后，若经过了预先设定的喷淋清洗时间，则控制装置1006使排液阀1020关闭。此时，处理液喷嘴1003继续喷出处理液，所以处理液储存在内槽1007中。由此，执行将基板W浸渍在处理液中的基板浸渍处理。
若在内槽1007中储存满处理液，则控制装置1006使处理液阀1009关闭，使处理液喷嘴1003停止喷出处理液。另外，控制装置1006使循环泵1014开始驱动，并使循环阀1021打开。由此，处理液不会滞留在处理槽1002内而经由循环管1012进行循环(步骤S1004)。具体而言，从外槽1008流出的处理液，经由循环管1012从循环喷嘴1013供给至内槽1007的内部。在内槽1007的内部充满处理液的状态下，若从循环喷嘴1013进一步供给处理液，则剩余的处理液从内槽1007的上端部溢流而流入外槽1008。然后，从外槽1008流出的处理液，经由循环管1012从循环喷嘴1013供给至内槽1007的内部。在循环的处理液经过过滤器1015时，颗粒异物等污染物质被除去。因此，从循环喷嘴1013向内槽1007内喷出被除去污染物质的清洁的处理液。此时，在循环喷嘴1013的喷嘴管内及分支管1016内，处理液处于液密状态。
另外，控制装置1006控制高电压单元1031(参照图45A)，使软X射线照射单元1017的软X射线发生器1025(参照图45A)发生软X射线，并从照射窗1035(参照图45A)经由窗构件1071向分支管1016的内部照射该软X射线(步骤S1005)。由此，将软X射线照射至在分支管1016内流动的处理液。
图46是示出了向如图44所示的分支管1016内照射软X射线的照射状态的示意图。
与基板浸渍处理并行地，向在分支管1016内流动的处理液照射软X射线。在分支管1016内的处理液中的照射软X射线的部分(与分支管1016内的第一开口1052相向的部分；在图46中以阴影示出的区域(下面，称之为“处理液中的照射部分1054”))，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，处理液中的照射部分1054处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，处理液在循环喷嘴1013的喷嘴管内及分支管1016内处于液密状态，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的基板W和处理液中的照射部分1054，经由储存于内槽1007中的处理液及分支管1016内的处理液连接在一起。此时，若基板W带正电荷，则在处理液中的照射部分1054和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分1054的电子，经由储存于内槽1007中的处理液及分支管1016内的处理液向基板W移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
另外，即使是基板W在浸渍于处理液中之前就带正电荷，由于同样的原理，也能够通过内槽1007内的处理液及分支管1016内的处理液来对该基板W实现除静电。
如图45B所示，若从开始浸渍处理起经过了预先设定的浸渍处理时间，则控制装置1006使软X射线照射单元1017停止照射软X射线(步骤S1006)。
然后，从内槽1007搬出处理过的基板W(步骤S1007)。通过使同时保持多张基板W的升降装置1004从内槽1007内部的处理位置上升至上方的交接位置，来执行基板W的搬出。上升至交接位置的由多张基板W构成的一批(lot)基板W，搬入下一工序的处理槽中。
然后，在接下来还有要进行处理的后续的基板W的情况下，返回步骤S1001，重复进行如上所述的一系列处理。
如上所述，根据第十九实施方式，能够防止基板W在处理液的浸渍处理中带电。另外，即使基板W在浸渍处理之前就带电，也能够除去该基板W所带的电荷(即，除静电)。其结果，能够防止器件因基板W带电而发生破坏。
图47是示出了采用本发明第二十实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1201的结构的图。
在第二十实施方式中，对于第十九实施方式相同的部分，标注了与图44～图46的情形相同的附图标记，并省略其说明。第二十实施方式的基板处理装置1201与第十九实施方式的基板处理装置1001的不同点在于，软X射线照射单元(X射线照射单元)1217安装在溢流管1019上的比循环泵1014更靠上游侧的位置。软X射线照射单元1217安装在溢流管1019上。
溢流管1019呈圆管状(圆筒状)，并由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在溢流管1019的中途部的比循环泵1014更靠上游侧的管壁上形成有开口(未图示)。
软X射线照射单元1217采用与第十九实施方式的软X射线照射单元1017(参照图45A)相同的结构。软X射线照射单元1217以堵塞溢流管1019的开口的方式安装在溢流管1019。具体而言，软X射线照射单元1217的罩体的开口(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的第二开口1028(参照图45A)的开口)与溢流管1019的所述开口一致，而且软X射线照射单元1217的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的横向壁1026A(参照图45A))紧贴于溢流管1019的外周。软X射线照射单元1217的高电压单元(相当于第十九实施方式的软X射线照射单元1017的高电压单元1031(参照图45A))与控制装置1006相连接。
在基板处理装置1201中，执行与如图45B所示的处理例的情形相同的处理。在基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)中，处理液不会滞留在处理槽1002内而经由循环管1012进行循环。在内槽1007的内部充满处理液的状态下，若从循环喷嘴1013进一步供给处理液，则剩余的处理液从内槽1007的上端部溢流(overfllow)而流入外槽1008。
图48是示意性示出了处理液从内槽1007的上端部溢流的状态的剖视图。
外槽1008包括：圆环板状的底壁1081，包围内槽1007的外周；竖起壁1082，从底壁1081的外周边向铅垂上方竖起。在底壁1081的周方向上的例如一个位置上，形成有由在厚度方向上贯通底壁1081的贯通孔构成的溢流口1083。溢流口1083与溢流管1019的上游侧端部相连接。
在基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)中，从循环喷嘴1013断续地持续供给处理液，所以处理液在溢流管1019内处于液密状态。另外，如图48所示，处理液的液块1080始终持续地横跨在内槽1007的上端部，所以储存于内槽1007中的处理液和储存于外槽1008中的处理液，借助这样的处理液的液块1080始终连接在一起。
与基板浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1217向在溢流管1019内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。
在溢流管1019内的处理液中照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，处理液中的照射部分处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，由于处理液在溢流管1019内处于液密状态，而且储存于内槽1007中的处理液和储存于外槽1008中的处理液借助处理液的液块1080始终连接在一起，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的基板W和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1007中的处理液、储存于外槽1008中的处理液以及溢流管1019内的处理液连接在一起。此时，若基板W带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由储存于内槽1007中的处理液及溢流管1019内的处理液向基板W移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
因此，在第二十实施方式中，也能够产生与第十九实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
图49是示出了采用本发明第二十一实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1301的结构的图。
在第二十一实施方式中，对与第十九实施方式相同的部分，标注了与图44～图46的情形相同的附图标记，并省略其说明。第二十一实施方式的基板处理装置1301与第十九实施方式的基板处理装置1001的不同点在于：采用内槽1307来替代内槽1007，该内槽1307包括大致箱状的第一膨出部分1318；将软X射线照射单元(X射线照射单元)1317安装在第一膨出部分1318的壁上。
