JP2001319849A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
液処理装置及び液処理方法Info
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- JP2001319849A JP2001319849A JP2000135226A JP2000135226A JP2001319849A JP 2001319849 A JP2001319849 A JP 2001319849A JP 2000135226 A JP2000135226 A JP 2000135226A JP 2000135226 A JP2000135226 A JP 2000135226A JP 2001319849 A JP2001319849 A JP 2001319849A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の周縁の不用な薄膜を、処理液が基板の
デバイス作成領域に飛散しないように処理する。 【解決手段】 基板を回転させた状態で、該基板の一方
の面の周縁に第１のノズルにより第１の処理液を吐出
し、第１のノズルにより第１の処理液が供給された該基
板の周縁に、第２のノズルにより第２の処理液を吐出し
て混合させて基板周縁の薄膜を除去し、その処理液を該
基板の周縁近傍に配置された吸引口より吸引する。
デバイス作成領域に飛散しないように処理する。 【解決手段】 基板を回転させた状態で、該基板の一方
の面の周縁に第１のノズルにより第１の処理液を吐出
し、第１のノズルにより第１の処理液が供給された該基
板の周縁に、第２のノズルにより第２の処理液を吐出し
て混合させて基板周縁の薄膜を除去し、その処理液を該
基板の周縁近傍に配置された吸引口より吸引する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液処理装置に関
し、特に、基板の周縁を洗浄する装置に関する。
し、特に、基板の周縁を洗浄する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体等の電子デバイスの製造工程に
は、ウェハ等の基板に対し薄膜を形成するプロセスが含
まれる。例えば、金属配線を有する半導体ウェハの製造
には、ＰＶＤ等でシード層を形成した後、メッキ処理に
より金属薄膜を形成するプロセスが含まれる。
は、ウェハ等の基板に対し薄膜を形成するプロセスが含
まれる。例えば、金属配線を有する半導体ウェハの製造
には、ＰＶＤ等でシード層を形成した後、メッキ処理に
より金属薄膜を形成するプロセスが含まれる。
【０００３】また、半導体デバイスの製造工程では、周
縁の薄膜が除去されずに存在すると、搬送時にキャリア
との接触により薄膜が剥がれて飛散して、パーティクル
を発生し、キャリア及びデバイスを汚染することがあ
る。
縁の薄膜が除去されずに存在すると、搬送時にキャリア
との接触により薄膜が剥がれて飛散して、パーティクル
を発生し、キャリア及びデバイスを汚染することがあ
る。
【０００４】特に、半導体ウェハのＣｕ配線の製造プロ
セスでは、ＣｕがＳｉ及びＳｉＯ２に対して強い影響力
を持つため、これらの問題が重要となる。メッキ処理直
後のウェハには、図７に示すように、Ｃｕシード膜７
２、Ｃｕメッキ膜７１が周縁７３に存在し、これらの不
用な膜が剥離すると、キャリア等がＣｕで汚染されるこ
とになる。
セスでは、ＣｕがＳｉ及びＳｉＯ２に対して強い影響力
を持つため、これらの問題が重要となる。メッキ処理直
後のウェハには、図７に示すように、Ｃｕシード膜７
２、Ｃｕメッキ膜７１が周縁７３に存在し、これらの不
用な膜が剥離すると、キャリア等がＣｕで汚染されるこ
とになる。
【０００５】上述の、周縁から剥離した薄膜によるデバ
イスの汚染は、デバイスの高密度化が進む中では、デバ
イスの歩留まりの低下につながる。そのため、基板の周
縁を洗浄（エッチング）して、周縁の薄膜を除去する必
要がある。
イスの汚染は、デバイスの高密度化が進む中では、デバ
イスの歩留まりの低下につながる。そのため、基板の周
縁を洗浄（エッチング）して、周縁の薄膜を除去する必
要がある。
【０００６】このための、基板周縁の洗浄方法は、例え
ば、レジスト膜を塗布した基板の周縁にレジスト溶剤を
噴射して基板周縁の不用な膜を除去する方法が知られて
いる。この方法は、基板表面の上方から、ノズル等で周
縁にレジスト溶剤を噴射して洗浄処理を行うものであ
る。
ば、レジスト膜を塗布した基板の周縁にレジスト溶剤を
噴射して基板周縁の不用な膜を除去する方法が知られて
いる。この方法は、基板表面の上方から、ノズル等で周
縁にレジスト溶剤を噴射して洗浄処理を行うものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法は、溶剤によるレジスト膜の除去に関する方法であ
り、除去には化学反応が必要な、金属薄膜の形成された
メッキ処理基板周縁の洗浄には単純には適用できない。
また、この方法をメッキ処理基板周縁の洗浄に用いた場
合には、噴射された洗浄液や薄膜の溶解物が、基板表面
上に飛散し、デバイス作成領域に悪影響を与えるという
問題があった。
方法は、溶剤によるレジスト膜の除去に関する方法であ
り、除去には化学反応が必要な、金属薄膜の形成された
メッキ処理基板周縁の洗浄には単純には適用できない。
また、この方法をメッキ処理基板周縁の洗浄に用いた場
合には、噴射された洗浄液や薄膜の溶解物が、基板表面
上に飛散し、デバイス作成領域に悪影響を与えるという
問題があった。
【０００８】従って、本発明の目的は、基板の周縁を、
デバイスへ悪影響を及ぼすことなく処理することのでき
る基板の液処理装置を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、半導体基板の周縁を、デバイスへ悪影
響を及ぼすことなく処理することのできる、メッキ処理
装置に適用可能な半導体基板の液処理装置を提供するこ
とにある。
デバイスへ悪影響を及ぼすことなく処理することのでき
る基板の液処理装置を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、半導体基板の周縁を、デバイスへ悪影
響を及ぼすことなく処理することのできる、メッキ処理
装置に適用可能な半導体基板の液処理装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液処理装置
