KR102133658B1 - 접지식 척 - Google Patents

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KR102133658B1
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램 리서치 아게
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Abstract

스핀 척들에서의 개선된 정전하의 감소는, 화학적으로 불활성인 재료로 형성되고 도전성 인레이를 포함하는 하나 이상의 핀 어셈블리들을 제공함으로써 달성된다.

Description

접지식 척{GROUNDED CHUCK}
본 발명은, 정전하의 축적을 감소시키도록 구성된 물품들, 이를테면, 반도체 웨이퍼들의 표면들을 처리하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 집적 회로들의 제조 동안 다양한 습식 처리 단계들을 경험한다. 이러한 처리들을 수용하기 위해, 단일의 웨이퍼는 회전식 또는 비회전식 캐리어와 연관된 척에 의해 하나 이상의 처리 유체 노즐들에 관계하여 지지될 수도 있다. 웨이퍼 지지 척들은, 예를 들어, 미국 특허 제4,903,717호, 미국 특허 제5,513,668호, 미국 특허 제6,435,200호 및 미국 특허 제6,536,454호에 기술되어 있다.
반도체 웨이퍼 처리가, 웨이퍼 표면 상에, 원하지 않는 정전하의 축적을 야기시킬 수 있다는 것이 공지되어 있다. 예를 들어, 유럽 특허 출원 제1,077,473호에는, 이산화탄소를 탈이온수 처리 유체에 도입시켜서 그 처리 유체를 도전되게 함으로써 정전하의 축적을 감소시킬 수도 있다는 것이 기술되어 있다. 이 방법은, 도전성 처리 유체에 의해 접촉되지 않는 웨이퍼-핸들링 컴포넌트들에서의 정전하 축적에 대한 가능성을 직접적으로 해결하지 못하며, 어떠한 경우에도, 탈이온수와 2-프로판올과 같은 비교적 비도전성의 처리 유체들의 사용을 불가능하게 한다. 미국 특허 제7,335,090호는, 도전성 수지로 형성되고 스테인리스 스틸 샤프트와 연관되는 홀딩 핀들을 갖는 스핀 척에 관한 것으로, 결국, 이 스테인리스 스틸 샤프트는 방사상의 금속 베어링들에 의해 지지된다. 그러나, 스틸 샤프트의 존재는, 회피되어야 할, 반도체 웨이퍼가 철로 오염될 수도 있다는 위험성을 발생시킨다. 또한, 스테인리스 스틸 샤프트와 수지 핀들 사이의 연결이 특정되지 않고, 방사상의 베어링들을 통한 연결들이, 예를 들어, 베어링 윤활유들의 존재로 인해, 신뢰할 수 없는 전기적 접촉들이 존재할 가능성이 있다.
본 발명자들은, 웨이퍼-처리 장비에서의 정전하 축적을 제한하기 위한 기존의 기법들이 충분히 만족스럽지 않다는 것을 발견하였다. 예를 들어, 장비 컴포넌트들이 폴리비닐리덴 플루오라이드 (polyvinylidene fluoride; PVDF), 폴리에테르에테르케톤 (polyetheretherketone; PEEK) 또는 폴리테트라-플루오로에틸렌 (polytetra-fluoroethylene; PTFE) 과 같은 비교적 비도전성의 재료들을 포함하는 경우, 정전하가 이들 컴포넌트들 뿐만 아니라 웨이퍼 자체에도 축적될 수도 있다. 탈이온수 또는 2-프로판올과 같은 비교적 비도전성의 처리 유체들의 사용도 또한 정전하의 축적의 원인이 될 수도 있다.
정전하 축적은 미립자들 및 공기매개 오염물질들의 원하지 않는 누적을 야기시킬 수 있다. 일부 경우에는, 정전 방전이 웨이퍼에서 또는 웨이퍼 근처에서 발생할 수도 있어서, 웨이퍼 상의 집적 회로의 컴포넌트들을 손상시킬 수 있고 또는 파괴시킬 수 있다.
아래에 더 상세히 기술되는 바와 같이, 척을 통한, 그리고 특히 처리 동안 웨이퍼를 지지하는 핀 어셈블리들을 통한 도전 경로를 제공하여, 척과 웨이퍼가 접지되도록 함으로써, 원하지 않는 정전하가 감소되거나 또는 본질적으로 제거될 수 있다는 것을 발견하였다.
