KR102149067B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102149067B1
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아키요시 나카노
구루미 야기
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 기판의 주위에 배치되는 복수의 척 핀과, 기판의 상방에 배치되는 열원을 포함한다. 복수의 척 핀은, 탄소를 포함하는 재료로 형성된 도전성 부재와, 도전성 부재를 덮는 핀 커버를 포함한다. 도전성 부재는, 기판보다도 무르고 또한 기판의 주연부에 눌러붙여진 파지부를 포함하고, 파지부가 기판의 주연부에 눌러붙여져 있는 상태에서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출한다. 핀 커버는, 파지부가 기판의 주연부에 눌러붙여져 있는 상태에서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 도전성 부재의 일부 전역을 평면에서 봐서 덮고 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 이용된다.
일본국 특허공개 2003-092343호 공보에 기재된 매엽식의 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판을 향해서 처리액을 토출하는 노즐을 구비하고 있다. 스핀 척은, 기판의 주위에 배치되는 복수의 척 핀을 포함한다. 스핀 척은, 복수의 척 핀을 기판의 주연부에 눌러붙임으로써, 기판을 수평 자세로 유지한다. 척 핀은, 카본을 포함하는 도전성 재료로 구성되어 있다.
일본국 특허공개 2003-092343호 공보
본 발명자는, 기판의 상면이 처리액으로 덮여 있을 때나, 처리액이 공급된 기판을 건조시킬 때에, 기판의 상방에서 열원을 발열시켜, 기판의 처리를 촉진시키는 것을 검토하고 있다.
그러나, 척 핀이 기판의 주위에 배치되어 있으므로, 열원이 발열하면, 기판 및 처리액뿐만 아니라, 척 핀도 동시에 가열되어 버린다. 이 때문에, 척 핀의 온도가 연화 온도를 초과하여, 척 핀이 변형되어 버릴 우려가 있다.
또한, 일본국 특허공개 2003-092343호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 일반적인 척 핀은, 기판의 대전을 방지하기 위해서, 도전성을 가지는 재료로 형성되어 있다. 이러한 재료는, 통상, 카본을 포함한다. 따라서, 도전성을 가지는 척 핀의 외면은 검은색인 경우가 많다.
검은색은 광을 흡수하기 쉬우므로, 열원이 램프인 경우에는, 척 핀의 온도 상승 속도가 높아져, 단시간에 척 핀이 변형되어 버릴 우려가 있다. 세라믹스 등의 검은색 이외의 도전성 재료로 척 핀을 형성하는 것도 생각할 수 있지만, 척 핀이 기판보다도 단단하면, 기판이 손상될 우려가 있다.
여기서, 본 발명의 목적의 하나는, 가열에 의한 척 핀의 변형을 방지할 수 있고, 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일실시 형태는, 기판의 주위에 배치되는 복수의 척 핀과, 상기 복수의 척 핀의 각각을 기판의 주연부에 눌러붙임으로써 상기 복수의 척 핀에 기판을 수평 자세로 파지시키는 척 개폐 기구와, 상기 복수의 척 핀에 파지되어 있는 기판을 회전시키는 스핀 모터를 포함하는 스핀 척과, 상기 스핀 척에 유지되어 있는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치와, 상기 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상방에 배치되는 열원을 포함하고, 상기 복수의 척 핀은, 기판보다도 무르고 또한 기판의 주연부에 눌러붙여지는 파지부를 포함하고, 탄소를 포함하는 재료로 형성되어 있으며, 상기 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여져 있는 상태에서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 도전성 부재와, 상기 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여져 있는 상태에서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 상기 도전성 부재의 일부(돌출부)의 전역을 평면에서 봐서 덮는 핀 커버를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 복수의 척 핀의 각각이, 척 개폐 기구에 의해 기판의 주연부에 눌러 붙여진다. 이에 따라, 기판이, 복수의 척 핀에 의해 수평 자세로 파지된다. 스핀 모터는, 복수의 척 핀이 기판을 파지하고 있는 상태에서 기판을 회전시킨다. 처리액 공급 장치는, 복수의 척 핀에 파지되어 있는 기판에 처리액을 공급한다. 열원은, 복수의 척 핀에 파지되어 있는 기판의 상방에서 열을 발한다. 이에 따라, 기판과 기판 상의 처리액의 적어도 한쪽이 열원에 의해 가열된다.
복수의 척 핀은, 도전성을 가지는 도전성 부재와, 도전성 부재를 덮는 핀 커버를 포함한다. 도전성 부재는, 탄소를 포함하는 재료로 형성되어 있고, 도전성을 가지고 있다. 도전성 부재는, 기판의 주연부에 눌러 붙여지는 파지부를 포함한다. 따라서, 기판의 회전중에 기판에 접해 있는 부분(파지부)이, 도전성을 가지고 있다. 이 때문에, 기판의 회전에 의한 기판의 대전이나, 대전한 처리액이 공급됨에 의한 기판의 대전 등을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 도전성 부재의 파지부가 기판보다도 무르기 때문에, 기판과 도전성 부재의 접촉에 의해 기판이 손상되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 복수의 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여져 있는 상태에서는, 도전성 부재의 일부가, 평면에서 봐서 기판의 주위에 배치된다. 핀 커버는, 복수의 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여져 있는 상태에 있어서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 돌출부(도전성 부재의 일부)의 전역을 평면에서 봐서 덮고 있다. 따라서, 도전성 부재의 일부가 핀 커버에 의해 열원으로부터 보호된다. 또한, 기판의 하방에 위치하는 도전성 부재의 다른 부분이, 평면에서 봐서 핀 커버로부터 노출되어 있다고 해도, 이 부분은, 기판에 의해 열원으로부터 보호된다. 따라서, 도전성 부재의 전체가 열원으로부터 보호된다. 이에 따라, 가열에 의한 척 핀의 변형을 방지할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 열원은, 상기 스핀 척에 파지되어 있는 기판을 향해서 기판의 상방으로부터 광(가시광선 및 근적외선의 적어도 한쪽을 포함하는 전자파)을 발하는 램프를 포함하고 있어도 된다. 상기 핀 커버는, 상기 도전성 부재보다도 광의 반사율이 높아도 된다.
이 구성에 의하면, 램프가, 스핀 척에 파지되어 있는 기판의 상방에 배치되어 있다. 램프는, 기판을 향해서 광을 발한다. 이에 따라, 기판에 광이 조사되어, 기판과 기판상의 처리 액의 적어도 한쪽이 가열된다. 도전성 부재를 덮는 핀 커버는, 도전성 부재보다도 광의 반사율이 높다. 바꿔 말하면, 핀 커버는, 도전성 부재보다도 광의 흡수율이 낮다. 따라서, 핀 커버는, 도전성 부재보다도 가열되기 어렵고, 도전성 부재보다도 온도가 상승하기 어렵다. 이 때문에, 핀 커버는, 램프의 광으로부터 도전성 부재를 보호할 수 있을 뿐 아니라, 핀 커버 자체의 온도 상승을 억제할 수 있다. 이에 따라, 척 핀의 온도 상승을 억제할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 핀 커버는, 백색(순백 및 유백색을 포함한다)의 외면을 포함하고 있어도 된다. 상기 핀 커버의 외면은, 그 전역이 백색이어도 되고, 그 일부의 영역만이 백색이어도 된다. 즉, 상기 핀 커버의 외면에 있어서 평면에서 봐서 시인가능한 영역이 백색이면 된다.
이 구성에 의하면, 핀 커버가, 광을 반사하기 쉬운 백색의 외면을 가지고 있다. 이에 대하여, 도전성 부재는, 검은색의 탄소를 포함하는 재료로 형성되어 있고, 검은색의 외면을 가지고 있다. 따라서, 핀 커버는, 도전성 부재보다도 광의 반사율이 높다. 또한, 핀 커버의 외면이 광을 반사하기 쉬운 백색이므로, 핀 커버에 흡수되는 광의 양을 저감할 수 있어, 핀 커버 자체의 온도 상승을 효율적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 척 개폐 기구는, 상기 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여지는 닫힘 위치와, 상기 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어지는 열림 위치 사이에서, 상기 복수의 척 핀을 이동시켜도 된다. 상기 핀 커버는, 상기 파지부로부터 비스듬히 아래로 연장됨과 더불어, 상기 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어져 있는 상태에서 기판의 하면 주연부를 지지하는 지지부를 포함하고 있어도 된다. 또한, 상기 핀 커버는, 기판보다도 물러도 된다.
이 구성에 의하면, 척 개폐 기구가, 열림 위치와 닫힘 위치 사이에서 복수의 척 핀을 이동시킨다. 이에 따라, 파지부는, 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여지는 위치와, 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어지는 위치 사이에서 이동한다. 핀 커버는, 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어져 있는 상태, 즉, 척 핀이 열림 위치에 위치하고 있는 상태에서, 기판의 하면 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다.
지지부는, 파지부로부터 비스듬히 아래로 연장되어 있다. 따라서, 척 핀이 열림 위치로부터 닫힘 위치로 이동하면, 파지부가 기판의 주연부에 가까워짐과 더불어, 지지부가 기판을 상방으로 이동시킨다. 이에 따라, 파지부가 기판의 주연부에 눌러 붙여지고, 기판이 복수의 파지부에 파지된다. 또한, 척 핀이 닫힘 위치로부터 열림 위치로 이동하면, 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어지면서, 지지부가 기판을 하방으로 이동시킨다. 이에 따라, 모든 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어진 상태에서, 기판이 복수의 지지부에 지지된다.
기판의 하면 주연부를 지지하는 지지부가, 핀 커버에 설치되어 있으므로, 지지부가, 도전성 부품에 설치되어 있는 경우보다도, 도전성 부재가 소형화한다. 이 때문에, 열원으로부터 보호해야 할 부분(도전성 부재의 일부)을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판의 하면과 닿는 지지부가 기판보다도 무르기 때문에, 기판과 핀 커버의 접촉에 의해 기판이 손상되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 장치에 의해 처리된 기판의 품질을 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 핀 커버는, 상기 도전성 부재와는 별도의 부재여도 된다.
