JP2005072559A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ケーシング20の基板搬入出口7と反対側の側面に透過窓6が設けられている。イオナイザ5は、洗浄処理部MPC1,MPC2の透過窓6側の外部に設けられている。透過窓6は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等からなる。イオナイザ5から照射された微弱X線は、透過窓6を通って、洗浄処理部MPC1,MPC2の基板搬入出口7、シャッタSH、スピンチャック21、ガード24等に到達する。スピンチャック21は複数の導電性保持ピンPを備える。
【選択図】 図2
Description
0は、基板Wの洗浄処理後の基板Wの乾燥処理時に、基板Wに対して窒素ガスを供給する。なお、基板に対して供給するガスは窒素ガスに限らず、他の不活性ガスを用いてもよい。
図8は、第2の実施の形態に係る基板処理装置100aの平面図である。
上記第1および第2の実施の形態では、微弱X線を照射するイオナイザ5を用いているが、他のイオナイザを用いてもよい。例えば、引火性および腐食性でない雰囲気中で基板処理を行う基板処理装置の場合は、ケーシング20内および筐体60内にイオナイザとして放電式の除電器を設けてもよい。
実施例においては、図5の構造を有する保持ピンPを用いた。保持ピンPの材料としては、日本ポリペンコ株式会社製導電性PEEK(PK−450CA)を用いた。洗浄処理では、スピンチャック21により基板Wを回転させながら純水で基板Wを洗浄した。乾燥処理では、スピンチャック21により基板Wを回転させながら基板W上の純水を振り切ることにより基板Wを乾燥させた。透過窓6にはポリイミド樹脂フィルムを用いた。
比較例においては、イオナイザ5から微弱X線を照射しない点を除いて実施例1と同じ洗浄処理部MPC1を用いて同じ条件により基板Wに洗浄処理および乾燥処理を行った。
実施例および比較例において以下の方法で洗浄処理部MPC1内の帯電量を測定した。
4 メイン制御部
5 イオナイザ
6 透過窓
7 基板搬入出口
20 ケーシング
21 スピンチャック
24 ガード
26,39 処理液供給管
100,100a 基板処理装置
IR インデクサロボット
CR 基板搬送ロボット
ASH アッシング部
CP クーリングプレート部
MPC1,MPC2 洗浄処理部
W 基板
P 保持ピン
Claims (23)
- 基板を保持する基板保持手段と、
X線を発生して前記基板保持手段を含む雰囲気の少なくとも一部に向けて照射するX線照射手段と、
前記基板保持手段と前記X線照射手段との間に配置された隔壁とを備え、
前記隔壁は、少なくとも一部に前記X線照射手段により発生されるX線を透過するX線透過部を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段は、前記基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記導電性材料は、導電性樹脂を含むことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記導電性樹脂は、導電性ポリエーテルエーテルケトンを含むことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記導電性材料は、金属材料を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記金属材料は、金または白金を含むことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 前記X線透過部は、樹脂材料からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記樹脂材料は、ポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
- 前記樹脂材料は、アクリル系樹脂を含むことを特徴とする請求項7または8記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、基板を保持しつつ回転させることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段に保持された基板に処理流体を供給する処理流体供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲み、処理流体の飛散を防止する飛散防止手段をさらに備え、
前記X線照射手段は、前記飛散防止手段の近傍の雰囲気に向けてX線を照射することを特徴とする請求項11記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持された基板に熱処理を行う熱処理手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記X線照射手段は、前記基板保持手段の近傍の雰囲気に向けてX線を照射することを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記X線照射手段は、前記基板保持手段の上方における下降流に向けてX線を照射することを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段の周囲を取り囲む処理室をさらに備え、
前記隔壁は、前記処理室の一側面であることを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、基板の搬入または搬出のための開口部をさらに備え、
前記X線照射手段は、前記開口部の近傍の雰囲気に向けてX線を照射することを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。 - 基板搬送手段をさらに備え、
前記X線照射手段は、前記基板搬送手段が搬送する基板の移動経路に交差するようにX線を照射することを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載の基板処理装置。 - 基板搬送手段をさらに備え、
前記X線照射手段は、前記基板搬送手段が搬送する基板の移動経路の上方における下降流に向けてX線を照射することを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載の基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を含む雰囲気を除電する除電手段とを備え、
前記基板保持手段は、前記基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなることを特徴とする基板処理装置。 - 基板保持手段により基板を保持するステップと、
前記基板保持手段に保持された基板に処理を行うステップと、
隔壁の少なくとも一部に設けられたX線透過部を通して前記基板保持手段を含む雰囲気にX線を照射するステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板を保持するステップは、基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなる基板保持手段により基板を保持するステップを含むことを特徴とする請求項21記載の基板処理方法。
- 基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなる基板保持手段により基板を保持するステップと、
前記基板保持手段に保持された基板に処理を行うステップと、
前記基板保持手段を含む雰囲気を除電するステップとを備えたこと特徴とする基板処理方法。
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