KR102069944B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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마사키 이와미
도모유키 고바야시
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마사하루 사토
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 기판(W)을 수평하게 끼움으로써 수평한 자세로 유지하는 복수의 척 부재(13)와, 기판(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단과, 기판(W)의 상방에 배치되는 열원을 구비하고 있다. 척 부재(13)는, 기판(W)보다 하방에 배치되는 토대부(46)와, 토대부(46)의 상면(46a)으로부터 상방으로 돌출되어 있고, 기판(W)의 외주부에 눌러지는 접촉부(47)를 포함하고, 적어도 일부가 탄소를 포함하는 재료로 형성된 도전성 부재(41)와, 도전성 부재(41)에 부착되어 있고, 평면에서 볼 때 토대부(46)의 적어도 일부를 덮지 않고, 접촉부(47)를 덮는 척 커버(42)를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상의 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 이용된다. 일본국 특허공개 2014-241390호 공보에는, 기판을 한 장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
이 기판 처리 장치는, 기판을 수평하게 유지하면서 기판의 중앙부를 통과하는 연직인 회전축선 둘레로 회전시키는 스핀척과, 기판의 상면을 향해 약액이나 린스액 등의 처리액을 토출하는 노즐과, 기판의 상면을 향해 광을 발하는 적외선 히터를 구비하고 있다. 스핀척은, 기판의 외주부에 눌러지는 복수의 척 핀을 구비하고 있다.
척 핀은, 도전성을 갖는 도전성 부재와, 도전성 부재를 덮는 핀 커버를 포함한다. 도전성 부재는, 스핀 베이스의 상방에 배치된 토대부와, 토대부의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 파지부를 포함한다. 핀 커버는, 평면에서 볼 때 도전성 부재의 거의 전역을 덮고 있다. 도전성 부재는, 핀 커버에 의해 적외선 히터의 광으로부터 보호된다. 이로 인해, 온도 상승에 기인하는 도전성 부재의 변형이 방지된다.
일본국 특허공개 2014-241390호 공보에서는, 열원의 열로부터 도전성 부재를 보호하기 위해서, 핀 커버로 도전성 부재를 덮고 있다. 그러나, 이 척 핀에서는, 도전성 부재와 핀 커버의 사이에 처리액이 남기 쉽다. 특히, 핀 커버가 도전성 부재의 거의 전역을 덮고 있으므로, 처리액의 잔류량이 증가해 버린다. 도전성 부재와 핀 커버의 사이에 잔류한 처리액은, 기판의 오염 원인이 되는 파티클로 변화해 버리는 경우가 있다.
그래서, 본 발명의 목적 중 하나는, 척 부재의 도전성 부재를 열원으로부터 보호하면서, 도전성 부재와 척 커버의 사이에 잔류하는 처리액을 줄이는 것이다.
본 발명의 한 실시 형태는, 기판을 수평하게 끼움으로써 수평한 자세로 유지하는 복수의 척 부재와, 상기 복수의 척 부재에 유지되어 있는 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단과, 상기 복수의 척 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 상방에 배치되는 열원과, 상기 복수의 척 부재가 상기 기판의 외주부에 눌러지는 닫힘 상태와, 상기 기판에 대한 상기 복수의 척 부재의 누름이 해제되는 열림 상태의 사이에서 상기 복수의 척 부재를 전환하는 척 개폐 기구를 구비하고, 상기 복수의 척 부재 중 적어도 하나는, 상기 기판보다 하방에 배치되는 토대부와, 상기 토대부의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있고, 상기 기판의 외주부에 눌러지는 접촉부를 포함하고, 적어도 일부가 탄소를 포함하는 재료로 형성된 도전성 부재와, 상기 도전성 부재에 부착되어 있고, 평면에서 볼 때 상기 토대부의 적어도 일부를 덮지 않고 상기 접촉부를 덮는 척 커버를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다. .
이 구성에 의하면, 기판의 외주부에 눌러지는 접촉부가, 척 부재의 도전성 부재에 설치되어 있다. 접촉부는, 평면에서 볼 때 척 커버에 덮여 있다. 따라서, 열원의 열로부터 접촉부를 보호할 수 있다. 또한, 도전성 부재에 설치된 토대부의 일부 또는 전부가 평면에서 볼 때 척 커버에 덮여 있지 않기 때문에, 토대부의 대부분이 척 커버에 덮여 있는 경우와 비교하여, 도전성 부재와 척 커버의 사이에 잔류하는 처리액을 줄일 수 있다. 또한, 토대부는, 기판보다 하방에 배치되어 있고, 기판의 상방에 배치되는 열원으로부터 하방으로 떨어져 있다. 그 때문에, 토대부가 척 커버에 덮여 있지 않아도, 토대부는, 토대부의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 접촉부와 비교하면, 열의 영향을 받기 어렵다. 이로 인해, 온도 상승에 기인하는 도전성 부재의 변형을 방지하면서, 잔류 처리액에 기인하는 파티클을 줄일 수 있다.
복수의 척 부재의 각각이 도전성 부재와 척 커버를 구비하고 있어도 되고, 전체 수를 제외한 1개 이상의 척 부재만이 도전성 부재와 척 커버를 구비하고 있어도 된다. 도전성 부재와 척 커버를 구비하는 척 부재는, 기판의 회전축선에 대해 이동 가능한 가동 척이어도 되고, 기판의 회전축선에 대해 이동할 수 없는 고정 척이어도 된다.
상기 실시 형태에 있어서, 이하의 특징 중 적어도 하나가, 상기 기판 처리 장치에 더해져도 된다.
상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면(天面)의 전역을 평면에서 볼 때 덮고 있다.
이 구성에 의하면, 접촉부의 천면의 전역이, 평면에서 볼 때 척 커버에 덮여 있다. 접촉부의 천면는, 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 부분이며, 열원에 가장 가깝다. 따라서, 접촉부의 천면의 전역을 척 커버로 덮음으로써, 온도 상승에 기인하는 도전성 부재의 변형을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면의 상방에 배치된 커버부를 포함하고, 상기 커버부의 하면과 상기 접촉부의 천면의 사이에 액체가 통과하는 간극을 형성하고 있다.
이 구성에 의하면, 커버부의 하면과 접촉부의 천면이, 양자간에 간극을 형성하고 있다. 접촉부의 천면으로부터 커버부의 하면까지의 연직 방향의 거리, 즉, 간극의 높이는, 접촉부의 천면 상에 형성되는 액적 또는 액막의 높이보다 크다. 간극이 매우 좁으면, 커버부의 하면과 접촉부의 천면의 사이로부터 액체가 배출되기 어렵다. 따라서, 액체가 원활에 흐르는 크기의 간극을 커버부의 하면과 접촉부의 천면의 사이에 설치함으로써, 양자간에 잔류하는 처리액을 줄일 수 있다.
상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면의 상방에 배치된 커버부와, 상기 접촉부의 천면에서 개구하는 끼움 구멍에 삽입된 끼움축을 포함한다.
이 구성에 의하면, 커버부와 끼움축을 척 커버에 설치함으로써, 액이 잔류하는 것을 저감하면서, 체결 부재를 이용하지 않고 척 커버를 도전성 부재에 부착할 수 있다. 구체적으로는, 척 커버의 끼움축이, 접촉부의 천면에서 개구하는 끼움 구멍에 삽입된다. 이로 인해, 척 커버가 도전성 부재에 부착됨과 더불어, 척 커버의 커버부가 접촉부의 천면의 상방에 배치된다. 이와 같이, 척 커버의 끼움축을 도전성 부재의 끼움 구멍에 삽입하는 간단한 작업으로 척 커버를 도전성 부재에 부착할 수 있다.
상기 척 커버는, 상기 끼움축의 외주면으로부터 돌출하는 훅부를 더 포함하고, 상기 훅부는, 상기 끼움 구멍의 내주면으로부터 오목하게 들어간 훅 삽입 구멍에 삽입되어 있다.
이 구성에 의하면, 척 커버의 끼움축이 도전성 부재의 끼움 구멍에 삽입되고, 척 커버가 소정의 설치 위치에 배치되면, 끼움축의 외주면으로부터 돌출하는 훅부가, 끼움 구멍의 내주면으로부터 오목하게 들어간 훅 삽입 구멍에 삽입된다. 끼움 구멍에 대한 축방향으로의 끼움축의 이동은, 훅부의 외면과 훅 삽입 구멍의 내면의 접촉에 의해 규제된다. 따라서, 척 커버가 도전성 부재로부터 벗어나는 것을 확실히 방지할 수 있다.