第一膨出部分1318从内槽1307的圆筒状的周壁1307A沿着水平方向向外方膨出而成，该第一膨出部分1318与内槽1307的周壁1307A一体形成。在第一膨出部分1318的上壁或下壁(在图49为上面)形成有开口1321。
软X射线照射单元1317采用与第十九实施方式的软X射线照射单元1017(参照图45A)相同的结构。软X射线照射单元1317以堵塞第一膨出部分1318的开口1321的方式安装。具体而言，软X射线照射单元1317的罩体的开口(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的第二开口1028(参照图45A)的开口)与第一膨出部分1318的开口1321相一致，而且软X射线照射单元1317的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的横向壁1026A(参照图45A))紧贴于第一膨出部分1318的上壁。软X射线照射单元1317的高电压单元(相当于第十九实施方式的软X射线照射单元1017的高电压单元1031(参照图45A))与控制装置1006相连接。
在基板处理装置1301中，执行与如图45B所示的处理例的情形相同的处理。在基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)中，在内槽1307内储存有处理液，由此处理液在第一膨出部分1318内处理液密状态。
与基板浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1317向第一膨出部分1318内的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。
在第一膨出部分1318内的处理液中的照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，处理液中的照射部分处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，在储存于内槽1307内的处理液中所浸渍的基板W和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1307内的处理液连接在一起。此时，若基板W带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由储存于内槽1307内的处理液向基板W移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
因此，在第二十一实施方式中，也能够产生与第十九实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
图50是示出了采用本发明第二十二实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1401的结构的图。
在第二十二实施方式中，对于与第十九实施方式相同的部分，标注了与图44～图46的情形相同的附图标记，并省略其说明。第二十二实施方式的基板处理装置1401与第十九实施方式的基板处理装置1001的不同点在于：采用内槽1407以替代内槽1007，该内槽1407在底部具有大致箱状的第二膨出部分1418；在与第二膨出部分1418相连接的管1423，安装有软X射线照射单元(X射线照射单元)1417。
此外，在图50中，基板处理装置1401具有结构与循环机构1005(参照图44)相同的循环机构，在此省略其图示。
第二膨出部分1418从内槽1407的底壁1407A沿着水平方向向外方膨出而成，该第二膨出部分1418与内槽1407的底壁1407A一体形成。在第二膨出部分1418的下壁的规定位置安装有排液阀1420。排液阀1420具有与排液阀1020(参照图44)相同的结构。即，第二膨出部分1418是用于设置QDR(Quick Dump Rinse：快速排水漂洗)的部分。从内槽1407的底部排出的处理液被输送至废液装置或回收装置并进行处理。
在第二膨出部分1418的例如上壁与管1423的一端相连接。在管1423的内部与第二膨出部分1418的内部相连通。第二膨出部分1418上的与管1423连接的连接位置，在俯视观察时，优选与第二膨出部分1418上的用于安装排液阀1420的安装位置不同。
管1423呈圆管状(圆筒状)，并由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(polytetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。在管1423的中途部形成有开口1421。
软X射线照射单元1417采用与第十九实施方式的软X射线照射单元1017(参照图45A)相同的结构。软X射线照射单元1417以堵塞管1423的开口1421的方式安装在管1423上。具体而言，软X射线照射单元1417的罩体的开口(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的第二开口1028(参照图45A)的开口)与管1423的开口1421相一致，而且软X射线照射单元1417的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的横向壁1026A(参照图45A))紧贴于管1423的外周。软X射线照射单元1417的高电压单元(相当于第十九实施方式的软X射线照射单元1017的高电压单元1031(参照图45A))与控制装置1006相连接。
在基板处理装置1401中，执行与如图45B所示的处理例的情形相同的处理。在基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)中，在内槽1407内储存有处理液，由此处理液在第二膨出部分1418内及管1423内也处于液密状态。
与基板浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1417向在管1423内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。
在管1423内的处理液中照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，处理液中的照射部分处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，由于处理液在管1423内处于液密状态，而且处理液在第二膨出部分1418内也处于液密状态，所以在储存于内槽1407内的处理液中所浸渍的基板W和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1407(包括第二膨出部分1418)的处理液及管1423内的处理液连接在一起。此时，若基板W带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由管1423内的处理液及储存于内槽1407内的处理液向基板W移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
因此，在第二十二实施方式中，也能够产生与第十九实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
图51是示出了采用本发明第二十三实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1501的结构的图。
在第二十三实施方式中，对与第十九实施方式相同的部分，标注了与图44～图46的情形相同的附图标记，并省略其说明。第二十三实施方式的基板处理装置1501与第十九实施方式的基板处理装置1001的不同点在于：不设置循环机构1005(参照图44)，而将从外槽1008流出的处理液经由排液管1519作为废液排出或进行回收；设置处理液喷嘴1561以替代处理液喷嘴1003(参照图44)。在处理液喷嘴1561上，安装有用于向在处理液喷嘴1561内流动的处理液照射软X射线的软X射线照射单元1562。处理液喷嘴1561例如为以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴，而且配置成其喷出口1553朝向内槽1007的内部。处理液喷嘴1561与处理液管1513相连接，来自处理液供给源的处理液供给至该处理液管1513。在处理液管1513的中途部，安装有用于切换来自处理液喷嘴1561的处理液的供给/停止供给的处理液阀1514。
处理液喷嘴1561具有在铅垂方向上延伸的圆管状(圆筒状)的喷嘴管1551。喷嘴管1551例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoro ethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。圆形喷出口1553在喷嘴管1551的前端部(下端部)开口而成。在喷嘴管1551的中途部的管壁，例如形成有圆形开口1552。
