JP2000058498A - ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置 - Google Patents
ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置Info
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- JP2000058498A JP2000058498A JP10231004A JP23100498A JP2000058498A JP 2000058498 A JP2000058498 A JP 2000058498A JP 10231004 A JP10231004 A JP 10231004A JP 23100498 A JP23100498 A JP 23100498A JP 2000058498 A JP2000058498 A JP 2000058498A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ乾燥槽またはウェハ洗浄装置において、
ウェハの表裏両面を短時間でかつ乾燥不良のない良好で
乾燥させる。 【解決手段】乾燥すべきウェハに対し、イソプロピルア
ルコール等のアルコール系溶剤を吐出し、ウェハを乾燥
させる。アルコール系溶剤の吐出タイミングは遅くとも
リンスの純水吐出が停止するのと同時であることが好ま
しい。
ウェハの表裏両面を短時間でかつ乾燥不良のない良好で
乾燥させる。 【解決手段】乾燥すべきウェハに対し、イソプロピルア
ルコール等のアルコール系溶剤を吐出し、ウェハを乾燥
させる。アルコール系溶剤の吐出タイミングは遅くとも
リンスの純水吐出が停止するのと同時であることが好ま
しい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハ乾燥方法と乾
燥槽と洗浄槽と洗浄装置に関する。
燥槽と洗浄槽と洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の急速な微細化と共にウェハ
洗浄技術への要求も日々厳しさを増している。例えば、
最小パターン寸法の１０分の１程度のパーティクルが製
品の歩留まりに影響すると言われ、微細化が進んだ今日
では０．１ｕｍ程度のパーティクルまで管理することが
必要になってきている。その他にも乾燥時の乾きムラ
（以降ウオーターマークと呼ぶ）、汚染、エッチングの
均一性など要求される項目も多岐にわたっている。
洗浄技術への要求も日々厳しさを増している。例えば、
最小パターン寸法の１０分の１程度のパーティクルが製
品の歩留まりに影響すると言われ、微細化が進んだ今日
では０．１ｕｍ程度のパーティクルまで管理することが
必要になってきている。その他にも乾燥時の乾きムラ
（以降ウオーターマークと呼ぶ）、汚染、エッチングの
均一性など要求される項目も多岐にわたっている。
【０００３】一方これらの要求を満たすべく使用される
洗浄装置はバッチ式のウェット洗浄装置が主流であった
が、ウェハの大口径化による装置の大型化や多機種少量
生産製品の増大などから枚葉式のウェハ洗浄装置の高性
能化も検討されている。
洗浄装置はバッチ式のウェット洗浄装置が主流であった
が、ウェハの大口径化による装置の大型化や多機種少量
生産製品の増大などから枚葉式のウェハ洗浄装置の高性
能化も検討されている。
【０００４】ここでは従来の枚葉式ウェハ洗浄装置およ
び乾燥方法について説明する。
び乾燥方法について説明する。
【０００５】図７は、従来の枚様式ウェハ洗浄装置を示
す図であり、ローダー１００、第１洗浄槽２００、第２
洗浄槽３００、リンス兼乾燥槽４００とアンローダー５
００を有する。第１洗浄槽２００はウェハ４をアルカリ
性薬液で洗浄する槽であり、第２洗浄槽３００は酸性薬
液で洗浄する槽である。
す図であり、ローダー１００、第１洗浄槽２００、第２
洗浄槽３００、リンス兼乾燥槽４００とアンローダー５
００を有する。第１洗浄槽２００はウェハ４をアルカリ
性薬液で洗浄する槽であり、第２洗浄槽３００は酸性薬