は、被処理体を保持し、回転可能に構成された被処理体
保持手段と、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保
持し、回転させた状態で、該被処理体の一方の面の周縁
に第１の処理液を供給可能な第１の処理液供給手段と、
前記第１の処理液供給手段により前記第１の処理液が供
給された前記被処理体の面の周縁に、第２の処理液を供
給可能な第２の処理液供給手段と、前記被処理体の周縁
近傍に配置され、前記第１の処理液及び第２の処理液の
排液を吸引可能な排液吸引手段とを備えることを特徴と
する。
は、被処理体を保持し、回転可能に構成された被処理体
保持手段と、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保
持し、回転させた状態で、該被処理体の一方の面の周縁
に第１の処理液を供給可能な第１の処理液供給手段と、
前記第１の処理液供給手段により前記第１の処理液が供
給された前記被処理体の面の周縁に、第２の処理液を供
給可能な第２の処理液供給手段と、前記被処理体の周縁
近傍に配置され、前記第１の処理液及び第２の処理液の
排液を吸引可能な排液吸引手段とを備えることを特徴と
する。
【００１０】上記構成によれば、異なる薬液を回転して
いる被処理体に別々に吐出して、被処理体の面上で混合
して被処理体の周縁を処理することができる。また、薬
液は被処理体周縁だけに吐出されるので、被処理体中心
部に悪影響を与えることが防がれる。さらに、このと
き、被処理体周縁を処理した排液は被処理体周縁の近傍
に備えられた吸引口から吸引されて廃棄されるので、処
理液の被処理体中心部への飛散を抑えることができる。
いる被処理体に別々に吐出して、被処理体の面上で混合
して被処理体の周縁を処理することができる。また、薬
液は被処理体周縁だけに吐出されるので、被処理体中心
部に悪影響を与えることが防がれる。さらに、このと
き、被処理体周縁を処理した排液は被処理体周縁の近傍
に備えられた吸引口から吸引されて廃棄されるので、処
理液の被処理体中心部への飛散を抑えることができる。
【００１１】上記液処理装置において、前記第２の処理
液供給手段が前記被処理体の周縁に前記第２の処理液を
供給する位置は、前記第１の処理液供給手段が前記第１
の処理液を供給する位置よりも、該被処理体の回転方向
の下流であることが望ましい。
液供給手段が前記被処理体の周縁に前記第２の処理液を
供給する位置は、前記第１の処理液供給手段が前記第１
の処理液を供給する位置よりも、該被処理体の回転方向
の下流であることが望ましい。
【００１２】上記構成によれば、回転している被処理体
の表面に対して第１の処理液を被処理体周縁に吐出し、
第１の処理液が被処理体周縁に拡がっている状態で、第
２の処理液を被処理体の回転方向下流で吐出することに
より、２つの処理液を被処理体周縁で十分に混合させて
被処理体周縁を処理することができる。
の表面に対して第１の処理液を被処理体周縁に吐出し、
第１の処理液が被処理体周縁に拡がっている状態で、第
２の処理液を被処理体の回転方向下流で吐出することに
より、２つの処理液を被処理体周縁で十分に混合させて
被処理体周縁を処理することができる。
【００１３】上記液処理装置において、前記第２の処理
液供給手段が前記被処理体の周縁に前記第２の処理液を
供給する位置は、前記第１の処理液供給手段が前記第１
の処理液を供給する位置よりも、該被処理体の中心方向
の外側であることが好ましい。
液供給手段が前記被処理体の周縁に前記第２の処理液を
供給する位置は、前記第１の処理液供給手段が前記第１
の処理液を供給する位置よりも、該被処理体の中心方向
の外側であることが好ましい。
【００１４】上記構成によれば、回転している被処理体
の表面に吐出され、遠心力により被処理体の中心方向の
外側に流れる第１の処理液に対して、効果的に第２の処
理液を吐出して混合することができる。
の表面に吐出され、遠心力により被処理体の中心方向の
外側に流れる第１の処理液に対して、効果的に第２の処
理液を吐出して混合することができる。
【００１５】上記液処理装置において、前記第１の処理
液供給手段及び前記第２の処理液供給手段は、前記被処
理体平面に対し０〜９０°の角度で配置されていること
が望ましい。
液供給手段及び前記第２の処理液供給手段は、前記被処
理体平面に対し０〜９０°の角度で配置されていること
が望ましい。
【００１６】上記構成により、被処理体表面に吐出され
る処理液及び処理後の排液の被処理体中心部への飛散を
抑制することができる。
る処理液及び処理後の排液の被処理体中心部への飛散を
抑制することができる。
【００１７】上記液処理装置において、前記第１の処理
液供給手段及び前記第２の処理液供給手段は前記被処理
体平面の一方及び他方の面の近傍に配置されていること
が望ましい。
液供給手段及び前記第２の処理液供給手段は前記被処理
体平面の一方及び他方の面の近傍に配置されていること
が望ましい。
【００１８】上記液処理装置において、前記第１の処理
液供給手段と、前記第２の処理液供給手段と、前記排液
吸引手段は、前記被処理体の周囲に複数配置されていて
もよい。
液供給手段と、前記第２の処理液供給手段と、前記排液
吸引手段は、前記被処理体の周囲に複数配置されていて
もよい。
【００１９】上記液処理装置において、前記第１の処理
液供給手段と、前記第２の処理液供給手段と、前記排液
吸引手段は一体となって形成され、前記被処理体の液処
理の際に、該被処理体の近傍まで進退可能に設けられて
いることが望ましい。
液供給手段と、前記第２の処理液供給手段と、前記排液
吸引手段は一体となって形成され、前記被処理体の液処
理の際に、該被処理体の近傍まで進退可能に設けられて
いることが望ましい。
【００２０】本発明に係る液処理方法は、被処理体を回
転させた状態で、第１の処理液を該被処理体の一方の周
縁に供給する工程と、第２の処理液を、前記第１の処理
液が供給された下流側に供給する工程と、前記第１及び
第２の処理液を供給している被処理体近傍を排気する工
程とからなることを特徴とする。
転させた状態で、第１の処理液を該被処理体の一方の周
縁に供給する工程と、第２の処理液を、前記第１の処理
液が供給された下流側に供給する工程と、前記第１及び
第２の処理液を供給している被処理体近傍を排気する工
程とからなることを特徴とする。
【００２１】上記方法によれば、異なる処理液を回転し
ている被処理体に別々に吐出して、被処理体の面上で混
合して被処理体の周縁を処理することができる。また、
