TWI776077B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

於本發明之基板處理方法中，對具有包含凹部(92)之圖案(PT)的基板(W)進行處理。基板處理方法包含有處理步驟(S1)、去除步驟(S2)、及蝕刻步驟(S3)。於處理步驟(S1)中，利用處理液處理基板(W)。於處理步驟(S1)之後，於去除步驟(S2)中，將進入凹部(92)的處理液自基板(W)去除。於去除步驟(S2)之後，於蝕刻步驟(S3)中，利用蝕刻液對基板(W)進行蝕刻。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置。
於專利文獻1所記載的基板處理裝置具備有濕式處理單元。濕式處理單元執行濕式蝕刻處理。具體而言，濕式蝕刻處理包含有晶圓搬入步驟、旋轉開始步驟、自然氧化膜去除步驟、第1沖洗步驟、犧牲膜預蝕刻步驟、第2沖洗步驟、乾燥步驟、及晶圓搬出步驟。
執行晶圓搬入步驟及旋轉開始步驟之後，於自然氧化膜去除步驟中，向晶圓之表面供給DHF(稀氫氟酸)，自晶圓將自然氧化膜去除。而且，於第1沖洗步驟中，向晶圓之表面供給沖洗液，沖洗自然氧化膜之殘留物。進而，於犧牲膜預蝕刻步驟中，向晶圓之表面供給蝕刻液，自晶圓將犧牲膜之一部分去除。具體而言，於晶圓之表面形成有包含凹部的圖案。而且，於犧牲膜預蝕刻步驟中，使蝕刻液進入至凹部，去除被形成於圖案與矽基板之間的犧牲膜之一部分。而且，執行第2沖洗步驟、乾燥步驟、及晶圓搬出步驟。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-88619號公報
然而，於專利文獻1所記載的基板處理裝置中，於執行犧牲膜預蝕刻步驟時，第1沖洗步驟中所被供給的沖洗液可能會殘留在被形成於晶圓之表面的圖案之凹部。
尤其是近年來，形成於基板的圖案之微細化不斷發展，圖案之縱橫比(凹部之深度相對於寬度的比率)變高，或圖案之形狀變得複雜。因此，假如於在圖案之凹部殘留有沖洗液的狀態下向凹部供給蝕刻液，則因沖洗液之影響而對於蝕刻液在凹部之深度方向上產生濃度梯度。具體而言，於初始供給蝕刻液時，蝕刻液之濃度會自凹部之較淺的位置向較深的位置逐漸降低。因此，為使蝕刻液滲透至凹部較深的位置，蝕刻液之藉由濃度梯度向沖洗液中之擴散需要時間。其結果為，於確保蝕刻液之擴散時間而在未設定有製程的情形下，存在有對於晶圓之蝕刻效果些許降低的可能性。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於，提供一種能夠抑制對於基板的蝕刻效果之降低的基板處理方法及基板處理裝置。
根據本發明之一態樣，於基板處理方法中，對具有包含凹部之圖案的基板進行處理。基板處理方法包含：處理步驟，其藉由處理液對上述基板進行處理；去除步驟，其於上述處理步驟之後，將進入上述凹部的上述處理液自上述基板去除；及蝕刻步驟， 其於上述去除步驟之後，利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻。
於本發明之基板處理方法中，於上述去除步驟中較佳為對上述基板進行乾燥，去除進入至上述凹部的上述處理液。
於本發明之基板處理方法中，上述處理步驟較佳為包含：藥液步驟，其利用藥液對上述基板進行處理；及沖洗步驟，其藉由作為上述處理液的沖洗液將上述藥液自上述基板沖走。
於本發明之基板處理方法中，於上述藥液步驟中較佳為藉由上述藥液去除被形成於上述基板的自然氧化膜。
於本發明之基板處理方法中，上述處理步驟、上述去除步驟及上述蝕刻步驟較佳為在上述基板處理裝置之內部所執行的一連串之步驟，而無需將上述基板取出至具備有複數個槽的基板處理裝置之外部。
於本發明之基板處理方法中，於上述去除步驟中較佳為向上述複數個槽中之收納有上述基板的槽內供給水溶性有機溶劑之蒸氣，且對上述槽內進行減壓，藉此對上述基板進行乾燥。
於本發明之基板處理方法中，較佳為上述處理步驟、上述去除步驟及上述蝕刻步驟中之至少兩個以上步驟在同一槽內被執行。