液で洗浄する槽である。
【０００６】ローダー１００より第１洗浄槽２００に搬
送されたウェハ４は、回転チャック２０６によって保持
され、５００〜１０００ｒｐｍ程度の速度で回転させら
れながら洗浄ノズル２０２から吐出されるアンモニア水
と過酸化水素水の混合液によって表裏面とも洗浄され
る。次いで前記ウェハ４は、前記回転数と同程度の速度
のまま、純水ノズル２０１から吐出される純水により粗
リンス処理がなされ、さらに薬液、純水の吐出を停止し
た後回転数を１０００ｒｐｍ程度に上げることにより粗
乾燥処理がなされる。
送されたウェハ４は、回転チャック２０６によって保持
され、５００〜１０００ｒｐｍ程度の速度で回転させら
れながら洗浄ノズル２０２から吐出されるアンモニア水
と過酸化水素水の混合液によって表裏面とも洗浄され
る。次いで前記ウェハ４は、前記回転数と同程度の速度
のまま、純水ノズル２０１から吐出される純水により粗
リンス処理がなされ、さらに薬液、純水の吐出を停止し
た後回転数を１０００ｒｐｍ程度に上げることにより粗
乾燥処理がなされる。
【０００７】第１洗浄槽２００から第２洗浄槽３００に
搬送されたウェハ４は、第１洗浄槽と同様の手段により
酸性洗浄が施され、リンス兼乾燥槽４００に搬送され
る。リンス兼乾燥槽でウェハ４は、第１，第２洗浄槽と
同様に回転チャック４０６によって保持され、５００〜
１０００ｒｐｍ程度の速度で回転しながら純水ノズル４
０１から吐出される純水により充分な最終リンス処理が
行なわれ、その後回転数を１５００ｒｐｍ以上の高速に
上げることにより水分を振り切り乾燥処理がなされ、最
後にウェハ４はアンローダー５００に搬送され、ウェハ
の洗浄乾燥処理の１サイクルが終了する。
搬送されたウェハ４は、第１洗浄槽と同様の手段により
酸性洗浄が施され、リンス兼乾燥槽４００に搬送され
る。リンス兼乾燥槽でウェハ４は、第１，第２洗浄槽と
同様に回転チャック４０６によって保持され、５００〜
１０００ｒｐｍ程度の速度で回転しながら純水ノズル４
０１から吐出される純水により充分な最終リンス処理が
行なわれ、その後回転数を１５００ｒｐｍ以上の高速に
上げることにより水分を振り切り乾燥処理がなされ、最
後にウェハ４はアンローダー５００に搬送され、ウェハ
の洗浄乾燥処理の１サイクルが終了する。
【０００８】しかし前記の方法で処理されたウェハ４
は、ウェハ表面の水分が部分的に集まって小さな水滴を
作り、その水滴中にウェハのシリコンを溶出すると共に
大気中の酸素を取り込みシリコン酸化物を形成し、乾燥
不良（ウオーターマークと呼ばれるパターン欠陥）が発
生してしまう。特にウェハ４の表面がシリコン基板やポ
リシリコン膜の様な疎水面の場合は、水滴ができ易く乾
燥不良も発生し易い。
は、ウェハ表面の水分が部分的に集まって小さな水滴を
作り、その水滴中にウェハのシリコンを溶出すると共に
大気中の酸素を取り込みシリコン酸化物を形成し、乾燥
不良（ウオーターマークと呼ばれるパターン欠陥）が発
生してしまう。特にウェハ４の表面がシリコン基板やポ
リシリコン膜の様な疎水面の場合は、水滴ができ易く乾
燥不良も発生し易い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記乾燥不良を解決す
るために、特開平７−２１１６８６号公報にはイソプロ
ピルアルコール（以降ＩＰＡと呼ぶ）蒸気を吹きかける
方法が開示されている。
るために、特開平７−２１１６８６号公報にはイソプロ
ピルアルコール（以降ＩＰＡと呼ぶ）蒸気を吹きかける
方法が開示されている。
【００１０】しかし、この公報に開示してある技術は、
以下の様な課題を有する。
以下の様な課題を有する。
【００１１】図６は、前記公報のリンスおよび乾燥方法
の問題点を示す概略図である。図６（ａ）で、洗浄工程
を経たウェハ４は、純水リンス処理がなされた後、図６
（ｂ）でウェハを極低速（約７０ｒｐｍ）で回転させ大
きな水滴を作り、図６（ｃ）でＩＰＡ蒸気を吹きかける
ことにより水滴の乾燥を促進しようとしている。しか
し、この技術を用いても（ｂ）と（ｃ）の間で作られる