이 구성에 의하면, 도전성 부재와 핀 커버가 별도 부재이며, 서로 조합되어 있다. 핀 커버가, 도전성 부재에 조합되는 도전성 부재와는 별도 부재이므로, 핀 커버가 도전성 부재의 외면에 밀착된 코팅층인 경우보다도, 핀 커버의 형상의 자유도가 높다. 따라서, 핀 커버의 두께를 크게 하기 쉽다. 이 때문에, 열원으로부터 도전성 부재에 전달되는 열을 핀 커버에 의해 더욱 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 도전성 부재의 온도 상승을 더욱 억제할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 핀 커버는, 적어도 상기 파지부의 상면이 덮이도록 상기 파지부를 수용하는 핀 피복부를 포함하고 있어도 된다. 상기 핀 커버는, 상기 파지부로부터 상기 핀 피복부의 외부까지 내방으로 연장되는 내향 개구를 형성하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 도전성 부재에 설치된 파지부가, 핀 커버에 설치된 핀 피복부에 수용되어 있다. 핀 피복부의 적어도 일부는, 파지부의 상방에 배치되어 있고, 파지부의 상면을 덮고 있다. 따라서, 핀 커버는, 열원으로부터 파지부의 상면을 보호할 수 있다. 또한, 파지부로부터 핀 피복부의 외부까지 내방으로 연장되는 내향 개구가, 핀 커버에 의해 형성되어 있으므로, 기판의 주연부를 내향 개구 내에 진입시킴으로써, 파지부를 기판의 주연부에 눌러 붙일 수 있다. 따라서, 핀 커버는, 파지부에 의한 기판의 파지를 방해하지 않고, 열원으로부터 파지부를 보호할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 핀 커버는, 상기 파지부로부터 상기 핀 피복부의 외부까지 외방으로 연장되어 있고, 상기 핀 피복부의 내면과 상기 파지부의 외면 사이의 간극에 이어지는 외향 개구를 형성하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 파지부로부터 핀 피복부의 외부까지 외방으로 연장되는 외향 개구가, 핀 커버에 의해 형성되어 있다. 전술과 같이, 도전성 부재와 핀 커버가 별도 부재이며, 서로 조합되어 있으므로, 핀 피복부의 내면과 파지부의 외면 사이에 미소한 간극이 발생한다. 처리액 공급 장치가 기판에 처리액을 공급하면, 미량의 처리액이 이 간극에 침입하는 경우가 있다. 외향 개구는, 핀 피복부의 내면과 파지부의 외면 사이의 간극에 이어져 있고, 외향으로 열려 있다. 따라서, 핀 피복부와 파지부 사이에 침입한 처리액은, 외향 개구로 이동하여, 스핀 척의 회전에 의해 외향 개구로부터 외방으로 배출된다. 이에 따라, 척 핀 내의 처리액의 잔류량을 저감할 수 있어, 잔류액에 의한 기판의 오염을 저감할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 외향 개구는, 상기 파지부보다도 상하 방향으로 길어도 된다.
이 구성에 의하면, 외향 개구는, 파지부보다도 상하 방향으로 길고, 충분한 개구 면적이 외향 개구에 확보되어 있다. 이 때문에, 내향 개구를 통하여 핀 커버의 내부에 침입한 처리액을 효율적으로 외향 개구로부터 배출할 수 있다. 이에 따라, 척 핀 내의 처리액의 잔류량을 저감할 수 있고, 잔류액에 의한 기판의 오염을 저감할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 외향 개구는, 외향으로 열려 있음과 더불어, 하향으로 열려 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 외향 개구가, 외향으로 열려 있음과 더불어, 하향으로 열려 있다. 외향 개구 내의 처리액은, 중력에 의해 외향 개구 내를 하방으로 흐른다. 따라서, 외향 개구의 하단이 닫혀져 있는 경우, 외향 개구의 하단에 처리액이 고인다. 이에 대하여, 외향 개구가 하향으로 열려 있는 경우에는, 외향 개구의 하단에 흘러내린 처리액이, 외향 개구로부터 하방으로 배출된다. 이 때문에, 척 핀 내의 처리액의 잔류량을 저감할 수 있고, 잔류액에 의한 기판의 오염을 저감할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 핀 커버는, 상기 도전성 부재의 외면에 밀착된 코팅층을 포함하고 있어도 된다. 핀 커버는, 코팅층과, 도전성 부재와는 별도의 부재(커버 부재)를 포함하고 있어도 되고, 핀 커버의 전체가, 코팅층으로 구성되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 도전성 부재의 외면의 적어도 일부가 코팅되어 있고, 도전성 부재의 외면에 밀착하는 코팅층에 의해 덮어져 있다. 따라서, 도전성 부재는, 코팅층에 의해 열원으로부터 보호된다. 이에 따라, 도전성 부재의 온도 상승을 억제할 수 있다. 또한, 코팅층은, 두께를 얇게 하기 쉬우므로, 척 핀의 중량의 증가를 억제할 수 있다. 이에 따라, 척 핀의 관성 질량의 증가를 억제할 수 있다. 이 때문에, 기판의 회전을 개시할 때에 스핀 모터가 척 핀에 가하는 힘을 저하시킬 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 스핀 척, 처리액 공급 장치, 및 열원을 제어하는 제어 장치를 더 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치는, 상기 처리액 공급 장치가 처리액을 기판에 공급하게 함으로써, 기판의 상면 전역을 덮는 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정에서 형성된 처리액의 액막이 기판 상에 있는 상태에서 상기 열원을 발열시키는 가열 공정을 실행해도 된다.
또한, 상기 기판 처리 장치가 상기 제어 장치를 포함하는 경우, 상기 제어 장치는, 상기 스핀 척이 기판을 회전시키게 하면서, 상기 처리액 공급 장치가 처리액을 기판에 공급시키게 하는 처리액 공급 공정과, 기판에의 처리액의 공급이 정지된 상태에서, 상기 처리액 공급 공정에서의 회전 속도보다도 큰 회전 속도로 상기 스핀 척이 기판을 회전시키게 함으로써, 기판으로부터 처리액을 제거하여 기판을 건조시키는 건조 공정과, 상기 건조 공정과 병행하여, 상기 열원을 발열시키는 가열 공정을 실행해도 된다.
본 발명의 일실시 형태에 있어서, 상기 도전성 부재는, 기판보다도 무르고 또한 기판의 주연부에 눌러 붙여지는 상기 파지부와, 상기 파지부보다도 강성이 높고 또한 상기 파지부를 유지하는 유지부를 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 파지부 및 유지부가, 도전성 부재에 설치되어 있다. 파지부 및 유지부는, 모두 도전성을 가지고 있다. 따라서, 기판과 파지부의 접촉에 의해, 기판의 대전을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 기판에 접촉하는 파지부가 기판보다도 무르기 때문에, 기판과 도전성 부재의 접촉에 의해 기판이 손상되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 파지부를 유지하는 유지부가 파지부보다도 강성이 높으므로, 도전성 부재 전체의 강성을 높일 수 있다. 이에 따라, 척 핀의 변형량을 저감할 수 있다.
본 발명에 있어서의 전술의, 또는 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시 형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 장치에 구비된 쳄버의 내부를 수평으로 본 모식도이다.
도 2는 스핀 베이스 및 이에 관련된 구성의 모식적인 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 III-III선에 따르는 척 핀의 모식적인 단면도이다.
도 4는 척 핀의 모식적인 평면도이다.
도 5는 파지부 및 핀 피복부를 나타내는 척 핀의 모식적인 사시도이다.
도 6은 도 4에 도시하는 VI-VI선에 따르는 척 핀의 모식적인 단면도이다.
도 7은 도 4에 도시하는 VII-VII선에 따르는 척 핀의 모식적인 단면도이다.
도 8a는 도 4에 도시하는 화살표 VIIIA의 방향으로 척 핀을 본 모식도이다.
도 8b는 도 4에 도시하는 화살표 VIIIB의 방향으로 척 핀을 본 모식도이다.
도 8c는 도 4에 도시하는 화살표 VIIIC의 방향으로 척 핀을 본 모식도이다.
도 9는 처리 유닛에 의해 행해지는 기판 처리의 일예에 대하여 설명하기 위한 공정도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 관련된 척 핀의 모식적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 관련된 척 핀의 모식적인 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1)에 구비된 쳄버(4)의 내부를 수평으로 본 모식도이다. 도 2는 스핀 베이스(12) 및 이에 관련된 구성의 모식적인 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시하는 III-III선에 따르는 척 핀(13)의 모식적인 단면도이다. 이하에서 설명하는 바와 같이, 척 핀(13)은, 닫힘 위치와 열림 위치 사이에서 이동가능하다. 이하에서는, 특별히 양해가 없는 한, 척 핀(13)이 닫힘 위치에 위치하고 있는 상태에 대하여 설명한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 기판(W)을 1매씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 처리액을 공급하는 복수의 처리 유닛(2)과, 기판 처리 장치(1)에 구비된 장치의 동작이나 밸브의 개폐를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 각 처리 유닛(2)은, 매엽식의 유닛이다. 각 처리 유닛(2)은, 내부 공간을 가지는 상자형의 쳄버(4)와, 쳄버(4) 내에서 1매의 기판(W)을 수평 자세로 유지하고, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 기판 회전 축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(5)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치(6)와, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)을 기판(W)의 상방으로부터 가열하는 가열 장치(7)와, 기판 회전 축선(A1) 둘레로 스핀 척(5)을 둘러싸는 통형상의 컵(8)을 포함한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 쳄버(4)는, 스핀 척(5) 등을 수용하는 상자형의 격벽(9)과, 격벽(9)의 상부로부터 격벽(9) 내에 클린 에어(필터에 의해 여과된 공기)를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU(10)(팬·필터·유닛(10))와, 컵(8)의 하부로부터 쳄버(4) 내의 기체를 배출하는 배기 덕트(11)를 포함한다. FFU(10)는, 격벽(9)의 상방에 배치되어 있다. FFU(10)는, 격벽(9)의 천장으로부터 쳄버(4) 내에 하향으로 클린 에어를 보낸다. 배기 덕트(11)는, 컵(8)의 저부에 접속되어 있고, 기판 처리 장치(1)가 설치되는 공장에 설치된 배기 처리 설비를 향하여 쳄버(4) 내의 기체를 안내한다. 따라서, 쳄버(4) 내를 하방으로 흐르는 다운 플로우(하강류)가, FFU(10) 및 배기 덕트(11)에 의해 형성된다. 기판(W)의 처리는, 쳄버(4) 내에 다운 플로우가 형성되어 있는 상태에서 행해진다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(5)은, 수평 자세로 유지된 원판상의 스핀 베이스(12)와, 스핀 베이스(12)의 상면 외주부로부터 상방으로 돌출하는 복수의 척 핀(13)과, 복수의 척 핀(13)을 개폐시키는 척 개폐 기구(14)를 포함한다. 스핀 척(5)은, 또한, 스핀 베이스(12)의 중앙부로부터 기판 회전 축선(A1)을 따라 하방으로 연장되는 스핀 축(15)과, 스핀 축(15)을 회전시킴으로써 스핀 베이스(12) 및 척 핀(13)을 기판 회전 축선(A1) 둘레로 회전시키는 스핀 모터(16)를 포함한다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 스핀 베이스(12)의 외경은, 기판(W)의 직경보다도 크다. 스핀 베이스(12)의 중심선은, 기판 회전 축선(A1) 상에 배치되어 있다. 복수의 척 핀(13)은, 스핀 베이스(12)의 외주부에서 스핀 베이스(12)에 유지되어 있다. 복수의 척 핀(13)은, 둘레방향(C1)(기판 회전 축선(A1) 둘레의 방향)으로 간격을 두고 배치되어 있다. 척 핀(13)은, 척 핀(13)이 기판(W)의 주단면에 눌러 붙여지는 닫힘 위치(도 2의 위치)와, 척 핀(13)이 기판(W)의 주단면으로부터 떨어지는 열림 위치 사이에서, 스핀 베이스(12)에 대하여 핀 회동축선(A2) 둘레로 회전가능하다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판(W)은, 기판(W)의 하면과 스핀 베이스(12)의 상면이 상하 방향으로 떨어진 상태에서, 복수의 척 핀(13)에 파지된다. 이 상태에서, 스핀 모터(16)가 스핀 축(15)을 회전시키면, 기판(W)은, 스핀 베이스(12) 및 척 핀(13)과 함께 기판 회전 축선(A1) 둘레로 회전한다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 척 핀(13)은, 닫힘 위치에서 기판(W)의 주단면에 눌러 붙여지는 파지부(41)와, 열림 위치에서 기판(W)의 하면 주연부를 지지하는 지지부(55)를 포함한다. 척 핀(13)이 닫힘 위치와 열림 위치 사이에서 핀 회동 축선(A2)(기판 회전 축선(A1)과 평행한 축선) 둘레로 회동하면, 파지부(41) 및 지지부(55)가 수평으로 이동하는데, 도 3에서는, 편의 상, 기판(W)이 수평으로 이동하도록 도시되어 있다. 지지부(55)는, 파지부(41)의 내방(기판 회전 축선(A1)에 근접하는 방향)에 배치되어 있다. 지지부(55)의 상면은, 파지부(41)로부터 비스듬히 아래로 내방으로 연장되어 있다. 척 핀(13)이 닫힘 위치에 배치되면, 파지부(41)가 기판(W)의 주연부에 가압되고, 기판(W)의 하면은 지지부(55)로부터 떨어진다. 그 한편, 척 핀(13)이 열림 위치에 배치되면, 파지부(41)가 기판(W)의 주연부로부터 떨어지고, 기판(W)의 하면은 지지부(55)에 접촉한다.