於本發明之基板處理方法中，於上述處理步驟中較佳為一面使上述基板在腔室內旋轉，一面向上述基板供給上述處理液，而對上述基板進行處理。於上述去除步驟中，較佳為一面使上述基板在腔室內旋轉，一面去除進入至上述凹部的上述處理液。於上述蝕刻步驟中，較佳為一面使上述基板在腔室內旋轉，一面向上述基板供給上述蝕刻液，而對上述基板進行蝕刻。
於本發明之基板處理方法中，上述蝕刻液較佳為包含有氫氧化四甲基銨。
根據本發明之其他態樣，基板處理裝置對具有包含凹部之圖案的基板進行處理。基板處理裝置具備有對上述基板進行處理的處理部。上述處理部係利用處理液對上述基板進行處理。處理部係於藉由上述處理液對上述基板進行處理之後，將進入至上述凹部的上述處理液自上述基板去除。處理部係於將上述處理液自上述基板去除之後，利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻。
根據本發明，能夠提供一種可抑制對於基板的蝕刻效果之降低的基板處理方法及基板處理裝置。
1‧‧‧收納部
3‧‧‧投入部
5‧‧‧載置台
7‧‧‧送出部
9‧‧‧載置台
11‧‧‧交接機構
17‧‧‧乾燥處理部
19‧‧‧第1處理部
20‧‧‧第2處理部
21‧‧‧第3處理部
23‧‧‧藥液供給源
24、26、28‧‧‧閥
25‧‧‧沖洗液供給源
27‧‧‧蝕刻液供給源
29‧‧‧排液管
31、33‧‧‧配管
40‧‧‧保持棒
41‧‧‧處理槽
43‧‧‧回收槽
45‧‧‧噴嘴
51‧‧‧氣體供給機構
53‧‧‧減壓部
55‧‧‧純水供給源
57‧‧‧閥
59、63‧‧‧配管
61‧‧‧排氣管線
65‧‧‧排液管線
71‧‧‧腔室
71a‧‧‧蓋
73‧‧‧處理槽
75‧‧‧回收槽
77‧‧‧升降機構
79‧‧‧保持棒
81‧‧‧噴嘴
83‧‧‧氣體噴嘴
90‧‧‧矽基板
91‧‧‧積層膜
92‧‧‧凹部
92s‧‧‧凹部之側面
93‧‧‧自然氧化膜
95‧‧‧旋轉馬達
100、100A‧‧‧基板處理裝置
105‧‧‧腔室
107‧‧‧旋轉夾頭
111、115、117‧‧‧噴嘴
113、119‧‧‧噴嘴移動部
121‧‧‧流體供給單元
122a、123a、124a‧‧‧噴出口
126‧‧‧單元移動部
170‧‧‧夾頭構件
171‧‧‧旋轉台
AX1‧‧‧旋轉軸線
AX2、AX3‧‧‧旋動軸線
BU‧‧‧緩衝單元
CHB1、CHB2、CHB3‧‧‧槽
CTC‧‧‧第1搬送機構
CV‧‧‧搬送機構
Dp‧‧‧基板之面方向
Dt‧‧‧基板之厚度方向
LF1、LF2、LF3‧‧‧副搬送機構
LPD1、LPD2‧‧‧槽
O1~ON‧‧‧氧化矽膜
ONB1、ONB2、ONB3‧‧‧槽
P1~PN‧‧‧多晶矽膜
PT‧‧‧圖案
R1‧‧‧凹槽
SP1、SP2‧‧‧處理部
TA‧‧‧槽
W‧‧‧基板
Ws‧‧‧基板之最表面
WTR‧‧‧第2搬送機構
圖1係表示本發明之實施形態1之基板處理裝置之示意性俯視圖。
圖2係表示實施形態1之基板處理裝置之槽之示意性剖面圖。
圖3係表示實施形態1之基板處理裝置之其他槽之示意性剖面圖。
圖4(a)係表示實施形態1之基板處理裝置所處理的基板之第1狀態之示意性剖面圖。圖4(b)係表示基板之第2狀態之示意性剖面圖。圖4(c)係表示基板之第3狀態之示意性剖面圖。
圖5係表示實施形態1之基板處理方法之流程圖。
圖6係表示本發明之實施形態2之基板處理裝置之示意性剖面圖。
圖7係表示實施形態2之基板處理方法之流程圖。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，對圖中相同或相當之部分添附相同之參照符號，且不再重複說明。又，於本發明之實施形態中，X軸、Y軸、及Z軸相互正交，X軸及Y軸平行於水平方向，Z軸平行於鉛直方向。
(實施形態1)