본 발명의 방법들 및 장치는 반도체 웨이퍼들에 대한 처리 장비에 대한 사용으로 제한되지 않고, 다른 재료들의 표면들, 예를 들어, 광학 디스크들 및 LCD 디스플레이 패널들을 제조함에 있어서 사용되는 글래스 마스터들 및 마더 패널들의 표면들을 처리할 뿐만 아니라, 상술한 기판들의 처리 동안에 사용되는 처리 챔버들의 표면들을 클리닝하기 위한 장비도 적용된다.
본 발명에 따라서, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스에 있어서, 웨이퍼 형상 물품 상에서 수행되는 처리 동작 동안 상기 웨이퍼 형상 물품을 미리 결정된 배향 (orientation) 으로 유지하도록 구성된 척을 포함하고, 상기 척은, 척 보디, 및 처리될 웨이퍼 형상 물품을 지지하도록 상기 척 보디에 대해 구성되고 위치결정되는 복수의 핀 어셈블리들을 포함하고, 상기 핀 어셈블리들 중 적어도 하나의 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 재료로 형성되고, 한쪽 단부에 전기 도전성 인레이 (electrically conductive inlay) 를 포함하며, 상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리에 형성된 오목부 (recess) 에 수용되고, 베어링 엘리먼트를 물리적 및 전기적으로 인게이지하도록 (engage) 구성되고, 상기 핀 어셈블리들은 상기 화학적으로 불활성인 도전성 폴리머 재료로 형성되고 상기 오목부를 둘러싸는 기어 휠을 포함하여, 상기 핀 어셈블리들은 상기 기어 휠과 맞물리는 (meshing with) 기어 메커니즘에 의해 상기 기어 메커니즘과 상기 전기 도전성 인레이 사이의 접촉 없이 구동될 수 있고, 상기 핀 어셈블리들은 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀 (gripping pin) 을 포함하고, 상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 상기 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하고, 그리고 상기 적어도 하나의 핀 어셈블리로부터 상기 베어링 엘리먼트에 이르는 전기 도전성 경로가 접지되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스를 개시됩니다.
본 발명에 따라서, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 구조물로서, 핀 어셈블리를 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 도전성 재료로 형성되고, 상기 핀 어셈블리의 한쪽 단부에서 형성된 오목부에 수용되고 베어링 엘리먼트에 물리적 및 전기적으로 인게이지하도록 구성되는 전기 도전성 인레이를 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 상기 화학적으로 불활성인 도전성 재료 내에 형성되고 그리고 상기 오목부를 둘러싸는 기어 휠을 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 상기 기어 휠과 맞물리는 기어 메커니즘에 의해 그리고 상기 기어 메커니즘과 상기 인레이 사이에 접촉하지 않고 구동될 수 있고, 상기 핀 어셈블리는 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀을 포함하고, 상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 상기 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하고, 그리고 상기 핀 어셈블리로부터 상기 베어링 엘리먼트에 이르는 전기 도전성 경로가 접지되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 구조물을 개시됩니다.
본 발명에 따라서, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 핀 어셈블리로서, 상기 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 도전성 폴리머 재료로 형성되고, 상기 핀 어셈블리의 한쪽 단부에서 형성된 오목부 내에 수용되는 전기 도전성 인레이를 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 상기 화학적으로 불활성인 도전성 재료 내에 형성되고 그리고 상기 오목부를 둘러싸는 기어 휠을 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 상기 기어 휠과 맞물리는 기어 메커니즘에 의해 그리고 상기 기어 메커니즘과 상기 인레이 사이에 접촉하지 않고 구동될 수 있고, 상기 핀 어셈블리는 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀을 포함하고, 상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 상기 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 핀 어셈블리가 개시됩니다.
첨부 도면들을 참조하여 제공되는, 본 발명의 바람직한 실시형태들의 이하의 상세한 설명을 판독한 후에 본 발명의 다른 목적들, 특징들 및 이점들이 더욱 명백해질 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 접지식 척을 예시한 섹션의 부분 투시도이다.
도 2 는 도 1 의 영역 Ⅱ 의 확대 상세도이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 핀 어셈블리의 섹션의 확대 부분 투시도이다.
