JP2007234882A - 基板処理装置および基板取り扱い方法 - Google Patents
基板処理装置および基板取り扱い方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007234882A JP2007234882A JP2006055135A JP2006055135A JP2007234882A JP 2007234882 A JP2007234882 A JP 2007234882A JP 2006055135 A JP2006055135 A JP 2006055135A JP 2006055135 A JP2006055135 A JP 2006055135A JP 2007234882 A JP2007234882 A JP 2007234882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- carrier
- contact
- held
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 311
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 32
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 20
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 abstract 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KYPCEBBTIVAURG-UHFFFAOYSA-N C=C.C=CCl.F.F.F Chemical group C=C.C=CCl.F.F.F KYPCEBBTIVAURG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを収容するキャリヤCを保持するためのキャリヤ保持部2と、基板Wに処理を施す基板処理ユニット41〜44と、キャリヤCと基板処理ユニット41〜44との間で基板Wを搬送するインデクサロボット6および主搬送ロボット30とを備えている。基板処理ユニット41〜44は、基板Wを保持する基板保持手段を備えている。キャリヤCから基板処理ユニット41〜44へと搬送される期間、基板保持手段に保持されている期間、および基板処理ユニット41〜44からキャリヤCへと搬送される期間のいずれにおいても、基板Wは接地状態に保持される。
【選択図】図1
Description
また、この発明の他の目的は、基板処理装置内での基板の誘導帯電を抑制または防止することができる基板取り扱い方法を提供することである。
請求項3記載の発明は、前記キャリヤ保持部に保持されたキャリヤに収容されている基板に接触する第3基板接触部材(20)をさらに含み、この第3基板接触部材の少なくとも基板接触部に導電性部が含まれていて、この導電性部が接地してある、請求項1または2記載の基板処理装置である。
請求項4記載の発明は、基板(W)を収容したキャリヤ(C)をキャリヤ保持部(2)に保持させる工程と、基板に所定の処理を施す際に、基板保持手段(51)によって当該基板を保持する基板保持工程と、前記キャリヤ保持部に保持されたキャリヤと前記基板保持手段との間で基板を搬送する基板搬送工程と、前記基板保持工程および基板搬送工程の全期間において、接地された導電性部材(82,21a,22a,31a,32a)を基板に接触させ、当該基板の帯電を抑制する帯電抑制工程とを含む、基板取り扱い方法である。この方法により、請求項1記載の発明と同様な効果を実現できる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この基板処理装置1は、キャリヤ保持部2を備えたインデクサ部3と、このインデクサ部3に結合された装置本体部10とを備えている。装置本体部10は、処理部5と、この処理部5とインデクサ部3との間、および処理部5に対してインデクサ部3とは反対側にそれぞれ設けられた流体ボックス4とを備えている。
図1では、キャリヤCとして、基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)を用いているが、これ以外にも、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、OC(Open Cassette)等の他の形態のキャリヤを用いることもできる。
基板保持ハンド21,22は、基板Wに接触する基板接触部材である。この実施形態では、基板保持ハンド21,22は、基板Wに接触する部位に、導電性樹脂材料の一例である導電性PEEK(ポリエーテル−エーテルケトン樹脂)で構成した導電性基板保持部材21a,22a(導電性部)を有し、これ以外の部分は金属材料で構成されている。ロボットアーム11,12は、金属のリンク部材で構成してあり、基台部8は金属ケースで構成されている。そして、この基台部8の金属ケースは、電気的に接地されている。これにより、導電性基板保持部材21a,22aは、基板保持ハンド21,22、ロボットアーム11,12および基台部8などを介して接地されており、この導電性基板保持部材21a,22aに基板Wに保持された基板Wは接地電位に保持されるようになっている。したがって、搬送される基板Wの周囲に帯電した部材が存在している場合であっても、誘導帯電が生じることがない。
これらの基板処理ユニット41〜44によって、処理部5の中央領域に、主搬送ロボット30を収容する搬送室25が区画されている。この搬送室25は、主搬送ロボット30によって搬送される基板Wが通る空間であり、主搬送ロボット30の動作空間(旋回空間および昇降空間)を確保している。この搬送室25は、基板処理ユニット41,42と基板処理ユニット43,44とを二分するように形成されている。さらに、インデクサ部3と処理部5との間の流体ボックス4は、インデクサロボット6の移動方向中央付近に通路26を形成するように間隔をあけて配置されている。この通路26は、インデクサロボット6と主搬送ロボット30との間で基板Wを受け渡すための空間を確保する。
主搬送ロボット30は、旋回台33と、この旋回台33上に備えられた第1基板保持ハンド31および第2基板保持ハンド32と、旋回台33を鉛直方向に沿う旋回軸線まわりに回転させるための回転駆動機構(図示せず)と、この回転駆動機構を支持することによって旋回台33を間接的に支持する支持アーム35と、この支持アーム35を昇降させることにより上記第1および第2基板保持ハンド31,32を昇降させる昇降駆動機構(図示せず)と、この昇降駆動機構を内蔵したロボット本体38と、旋回台33に内蔵されて、第1および第2基板保持ハンド31,32を独立に進退させる進退駆動機構(図示せず)とを備えている。
図2は、基板処理ユニット41〜44の構成例を説明するための図解的な断面図である。基板処理ユニット41〜44は、たとえば、基板W(この実施形態ではほぼ円形の基板)をほぼ水平に保持するとともに、この保持した基板Wのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線51aまわりに回転させる基板保持回転機構としてのスピンチャック51と、このスピンチャック51に保持されて回転されている基板Wの表面に向けて処理液を供給する処理液ノズル52とを備えている。むろん、基板処理ユニット41〜44において、同一内容の基板処理が行われてもよいし、異なる基板処理が行われるようになっていてもよい。
処理液供給管57と回転軸56の内壁との間の空間は、プロセスガス供給路59とされており、このプロセスガス供給路59は、中心軸ノズル58の周囲において、基板Wの下方の空間と連通している。プロセスガス供給路59には、プロセスガス供給源からのプロセスガス(たとえば、窒素等の不活性ガス)が、プロセスガスバルブ63を介して供給されるようになっている。