软X射线照射单元1562采用与第十九实施方式的软X射线照射单元1017(参照图45A)相同的结构。软X射线照射单元1562以堵塞喷嘴管1551的开口1552的方式安装在喷嘴管1551上。具体而言，软X射线照射单元1562的罩体的开口(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的第二开口1028(参照图45A)的开口)与开口1552相一致，而且软X射线照射单元1562的罩体的壁面(相当于软X射线照射单元1017的罩体1026的横向壁1026A(参照图45A))紧贴于喷嘴管1551的外周。软X射线照射单元1562的高电压单元(相当于第十九实施方式的软X射线照射单元1017的高电压单元1031(参照图45A))与控制装置1006相连接。
在基板处理装置1501中，在处理槽1502中储存有处理液之后，多张基板W借助升降装置1004同时投入处理槽1502内。然后，执行基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)。但是，在基板处理装置1501中没有设置有循环机构1005(参照图44)，所以在基板浸渍处理中，储存于处理槽1502中的处理液不进行循环。因此，在基板浸渍处理中，从处理液喷嘴1561断续地持续供给处理液。在基板浸渍处理中，从处理液喷嘴1561的喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，而且在处理液喷嘴1561的喷嘴管1551内，处理液处于液密状态。
与基板浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1562向在喷嘴管1551内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。
在喷嘴管1551内的处理液中照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，处理液中的照射部分处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，由于处理液在喷嘴管1551内处于液密状态，而且从喷出口1553喷出的处理液的形态呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的基板W和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液连接在一起。此时，若基板W带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由喷嘴管1551内的处理液、所述连续液流形状的处理液及储存于内槽1007中的处理液，向基板W移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
因此，在第二十三实施方式中，也能够产生与第十九实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
此外，在第二十三实施方式中，举例说明了从软X射线照射单元1562向在喷嘴管1551内流动的处理液照射软X射线的情形，也能够在与喷嘴管1551内的内部相连通的管上安装软X射线照射单元1562，来从该软X射线照射单元1562向在该管内流动的处理液照射软X射线。
图52是示出了采用本发明第二十四实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1601的结构的图。
在第二十四实施方式中，对与第十九实施方式相同的部分，标注了与图44～图46的情形相同的附图标记，并省略其说明。第二十四实施方式的基板处理装置1601与第十九实施方式的基板处理装置1001的不同点在于：不设置循环机构1005(参照图44)，而将从外槽1008流出的处理液经由排液管1519作为废液排出或进行回收；设置有向外槽1008喷出处理液的处理液喷嘴1561。
处理液喷嘴1561例如为以连续液流的状态喷出液体的直线型喷嘴，而且配置成其喷出口1553朝向外槽1008的内部。在处理液喷嘴1561，安装有用于向在处理液喷嘴1561内流动的处理液照射软X射线的软X射线照射单元1562。与处理液喷嘴1561及软X射线照射单元1562相关的一系列的结构与第二十三实施方式的情形相同，所以标注了与第二十三实施方式的情形相同附图标记，并省略其说明。
在基板处理装置1601中，执行如图45B所示的处理例的情形相同的处理。但是，在基板处理装置1601并没有安装有循环机构1005(参照图44)，所以在基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)中，储存于处理槽1502内的处理液不进行循环。因此，在基板浸渍处理中，从处理液喷嘴1003断续地持续供给处理液。在内槽1007的内部充满处理液的状态下，若从处理液喷嘴1003进一步供给处理液，则剩余的处理液从内槽1007的上端部溢流而流入外槽1008。此时，处理液的液块(如图48中的处理液的液块1080相同的液块)始终持续地横跨在内槽1007的上端部，所以储存于内槽1007中的处理液和储存于外槽1008中的处理液，借助处理液的液块始终连接在一起。
与基板浸渍处理并行地，打开处理液阀1514，使得从处理液喷嘴1561的喷出口1553向外槽1008的内部喷出处理液。从处理液喷嘴1561的喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于外槽1008中的处理液的液面连接起来的连续液流形状。此时，在处理液喷嘴1561的喷嘴管1551内，处理液处于液密状态。
另外，与基板浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1562向在喷嘴管1551内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。
在喷嘴管1551内的处理液中的照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)，因水分子被激发而从该水分子放出电子。其结果，处理液中的照射部分处于大量的电子和水分子的大量的正离子混合在一起的等离子状态。
在这样的情况下，由于处理液在喷嘴管1551内处于液密状态，从喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于外槽1008中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，而且储存于内槽1007中的处理液和储存于外槽1008中的处理液，借助处理液的液块始终连接在一起，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的基板W和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1007中的处理液、储存于外槽1008中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液连接在一起。此时，若基板W带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板W之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由喷嘴管1551内的处理液、所述连续液流形状的处理液、储存于外槽1008中的处理液及储存于内槽1007中的处理液，向基板W移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
因此，在第二十四实施方式中，也能够产生与第十九实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
另外，若亲水性保护膜(相当于亲水性保护膜1038(参照图45))从软X射线照射单元1562的窗构件的外表面(相当于窗构件1071的外表面71B(参照图45A))被剥离掉，则该窗构件所含有的铍可能被处理液溶解。即使在这样的情况下，由于含有铍的处理液经由排液管1519被排掉，所以也能够可靠地防止含有铍的处理液供给至基板W。
图53是示出了采用本发明第二十五实施方式的处理液处理装置的基板处理装置1701的结构的图。
在第二十五实施方式中，对于与第二十三实施方式相同的部分，标注了与图51的情形相同的附图标记，并省略其说明。第二十五实施方式的基板处理装置1701和第二十三实施方式的基板处理装置1501的不同点在于，以用于同时保持多张基板W的装载盒(Cassette)1702为单位，将多张基板W浸渍在处理槽1502内。虽，没有在图53中进行图示，但在基板处理装置1701中，设置有第二十三实施方式的升降装置1004以及升降机构1022等结构。该升降装置1004保持用于将多张基板W同时保持的装载盒1702b并使装载盒1702b升降。