參照圖1~圖5，對本發明之實施形態1的基板處理裝置100及基板處理方法進行說明。實施形態1之基板處理裝置100為批次式。因此，基板處理裝置100一併對複數個基板W進行處理。具體而言，基板處理裝置100對複數個批量進行處理。複數個批量之各者由複數個基板W所形成。例如，1批量由25片基板W所形成。基板W例如為大致圓板狀。
基板W例如為半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display：FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、或太陽能電池用基板。半導體晶圓例如具有用以形成三維快閃記憶體(例如三維NAND快閃記憶體)的圖案。
首先，參照圖1對基板處理裝置100進行說明。圖1係表示基板處理裝置100之示意性俯視圖。如圖1所示，基板處理裝置100具備有複數個收納部1、投入部3、送出部7、交接機構11、緩衝單元BU、搬送機構CV、及處理部SP1。處理部SP1包含有複數個槽TA。搬送機構CV包含有第1搬送機構CTC、第2搬 送機構WTR、副搬送機構LF1、副搬送機構LF2、及副搬送機構LF3。處理部SP1包含有乾燥處理部17、第1處理部19、第2處理部20、及第3處理部21。乾燥處理部17包含有複數個槽TA中之槽LPD1及槽LPD2。第1處理部19包含有複數個槽TA中之槽ONB1及槽CHB1。第2處理部20包含有複數個槽TA中之槽ONB2及槽CHB2。第3處理部21包含有複數個槽TA中之槽ONB3及槽CHB3。
複數個收納部1之各者收納有複數個基板W。各基板W以水平姿勢被收納於收納部1。收納部1例如為前開式晶圓盒(FOUP，Front Opening Unified Pod)。
收納有未處理之基板W的收納部1係被載置於投入部3。具體而言，投入部3包含有複數個載置台5。而且，兩個收納部1分別被載置於兩個載置台5。投入部3被配置於基板處理裝置100之長度方向之一端。
收納有處理完畢之基板W的收納部1被載置於送出部7。具體而言，送出部7包含有複數個載置台9。而且，兩個收納部1分別被載置於兩個載置台9。送出部7係將處理完畢之基板W收納於收納部1並連同收納部1一起送出。送出部7被配置於基板處理裝置100之長度方向之一端。送出部7係在正交於基板處理裝置100之長度方向之方向上對向於投入部3。
緩衝單元BU相鄰地配置於投入部3及送出部7。緩衝單元BU係將載置於投入部3的收納部1連同基板W一起收入至內部，並將收納部1載置於架(未圖示)。又，緩衝單元BU係接收處理完畢之基板W並收納於收納部1，並且將收納部1載置於架。於緩衝單元BU內配置有交接機構11。
交接機構11係於投入部3及送出部7與架之間進行交接收納部1。又，交接機構11係於交接機構11與搬送機構CV之間僅進行基板W之交接。具體而言，交接機構11於交接機構11與搬送機構CV之間進行批量交接。搬送機構CV係針對於處理部SP1量進行批量之搬入及搬出。具體而言，搬送機構CV係針對於處理部SP1之槽TA之各者量進行批量之搬入及搬出。處理部SP1係對批量之各基板W進行處理。
具體而言，交接機構11係於交接機構11與搬送機構CV之第1搬送機構CTC之間進行批量之交接。第1搬送機構CTC係將自交接機構11所接收之批量的複數個基板W之姿勢從水平姿勢轉變為垂直姿勢之後，將批量交接至第2搬送機構WTR。又，第1搬送機構CTC係自第2搬送機構WTR進行接收處理完畢之批量之後，將批量複數個基板W之姿勢從垂直姿勢轉變為水平姿勢，並將批量交接至交接機構11。
第2搬送機構WTR能夠沿著基板處理裝置100之長度方向，自處理部SP1之乾燥處理部17移動至第3處理部21。因此，第2搬送機構WTR係針對於乾燥處理部17、第1處理部19、第2處理部20、及第3處理部21進行批量之搬入及搬出。
乾燥處理部17對批量進行乾燥處理。具體而言，乾燥處理部17之槽LPD1及槽LPD2之各者係收納批量並對批量的複數個基板W進行乾燥處理。第2搬送機構WTR係針對於槽LPD1及槽LPD2之各者，進行批量之搬入及搬出。