処理液は被処理体の周縁だけに吐出されるので、被処理
体の中心部に悪影響を与えることが防がれる。さらに、
このとき、被処理体の周縁を処理した排液は被処理体周
縁の近傍に備えられた吸引口から吸引されて廃棄される
ので、処理液の被処理体の中心部への飛散を抑えること
ができる。
ている被処理体に別々に吐出して、被処理体の面上で混
合して被処理体の周縁を処理することができる。また、
処理液は被処理体の周縁だけに吐出されるので、被処理
体の中心部に悪影響を与えることが防がれる。さらに、
このとき、被処理体の周縁を処理した排液は被処理体周
縁の近傍に備えられた吸引口から吸引されて廃棄される
ので、処理液の被処理体の中心部への飛散を抑えること
ができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る半導体
基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置について、以下図
面を参照して説明する。
基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置について、以下図
面を参照して説明する。
【００２３】図１〜図３は、本発明の実施の形態に係る
半導体基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置１１の全体
構成を示す図であり、図１は３次元立体図、図２は平面
図、図３は側面図である。図に示すように、このメッキ
処理装置１１は、カセットステーション２１と、処理ス
テーション２２とから構成される。
半導体基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置１１の全体
構成を示す図であり、図１は３次元立体図、図２は平面
図、図３は側面図である。図に示すように、このメッキ
処理装置１１は、カセットステーション２１と、処理ス
テーション２２とから構成される。
【００２４】カセットステーション２１は、外部からウ
ェハカセット単位で装置１１に供給されるウェハをカセ
ット２３ａからメッキ処理装置１１に搬入し、または、
メッキ処理後のウェハをメッキ処理装置１１からカセッ
ト２３ｂに搬出する。
ェハカセット単位で装置１１に供給されるウェハをカセ
ット２３ａからメッキ処理装置１１に搬入し、または、
メッキ処理後のウェハをメッキ処理装置１１からカセッ
ト２３ｂに搬出する。
【００２５】カセットステーション２１には、カセット
戴置台２４が設けられ、メッキ処理されるウェハを収納
したウェハカセット２３ａが外部から供給される。ま
た、戴置台２４では、メッキ処理されたウェハが搬出用
のカセット２３ｂに収納される。
戴置台２４が設けられ、メッキ処理されるウェハを収納
したウェハカセット２３ａが外部から供給される。ま
た、戴置台２４では、メッキ処理されたウェハが搬出用
のカセット２３ｂに収納される。
【００２６】上述した戴置台２４でのウェハの搬送は、
第１搬送機構２５によって行われる。第１搬送機構２５
は、戴置台２４上に複数戴置されたウェハカセット２３
にアクセス可能なように、ｘ軸方向に移動可能であり、
かつ、ｚ軸方向に昇降可能である。また、処理ステーシ
ョン２２から戴置台２４へウェハを搬送できるように、
ｚ軸を中心として回転可能である。
第１搬送機構２５によって行われる。第１搬送機構２５
は、戴置台２４上に複数戴置されたウェハカセット２３
にアクセス可能なように、ｘ軸方向に移動可能であり、
かつ、ｚ軸方向に昇降可能である。また、処理ステーシ
ョン２２から戴置台２４へウェハを搬送できるように、
ｚ軸を中心として回転可能である。
【００２７】なお、カセットステーション２１及び処理
ステーション２２には、清浄空気のダウンフローによっ
て内部の雰囲気は清浄に保たれている。
ステーション２２には、清浄空気のダウンフローによっ
て内部の雰囲気は清浄に保たれている。
【００２８】処理ステーション２２は、ウェハに一枚ず
つメッキ処理を行うメッキ処理ユニット２６およびメッ
キ処理後の洗浄と乾燥を行う洗浄乾燥ユニット２７を、
それぞれ複数台、所定の位置に備える。
つメッキ処理を行うメッキ処理ユニット２６およびメッ
キ処理後の洗浄と乾燥を行う洗浄乾燥ユニット２７を、
それぞれ複数台、所定の位置に備える。
【００２９】メッキ処理ユニット２６では、シード層が
形成されたウェハにメッキ処理が施され、例えば、ウェ
ハ上にＣｕ薄膜が形成される。また、洗浄乾燥ユニット
２７では、後述するように、メッキ処理されたウェハの
表面、裏面および周縁を薬液、純水等の洗浄液で洗浄
（エッチング）され、洗浄後、Ｎ２パージ下でウェハを
高速回転させて、ウェハの乾燥が行われる。
形成されたウェハにメッキ処理が施され、例えば、ウェ
ハ上にＣｕ薄膜が形成される。また、洗浄乾燥ユニット
２７では、後述するように、メッキ処理されたウェハの
表面、裏面および周縁を薬液、純水等の洗浄液で洗浄
（エッチング）され、洗浄後、Ｎ２パージ下でウェハを
高速回転させて、ウェハの乾燥が行われる。
【００３０】処理ステーション２２には、図２に示すよ
うに中心部に第２搬送機構２９が設けられ、その周りに
は各処理ユニットが放射状に配置されている。また、図
１、図３に示すように、処理ステーションは上下２段で
構成されている。処理ステーション２２の上段および下
段は、それぞれ、第２搬送機構２９を中心として放射状
に配置された４つの処理ユニットから構成されており、
処理ステーション２２は８つのユニットを有している。
うに中心部に第２搬送機構２９が設けられ、その周りに
は各処理ユニットが放射状に配置されている。また、図
１、図３に示すように、処理ステーションは上下２段で
構成されている。処理ステーション２２の上段および下
段は、それぞれ、第２搬送機構２９を中心として放射状
に配置された４つの処理ユニットから構成されており、
処理ステーション２２は８つのユニットを有している。
【００３１】図１、図３に示す実施形態では、下段に４
つのメッキ処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユ
ニット２７と２つのエクストラユニット２８が配置され
た装置構成を示す。
つのメッキ処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユ
ニット２７と２つのエクストラユニット２８が配置され
た装置構成を示す。
【００３２】処理ステーション２２内でのウェハの搬送
は第２搬送機構２９によって行われる。第２搬送機構２