도 4 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 핀 어셈블리의 투시도이다.
도 5 는 도 4 의 핀 어셈블리의 섹션의 부분 투시도이다.
도 1 에서, 웨이퍼 형상의 물품을 홀딩하기 위한 것으로 의도되고, 특히 처리 유체를 이용한 처리 동안의 척 (1) 은, 스핀들 (spindle; 10) 상에 장착된다. 스핀들 (10) 은, 척 (1) 이 스핀들 (10) 에 의해 회전될 수 있도록 회전가능한 것이 바람직하다. 이러한 회전식 척 ("스핀 척") 은 반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 처리를 위한 처리 챔버에 의해 둘러싸일 수도 있다.
이 실시형태에서, 척 (1) 은, 일반적으로 컵 형상의 베이스 보디 (4), 원형 커버 (2) 및 네이브 (nave; 6) 를 포함하는 척 보디를 포함한다.
베이스 보디 (4) 는, 네이브 (6) 가 장착되는 중심 개구를 포함한다. 또한, 네이브 (6) 도 중심 개구를 포함하고, 그 형상은 스핀들 (10) 을 동작적으로 인게이지하도록 선택된다. 도 1 에 도시된 실시형태에서는, 네이브 (6) 의 원추형 중심 개구가 상보적 원추형 스핀들 (10) 과 대응한다.
커버 (2) 는, 환형 리브를 통해 베이스 보디 (4) 의 외측 림 (rim) 상의 그 외주부에 장착되어, 베이스 보디 (4) 의 상측면과 커버 (2) 의 하측면 사이에 내부 갭이 제공되도록 한다.
커버 (2) 는 그 단면이 일반적으로 C 형상으로 되어 있어서, 본질적으로 연속적인 상측부와 환형의 하측부를 포함한다. 커버 (2) 의 상측부와 하측부는 서로 분리되어 내부 가스 분배 챔버 (45) 를 형성한다.
커버 (2) 의 환형 하측부는 회전 디스크 (5) 를 통해 네이브 (6) 의 한쪽 단부에서의 주변 영역을 기계적으로 인게이지하게 한다. 따라서, 척 (1) 이 스핀들 (10) 상에 장착되는 경우, 스핀들 (10) 의 말단부는 네이브 (6) 의 중심 개구를 통과하여 가스 분배 챔버 (45) 내로 연장된다.
스핀들 (10) 은 중공 (hollow) 이고, 그 말단부에는 복수의 방사상으로 지향된 스루홀들 (42) 을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 중공 스핀들 (10) 을 통해 전달된 가압 가스가 이들 스루홀들 (42) 을 통해 가스 분배 챔버 (45) 로 지향될 수도 있다.
커버 (2) 는, 가스 분배 챔버로부터 커버 (2) 의 상측면까지 연장된, 환형으로 배치된 복수의 홀들 (48) 을 더 포함한다. 따라서, 중공 스핀들 (10), 스루홀들 (42), 가스 분배 챔버 (45) 및 홀들 (48) 을 통해 가스가 전달될 수도 있어서, 웨이퍼가, 존재하는 경우, 처리 동안 가스 쿠션 상에 플로팅될 수도 있다. 또한, 베르누이 원리 (Bernoulli principle) 로 동작하는 척 (1) 에 웨이퍼를 고정시키는 것을 보조하기 위해 이러한 가스가 이용될 수도 있다.
기어 림 (22) 은 베이스 보디 (4) 의 상측면과 커버 (2) 의 하측면 사이에 형성된 갭에 수용된다. 이 기어 림 (22) 은 네이브 (6) 와 커플링되고, 방사상으로 외측으로 연장된 주변 티스 (peripheral teeth) 를 통해 복수의 핀 어셈블리들 (18) 각각의 기어 휠 (20) 과 맞물린다 (mesh).
예를 들어 도 2 에 도시된 바와 같이, 각각의 핀 어셈블리 (18) 는 기어 휠 (20) 로부터 연장된 샤프트를 더 포함하고, 그 샤프트는 커버 (2) 의 보어 (bore) 들 내에 회전가능하게 수용되고, 샤프트의 회전 축과 편심 배치된 그립 핀 (gripping pin; 19) 을 갖는다. 각각의 핀 어셈블리 (18) 는 커버 (2) 를 향해 니들 베어링 (needle bearing; 16) 과 관련 나선형 스프링 (15) 에 의해 상측으로 압박되고, 그 각각은 베이스 보디 (4) 의 상측으로 연장된 외측의 주변 에지 내에 형성된 오목부 내에 위치된다.