リンク駆動機構87は、回転軸56とともに回転する回転側可動部材88と、この回転側可動部材88の外周側に軸受け89を介して結合された固定側可動部材90と、この固定側可動部材90を昇降させるための挟持ピン駆動用昇降駆動機構91とを備えている。
また、貫通孔100の内壁には、シール部材108,109が回動軸101との間に配置されており、これらは、シール押さえ保持段部107に圧入されたシール押さえ部材110によって保持されている。さらに、シール押さえ部材110の下面側に形成された軸受け保持段部106には、回動軸101を回動自在に軸支する軸受け117が圧入されている。
前述のとおり、挟持ピン82は導電性樹脂で構成され、回動軸101および軸受け保持部119は金属材料で構成されている。そのため、挟持ピン82は、回動軸101、軸受け118、軸受け保持部119、金属テープ120およびボルト92を通る接地経路を介して、回転駆動機構55の回転軸56に電気的に接続されている。そして、図2に示すように、金属製の回転軸56は接地してある。その結果、挟持ピン82によって挟持される基板Wは、保持されている全期間において、接地された状態となっており、周囲に帯電した部材があっても誘導帯電が生じることがない。
まず、スプラッシュガード71が退避位置71Cに配置され、未処理の基板Wが、主搬送ロボット30によって、スピンチャック51に受け渡される。このとき、挟持ピン82は解除位置とされている。主搬送ロボット30の基板保持ハンド31,32が退避すると、挟持ピン駆動用昇降駆動機構91が駆動されて、挟持ピン82が挟持位置とされる。この状態で、回転駆動機構55によってスピンチャック51が回転軸線51aまわりに回転駆動される。
一定時間にわたって薬液処理を行った後に、薬液バルブ54,62が閉じられ、スプラッシュガード71を排液位置71B(または退避位置71C)に切り換えた後、純水バルブ53,61が開かれる。これにより、基板Wの上下面に対して、純水によるリンス処理が行われる。
この乾燥工程の後には、スピンチャック51の回転を停止させ、さらに、挟持ピン駆動用昇降駆動機構91を作動させて挟持ピン82を解除位置とする。その後、主搬送ロボット30の基板保持ハンド31,32によって、処理済みの基板Wが当該基板処理ユニット41〜44から搬出されることになる。
このように、キャリヤCからインデクサロボット6および主搬送ロボット30を経てスピンチャック51に受け渡されるまでの往路搬送期間、スピンチャック51に保持されている保持期間、ならびにスピンチャック51から主搬送ロボット30およびインデクサロボット6を経てキャリヤCに戻される復路搬送期間の全期間において、基板Wは接地状態に保持される。そのため、処理液ノズル52から供給された処理液が基板W表面に到達する直前における放電が生じることを抑制または防止でき、前記搬送期間および保持期間のいずれかの時期における放電も同様に抑制または防止できる。これにより、基板Wに形成された薄膜やデバイスの破壊を抑制または防止することができ、良質な基板処理を達成できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 キャリヤ保持部
3 インデクサ部
4 流体ボックス
5 処理部
6 インデクサロボット
8 基台部
10 装置本体部
11,12 ロボットアーム
13 ボールねじ機構
20 基板接触部材
21,22 基板保持ハンド
21a,22a 導電性基板保持部材
25 搬送室
26 通路
27 メンテナンス通路
30 主搬送ロボット
31,32 基板保持ハンド
31a,32a 導電性基板保持部材
33 旋回台
35 支持アーム
38 ロボット本体
41〜44 基板処理ユニット
51 スピンチャック
51a 回転軸線
52 処理液ノズル
53 純水バルブ
54 薬液バルブ
55 回転駆動機構
56 回転軸
57 処理液供給管
58 中心軸ノズル
58a 吐出口
59 プロセスガス供給路
60 処理カップ
61 純水バルブ
62 薬液バルブ
63 プロセスガスバルブ
65 底壁
66〜68 円筒状隔壁
69 排液溝
70 排液配管
71 スプラッシュガード
71A 回収位置
71B 排液位置
71C 退避位置
72 排液受け部
73 排液ガイド部
74 スプラッシュガード昇降駆動機構
75 回収液受け部
77 回収溝
78 回収配管
81 スピンベース
82 挟持ピン
82a 支持部
82b 挟持部
82c レバー
83 挟持ピン駆動機構
84 基板受け部
85 収容空間
86 リンク機構
87 リンク駆動機構
88 回転側可動部材
89 軸受け
90 固定側可動部材
91 挟持ピン駆動用昇降駆動機構
92 ボルト
95 上板部
96 下板部
97 側板部
98 Oリング
100 貫通孔
101 回動軸
103 下端部
106 軸受け保持段部
107 シール押さえ保持段部
108 シール部材
110 シール押さえ部材
117,118 軸受け
119 保持部
120 金属テープ
C キャリヤ
W 基板
Claims (5)
- 基板を収容するキャリヤを保持するためのキャリヤ保持部と、
基板に所定の処理を施す際に基板を保持する基板保持手段と、
前記キャリヤ保持部に保持されたキャリヤと前記基板保持手段との間で基板を搬送する基板搬送機構とを含み、
前記基板保持手段は、基板を保持する際に当該基板と接触する第1基板接触部材を有し、この第1基板接触部材の少なくとも基板接触部に導電性部が含まれていて、この導電性部が接地してあり、
前記基板搬送機構は、基板を搬送する際に当該基板と接触する第2基板接触部材を有し、この第2基板接触部材の少なくとも基板接触部に導電性部が含まれていて、この導電性部が接地してある、基板処理装置。 - 前記基板搬送機構は、前記キャリヤ保持部に保持されたキャリヤに対して基板を搬入および/または搬出する第1搬送機構と、この第1搬送機構と前記基板保持手段との間で基板を搬送する第2搬送機構とを含み、
前記第1搬送機構および第2搬送機構は、基板を保持する際に当該基板と接触する前記第2基板接触部材をそれぞれ備えている、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記キャリヤ保持部に保持されたキャリヤに収容されている基板に接触する第3基板接触部材をさらに含み、この第3基板接触部材の少なくとも基板接触部に導電性部が含まれていて、この導電性部が接地してある、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 基板を収容したキャリヤをキャリヤ保持部に保持させる工程と、
基板に所定の処理を施す際に、基板保持手段によって当該基板を保持する基板保持工程と、
前記キャリヤ保持部に保持されたキャリヤと前記基板保持手段との間で基板を搬送する基板搬送工程と、
前記基板保持工程および基板搬送工程の全期間において、接地された導電性部材を基板に接触させ、当該基板の帯電を抑制する帯電抑制工程とを含む、基板取り扱い方法。 - 前記帯電抑制工程は、前記キャリヤ保持部に保持されているキャリヤ内の基板に、接地された導電性部材を接触させる工程を含む、請求項4記載の基板取り扱い方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006055135A JP2007234882A (ja) | 2006-03-01 | 2006-03-01 | 基板処理装置および基板取り扱い方法 |
US11/679,537 US7335090B2 (en) | 2006-03-01 | 2007-02-27 | Substrate processing apparatus and substrate handling method |
CN200710085041.5A CN100570817C (zh) | 2006-03-01 | 2007-02-28 | 基板处理装置以及基板操控方法 |
KR1020070020194A KR100889649B1 (ko) | 2006-03-01 | 2007-02-28 | 기판처리장치 및 기판취급방법 |