제어 장치(3)는, 척 개폐 기구(14)를 제어함으로써, 복수의 척 핀(13)이 기판(W)을 파지하는 닫힘 상태와, 복수의 척 핀(13)에 의한 기판(W)의 파지가 해제되는 열림 상태 사이에서, 복수의 척 핀(13)의 상태를 바꾼다. 기판(W)이 스핀 척(5)에 반송될 때에는, 제어 장치(3)는, 각 척 핀(13)을 열림 위치로 퇴피시킨다. 제어 장치(3)는, 이 상태에서, 반송 로봇에 기판(W)을 복수의 척 핀(13)에 재치시킨다. 이에 따라, 각 지지부(55)의 상면이 기판(W)의 하면 주연부에 접촉하고, 기판(W)이, 스핀 베이스(12)의 상면보다도 상방의 지지 위치(도 3에 있어서 일점 쇄선으로 표시하는 위치)에서 수평 자세로 지지된다.
기판(W)이 복수의 척 핀(13)에 재치된 후, 제어 장치(3)는, 각 척 핀(13)을 열림 위치로부터 닫힘 위치로 이동시킨다. 지지부(55)의 상면은 파지부(41)를 향해서 비스듬히 위로 연장되어 있으므로, 각 척 핀(13)이 닫힘 위치를 향해서 이동하는 과정에서, 기판(W)이 복수의 지지부(55)에 의해 서서히 들어올려진다. 또한, 각 척 핀(13)이 닫힘 위치를 향해서 이동하는 과정에서, 파지부(41)가, 기판(W)의 주단면에 근접한다. 이에 따라, 파지부(41)(구체적으로는, 후술하는 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44))가 기판(W)의 주연부에 눌러 붙여지고, 기판(W)이, 지지 위치보다도 상방의 파지 위치(도 3에 있어서 2점 쇄선으로 표시하는 위치)에서 수평 자세로 파지된다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 처리액 공급 장치(6)는, 기판(W)의 상면을 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 노즐(17)과, 제1 약액 노즐(17)에 접속된 제1 약액 배관(18)과, 제1 약액 배관(18)에 개장된 제1 약액 밸브(19)와, 제1 약액 노즐(17)이 선단부에 부착된 제1 약액 아암(20)과, 제1 약액 아암(20)을 이동시킴으로써, 제1 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시키는 노즐 이동 장치(21)를 포함한다.
제1 약액 밸브(19)가 열리면, 제1 약액 배관(18)으로부터 제1 약액 노즐(17)에 공급된 제1약액이, 제1 약액 노즐(17)로부터 하방으로 토출된다. 제1 약액 밸브(19)가 닫히면, 제1 약액 노즐(17)로부터의 제1 약액의 토출이 정지된다. 노즐 이동 장치(21)는, 제1 약액 노즐(17)을 이동시킴으로써, 제1 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시킨다. 또한, 노즐 이동 장치(21)는, 제1 약액 노즐(17)로부터 토출된 제1 약액이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, 제1 약액 노즐(17)이 평면에서 봐서 스핀 척(5)의 주위로 퇴피한 퇴피 위치 사이에서 제1 약액 노즐(17)을 이동시킨다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 처리액 공급 장치(6)는, 기판(W)의 상면을 향해서 제2 약액을 토출하는 제2 약액 노즐(22)과, 제2 약액 노즐(22)에 접속된 제2 약액 배관(23)과, 제2 약액 배관(23)에 개장된 제2 약액 밸브(24)와, 제2 약액 노즐(22)이 선단부에 부착된 제2 약액 아암(25)과, 제2 약액 아암(25)을 이동시킴으로써, 제2 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시키는 노즐 이동 장치(26)를 포함한다.
제2 약액 밸브(24)가 열리면, 제2 약액 배관(23)으로부터 제2 약액 노즐(22)에 공급된 제2 약액이, 제2 약액 노즐(22)로부터 하방으로 토출된다. 제2 약액 밸브(24)가 닫히면, 제2 약액 노즐(22)로부터의 제2 약액의 토출이 정지된다. 노즐 이동 장치(26)는, 제2 약액 노즐(22)을 이동시킴으로써, 제2 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시킨다. 또한, 노즐 이동 장치(26)는, 제2 약액 노즐(22)로부터 토출된 제2 약액이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, 제2 약액 노즐(22)이 평면에서 봐서 스핀 척(5)의 주위에 퇴피한 퇴피 위치 사이에서 제2 약액 노즐(22)을 이동시킨다.
제1 약액 및 제2 약액은, 서로 종류가 다른 약액이다. 제1 약액은, 산성이며, 제2 약액은, 알카리성이다. 제1 약액의 구체적 예는, SPM(황산과 과산화수소수의 혼합액), 인산(농도가 예를 들면 80% 이상 100% 미만의 인산 수용액), 불산(불화수소산)이다. 제2 약액의 구체적 예는, SC1(암모니아수와 과산화수소수와 물의 혼합액)이다. 제1 약액의 구체적 예는, 모두, 박막이나 파티클 등의 불필요물을 기판(W)으로부터 제거하는 제거액(에칭액 또는 세정액)이다. 또한, 제1 약액의 구체적 예는, 모두, 온도의 상승에 따라 제거 능력이 높아지는 약액이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 처리액 공급 장치(6)는, 기판(W)의 상면을 향해서 린스액을 토출하는 린스액 노즐(27)과, 린스액 노즐(27)에 접속된 린스액 배관(28)과, 린스액 배관(28)에 개장된 린스액 밸브(29)와, 린스액 노즐(27)이 선단부에 부착된 린스액 아암(30)과, 린스액 아암(30)을 이동시킴으로써, 린스액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시키는 노즐 이동 장치(31)를 포함한다.
린스액 밸브(29)가 열리면, 린스액 배관(28)으로부터 린스액 노즐(27)에 공급된 린스액이, 린스액 노즐(27)로부터 하방으로 토출된다. 린스액 밸브(29)가 닫히면, 린스액 노즐(27)로부터의 린스액의 토출이 정지된다. 노즐 이동 장치(31)는, 린스액 노즐(27)을 이동시킴으로써, 린스액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시킨다. 또한, 노즐 이동 장치(31)는, 린스액 노즐(27)로부터 토출된 린스액이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, 린스액 노즐(27)이 스핀 척(5)의 주위에 퇴피한 퇴피 위치 사이에서 린스액 노즐(27)을 이동시킨다.
린스액 노즐(27)에 공급되는 린스액은, 순수(탈이온수: Deionzied water)이다. 린스액 노즐(27)에 공급되는 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, IPA(isopropyl alcohol,) 또는 희석 농도(예를 들면, 10∼100ppm 정도)의 염산수 등이어도 된다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 컵(8)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)보다도 외방(기판 회전 축선(A1)으로부터 떨어지는 방향)에 배치되어 있다. 컵(8)은, 스핀 베이스(12)를 둘러싸고 있다. 스핀 척(5)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태에서, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 처리액이 기판(W)으로부터 기판(W)의 주위에 비산한다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상향으로 열린 컵(8)의 상단부(8a)는, 스핀 베이스(12)보다도 상방에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위에 배출된 약액이나 린스액 등의 처리액은, 컵(8)에 의해 받아진다. 그리고, 컵(8)에 받아진 처리액은, 도시하지 않은 회수 장치 또는 배액 장치에 보내진다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 가열 장치(7)는, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상방에 배치된 적외선 히터(32)와, 적외선 히터(32)가 선단부에 부착된 히터 아암(35)과, 히터 아암(35)을 이동시키는 히터 이동 장치(36)를 포함한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 적외선 히터(32)는, 적외선을 포함하는 광을 발하는 적외선 램프(33)와, 적외선 램프(33)를 수용하는 램프 하우징(34)을 포함한다. 적외선 램프(33)는, 램프 하우징(34) 내에 배치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 램프 하우징(34)은, 평면에서 봐서 기판(W)보다도 작다. 따라서, 적외선 히터(32)는, 평면에서 봐서 기판(W)보다도 작다. 적외선 램프(33) 및 램프 하우징(34)은, 히터 아암(35)에 부착되어 있다. 따라서, 적외선 램프(33) 및 램프 하우징(34)은, 히터 아암(35)과 함께 이동한다.