핀 어셈블리들 (18) 의 샤프트들이 기어 림 (22) 의 보조로 턴을 함으로써, 척 (1) 의 회전 축으로부터의 그립 핀들 (19) 의 방사 거리가 변할 수 있다. 편심 위치된 핀들을 회전시키기 위해 기어 림과 척 보디의 상대 이동을 제공하기 위한 메커니즘들은, 예를 들어, 미국 특허 제4,903,717호 및 미국 특허 제5,513,668호에 기술된 바와 같이, 공지되어 있다. 그립 핀들 (19) 은 척 (1) 상에 홀딩된 웨이퍼 형상 물품 (예를 들어, 반도체 웨이퍼, 미도시) 의 가로 보유를 위한 단차들로서 기능한다.
때때로 웨이퍼 처리에 사용되는 높은 부식성의 화학물질들에 대해 비교적 불활성인 재료로부터, 웨이퍼 지지 핀들과 같은 척 컴포넌트들을 형성하는 것이 공지되어 있다. 이러한 재료들은, 그 중에서도, 폴리비닐리덴 플루오라이드 (polyvinylidene fluoride; PVDF), 폴리에테르에테르케톤 (polyetheretherketone; PEEK) 및 폴리테트라-플루오로에틸렌 (polytetra-fluoroethylene; PTFE) 을 포함한다. 상술한 바와 같이, 이들 비도전적 재료들은 원하지 않는 정전하의 축적을 발생시켜서, 정전 방전으로 인해 웨이퍼 상의 집적 회로의 전자 엘리먼트들에 대한 손상 또는 오염물질들의 누적의 위험성을 야기시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 핀 어셈블리들 (18) 중 하나 이상은, 도전성 플라스틱과 같은 정전기 소산 재료 또는 도전 재료로 형성된다. 그 결과, 도전성 핀 어셈블리들 (18) 을 통해 정전하가 방산된다.
충분한 도전 특성들을 갖는 임의의 비교적 도전성의 플라스틱 재료가 사용될 수도 있다는 것을 인식할 수 있다. 예를 들어, 적합한 도전성 플라스틱 재료들은, 테스트 방법 DIN IEC 60093 하에서 ≤ 106 ohm*cm 및 ≤ 106 ohm 의 체적 및 표면 저항률을 각각 나타내는 것으로 보고된 상품명 SIMONA PVDF-EL 로 판매되는 것과 같은, 도전성 탄소를 포함하는 폴리비닐리덴 플루오라이드를 포함한다. 다른 비교적 도전성의 플라스틱들은, 예를 들어, 상품명 Fluon LM-ETFE AH-3000 으로 판매되는 것과 같은, 탄소 충진된 에틸렌 테트라플루오로에틸렌, 및, 예를 들어, 탄소 섬유 시트들과 폴리머 층들의 복합물을 포함하고, 층들의 방향으로 약 10-1 ohm*cm 및 10-1 ohm 의 체적 및 표면 저항률을 각각 나타내고 층들과 수직인 방향으로 약 100 ohm*cm 및 101 ohm 의 체적 및 표면 저항률을 각각 나타내는 것으로 여겨지는 상품명 VESPEL CR-6110 으로 Dupont 에 의해 판매되는 것과 같은, 탄소 섬유 충진된 퍼플루오로알콕시를 포함한다.
*도 2 에 가장 잘 도시되어 있는 바와 같이, 핀 어셈블리들 (18) 로부터 척 (1) 을 통해 스핀들 (10) 까지 연장되는 도전 경로가 제공된다.
도 2 를 참조하면, 도전성 스프링 시트 (conductive spring seat; 14) 는 나선형 스프링 (15) 아래에서 그 나선형 스프링 (15) 과 전기적 접촉한 상태로 위치된다. 또한, 나선형 스프링 (15) 과 니들 베어링이 도전성 재료로 형성된다.