TW096106963A TWI329347B (en) | 2006-03-01 | 2007-03-01 | Substrate processing apparatus and substrate handling method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006055135A JP2007234882A (ja) | 2006-03-01 | 2006-03-01 | 基板処理装置および基板取り扱い方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007234882A true JP2007234882A (ja) | 2007-09-13 |
Family
ID=38472007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006055135A Pending JP2007234882A (ja) | 2006-03-01 | 2006-03-01 | 基板処理装置および基板取り扱い方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7335090B2 (ja) |
JP (1) | JP2007234882A (ja) |
KR (1) | KR100889649B1 (ja) |
CN (1) | CN100570817C (ja) |
TW (1) | TWI329347B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110041996A (ko) * | 2009-10-16 | 2011-04-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2011171591A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Disco Corp | ウエーハの搬出入装置 |
JP2013526018A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | ラム・リサーチ・アーゲー | 接地されたチャック |
KR20140134224A (ko) * | 2013-05-13 | 2014-11-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
JP2015050263A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
KR20180013799A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
WO2019225210A1 (ja) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 株式会社ダイヤメット | 焼結軸受 |
KR102452625B1 (ko) * | 2021-08-18 | 2022-10-07 | 김은숙 | 하이브리드형 웨이퍼 고정용 척 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7694688B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
JP2008198836A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
KR101533138B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2015-07-01 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP4766156B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-09-07 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
DE102010004205B4 (de) * | 2010-01-08 | 2012-11-08 | Fecken-Kirfel Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zum Spalten von Schaumstoffkörpern |
JP5654807B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2015-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び記憶媒体 |
US9153462B2 (en) * | 2010-12-09 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Spin chuck for thin wafer cleaning |
JP5642574B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5802407B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-10-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8945341B2 (en) * | 2011-08-22 | 2015-02-03 | Lam Research Ag | Method and device for wet treatment of plate-like articles |
KR101512560B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 |
US9147593B2 (en) * | 2012-10-10 | 2015-09-29 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles |
US9287147B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with advanced edge control provisions |
CN103693438B (zh) * | 2013-12-18 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于基板的支撑装置及其运送基板的方法 |
US9779979B2 (en) | 2014-02-24 | 2017-10-03 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles |
US9624574B2 (en) * | 2014-05-12 | 2017-04-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Platen with multiple shaped grounding structures |
JP6462620B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2019-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6691836B2 (ja) * | 2016-06-20 | 2020-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN108657819B (zh) * | 2017-03-31 | 2019-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 传送装置、传送方法以及真空蒸镀装置 |