９は、第１搬送機構２５によりカセットステーション２
１から搬入されて、処理ステーション２２内の戴置部３
０に戴置されたウェハを受け取り、下段のメッキ処理ユ
ニット２６のいずれかに搬送する。メッキ処理が終了
後、さらに、洗浄乾燥ユニット２７に送る。最後に、第
２搬送機構２９は、メッキ処理ユニット２６および洗浄
乾燥ユニット２７を経たウェハを戴置部３０に送り、第
１搬送機構２５がこれを受け取ってカセット２３に収納
する。また、ここで、戴置部３０を介さず、第１搬送機
構が直接洗浄乾燥ユニットからウェハを受け取ることも
できる。
は第２搬送機構２９によって行われる。第２搬送機構２
９は、第１搬送機構２５によりカセットステーション２
１から搬入されて、処理ステーション２２内の戴置部３
０に戴置されたウェハを受け取り、下段のメッキ処理ユ
ニット２６のいずれかに搬送する。メッキ処理が終了
後、さらに、洗浄乾燥ユニット２７に送る。最後に、第
２搬送機構２９は、メッキ処理ユニット２６および洗浄
乾燥ユニット２７を経たウェハを戴置部３０に送り、第
１搬送機構２５がこれを受け取ってカセット２３に収納
する。また、ここで、戴置部３０を介さず、第１搬送機
構が直接洗浄乾燥ユニットからウェハを受け取ることも
できる。
【００３３】第２搬送機構２９は、上述した２段構成で
ある処理ステーション２２内の各処理ユニットにアクセ
ス可能なように、ｚ軸を中心として回転可能であり、か
つ、ｚ軸方向に昇降可能である。
ある処理ステーション２２内の各処理ユニットにアクセ
ス可能なように、ｚ軸を中心として回転可能であり、か
つ、ｚ軸方向に昇降可能である。
【００３４】また、第２搬送機構２９は３本のアームを
備え、一本は戴置部３０からメッキ処理ユニット２６へ
のウェハの搬送、一本はメッキ処理ユニット２６から洗
浄乾燥ユニット２７へのウェハの搬送、一本は洗浄乾燥
ユニット２７から戴置部３０への搬送専用として、パー
ティクル、薬液等による汚染を最小限としている。
備え、一本は戴置部３０からメッキ処理ユニット２６へ
のウェハの搬送、一本はメッキ処理ユニット２６から洗
浄乾燥ユニット２７へのウェハの搬送、一本は洗浄乾燥
ユニット２７から戴置部３０への搬送専用として、パー
ティクル、薬液等による汚染を最小限としている。
【００３５】上述の実施形態では、下段に４つのメッキ
処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユニット２７
と２つのエクストラユニット２８が配置された装置構成
としたが、他にエクストラユニット２８を活用した装置
構成も可能である。例えば、下段に４つのメッキ処理ユ
ニット２６、上段に１つのメッキ処理ユニット２６と３
つの洗浄乾燥ユニット２７とした構成も可能である。
処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユニット２７
と２つのエクストラユニット２８が配置された装置構成
としたが、他にエクストラユニット２８を活用した装置
構成も可能である。例えば、下段に４つのメッキ処理ユ
ニット２６、上段に１つのメッキ処理ユニット２６と３
つの洗浄乾燥ユニット２７とした構成も可能である。
【００３６】また、エクストラユニット２８は、メッキ
処理ユニット２６、洗浄乾燥ユニット２７と組み合わせ
可能な他の処理ユニット、例えば、メッキ処理後のアニ
ーリングを行うアニーリングユニットとすることも可能
である。
処理ユニット２６、洗浄乾燥ユニット２７と組み合わせ
可能な他の処理ユニット、例えば、メッキ処理後のアニ
ーリングを行うアニーリングユニットとすることも可能
である。
【００３７】以下、洗浄乾燥ユニット２７を構成する洗
浄装置について説明する。図４は本実施形態の洗浄装置
の構成を示す。本実施形態の洗浄装置は、両側にゲート
バルブ４１６を備えた、第２搬送機構２９の出入口４１
７が形成された方形のハウジング４０１内に、上面が開
口した略円筒形状のカップ４０２が設けられている。
浄装置について説明する。図４は本実施形態の洗浄装置
の構成を示す。本実施形態の洗浄装置は、両側にゲート
バルブ４１６を備えた、第２搬送機構２９の出入口４１
７が形成された方形のハウジング４０１内に、上面が開
口した略円筒形状のカップ４０２が設けられている。
【００３８】ハウジング４０１の中心位置には、シャフ
ト４０７が配置されている。このシャフト４０７はハウ
ジング４０１外に設けられている中空モータ（図示せ
ず）の駆動によって所定の回転数で回転する。シャフト
４０７には回転テーブル４０６が固定されている。中空
モータの動作は制御部４１８により制御されている。
ト４０７が配置されている。このシャフト４０７はハウ
ジング４０１外に設けられている中空モータ（図示せ
ず）の駆動によって所定の回転数で回転する。シャフト
４０７には回転テーブル４０６が固定されている。中空
モータの動作は制御部４１８により制御されている。
【００３９】ここで、制御部４１８は演算処理装置と処
理プログラム等を記憶しているＲＯＭ等から構成され、
洗浄装置全体の動きを制御するものである。以下、制御
部４１８の働きについては、全体を理解しやすいものと
するため、説明を省く。
理プログラム等を記憶しているＲＯＭ等から構成され、
洗浄装置全体の動きを制御するものである。以下、制御
部４１８の働きについては、全体を理解しやすいものと
するため、説明を省く。
【００４０】シャフト４０７の内部には、リフタ４０８
が形成されている。このリフタ４０８の上にはリフト板
４０９が固定されており、ウェハＷが回転テーブルに配
置された複数の保持部材４０４に保持された場合に、ウ
ェハＷと回転テーブル４０６の間に存在する。
が形成されている。このリフタ４０８の上にはリフト板
４０９が固定されており、ウェハＷが回転テーブルに配
置された複数の保持部材４０４に保持された場合に、ウ
ェハＷと回転テーブル４０６の間に存在する。
【００４１】リフタ４０７は、モータ（図示せず）によ
り昇降可能に構成されており、後述するエッジリムーバ
４２１によるウェハＷ周縁の洗浄時には、上方に上が
り、他の処理時には、下方にあるようになっている。ま
た、リフタ４０８はハウジング４０１外に設けられてい
るモータ（図示せず）の駆動によって所定の回転数で回
転する。
り昇降可能に構成されており、後述するエッジリムーバ
４２１によるウェハＷ周縁の洗浄時には、上方に上が
り、他の処理時には、下方にあるようになっている。ま
た、リフタ４０８はハウジング４０１外に設けられてい
るモータ（図示せず）の駆動によって所定の回転数で回