도전 링 (13) 은 (예를 들어, 금속성 스크류들에 의해) 스프링 시트 (14) 에 전기적으로 연결된다. 또한, 하나 이상의 방사상으로 연장된 전도체들 (12) 은 베이스 보디 (4) 의 상측면과 결합되고 (예를 들어, 금속성 스크류들에 의해) 도전 링 (13) 에 전기적으로 연결된다. 도 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 스프링 시트 (14), 도전 링 (13) 및 방사상으로 연장된 전도체들 (12) 은 모두, 베이스 보디 (4) 의 상측면과 커버 (2) 의 하측면 사이에 형성되는 내부 갭 내에 위치된다.
금속으로 형성되는 것이 바람직한 도전 부재 (11) 는 방사상으로 연장된 전도체들 (12) 로부터 베이스 보디 (4) 및 네이브 (6) 를 통해 연장된다. 도전 부재 (11) 는, 척 (1) 이 스핀들 (10) 상에 장착되는 경우, 상술한 척 (1) 의 도전 경로가 스핀들에 전기적으로 연결되도록 하는 금속 스프링을 포함하는 것이 바람직하고, 이 금속 스프링은 또한 도전성이다.
따라서, 척 (1) 은 핀 어셈블리들 (18), 니들 베어링 (16), 나선형 스프링 (15), 스프링 시트 (14), 도전 링 (13), 방사형 전도체들 (12) 및 도전 부재 (11) 를 통해 이르는 도전 경로를 제공한다. 스핀들 (10) 상에 장착되는 경우, 상술한 도전 경로는 도전 부재 (11) 를 통해 스핀들 (10) 까지 연속되고, 결국, 예를 들어, 관련 툴 프레이밍 (tool framing) 또는 다른 적합한 도전성 싱크로의 전기적 연결에 의해 전기적으로 접지될 수도 있다.
또한, 도 3 에 도시된 바와 같이, 핀 어셈블리들 (18) 은, 금속으로 형성되고 핀 어셈블리 (18) 의 중심 보어 내에 위치되며 그 하단부로 연장되어 니들 베어링 (16) 을 물리적 및 전기적으로 접촉시키는 것이 바람직한 도전성 인레이 (17) 를 포함한다. 또한, 인레이 (17) 는, 니들 베어링 (16) 을 수용하여 핀 어셈블리 (18) 와 니들 베어링 (16) 사이의 전기적 접촉을 더욱 향상시키기 위한 니들 베어링 시트 (17s) 를 포함한다.
대안적인 실시형태에서, 핀 어셈블리들 (218) 이 도 4 및 도 5 에 도시된 바와 같이 제공될 수 있다. 핀 어셈블리들 (218) 은, 그립 핀들 (219) 이 굴곡지고 감소된 직경 웨이스트 (waist) 를 포함한다는 것을 제외하고는, 기어 휠 (220) 과 도전성 인레이 (217) 를 포함하는, 도 3 에 도시된 것과 본질적으로 유사하다. 그립 핀들 (219) 은, 베르누이 원리로 동작하는 가스 쿠션을 제공하지 않는 척들과 관련해서도 유용한 바와 같이, 웨이퍼에 대한 가로 지지와 세로 지지 양쪽 모두를 제공할 수 있다는 것을 알 수 있다.
본 발명의 상술한 특징들은, 안정된 전기적 접촉을 확립할 필요가 있고 상당히 증가된 마찰 및 마멸을 야기시키는 이동부들, 이를테면, 기어들의 과도한 조임을 필요로 하는 일 없이 정전하를 방산시키기 위한 전기 경로를 확립한다는, 놀랍고도 지금까지 알려지지 않은 이점을 제공한다.
본 발명은 다양한 바람직한 실시형태들과 관련하여 기술되었으나, 이들 실시형태들은 첨부된 청구범위의 참된 범위 및 사상에 의해 제공된 보호의 범위를 제한하기 위한 구실로서 이용되지 않아야 하는 것을 이해해야 한다.