상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면을 평면에서 볼 때 덮고 있고, 상기 척 커버의 바깥 가장자리의 적어도 일부는, 상기 접촉부의 천면의 바깥 가장자리에 평면에서 볼 때 겹쳐 있다.
이 구성에 의하면, 접촉부의 천면의 일부 또는 전부가, 평면에서 볼 때 척 커버에 덮여 있다. 이로 인해, 도전성 부재에 있어서 열원에 가장 가까운 부분을 효과적으로 보호할 수 있다. 또한, 척 커버는, 척 커버의 바깥 가장자리의 일부 또는 전부가 평면에서 볼 때 접촉부의 천면의 바깥 가장자리와 겹치지도록 소형화되어 있다. 따라서, 접촉부의 천면을 효과적으로 보호하면서, 척 커버의 대형화를 방지할 수 있다.
척 커버의 바깥 가장자리의 일부만이 접촉부의 천면의 바깥 가장자리에 평면에서 볼 때 겹쳐 있어도 되고, 척 커버의 바깥 가장자리의 어느 부분이나 접촉부의 천면의 바깥 가장자리에 평면에서 볼 때 겹쳐 있어도 된다. 전자의 경우, 척 커버는, 접촉부의 천면의 전역을 평면에서 볼 때 덮고 있어도 되고, 접촉부의 천면의 일부만을 평면에서 볼 때 덮고 있어도 된다. 후자의 경우는, 접촉부의 천면의 전역이, 평면에서 볼 때 척 커버에 덮인다. 척 커버의 바깥 가장자리가 평면에서 볼 때 접촉부의 천면의 바깥 가장자리와 겹친다는 것은, 척 커버의 바깥 가장자리가 접촉부의 천면의 바깥 가장자리의 바로 위에 위치하는 경우뿐만 아니라, 척 커버의 바깥 가장자리가 접촉부의 천면의 바깥 가장자리에 대해서 수㎜(예를 들면 3㎜ 이하) 수평하게 어긋나 있는 경우도 포함한다.
상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면을 평면에서 볼 때 덮고 있고, 상기 접촉부의 천면의 바깥 가장자리로부터 돌출되어 있다.
이 구성에 의하면, 접촉부의 천면의 일부 또는 전부가, 평면에서 볼 때 척 커버에 덮여 있다. 이로 인해, 도전성 부재에 있어서 열원에 가장 가까운 부분을 효과적으로 보호할 수 있다. 또한, 접촉부의 천면의 바깥 가장자리로부터 돌출하는 차양부(庇部)가 척 커버에 설치되어 있으므로, 천면 이외의 도전성 부재의 일부가, 척 커버의 차양부에 의해 열원으로부터 보호된다. 이로 인해, 도전성 부재를 보다 확실히 열원으로부터 보호할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상술의, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도 면을 참조하여 다음에 설명하는 실시 형태의 설명에 의해 밝혀진다.
도 1은, 본 발명의 한 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 구비된 챔버의 내부를 수평하게 본 모식도이다.
도 2는, 스핀 베이스 및 이것에 관련하는 구성의 모식적인 평면도이다.
도 3은, 척 부재의 평면도이다.
도 4는, 도 3에 나타내는 IV-IV선에 따른 연직 단면을 나타내는 단면도이다.
도 5는, 도 3에 나타내는 V-V선에 따른 연직 단면을 나타내는 단면도이다.
도 6은, 도 5에 나타내는 화살표 VI의 방향으로 척 커버를 본 외관도이다.
도 7은, 도 6에 나타내는 VII-VII선에 따른 수평 단면을 나타내는 단면도이다.
도 8은, 기판 처리 장치에 의해 행해지는 기판의 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 공정도이다.
도 9는, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 척 부재의 일부를 나타내는 평면도이다. 기판 처리 장치에 구비된 챔버의 내부를 수평하게 본 모식도이다.
도 1은, 본 발명의 한 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 구비된 챔버(4)의 내부를 수평하게 본 모식도이다. 도 2는, 스핀 베이스(12) 및 이에 관련한 구성의 모식적인 평면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판형의 기판(W)을 한 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 처리액이나 처리 가스 등의 처리 유체로 기판(W)을 처리하는 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)에 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(도시 생략)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다. 제어 장치(3)는, 프로그램 등의 정보를 기억하는 기억부와, 기억부에 기억된 정보에 따라서 기판 처리 장치(1)를 제어하는 연산부를 포함하는 컴퓨터이다.
처리 유닛(2)은, 내부 공간을 갖는 상자형의 챔버(4)와, 한 장의 기판(W)을 챔버(4) 내에서 수평하게 유지하면서, 기판(W)의 중앙부를 통과하는 연직인 회전축선(A1) 둘레로 회전시키는 스핀 척(5)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치(6)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)을 그 상방으로부터 가열하는 가열 장치(7)와, 스핀 척(5)의 주위를 둘러싸는 통 형상 컵(8)을 포함한다.
스핀 척(5)은, 수평한 자세로 유지된 원판형의 스핀 베이스(12)와, 스핀 베이스(12)의 상면 외주부로부터 상방으로 돌출하는 복수의 척 부재(13)와, 복수의 척 부재(13)를 개폐시키는 척 개폐 기구(14)를 포함한다. 스핀 척(5)은, 또한, 스핀 베이스(12)의 중앙부로부터 회전축선(A1)을 따라서 하방으로 연장되는 스핀축(15)과, 스핀축(15)을 회전시킴으로써 스핀 베이스(12) 및 척 부재(13)를 회전축선(A1) 둘레로 회전시키는 스핀 모터(16)를 포함한다.
스핀 베이스(12)는, 기판(W)의 직경보다 큰 외경을 갖고 있다. 스핀 베이스(12)의 중심선은, 회전축선(A1) 상에 배치되어 있다. 복수의 척 부재(13)는, 스핀 베이스(12)의 외주부에서 스핀 베이스(12)에 유지되어 있다. 기판(W)은, 기판(W)의 하면과 스핀 베이스(12)의 상면이 상하 방향으로 떨어진 상태에서, 복수의 척 부재(13)에 파지된다. 이 상태에서, 스핀 모터(16)가 스핀축(15)을 회전시키면, 기판(W)은, 스핀 베이스(12) 및 척 부재(13)와 함께 회전축선(A1) 둘레로 회전한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 복수의 척 부재(13)는, 둘레 방향(회전축선(A1) 둘레의 방향)으로 간격을 두고 배치되어 있다. 도 2는, 6개의 척 부재(13)가 스핀 척(5)에 설치되어 있는 예를 나타내고 있다. 6개의 척 부재(13)는, 스핀 베이스(12)에 대해서 이동 가능한 3개의 가동 척(13a)과, 스핀 베이스(12)에 고정된 3개의 고정 척(13b)으로 이루어진다. 3개의 가동 척(13a)은, 그들 사이에 고정 척(13b)을 끼우지 않고 둘레 방향으로 늘어서 있다. 가동 척(13a)의 수는, 3개 미만이어도 되고, 3개를 초과해도 된다. 복수의 척 부재(13)의 각각이 가동 척(13a)이어도 된다.
가동 척(13a)은, 가동 척(13a)이 기판(W)의 외주면에 눌러지는 닫힘 위치(도 2에 나타내는 위치)와, 가동 척(13a)이 기판(W)의 외주면으로부터 떨어지는 열림 위치의 사이에서, 스핀 베이스(12)에 대해서 척 회동축선(A2) 둘레로 회전 가능하다. 고정 척(13b)의 형상이나 구조는, 가동 척(13a)과 같다. 가동 척(13a)은, 가동 척(13a)에 접속된 지지축(59)(도 4 참조)이 척 개폐 기구(14)에 의해 구동되는 점에서 고정 척(13b)과 다르다. 척 개폐 기구(14)는, 가동 척(13a)을 이동시킴으로써, 복수의 척 부재(13)가 기판(W)의 외주부에 눌러지는 닫힘 상태와, 기판(W)에 대한 복수의 척 부재(13)의 누름이 해제되는 열림 상태의 사이에서 복수의 척 부재(13)를 전환한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급 장치(6)는, 기판(W)의 상면을 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 노즐(17)과, 제1 약액 노즐(17)에 접속된 제1 약액 배관(18)과, 제1 약액 배관(18)에 개재된 제1 약액 밸브(19)와, 제1 약액 노즐(17)이 선단부에 부착된 제1 약액 암(20)과, 제1 약액 암(20)을 이동시킴으로써, 제1 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시키는 제1 노즐 이동 장치(21)를 포함한다.