적외선 램프(33)는 할로겐 램프이다. 적외선 램프(33)는, 필라멘트와, 필라멘트를 수용하는 석영관을 포함한다. 적외선 램프(33)는, 카본 히터여도 되고, 할로겐 램프 및 카본 히터 이외의 발열체여도 된다. 램프 하우징(34)의 적어도 일부는, 석영 등의 광 투과성 및 내열성을 가지는 재료로 형성되어 있다. 따라서, 적외선 램프(33)가 광을 발하면, 적외선 램프(33)로부터의 광이, 램프 하우징(34)을 투과하여 램프 하우징(34)의 외면으로 방출된다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 램프 하우징(34)은, 기판(W)의 상면과 평행한 저벽을 가지고 있다. 적외선 램프(33)는, 저벽의 상방에 배치되어 있다. 저벽의 하면은, 기판(W)의 상면과 평행하고 또한 평탄한 조사면(32a)을 포함한다. 적외선 히터(32)가 기판(W)의 상방에 배치되어 있는 상태에서는, 램프 하우징(34)의 조사면(32a)이, 간격을 두고 기판(W)의 상면에 상하 방향으로 대향한다. 이 상태에서 적외선 램프(33)가 광을 발하면, 적외선을 포함하는 광이, 램프 하우징(34)의 조사면(32a)으로부터 기판(W)의 상면을 향하여, 기판(W)의 상면에 조사된다. 조사면(32a)은, 예를 들면, 직경이 기판(W)의 반경보다도 작은 원형이다. 조사면(32a)은, 원형에 한정되지 않고, 길이 방향의 길이가 기판(W)의 반경 이상인 직사각형상이어도 되고, 원형 및 직사각형 이외의 형상이어도 된다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 히터 이동 장치(36)는, 적외선 히터(32)를 소정의 높이로 유지하고 있다. 히터 이동 장치(36)는, 스핀 척(5)의 주위에서 상하 방향으로 연장되는 히터 회동 축선(A3) 둘레로 히터 아암(35)을 회동시킴으로써, 적외선 히터(32)를 수평으로 이동시킨다. 이에 따라, 적외선이 조사되는 조사 위치(기판(W)의 상면 내의 일부 영역)가 기판(W)의 상면 내에서 이동한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 히터 이동 장치(36)는, 평면에서 봐서 기판(W)의 중심을 통과하는 원호상의 궤적에 따라 적외선 히터(32)를 수평으로 이동시킨다. 따라서, 적외선 히터(32)는, 스핀 척(5)의 상방을 포함하는 수평면 내에서 이동한다. 또한, 히터 이동 장치(36)는, 적외선 히터(32)를 연직 방향으로 이동시킴으로써, 조사면(32a)과 기판(W)의 거리를 변화시킨다.
적외선 히터(32)로부터의 광은, 기판(W)의 상면 내의 조사 위치에 조사된다. 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)가 적외선을 발하고 있는 상태에서, 스핀 척(5)에 의해 기판(W)을 회전시키면서, 히터 이동 장치(36)에 의해 적외선 히터(32)를 히터 회동 축선(A3) 둘레로 회동시킨다. 이에 따라, 기판(W)의 상면이, 가열 위치로서의 조사 위치에 의해 주사된다. 따라서, 적외선을 포함하는 광이 기판(W)의 상면에 흡수되고, 복사열이 적외선 램프(33)로부터 기판(W)에 전달된다. 이 때문에, 처리액 등의 액체가 기판(W) 상에 유지되어 있는 상태에서 적외선 램프(33)가 적외선을 발하면, 기판(W) 및 처리액의 온도가 상승한다.
도 4는, 척 핀(13)의 모식적인 평면도이다. 도 5는, 파지부(41) 및 핀 피복부(51)를 나타내는 척 핀(13)의 모식적인 사시도이다. 도 6은, 도 4에 도시하는 VI-VI선에 따르는 척 핀(13)의 모식적인 단면도이다. 도 7은, 도 4에 도시하는 VII-VII선에 따르는 척 핀(13)의 모식적인 단면도이다. 도 8a는, 도 4에 도시하는 화살표 VIIIA의 방향으로 척 핀(13)을 본 모식도이다. 도 8b는, 도 4에 도시하는 화살표 VIIIB의 방향으로 척 핀(13)을 본 모식도이다. 도 8c는, 도 4에 도시하는 화살표 VIIIC의 방향으로 척 핀(13)을 본 모식도이다. 도 4, 도 5, 도 8a, 도 8b, 및 도 8c에서는, 도전성 부재(37)를 크로스 해칭으로 표시하고 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 척 핀(13)은, 도전성을 가지는 도전성 부재(37)와, 도전성 부재(37)를 덮는 핀 커버(38)와, 도전성 부재(37)와 핀 커버(38)를 연결하는 연결 부재(39)를 포함한다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 도전성 부재(37), 핀 커버(38), 및 연결 부재(39)는, 스핀 베이스(12)의 상방에 배치되어 있다. 도전성 부재(37), 핀 커버(38), 및 연결 부재(39)는, 스핀 베이스(12)의 외주면보다도 내방에 배치되어 있다. 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 도전성 부재(37), 핀 커버(38), 및 연결 부재(39)는, 각각 별도의 부재이다. 핀 커버(38)는, 탈착가능하게 도전성 부재(37)에 부착되어 있고, 연결 부재(39)에 의해 도전성 부재(37)에 고정되어 있다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 도전성 부재(37)는, 스핀 베이스(12)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 척 개폐 기구(14)의 구동축(14a)에 고정되어 있다. 구동축(14a)은, 핀 회동 축선(A2)을 따라 상하 방향으로 연장되어 있다. 연결 부재(39)는, 구동축(14a)의 상방에 배치되어 있다. 구동축(14a)은, 도전성 부재(37)와 함께 핀 회동 축선(A2) 둘레로 회동한다. 이에 따라, 도전성 부재(37), 핀 커버(38), 및 연결 부재(39)가, 닫힘 위치와 열림 위치 사이에서 핀 회동 축선(A2) 둘레로 일체로 되어 구동된다.
도전성 부재(37)는, 기판(W)보다도 무르고, 또한 내약품성 및 도전성을 가지는 복합 재료로 형성되어 있다. 복합 재료의 구체적 예는, 수지와 탄소를 포함하는 재료이다. 도전성 부재(37)는, 수지를 포함하는 수지 재료와 탄소를 포함하는 탄소 재료가 교호로 적층된 것이어도 되고, 탄소 재료가 내부에 분산된 수지 재료에 의해 구성된 것이어도 된다. 또한, 도전성 부재(37)에 포함되는 탄소는, 탄소 섬유(카본 파이버)여도 되고, 탄소의 분말 또는 입자여도 된다. 도전성 부재(37)에 포함되는 수지의 구체적 예는, PFA(tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer), PCTFE(Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene), PTFE(polytetrafluoroethylene), PEEK(polyetheretherketone)이다. 이들 수지는, 모두, 기판(W)보다도 무르고, 또한 내약품성을 가지고 있다.
핀 커버(38)는, 기판(W)보다도 무르고, 또한 내약품성을 가지는 수지 재료로 형성되어 있다. 핀 커버(38)에 포함되는 수지의 구체적 예는, PTFE, ETFE(ethylene tetrafluoroethylene), PEEK이다. 이들 수지는, 모두, 기판(W)보다도 무르고, 또한 내약품성을 가지고 있다. 본 실시 형태에서는, 핀 커버(38)가, 백색(순백 및 유백색을 포함한다)의 PTFE로 형성되어 있고, 백색의 외면을 가지고 있다. 전술과 같이, 검은색의 탄소가 도전성 부재(37)에 포함되어 있으므로, 도전성 부재(37)의 외면은 검은색이다. 따라서, 핀 커버(38)의 외면은, 도전성 부재(37)의 외면보다도 광(가시광선)의 반사율이 높다. 바꿔 말하면, 핀 커버(38)의 외면은, 도전성 부재(37)의 외면보다도 광(가시광선)의 흡수율이 낮다. 또한, 광(가시광선)의 반사율의 면에서 보면, 핀 커버(38)의 외면은 도전성 부재(37)의 외면보다도 반사율이 높다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 핀 커버(38)는, 도전성 부재(37)의 상방에 배치되어 있다. 핀 커버(38)는, 평면에서 봐서 도전성 부재(37)에 겹쳐 있고, 도전성 부재(37)의 대부분은, 평면에서 봐서 핀 커버(38)에 가려져 있다. 도전성 부재(37)의 일부(후술하는 상측 경사면(45))는, 평면에서 봐서 핀 커버(38)로부터 노출되어 있고, 평면에서 봐서 시인가능하다. 이 도전성 부재(37)의 일부는, 복수의 척 핀(13)이 기판(W)을 파지하고 있는 상태에서 기판(W)에 가려지는 부분이다. 따라서, 복수의 척 핀(13)이 기판(W)을 파지하고 있는 상태에서는, 도전성 부재(37)의 전체가 기판(W) 및 핀 커버(38)에 가려진다. 이 때문에, 복수의 척 핀(13)이 기판(W)을 파지하고 있는 상태에서, 적외선 히터(32)가 광을 발한다고 해도, 적외선 히터(32)로부터의 광이, 기판(W) 및 핀 커버(38)에 의해 차단된다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 도전성 부재(37)는, 스핀 베이스(12)의 상방에 배치된 토대부(40)와, 토대부(40)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 파지부(41)를 포함한다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 평면에서 봐서 토대부(40)의 면적은, 평면에서 봐서 파지부(41)의 면적보다도 크다. 토대부(40)는, 핀 회동 축선(A2)에 교차하고 있다. 이에 대하여, 파지부(41)는, 핀 회동 축선(A2)에 교차되지 않는다. 따라서, 파지부(41)는, 핀 회동 축선(A2)의 주위에 배치되어 있다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 토대부(40)는, 척 개폐 기구(14)의 구동축(14a)에 연결되어 있다. 토대부(40)는, 척 개폐 기구(14)에 의해 핀 회동 축선(A2) 둘레로 구동된다. 토대부(40)는, 파지부(41)와 함께 핀 회동 축선(A2) 둘레로 회동한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 파지부(41)는, 내향(도 6에서는, 지면의 좌측)으로 열린 V자형상의 종단면(연직면에서 절단한 단면)을 가지는 수용홈(42)을 형성하는 2개의 홈 내면(43, 44)과, 2개의 홈 내면(43, 44)의 하단(하측 홈 내면(44)의 내단)으로부터 비스듬히 내방으로 연장되는 상측 경사면(45)을 포함한다. 2개의 홈 내면(43, 44)은, 수용 홈(42)의 바닥(42a)으로부터 비스듬히 내방으로 연장되는 상측 홈 내면(43)과, 수용홈(42)의 바닥(42a)으로부터 비스듬히 아래로 내방으로 연장되는 하측 홈 내면(44)을 포함한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)은, 상호 동일한 크기이고, 또한 서로 반대 방향으로 수평면에 대하여 기울어 있다. 상측 경사면(45)은, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)보다도 하방에 배치되어 있다. 따라서, 상측 경사면(45)은, 수용 홈(42)보다도 하방에 배치되어 있다. 상측 경사면(45)은, 하측 홈 내면(44)의 내방에 배치되어 있고, 하측 홈 내면(44)에 연속해 있다. 상측 경사면(45)은, 수평면에 대한 하측 홈 내면(44)의 경사각도보다도 작은 각도로 수평면에 대하여 기울어 있다. 상측 경사면(45)의 직경 방향 길이(직경 방향 R1(기판 회전 축선(A1)에 직교하는 방향)으로의 길이)는, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)의 직경 방향 길이보다도 작다. 또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 상측 경사면(45)의 주방향 길이는, 상측 홈 내면(43)의 주방향 길이와 같고, 하측 홈 내면(44)의 주방향 길이와 같다. 상측 경사면(45)의 주방향 길이는, 지지부(55)의 상면(후술하는 하측 경사면(46))의 주방향 길이보다도 크다.