Claims (16)

  1. 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스에 있어서,
    웨이퍼 형상 물품 상에서 수행되는 처리 동작 동안 상기 웨이퍼 형상 물품을 미리 결정된 배향 (orientation) 으로 유지하도록 구성된 척을 포함하고,
    상기 척은,
    척 보디, 및
    처리될 웨이퍼 형상 물품을 지지하도록 상기 척 보디에 대해 구성되고 위치결정되는 복수의 핀 어셈블리들을 포함하고,
    상기 핀 어셈블리들 중 적어도 하나의 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 재료로 형성되고, 한쪽 단부에 전기 도전성 인레이 (electrically conductive inlay) 를 포함하며,
    상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리에 형성된 오목부 (recess) 에 수용되고, 베어링 엘리먼트를 물리적 및 전기적으로 인게이지하도록 (engage) 구성되고,
    상기 핀 어셈블리들은 상기 화학적으로 불활성인 도전성 폴리머 재료로 형성되고 상기 오목부를 둘러싸는 기어 휠을 포함하여, 상기 핀 어셈블리들은 상기 기어 휠과 맞물리는 (meshing with) 기어 메커니즘에 의해 상기 기어 메커니즘과 상기 전기 도전성 인레이 사이의 접촉 없이 구동될 수 있고,
    상기 핀 어셈블리들은 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀 (gripping pin) 을 포함하고,
    상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 상기 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하고, 그리고
    상기 적어도 하나의 핀 어셈블리로부터 상기 베어링 엘리먼트에 이르는 전기 도전성 경로가 접지되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은, 반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 처리를 위한 처리 챔버에 의해 둘러싸인 스핀 척인, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은, 스핀들 (spindle) 에 의해 인게이지되고 지지되도록 구성되고,
    상기 전기 도전성 경로는 상기 스핀들을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 척 보디는, 상측부와 하측부 사이에 내부 갭을 형성하도록 상기 하측부와 결합된 상기 상측부를 포함하고,
    상기 전기 도전성 경로는 상기 내부 갭 내에 제공되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전기 도전성 경로는, 상기 내부 갭 내에 위치되는 하나 이상의 도전성 엘리먼트들을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 핀 어셈블리들은, 웨이퍼 형상 물품이 상기 척 상에 위치결정되어야 하는 영역 주위에 원형의 시리즈로 위치결정되고,
    상기 핀 어셈블리들 각각은 화학적으로 불활성인 재료로 형성되고, 한쪽 단부에 전기 도전성 인레이를 포함하며,
    상기 전기 도전성 인레이 각각은 상기 베어링 엘리먼트를 물리적 및 전기적으로 인게이지하도록 구성되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 척은, 스핀들에 의해 인게이지되고 지지되도록 구성되고,
    상기 척은, 상기 핀 어셈블리들로부터 상기 베어링 엘리먼트를 통해 상기 스핀들까지 이르는 상기 전기 도전성 경로를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전기 도전성 경로는,
    상기 베어링 엘리먼트에 전기적으로 연결된 전기 도전성 시트,
    상기 전기 도전성 시트에 전기적으로 연결된 방사형 전도체, 및
    상기 방사형 전도체에 전기적으로 연결되고, 상기 척이 상기 스핀들에 인게이지되는 경우 상기 스핀들에 전기적으로 연결되도록 구성되는 도전 부재를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 베어링 엘리먼트는 전기 도전성 니들 베어링인, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  10. 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 구조물로서,
    핀 어셈블리를 포함하고,
    상기 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 도전성 재료로 형성되고, 상기 핀 어셈블리의 한쪽 단부에서 형성된 오목부에 수용되고 베어링 엘리먼트에 물리적 및 전기적으로 인게이지하도록 구성되는 전기 도전성 인레이를 포함하고,
    상기 핀 어셈블리는 상기 화학적으로 불활성인 도전성 재료로 형성되고 그리고 상기 오목부를 둘러싸는 기어 휠을 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 상기 기어 휠과 맞물리는 기어 메커니즘에 의해 그리고 상기 기어 메커니즘과 상기 인레이 사이에 접촉하지 않고 구동될 수 있고,
    상기 핀 어셈블리는 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀을 포함하고,
    상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 상기 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하고, 그리고
    상기 핀 어셈블리로부터 상기 베어링 엘리먼트에 이르는 전기 도전성 경로가 접지되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 구조물.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기어 휠은 상기 그립 핀과 반대되는 단부에 위치되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 구조물.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 베어링 엘리먼트는 전기 도전성 니들 베어링인, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 구조물.