제1 약액 밸브(19)가 열리면, 제1 약액 배관(18)으로부터 제1 약액 노즐(17)에 공급된 제1 약액이, 제1 약액 노즐(17)로부터 하방으로 토출된다. 제1 약액 밸브(19)가 닫히면, 제1 약액 노즐(17)로부터의 제1 약액의 토출이 정지된다. 제1 노즐 이동 장치(21)는, 제1 약액 노즐(17)을 이동시킴으로써, 제1 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시킨다. 또한, 제1 노즐 이동 장치(21)는, 제1 약액 노즐(17)로부터 토출된 제1 약액이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, 제1 약액 노즐(17)이 평면에서 볼 때 스핀 척(5)의 주위로 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서 제1 약액 노즐(17)을 이동시킨다.
처리액 공급 장치(6)는, 기판(W)의 상면을 향해 제2 약액을 토출하는 제2 약액 노즐(22)과, 제2 약액 노즐(22)에 접속된 제2 약액 배관(23)과, 제2 약액 배관(23)에 개재된 제2 약액 밸브(24)와, 제2 약액 노즐(22)이 선단부에 부착된 제2 약액 암(25)과, 제2 약액 암(25)을 이동시킴으로써, 제2 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시키는 제2 노즐 이동 장치(26)를 포함한다.
제2 약액 밸브(24)가 열리면, 제2 약액 배관(23)으로부터 제2 약액 노즐(22)에 공급된 제2 약액이, 제2 약액 노즐(22)로부터 하방으로 토출된다. 제2 약액 밸브(24)가 닫히면, 제2 약액 노즐(22)로부터의 제2 약액의 토출이 정지된다. 제2 노즐 이동 장치(26)는, 제2 약액 노즐(22)을 이동시킴으로써, 제2 약액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시킨다. 또한, 제2 노즐 이동 장치(26)는, 제2 약액 노즐(22)로부터 토출된 제2 약액이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, 제2 약액 노즐(22)이 평면에서 볼 때 스핀 척(5)의 주위로 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서 제2 약액 노즐(22)을 이동시킨다.
제1 약액 및 제2 약액은, 예를 들면, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 인산, 아세트산, 암모니아수, 과산화 수소수, 유기산(예를 들면 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리(예를 들면, TMAH:테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면활성제, 및 부식 방지제 중 적어도 1개를 포함하는 액이다. 제1 약액의 구체예는, SPM(황산과 과산화 수소수의 혼합액), 인산(농도가 예를 들면 80% 이상 100% 미만인 인산 수용액), 불산(불화수소산)이다. 제2 약액의 구체예는, SC1(암모니아수와 과산화 수소수와 물의 혼합액)이다.
처리액 공급 장치(6)는, 기판(W)의 상면을 향해 린스액을 토출하는 린스액 노즐(27)과, 린스액 노즐(27)에 접속된 린스액 배관(28)과, 린스액 배관(28)에 개재된 린스액 밸브(29)와, 린스액 노즐(27)이 선단부에 부착된 린스액 암(30)과, 린스액 암(30)을 이동시킴으로써, 린스액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시키는 제3 노즐 이동 장치(31)를 포함한다.
린스액 밸브(29)가 열리면, 린스액 배관(28)으로부터 린스액 노즐(27)에 공급된 린스액이, 린스액 노즐(27)로부터 하방으로 토출된다. 린스액 밸브(29)가 닫히면, 린스액 노즐(27)로부터의 린스액의 토출이 정지된다. 제3 노즐 이동 장치(31)는, 린스액 노즐(27)을 이동시킴으로써, 린스액의 착액 위치를 기판(W)의 상면 내에서 이동시킨다. 또한, 제3 노즐 이동 장치(31)는, 린스액 노즐(27)로부터 토출된 린스액이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, 린스액 노즐(27)이 스핀 척(5)의 주위로 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서 린스액 노즐(27)을 이동시킨다.
린스액 노즐(27)에 공급되는 린스액은, 순수(탈이온수:Deionized water)이다. 린스액 노즐(27)에 공급되는 린스액은, 순수로 한정하지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, IPA(이소프로필 알코올) 또는 희석 농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 등이어도 된다.
컵(8)은, 스핀 베이스(12)를 둘러싸고 있다. 스핀 척(5)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태에서, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 처리액이 기판(W)으로부터 기판(W)의 주위로 비산한다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상방으로 열린 컵(8)의 상단부(8a)는, 스핀 베이스(12)보다 상방에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위에 배출된 약액이나 린스액 등의 처리액은, 컵(8)에 의해 받아진다. 컵(8)에 받아진 처리액은, 도시하지 않은 회수 장치 또는 배액 장치에 보내진다.
가열 장치(7)는, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상방에 배치된 적외선 히터(32)와, 적외선 히터(32)가 선단부에 부착된 히터 암(35)과, 히터 암(35)을 이동시키는 히터 이동 장치(36)를 포함한다.
적외선 히터(32)는, 적외선을 포함하는 광을 발하는 적외선 램프(33)와, 적외선 램프(33)를 수용하는 램프 하우징(34)을 포함한다. 적외선 램프(33)는, 램프 하우징(34) 내에 배치되어 있다. 램프 하우징(34)은, 평면에서 볼 때 기판(W)보다 작다. 적외선 램프(33) 및 램프 하우징(34)은, 히터 암(35)에 부착되어 있다. 적외선 램프(33) 및 램프 하우징(34)은, 히터 암(35)과 함께 이동한다.
적외선 램프(33)는 할로겐 램프이다. 적외선 램프(33)는, 필라멘트와, 필라멘트를 수용하는 석영관을 포함한다. 적외선 램프(33)는, 카본 히터여도 되고, 할로겐 램프 및 카본 히터 이외의 발열체여도 된다. 램프 하우징(34)의 적어도 일부는, 석영 등의 광투과성 및 내열성을 갖는 재료로 형성되어 있다.
램프 하우징(34)은, 기판(W)의 상면과 평행한 저벽을 갖고 있다. 적외선 램프(33)는, 저벽의 상방에 배치되어 있다. 저벽의 하면은, 기판(W)의 상면과 평행하고 또한 평탄한 조사면(32a)을 포함한다. 적외선 히터(32)가 기판(W)의 상방에 배치되어 있는 상태에서는, 조사면(32a)이, 간격을 두고 기판(W)의 상면에 대향한다. 이 상태로 적외선 램프(33)가 광을 발하면, 조사면(32a)을 통과한 광이, 기판(W)의 상면에 조사된다. 조사면(32a)은, 예를 들면, 직경이 기판(W)의 반경보다 작은 원형이다. 조사면(32a)은, 원형 이외의 형상이어도 된다.
히터 이동 장치(36)는, 적외선 히터(32)를 소정의 높이로 유지하고 있다. 히터 이동 장치(36)는, 스핀 척(5)의 주위로 상하 방향으로 연장되는 히터 회동축선(A3) 둘레로 히터 암(35)을 회동시킴으로써, 적외선 히터(32)를 수평하게 이동시킨다. 이로 인해, 적외선이 조사되는 조사 위치(기판(W)의 상면 내의 일부의 영역)가 기판(W)의 상면 내에서 이동한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 히터 이동 장치(36)는, 평면에서 볼 때 기판(W)의 중심을 통과하는 원호 형상의 경로를 따라서 적외선 히터(32)를 수평에 이동시킨다. 적외선 히터(32)는, 스핀 척(5)의 상방을 포함하는 수평면 내에서 이동한다. 또, 히터 이동 장치(36)는, 적외선 히터(32)를 연직 방향으로 이동시킴으로써, 조사면(32a)과 기판(W)의 거리를 변화시킨다.
적외선 히터(32)의 광은, 기판(W)의 상면 내의 조사 위치에 조사된다. 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)가 적외선을 발하고 있는 상태에서, 스핀 척(5)에 기판(W)을 회전시키면서, 히터 이동 장치(36)에 적외선 히터(32)를 히터 회동축선(A3) 둘레로 회동시킨다. 이로 인해, 기판(W)의 상면이, 가열 위치로서의 조사 위치에 의해 주사된다. 따라서, 적외선을 포함하는 광이 기판(W)의 상면에 흡수되고, 복사열이 적외선 램프(33)로부터 기판(W)에 전달된다. 처리액 등의 액체가 기판(W) 상에 유지되어 있는 상태에서 적외선 램프(33)가 적외선을 발하면, 기판(W) 및 처리액이 가열되고, 이들의 온도가 상승한다.