도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 핀 커버(38)는, 토대부(40)를 덮는 토대 피복부(48)와, 파지부(41)를 덮는 핀 피복부(51)를 포함한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 토대 피복부(48)는, 핀 피복부(51)와 일체이다. 핀 피복부(51)는, 토대 피복부(48)로부터 상방으로 연장되어 있다. 토대부(40)는, 토대 피복부(48) 내에 수용되어 있고, 파지부(41)는, 핀 피복부(51) 내에 수용되어 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 핀 커버(38)는, 내향으로 열린 내향 개구(47)를 핀 피복부(51)에 의해 형성하고 있다. 내향 개구(47)는, 파지부(41)로부터 핀 피복부(51)의 외부까지 내방으로 연장되어 있다. 따라서, 파지부(41)는, 내향 개구(47)로부터 노출되어 있다. 내향 개구(47)는, 핀 피복부(51)의 내면과 파지부(41)의 외면 사이의 간극(G1)에 이어져 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 토대 피복부(48)는, 토대부(40)의 상방에 배치된 하측 상벽(49)과, 토대부(40)의 주위에 배치된 주벽(50)을 포함한다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 하측 상벽(49)은, 평면에서 봐서 토대부(40)의 전역에 겹쳐 있다. 하측 상벽(49)은, 평면에서 봐서 토대부(40)의 전체를 덮고 있고, 토대부(40)의 전체는, 평면에서 봐서 토대 피복부(48)(하측 상벽(49))에 가려져 있다. 주벽(50)은, 하측 상벽(49)의 외주부로부터 하방으로 연장되어 있다. 주벽(50)은, 평면에서 봐서 하측 상벽(49)의 외주부를 따라 연장되어 있다. 주벽(50)은, 일단부(50a) 및 타단부(50b)를 가지는 평면에서 봐서 C자형상이다. 주벽(50)의 일단부(50a)는, 핀 피복부(51)보다도 내방에 배치되어 있고, 주벽(50)의 타단부(50b)는, 주벽(50)의 일단부(50a)보다도 외방에 배치되어 있다(도 8C도 함께 참조). 주벽(50)의 일단부(50a)와 주벽(50)의 타단부(50b)는, 후술하는 외향 개구(56)의 일부를 형성하고 있다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 핀 피복부(51)는, 파지부(41)의 상방에 배치된 상측 상벽(52)과, 주방향(C1)에 있어서의 파지부(41)의 양측에 배치된 2개의 측벽(53)과, 주방향(C1)에 간격을 두고 파지부(41)의 내방에 배치된 2개의 내방벽(54)과, 2개의 내방벽(54)의 사이에서 파지부(41)의 내방에 배치된 지지부(55)를 포함한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 측벽(53), 내방벽(54), 및 지지부(55)는, 토대 피복부(48)의 상면(하측 상벽(49)의 상면)으로부터 상방으로 돌출해 있다. 각 측벽(53)의 상단부는, 내방벽(54) 및 지지부(55)보다도 상방에 배치되어 있다. 2개의 측벽(53)은, 주방향(C1)으로 간격을 두고 배치되어 있다. 상측 상벽(52)은, 한쪽 측벽(53)의 상단부로부터 다른쪽 측벽(53)의 상단부로 연장되어 있다. 상측 상벽(52)은, 내방벽(54) 및 지지부(55)보다도 상방에 배치되어 있다. 내방벽(54)은, 측벽(53)의 내단부로부터 지지부(55)에 주방향(C1)으로 연장되어 있다. 지지부(55)는, 수용 홈(42)의 내방에 배치되어 있고, 그 주방향 길이는, 상측 상벽(52)의 주방향 길이보다도 작다. 또한 도 3 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 지지부(55)는, 수용 홈(42)보다도 하방에 배치되고, 수용 홈(42)을 향해서 비스듬히 위로 연장되어 있다. 따라서, 지지부(55)의 높이는, 수용 홈(42)에 근접함에 따라서 증가하고 있다. 내방벽(54)의 상단은, 지지부(55)의 외단보다도 하방에 배치되어 있다.
도 8a, 도 8b, 및 도 8c에 도시하는 바와 같이, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)은, 상측 상벽(52)과 지지부(55) 사이의 높이에 배치되어 있다. 마찬가지로, 상측 경사면(45)은, 상측 상벽(52)과 지지부(55) 사이의 높이에 배치되어 있다. 상측 상벽(52)의 내단은, 상측 홈 내면(43)의 내단의 상방에 배치되어 있다. 수용 홈(42)의 바닥(42a)은, 상측 상벽(52)의 내단보다도 외방에 배치되어 있다. 측벽(53)은, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)보다도 외방에 배치된 외방부(53a)와, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)보다도 하방에 배치된 하방부(53b)를 포함한다. 외방부(53a)는, 하방부(53b)로부터 상측 상벽(52)에 상방으로 연장되어 있다. 외방부(53a)의 내단은, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)보다도 외방에 배치되어 있다. 따라서, 수용 홈(42)을 주방향(C1)에 수평으로 보면, 수용 홈(42)의 전체가 핀 커버(38)로부터 노출되어 있다(도 8B 참조). 이 때문에, 파지부(41)가 기판(W)을 파지할 때에, 기판(W)과 핀 커버(38)가 접촉하지 않는다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 지지부(55)는, 상측 경사면(45)의 하단(상측 경사면(45)의 내단)으로부터 비스듬히 아래로 내방으로 연장되는 하측 경사면(46)을 포함한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 하측 경사면(46)은, 수용 홈(42)보다도 하방에 배치되어 있다. 하측 경사면(46)은, 상측 경사면(45)의 내방에 배치되어 있고, 상측 경사면(45)에 연속해 있다. 하측 경사면(46)은, 수평면에 대한 상측 경사면(45)의 경사 각도와 동일한 경사 각도로 수평면에 대하여 기울어 있다. 하측 경사면(46)의 직경 방향 길이는, 상측 경사면(45)의 직경 방향 길이보다도 크다. 기판(W)의 하면 주연부는, 하측 경사면(46)에 의해 지지된다. 또한, 하측 경사면(46)이, 비스듬히 아래로 내방으로 연장되도록 경사져 있으므로, 기판(W)은, 하측 경사면(46)에 의해 선 접촉 또는 점 접촉으로 지지된다. 기판(W)이 복수의 하측 경사면(46)에 의해 지지되어 있는 상태에서, 척 핀(13)이 열림 위치로부터 닫힘 위치로 이동되면, 기판(W)의 주연부는, 하측 경사면(46) 및 상측 경사면(45)을 이 순서대로 통과하여, 수용홈(42) 내로 이동한다. 이에 따라, 상측 홈 내면(43) 및 하측 홈 내면(44)이 기판(W)의 주연부에 눌러 붙여지고, 기판(W)이 복수의 척 핀(13)에 의해 수평 자세로 유지된다.
도 8a, 도 8b, 및 도 8c에 도시하는 바와 같이, 핀 커버(38)는, 외향으로 열린 외향 개구(56)를 토대 피복부(48) 및 핀 피복부(51)에 의해 형성하고 있다.
도 8a, 도 8b, 및 도 8c에 도시하는 바와 같이, 외향 개구(56)는, 내향 개구(47)의 외방에 배치되어 있다. 외향 개구(56)는, 파지부(41)로부터 핀 피복부(51)의 외부까지 외방으로 연장되어 있다. 따라서, 외향 개구(56)는, 파지부(41)의 외방에 배치되어 있다. 외향 개구(56)는, 핀 피복부(51)의 내면과 파지부(41)의 외면 사이의 간극(G1)에 이어져 있다. 외향 개구(56)는, 파지부(41)의 상면(41a)보다도 상방 높이로부터 파지부(41)보다도 하방의 높이까지 연장되어 있다. 외향 개구(56)는, 외향으로 열려 있음과 더불어, 하향으로 열려 있다. 외향 개구(56)는, 파지부(41)의 일부와 동일한 높이부터 파지부(41)보다도 하방의 높이까지 연장되어 있어도 된다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 연결 부재(39)는, 핀 커버(38)의 상방에 배치된 헤드부(39a)와, 헤드부(39a)로부터 하방으로 연장되는 축부(39b)를 포함한다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 헤드부(39a) 및 축부(39b)는, 척 개폐 기구(14)의 구동축(14a)의 상방에 배치되어 있다. 축부(39b)는, 핀 회동 축선(A2)을 따라 상하 방향으로 연장되어 있다. 축부(39b)는, 핀 커버(38)의 하측 상벽(49)을 상하 방향으로 관통하는 부착공(57)에 삽입되어 있다. 축부(39b)는, 또한, 도전성 부재(37)의 토대부(40)에 설치된 암나사 구멍(58)에 나사 조여져 있다. 핀 커버(38)의 일부(하측 상벽(49)의 일부)는, 연결 부재(39)의 헤드부(39a)와 도전성 부재(37)의 토대부(40) 사이에 배치되어 있고, 연결 부재(39)와 도전성 부재(37)에 의해 연결 부재(39)의 축방향(축부(39b)의 축방향)으로 조여져 있다. 이에 따라, 핀 커버(38)가 도전성 부재(37)에 고정되어 있다.
도 9는, 처리 유닛(2)에 의해 행해지는 기판(W) 처리의 일예에 대하여 설명하기 위한 공정도이다. 이하에서는, 도 1을 참조한다. 도 9에 대해서는 적절히 참조한다.
이하에서는, 실리콘 기판을 처리하는 예에 대하여 설명한다. 기판(W)은, 실리콘 기판에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 실리콘 카바이드 기판, 사파이어 기판, 질화갈륨 기판, 또는 비소화갈륨 기판 등이어도 된다.
처리 유닛(2)에 의해 기판(W)이 처리될 때에는, 쳄버(4) 내에 기판(W)을 반입하는 반입 공정(도 9의 단계 S1)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 모든 노즐이 스핀 척(5)의 상방으로부터 퇴피해 있는 상태에서, 기판(W)을 유지하고 있는 반송 로봇의 핸드를 쳄버(4) 내에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇에 의해, 기판(W)을 복수의 척 핀(13) 상에 재치한다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇의 핸드를 쳄버(4) 내에서 퇴피시킨다. 또한, 제어 장치(3)는, 기판(W)이 복수의 척 핀(13) 상에 재치된 후, 각 척 핀(13)을 열림 위치부터 닫힘 위치로 이동시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(16)에 의해 기판(W)의 회전을 개시시킨다.