  13. 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 핀 어셈블리로서,
    상기 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 도전성 폴리머 재료로 형성되고, 상기 핀 어셈블리의 한쪽 단부에서 형성된 오목부 내에 수용되는 전기 도전성 인레이를 포함하고,
    상기 핀 어셈블리는 상기 화학적으로 불활성인 도전성 재료로 형성되고 그리고 상기 오목부를 둘러싸는 기어 휠을 포함하고, 상기 핀 어셈블리는 상기 기어 휠과 맞물리는 기어 메커니즘에 의해 그리고 상기 기어 메커니즘과 상기 인레이 사이에 접촉하지 않고 구동될 수 있고,
    상기 핀 어셈블리는 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀을 포함하고,
    상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 핀 어셈블리.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 베어링 엘리먼트는 전기 도전성 니들 베어링인, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스들에 사용하기 위한 핀 어셈블리.
  15. 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스에 있어서,
    웨이퍼 형상 물품 상에서 수행되는 처리 동작 동안 상기 웨이퍼 형상 물품을 미리결정된 배향으로 유지하도록 구성된 척으로서,
    상기 척은,
    척 보디, 및
    처리될 웨이퍼 형상 물품을 지지하도록 상기 척 보디에 대해 구성되고 위치결정되는 복수의 핀 어셈블리들을 포함하고,
    상기 핀 어셈블리들 중 적어도 하나의 핀 어셈블리는 화학적으로 불활성인 재료로 형성되고 한쪽 단부에 전기 도전성 인레이를 포함하며, 상기 전기 도전성 인레이는 상기 핀 어셈블리 내에 형성된 오목부에 수용되고, 베어링 엘리먼트와 물리적 및 전기적으로 인게이지하도록 구성되는, 상기 척을 포함하고,
    상기 복수의 핀 어셈블리 각각이 상기 복수의 핀 어셈블리 각각의 회전축에 대해 회전하도록 상기 복수의 핀 어셈블리들과 인게이지된 기어 메커니즘으로서, 상기 기어 메커니즘은 상기 핀 어셈블리 중 적어도 하나의 핀 어셈블리의 상기 화학적으로 불활성인 재료와 인게이지되고 상기 전기 도전성 인레이와 접촉하지 않는 (non-contact), 상기 기어 메커니즘을 더 포함하고,
    상기 복수의 핀 어셈블리들은 샤프트의 한쪽 단부에 편심 배치된 그립 핀을 포함하고,
    상기 전기 도전성 인레이는 상기 복수의 핀 어셈블리의 하측부에 형성된 중심 개구를 통해서만 상기 복수의 핀 어셈블리에 의해 노출되고 그리고 상기 베어링 엘리먼트를 수용하기 위한 베어링 시트를 포함하고, 그리고
    상기 적어도 하나의 핀 어셈블리로부터 상기 베어링 엘리먼트에 이르는 전기 도전성 경로가 접지되는, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 베어링 엘리먼트는 전기 도전성 니들 베어링인, 웨이퍼 형상 물품들을 처리하는 디바이스.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8608146B2 (en) * 2009-12-18 2013-12-17 Lam Research Ag Reinforced pin for being used in a pin chuck, and a pin chuck using such reinforced pin
US9421617B2 (en) * 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US9136155B2 (en) * 2011-11-17 2015-09-15 Lam Research Ag Method and device for processing wafer shaped articles
US9633890B2 (en) * 2011-12-16 2017-04-25 Lam Research Ag Device for treating surfaces of wafer-shaped articles and gripping pin for use in the device
US9147593B2 (en) * 2012-10-10 2015-09-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US20160115623A1 (en) * 2013-06-06 2016-04-28 Ibiden Co., Ltd. Wafer carrier and epitaxial growth device using same
US9418883B2 (en) * 2013-07-03 2016-08-16 Lam Research Ag Device for holding wafer shaped articles
JP6002101B2 (ja) * 2013-08-29 2016-10-05 株式会社ブリヂストン サセプタ
US9779979B2 (en) * 2014-02-24 2017-10-03 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9887120B2 (en) * 2015-11-03 2018-02-06 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9972514B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
JP6462620B2 (ja) * 2016-03-29 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10483010B2 (en) 2016-09-07 2019-11-19 Lam Research Ag Reduction of surface and embedded substrate charge by controlled exposure to vacuum ultraviolet (VUV) light in low-oxygen environment
CN106548971A (zh) * 2016-10-11 2017-03-29 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种湿法单片清洗机台的卡盘
JP6322256B2 (ja) * 2016-10-21 2018-05-09 株式会社プレテック ウェーハ保持装置及びウェーハ処理装置
JP6965776B2 (ja) * 2018-02-08 2021-11-10 トヨタ自動車株式会社 静電吸着搬送装置およびその方法
KR102138602B1 (ko) * 2018-02-13 2020-07-28 (주)아세아엠텍 휠 지지장치
KR102011334B1 (ko) * 2018-02-13 2019-08-14 (주)아세아엠텍 접지구조를 갖는 휠 지지장치
JP6873178B2 (ja) * 2019-03-26 2021-05-19 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型
KR20210136405A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 주식회사 알파브라더스 블록체인 기술을 이용하여 광고 추천 정보를 안전하게 공유하는 네트워크 노드