도 3은, 척 부재(13)의 평면도이다. 도 4는, 도 3에 나타내는 IV-IV선을 따른 연직 단면을 나타내는 단면도이다. 도 5는, 도 3에 나타내는 V-V선을 따른 연직 단면을 나타내는 단면도이다. 도 6은, 도 5에 나타내는 화살표 VI의 방향으로 척 커버(42)를 본 외관도이다. 도 7은, 도 6에 나타내는 VII-VII선을 따른 수평 단면을 나타내는 단면도이다. 도 3은, 척 부재(13)(가동 척(13a))가 닫힘 위치에 배치되어 있는 상태를 나타내고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 척 부재(13)는, 스핀 베이스(12)의 상방에 배치된 도전성 부재(41)와, 도전성 부재(41)를 평면에서 볼 때 덮는 척 커버(42)를 포함한다. 척 부재(13)는, 또한, 도전성 부재(41)를 척 개폐 기구(14)의 지지축(59)에 고정하는 고정 볼트(43)와, 고정 볼트(43)를 평면에서 볼 때 덮는 캡(44)과, 도전성 부재(41)와 지지축(59)의 사이에 개재하는 환상의 와셔(45)를 포함한다. 기판(W)의 대전을 방지하기 위해서, 도전성 부재(41)는, 고정 볼트(43) 및 지지축(59)을 개재하여 접지되어 있다.
도전성 부재(41)는, 내약품성 및 도전성을 갖는 복합 재료로 형성되고 있다. 복합 재료의 구체예는, 수지와 탄소를 포함하는 재료이다. 도전성 부재(41)는, 수지로 형성된 수지 부재와, 탄소를 포함하는 탄소 재료로 형성된 탄소 부재가 교대로 적층된 적층 부재여도 되고, 탄소 재료가 분산한 수지에 의해 형성되어 있어도 된다.
도전성 부재(41)에 포함되는 탄소는, 탄소섬유(탄소 섬유)여도 되고, 탄소의 분말 또는 입자여도 된다. 도전성 부재(41)에 포함되는 수지의 구체예는, PFA(tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer), PCTFE(Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene), PTFE(polytetrafluoroethylene), 및 PEEK(polyetheretherketone)이다.
척 커버(42)는, 내약품성을 갖는 수지로 형성되어 있다. 척 커버(42)에 포함되는 수지의 구체예는, PTFE, ETFE(ethylene tetrafluoroethylene), PEEK이다. 본 실시 형태에서는, 척 커버(42)가, 백색(순백 및 유백색을 포함한다)의 PTFE로 형성되어 있고, 백색의 외면을 갖고 있다. 상술과 같이, 흑색의 탄소가 도전성 부재(41)에 포함되어 있으므로, 도전성 부재(41)의 외면은 흑색이다. 척 커버(42)의 외면은, 도전성 부재(41)의 외면보다 광(가시광선)의 반사율이 높다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 도전성 부재(41)는, 스핀 베이스(12)의 상방에 배치된 토대부(46)와, 토대부(46)의 상면(46a)으로부터 상방으로 돌출하는 접촉부(47)를 포함한다. 접촉부(47)은, 토대부(46)의 상면(46a)보다 상방에 위치하는 부분을 의미한다. 토대부(46)의 상면(46a)은, 예를 들면, 기판(W)의 하면에 평행하고 수평인 평면이다. 접촉부(47)는, 기판(W)의 외주부에 눌러지는 파지부(48)와, 기판(W)을 그 하방으로부터 지지하는 지지부(49)를 포함한다.
복수의 척 부재(13)가 열림 상태 및 닫힘 상태의 어느 것에 있을 때라도, 기판(W)은 접촉부(47)에 접촉한다. 토대부(46)는, 복수의 접촉부(47)에 의해 지지 또는 파지되어 있는 기판(W)보다 하방에 배치되어 있다. 접촉부(47)의 천면(47a)은, 접촉부(47)에 지지 또는 파지되어 있는 기판(W)보다 상방에 배치된다. 접촉부(47)의 천면(47a)은, 수평인 평면이며, 도전성 부재(41)에 있어서 가장 상방에 위치해 있다.
토대부(46)는, 고정 볼트(43) 및 캡(44)이 삽입된 볼트 부착 구멍(51)을 형성하고 있다. 토대부(46)는, 또한, 와셔(45)가 삽입된 와셔 부착 구멍(55)을 형성하고 있다. 볼트 부착 구멍(51)은, 토대부(46)를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍이다. 와셔 부착 구멍(55)은, 토대부(46)의 하면으로부터 상방으로 오목하게 들어간 오목부이다. 볼트 부착 구멍(51)은, 와셔 부착 구멍(55)의 저면에서 개구하고 있다. 관통 구멍을 형성하는 토대부(46)의 내주면은, 캡(44)을 둘러싸는 상측 통 형상부(52)와, 고정 볼트(43)의 플랜지부(57)에 접하는 환상부(53)와, 고정 볼트(43)의 지름 방향으로 간격을 두고 고정 볼트(43)의 축부(58)를 둘러싸는 하측 통 형상부(54)를 포함한다.
고정 볼트(43)는, 수나사가 설치된 축부(58)와, 고정 볼트(43)를 회전시키는 공구가 부착되는 두부(56)와, 축부(58)와 두부(56)의 사이에 배치된 플랜지부(57)를 포함한다. 축부(58)의 수나사는, 지지축(59)의 내주면에 설치된 암나사에 부착되어 있다. 플랜지부(57)의 하면은, 토대부(46)의 환상부(53)에 하방으로 눌러져 있다. 와셔(45)의 하면은, 지지축(59)의 상단면에 하방으로 눌러져 있다. 도전성 부재(41) 및 와셔(45)는, 플랜지부(57)와 지지축(59) 사이에 상하 방향으로 끼워져 있다. 이로 인해, 도전성 부재(41) 및 와셔(45)가 지지축(59)에 고정되어 있다.
지지축(59)은, 스핀 베이스(12)의 외면에서 개구하는 샤프트 삽입 구멍(60) 내에 삽입되어 있다. 스핀 베이스(12)는, 수평한 자세로 유지된 원판부(61)와, 원 판부(61)로부터 상방으로 돌출하는 통 형상부(62)를 포함한다. 샤프트 삽입 구멍(60)은, 원판부(61)의 내부 공간으로부터 통 형상부(62)의 상단면에 연장되어 있다. 통 형상부(62)의 상단면은, 와셔(45)의 하면으로부터 하방으로 떨어져 있다. 지지축(59) 및 통 형상부(62)는, 척 부재(13)의 하방에 배치되어 있다. 척 개폐 기구(14)는, 가동 척(13a)에 접속된 지지축(59)을 척 회동축선(A2)에 상당하는 연직인 지지축(59)의 중심선 둘레로 회동시킨다. 이로 인해, 도전성 부재(41), 척 커버(42), 고정 볼트(43), 캡(44), 및 와셔(45)가, 일체적으로 척 회동축선(A2) 둘레로 회동한다.
캡(44)은, 평면에서 볼 때 도전성 부재(41)를 덮는 커버부(63)와, 볼트 부착 구멍(51)에 삽입된 삽입부(64)를 포함한다. 커버부(63)는, 도전성 부재(41)의 상방에 배치되어 있다. 커버부(63)의 하면은, 토대부(46)의 상면(46a)에 접해 있다. 삽입부(64)는, 커버부(63)로부터 하방으로 연장되어 있다. 토대부(46)의 상측 통 형상부(52)는, 삽입부(64)를 둘러싸고 있다. 삽입부(64)에 설치된 수나사는, 상측 통 형상부(52)에 설치된 암나사에 부착되어 있다. 이로 인해, 캡(44)이 도전성 부재(41)에 고정되어 있다. 볼트 부착 구멍(51)의 상단은, 캡(44)에 의해 막혀 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 접촉부(47)의 파지부(48)는, 안쪽으로 열린 수용 홈을 형성하는 2개의 홈 내면을 포함한다. 2개의 홈 내면은, 수용 홈의 바닥으로부터 비스듬한 상방으로 연장되는 상측 홈 내면(48a)과, 수용 홈의 바닥으로부터 비스듬한 하방으로 연장되는 하측 홈 내면(48b)을 포함한다. 접촉부(47)의 지지부(49)는, 수평면에 대해서 비스듬하게 기운 지지면(49a)을 포함한다. 지지면(49a)은, 하측 홈 내면(48b)의 하단으로부터 회전축선(A1)(도 2 참조) 쪽으로 비스듬한 하방으로 연장되어 있다. 지지면(49a)은, 수평면에 대한 하측 홈 내면(48b)의 경사 각도보다 작은 각도로 수평면에 대해서 기울어져 있다.