装载盒1702例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)、PTFE(poly tetra-fluoroethylene：聚四氟乙烯)或PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯共聚物)等树脂材料形成。
在基板处理装置1701中，在处理槽1502内储存有处理液之后，将多张基板W及装载盒1702投入处理槽1502内。然后，执行基板浸渍处理(图45B中的步骤S1004～S1006)。
在基板浸渍处理中，与第二十三实施方式的情形相同地，从处理液喷嘴1561断续地持续供给处理液。在基板浸渍处理中，从处理液喷嘴1561的喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，而且在处理液喷嘴1561的喷嘴管1551内，处理液处于液密状态。
另外，与基板浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1562向在喷嘴管1551内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。在喷嘴管1551内的处理液中的照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)，处于如上所述的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，由于处理液在喷嘴管1551内处于液密状态，而且从喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的基板W及装载盒1702和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液连接在一起。此时，若板W及装载盒1702带正电荷，则在理液中的照射部分和带正电荷的基板W及装载盒1702之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由喷嘴管1551内的处理液、所述连续液流形状的处理液及储存于内槽1007中的处理液，向基板W及装载盒1702移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板W被除静电。
另外，根据装载盒1702的不同材料，装载盒1702也可能会带负电荷，在这样的情况下，来自装载盒1702的电子，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液，向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从装载盒1702除去电子，其结果，带负电荷装载盒1702被除静电。
因此，在第二十五实施方式中，也能够产生与第十九实施方式中所述的作用效果同等的作用效果。
另外，也能够防止装载盒1702在处理液的浸渍处理中带电。另外，即使装载盒1702在浸渍处理之前就带电，也能够除去该基板W所带的电荷(即，除静电)。
在第十九～第二十五实施方式中，对于将本发明适用于将基板W作为处理对象物的基板处理装置1001、1201、1301、1401、1501、1601中的情形进行了说明，但也可以将本发明适用于将基板W以外的物品作为处理对象物的处理液处理装置(物品清洗装置)。
图54是示出了采用本发明第二十六实施方式的处理液处理装置的物品清洗装置1801的结构的图。
物品清洗装置1801，是例如将镜片L等光学器件作为处理对象物，利用处理液(清洗液)来对光学器件进行清洗的装置。物品清洗装置1801通过将镜片L浸渍在处理槽1502内，来对该镜片L进行清洗。将多个镜片L在同时收容在装载盒1802的状态下浸渍于处理槽1502内。在物品清洗装置1801设置有超声波发生装置(未图示)，该超声波发生装置用于使储存于处理槽1502内的处理液产生超声波振动。
除了设置有超声波发生装置(未图示)的这一点之外，物品清洗装置1801的概略结构与第二十五实施方式的基板处理装置1701的结构相同，所以在第二十六实施方式中，对于与第二十五实施方式相同的部分，标注了与图53的情形相同的附图标记，并省略其说明。
在物品清洗装置1801中，将镜片L及装载盒1802投入处理槽1502内之后，在处理槽1502内储存处理液。由此，使镜片L及装载盒1802浸渍在处理液中，来在预先设定的期间内持续进行这样的浸渍处理，由此对镜片L进行清洗。
在浸渍处理中，与第二十三实施方式的情形同样地，从处理液喷嘴1561断续地持续供给处理液。在浸渍处理中，从处理液喷嘴1561的喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，而且在处理液喷嘴1561的喷嘴管1551内，处理液处于液密状态。
另外，与浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1562向在喷嘴管1551内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S1005)。在喷嘴管1551内的处理液中照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)处于如上所述的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，由于处理液在喷嘴管1551内处于液密状态，而且从喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的镜片L及装载盒1802和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液连接在一起。此时，若镜片L及装载盒1802带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的镜片L及装载盒1802之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由喷嘴管1551内的处理液、所述连续液流形状的处理液及储存于内槽1007中的处理液，向镜片L及装载盒1802移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的镜片L被除静电。
另外，根据装载盒1802的不同材料，装载盒1802也可能会带负电荷，在这样的情况下，来自装载盒1802的电子，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液，向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从装载盒1802除去电子，其结果，带负电荷装载盒1802被除静电。
因此，根据第二十六实施方式，能够防止镜片L在处理液的浸渍处理中带电。另外，即使镜片L在浸渍处理之前就带电，也能够除去该镜片L所带的电荷(即，除静电)。
此外，在上述的说明中，对于多个镜片L以收容于装载盒1802内的状态浸渍在处理液中的情形进行了说明，也可以将镜片L(不收容在装载盒1802内，而)直接浸渍在处理液中。
另外，作为光学器件，举例说明了镜片L(参照图54)，但也可以将用于收容反射镜、衍射光栅等光学器件的器件容器作为处理对象。而且，也可以将光学器件以外的部件作为清洗对象(处理对象)。
另外，第二十六实施方式的物品清洗装置1801也可以采用与第十九～第二十二及第二十四实施方式的情形相同的结构。在这样的情况下，实施与第十九～第二十二及第二十四实施方式中所说明的情形相同的处理。即，在储存于处理槽1502内的处理液中浸渍光学器件(镜片L)等部件，与此并行地，从软X射线单元1017、1217、1317、1417向储存于该处理槽1502内的处理液或管的内部与处理槽1502内部相连通的管1016、1019、1423内存在的处理液照射软X射线。
图55是示出了采用本发明第二十七实施方式的处理液处理装置的物品清洗装置1901的结构的图。
物品清洗装置1901，是例如将基板容器(容器)1602作为处理对象物，并利用处理液(清洗液)对基板容器1602进行清洗的装置。物品清洗装置1901通过在处理槽1502内浸渍基板容器1602，来对该基板容器1602进行清洗。
图56是示出了基板容器1602的结构的立体图。
如图56所示，基板容器1602是以密闭状态收容基板W的容器。作为基板容器1602的一例，可以举例FOSB(Front Opening Shipping Box：前开式运输盒)。FOSB专门用于半导体晶片厂商将基板W供货给半导体器件厂商的过程中。FOSB用于收容未处理的多张基板W，既能够维持这些基板W的清洁度，由能够防止基板W受到损伤。