第1處理部19係相鄰地配置於乾燥處理部17。第1處理部19之槽ONB1係對批量的複數個基板W進行藉由藥液所進 行之前處理。所謂前處理，係指於蝕刻處理(具體而言為濕式蝕刻處理)前所進行之藉由藥液所進行之處理。於將自然氧化膜自基板W去除的情形下，藥液例如為稀氫氟酸(DHF，Diluted hydrofluoric acid)。再者，只要能夠對基板W進行前處理，則於前處理中所使用之藥液之種類並無特別限定。
或者，槽ONB1對批量的複數個基板W進行藉由沖洗液所進行之洗淨處理。沖洗液為洗淨液之一例。再者，於洗淨處理中，若將基板W浸漬於沖洗液，雖基板W隨時間經過而被洗淨，但當到達某個時間時洗淨效果成為飽和狀態。
沖洗液例如為純水(DIW，Deionzied Water)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10ppm~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。所謂純水，係指去離子水。再者，只要能夠對基板W進行冼浄處理，則於洗淨處理中所使用之沖洗液之種類並無特別限定。
或者，槽ONB1對批量的複數個基板W進行藉由蝕刻液所進行之蝕刻處理。即，槽ONB1係對批量的複數個基板W進行濕式蝕刻處理。再者，於蝕刻處理中，只要將基板W浸漬於蝕刻液，則經過之時間愈長，蝕刻量愈多，且蝕刻量不會成為飽和狀態。
蝕刻液例如為鹼性之蝕刻液或酸性之蝕刻液。鹼性之蝕刻液例如為包含有氫氧化四甲基銨(TMAH)的水溶液、包含有三-(2-羥乙基)甲基氫氧化銨(TMY)的水溶液、或氫氧化銨(胺水)。酸性之蝕刻液例如為磷酸或混合酸。再者，只要能夠對基板W進行蝕刻處理，則於蝕刻處理中所使用之蝕刻液之種類並無特別限定。
槽CHB1具有與槽ONB1相同之構成，且進行與槽ONB1相同之處理。
搬送機構CV之副搬送機構LF1係除於第1處理部19內進行批量之搬送外，亦於與第2搬送機構WTR之間進行批量之交接。又，副搬送機構LF1係將批量浸漬於槽ONB1或槽CHB1，或者將批量自槽ONB1或槽CHB1拉起。
第2處理部20係相鄰地配置於第1處理部19。第2處理部20之槽ONB2及槽CHB2之各者係具有與槽ONB1相同之構成，並進行與槽ONB1相同之處理。搬送機構CV之副搬送機構LF2係除於第2處理部20內進行批量之搬送外，亦於與第2搬送機構WTR之間進行批量之交接。又，副搬送機構LF2係將批量浸漬於槽ONB2或槽CHB2，或者將批量自槽ONB2或槽CHB2拉起。
第3處理部21係相鄰地配置於第2處理部20。第3處理部21之槽ONB3及槽CHB3之各者係具有與槽ONB1相同之構成，並進行與槽ONB1相同之處理。搬送機構CV之副搬送機構LF3係除於第3處理部21內進行批量之搬送外，亦於與第2搬送機構WTR之間進行批量之交接。又，副搬送機構LF3係將批量浸漬於槽ONB3或槽CHB3，或者將批量自槽ONB3或槽CHB3拉起。
以上，如參照圖1進行說明般，搬送機構CV能夠針對於處理部SP1之槽TA(槽LPD1、槽LPD2、槽ONB1~槽ONB3、及槽CHB1~槽CHB3)之各者進行批量之搬入及搬出。而且，複數個槽TA之各者能夠對批量進行處理。
於本說明書中，於前處理中所使用之「藥液」及於洗淨處理中所使用之「沖洗液」之各者係相當於「處理液」之一例。
其次，參照圖2，對槽ONB1進行說明。圖2係表示槽ONB1之示意性剖面圖。如圖2所示，槽ONB1包含有處理槽41、回收槽43、及複數個噴嘴45。副搬送機構LF1包含有複數個保持棒40。基板處理裝置100進而具備有藥液供給源23、閥24、沖洗液供給源25、閥26、蝕刻液供給源27、閥28、排液管29、配管31、及配管33。