복수의 척 부재(13)가 열림 상태일 때, 기판(W)은, 복수의 파지부(48)가 기판(W)으로부터 떨어진 상태에서 복수의 지지부(49)에 지지된다. 이 상태에서 척 개폐 기구(14)가 가동 척(13a)을 닫힘 위치의 쪽으로 안쪽으로 이동시키면, 복수의 지지부(49)에 의해 기판(W)이 들어올려지면서, 복수의 파지부(48)가 기판(W)의 외주부에 가까워진다. 그 과정에서, 지지부(49)의 지지면(49a)이 기판(W)으로부터 떨어지고, 파지부(48)의 상측 홈 내면(48a) 및 하측 홈 내면(48b)이 기판(W)의 외주부에 눌러진다. 이것과는 반대로, 척 개폐 기구(14)가 가동 척(13a)을 열림 위치의 쪽으로 바깥쪽으로 이동시키면, 파지부(48)가 기판(W)으로부터 떨어지고, 지지부(49)의 지지면(49a)이 기판(W)의 외주부에 접촉한다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 척 커버(42)는, 접촉부(47)의 상방에 배치된 커버부(65)와, 접촉부(47)의 천면(47a)에서 개구하는 끼움 구멍(68)에 삽입된 끼움축(66)과, 끼움 구멍(68) 내에 설치된 훅 삽입부(69)에 수용된 훅부(67)를 포함한다. 끼움축(66)은, 커버부(65)로부터 하방으로 연장되어 있고, 훅부(67)는, 끼움축(66)으로부터 바깥쪽으로 돌출되어 있다. 평면에서 볼 때 커버부(65)의 윤곽 형상은, 접촉부(47)의 천면(47a)과 같다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 평면에서 볼 때, 커버부(65)의 바깥 가장자리(65o)는, 어느 위치에 있어서도 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리와 겹쳐 있다. 커버부(65)는, 평면에서 볼 때 접촉부(47)의 천면(47a)의 전역을 덮고 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 척 커버(42)의 커버부(65)는, 수평에서 평탄한 상면(65a)과, 상면(65a)의 바깥 가장자리로부터 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 경사면(65b)과, 경사면(65b)의 바깥 가장자리로부터 하방으로 연장되는 외주면(65c)과, 외주면(65c)의 하단으로부터 끼움축(66)의 외주면(66a)까지 수평하게 안쪽으로 연장되는 하면(65d)을 포함한다. 하면(65d)은, 접촉부(47)의 천면(47a)으로부터 상방으로 떨어져 있고, 접촉부(47)의 천면(47a)에 평행하게 대향해 있다. 커버부(65)의 하면(65d)과 접촉부(47)의 천면(47a)은, 척 커버(42)와 접촉부(47)의 사이에 간극(G1)을 형성하고 있다. 이 간극(G1)의 크기, 즉, 접촉부(47)의 천면(47a)으로부터 커버부(65)의 하면(65d)까지의 연직 방향의 거리는, 예를 들면, 0.5~1.0㎜이다.
기판(W)을 처리할 때는, 약액 및 린스액을 순차적으로 기판(W)에 공급하고, 그 후, 고속 회전에 의해 기판(W)을 건조시킨다. 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이에 간극(G1)이 있기 때문에 약액 등의 액체가 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이로부터 용이하게 배출된다. 미량의 약액이 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이의 간극(G1)에 남았다고 해도, 린스액이 간극(G1)에 공급된다. 이로 인해, 약액이 간극(G1)으로부터 씻겨나간다. 또한, 도전성 부재(41)와 척 커버(42) 사이의 린스액은, 기판(W)을 건조시킬 때 간극(G1)으로부터 배출되므로, 린스액도 간극(G1)에 남기 어렵다. 그 때문에, 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이에 잔류하는 액체에 기인하는 파티클을 줄일 수 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 척 커버(42)의 끼움축(66)은, 수평하고 평탄한 하면(66c)과, 하면(66c)의 바깥 가장자리로부터 비스듬한 상방으로 연장되는 환상의 경사면(66b)과, 경사면(66b)의 상단으로부터 상방으로 연장되는 통 형상의 외주면(66a)을 포함한다. 훅부(67)는, 끼움축(66)의 외주면(66a)으로부터 바깥쪽으로 돌출되어 있다. 훅부(67)는, 끼움축(66)의 선단에 설치되어 있다. 훅부(67)의 하면은, 끼움축(66)의 경사면(66b)보다 작은 각도로 수평면에 대해 기울어져 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 끼움축(66)은, 타원형의 수평 단면을 갖고 있다. 도 7은, 끼움축(66)의 외주면(66a)으로부터 돌출하는 2개의 돌기가 훅부(67)에 설치되어 있는 예를 나타내고 있다. 훅부(67)는, 끼움축(66)의 전체 둘레에 걸쳐 연속된 환상의 돌기여도 된다. 2개의 돌기는, 끼움축(66)의 외주면(66a)에 있어서 끼움축(66)의 중심선 둘레로 180도 회전각이 다른 2개의 위치로부터 서로 반대의 방향으로 돌출되어 있다. 2개의 돌기는, 끼움축(66)의 짧은 축을 따라 연장되는 직선 상에 위치해 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 도전성 부재(41)의 끼움 구멍(68)은, 접촉부(47)의 천면(47a)으로부터 하방으로 연장되는 오목부이다. 끼움 구멍(68)은, 끼움축(66)의 외주면(66a)을 둘러싸는 내주면(68a)과, 끼움축(66)의 하면(66c)을 지지하는 저면(68b)을 포함한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 끼움 구멍(68)은, 타원형의 수평 단면을 갖고 있다. 끼움 구멍(68)의 수평 단면은, 끼움축(66)의 수평 단면과 상사이며, 끼움축(66)의 수평 단면보다 크다. 훅 삽입부(69)는, 끼움 구멍(68)의 내주면(68a)으로부터 바깥쪽으로 오목하게 들어가 있다. 도 7은, 끼움 구멍(68)을 통해 서로 대향하는 2개의 오목부가 훅 삽입부(69)에 설치되어 있는 예를 나타내고 있다. 훅 삽입부(69)는, 끼움 구멍(68)의 전체 둘레에 걸쳐 연속된 환상의 오목부여도 된다.
끼움축(66)이 끼움 구멍(68)에 삽입될 때, 훅부(67)은, 끼움 구멍(68)의 내주면(68a)에 눌러져 탄성변형된다. 그 때문에, 끼움축(66)은, 훅부(67)가 탄성변형된 상태에서 끼움 구멍(68)의 저면(68b)의 쪽으로 이동한다. 끼움축(66)의 하면(66c)이 끼움 구멍(68)의 저면(68b)에 도달하면, 끼움 구멍(68)에 대한 끼움축(66)의 이동이 정지하고, 척 커버(42)가 그 자리에 유지된다. 또한, 훅부(67)가 훅 삽입부(69)에 들어가고, 원래의 형상으로 돌아온다. 도전성 부재(41)에 대한 상방향으로의 척 커버(42)의 이동은, 훅부(67)의 외면과 훅 삽입부(69)의 내면의 접촉에 의해 규제된다. 끼움축(66)의 하면(66c)이 끼움 구멍(68)의 저면(68b)에 접촉하는 위치는, 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이에 간극(G1)이 형성되도록 설정되어 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 토대부(46)는, 평면에서 볼 때 접촉부(47)보다 크다. 접촉부(47)는, 평면에서 볼 때 척 회동축선(A2)의 둘레에 위치하고 있고, 척 회동축선(A2)에 교차하고 있지 않다. 기판(W)이 복수의 척 부재(13)에 의해 파지되어 있을 때, 토대부(46)의 일부는 평면에서 볼 때 기판(W)으로부터 노출되어 있고, 토대부(46)의 나머지의 부분은 평면에서 볼 때 기판(W)에 덮여 있다. 이 때, 접촉부(47)의 지지부(49)는, 기판(W)의 하방에 위치하고 있고, 평면에서 볼 때 기판(W)에 덮여 있다. 마찬가지로, 캡(44)은 평면에서 볼 때 기판(W)에 덮여 있다.
그 한편, 접촉부(47)의 천면(47a)의 대부분은, 평면에서 볼 때 기판(W)의 바깥 가장자리(도 3에 있어서 2점 쇄선으로 나타내는 부분)의 외측에 위치하고 있고, 접촉부(47)의 천면(47a)의 나머지의 부분은, 평면에서 볼 때 기판(W)의 바깥 가장자리의 내측에 위치하고 있다. 척 커버(42)는, 평면에서 볼 때 접촉부(47)의 천면(47a)의 전역을 덮고 있다. 그 때문에, 접촉부(47)의 천면(47a)은, 평면에서 볼 때 노출되어 있지 않고, 평면에서 볼 때 시인할 수 없다. 적외선 히터(32)가 광을 발했다고 해도, 적외선 히터(32)의 광이 접촉부(47)의 천면(47a)에 직접 조사되는 일은 없다.