다음에, 제1 약액의 일예인 SPM을 기판(W)에 공급하는 제1 약액 공급 공정(도 9의 단계 S2)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(21)를 제어함으로써, 제1 약액 노즐(17)을 퇴피 위치부터 처리 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 제1 약액 노즐(17)이 기판(W)의 상방에 배치된다. 그 후, 제어 장치(3)는, 제1 약액 밸브(19)를 열고, 실온보다도 고온(예를 들면, 140℃)의 SPM을 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해서 제1 약액 노즐(17)에 토출시킨다. 제어 장치(3)는, 이 상태에서 노즐 이동 장치(21)를 제어함으로써, 기판(W)의 상면에 대한 SPM의 착액 위치를 중앙부와 주연부 사이에서 이동시킨다.
제1 약액 노즐(17)로부터 토출된 SPM은, 기판(W)의 상면에 착액한 후, 원심력에 의해 기판(W)의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이 때문에, SPM이 기판(W)의 상면 전역에 공급되어, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막이 기판(W) 상에 형성된다. 이에 따라, 레지스트막 등의 이물이 SPM에 의해 기판(W)으로부터 제거된다. 또한, 제어 장치(3)는, 기판(W)이 회전하고 있는 상태에서, 기판(W)의 상면에 대한 SPM의 착액 위치를 중앙부와 주연부 사이에서 이동시키므로, SPM의 착액 위치가, 기판(W)의 상면 전역을 통과하고, 기판(W)의 상면 전역이 주사된다. 이 때문에, 제1 약액 노즐(17)로부터 토출된 SPM이, 기판(W)의 상면 전역에 직접 분사되어, 기판(W)의 상면 전역이 균일하게 처리된다.
다음에, 기판(W)에의 SPM의 공급을 정지시킨 상태에서 SPM의 액막을 기판(W) 상에 유지하는 패들 공정(도 9의 단계 S3)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)을 제어함으로써, 기판(W)의 상면 전역이 SPM의 액막에 덮여 있는 상태에서, 제1 약액 공급 공정에서의 기판(W)의 회전 속도보다도 작은 저회전 속도(예를 들면 1∼30rpm)까지 기판(W)의 회전 속도를 저하시킨다. 이 때문에, 기판(W) 상의 SPM에 작용하는 원심력이 약해져, 기판(W) 상으로부터 배출되는 SPM의 양이 감소한다. 제어 장치(3)는, 기판(W)이 저회전 속도로 회전하고 있는 상태에서, 제1 약액 밸브(19)를 닫고, 제1 약액 노즐(17)로부터의 SPM의 토출을 정지시킨다. 이에 따라, 기판(W)으로의 SPM의 공급이 정지된 상태에서, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막이 기판(W) 상에 유지된다. 제어 장치(3)는, 기판(W)으로의 SPM의 공급을 정지한 후, 노즐 이동 장치(21)를 제어함으로써, 제1 약액 노즐(17)을 스핀 척(5)의 상방으로부터 퇴피시킨다.
다음에, 기판(W)과 기판(W) 상의 SPM을 가열하는 가열 공정(도 9의 단계 S4)이, 패들 공정과 병행하여 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)로부터의 발광을 개시시킨다. 이에 따라, 적외선 히터(32)의 온도(가열 온도)가, 제1 약액(이 처리예에서는, SPM)의 비점보다도 높은 온도까지 상승하고, 그 온도로 유지된다. 그 후, 제어 장치(3)는, 히터 이동 장치(36)에 의해 적외선 히터(32)를 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)가 기판(W)의 상방에 배치된 후, 기판(W)의 상면에 대한 적외선의 조사 위치가 중앙부 및 주연부의 한쪽으로부터 다른쪽으로 이동하도록, 히터 이동 장치(36)에 의해 적외선 히터(32)를 수평 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)에 의한 기판(W)의 가열이 소정 시간에 걸쳐 행해진 후, 적외선 히터(32)를 기판(W)의 상방으로부터 퇴피킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)의 발광을 정지시킨다. 또한, 상기의 적외선 히터(32)의 발광과 이동은, 동시에 행해져도 되고, 이동하고 나서 발광을 개시해도 된다.
이와 같이, 제어 장치(3)는, 기판(W)을 회전시키고 있는 상태에서, 기판(W)의 상면에 대한 적외선의 조사 위치를 중앙부 및 주연부의 한쪽으로부터 다른쪽으로 이동시키므로, 기판(W)이 균일하게 가열된다. 따라서, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막도 균일하게 가열된다. 적외선 히터(32)에 의한 기판(W)의 가열 온도는, SPM의 그 농도에 있어서의 비점 이상의 온도로 설정되어 있다. 따라서, 기판(W) 상의 SPM이, 그 농도에 있어서의 비점까지 가열된다. 특히, 적외선 히터(32)에 의한 기판(W)의 가열 온도가, SPM의 그 농도에 있어서의 비점보다도 고온으로 설정되어 있는 경우에는, 기판(W)과 SPM의 계면의 온도가, 비점보다도 고온으로 유지되어, 기판(W)으로부터의 이물의 제거가 촉진된다.
다음에, 기판(W) 상의 SPM을 배출하는 제1 약액 배출 공정(도 9의 단계 S5)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)을 제어함으로써, 기판(W)으로의 액체의 공급이 정지되어 있는 상태에서, 패들 공정에서의 기판(W)의 회전 속도보다도 빠른 회전 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 이에 따라, 패들 공정시보다도 큰 원심력이 기판(W) 상의 SPM에 가해져, 기판(W) 상의 SPM이 기판(W)의 주위에 분산된다. 이 때문에, 거의 모든 SPM이 기판(W) 상으로부터 배출된다. 또한, 기판의 주위에 비산한 SPM은, 컵(8)에 의해 받아져, 컵(8)을 통하여 회수 장치 또는 배액 장치로 안내된다.
다음에, 린스액의 일예인 순수(純水)를 기판에 공급하는 제1 린스액 공급 공정(도 9의 단계 S6)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 린스액 노즐(27)이 기판의 상방에 배치된 후, 린스액 밸브(29)를 열고, 회전 상태의 기판의 상면을 향해서 린스액 노즐(27)에 순수를 토출시킨다. 이에 따라, 기판의 상면 전역을 덮는 순수의 액막이 형성되고, 기판에 잔류해 있는 SPM이 순수에 의해 씻겨내린다. 그리고, 린스액 밸브(29)가 열리고나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(29)를 닫고 순수의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 기판의 상방으로부터 퇴피시킨다.
다음에, 제2 약액의 일예인 SC1을 기판에 공급하는 제2 약액 공급 공정(도 9의 단계 S7)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(26)를 제어함으로써, 제2 약액 노즐(22)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 제2 약액 노즐(22)이 기판의 상방에 배치된 후, 제2 약액 밸브(24)를 열고, 회전 상태의 기판 상면을 향해서 SC1을 제2 약액 노즐(22)에 토출시킨다. 제어 장치(3)는, 이 상태에서 노즐 이동 장치(26)를 제어함으로써, 기판의 상면에 대한 SC1의 착액 위치를 중앙부와 주변부 사이에서 이동시킨다. 그리고, 제2 약액 밸브(24)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 제2 약액 밸브(24)를 닫고 SC1의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(26)를 제어함으로써, 제2 약액 노즐(22)을 기판의 상방으로부터 퇴피시킨다.
제2 약액 노즐(22)로부터 토출된 SC1은, 기판의 상면에 착액한 후, 원심력에 의해 기판의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이 때문에, 기판 상의 순수는, SC1에 의해 외방으로 밀려나가, 기판의 주위에 배출된다. 이에 따라, 기판 상의 순수의 액막이, 기판의 상면 전역을 덮는 SC1의 액막으로 치환된다. 또한, 제어 장치(3)는, 기판이 회전하고 있는 상태에서, 기판의 상면에 대한 SC1의 착액 위치를 중앙부와 주연부 사이에서 이동시키므로, SC1의 착액 위치가, 기판의 상면 전역을 통과하고, 기판의 상면 전역이 주사된다. 이 때문에, 제2 약액 노즐(22)로부터 토출된 SC1이, 기판의 상면 전역에 직접 분사되어, 기판의 상면 전역이 균일하게 처리된다.
다음에, 린스액의 일예인 순수를 기판에 공급하는 제2 린스액 공급 공정(도 9의 단계 S8)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 린스액 노즐(27)이 기판의 상방에 배치된 후, 린스액 밸브(29)를 열고, 회전 상태의 기판 상면을 향해서 린스액 노즐(27)에 순수를 토출시킨다. 이에 따라, 기판상의 SC1이, 순수에 의해 외방으로 밀려나가, 기판의 주위에 배출된다. 이 때문에, 기판상의 SC1의 액막이, 기판의 상면 전역을 덮는 순수의 액막으로 치환된다. 그리고, 린스액 밸브(29)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(29)를 닫고 순수의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 기판의 상방으로부터 퇴피시킨다.
다음에, 기판을 건조시키는 건조 공정(도 9의 단계 S9)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)에 의해 기판의 회전을 가속시켜, 제1 약액 공급 공정부터 제2 린스액 공급 공정까지의 회전 속도보다도 큰 고회전 속도(예를 들면 몇천rpm)로 기판을 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 기판 상의 액체에 가해져, 기판에 부착되어 있는 액체가 기판의 주위에 뿌려진다. 이와 같이 하여, 기판으로부터 액체가 제거되어, 기판이 건조한다. 그리고, 기판의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(16)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판의 회전을 정지시킨다.
다음에, 기판을 쳄버(4) 내로부터 반출하는 반출 공정(도 9의 단계 S10)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 각 척 핀(13)을 닫힘 위치로부터 열림 위치로 이동시켜, 스핀 척(5)에 의한 기판의 파지를 해제시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 모든 노즐이 스핀 척(5)의 상방으로부터 퇴피하고 있는 상태에서, 반송 로봇의 핸드를 쳄버(4) 내에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇의 핸드에 스핀 척(5) 상의 기판을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇의 핸드를 쳄버(4) 내에서 퇴피시킨다. 이에 따라, 처리가 끝난 기판이 쳄버(4)로부터 반출된다.