基板容器1602包括：容器本体1603，侧方具有开口1603A且呈有底箱状；盖1604，用于开闭容器本体1603的开口1603A安装在；多层容器支撑架1606，容器本体1603的内壁上；多层盖支撑架1605，安装在盖1604上。经由开口1603A，对于容器本体1603的内部进行基板W的搬入搬出。容器本体1603及盖1604分别例如由聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)等的树脂材料形成。
如图55所示，物品清洗装置1901的概略结构与第二十五实施方式的基板处理装置1701的结构相同，所以在第二十七实施方式中，对于与第二十五实施方式相同的部分，标注了与图53的情形相同的附图标记，并省略其说明。
在基板处理装置1901中，将基板容器1602(容器本体1603)投入处理槽1502内之后，在处理槽1502内储存处理液。由此，使基板容器1602浸渍在处理液中，来在预先设定的期间内持续进行这样的浸渍处理，由此对基板容器1602进行清洗。
在浸渍处理中，与第二十五实施方式的情形同样地，从处理液喷嘴1561断续地持续供给处理液。在浸渍处理中，从处理液喷嘴1561的喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，而且在处理液喷嘴1561的喷嘴管1551内，处理液处于液密状态。
另外，与浸渍处理并行地，从软X射线照射单元1562向在喷嘴管1551内流动的处理液照射软X射线(图45B中的步骤S5)。在喷嘴管1551内的处理液中照射软X射线的部分(处理液中的照射部分；与如图46所示的第十九实施方式的处理液中的照射部分1054同等的部分)处于如上所述的等离子状态。
在这样的情况下，如上所述那样，由于处理液在喷嘴管1551内处于液密状态，而且从喷出口1553喷出的处理液的形态，呈将喷出口1553和储存于内槽1007中的处理液的液面连接起来的连续液流形状，所以在储存于内槽1007内的处理液中所浸渍的基板容器1602和处理液中的照射部分，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液连接在一起。此时，若基板容器1602带正电荷，则在处理液中的照射部分和带正电荷的基板容器1602之间发生电位差，使得来自处理液中的照射部分的电子，经由喷嘴管1551内的处理液、所述连续液流形状的处理液及储存于内槽1007中的处理液向基板容器1602移动。由此，能够向基板W供给大量的电子，其结果，带正电荷的基板容器1602(容器本体1603)被除静电。
另外，根据基板容器1602的不同材料，基板容器1602也可能会负电荷，在这样的情况下，来自基板容器1602的电子，经由储存于内槽1007中的处理液、所述连续液流形状的处理液及喷嘴管1551内的处理液，向处理液中的照射部分的正离子移动。由此，能够从基板容器1602除去电子，其结果，带负电荷基板容器1602被除静电。
因此，根据第二十七实施方式，能够防止基板容器1602在处理液的浸渍处理中带电。另外，即使基板容器1602在浸渍处理之前就带电，也能够除去该基板容器1602所带的电荷(即，除静电)。
此外，在图55中，举例说明了对基板容器1602中的容器本体1603进行清洗的情形，但在对盖1604或支撑架1605、1606进行清洗的情况下，通过采用同样的清洗方法，也能够做到既能对盖1604或支撑架1605、1606实现除静电，又能对盖1604或支撑架1605、1606进行清洗处理。
另外，作为基板容器1602，举例说明了FOSB，但可以举例在半导体晶片厂商的工厂内部专门用来搬运基板W且能够以密闭状态收容基板W的FOUP(Front Opening UnifiedPod：前开式标准箱)。还有，作为基板容器1602，也可以举例SMIF(Standard MechanicalInterface：标准机械界面)容器、OC(Open Cassette：开放式盒子)等其他形态的基板容器。
另外，容器并不仅限定于用于收容基板W的容器，也可以将用于收容CD、DVD、蓝光盘等圆盘状的存储介质的存储介质容器、用于的收容镜片L(参照图54)、反射镜、衍射光栅等光学器件的器件容器作为处理对象。
另外，第二十七实施方式的物品清洗装置1901也可以采用与第十九～第二十二及第二十四实施方式的情形相同的结构。在这样的情况下，执行与第十九～第二十二及第二十四实施方式中所说明是情形相同的处理。即，在储存于处理槽1002内的处理液浸渍基板容器1602等的容器，并与此并行地，从软X射线单元1017、1217、1317、1417向储存于该处理槽1002内的处理液或管的内部与处理槽1002内部相连通的管1016、1019、1423内存在的处理液照射软X射线。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但也可以通过其他方式实施本发明。
在第一～第八、第十三及第十四实施方式中，对在水喷嘴61、202、212、531的喷嘴管的前端部分别设置有电极56(参照图1、图8、图10的(a)、图11、图12、图14、图15的(a)、图16、图24及图28)的情形进行了说明，但也可以不将该电极56设置在喷嘴管上。在这样的情况下，也可以省略电源57(参照图3)。
与此相反，也可以在第十二实施方式的水喷嘴409的前端部、第六及第十一实施方式的杯体用喷嘴224、313的前端部设置电极56，并通过电源57(参照图3)对电极56施加相对于装置接地端的电压。
另外，如在图4、图18、图22、图24、图14、图20中以双点划线示出的那样，也可以将液体检测传感器(处理液检测单元)101，配置在第四、第十、第十二及第十三实施方式的供水管204、307、410、533、第六及第十一实施方式的分支管222、312。液体检测传感器101，是用于检测供水管204、307、410、533、分支管222、312内的规定的水检测位置102是否存在DIW的传感器。在这样的情况下，将水检测位置102设定于与形成在供水管204、307、410、533、分支管222、312上的、的开口(用于照射软X射线的开口)相同的位置或相近的位置。另外，在这样的情况下，也可以执行与图7中的处理相同的处理。
另外，也可以将第三实施方式的纤维状物质，分别设置在第四、第五、第十二及第十三实施方式中的水喷嘴202、212、409、531的喷出口202A、216、409A、531A以及第六及第十一实施方式中的杯体用喷嘴224、313的喷出口224A、313A。
另外，在第六及第十一实施方式中，利用从设置在分支管222、312的前端的喷嘴224、313喷出的DIW来对杯体17进行了除静电处理，但也可以利用从这样的喷嘴224、313喷出的DIW来对第二喷嘴管232(参照图15的(a)、15的(b))进行除静电处理。
另外，在第六及第十一实施方式中，对于在分支管222、312上配置软X射线照射单元223、319的情形进行了说明，但也可以将软X射线照射单元223、319分别设置在供水管204、307上。
另外，在第七、第八及第十四实施方式中，对于供水单元230、250、600采用与第一实施方式的供水单元100相同的结构的情形进行了说明，但也可以采用与第四实施方式的供水单元200(参照图1)、第五实施方式的供水单元220相同的结构。
另外，在第十～第十二实施方式中，对于从水喷嘴302向基板W上表面供给水的情形进行了说明，但也可以采用第一～第三实施方式的供水单元100(参照图1)、第四实施方式的供水单元200(参照图11)、第五实施方式的供水单元220以替代水喷嘴302。
另外，在第十～第十二实施方式中，举例说明了对基板W的两个面进行漂洗处理的情形，但在第十～第十二实施方式中，也可以仅对基板W下表面进行漂洗处理。在这样的情况下，可以采用从如图18、图20及图22所示的结构中分别省略水喷嘴302、供水管303及水阀304而得到的结构。
另外，在第一～第十及第十二实施方式中，也可以在处理室3内配置第十一实施方式的软X射线照射单元314。在这样的情况下，可以从软X射线照射单元314向杯体上部19照射软X射线。
另外，在第一～第十二及第十四实施方式中，举例说明了从一个喷嘴61、202、212、306、409向处理对象物(基板W、基板容器602、第二喷嘴管232)供给DIW(水的一例)的情形，但也可以从多个喷嘴供给DIW。在这样的情况下，优选如第十三实施方式的供水单元500那样，用于向喷嘴61、202、212、306、409供给DIW的多个供水管的上游端与集水管相连接，而且从软X射线照射单元向在该集水管内存在的DIW照射软X射线。
另外，在第一～第十四实施方式中，例如，作为用于覆盖窗构件71的外表面71B的亲水性保护膜38，可以采用具有亲水性的DLC(Diamond Like Carbon：类金刚石碳)保护膜、具有亲水性的氟类树脂保护膜、烃类树脂(hydrocarbon resin)保护膜等。
另外，也可以由聚酰亚胺树脂形成窗构件71。在这样的情况下，可以使软X射线透过窗构件71。另外，由于聚酰亚胺树脂的化学稳定性高，所以能够长期持续地使用窗构件71。在这样的情况下，无需用亲水性保护膜38来覆盖外表面71B。
在如上所述的第一～第十四实施方式中，作为被照射软X射线且从喷出口喷出的水的一例举例了DIW，但并不仅限定于DIW，也可以采用碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水及稀释浓度(例如，10PPm～100PPm左右)的盐酸水中的一种水。