도 8은, 기판 처리 장치(1)에 의해 행해지는 기판(W)의 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 공정도이다. 이하의 각 공정은, 제어 장치(3)가 기판 처리 장치(1)를 제어함으로써 실행된다. 바꾸어 말하면, 제어 장치(3)는, 이하의 각 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
처리 유닛(2)에 의해 기판(W)이 처리될 때는, 챔버(4) 내에 기판(W)을 반입하는 반입 공정(도 8의 단계 S1)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 모든 노즐이 스핀 척(5)의 상방으로부터 퇴피하고 있는 상태에서, 기판(W)을 유지하고 있는 반송 로봇의 핸드를 챔버(4) 내에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇에 의해, 기판(W)을 복수의 척 부재(13) 상에 올려놓는다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇의 핸드를 챔버(4) 내로부터 퇴피시킨다. 또, 제어 장치(3)는, 기판(W)이 복수의 척 부재(13) 상에 올려진 후, 가동 척(13a)을 열림 위치로부터 닫힘 위치로 이동시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(16)에 기판(W)의 회전을 개시시킨다.
다음에, 제1 약액의 일례인 SPM을 기판(W)에 공급하는 제1 약액 공급 공정(도 8의 단계 S2)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 제1 노즐 이동 장치(21)를 제어함으로써, 제1 약액 노즐(17)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 이로 인해, 제1 약액 노즐(17)이 기판(W)의 상방에 배치된다. 그 후, 제어 장치(3)는, 제1 약액 밸브(19)를 열고, 실온보다 고온(예를 들면, 140℃)의 SPM을 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해 제1 약액 노즐(17)에 토출시킨다. 제어 장치(3)는, 이 상태에서 제1 노즐 이동 장치(21)를 제어함으로써, 기판(W)의 상면에 대한 SPM의 착액 위치를 중앙부와 외주부의 사이에서 이동시킨다.
제1 약액 노즐(17)로부터 토출된 SPM은, 기판(W)의 상면에 착액한 후, 원심력에 의해 기판(W)의 상면을 따라서 바깥쪽으로 흐른다. 그 때문에, SPM이 기판(W)의 상면 전역에 공급되고, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막이 기판(W) 상에 형성된다. 이로 인해, 레지스트막 등의 이물이 SPM에 의해 기판(W)으로부터 제거된다. 또한, 제어 장치(3)는, 기판(W)이 회전하고 있는 상태에서, 기판(W)의 상면에 대한 SPM의 착액 위치를 중앙부와 외주부의 사이에서 이동시키므로, SPM의 착액 위치가, 기판(W)의 상면 전역을 통과하고, 기판(W)의 상면 전역이 주사된다. 그 때문에, 제1 약액 노즐(17)로부터 토출된 SPM이, 기판(W)의 상면 전역에 직접 공급되고, 기판(W)의 상면 전역이 균일하게 처리된다.
다음에, 기판(W)으로의 SPM의 공급을 정지시킨 상태에서 SPM의 액막을 기판(W) 상에 유지하는 패들 공정(도 8의 단계 S3)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)을 제어함으로써, 기판(W)의 상면 전역이 SPM의 액막에 덮여 있는 상태에서, 제1 약액 공급 공정에서의 기판(W)의 회전 속도보다 작은 저회전속도(예를 들면 1~30rpm)까지 기판(W)의 회전 속도를 저하시킨다. 그 때문에, 기판(W) 상의 SPM에 작용하는 원심력이 약해지고, 기판(W) 상으로부터 배출되는 SPM의 양이 감소한다. 제어 장치(3)는, 기판(W)이 저회전속도로 회전하고 있는 상태에서, 제1 약액 밸브(19)를 닫고, 제1 약액 노즐(17)로부터의 SPM의 토출을 정지시킨다. 이로 인해, 기판(W)에의 SPM의 공급이 정지된 상태에서, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막이 기판(W) 상에 유지된다. 제어 장치(3)는, 기판(W)에의 SPM의 공급을 정지한 후, 제1 노즐 이동 장치(21)를 제어함으로써, 제1 약액 노즐(17)을 스핀 척(5)의 상방으로부터 퇴피시킨다.
다음에, 기판(W)과 기판(W) 상의 SPM을 가열하는 가열 공정(도 8의 단계 S4)이, 패들 공정과 병행하여 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)에 발광을 개시시킨다. 이로 인해, 적외선 히터(32)의 온도(가열 온도)가, 제1 약액(이 처리예에서는, SPM)의 비점보다 높은 온도까지 상승하고, 그 온도로 유지된다. 그 후, 제어 장치(3)는, 히터 이동 장치(36)에 의해 적외선 히터(32)를 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)가 기판(W)의 상방에 배치된 후, 기판(W)의 상면에 대한 적외선의 조사 위치가 중앙부 및 외주부의 한쪽으로부터 다른쪽으로 이동하도록, 히터 이동 장치(36)에 의해 적외선 히터(32)를 수평하게 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)에 의한 기판(W)의 가열이 소정 시간에 걸쳐 행해진 후, 적외선 히터(32)를 기판(W)의 상방으로부터 퇴피시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 적외선 히터(32)의 발광을 정지시킨다. 적외선 히터(32)의 발광 및 이동은, 동시에 개시되어도 되고, 각각의 시기에 개시되어도 된다.
이와 같이, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 상면에 대한 적외선의 조사 위치를 중앙부 및 외주부의 한쪽으로부터 다른쪽으로 이동시키므로, 기판(W)이 균일하게 가열된다. 따라서, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막도 균일하게 가열된다. 적외선 히터(32)에 의한 기판(W)의 가열 온도는, SPM의 그 농도에 있어서의 비점 이상의 온도로 설정되어 있다. 따라서, 기판(W) 상의 SPM이, 그 농도에 있어서의 비점까지 가열된다. 특히, 적외선 히터(32)에 의한 기판(W)의 가열 온도가, SPM의 그 농도에 있어서의 비점보다 고온으로 설정되어 있는 경우에는, 기판(W)과 SPM의 계면의 온도가, 비점보다 고온으로 유지되고, 기판(W)으로부터의 이물의 제거가 촉진된다.
다음에, 기판(W) 상의 SPM을 배출하는 제1 약액 배출 공정(도 8의 단계 S5)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)을 제어함으로써, 기판(W)에의 액체의 공급이 정지되어 있는 상태에서, 패들 공정에서의 기판(W)의 회전 속도보다 큰 회전 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 이로 인해, 패들 공정 때보다 큰 원심력이 기판(W) 상의 SPM에 더해지고, 기판(W) 상의 SPM이 기판(W)의 주위로 떨쳐내진다. 그 때문에, 거의 모든 SPM이 기판(W) 상으로부터 배출된다. 또, 기판(W)의 주위로 비산한 SPM은, 컵(8)에 의해 받아지고, 컵(8)을 통해 회수 장치 또는 배액 장치에 안내된다.
다음에, 린스액의 일례인 순수를 기판(W)에 공급하는 제1 린스액 공급 공정(도 8의 단계 S6)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 제3 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 린스액 노즐(27)이 기판(W)의 상방에 배치된 후, 린스액 밸브(29)를 열고, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해 린스액 노즐(27)에 순수를 토출시킨다. 이로 인해, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 순수의 액막이 형성되고, 기판(W)에 잔류하고 있는 SPM이 순수에 의해 씻겨나간다. 그리고, 린스액 밸브(29)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(29)를 닫아 순수의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 제3 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 기판(W)의 상방으로부터 퇴피시킨다.
다음에, 제2 약액의 일례인 SC1을 기판(W)에 공급하는 제2 약액 공급 공정(도 8의 단계 S7)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 제2 노즐 이동 장치(26)를 제어함으로써, 제2 약액 노즐(22)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 제2 약액 노즐(22)이 기판(W)의 상방에 배치된 후, 제2 약액 밸브(24)를 열고, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해 SC1을 제2 약액 노즐(22)에 토출시킨다. 제어 장치(3)는, 이 상태에서 제2 노즐 이동 장치(26)를 제어함으로써, 기판(W)의 상면에 대한 SC1의 착액 위치를 중앙부와 외주부의 사이에서 이동시킨다. 그리고, 제2 약액 밸브(24)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 제2 약액 밸브(24)를 닫고 SC1의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 제2 노즐 이동 장치(26)를 제어함으로써, 제2 약액 노즐(22)을 기판(W)의 상방으로부터 퇴피시킨다.