転する。
【００４２】リフト板４０９の内部は中空であり、リフ
タ４０８の内部を通る管４１０と連通している。管４１
０は、ハウジング４０１外に設けられてポンプ（図示せ
ず）に接続されており、排気可能に構成されている。こ
のポンプによる排気により、ウェハＷがリフト板４０９
上に戴置されると、ウェハＷはリフト板４０９上に真空
チャックされるようになっている。
タ４０８の内部を通る管４１０と連通している。管４１
０は、ハウジング４０１外に設けられてポンプ（図示せ
ず）に接続されており、排気可能に構成されている。こ
のポンプによる排気により、ウェハＷがリフト板４０９
上に戴置されると、ウェハＷはリフト板４０９上に真空
チャックされるようになっている。
【００４３】また、管４１０には、純水またはＮ２ガス
の槽とつながり、純水またはＮ２ガス流れる構成となっ
ている。管４１０を通った純水またはＮ２ガスは、リフ
ト板４０９上に開いた複数の穴から上方に供給される。
の槽とつながり、純水またはＮ２ガス流れる構成となっ
ている。管４１０を通った純水またはＮ２ガスは、リフ
ト板４０９上に開いた複数の穴から上方に供給される。
【００４４】さらに、シャフト４０７とリフタ４０８の
間の空間にはガス流路４１１が形成されており、不活性
ガス、例えば窒素ガスが吹き出されるようになってい
る。吹き出された不活性ガスは、回転テーブル４０６の
表面に沿って回転テーブル４０６の周縁部へと流れる。
したがって、この回転テーブル４０６は、ガス拡散板と
しての機能も併せ持っている。
間の空間にはガス流路４１１が形成されており、不活性
ガス、例えば窒素ガスが吹き出されるようになってい
る。吹き出された不活性ガスは、回転テーブル４０６の
表面に沿って回転テーブル４０６の周縁部へと流れる。
したがって、この回転テーブル４０６は、ガス拡散板と
しての機能も併せ持っている。
【００４５】この不活性ガスは、回転処理中、即ちウェ
ハＷに対して洗浄処理を行っている間は、回転テーブル
４０６の下面中心から外方へと吹き出され、回転テーブ
ル４０６周縁部、即ちウェハＷの周縁部から外方へと排
気されているので、ウェハＷの裏面へのパーティクル等
の侵入を防止することができる。したがって、ウェハＷ
の裏面の汚染を防止することができる。カップ４０２と
リフタ４０７の間の空間には、排気口４１２が設けら
れ、排気及び洗浄液等の廃液を含んだ排気が流れる。
ハＷに対して洗浄処理を行っている間は、回転テーブル
４０６の下面中心から外方へと吹き出され、回転テーブ
ル４０６周縁部、即ちウェハＷの周縁部から外方へと排
気されているので、ウェハＷの裏面へのパーティクル等
の侵入を防止することができる。したがって、ウェハＷ
の裏面の汚染を防止することができる。カップ４０２と
リフタ４０７の間の空間には、排気口４１２が設けら
れ、排気及び洗浄液等の廃液を含んだ排気が流れる。
【００４６】回転テーブル４０６には複数の保持部材４
０４が配設されており、保持部材４０４によりウェハＷ
を保持する。図５に示すように、この保持部材４０４
は、上側の保持部５４と下側の付勢部５５とが一体とな
った構成を有している。保持部５４には上端に段差が形
成され、この段差によりウェハＷを保持する。保持部５
４は支持部材５３の上端部に設定された回動支点５６で
支持部材５３と結合されている。保持部材４０４はこの
回動支点５６を中心として回動可能である。付勢部５５
の重量は保持部５４よりも大きく設定されており、これ
により、付勢部５５は保持部材４０４の重錘として働
く。
０４が配設されており、保持部材４０４によりウェハＷ
を保持する。図５に示すように、この保持部材４０４
は、上側の保持部５４と下側の付勢部５５とが一体とな
った構成を有している。保持部５４には上端に段差が形
成され、この段差によりウェハＷを保持する。保持部５
４は支持部材５３の上端部に設定された回動支点５６で
支持部材５３と結合されている。保持部材４０４はこの
回動支点５６を中心として回動可能である。付勢部５５
の重量は保持部５４よりも大きく設定されており、これ
により、付勢部５５は保持部材４０４の重錘として働
く。
【００４７】シャフト４０７によりウェハＷは高速で回
転するので、ウェハＷを安定して保持する必要がある。
このため、保持部材４０４はウェハＷを保持部５４の段
差だけでなく、付勢部５５による付勢によってウェハＷ
の周縁部を保持する構造となっている。
転するので、ウェハＷを安定して保持する必要がある。
このため、保持部材４０４はウェハＷを保持部５４の段
差だけでなく、付勢部５５による付勢によってウェハＷ
の周縁部を保持する構造となっている。
【００４８】すなわち、ウェハＷは回転していない状態
で保持部材４０４に戴置され、その保持部５４に保持さ
れる。そして、回転テーブル４０６が回転すると、付勢
部５５に作用する遠心力によって、付勢部５５はさらに
外方へと移動しようとし、その結果、保持部材４０４の
保持部５４側は回転テーブル４０６の中心側へと押さ
れ、さらにウェハＷは強固に保持されることになる。
で保持部材４０４に戴置され、その保持部５４に保持さ
れる。そして、回転テーブル４０６が回転すると、付勢
部５５に作用する遠心力によって、付勢部５５はさらに
外方へと移動しようとし、その結果、保持部材４０４の
保持部５４側は回転テーブル４０６の中心側へと押さ
れ、さらにウェハＷは強固に保持されることになる。
【００４９】回転テーブル４０６の上方には主洗浄ノズ
ル（図示せず）と２つのエッジリムーバ４２１が備えら
れている。後述するように、主洗浄ノズルからは、下面
洗浄及び純水洗浄の際、純水またはＮ２ガスがウェハＷ
表面に供給される。
ル（図示せず）と２つのエッジリムーバ４２１が備えら
れている。後述するように、主洗浄ノズルからは、下面
洗浄及び純水洗浄の際、純水またはＮ２ガスがウェハＷ
表面に供給される。
【００５０】エッジリムーバ４２１は、図６に示すよう
に、ウェハＷの周縁近傍の両側２カ所に備えられてい
る。図７に示すように、エッジリムーバ４２１は、中央
部分に空間の開いたコの字型をしており、このコの字部
分でウェハＷの周縁の一部を挟み込むような構造となっ
ている。そして、ウェハＷの平面に平行する一方の側に
２本のノズル、すなわち、第１のノズル７１と第２のノ
ズル７２が埋設された構造となっている。さらに、エッ
ジリムーバ４２１のコの字構造の中心部には吸引口７３
が設けられ、この吸引口７３はポンプに接続されて排気
されており、廃液溜め（図示せず）へとつながってい
る。
に、ウェハＷの周縁近傍の両側２カ所に備えられてい