小さな水滴は、充分な乾燥がなされる前にウオーターマ
ークとして残ってしまい、乾燥時のパターン欠陥を０に
することはできなかった。欠陥数はパターンサイズ・密
度・構造によって異なるが、ウェハ当たりで数個〜十数
個程度であった。
の問題点を示す概略図である。図６（ａ）で、洗浄工程
を経たウェハ４は、純水リンス処理がなされた後、図６
（ｂ）でウェハを極低速（約７０ｒｐｍ）で回転させ大
きな水滴を作り、図６（ｃ）でＩＰＡ蒸気を吹きかける
ことにより水滴の乾燥を促進しようとしている。しか
し、この技術を用いても（ｂ）と（ｃ）の間で作られる
小さな水滴は、充分な乾燥がなされる前にウオーターマ
ークとして残ってしまい、乾燥時のパターン欠陥を０に
することはできなかった。欠陥数はパターンサイズ・密
度・構造によって異なるが、ウェハ当たりで数個〜十数
個程度であった。
【００１２】そこで本発明は、ウオーターマークの発生
を抑えるウェハの乾燥方法と乾燥槽と洗浄槽と洗浄装置
を提供することを目的とする。
を抑えるウェハの乾燥方法と乾燥槽と洗浄槽と洗浄装置
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のウェハ乾
燥方法は、枚様式にウェハを乾燥する方法において、乾
燥すべきウェハの表裏面どちらか一方または両方に対し
アルコール系溶剤を吐出し、ウェハを乾燥させることを
特徴とする。
燥方法は、枚様式にウェハを乾燥する方法において、乾
燥すべきウェハの表裏面どちらか一方または両方に対し
アルコール系溶剤を吐出し、ウェハを乾燥させることを
特徴とする。
【００１４】請求項２記載のウェハ乾燥方法は、前記ウ
ェハに対しアルコール系溶剤を吐出するタイミングが、
遅くともリンス液の停止と同時であることを特徴とす
る。
ェハに対しアルコール系溶剤を吐出するタイミングが、
遅くともリンス液の停止と同時であることを特徴とす
る。
【００１５】請求項３記載のウェハ乾燥槽は、ウェハを
一枚づつ回転させる手段と、前記ウェハの表裏面どちら
か一方または両方に対しアルコール系溶剤を吐出するノ
ズルを有することを特徴とする。
一枚づつ回転させる手段と、前記ウェハの表裏面どちら
か一方または両方に対しアルコール系溶剤を吐出するノ
ズルを有することを特徴とする。
【００１６】請求項４記載のウェハ乾燥槽は、請求項３
記載のウェハ乾燥槽の前記アルコール系溶剤を吐出する
ノズルをリンスノズルと共用することを特徴とする。
記載のウェハ乾燥槽の前記アルコール系溶剤を吐出する
ノズルをリンスノズルと共用することを特徴とする。
【００１７】請求項５記載のウェハ洗浄槽は、ウェハを
一枚づつ回転させる手段と、前記ウェハの表裏面どちら
か一方または両方に対しアルコール系溶剤を吐出するノ
ズルを有することを特徴とする。
一枚づつ回転させる手段と、前記ウェハの表裏面どちら
か一方または両方に対しアルコール系溶剤を吐出するノ
ズルを有することを特徴とする。
【００１８】請求項６記載のウェハ洗浄槽は、請求項５
記載のウェハ洗浄槽の前記アルコール系溶剤を吐出する
ノズルをリンスノズルと共用することを特徴とする。
記載のウェハ洗浄槽の前記アルコール系溶剤を吐出する
ノズルをリンスノズルと共用することを特徴とする。
【００１９】請求項７記載のウェハ洗浄装置は、枚葉式
にウェハを洗浄し、かつ洗浄および荒リンスを行なう洗
浄槽と、仕上げリンスおよび乾燥を行なう乾燥槽が独立
しているウェハ洗浄装置において、請求項５または請求
項６のウェハ洗浄槽を、前記乾燥槽の前段に配置するこ
とを特徴とする。
にウェハを洗浄し、かつ洗浄および荒リンスを行なう洗
浄槽と、仕上げリンスおよび乾燥を行なう乾燥槽が独立
しているウェハ洗浄装置において、請求項５または請求
項６のウェハ洗浄槽を、前記乾燥槽の前段に配置するこ
とを特徴とする。
【００２０】上記構成によれば、乾燥すべきウェハに対
しウェハを回転させながらアルコール系溶剤を吐出する
ので、短時間で効果的にウェハ表面の水分をアルコール
系溶剤に置換できるため、乾燥能力が格段に向上し、ウ
ェハの乾燥不良を防止することができるという効果を有