處理槽41為能夠貯存藥液、沖洗液、或蝕刻液的容器。於不同之時段於處理槽41中貯存有藥液、沖洗液、或蝕刻液。處理槽41藉由將基板W浸漬於藥液中而對基板W進行前處理。於實施形態1中，用以進行前處理的藥液為DHF。處理槽41藉由將基板W浸漬於沖洗液中而對基板W進行洗淨處理。於實施形態1中，於洗淨處理中所使用的沖洗液為DIW。處理槽41藉由將基板W浸漬於蝕刻液中而對基板W進行蝕刻處理。於實施形態1中，於蝕刻處理中所使用的蝕刻液為包含有TMAH的水溶液。
處理槽41之上部形成開口。而且，能夠使藥液、沖洗液、或蝕刻液自開口溢出。於處理槽41之上端周邊部設置有回收槽43。而且，自處理槽41之開口所溢出的藥液、沖洗液、或蝕刻液係流入至回收槽43而被收納。回收槽43與排液管29係藉由配管33而連接。因此，流入至回收槽43的藥液、沖洗液、或蝕刻液係經由配管33朝向排液管29被排出。
複數個噴嘴45配置於處理槽41之內部。複數個噴嘴45連接於配管31。於配管31中介插有閥24、閥26、及閥28。
配管31係經由閥24而與藥液供給源23連接。因此，當打開閥24，關閉閥26及閥28時，藥液經由配管31自藥液供給 源23被供給至複數個噴嘴45。其結果為，複數個噴嘴45向處理槽41噴出藥液。
配管31係經由閥26而與沖洗液供給源25連接。因此，當打開閥26，關閉閥24及閥28時，沖洗液經由配管31自沖洗液供給源25被供給至複數個噴嘴45。其結果為，複數個噴嘴45向處理槽41噴出沖洗液。
配管31係經由閥28而與蝕刻液供給源27連接。因此，當打開閥28，關閉閥24及閥26時，蝕刻液經由配管31自蝕刻液供給源27被供給至複數個噴嘴45。其結果為，複數個噴嘴45向處理槽41噴出蝕刻液。
副搬送機構LF1之複數個保持棒40係以立起姿勢保持複數個基板W。而且，副搬送機構LF1係將以複數個保持棒40所被保持的複數個基板W在被浸漬於處理槽41內的位置與自處理槽41被拉起的位置之間移動。再者，副搬送機構LF2及副搬送機構LF3之構成係與副搬送機構LF1之構成相同。
其次，參照圖3，對槽LPD1進行說明。圖3係表示槽LPD1之示意性剖面圖。如圖3所示，於實施形態1中，槽LPD1係基於使用水溶性有機溶劑之蒸氣的減壓拉起式乾燥法，執行乾燥處理。
具體而言，槽LPD1包含有腔室71、處理槽73、回收槽75、升降機構77、複數個噴嘴81、及複數個氣體噴嘴83。升降機構77包含有複數個保持棒79。基板處理裝置100進而具備有氣體供給機構51、減壓部53、純水供給源55、閥57、配管59、排氣管線61、配管63、及排液管線65。
腔室71收納有處理槽73、回收槽75、升降機構77、複數個噴嘴81、及複數個氣體噴嘴83。腔室71包含有蓋71a。蓋71a被安裝於腔室71之上部之開口。蓋71a能夠進行開關。
處理槽73係能夠貯存純水(DIW)的容器。處理槽73係藉由將基板W浸漬於純水中而對基板W進行水洗。複數個噴嘴81配置於處理槽73之內部。複數個噴嘴81連接於配管63。於配管63中介插有閥57。配管63係經由閥57而與純水供給源55連接。因此，當打開閥57時，純水係經由配管63自純水供給源55被供給至複數個噴嘴81。其結果為，複數個噴嘴81向處理槽73噴出純水。再者，純水供給源55亦可為圖2所示之沖洗液供給源25。
於處理槽73之上端周邊部設置有回收槽75。於基板W之水洗中，自複數個噴嘴81向處理槽73持續供給純水，純水始終自處理槽73之上端部溢出。所溢出之純水係流入至回收槽75，自排液管線65向腔室71之外部排出。
升降機構77之複數個保持棒79係以立起姿勢保持複數個基板W。而且，升降機構77係將以複數個保持棒79所被保持的複數個基板W在被浸漬於處理槽73內的位置與自處理槽73被拉起的位置之間移動。
複數個氣體噴嘴83係配置於腔室71之內部，且配置於處理槽73之外部。具體而言，複數個氣體噴嘴83係配置於腔室71之內部，且配置於處理槽73之上方。複數個氣體噴嘴83連接於配管59。於配管59連接有氣體供給機構51。氣體供給機構51以惰性氣體作為載氣，向複數個氣體噴嘴83供給水溶性有機溶劑之蒸氣。其結果為，複數個氣體噴嘴83向腔室71之內部噴出有機溶 劑之蒸氣。於實施形態1中，水溶性有機溶劑之蒸氣為異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)之蒸氣。