이상과 같이 본 실시 형태에서는, 도전성을 가지는 도전성 부재(37)와, 도전성 부재(37)를 덮는 핀 커버(38)가, 각 척 핀(13)에 설치되어 있다. 도전성 부재(37)는, 탄소를 포함하는 재료로 형성되어 있고, 도전성을 가지고 있다. 도전성 부재(37)는, 기판의 주연부에 눌러 붙여지는 파지부(41)를 포함한다. 따라서, 기판의 회전 중에 기판에 접해 있는 부분(파지부(41))이, 도전성을 가지고 있다. 이 때문에, 기판의 회전에 의한 기판의 대전이나, 대전된 처리액이 공급됨에 의한 기판의 대전 등을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 도전성 부재(37)가 기판보다도 무르기 때문에, 기판과 도전성 부재(37)의 접촉에 의해 기판이 손상되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 복수의 파지부(41)가 기판의 주연부에 눌러 붙여져 있는 상태에서는, 도전성 부재(37)의 일부가, 평면에서 봐서 기판의 주위에 배치된다. 핀 커버(38)는, 복수의 파지부(41)가 기판의 주연부에 눌러 붙여져 있는 상태에 있어서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 돌출부(도전성 부재(37)의 일부)의 전역을 평면에서 봐서 덮고 있다. 따라서, 도전성 부재(37)의 일부가 핀 커버(38)에 의해 열원으로부터 보호된다. 또한, 기판의 하방에 위치하는 도전성 부재(37)의 다른 부분이, 평면에서 봐서 핀 커버(38)로부터 노출되어 있다고 해도, 이 부분은, 기판에 의해 열원으로부터 보호된다. 따라서, 도전성 부재(37)의 전체가 열원으로부터 보호된다. 이에 따라, 가열에 의한 척 핀(13)의 변형을 방지할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 적외선 램프(33)가, 스핀 척(5)에 파지되어 있는 기판의 상방에 배치되어 있다. 적외선 램프(33)는, 기판을 향해서 광을 발한다. 이에 따라, 기판에 광이 조사되어, 기판과 기판 상의 처리액의 적어도 한쪽이 가열된다. 도전성 부재(37)를 덮는 핀 커버(38)는, 도전성 부재(37)보다도 광의 반사율이 높다. 따라서, 핀 커버(38)는, 도전성 부재(37)보다도 가열되기 어렵고, 도전성 부재(37)보다도 온도가 상승하기 어렵다. 이 때문에, 핀 커버(38)는, 적외선 램프(33)의 광으로부터 도전성 부재(37)를 보호할 수 있을 뿐 아니라, 핀 커버(38) 자체의 온도 상승을 억제할 수 있다. 이에 따라, 척 핀(13)의 온도 상승을 억제할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 핀 커버(38)가, 광을 반사하기 쉬운 백색의 외면을 가지고 있다. 이에 대하여, 도전성 부재(37)는, 검은색의 탄소를 포함하는 재료로 형성되어 있고, 검은색의 외면을 가지고 있다. 따라서, 핀 커버(38)는, 도전성 부재(37)보다도 광의 반사율이 높다. 또한, 핀 커버(38)의 외면이 빛을 반사하기 쉬운 백색이므로, 핀 커버(38)에 흡수되는 광의 양을 저감할 수 있어, 핀 커버(38) 자체의 온도 상승을 효율적으로 억제할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 기판의 하면 주연부를 지지하는 지지부(55)가, 핀 커버(38)에 설치되어 있다. 따라서, 지지부(55)가, 도전성 부재(37)에 설치되어 있는 경우보다도, 도전성 부재(37)가 소형화한다. 이 때문에, 열원으로부터 보호해야 할 부분(도전성 부재(37)의 일부)을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판의 하면과 닿는 지지부(55)가 기판보다도 무르기 때문에, 기판과 핀 커버(38)의 접촉에 의해 기판이 손상되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)에 의해 처리된 기판의 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 도전성 부재(37)와 핀 커버(38)가 별도의 부재이며, 서로 조합되어 있다. 핀 커버(38)가, 도전성 부재(37)에 조합되는 도전성 부재(37)와는 별도 부재이므로, 핀 커버(38)가 도전성 부재(37)의 외면에 밀착된 코팅층인 경우보다도, 핀 커버(38)의 형상의 자유도가 높다. 따라서, 핀 커버(38)의 두께를 크게 하기 쉽다. 이 때문에, 열원으로부터 도전성 부재(37)에 전달되는 열을 핀 커버(38)에 의해 더욱 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 도전성 부재(37)의 온도 상승을 더욱 억제할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 도전성 부재(37)에 설치된 파지부(41)가, 핀 커버(38)에 설치된 핀 피복부(51)에 수용되어 있다. 핀 피복부(51)의 적어도 일부는, 파지부(41)의 상방에 배치되어 있고, 파지부(41)의 상면(41a)을 덮고 있다. 따라서, 핀 커버(38)는, 열원으로부터 파지부(41)의 상면(41a)을 보호할 수 있다. 또한, 파지부(41)로부터 핀 피복부(51)의 외부까지 내방으로 연장되는 내향 개구(47)가, 핀 커버(38)에 의해 형성되어 있으므로, 기판의 주연부를 내향 개구(47) 내에 진입시킴으로써, 파지부(41)를 기판의 주연부에 눌러 붙일 수 있다. 따라서, 핀 커버(38)는, 파지부(41)에 의한 기판의 파지를 방해하지 않고, 열원으로부터 파지(41)를 보호할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 파지부(41)로부터 핀 피복부(51)의 외부까지 외방으로 연장되는 외향 개구(56)가, 핀 커버(38)에 의해 형성되어 있다. 전술과 같이, 도전성 부재(37)와 핀 커버(38)는 별도의 부재이며, 서로 조합되어 있으므로, 핀 피복부(51)의 내면과 파지부(41)의 외면 사이에 미소한 간극(G1)(예를 들면, 2mm정도 이하의 간극)이 생긴다. 처리액 공급 장치(6)가 기판에 처리액을 공급하면, 미량의 처리액이 이 간극(G1)에 침입하는 경우가 있다. 외향 개구(56)는, 핀 피복부(51)의 내면과 파지부(41)의 외면 사이의 간극(G1)에 이어져 있고, 외향으로 열려 있다. 따라서, 핀 피복부(51)와 파지부(41) 사이에 침입한 처리액은, 외향 개구(56)로 이동하고, 외향 개구(56)로부터 외방으로 배출된다. 이에 따라, 척 핀(13) 내의 처리액의 잔류량을 저감할 수 있어, 잔류액에 의한 기판의 오염을 저감할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 외향 개구(56)는, 파지부(41)보다도 상하 방향으로 길고, 충분한 개구 면적이 외향 개구(56)에 확보되어 있다. 이 때문에, 내향 개구(47)를 통과하여 핀 커버(38)의 내부에 침입한 처리액을 효율적으로 외향 개구(56)로부터 배출할 수 있다. 이에 따라, 척 핀(13) 내의 처리액의 잔류량을 저감할 수 있고, 잔류액에 의한 기판의 오염을 저감할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 외향 개구(56)가, 외향으로 열려있음과 더불어, 하향으로 열려 있다. 외향 개구(56) 내의 처리액은, 중력에 의해 외향 개구(56) 내를 하방으로 흐른다. 따라서, 외향 개구(56)의 하단이 닫혀 있는 경우, 외향 개구(56)의 하단에 처리액이 모여 버린다. 이에 대하여, 외향 개구(56)가 하향으로 열려 있는 경우에는, 외향 개구(56)의 하단에 흘러내린 처리액이, 외향 개구(56)로부터 하방으로 배출된다. 이 때문에, 척 핀(13) 내의 처리액의 잔류량을 저감할 수 있어, 잔류액에 의한 기판의 오염을 저감할 수 있다.
본 발명의 실시 형태의 설명은 이상이지만, 본 발명은, 전술의 실시 형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 다양한 변경이 가능하다.
예를 들면, 전술의 실시 형태에서는, 기판의 하면 주연부에 접촉하는 지지부(55)가, 핀 커버(38)에 설치되어 있는 경우에 대하여 설명했는데, 지지부(55)는, 도전성 부재(37)에 설치되어도 된다.
또한, 전술의 실시 형태에서는, 도전성 부재(37)의 일부가, 평면에서 봐서 핀 커버(38)로부터 노출되어 있는 경우에 대하여 설명했는데, 핀 커버(38)가, 평면에서 봐서 도전성 부재(37)의 전체를 덮고 있고, 도전성 부재(37)의 전체가, 평면에서 봐서 핀 커버(38)에 가려져 있어도 된다.
또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, 도전성 부재(37)는, 파지부(41)에 추가하여, 파지부(41)보다도 강성이 높고 또한 파지부(41)를 유지하는 유지부(59)를 포함하고 있어도 된다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 파지부(41) 및 유지부(59)는, 별도 부재이다. 파지부(41)는, 기판(W)보다도 무르고, 또한 내약품성 및 도전성을 가지는 전술의 복합 재료로 형성되어 있다. 유지부(59)는, 파지부(41)보다도 단단하고, 또한 내약품성 및 도전성을 가지는 재료로 형성되어 있다.
파지부(41)가 탄소와 PFA를 포함하는 복합 재료로 형성되어 있는 경우, 유지부(59)는, SiC(탄화규소) 등의 도전성 세라믹으로 형성되어 있다. 유지부(59)는, 탄소의 소결체여도 되고, 지르코니아(ZrO2) 등의 SiC 이외의 도전성 세라믹으로 형성되어 있어도 된다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 유지부(59)는, 전술의 토대부(40)와, 토대부(40)로부터 상방으로 연장되는 코어부(60)를 포함한다. 파지부(41)는, 토대부(40)의 상방에 배치되어 있다. 코어부(60)는, 파지부(41)에 형성된 삽입 구멍에 삽입되어 있다. 파지부(41)는, 코어부(60)의 전주를 둘러싸고 있다. 코어부(60)의 상단은, 수용홈(42)의 바닥(42a)보다도 상방에 배치되어 있다. 코어부(60)의 상단은, 도 10에 도시하는 바와 같이, 파지부(41)의 상면(41a)과 동일한 높이에 배치되어 있어도 되고, 파지부(41)의 상면(41a)과 수용 홈(42)의 바닥(42a) 사이의 높이에 배치되어 있어도 된다. 척 핀(13)이 닫힘 위치에 위치하고 있을 때, 코어부(60)는, 기판(W)의 주위에 위치한다.
도 10에 도시하는 구성에서는, 파지부(41) 및 유지부(59)가, 도전성 부재(37)에 설치되어 있다. 파지부(41) 및 유지부(59)는, 모두 도전성을 가지고 있다. 따라서, 기판(W)의 대전을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)에 접촉하는 파지부(41)가 기판(W)보다도 무르기 때문에, 기판(W)과 도전성 부재(37)의 접촉에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 파지부(41)를 유지하는 유지부(59)가 파지부(41)보다도 강성이 높으므로, 도전성 부재(37) 전체의 강성을 높일 수 있다. 이에 따라, 척 핀(13)의 변형량을 저감할 수 있다. 특히, 파지부(41)가 유지부(59)의 코어부(60)에 의해 보강되어 있으므로, 파지부(41)의 변형을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 전술의 실시 형태에서는, 기판 및 처리액의 적어도 한쪽을 가열하는 열원이, 적외선 램프(33)를 포함하는 적외선 히터(32)인 경우에 대하여 설명했는데, 통전에 의해 발열하는 전열선을 포함하는 저항 히터나, 실온보다도 고온의 열풍을 분출하는 송풍기가, 열원으로서 이용되어도 된다.