する。
しウェハを回転させながらアルコール系溶剤を吐出する
ので、短時間で効果的にウェハ表面の水分をアルコール
系溶剤に置換できるため、乾燥能力が格段に向上し、ウ
ェハの乾燥不良を防止することができるという効果を有
する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２２】（実施例１）図１は、本発明に係るウェハ
リンス兼乾燥槽の一実施例の模式的断面図であり、図２
（ａ）〜（ｃ）はリンス工程および乾燥工程を示す概略
図である。
リンス兼乾燥槽の一実施例の模式的断面図であり、図２
（ａ）〜（ｃ）はリンス工程および乾燥工程を示す概略
図である。
【００２３】図１に示すところのウェハリンス兼乾燥槽
はウェハ４を純水でリンス処理した後乾燥する槽であ
り、ウェハ４は回転チャック４０６によって保持されて
いる。回転チャック４０６は回転モーター４０７に連結
しており、指定の回転数を設定することができる。ま
た、ウェハ４の表面裏面各々に向けて、純水ノズル４０
１とＩＰＡノズル４０３が少なくとも各１本ずつ設けら
れており、ＩＰＡノズルからはアルコール系溶剤を吐出
させる。アルコール系溶剤は水分と任意に混合するもの
が好ましく、メチルアルコール、エチルアルコール、Ｉ
ＰＡなどを用いることができるが、安全面・価格面で有
利なＩＰＡが望ましい。またそのアルコール系溶剤の温
度は、室温と同程度の摂氏２３度〜２５度が望ましい
が、沸点に近い高温でも構わない。さらに回転モーター
を除くこれらの構成パーツは、上部チャンバー４０８と
下部チャンバー４０９からなる空間の中に収められてい
る。上部チャンバー４０８と下部チャンバー４０９で構
成される空間は大気から完全に密閉され、必要に応じて
クリーンドライ窒素の供給や排気・廃液処理を行なえる
構造が望ましい。
はウェハ４を純水でリンス処理した後乾燥する槽であ
り、ウェハ４は回転チャック４０６によって保持されて
いる。回転チャック４０６は回転モーター４０７に連結
しており、指定の回転数を設定することができる。ま
た、ウェハ４の表面裏面各々に向けて、純水ノズル４０
１とＩＰＡノズル４０３が少なくとも各１本ずつ設けら
れており、ＩＰＡノズルからはアルコール系溶剤を吐出
させる。アルコール系溶剤は水分と任意に混合するもの
が好ましく、メチルアルコール、エチルアルコール、Ｉ
ＰＡなどを用いることができるが、安全面・価格面で有
利なＩＰＡが望ましい。またそのアルコール系溶剤の温
度は、室温と同程度の摂氏２３度〜２５度が望ましい
が、沸点に近い高温でも構わない。さらに回転モーター
を除くこれらの構成パーツは、上部チャンバー４０８と
下部チャンバー４０９からなる空間の中に収められてい
る。上部チャンバー４０８と下部チャンバー４０９で構
成される空間は大気から完全に密閉され、必要に応じて
クリーンドライ窒素の供給や排気・廃液処理を行なえる
構造が望ましい。
【００２４】次いで本発明のウェハのリンスおよび乾燥
工程の概要を図２に従って説明する。
工程の概要を図２に従って説明する。
【００２５】図２（ａ）では、回転チャック６に保持さ
れ５００〜１０００ｒｐｍで回転するウェハ４の表裏面
に対し、純水ノズル１から純水を吐出し、リンス処理が
行なわれる。（ｂ）では、ウェハ４の表裏面に対し、Ｉ
ＰＡノズルよりＩＰＡを吐出し純水をＩＰＡに置換する
処理が行なわれる。その際のウェハ回転速度は、純水リ
ンス時の回転数よりも低速回転に落とすことが望まし
く、５００ｒｐｍ以下が望ましい。またＩＰＡの吐出を
開始するタイミングは、遅くとも純水の吐出が停止する
のと同時が望ましく、さらには純水の吐出が停止する２
〜３秒前が望ましい。この時点でウェハ表面は、乾燥不
良の原因となる水滴が形成される前にＩＰＡに置換され
る。（ｃ）では、ウェハ４を１５００ｒｐｍ以上の高速
で回転させることによりウェハ表面のＩＰＡを除去し乾
燥を終了させる。
れ５００〜１０００ｒｐｍで回転するウェハ４の表裏面
に対し、純水ノズル１から純水を吐出し、リンス処理が
行なわれる。（ｂ）では、ウェハ４の表裏面に対し、Ｉ