る。図７に示すように、エッジリムーバ４２１は、中央
部分に空間の開いたコの字型をしており、このコの字部
分でウェハＷの周縁の一部を挟み込むような構造となっ
ている。そして、ウェハＷの平面に平行する一方の側に
２本のノズル、すなわち、第１のノズル７１と第２のノ
ズル７２が埋設された構造となっている。さらに、エッ
ジリムーバ４２１のコの字構造の中心部には吸引口７３
が設けられ、この吸引口７３はポンプに接続されて排気
されており、廃液溜め（図示せず）へとつながってい
る。
【００５１】第１のノズル７１は、過酸化水素水（Ｈ２
Ｏ２）の貯蔵された槽４１９につながっており、ノズル
先から過酸化水素水を吐出する。第２ノズル７２は、フ
ッ酸、塩酸、硫酸等の無機酸または有機酸等の酸系薬液
の貯蔵された槽４２０につながっている。以下では、フ
ッ酸溶液が第２のノズル７２のノズル先から吐出される
場合について説明する。
Ｏ２）の貯蔵された槽４１９につながっており、ノズル
先から過酸化水素水を吐出する。第２ノズル７２は、フ
ッ酸、塩酸、硫酸等の無機酸または有機酸等の酸系薬液
の貯蔵された槽４２０につながっている。以下では、フ
ッ酸溶液が第２のノズル７２のノズル先から吐出される
場合について説明する。
【００５２】図７に示すように、ウェハＷ周縁の表面上
にはＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により
形成されたＣｕ層Ｌ２が存在する。エッジリムーバ４２
１は、回転しているこのウェハＷ周縁に、第１のノズル
７１より過酸化水素水を、第２のノズルよりフッ酸溶液
を噴射してウェハＷ周縁の洗浄（エッチング）を行う。
にはＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により
形成されたＣｕ層Ｌ２が存在する。エッジリムーバ４２
１は、回転しているこのウェハＷ周縁に、第１のノズル
７１より過酸化水素水を、第２のノズルよりフッ酸溶液
を噴射してウェハＷ周縁の洗浄（エッチング）を行う。
【００５３】このとき、薬液によりエッチングされたウ
ェハＷ周縁の薄膜の溶解物および未反応の薬液等は吸引
口７３へと吸引され、廃液溜めへと送られる。従って、
ウェハＷのデバイス作成領域へとこれら処理廃液が飛散
するのを防ぐことができる。
ェハＷ周縁の薄膜の溶解物および未反応の薬液等は吸引
口７３へと吸引され、廃液溜めへと送られる。従って、
ウェハＷのデバイス作成領域へとこれら処理廃液が飛散
するのを防ぐことができる。
【００５４】図８に示すように、この２本のノズルは、
過酸化水素水を吐出する第１のノズル７１が、フッ酸溶
液を吐出する第２のノズル７２よりも、ウェハＷの回転
方向に対して上流に存在する構造となっている。
過酸化水素水を吐出する第１のノズル７１が、フッ酸溶
液を吐出する第２のノズル７２よりも、ウェハＷの回転
方向に対して上流に存在する構造となっている。
【００５５】ウェハＷ周縁の洗浄（エッチング）は、過
酸化水素水とフッ酸の混合液とＣｕの化学反応によって
行われる。そこで、ウェハＷの回転方向上流から第１の
ノズルからＣｕにより不活性な過酸化水素水を先に吐出
し、ウェハＷの周縁に過酸化水素水が存在する状態でフ
ッ酸溶液を吐出することにより、Ｃｕ層に対する過度の
エッチングを防ぎつつ、所望の洗浄幅、例えば、２ｍｍ
前後のウェハＷ周縁のエッチングを行うことができる。
酸化水素水とフッ酸の混合液とＣｕの化学反応によって
行われる。そこで、ウェハＷの回転方向上流から第１の
ノズルからＣｕにより不活性な過酸化水素水を先に吐出
し、ウェハＷの周縁に過酸化水素水が存在する状態でフ
ッ酸溶液を吐出することにより、Ｃｕ層に対する過度の
エッチングを防ぎつつ、所望の洗浄幅、例えば、２ｍｍ
前後のウェハＷ周縁のエッチングを行うことができる。
【００５６】さらに、第１のノズルは、第２のノズルよ
りもウェハＷの回転の中心方向に近く設けられている。
これは、先に吐出される過酸化水素水が、ウェハＷの回
転による遠心力でウェハＷの中心方向の反対側に流れる
ことを考慮して、確実に過酸化水素水の流れの上にフッ
酸溶液が吐出されるようにしたものである。
りもウェハＷの回転の中心方向に近く設けられている。
これは、先に吐出される過酸化水素水が、ウェハＷの回
転による遠心力でウェハＷの中心方向の反対側に流れる
ことを考慮して、確実に過酸化水素水の流れの上にフッ
酸溶液が吐出されるようにしたものである。
【００５７】第１ノズル及び第２ノズルのウェハＷに対
する噴射角度θは、所望の洗浄幅を得るため、０〜９０
°の値が可能である。しかしながら、デバイス作成溶液
への処理廃液への飛散を抑制するため、鋭角であること
が望ましい。
する噴射角度θは、所望の洗浄幅を得るため、０〜９０
°の値が可能である。しかしながら、デバイス作成溶液
への処理廃液への飛散を抑制するため、鋭角であること
が望ましい。
【００５８】本実施形態に係る回転洗浄装置の主要部は
以上のように構成されており、以下、その洗浄シーケン
スについて説明する。
以上のように構成されており、以下、その洗浄シーケン
スについて説明する。
【００５９】メッキ処理が終了したウェハＷを保持した
第２搬送機構２９がハウジング４０１の出入口４１７か
ら洗浄乾燥ユニット２７内に進入し、ウェハＷをリフタ
４０８のリフト板４０９の直上の位置まで進む。この状
態でリフタ４０８が作動してリフト板４０９がが上昇す
ると、第２搬送機構２９からウェハＷをリフト板４０９
が受け取る。リフト板４０９上にメッキ処理面を上とし
て戴置されたウェハＷは真空チャックされ、その後、リ
フタ４０８は回転を始める。
第２搬送機構２９がハウジング４０１の出入口４１７か
ら洗浄乾燥ユニット２７内に進入し、ウェハＷをリフタ
４０８のリフト板４０９の直上の位置まで進む。この状
態でリフタ４０８が作動してリフト板４０９がが上昇す
ると、第２搬送機構２９からウェハＷをリフト板４０９
が受け取る。リフト板４０９上にメッキ処理面を上とし
て戴置されたウェハＷは真空チャックされ、その後、リ
フタ４０８は回転を始める。
【００６０】第２搬送機構２９が洗浄搬送ユニット２７
の外に退去すると、リフト板４０９がさらに上昇して前
記エッジリムーバ４２１のコの字に開いた空間のある高
さにウェハＷを維持する。この状態でエッジリムーバ４
２１がウェハＷの半径方向のウェハＷの周縁に近接する
位置に移動する。
の外に退去すると、リフト板４０９がさらに上昇して前
記エッジリムーバ４２１のコの字に開いた空間のある高
さにウェハＷを維持する。この状態でエッジリムーバ４