CN110021535A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 弘塑科技股份有限公司 | 基板处理装置及其旋转台 |
JP7032217B2 (ja) * | 2018-04-05 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
KR102176464B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2020-11-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102338417B1 (ko) * | 2019-07-08 | 2021-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20210128063A (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-26 | 주식회사 제우스 | 기판용 통전장치 |
KR20210128064A (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-26 | 주식회사 제우스 | 기판 처리용 통전장치 |
GB202012725D0 (en) * | 2020-08-14 | 2020-09-30 | Lam Res Ag | Apparatus for processing a wafer-shaped article |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737962A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の移載及び搬送装置 |
JPH1070185A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-10 | Fluoroware Inc | ウェハー容器 |
JP2004186355A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Nikon Corp | 吸着保持部材及び吸着保持装置 |
JP2004303836A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69123626T2 (de) * | 1990-04-16 | 1997-04-17 | Fujitsu Ltd | Chipträger zum Herstellen einer Mikrowellen-Halbleiteranordnung hoher Leistung durch Anordnen eines Halbleiterchips darauf |
JPH09148402A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハ搬送プレート |
US5679055A (en) * | 1996-05-31 | 1997-10-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Automated wafer lapping system |
KR100476859B1 (ko) * | 1997-05-30 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치제조설비의파티클제거장치와이를적용한반도체장치제조설비및제거방법 |
JPH11207611A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨装置におけるワークの自動搬送装置 |
US6102057A (en) * | 1998-02-14 | 2000-08-15 | Strasbaugh | Lifting and rinsing a wafer |
TW388978B (en) * | 1998-02-18 | 2000-05-01 | United Microelectronics Corp | Device for preventing electrostatic discharge from wafer delivering |
US6072157A (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-06 | Euv Llc | Thermophoretic vacuum wand |
US6875282B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-04-05 | Ebara Corporation | Substrate transport container |
KR20030056521A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼 잔류전하 제거 장치 |
JP3920720B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-05-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置 |
KR100957457B1 (ko) * | 2003-06-07 | 2010-05-14 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 및 기판 사이의 잔여 전하 제거 장치와 그 제거방법 |
JP2005123485A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Ebara Corp | 研磨装置 |
JP2005191511A (ja) | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20060081968A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Bai Shwang S | Semiconductor package |
JP2006216903A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
-
2006
- 2006-03-01 JP JP2006055135A patent/JP2007234882A/ja active Pending
-
2007
- 2007-02-27 US US11/679,537 patent/US7335090B2/en active Active
- 2007-02-28 KR KR1020070020194A patent/KR100889649B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-28 CN CN200710085041.5A patent/CN100570817C/zh active Active
- 2007-03-01 TW TW096106963A patent/TWI329347B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737962A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の移載及び搬送装置 |
JPH1070185A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-10 | Fluoroware Inc | ウェハー容器 |
JP2004186355A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Nikon Corp | 吸着保持部材及び吸着保持装置 |