ＰＡノズルよりＩＰＡを吐出し純水をＩＰＡに置換する
処理が行なわれる。その際のウェハ回転速度は、純水リ
ンス時の回転数よりも低速回転に落とすことが望まし
く、５００ｒｐｍ以下が望ましい。またＩＰＡの吐出を
開始するタイミングは、遅くとも純水の吐出が停止する
のと同時が望ましく、さらには純水の吐出が停止する２
〜３秒前が望ましい。この時点でウェハ表面は、乾燥不
良の原因となる水滴が形成される前にＩＰＡに置換され
る。（ｃ）では、ウェハ４を１５００ｒｐｍ以上の高速
で回転させることによりウェハ表面のＩＰＡを除去し乾
燥を終了させる。
【００２６】（実施例２）図３は、本発明に係る洗浄槽
の一実施例を示す模式的断面図である。
の一実施例を示す模式的断面図である。
【００２７】図３に示すところのウェハ洗浄槽はウェハ
４をアルカリ性薬液または酸性薬液で洗浄処理から純水
でリンス処理した後乾燥処理まで行なう槽であり、ウェ
ハ４は回転チャック３０６によって保持されている。回
転チャック３０６は回転モーター３０７に連結してお
り、指定の回転数を設定することができる。また、ウェ
ハ４の表面裏面各々に向けて、洗浄ノズル３０２と純水
ノズル３０１とＩＰＡノズル３０３が少なくとも各１本
ずつ設けられている。また、ＩＰＡノズルから吐出させ
るアルコール系溶剤の種類、温度、吐出タイミングは実
施例１と同様である。さらに実施例１と同様に回転モー
ターを除くこれらの構成パーツは、上部チャンバー３０
８と下部チャンバー３０９からなる密閉空間の中に収め
られ、クリーンドライ窒素雰囲気下で洗浄から乾燥まで
の一環処理が行われる。これにより洗浄（兼粗リンス）
槽からリンス兼乾燥槽までの搬送途中で発生する乾燥不
良も防止できる。なお、廃液、排気ラインには、アルカ
リ系・酸系。有機系を分離するため切り替えバルブ３１
０が設けられている。
４をアルカリ性薬液または酸性薬液で洗浄処理から純水
でリンス処理した後乾燥処理まで行なう槽であり、ウェ
ハ４は回転チャック３０６によって保持されている。回
転チャック３０６は回転モーター３０７に連結してお
り、指定の回転数を設定することができる。また、ウェ
ハ４の表面裏面各々に向けて、洗浄ノズル３０２と純水
ノズル３０１とＩＰＡノズル３０３が少なくとも各１本
ずつ設けられている。また、ＩＰＡノズルから吐出させ
るアルコール系溶剤の種類、温度、吐出タイミングは実
施例１と同様である。さらに実施例１と同様に回転モー
ターを除くこれらの構成パーツは、上部チャンバー３０
８と下部チャンバー３０９からなる密閉空間の中に収め
られ、クリーンドライ窒素雰囲気下で洗浄から乾燥まで
の一環処理が行われる。これにより洗浄（兼粗リンス）
槽からリンス兼乾燥槽までの搬送途中で発生する乾燥不
良も防止できる。なお、廃液、排気ラインには、アルカ
リ系・酸系。有機系を分離するため切り替えバルブ３１
０が設けられている。
【００２８】（実施例３）図４は、本発明に係るリンス
兼乾燥槽の他の実施例を示す模式的断面図である。
兼乾燥槽の他の実施例を示す模式的断面図である。
【００２９】図４に示すところのウェハリンス兼乾燥槽
はウェハ４を純水でリンス処理した後乾燥する槽であ
る。実施例１と異なる点は、純水ライン４１２とＩＰＡ
ライン４１３を合流し、純水兼ＩＰＡノズル４１１に接
続し、純水とＩＰＡのどちらか一方または両者同時に吐
出させる構造にしているところである。
はウェハ４を純水でリンス処理した後乾燥する槽であ
る。実施例１と異なる点は、純水ライン４１２とＩＰＡ
ライン４１３を合流し、純水兼ＩＰＡノズル４１１に接
続し、純水とＩＰＡのどちらか一方または両者同時に吐
出させる構造にしているところである。
【００３０】これにより、ウェハ上でＩＰＡが純水と同
じ場所に当たり広がって行くため、より確実に置換を実
施でき、処理時間の短縮が図られる。
じ場所に当たり広がって行くため、より確実に置換を実
施でき、処理時間の短縮が図られる。
【００３１】また、この構造は実施例２の純水およびＩ
ＰＡにも適用でき、同様の効果が期待できる （実施例４）図５は、本発明に係るウェハ洗浄装置全体
を示す模式的断面図である。