２１がウェハＷの半径方向のウェハＷの周縁に近接する
位置に移動する。
【００６１】図１０に示すように、エッジリムーバ４２
１がウェハＷの周縁を挟み込む位置まで近接すると、エ
ッジリムーバ４２１は停止し、前述したウェハＷ周縁の
洗浄が行われる。
１がウェハＷの周縁を挟み込む位置まで近接すると、エ
ッジリムーバ４２１は停止し、前述したウェハＷ周縁の
洗浄が行われる。
【００６２】ウェハＷ周縁の洗浄が完了後、一旦リフタ
４０８の回転は止まり、エッジリムーバ４２１はウェハ
Ｗの半径方向外側に移動し、ウェハＷから離れる。この
とき、リフト板４０９に対する真空チャックは解除され
る。
４０８の回転は止まり、エッジリムーバ４２１はウェハ
Ｗの半径方向外側に移動し、ウェハＷから離れる。この
とき、リフト板４０９に対する真空チャックは解除され
る。
【００６３】次に、リフタ４０８は最下部まで下降す
る。このリフタ４０８が下降する際に、リフタ４０８上
に戴置されたウェハＷは回転テーブル４０６の保持部材
４０４に系止して保持される。ただし、このとき回転テ
ーブル４０６は回転状態にないので、前述したように、
保持部材４０４の保持部５４は略垂直状態に保たれてお
り、ウェハ端部を押圧するような動きはしていない。そ
のため、保持部材４０４に保持されたウェハＷはたんに
戴置されているのみであり、リフタ４０８により鉛直方
向上向きの力が作用すれば容易に持ち上げられる状態で
ある。
る。このリフタ４０８が下降する際に、リフタ４０８上
に戴置されたウェハＷは回転テーブル４０６の保持部材
４０４に系止して保持される。ただし、このとき回転テ
ーブル４０６は回転状態にないので、前述したように、
保持部材４０４の保持部５４は略垂直状態に保たれてお
り、ウェハ端部を押圧するような動きはしていない。そ
のため、保持部材４０４に保持されたウェハＷはたんに
戴置されているのみであり、リフタ４０８により鉛直方
向上向きの力が作用すれば容易に持ち上げられる状態で
ある。
【００６４】次に、ウェハＷごと回転テーブル４０６を
回転させながらウェハＷ上部に配設された主洗浄ノズル
から純水を供給してウェハＷ上面を純水洗浄する。この
とき、回転テーブル４０６の回転により保持部材４０４
はウェハＷに半径方向内向きの押圧力をかけて保持する
ため、ウェハＷは回転テーブル４０６にしっかりと固定
される。
回転させながらウェハＷ上部に配設された主洗浄ノズル
から純水を供給してウェハＷ上面を純水洗浄する。この
とき、回転テーブル４０６の回転により保持部材４０４
はウェハＷに半径方向内向きの押圧力をかけて保持する
ため、ウェハＷは回転テーブル４０６にしっかりと固定
される。
【００６５】ウェハＷ上面の純水洗浄が完了後、リフタ
４０８内を通る管４１０に洗浄液を供給する。この洗浄
液は、リフト板４０９に開いた複数の穴を通ってウェハ
Ｗの下面側に供給され、この洗浄液によってウェハＷ下
面側の薬液洗浄が行われる。
４０８内を通る管４１０に洗浄液を供給する。この洗浄
液は、リフト板４０９に開いた複数の穴を通ってウェハ
Ｗの下面側に供給され、この洗浄液によってウェハＷ下
面側の薬液洗浄が行われる。
【００６６】ウェハＷ下面の薬液洗浄が完了後、このま
まの状態で、上方の主洗浄ノズル、下方のリフト板４０
６からＮ２ガスをパージしつつ、回転テーブル４０６を
高速回転させてスピン乾燥を行う。
まの状態で、上方の主洗浄ノズル、下方のリフト板４０
６からＮ２ガスをパージしつつ、回転テーブル４０６を
高速回転させてスピン乾燥を行う。
【００６７】スピン乾燥の終了後、回転テーブル４０６
の回転は止まり、リフタ４０８が上昇して洗浄の完了し
たウェハＷを持ち上げ、ウェハＷは第２搬送機構２９に
より、乾燥処理ユニット２７の外部に搬出される。
の回転は止まり、リフタ４０８が上昇して洗浄の完了し
たウェハＷを持ち上げ、ウェハＷは第２搬送機構２９に
より、乾燥処理ユニット２７の外部に搬出される。
【００６８】上記実施形態では、エッジリムーバ４２１
はウェハＷのメッキ処理面側にのみ、第１及び第２のノ
ズルが埋設され、上方の処理面側からのみ薬液が吐出さ
れる構成である。しかし、図１０に示すように、下面に
も同様のノズルを埋設し、ウェハＷの下面からも薬液が
供給されるような構成も可能である。
はウェハＷのメッキ処理面側にのみ、第１及び第２のノ
ズルが埋設され、上方の処理面側からのみ薬液が吐出さ
れる構成である。しかし、図１０に示すように、下面に
も同様のノズルを埋設し、ウェハＷの下面からも薬液が
供給されるような構成も可能である。
【００６９】この構成によれば、メッキ処理によりウェ
ハＷの下面まで回り込んだＣｕメッキ層の除去が可能に
なるとともに、上方のノズルから吐出された薬液の裏面
側への回り込みも防ぐことができる。
ハＷの下面まで回り込んだＣｕメッキ層の除去が可能に
なるとともに、上方のノズルから吐出された薬液の裏面
側への回り込みも防ぐことができる。
【００７０】また、エッジリムーバ４２１に２本のノズ
ルを埋設して、各ノズルから薬液を別々に吐出してウェ
ハＷ上で混合する構成としたが、１本のノズルから薬液
の混合液を出すようしてもよい。この場合、フッ酸：Ｈ
２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：２３の混合液等が用いられ
る。
ルを埋設して、各ノズルから薬液を別々に吐出してウェ
ハＷ上で混合する構成としたが、１本のノズルから薬液
の混合液を出すようしてもよい。この場合、フッ酸：Ｈ
２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：２３の混合液等が用いられ
る。
【００７１】本実施の形態の洗浄装置では、エッジリム
ーバ４２１は２カ所に配置される構成であるが、エッジ
リムーバ４２１を３カ所以上設けてウェハＷの周縁を洗
浄する構成も可能である。
ーバ４２１は２カ所に配置される構成であるが、エッジ
リムーバ４２１を３カ所以上設けてウェハＷの周縁を洗
浄する構成も可能である。
【００７２】また、上記の実施形態では、被処理体の、
所定の処理の施された面を上側としてその周縁に液処理
を行う構成で説明したが、処理面を下側に向けた状態で
周縁の処理を行う構成も可能である。
所定の処理の施された面を上側としてその周縁に液処理
を行う構成で説明したが、処理面を下側に向けた状態で
周縁の処理を行う構成も可能である。
【００７３】さらに、上記の実施形態のように被処理体
を回転させて、固定されたエッジリムーバ４２１により
被処理体の周縁の液処理を行うのではなく、被処理体を