減壓部53係經由排氣管線61而與腔室71連接。於關閉蓋71a從而將腔室71之內部設為密閉空間的狀態下，減壓部53係藉由排出腔室71內之氣體而使腔室71內減壓至未達大氣壓。減壓部53例如包含有排氣泵。
繼而參照圖3對槽LPD1之乾燥處理方法進行說明。乾燥處理方法包含有步驟1~步驟6。
步驟1：噴嘴81噴出純水，處理槽73貯存純水。
步驟2：升降機構77使基板W浸漬於被收納在處理槽73內的純水中，處理槽73對基板W進行水洗。
步驟3：氣體噴嘴83向腔室71內噴出有機溶劑之蒸氣，於腔室71內形成有機溶劑之蒸氣之環境氣體。
步驟4：升降機構77自處理槽73內之純水中拉起基板W(以圖3之二點鏈線所示的基板W)。因此，基板W被暴露於有機溶劑之蒸氣之環境氣體中。其結果為，有機溶劑之蒸氣凝結於基板W之表面，有機溶劑置換為附著於基板W之表面的水滴。
步驟5：快速排出處理槽73內之純水，並且氣體噴嘴83停止噴出有機溶劑之蒸氣。
步驟6：減壓部53係藉由自排氣管線61排出腔室71內之氣體而將腔室71內減壓至未達大氣壓。其結果為，凝結於基板W之表面的有機溶劑完全地蒸發，從而使基板W乾燥。
再者，槽LPD2之構成係與槽LPD1之構成相同。又，藉由槽LPD1及槽LPD2所進行之乾燥處理只要能夠使基板W乾 燥，則未必限定於減壓拉起式乾燥法，例如可對基板W吹送特定溫度之乾燥用熱風從而使基板W乾燥，亦可藉由加熱器使基板W之環境氣體升溫，藉此使基板W乾燥。
其次，對基板處理裝置100所處理之基板W之一例進行說明。圖4(a)係表示基板W之第1狀態之示意性剖面圖。第1狀態係表示於基板W形成有自然氧化膜93的狀態。圖4(b)係表示基板W之第2狀態之示意性剖面圖。第2狀態係表示自基板W去除藥液及沖洗液的狀態。圖4(c)係表示基板W之第3狀態之示意性剖面圖。第3狀態係表示藉由蝕刻液而基板W被蝕刻的狀態。
如圖4(a)所示，基板W具有矽基板90及圖案PT。圖案PT形成於矽基板90上。圖案PT包含有積層膜91及單個或複數個凹部92。積層膜91包含有複數個多晶矽膜P1~PN(N為2以上之整數)及複數個氧化矽膜O1~ON(N為2以上之整數)。複數個多晶矽膜P1~PN及複數個氧化矽膜O1~ON係以多晶矽膜與氧化矽膜相互交錯之方式，沿著基板W之厚度方向Dt積層。厚度方向Dt係表示大致正交於矽基板90之表面的方向。
凹部92係沿著基板W之厚度方向Dt自基板W之最表面Ws向矽基板90凹陷。凹部92於基板W之厚度方向Dt上貫通複數個多晶矽膜P1~PN及複數個氧化矽膜O1~ON。多晶矽膜P1~PN之側面及氧化矽膜O1~ON之側面係在凹部92之側面92s露出。凹部92係只要自基板W之最表面Ws凹陷，則並無特別限定，可為溝槽，亦可為孔。
以上，如參照圖4(a)進行說明般，藉由基板處理裝置100所進行之處理對象之基板W係具有包含單個或複數個凹部92 的圖案PT。具體而言，藉由基板處理裝置100所進行之處理對象之基板W係藉由乾式蝕刻處理而形成有包含凹部92的圖案PT的基板。
又，於藉由基板處理裝置100所進行之處理開始之前，於多晶矽膜P1~PN之表層及氧化矽膜O1~ON之表層形成有自然氧化膜93。二點鏈線表示自然氧化膜93之輪廓。
如圖4(a)所示，於實施形態1中，藉由將基板W浸漬於作為藥液的DHF，將自然氧化膜93自基板W去除。而且，藉由沖洗液將DHF自基板W去除，進而將沖洗液自基板W去除。
而且，如圖4(b)所示，於將藥液及沖洗液自基板W去除之後，藉由將基板W浸漬於作為蝕刻液的TMAH，如圖4(c)所示，選擇性地對多晶矽膜P1~PN進行蝕刻。其結果為，複數個凹槽R1形成於凹部92之側面92s。複數個凹槽R1之各者係沿著基板W之面方向Dp凹陷。面方向Dp係表示大致正交於基板W之厚度方向Dt的方向。