ＰＡにも適用でき、同様の効果が期待できる （実施例４）図５は、本発明に係るウェハ洗浄装置全体
を示す模式的断面図である。
【００３２】図５は、本発明による枚様式ウェハ洗浄装
置を示す図であり、槽構成は従来の枚葉式ウェハ洗浄装
置と同様で、ローダー１００、第１洗浄槽２００、第２
洗浄槽３００、リンス兼乾燥槽４００とアンローダー５
００を有する。従来例と異なる点は、第２洗浄槽に実施
例２の洗浄槽を、リンス兼乾燥槽に実施例１のリンス兼
乾燥槽をそれぞれ組み込んでいることである。
置を示す図であり、槽構成は従来の枚葉式ウェハ洗浄装
置と同様で、ローダー１００、第１洗浄槽２００、第２
洗浄槽３００、リンス兼乾燥槽４００とアンローダー５
００を有する。従来例と異なる点は、第２洗浄槽に実施
例２の洗浄槽を、リンス兼乾燥槽に実施例１のリンス兼
乾燥槽をそれぞれ組み込んでいることである。
【００３３】ローダー１００より第１洗浄槽２００を経
て第２洗浄槽に搬送されたウェハ４は、回転チャック３
０６によって保持され、５００〜１０００ｒｐｍ程度の
速度で回転させられながら洗浄ノズル３０２から吐出さ
れる塩酸と過酸化水素水の混合液または希釈フッ酸また
はバッファードフッ酸によって表裏面とも洗浄され、次
いで前記ウェハ４は、前記回転数と同程度の速度のま
ま、純水ノズル３０１から吐出される純水により粗リン
ス処理がなされる。
て第２洗浄槽に搬送されたウェハ４は、回転チャック３
０６によって保持され、５００〜１０００ｒｐｍ程度の
速度で回転させられながら洗浄ノズル３０２から吐出さ
れる塩酸と過酸化水素水の混合液または希釈フッ酸また
はバッファードフッ酸によって表裏面とも洗浄され、次
いで前記ウェハ４は、前記回転数と同程度の速度のま
ま、純水ノズル３０１から吐出される純水により粗リン
ス処理がなされる。
【００３４】粗リンスの純水吐出が停止するのと同時、
もしくは停止の２〜３秒前にＩＰＡノズル３０３よりＩ
ＰＡを吐出し純水をＩＰＡに置換する。その際のウェハ
回転数は５００ｒｐｍ以下が望ましい。さらにＩＰＡの
吐出を停止した後回転数を１０００ｒｐｍ程度に上げる
ことにより粗乾燥処理がなされる。この手段により、次
のリンス兼乾燥槽までの搬送中の乾燥不良を防止でき
る。
もしくは停止の２〜３秒前にＩＰＡノズル３０３よりＩ
ＰＡを吐出し純水をＩＰＡに置換する。その際のウェハ
回転数は５００ｒｐｍ以下が望ましい。さらにＩＰＡの
吐出を停止した後回転数を１０００ｒｐｍ程度に上げる
ことにより粗乾燥処理がなされる。この手段により、次
のリンス兼乾燥槽までの搬送中の乾燥不良を防止でき
る。
【００３５】リンス兼乾燥槽４００に搬送されたウェハ
は４は、実施例１と同様にリンス・乾燥処理がなされ、
最後にアンローダー５００に搬送され、ウェハの洗浄乾
燥処理の１サイクルが終了する。
は４は、実施例１と同様にリンス・乾燥処理がなされ、
最後にアンローダー５００に搬送され、ウェハの洗浄乾
燥処理の１サイクルが終了する。
【００３６】また、第２洗浄槽またはリンス兼乾燥槽に
実施例３の構造を採用することにより、より効果的な乾
燥処理ができる。
実施例３の構造を採用することにより、より効果的な乾
燥処理ができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、シリコン基板やポリシリコン膜のような疎水面を有
するウェハの表裏面の乾燥不良を効果的に防止し、クリ
ーンなウェハ表面を得ることが出来る。その為ウェハ乾
燥後のパーティクルおよびヘイズも無くなりそれに起因
する平坦性の劣化などもなくなり、結果的に半導体装置
の製造歩留まりも向上する。
ば、シリコン基板やポリシリコン膜のような疎水面を有
するウェハの表裏面の乾燥不良を効果的に防止し、クリ
ーンなウェハ表面を得ることが出来る。その為ウェハ乾
燥後のパーティクルおよびヘイズも無くなりそれに起因
する平坦性の劣化などもなくなり、結果的に半導体装置
の製造歩留まりも向上する。
【００３８】また、従来の乾燥不良防止手段に対し、Ｉ
ＰＡの加熱が不要になりコストの削減ができ、ＩＰＡへ