另外，在第一～第十四实施方式中，作为被照射软X射线且从喷出口喷出的处理液，也可以采用药液(稀释药液)。在这样的情况下，药液可以采用以规定浓度稀释的氢氟酸、BHF(Bufferd HF：缓冲氢氟酸)、APM(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水和过氧化氢溶液的混合液)、TMAH(Tetramethylammonium Hydroxide：四甲基氢氧化铵)、氨水或HPM(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：盐酸和过氧化氢溶液的混合液)等。
还有，在第一～第十四实施方式中，在一边供给处理液一边使用刷子或清洗擦对基板W表面、周边部进行清洗的处理中，也可以与处理液的供给并行地向在第一管内流动的处理液照射软X射线。
另外，在第十五～第十八实施方式中，作为形成于照射窗735的外表面735B以覆盖该外表面735B的疏水性保护膜，可以采用其他的保护膜。
该疏水性保护膜，如图42所示，可以采用具有疏水性的DLC(Diamond LikeCarbon：类金刚石碳)保护膜851。DLC保护膜851包含微小的氢原子(原子数之比为C：H＝99:1～96:4)。DLC保护膜851的膜厚为10μm以下，优选为1～2μm左右。
在第十五～第十八实施方式中，通过离子注入法等来对照射窗735的外表面735B注入硅(Si)离子，接着，通过溅射法等来对照射窗735的外表面735B注入碳(C)离子。由此，使照射窗735的外表面735B发生改质。然后，通过等离子体CVD法等，在照射窗735的外表面735B形成DLC的沉积膜(Deposited film)，由此形成DLC保护膜851。硅(Si)离子的注入、碳(C)离子的注入以及DLC的沉积，是在室温～150℃的低温环境下进行的。
通过这样的方法(等离子体离子辅助(plasma ion assist)方式)形成的DLC保护膜851具有疏水性。若在照射窗735的外表面735B形成有疏水性的DLC保护膜851，则能够防止水滴附着在照射窗735的外表面735B。其结果，能够抑制或防止照射窗735发雾。
另外，DLC保护膜851在高温环境下也具有高的紧贴性。因此，能够可靠地防止被剥离的DLC污染照射窗735。
还有，由于在低温环境下进行DLC的沉积，所以沉积后的下降温度少，使得在DLC保护膜851中不易残留应力。由此，能够形成不易发生裂纹(耐久性高)的保护膜。
另外，在第十五～第十八实施方式中，作为疏水性保护膜，如图43所示，可以采用具有疏水性的非晶质氟类树脂保护膜861。非晶质氟类树脂保护膜861，例如通过由CYTOP树脂(商品名)而成的非晶质氟类树脂来形成。非晶质氟类树脂保护膜861的膜厚为50μm以下，优选为5～10μm左右。若在照射窗735的外表面735B形成有疏水性的非晶质氟类树脂保护膜861，则能够防止水滴附着在照射窗735的外表面735B。其结果，能够抑制或防止照射窗735发雾。
此外，在第十五～第十八实施方式中，对保护膜采用了DLC、非晶质氟类树脂的实施方式进行了说明，但只要是具有如下特性的材料的保护膜，即使采用其他材料，与能够适用于本保护膜，这些特性为：容易使软X射线透过，具有一百几十℃左右的耐热性，相对铍具有优异的紧贴性，具有耐水性，对于药品或药品蒸气具有抗腐蚀性，向纯水中溶出的离子少，不易被剥离或发生裂纹。
另外，在第十八实施方式中，对于与软X射线照射头部841一体地设置遮蔽构件的结构进行了说明，但也可以与照射头部841分别独立地设置遮蔽构件。在这样的情况下，也可以安装于能够在旋转卡盘704的上方的水平面内进行摇动的臂上，使得借助该臂的摇动来在旋转卡盘704的上方移动。
另外，在第十八实施方式中及上述的各实施方式中，也可以当闸门721处于打开状态时，从软X射线照射头部706、841、X射线照射单元834停止照射X射线。
另外，在第十五～第十八实施方式中，对于从气体喷嘴727喷出比常温更高的气体的情形进行了说明，但也可以从气体喷嘴727喷出常温的气体。
另外，在第十五～第十八实施方式中，发热构件采用了配置片状的加热器744而成的结构，但也可以采用将其他热源作为发热构件的结构。另外，设置位置并不仅限定于如罩体726的下壁726A那样的开口728的周围，而也可以设置在照射窗735。另外，也可以同时设置在罩体726的下壁726A和照射窗735。另外，也可以采用不将加热器744等的加热构件设置在照射窗735的周围的结构。
另外，在第十五～第十八实施方式中，举例说明了将移动型软X射线照射头部706、841以及同样是移动型的X射线照射单元834作为X射线照射单元的情形，但也可以将固定式X射线照射单元固定配置在被旋转卡盘704保持的基板W的上方，而且使固定式X射线照射单元与该基板W相向。在这样的情况下，应该使固定式X射线照射单元向该基板W的整个区域照射软X射线。
另外，在第十五～第十八实施方式中，作为与软X射线的照射并行地向基板W供给的水的一例举例了DIW，但并不仅限定于DIW，也可以采用碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水及稀释浓度(例如，10PPm～100PPm左右)的盐酸水中的任一种水。
另外，在第十五～第十八实施方式中，举例说明了与用于漂洗处理的水的供给并行地向基板W表面照射软X射线的情形，但也可以与药液(稀释药液)的供给并行地照射软X射线。在这样的情况下，作为药液，可以采用以规定浓度稀释的氢氟酸、BHF(Bufferd HF：缓冲氢氟酸)、APM(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水和过氧化氢溶液的混合液)、TMAH(Tetramethylammonium Hydroxide：四甲基氢氧化铵)、氨水或HPM(hydrochloricacid/hydrogen peroxide mixture：盐酸和过氧化氢溶液的混合液)等。还有，在第一～第十四实施方式中，在一边供给处理液一边利用刷子或清洗擦对基板W表面、周边部进行清洗的处理中，也可以与处理液的供给并行地向在第一管内流动的处理液照射软X射线。
另外，在第十五～第十八实施方式中，在一边供给水一边使用刷子或清洗擦对基板W表面、周边部进行清洗的处理中，也可以与水的供给并行地向基板W表面照射软X射线。
另外，在第十五～第十八实施方式中，举例说明了对表面形成有氧化膜的基板W进行处理的情形，但也可以对表面形成有铜膜或Ti(钛)膜等金属膜(布线膜)的基板W进行处理。
在第十九～第二十五实施方式中，也可以在基板浸渍处理之后排出处理槽1002内的所有处理液，并由处理液喷嘴1003对基板W进行喷淋漂洗。在这样的情况下，能够清洗掉在浸渍处理后也还附着在基板W上的污染物质，从而能够防止重新附着于基板W。
另外，在第十九～第二十三实施方式中，如在图44、图47及图49中虚线示出的那样，也可以在循环机构1005的循环管1012(溢流管1019)的中途部，安装用于对在循环管1012内流动的处理液进行加热的加热器25。
另外，在第二十～第二十三实施方式中，也可以采用不设置循环机构1005(参照图44)的结构。在这样的情况下，储存于处理槽1002、1502内的处理液不进行循环，而回收至外槽1008的处理液会作为废液排出或进行回收。
另外，在第二十四～第二十七实施方式中，也可以采用设置有循环机构1005(参照图44)的结构。在这样的情况下，储存于处理槽1502内的处理液进行循环，回收至外槽1008的处理液会重新供给至处理槽1502内。
另外，在第二十六及第二十七实施方式中，也可以与浸渍处理并行地，通过利用刷子擦洗的方式对浸渍在处理液中的处理对象物进行清洗处理。
另外，在第十九及第二十一～第二十七实施方式中，外槽1008并不是必不可少的构件。尤其是，在储存于处理槽1002、1502内的处理液不进行循环的情况下，也可以省略外槽1008的结构。
另外，在第十九～第二十七实施方式中，例如，作为用于覆盖窗构件1071的外表面71B的亲水性保护膜1038，也可以采用具有亲水性的DLC(Diamond Like Carbon：类金刚石碳)保护膜、具有亲水性的氟类树脂保护膜或烃类树脂保护膜等。
另外，也可以由聚酰亚胺树脂形成窗构件1071。在这样的情况下，能够使软X射线透过窗构件1071。另外，聚酰亚胺树脂具有优异的化学稳定性，所以能够长期持续地使用窗构件1071。在这样的情况下，无需用亲水性保护膜1038覆盖外表面71B。
另外，在第二十三～第二十七实施方式中，也可以由软X射线照射单元1562照射软X射线，并通过电源1557对电极1556施加电压。在这样的情况下，例如优选使电极1556带正电荷。在这样的情况下，由于电极1556带正电荷，所以因照射软X射线而在处理液中的照射部分发生的电子，向电极1556侧吸引，从而移动至电极1556所在的喷嘴管1551的前端部。即，能够将大量的电子吸引到处理液喷嘴1561的喷出口1553。由此，能够促使电子向基板W侧移动。