以上，如參照圖4(a)~圖4(c)進行說明般，根據實施形態1，於蝕刻處理之前將處理液(藥液及沖洗液)自基板W去除。即，於蝕刻處理之前將處理液自基板W之凹部92去除。因此，蝕刻液並非基於濃度梯度於處理液中擴散，而是直接進入至處理液所未進入的凹部92。其結果為，即便在未設定有確保藉由蝕刻液之濃度梯度所進行之擴散時間的製程之情形下，亦能夠抑制對於基板W的蝕刻效果之降低。即，能夠於目標時間內對基板W進行目標之蝕刻量的蝕刻。
尤其是，於相對於基板W之最表面Ws的凹部92之 深度較深之情形時，即，於圖案PT之縱橫比較高的情形時，蝕刻液亦快速地進入至凹部92內。其結果為，對於圖案PT之縱橫比為較高的基板W，亦能夠抑制蝕刻效果之降低。所謂圖案PT之縱橫比，係指凹部92之厚度方向Dt之深度相對於面方向Dp之寬度的比率。
此處，一般於處理液進入至圖案之凹部之情形時，藉由蝕刻液之流動，蝕刻液進入至凹部至凹部較淺的位置為止。而且，自較藉由流動所致之朝向凹部的進入之極限位置更深的位置，藉由基於濃度梯度於處理液中的擴散而使蝕刻液進入至凹部較深的位置。因此，本發明尤佳為應用於具有如下圖案PT的基板W之處理，該圖案PT係包含有較於處理液進入至凹部之狀態下的藉由流動所致之朝向凹部的進入之極限位置更深的凹部92。再者，如實施形態1般於即將進行蝕刻處理之前將處理液自凹部92去除之狀態下，藉由蝕刻液之流動而使蝕刻液進入至凹部92較深的位置為止。
又，根據實施形態1，因未要求設定確保有藉由蝕刻液之由濃度梯度所致之擴散時間的製程，故能夠提高基板W之處理之產能。所謂產能係指每單位時間之基板W之處理片數。
其次，參照圖1及圖5，對實施形態1之基板處理方法進行說明。圖5係表示基板處理方法之流程圖。如圖5所示，基板處理方法包含有步驟S1~步驟S5。基板處理方法係藉由基板處理裝置100而被執行，對複數個基板W進行處理。具體而言，處理部SP1執行步驟S1~步驟S5。
如圖1及圖5所示，於步驟S1中，處理部SP1利用 處理液對複數個基板W進行處理。於實施形態1中，搬送機構CV係將複數個基板W搬入至處理部SP1之槽ONB1。而且，槽ONB1係將複數個基板W浸漬於處理液，利用處理液對複數個基板W進行處理。步驟S1相當於「處理步驟」之一例。
於步驟S1之後，於步驟S2中處理部SP1係將進入至複數個基板W之凹部92的處理液自複數個基板W去除。於實施形態1中，搬送機構CV係將複數個基板W自槽ONB1搬出，將複數個基板W搬入至槽LPD1。而且，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而去除進入複數個基板W之凹部92的處理液。因此，根據本實施形態，能夠藉由乾燥容易地去除進入至凹部92的處理液。步驟S2相當於「去除步驟」之一例。「於步驟S1之後」相當於「於利用處理液對基板W進行處理之後」之一例。
尤其是於實施形態1中，於步驟S2中向複數個槽TA中收納有基板W之槽LPD1內供給水溶性有機溶劑(IPA)之蒸氣，藉由對槽LPD1內進行減壓而使基板W乾燥。因此，能夠更有效地對複數個基板W進行乾燥，並能夠於較短時間內去除進入複數個基板W之凹部92的處理液。
於步驟S2之後，於步驟S3中處理部SP1藉由蝕刻液(TMAH)對複數個基板W進行蝕刻。於實施形態1中，搬送機構CV係將複數個基板W自槽LPD1搬出，將複數個基板W搬入至槽CHB1。而且，槽CHB1係將複數個基板W浸漬於蝕刻液，而對複數個基板W進行蝕刻。步驟S3相當於「蝕刻步驟」之一例。「於步驟S2之後」相當於「於將處理液自基板W去除之後」之一例。
於步驟S3之後，於步驟S4中處理部SP1係藉由沖洗 液將蝕刻液自基板W沖走。於實施形態1中，搬送機構CV係將複數個基板W自槽CHB1搬出，將複數個基板W搬入至槽ONB1。而且，槽ONB1係將複數個基板W浸漬於沖洗液，而將蝕刻液自複數個基板W沖走。
於步驟S4之後，於步驟S5中處理部SP1係對基板W進行乾燥，而將沖洗液自基板W去除。於實施形態1中，搬送機構CV係將複數個基板W自槽ONB1搬出，將複數個基板W搬入至槽LPD1。而且，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而將沖洗液自複數個基板W去除。