제2 약액 노즐(22)로부터 토출된 SC1은, 기판(W)의 상면에 착액한 후, 원심력에 의해 기판(W)의 상면을 따라서 바깥쪽으로 흐른다. 그 때문에, 기판(W) 상의 순수는, SC1에 의해 바깥쪽으로 밀려나고, 기판(W)의 주위로 배출된다. 이로 인해, 기판(W) 상의 순수의 액막이, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SC1의 액막으로 치환된다. 또한, 제어 장치(3)는, 기판(W)이 회전하고 있는 상태에서, 기판(W)의 상면에 대한 SC1의 착액 위치를 중앙부와 외주부의 사이에서 이동시키므로, SC1의 착액 위치가, 기판(W)의 상면 전역을 통과하고, 기판(W)의 상면 전역이 주사된다. 그 때문에, 제2 약액 노즐(22)로부터 토출된 SC1이, 기판(W)의 상면 전역에 직접 분출되고, 기판(W)의 상면 전역이 균일하게 처리된다.
다음에, 린스액의 일례인 순수를 기판(W)에 공급하는 제2 린스액 공급 공정(도 8의 단계 S8)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 제3 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 제어 장치(3)는, 린스액 노즐(27)이 기판(W)의 상방에 배치된 후, 린스액 밸브(29)를 열고, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해 린스액 노즐(27)에 순수를 토출시킨다. 이로 인해, 기판(W) 상의 SC1이, 순수에 의해 바깥쪽으로 밀려나고, 기판(W)의 주위로 배출된다. 그 때문에, 기판(W) 상의 SC1의 액막이, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 순수의 액막으로 치환된다. 그리고, 린스액 밸브(29)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(29)를 닫고 순수의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 제3 노즐 이동 장치(31)를 제어함으로써, 린스액 노즐(27)을 기판(W)의 상방으로부터 퇴피시킨다.
다음에, 기판(W)을 건조시키는 건조 공정(도 8의 단계 S9)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)에 기판(W)의 회전을 가속시켜, 제1 약액 공급 공정으로부터 제2 린스액 공급 공정까지의 회전 속도보다 큰 고회전 속도(예를 들면 수천 rpm)로 기판(W)을 회전시킨다. 이로 인해, 큰 원심력이 기판(W) 상의 액체에 더해지고, 기판(W)에 부착되어 있는 액체가 기판(W)의 주위로 떨쳐내진다. 이와 같이 하여, 기판(W)으로부터 액체가 제거되고, 기판(W)이 건조된다. 그리고, 기판(W)의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(16)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다.
다음에, 기판(W)을 챔버(4) 내로부터 반출하는 반출 공정(도 8의 단계 S10)이 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 각 가동 척(13a)을 닫힘 위치로부터 열림 위치로 이동시키고, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 파지를 해제시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 모든 노즐이 스핀 척(5)의 상방으로부터 퇴피되어 있는 상태에서, 반송 로봇의 핸드를 챔버(4) 내에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇의 핸드에 스핀 척(5) 상의 기판(W)을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇의 핸드를 챔버(4) 내로부터 퇴피시킨다. 이로 인해, 처리가 끝난 기판(W)이 챔버(4)로부터 반출된다.
이상과 같이 본 실시 형태에서는, 기판(W)의 외주부에 눌러지는 접촉부(47)가, 척 부재(13)의 도전성 부재(41)에 설치되어 있다. 접촉부(47)는, 평면에서 볼 때 척 커버(42)에 덮여 있다. 따라서, 적외선 히터(32)의 열로부터 접촉부(47)를 보호할 수 있다. 또한, 도전성 부재(41)에 설치된 토대부(46)의 일부 또는 전부가 평면에서 볼 때 척 커버(42)에 덮여 있지 않기 때문에, 토대부(46)의 대부분이 척 커버(42)에 덮여 있는 경우와 비교하여, 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이에 잔류하는 처리액을 줄일 수 있다. 또한, 토대부(46)는, 기판(W)보다 하방에 배치되어 있고, 기판(W)의 상방에 배치되는 적외선 히터(32)로부터 하방으로 떨어져 있다. 그 때문에, 토대부(46)가 척 커버(42)에 덮여 있지 않아도, 토대부(46)는, 토대부(46)의 상면(46a)으로부터 상방으로 돌출하는 접촉부(47)와 비교하면, 열의 영향을 받기 어렵다. 이로 인해, 온도 상승에 기인하는 도전성 부재(41)의 변형을 방지하면서, 잔류 처리액에 기인하는 파티클을 줄일 수 있다.
본 실시 형태에서는, 접촉부(47)의 천면(47a)의 전역이, 평면에서 볼 때 척 커버(42)에 덮여 있다. 접촉부(47)의 천면(47a)은, 도전성 부재(41)에 있어서 가장 상방에 위치하는 부분이며, 적외선 히터(32)에 가장 가깝다. 따라서, 접촉부(47)의 천면(47a)의 전역을 척 커버(42)로 덮음으로써, 온도 상승에 기인하는 도전성 부재(41)의 변형을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 커버부(65)의 하면(65d)과 접촉부(47)의 천면(47a)이, 양자간에 간극(G1)을 형성하고 있다. 접촉부(47)의 천면(47a)으로부터 커버부(65)의 하면(65d)까지의 연직 방향의 거리, 즉, 간극(G1)의 높이는, 접촉부(47)의 천면(47a) 상에 형성되는 액적 또는 액막의 높이보다 크다. 간극(G1)이 매우 좁으면, 커버부(65)의 하면(65d)과 접촉부(47)의 천면(47a)의 사이로부터 액체가 배출되기 어렵다. 따라서, 액체가 원활하게 흐르는 크기의 간극(G1)을 커버부(65)의 하면(65d)과 접촉부(47)의 천면(47a)의 사이에 설치함으로써, 양자간에 잔류하는 처리액을 줄일 수 있다.
본 실시 형태에서는, 커버부(65)와 끼움축(66)을 척 커버(42)에 설치함으로써, 잔류액을 저감하면서, 체결 부재를 이용하지 않고 척 커버(42)를 도전성 부재(41)에 부착할 수 있다. 구체적으로는, 척 커버(42)의 끼움축(66)이, 접촉부(47)의 천면(47a)에서 개구하는 끼움 구멍(68)에 삽입된다. 이로 인해, 척 커버(42)가 도전성 부재(41)에 부착됨과 더불어, 척 커버(42)의 커버부(65)가 접촉부(47)의 천면(47a)의 상방에 배치된다. 이와 같이, 척 커버(42)의 끼움축(66)을 도전성 부재(41)의 끼움 구멍(68)에 삽입하는 간단한 작업으로 척 커버(42)를 도전성 부재(41)에 부착할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 척 커버(42)의 끼움축(66)이 도전성 부재(41)의 끼움 구멍(68)에 삽입되고, 척 커버(42)가 소정의 부착 위치에 배치되면, 끼움축(66)의 외주면(66a)으로부터 돌출하는 훅부(67)가, 끼움 구멍(68)의 내주면(68a)으로부터 오목하게 들어간 훅 삽입 구멍에 삽입된다. 끼움 구멍(68)에 대한 축방향(상하 방향)으로의 끼움축(66)의 이동은, 훅부(67)의 외면과 훅 삽입 구멍의 내면의 접촉에 의해 규제된다. 따라서, 척 커버(42)가 도전성 부재(41)로부터 벗어나는 것을 확실히 방지할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 접촉부(47)의 천면(47a)의 일부 또는 전부가, 평면에서 볼 때 척 커버(42)에 덮여 있다. 이로 인해, 도전성 부재(41)에 있어서 적외선 히터(32)에 가장 가까운 부분을 효과적으로 보호할 수 있다. 또한, 척 커버(42)는, 척 커버(42)의 바깥 가장자리의 일부 또는 전부가 평면에서 볼 때 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리와 겹치도록 소형화되어 있다. 따라서, 접촉부(47)의 천면(47a)을 효과적으로 보호하면서, 척 커버(42)의 대형화를 방지할 수 있다.
다른 실시 형태
본 발명은, 상술의 실시 형태의 내용으로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지의 변경이 가능하다.
예를 들면, 상술의 실시 형태에서는, 척 커버(42)가 접촉부(47)의 천면(47a)의 전역을 평면에서 볼 때 덮고 있는 경우에 대해 설명했지만, 접촉부(47)의 천면(47a)의 일부가 평면에서 볼 때 척 커버(42)로부터 노출되어 있어도 된다.
상술의 실시 형태에서는, 커버부(65)의 하면(65d)이 접촉부(47)의 천면(47a)으로부터 상방으로 떨어져 있고, 도전성 부재(41)와 척 커버(42)의 사이에 간극(G1)이 형성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 커버부(65)의 하면(65d)이 접촉부(47)의 천면(47a)에 접촉해 있어도 된다.