另外，在第一～第二十七实施方式中，作为X射线照射单元，采用了用于照射波长在X射线中相对长的“软X射线”的X射线照射单元，但并不仅限定于此，也可以采用用于照射波长相对短(0.001nm～0.1nm)的“硬X射线”的X射线照射单元。在这样的情况下，为了确保装置操作人员等的人体安全，优选采用如下对策：设置用于遮蔽X射线向装置外部泄漏的遮蔽结构，例如利用具有相当厚度的铅板来覆盖装置的操作人员一侧的面等；或者，在照射X射线照时，禁止操作人员接近装置周边等。此外，若采用各实施方式中的用于照射软X射线的X射线照射单元，则与用于照射硬X射线的X射线照射单元相比，装置变得小型且价格低，而且对于人体等的遮蔽也变得简单。
此外，作为基板W，举例说明了半导体晶片及液晶显示装置用玻璃基板，但基板W还可以包括等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、OLED(有机电致发光显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。另外，作为基板的材料，除了硅，玻璃之外，还可以举例SiC、石英、蓝宝石、塑料、陶瓷等。
以上，对本发明的实施方式进行详细说明，这些实施方式仅仅是用于使本发明的技术内容变得明确的具体例，这些具体例不可解释为对本发明的限定，本发明的范围仅通过随附的权利要求书来进行限定。
本专利申请与2012年9月27日向日本特许厅提交的JP特愿2012-215293号、2012年9月27日向日本特许厅提交的JP特愿2012-215294号、2013年9月19日向日本特许厅提交的JP特愿2013-194293号及2013年9月19日向日本特许厅提交的JP特愿2013-194294号相对应，由于在此引用了这些这些申请，所以应视为在本发明的说明书包含这些申请公开的所有内容。
附图标记说明
1 基板处理装置
4 旋转卡盘(基板保持旋转单元)
6 一体型头部
6A 一体型头部
6B 一体型头部
17 杯体(液体阻挡构件)
25 软X射线发生器(X射线发生器)
26 罩体
27 气体喷嘴(气体供给单元)
35 照射窗
37 气阀(气体供给单元)
38 亲水性保护膜
40 控制装置(X射线照射控制单元)
51 第一喷嘴管(处理液管)
51A 第一喷嘴管(处理液管)
52 第一开口(开口、X射线的照射位置)
52A 第三开口(开口、X射线的照射位置)
53 喷出口
56 电极
57 电源
61 水喷嘴(处理液喷嘴)
62 软X射线照射单元(X射线照射单元)
65 纤维束(纤维状物质)
71 窗构件
71B 外表面(封闭窗的处理液流动的一侧的壁面)
100 供水单元(处理液供给装置)
101 液体检测传感器(处理液检测单元)
200 供水单元(处理液供给装置)
201 基板处理装置
202A 喷出口
203 软X射线照射单元(X射线照射单元)
204 供水管(处理液管)
211 基板处理装置
216 喷出口
220 供水单元(处理液供给装置)
221 基板处理装置
222 第一分支管(分支管)
224A 喷出口(液体阻挡构件用喷出口)
230 供水单元(处理液供给装置)
231 基板处理装置
232 第二喷嘴管(第二管)
250 供水单元(处理液供给装置)
251 基板处理装置
260 供水单元(处理液供给装置)
261 基板处理装置
262 第二喷嘴管(第二管)
276 喷出口
300 供水单元(处理液供给装置)
301 基板处理装置
306A 喷出口
307 供水管(处理液管)
309 软X射线照射单元(X射线照射单元)
310 供水单元(处理液供给装置)
311 基板处理装置
312 第二分支管(分支管)
313A 喷出口(液体阻挡构件用喷出口)
400 供水单元(处理液供给装置)
401 基板处理装置
402 旋转卡盘(基板保持旋转单元)
404 旋转轴(支撑构件)
405 旋转底座(支撑构件)
409A 喷出口
410 供水管(处理液管)
412 软X射线照射单元(X射线照射单元)
500 供水单元(处理液供给装置)
501 基板处理装置
504 辊轮式搬运单元(基板保持搬运单元)
531A 喷出口
533 供水管(处理液管)
534 软X射线照射单元(X射线照射单元)
600 供水单元(处理液供给装置)
602 基板容器(容器)
701 基板处理装置
704 旋转卡盘(基板保持单元)
705 水喷嘴(水供给单元)
706 软X射线照射头部(X射线照射单元)
714 水阀(水供给单元)
719 摇动驱动机构(移动单元)
720 升降驱动机构(移动单元)
725X 射线发生器
726 罩体
727 气体喷嘴(气体供给单元)
728 开口
735 照射窗
737 气阀(气体供给单元)
738 聚酰亚胺树脂保护膜
740 控制装置(控制单元)
744 加热器(发热构件)
820 基板处理装置
821 水喷嘴(水供给单元)
830 基板处理装置
833 水喷嘴(水供给单元)
834 软X射线照射单元(X射线照射单元)
840 基板处理装置
841 软X射线照射头部(X射线照射单元)
842 遮蔽构件(遮蔽板部)
851 DLC保护膜(类金刚石碳的保护膜)
861 非晶质氟类树脂保护膜
1001 基板处理装置(处理液处理装置)
1002 处理槽
1007 内槽
1008 外槽
1016 分支管(处理液供给管)
1017 软X射线照射单元(X射线照射单元)
1019 溢流管(溢流管)
1025 软X射线发生器(X射线发生器)
1026 罩体
1027 气体喷嘴(气体供给单元)
1035 照射窗
1037 气阀(气体供给单元)
1038 亲水性保护膜
1052 开口
1071 窗构件
1071B 外表面(壁面)
1201 基板处理装置(处理液处理装置)
1217 软X射线照射单元(X射线照射单元)
1301 基板处理装置(处理液处理装置)
1307 内槽
1317 软X射线照射单元(X射线照射单元)
1321 开口
1401 基板处理装置(处理液处理装置)
1407 内槽
1417 软X射线照射单元(X射线照射单元)
1421 开口
1423 管
1602 基板容器(处理对象物)
C 旋转轴线
L 镜片
W 基板(处理对象物)

Claims (38)

1.一种处理液供给装置，用于从喷出口喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物，其特征在于，包括：
第一管，能够使处理液在内部流动，该第一管的内部与所述喷出口相连通；
X射线照射单元，用于向在所述第一管内存在的处理液照射X射线；
在所述第一管的管壁上具有开口，
所述开口被窗构件堵塞，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成，
所述X射线照射单元，经由所述窗构件向在所述第一管内存在的处理液照射X射线。
2.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，所述窗构件由铍或聚酰亚胺树脂形成。
3.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，在所述窗构件的存在处理液的一侧的壁面，形成有保护膜。
4.如权利要求3所述的处理液供给装置，其特征在于，所述保护膜是含有聚酰亚胺树脂、类金刚石碳、氟类树脂及烃类树脂中的一种以上材料的保护膜。
5.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，所述X射线照射单元包括X射线发生器，所述X射线发生器用于发生X射线，并具有与所述窗构件相向配置的照射窗，从所述照射窗照射所发生的X射线。
6.如权利要求5所述的处理液供给装置，其特征在于，所述X射线照射单元还包括：
罩体，以与所述X射线发生器相隔开的方式包围该X射线发生器的周围；
气体供给单元，用于向所述罩体的内部供给气体。
7.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述第一管包括处理液管，在所述处理液管的内部，处理液向所述喷出口流动，
所述X射线照射单元向在所述第一管内流动的处理液照射所述X射线。
8.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述处理液供给装置还包括处理液管，在所述处理液管的内部，处理液向所述喷出口流动，
所述第一管包括从所述处理液管分支而成的分支管。
9.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，还包括配置在所述喷出口的纤维状物质，从该喷出口喷出的处理液沿着该纤维状物质流动。
10.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，还包括：
电极，配置在所述第一管上的比所述X射线的照射位置更靠处理液流动方向上的下游侧的位置；
电源，用于对所述电极施加电压。
11.如权利要求10所述的处理液供给装置，其特征在于，所述电极配置在所述第一管的前端部。
12.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，还包括：