GB202012725D0 (en) 2020-08-14 2020-09-30 Lam Res Ag Apparatus for processing a wafer-shaped article
JP2022086363A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102550000B1 (ko) * 2021-08-03 2023-07-03 엘에스이 주식회사 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치
KR102562264B1 (ko) * 2021-08-11 2023-08-02 엘에스이 주식회사 플로팅 가스 가변 유량 제어 기능이 구비된 스핀 척 장치
CN115020315A (zh) * 2022-06-28 2022-09-06 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗设备的卡盘装置及清洗设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005072559A (ja) 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007234882A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板取り扱い方法
JP2008159789A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008198836A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2009059867A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Tokyo Electron Ltd 基板載置台および基板処理装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4213698A (en) * 1978-12-01 1980-07-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces
US4345836A (en) * 1979-10-22 1982-08-24 Optimetrix Corporation Two-stage wafer prealignment system for an optical alignment and exposure machine
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5431421A (en) * 1988-05-25 1995-07-11 Semitool, Inc. Semiconductor processor wafer holder
JPH05175318A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Fujitsu Ltd 静電チャックの基板脱着方法
DE59407361D1 (de) 1993-02-08 1999-01-14 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
JP2862754B2 (ja) * 1993-04-19 1999-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び回転部材
JP2887112B2 (ja) * 1996-08-23 1999-04-26 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
WO1999020407A1 (fr) * 1997-10-22 1999-04-29 Hitachi, Ltd. Appareil permettant d'effectuer un traitement par fluide sur une piece de type plaquette
ATE211855T1 (de) 1999-04-28 2002-01-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und verfahren zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen
EP1077473A2 (en) 1999-08-19 2001-02-21 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for cleaning a surface of a semiconductor wafer
JP3387858B2 (ja) * 1999-08-25 2003-03-17 理化学研究所 ポリッシングパッドコンディショナー
US6536454B2 (en) 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
US8062098B2 (en) * 2000-11-17 2011-11-22 Duescher Wayne O High speed flat lapping platen
US20030230729A1 (en) * 2000-12-08 2003-12-18 Novak W. Thomas Positioning stage with stationary and movable magnet tracks
SE524451C2 (sv) * 2002-12-03 2004-08-10 Alpha Sweden Ab Anordning för att rotera skivformiga föremål
JP4468775B2 (ja) * 2004-09-14 2010-05-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持回転装置
JP2008533697A (ja) 2005-01-18 2008-08-21 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド ウェハ支持ピン部材
KR100734671B1 (ko) 2005-12-28 2007-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조설비용 정전척 장치
JP5022855B2 (ja) * 2007-10-05 2012-09-12 古河機械金属株式会社 リフトピン機構、加熱処理装置、減圧乾燥装置
KR100952035B1 (ko) * 2008-05-19 2010-04-07 주식회사 케이씨텍 매엽식 기판처리장치의 스핀척 장치 및 척핀 작동 방법
KR101388107B1 (ko) 2008-05-21 2014-04-23 주식회사 케이씨텍 매엽식 기판처리장치의 스핀척 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005072559A (ja) 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007234882A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板取り扱い方法
JP2008159789A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008198836A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2009059867A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Tokyo Electron Ltd 基板載置台および基板処理装置

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