の置換時間を大幅に短縮できるため装置処理能力の向上
ができる。
ＰＡの加熱が不要になりコストの削減ができ、ＩＰＡへ
の置換時間を大幅に短縮できるため装置処理能力の向上
ができる。
【図１】本発明に係るリンス兼乾燥槽の一実施例を示す
模式的断面図。
模式的断面図。
【図２】本発明の実施例によるリンス工程および乾燥工
程を示す概略図。
程を示す概略図。
【図３】本発明に係る洗浄槽の一実施例を示す模式的断
面図。
面図。
【図４】本発明に係るリンス兼乾燥槽の他の実施例を示
す模式的断面図。
す模式的断面図。
【図５】本発明に係るウェハ洗浄装置全体を示す模式的
断面図。
断面図。
【図６】従来のリンス工程および乾燥工程の問題点を示
す概略図。
す概略図。
【図７】従来の枚様式ウェハ洗浄装置全体を示す模式的
断面図。
断面図。
１００・・・ローダー ２００・・・第１洗浄室 ３００・・・第２洗浄室 ４００・・・リンス兼乾燥室 ５００・・・アンローダー １，２０１，３０１，４０１・・・純水ノズル ２０２，３０２・・・洗浄ノズル ３，３０３，４０３・・・ＩＰＡノズル ４・・・ウェハ １０５，５０５・・・ウェハカセット ６，２０６，３０６・・・回転チャック ２０７，３０７，４０７・・・回転モーター ３０８，４０８・・・上部チャンバー ３０９，４０９・・・下部チャンバー ３１０・・・廃液切り替えバルブ ４１１・・・純水兼ＩＰＡノズル ４１２・・・純水供給ライン ４１３・・・ＩＰＡ供給ライン １４・・・蒸気ノズル １５・・・水滴 １６・・・ウオーターマーク
Claims (7)
- 【請求項１】枚様式にウェハを乾燥する方法において、
乾燥すべきウェハの表裏面どちらか一方または両方に対
しアルコール系溶剤を吐出し、ウェハを乾燥させること
を特徴とするウェハ乾燥方法。 - 【請求項２】前記ウェハに対しアルコール系溶剤を吐出
するタイミングが、遅くともリンス液の停止と同時であ
ることを特徴とする請求項１記載のウェハ乾燥方法。 - 【請求項３】ウェハを一枚づつ回転させる手段と、前記
ウェハの表裏面どちらか一方または両方に対しアルコー
ル系溶剤を吐出するノズルを有することを特徴とするウ
ェハ乾燥槽。 - 【請求項４】請求項３記載のウェハ乾燥槽の前記アルコ
ール系溶剤を吐出するノズルをリンスノズルと共用する
ことを特徴とするウェハ乾燥槽。 - 【請求項５】ウェハを一枚づつ回転させる手段と、前記
ウェハの表裏面どちらか一方または両方に対しアルコー
ル系溶剤を吐出するノズルを有することを特徴とするウ
ェハ洗浄槽。 - 【請求項６】請求項５記載のウェハ洗浄槽の前記アルコ
ール系溶剤を吐出するノズルをリンスノズルと共用する
ことを特徴とするウェハ洗浄槽。 - 【請求項７】枚葉式にウェハを洗浄し、かつ洗浄および
荒リンスを行なう洗浄槽と、仕上げリンスおよび乾燥を
行なう乾燥槽が独立しているウェハ洗浄装置において、
請求項５または請求項６記載のウェハ洗浄槽を、前記乾
燥槽の前段に配置することを特徴とするウェハ洗浄装
置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10231004A JP2000058498A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231004A JP2000058498A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058498A true JP2000058498A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16916738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10231004A Withdrawn JP2000058498A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058498A (ja) |
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