JP2004303836A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011103438A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR101633129B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2016-06-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
KR20110041996A (ko) * | 2009-10-16 | 2011-04-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2011171591A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Disco Corp | ウエーハの搬出入装置 |
KR102133658B1 (ko) * | 2010-04-16 | 2020-07-14 | 램 리서치 아게 | 접지식 척 |
JP2013526018A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | ラム・リサーチ・アーゲー | 接地されたチャック |
KR20180077340A (ko) * | 2010-04-16 | 2018-07-06 | 램 리서치 아게 | 접지식 척 |
KR20140134224A (ko) * | 2013-05-13 | 2014-11-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
JP2014241390A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-12-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102149067B1 (ko) | 2013-05-13 | 2020-08-27 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
JP2015050263A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
KR20180013799A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
KR102069944B1 (ko) | 2016-07-29 | 2020-01-23 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
JP2019203556A (ja) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 株式会社ダイヤメット | 焼結軸受 |
WO2019225210A1 (ja) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 株式会社ダイヤメット | 焼結軸受 |
US11353063B2 (en) | 2018-05-23 | 2022-06-07 | Diamet Corporation | Sintered bearing |
JP7246867B2 (ja) | 2018-05-23 | 2023-03-28 | 株式会社ダイヤメット | 焼結軸受 |
KR102452625B1 (ko) * | 2021-08-18 | 2022-10-07 | 김은숙 | 하이브리드형 웨이퍼 고정용 척 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200741954A (en) | 2007-11-01 |
CN100570817C (zh) | 2009-12-16 |
KR100889649B1 (ko) | 2009-03-19 |
CN101030528A (zh) | 2007-09-05 |
KR20070090103A (ko) | 2007-09-05 |
TWI329347B (en) | 2010-08-21 |
US20070207706A1 (en) | 2007-09-06 |
US7335090B2 (en) | 2008-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007234882A (ja) | 基板処理装置および基板取り扱い方法 | |
JP6503194B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI421974B (zh) | 基板保持旋轉裝置,具備該裝置之基板洗淨裝置及基板處理裝置 | |
JP2006013107A (ja) | 基板処理装置 | |
US20080142051A1 (en) | Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus | |
US20080066783A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
US6799586B2 (en) | Substrate processing method | |
CN108630569B (zh) | 基板处理装置 | |
JPWO2007080707A1 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体 | |
JP6045869B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009088244A (ja) | 基板クリーニング装置、基板処理装置、基板クリーニング方法、基板処理方法及び記憶媒体 | |
TWI742661B (zh) | 基板處理裝置 | |
KR100900594B1 (ko) | 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2001319849A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
WO1999052143A1 (fr) | Mecanisme d'alignement et dispositif de traitement de semi-conducteurs utilisant ce mecanisme | |
US20080198341A1 (en) | Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit | |
KR102508316B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR20190079027A (ko) | 기판 이송 장치 | |
JP2009260022A (ja) | 基板処理ユニットおよび基板処理装置 | |
JP3971282B2 (ja) | 基板保持機構、基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2001319850A (ja) | 液処理方法、液処理装置、薄膜形成システム | |
JP2006100368A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI819373B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP4172760B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3730813B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110620 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110715 |