处理液检测单元，用于检测在所述第一管的所述X射线的照射位置是否存在处理液；
X射线照射控制单元，在所述照射位置存在处理液时，使所述X射线照射单元照射X射线，在所述照射位置不存在处理液时，使所述X射线照射单元不照射X射线。
13.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
基板保持单元，用于保持基板，
权利要求1～7、9～12中任一项所述的处理液供给装置；
从所述喷出口喷出的处理液供给至所述基板的主面。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持单元包括基板保持旋转单元，该基板保持旋转单元用于将基板保持为水平姿势，并使该基板绕着铅垂方向的规定的旋转轴线旋转，
所述基板处理装置还包括筒状的液体阻挡构件，该液体阻挡构件包围所述基板保持旋转单元的周围，
所述处理液供给装置还包括处理液管，在所述处理液管的内部，处理液向所述喷出口流动，
所述处理液供给装置的所述第一管包括从所述处理液管分支而成的分支管，
所述分支管包括用于向所述液体阻挡构件喷出处理液的液体阻挡构件用喷出口。
15.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持单元包括基板保持旋转单元，该基板保持旋转单元将基板保持为水平姿势，并使该基板绕着铅垂方向的规定的旋转轴线旋转，
所述基板保持旋转单元具有支撑构件，所述支撑构件与所述基板的下表面的至少一部分接触，来将该基板支撑为水平姿势，
所述支撑构件由多孔材料形成，
从所述喷出口喷出的处理液供给至所述支撑构件。
16.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持单元包括基板保持搬运单元，所述基板保持搬运单元一边保持所述基板，一边向规定的搬运方向搬运该基板。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持搬运单元，在以相对于水平面倾斜的姿势保持所述基板的情况下，沿着所述搬运方向搬运所述基板。
18.一种处理液供给方法，用于从处理液供给装置的喷出口喷出处理液，来将该处理液供给至处理对象物，其特征在于，
包括：
相向配置工序，使所述喷出口与所述处理对象物相向，
第一X射线照射工序，将X射线经由窗构件照射至在第一管的内部存在的处理液，其中，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成且堵塞在与所述喷出口连通的所述第一管的管壁上形成的开口；
处理液喷出工序，与所述第一X射线照射工序并行地从所述喷出口喷出处理液；
在所述处理液喷出工序中，处理液在所述喷出口和所述处理对象物之间以液体状连接在一起。
19.如权利要求18所述的处理液供给方法，其特征在于，在所述处理液喷出工序中，从所述喷出口喷出的处理液呈将该喷出口和所述处理对象物连接起来的连续液流形状。
20.如权利要求18或19所述的处理液供给方法，其特征在于，所述处理对象物为内部流动液体的第二管。
21.如权利要求18或19所述的处理液供给方法，其特征在于，所述处理对象物为用于收容物品的容器。
22.一种基板处理方法，利用从处理液供给装置的喷出口喷出的处理液，来对基板进行处理，其特征在于，
包括：
相向配置工序，使所述喷出口与被基板保持单元保持的基板的主面相向；
第一X射线照射工序，将X射线经由窗构件照射至在第一管的内部存在的处理液，其中，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成且堵塞在与所述喷出口连通的所述第一管的管壁上形成的开口；
处理液喷出工序，与所述第一X射线照射工序并行地从所述喷出口喷出处理液；
在所述处理液喷出工序中，处理液在所述喷出口和所述基板的主面之间以液体状连接在一起。
23.如权利要求22所述的基板处理方法，其特征在于，在所述处理液喷出工序中，从所述喷出口喷出的处理液呈将该喷出口和所述基板的主面连接起来的连续液流形状。
24.如权利要求22或23所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板被所述基板保持单元保持为水平姿势，
所述相向配置工序，包括使所述喷出口与被所述基板保持单元保持的基板的上表面相向的工序。
25.如权利要求22或23所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板被所述基板保持单元保持为水平姿势，
所述相向配置工序，包括使所述喷出口与被所述基板保持单元保持的基板的下表面相向的工序，
所述基板处理方法还包括：
基板旋转工序，与所述处理液喷出工序并行地使所述基板绕着铅垂方向的规定的旋转轴线旋转，
上表面处理液供给工序，与所述处理液喷出工序及所述基板旋转工序并行地向所述基板的上表面供给处理液。
26.如权利要求22或23所述的基板处理方法，其特征在于，还包括第二X射线照射工序，在所述第二X射线照射工序中，与在所述处理液喷出工序结束后执行的液体甩干处理或干燥处理并行地，向所述基板的主面照射X射线。
27.一种处理液处理装置，用于将处理对象物浸渍在处理液中来进行处理，其特征在于，包括：
处理槽，用于储存处理液，并在该处理液中浸渍处理对象物；
X射线照射单元，用于向在管内存在的处理液照射X射线，所述管是指，能够使处理液在内部流动的管，该管的内部与所述处理槽的内部相连通；
在所述管的管壁上具有开口，所述管内存在的处理液和所述处理槽中储存的处理液以液体状连接在一起，
所述开口被窗构件堵塞，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成，
所述X射线照射单元经由所述窗构件向所述管内存在的处理液照射X射线。
28.如权利要求27所述的处理液处理装置，其特征在于，所述窗构件由铍或聚酰亚胺树脂形成。
29.如权利要求27所述的处理液处理装置，其特征在于，在所述窗构件的存在处理液的一侧的壁面，形成有保护膜。
30.如权利要求29所述的处理液处理装置，其特征在于，所述保护膜是含有聚酰亚胺树脂、类金刚石碳、氟类树脂及烃类树脂中的一种以上材料的保护膜。
31.如权利要求27所述的处理液处理装置，其特征在于，所述X射线照射单元包括X射线发生器，所述X射线发生器用于发生X射线，并具有与所述窗构件相向配置的照射窗，从所述照射窗照射所发生的X射线。
32.如权利要求31所述的处理液处理装置，其特征在于，所述X射线照射单元还包括：
罩体，以与所述X射线发生器相隔开的方式包围该X射线发生器的周围；
气体供给单元，用于向所述罩体的内部供给气体。
33.如权利要求27所述的处理液处理装置，其特征在于，
所述管包括处理液供给管，所述处理液供给管与所述处理槽的内部相连通，用于向所述处理槽内供给处理液，
所述X射线照射单元向在所述处理液供给管内流动的处理液照射所述X射线。
34.如权利要求27所述的处理液处理装置，其特征在于，
所述处理槽包括：
内槽，用于储存处理液，在该处理液中浸渍处理对象物，
外槽，用于回收从所述内槽溢出的处理液；
所述管包括溢流管，从所述外槽回收的处理液在所述溢流管内流动，
所述X射线照射单元向在所述溢流管内流动的处理液照射所述X射线。
35.如权利要求27所述的处理液处理装置，其特征在于，
所述处理槽包括：
内槽，用于储存处理液，在该处理液中浸渍处理对象物，
外槽，用于回收从所述内槽溢出的处理液；
所述X射线照射单元向储存于所述内槽内的处理液照射所述X射线。
36.如权利要求27～32中任一项所述的处理液处理装置，其特征在于，
所述处理槽包括：
内槽，用于储存处理液，在该处理液中浸渍处理对象物，
外槽，用于回收从所述内槽溢出的处理液；
所述管包括内部与所述内槽的内部相连通的管。
37.一种处理液处理方法，其特征在于，包括：
处理对象物浸渍工序，在储存于处理槽内的处理液中浸渍处理对象物；
X射线照射工序，与所述处理对象物浸渍工序并行地，经由窗构件向在管内存在的处理液照射X射线，所述管是指，能够使处理液在内部流动的管，该管的内部与所述处理槽的内部相连通，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成且堵塞在所述管的管壁上形成的开口，
在所述处理对象物浸渍工序中，所述管内存在的处理液和所述处理槽中储存的处理液以液体状连接在一起。
38.一种处理液处理方法，其特征在于，
包括：
处理对象物浸渍工序，在储存于处理槽内的处理液中浸渍处理对象物，
处理液喷出工序，与所述处理对象物浸渍工序并行地，从喷出口向所述处理槽内喷出处理液，
X射线照射工序，与所述处理液喷出工序并行地，经由窗构件向在管的内部存在的处理液照射X射线，所述管是指，与所述喷出口相连通的管，所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成且堵塞在所述管的管壁上形成的开口；
在所述处理液喷出工序中，使处理液在所述喷出口和储存于所述处理槽内的处理液的液面之间以液体状连接在一起。
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