또한, 전술의 실시 형태에서는, 핀 커버(38)가 도전성 부재(37)와는 별도 부재인 경우에 대하여 설명했는데, 도 11에 도시하는 바와 같이, 핀 커버(38)의 전부 또는 일부는, 도전성 부재(37)의 외면에 밀착된 코팅층이어도 된다. 코팅층은, 도전성 부재(37)와는 별도 부재보다도 두께를 얇게 하기 쉽다. 따라서, 핀 커버(38)가 코팅층을 포함할 경우에는, 척 핀(13)의 중량의 증가를 억제할 수 있다. 이에 따라, 척 핀(13)의 관성 질량의 증가를 억제할 수 있다.
또한, 전술의 실시 형태에서는, 적외선 히터(32)의 발광이 정지된 상태에서, 건조 공정이 행해지는 경우에 대하여 설명했는데, 제어 장치(3)는, 건조 공정과 병행하여, 적외선 히터(32)에 기판과 기판상의 액체를 가열시켜도 된다. 이 경우, 제어 장치(3)는, 기판의 상면에 대한 광의 조사 위치가 기판의 상면 내에서 이동하도록 적외선 히터(32)를 이동시켜도 되고, 적외선 히터(32)를 정지시킨 상태에서 적외선 히터(32)를 발광시켜도 된다. 어떠한 경우에도, 기판 및 액체의 가열에 의해, 액체의 증발이 촉진되므로, 기판이 건조되기까지의 시간을 단축할 수 있다.
또한, 전술의 실시 형태에서는, 제1 약액 노즐(17), 제2 약액 노즐(22), 및 린스액 노즐(27)이, 별도의 아암에 부착되어 있는 경우에 대하여 설명했는데, 제1 약액 노즐(17), 제2 약액 노즐(22), 및 린스액 노즐(27) 중 2개 이상이, 공통의 아암에 부착되어 있어도 된다. 또한, 전술의 실시 형태에서는, 적외선 히터(32)가 히터 아암(35)에 부착되어 있는 경우에 대하여 설명했는데, 적외선 히터(32)는, 제1 약액 노즐(17), 제2 약액 노즐(22), 및 린스액 노즐(27)의 적어도 하나를 유지하는 아암에 부착되어 있어도 된다.
또한, 전술의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)가, 원판상의 기판을 처리하는 장치인 경우에 대하여 설명했는데, 기판 처리 장치(1)는, 액정 표시 장치용 기판 등의 다각형 기판을 처리하는 장치여도 된다.
또한, 전술의 모든 실시 형태 중 2개 이상이 조합되어도 된다.
이 출원은, 2013년5월13일에 일본국 특허청에 제출된 특원 2013-101532호와, 2014년1월24일에 일본국 특허청에 제출된 특원 2014-011684호에 대응하고 있고, 이들 출원의 전 개시는 여기에 인용에 의해 기술되는 것으로 한다.
본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명했는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확히 하기 위해서 이용된 구체예에 불과하고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어서는 안되고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구 범위에 의해서만 한정된다.

Claims (13)

  1. 기판의 주위에 배치되는 복수의 척 핀과, 상기 복수의 척 핀의 각각을 기판의 주연부에 눌러붙임으로써 상기 복수의 척 핀에 기판을 수평 자세로 파지시키는 척 개폐 기구와, 상기 복수의 척 핀에 파지되어 있는 기판을 회전시키는 스핀 모터를 포함하는 스핀 척과,
    상기 스핀 척에 유지되어 있는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치와,
    상기 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상방에 배치되는 열원을 포함하고,
    상기 복수의 척 핀은, 기판보다도 무르고 또한 기판의 주연부에 눌러붙여지는 파지부를 포함하고, 탄소를 포함하는 재료로 형성되어 있으며, 상기 파지부가 기판의 주연부에 눌러져 있는 상태에서 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 도전성 부재와,
    상기 도전성 부재의 파지부가 기판의 주연부에 눌러붙여져 있는 상태에서, 평면에서 봐서 기판의 외주연으로부터 외방으로 돌출하는 상기 도전성 부재에 포함되는 일부에 대하여 평면에서 봐서 전역에서 덮는 핀 커버를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 열원은, 상기 스핀 척에 파지되어 있는 기판을 향해서 기판의 상방으로부터 광을 발하는 램프를 포함하고,
    상기 핀 커버는, 상기 도전성 부재보다도 광의 반사율이 높은, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 핀 커버는 백색의 외면을 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 척 개폐 기구는, 상기 파지부가 기판의 주연부에 눌러붙여지는 닫힘 위치와, 상기 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어지는 열림 위치 사이에서, 상기 복수의 척 핀을 이동시키고,
    상기 핀 커버는, 상기 파지부로부터 비스듬히 아래로 연장되어 있음과 더불어, 상기 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어져 있는 상태에서 기판의 하면 주연부를 지지하는 지지부를 포함하고, 기판보다도 무른, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 핀 커버는, 상기 도전성 부재와는 별도의 부재인, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 핀 커버는, 적어도 상기 파지부의 상면이 덮이도록 상기 파지부를 수용하는 핀 피복부를 포함하고, 상기 파지부로부터 상기 핀 피복부의 외부까지 내방으로 연장되는 내향 개구를 형성하고 있는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 핀 커버는, 상기 파지부로부터 상기 핀 피복부의 외부까지 외방으로 연장되어 있고, 상기 핀 피복부의 내면과 상기 파지부의 외면 사이의 간극에 이어지는 외향 개구를 형성하고 있는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 외향 개구는, 상기 파지부보다도 상하 방향으로 긴, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 외향 개구는, 외향으로 열려 있음과 더불어, 하향으로 열려 있는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 핀 커버는, 상기 도전성 부재의 외면에 밀착된 코팅층을 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 스핀 척, 처리액 공급 장치, 및 열원을 제어하는 제어 장치를 더 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 처리액 공급 장치가 처리액을 기판에 공급하게 함으로써, 기판의 상면 전역을 덮는 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
    상기 액막 형성 공정에서 형성된 처리액의 액막이 기판 상에 있는 상태에서 상기 열원을 발열시키는 가열 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 스핀 척, 처리액 공급 장치, 및 열원을 제어하는 제어 장치를 더 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 스핀 척이 기판을 회전시키게 하면서, 상기 처리액 공급 장치가 처리액을 기판에 공급하게 하는 처리액 공급 공정과,
    기판으로의 처리액의 공급이 정지된 상태에서, 상기 처리액 공급 공정에서의 회전 속도보다도 큰 회전 속도로 상기 스핀 척이 기판을 회전시키게 함으로써, 기판으로부터 처리액을 제거하여 기판을 건조시키는 건조 공정과,
    상기 건조 공정과 병행하여, 상기 열원을 발열시키는 가열 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전성 부재는, 기판보다도 무르고 또한 기판의 주연부에 눌러붙여지는 상기 파지부와, 상기 파지부보다도 단단하고 또한 상기 파지부를 유지하는 유지부를 포함하는, 기판 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220147422A (ko) * 2021-04-27 2022-11-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 제작 방법

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6222818B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9412639B2 (en) * 2013-12-06 2016-08-09 Tel Fsi, Inc. Method of using separate wafer contacts during wafer processing
KR102207870B1 (ko) * 2014-12-02 2021-01-26 세메스 주식회사 그립부 지지유닛 및 이를 갖는 캐리어 이송 장치
JP6512974B2 (ja) * 2015-07-14 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9895711B2 (en) * 2015-02-03 2018-02-20 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and substrate processing apparatus
JP6435992B2 (ja) * 2015-05-29 2018-12-12 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
KR102424494B1 (ko) * 2015-07-21 2022-07-25 주식회사 케이씨텍 기판 스피닝 장치
US20170140975A1 (en) 2015-11-17 2017-05-18 Semes Co., Ltd. Spin head, apparatus and method for treating a substrate including the spin head
KR101757813B1 (ko) * 2015-11-17 2017-07-26 세메스 주식회사 스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
JP6691836B2 (ja) * 2016-06-20 2020-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2018019016A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6725384B2 (ja) 2016-09-26 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
TW201919102A (zh) * 2017-07-21 2019-05-16 日商東邦化成股份有限公司 半導體元件之製造裝置及半導體元件 之製造方法
US11133200B2 (en) * 2017-10-30 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate vapor drying apparatus and method
US10658221B2 (en) 2017-11-14 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
US11410857B2 (en) 2017-11-30 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer holding pins and methods of using the same
JP6888120B2 (ja) * 2017-12-07 2021-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
JP7175119B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7191591B2 (ja) * 2018-08-27 2022-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP7406957B2 (ja) * 2019-11-07 2023-12-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス チャックピン、基板処理装置、基板処理システム
US11398391B2 (en) * 2020-05-19 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and method for processing substrate
JPWO2022138662A1 (ko) * 2020-12-23 2022-06-30
JP2022131327A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板把持機構および基板処理装置
CN118511255A (zh) * 2021-12-28 2024-08-16 京瓷株式会社 夹紧用夹具及清洗装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070094885A1 (en) 2005-11-03 2007-05-03 Alan Walter Apparatus and method for removing trace amounts of liquid from substrates during single-substrate processing
JP2007234882A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板取り扱い方法
JP2009239026A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2010245575A (ja) 2002-05-28 2010-10-28 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びスピン処理方法
JP2012094836A (ja) 2010-09-27 2012-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5040484A (en) * 1987-05-04 1991-08-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for retaining wafers
JPH06204316A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 耐熱ロボットハンド
JP2001158966A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Ebara Corp 金属ないし金属化合物薄膜の作製方法
JP4488646B2 (ja) * 2001-04-23 2010-06-23 株式会社トプコン ウェーハ保持装置
JP2003092343A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
US7045746B2 (en) * 2003-11-12 2006-05-16 Mattson Technology, Inc. Shadow-free shutter arrangement and method
JP2007154298A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置および無電解めっき方法
US20070145231A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-28 Chunghwa Picture Tubes, Ltd Substrate buffer clamp
US8613288B2 (en) * 2009-12-18 2013-12-24 Lam Research Ag High temperature chuck and method of using same
TWI625814B (zh) * 2012-07-27 2018-06-01 荏原製作所股份有限公司 工件搬送裝置
JP6057334B2 (ja) * 2013-03-15 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010245575A (ja) 2002-05-28 2010-10-28 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びスピン処理方法
US20070094885A1 (en) 2005-11-03 2007-05-03 Alan Walter Apparatus and method for removing trace amounts of liquid from substrates during single-substrate processing
JP2007234882A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板取り扱い方法
JP2009239026A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2012094836A (ja) 2010-09-27 2012-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220147422A (ko) * 2021-04-27 2022-11-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 제작 방법
KR102489916B1 (ko) 2021-04-27 2023-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 제작 방법

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