상술의 실시 형태에서는, 끼움 구멍(68)에 대한 끼움축(66)의 삽입에 의해 척 커버(42)가 도전성 부재(41)에 부착되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 끼움축(66) 및 끼움 구멍(68)을 이용하지 않고 척 커버(42)를 도전성 부재(41)에 부착해도 된다. 또, 훅부(67)가 척 커버(42)로부터 생략되어도 된다. 끼움 구멍(68)에의 액체의 진입을 방지하기 위해서, 끼움축(66)을 끼움 구멍(68)에 압입해도 된다.
상술의 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 척 커버(42)의 커버부(65)의 바깥 가장자리(65o)는, 어느 위치에 있어서도 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리와 겹쳐 있는 경우에 대해 설명했지만, 도 9에 나타내는 바와 같이, 커버부(65)의 외주부가, 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리로부터 돌출되어 있어도 된다. 이 경우, 커버부(65)는 그 전체 둘레에 걸쳐 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리로부터 돌출되어 있어도 되고, 커버부(65)의 일부만이 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리로부터 돌출되어 있어도 된다.
도 9는, 커버부(65)의 바깥 가장자리(65o)의 전방부가 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리와 겹쳐 있고, 커버부(65)의 바깥 가장자리(65o)의 후부 및 측부가 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리로부터 돌출되어 있는 예를 나타내고 있다. 커버부(65)의 후부 및 측부는, 평면에서 볼 때 토대부(46)와 겹쳐 있고, 토대부(46)의 일부를 덮고 있다. 이 구성에 의하면, 접촉부(47)의 천면(47a)의 바깥 가장자리로부터 돌출하는 차양부(71)가 척 커버(42)에 설치되어 있으므로, 천면(47a) 이외의 도전성 부재(41)의 일부가, 척 커버(42)의 차양부(71)에 의해 적외선 히터(32)로부터 보호된다. 이로 인해, 도전성 부재(41)를 보다 확실히 적외선 히터(32)로부터 보호할 수 있다.
상술의 실시 형태에서는, 기판(W) 및 처리액의 적어도 한쪽을 가열하는 열원이, 적외선 램프(33)를 포함하는 적외선 히터(32)인 경우에 대해 설명했지만, 통전에 의해 발열하는 전열선을 포함하는 저항 히터나, 실온보다 고온의 열풍을 불어내는 송풍기가, 열원으로서 이용되어도 된다.
상술의 실시 형태에서는, 적외선 히터(32)의 발광이 정지된 상태에서, 건조 공정이 행해지는 경우에 대해 설명했지만, 제어 장치(3)는, 건조 공정과 병행하여, 적외선 히터(32)에 기판(W)과 기판(W) 상의 액체를 가열시켜도 된다. 이 경우, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 상면에 대한 광의 조사 위치가 기판(W)의 상면 내에서 이동하도록 적외선 히터(32)를 이동시켜도 되고, 적외선 히터(32)를 정지시킨 상태에서 적외선 히터(32)를 발광시켜도 된다. 어느 경우라도, 기판(W) 및 액체의 가열에 의해, 액체의 증발이 촉진되므로, 기판(W)이 건조할 때까지의 시간을 단축할 수 있다.
상술의 실시 형태에서는, 제1 약액 노즐(17), 제2 약액 노즐(22), 및 린스액 노즐(27)이, 각각의 암에 부착되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 제1 약액 노즐(17), 제2 약액 노즐(22), 및 린스액 노즐(27) 중 두 개 이상이, 공통의 암에 부착되어 있어도 된다. 적외선 히터(32)는, 제1 약액 노즐(17), 제2 약액 노즐(22), 및 린스액 노즐(27)의 적어도 하나를 유지하는 암에 부착되어 있어도 된다.
상술의 실시 형태에서는, SPM의 액막을 기판(W) 상에 유지하는 패들 공정과, 기판(W) 상의 SPM을 배출하는 제1 약액 배출 공정이 행해지는 경우에 대해 설명했지만, 패들 공정 및 제1 약액 배출 공정의 한쪽 또는 양쪽이 생략되어도 된다. 패들 공정이 생략되는 경우, 적외선 히터(32)로 기판(W) 및 액체를 가열하는 가열 공정은, 제1 약액 공급 공정과 병행하여 행해진다.
상술의 실시 형태에서는, 가동 척(13a)이 연직인 척 회동축선(A2) 둘레로 회동하는 경우에 대해 설명했지만, 가동 척(13a)의 이동은, 연직선 둘레의 회동으로 한정하지 않고, 수평선 둘레의 회동이어도 되고, 직선 이동이어도 된다.
상술의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)가, 원판형의 기판을 처리하는 장치인 경우에 대해 설명했지만, 기판 처리 장치(1)는, 액정 표시 장치용 기판 등의 다각형의 기판을 처리하는 장치여도 된다.
상술의 모든 구성의 두 개 이상이 조합되어도 된다. 상술의 모든 공정의 두 개 이상이 조합되어도 된다.
이 출원은, 2016년 7월 29일에 일본국 특허청에 제출된 일본국 특허 출원 2016-150012호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예로 한정하여 해석되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.

Claims (9)

  1. 기판을 수평하게 끼움으로써 수평한 자세로 유지하는 복수의 척 부재와,
    상기 복수의 척 부재에 유지되어 있는 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단과,
    상기 복수의 척 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 상방에 배치되는 열원과,
    상기 복수의 척 부재가 상기 기판의 외주부에 눌러지는 닫힘 상태와, 상기 기판에 대한 상기 복수의 척 부재의 누름이 해제되는 열림 상태의 사이에서 상기 복수의 척 부재를 전환하는 척 개폐 기구를 구비하고,
    상기 복수의 척 부재 중 적어도 하나는,
    상기 기판보다 하방에 배치되는 토대부와, 상기 토대부의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있고, 상기 기판의 외주부에 눌러지는 접촉부를 포함하고, 적어도 일부가 탄소를 포함하는 재료로 형성된 도전성 부재와,
    상기 도전성 부재의 상기 접촉부에 부착되어 있고, 평면에서 볼 때 상기 토대부의 적어도 일부를 덮지 않고 상기 접촉부를 덮는 척 커버를 포함하고,
    상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면의 상방에 배치된 커버부를 포함하고, 상기 커버부의 하면과 상기 접촉부의 천면의 사이에 액체가 통하는 간극을 형성하고 있는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면(天面)의 전역을 평면에서 볼 때 덮고 있는, 기판 처리 장치.
  3. 기판을 수평하게 끼움으로써 수평한 자세로 유지하는 복수의 척 부재와,
    상기 복수의 척 부재에 유지되어 있는 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단과,
    상기 복수의 척 부재에 유지되어 있는 상기 기판의 상방에 배치되는 열원과,
    상기 복수의 척 부재가 상기 기판의 외주부에 눌러지는 닫힘 상태와, 상기 기판에 대한 상기 복수의 척 부재의 누름이 해제되는 열림 상태의 사이에서 상기 복수의 척 부재를 전환하는 척 개폐 기구를 구비하고,
    상기 복수의 척 부재 중 적어도 하나는,
    상기 기판보다 하방에 배치되는 토대부와, 상기 토대부의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있고, 상기 기판의 외주부에 눌러지는 접촉부를 포함하고, 적어도 일부가 탄소를 포함하는 재료로 형성된 도전성 부재와,
    상기 도전성 부재에 부착되어 있고, 평면에서 볼 때 상기 토대부의 적어도 일부를 덮지 않고 상기 접촉부를 덮는 척 커버를 포함하며,
    상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면의 상방에 배치된 커버부와, 상기 접촉부의 천면에서 개구하는 끼움 구멍에 삽입된 끼움축을 포함하며, 상기 커버부의 하면과 상기 접촉부의 천면의 사이에 액체가 통하는 간극을 형성하고 있는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 척 커버는, 상기 끼움축의 외주면으로부터 돌출하는 훅부를 더 포함하고,
    상기 훅부는, 상기 끼움 구멍의 내주면으로부터 오목하게 들어간 훅 삽입 구멍에 삽입되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면을 평면에서 볼 때 덮고 있고,
    상기 척 커버의 바깥 가장자리의 적어도 일부는, 상기 접촉부의 천면의 바깥 가장자리에 평면에서 볼 때 겹쳐 있는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면을 평면에서 볼 때 덮고 있고, 상기 접촉부의 천면의 바깥 가장자리로부터 돌출되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 척 커버는, 상기 도전성 부재에 있어서 가장 상방에 위치하는 상기 접촉부의 천면의 전역을 평면에서 볼 때 덮고 있는, 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
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