固定した状態でエッジリムーバ４２１を回転させて、被
処理体の周縁を液処理する構成も可能である。
を回転させて、固定されたエッジリムーバ４２１により
被処理体の周縁の液処理を行うのではなく、被処理体を
固定した状態でエッジリムーバ４２１を回転させて、被
処理体の周縁を液処理する構成も可能である。
【００７４】本発明の上記実施形態では、半導体ウェハ
を液処理する場合について説明したが、本発明の液処理
装置は、被処理体として半導体ウェハ以外に、ＬＣＤ用
のガラス基板等の処理にも適用することが可能である。
を液処理する場合について説明したが、本発明の液処理
装置は、被処理体として半導体ウェハ以外に、ＬＣＤ用
のガラス基板等の処理にも適用することが可能である。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄
することのできる、液処理装置が提供される。また、本
発明により、特に、メッキ処理された半導体ウェハ周縁
の洗浄装置が提供され、ウェハ周縁から剥離するパーテ
ィクルの発生を抑え、キャリア等の汚染を防ぐことがで
きる。
基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄
することのできる、液処理装置が提供される。また、本
発明により、特に、メッキ処理された半導体ウェハ周縁
の洗浄装置が提供され、ウェハ周縁から剥離するパーテ
ィクルの発生を抑え、キャリア等の汚染を防ぐことがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態に係るメッキ処理装置の全
体構成を示す概略３次元立体図である。
体構成を示す概略３次元立体図である。
【図２】実施の形態に係るメッキ処理装置の全体構成を
示す概略平面図である。
示す概略平面図である。
【図３】実施の形態に係るメッキ処理装置の全体構成を
示す概略側面図である。
示す概略側面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄乾燥装置の断面
図である。
図である。
【図５】実施の形態に係るウェハの保持部材４０４の側
面図及び正面図である。
面図及び正面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るエッジリムーバ４２
１の配置を示す図である。
１の配置を示す図である。
【図７】実施の形態に係るエッジリムーバ４２１による
ウェハ周縁の洗浄方法を示す図である。
ウェハ周縁の洗浄方法を示す図である。
【図８】実施の形態に係るエッジリムーバ４２１による
ウェハ周縁の洗浄方法を示す図である。
ウェハ周縁の洗浄方法を示す図である。
【図９】実施の形態に係る洗浄乾燥装置の断面図であ
る。
る。
【図１０】実施の形態に係るエッジリムーバ４２１によ
るウェハ周縁の洗浄方法を示す図である。
るウェハ周縁の洗浄方法を示す図である。
【符号の説明】 １１ メッキ処理装置 ２１ カセットステーション ２２ 処理ステーション ２３ ウェハカセット ２５ 第１搬送機構 ２６ メッキ処理ユニット ２７ 洗浄乾燥ユニット ２８ エクストラユニット ２９ 第２搬送機構 ４０２ ハウジング ４０４ 保持部材 ４０６ 回転テーブル ４０８ リフタ ４０９ リフト板 ４２１ エッジリムーバ Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７７ 21/306 21/306 Ｊ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA05 EA10 3B201 AA03 AB34 AB42 BB05 BB22 BB62 BB93 BB95 BB99 CB15 CC13 CD22 5F043 AA27 BB18 EE07 EE08 EE37 GG10 5F046 JA15 JA22
Claims (8)
- 【請求項１】被処理体を保持し、回転可能に構成された
被処理体保持手段と、 前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、回転さ
せた状態で、該被処理体の一方の面の周縁に第１の処理
液を供給可能な第１の処理液供給手段と、 前記第１の処理液供給手段により前記第１の処理液が供
給された前記被処理体の面の周縁に、第２の処理液を供
給可能な第２の処理液供給手段と、 前記被処理体の周縁近傍に配置され、前記第１の処理液
及び第２の処理液の排液を吸引可能な排液吸引手段とを
備えることを特徴とする液処理装置。 - 【請求項２】前記第２の処理液供給手段が前記被処理体
の周縁に前記第２の処理液を供給する位置は、前記第１
の処理液供給手段が前記第１の処理液を供給する位置よ
りも、該被処理体の回転方向の下流であることを特徴と
する請求項１に記載の液処理装置。 - 【請求項３】前記第２の処理液供給手段が前記被処理体
の周縁に前記第２の処理液を供給する位置は、前記第１
の処理液供給手段が前記第１の処理液を供給する位置よ
りも、該被処理体の中心方向の外側であることを特徴と
する請求項１に記載の液処理装置。 - 【請求項４】前記第１の処理液供給手段及び前記第２の
処理液供給手段は、前記被処理体平面に対し０〜９０°
の角度で配置されていることを特徴とする請求項１乃至
３に記載の液処理装置。 - 【請求項５】前記第１の処理液供給手段及び前記第２の
処理液供給手段は前記被処理体平面の一方及び他方の面
の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１乃至
４に記載の液処理装置。 - 【請求項６】前記第１の処理液供給手段と、前記第２の
処理液供給手段と、前記排液吸引手段は、前記被処理体
の周囲に複数配置されていることを特徴とする請求項１
乃至５に記載の液処理装置。 - 【請求項７】前記第１の処理液供給手段と、前記第２の
処理液供給手段と、前記排液吸引手段は一体となって形
成され、前記被処理体の液処理の際に、該被処理体の近
傍まで進退可能に設けられていることを特徴とする請求
項１乃至６に記載の液処理装置。 - 【請求項８】被処理体を回転させた状態で、第１の処理
液を該被処理体の一方の周縁に供給する工程と、 第２の処理液を、前記第１の処理液が供給された下流側
に供給する工程と、 前記第１及び第２の処理液を供給している被処理体近傍
を排気する工程とからなることを特徴とする液処理方
法。
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