以上，如參照圖1及圖5進行說明般，根據實施形態1，於步驟S3之蝕刻處理之前，於步驟S2中將處理液自複數個基板W去除。即，於蝕刻處理之前將處理液自基板W之凹部92去除。因此，蝕刻液直接進入至處理液所未進入的凹部92。其結果為，能夠抑制對於複數個基板W的蝕刻效果之降低。
尤其是於實施形態1中，步驟S1~步驟S5係於基板處理裝置100之內部所執行之一連串之步驟，送出部7無需於步驟S1~步驟S5之中途將處理中之基板W送出至基板處理裝置100之外部。即，步驟S1~步驟S5係藉由基板處理裝置100之內部之複數個槽TA所執行之一連串之步驟。因此，於在一台基板處理裝置100之內部所執行之一連串之步驟中，於蝕刻處理之前將處理液自凹部92去除，藉此抑制對於複數個基板W的蝕刻效果之降低。
再者，若將步驟S1~步驟S5設為一個批次之處理，則基板處理裝置100可同時地執行複數個批次處理。於此情形時，適宜地使用第1處理部19~第3處理部21與乾燥處理部17。
又，於實施形態1中，步驟S1包含有步驟S11及步驟S12。
於步驟S11中，處理部SP1對複數個基板W進行前處理。具體而言，處理部SP1利用藥液(DHF)對複數個基板W進行處理。步驟S11相當於「藥液步驟」之一例。於實施形態1中，槽ONB1係將複數個基板W浸漬於藥液，利用藥液對複數個基板W進行處理。
尤其是，於步驟S11中，槽ONB1係藉由藥液(DHF)去除形成於複數個基板W的自然氧化膜93。其結果為，能夠進而有效地執行在步驟S3中之對於複數個基板W的蝕刻處理。
於步驟S12中，處理部SP1係藉由沖洗液(DIW)自複數個基板W將藥液沖走。步驟S12相當於「沖洗步驟」之一例。「沖洗液」相當於「作為處理液的沖洗液」之一例。於實施形態1中，槽ONB1係將於步驟S11中所使用的藥液替換為沖洗液，並將複數個基板W浸漬於沖洗液，藉由沖洗液自複數個基板W將藥液沖走。
並且，於步驟S12之後的步驟S2中，處理部SP1係將進入至複數個基板W之凹部92的沖洗液自複數個基板W去除。
因此，根據實施形態1，於步驟S3之蝕刻處理之前，於步驟S2中自複數個基板W之凹部92將沖洗液去除。因此，蝕刻液直接進入至沖洗液所未進入的凹部92。其結果為，能夠抑制對於複數個基板W的蝕刻效果之降低。
再者，步驟S1可包含有步驟S11及步驟S12中之任一個步驟。例如，於步驟S1僅包含有步驟S11的情形下，於步驟 S2中，處理部SP1係將進入至複數個基板W之凹部92的藥液自複數個基板W去除。具體而言，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而去除進入至複數個基板W之凹部92的藥液。
又，本發明於步驟S3中所使用的蝕刻液為鹼性之蝕刻液的情形下尤為有效。有效之理由如下。
即，一般利用鹼性之蝕刻液無法去除自然氧化膜，因此被要求於蝕刻處理之前藉由藥液(DHF)去除自然氧化膜。因此，存在有於蝕刻處理之前藥液進入至凹部92，或者用以去除藥液的沖洗液進入至凹部92的可能性。因此，用於對蝕刻效果之降低進行抑制，於蝕刻處理之前將藥液及沖洗液自凹部92去除尤為有效。
又，本發明於步驟S3中所使用的蝕刻液為黏度較高之蝕刻液的情形下尤其為有效。有效之理由如下。
即，假如於沖洗液等之處理液進入至凹部92的狀態下供給蝕刻液，則關於蝕刻液藉由擴散而進入至凹部92之較深之位置為止的時間，黏度較高之蝕刻液較長於黏度較低之蝕刻液。因此，於使用黏度較高之蝕刻液而執行蝕刻處理的情形時，用於對蝕刻效果之降低進行抑制，需要於蝕刻處理之前去除沖洗液等之處理液。
尤其是於使用包含有TMAH的水溶液作為蝕刻液的情形下，本發明尤為有效。其原因在於，TMAH為鹼性，且黏度比較高。
此處，如圖5所示，只要於步驟3之蝕刻處理之前執行步驟2之去除處理，則步驟S1(步驟S11及步驟S12)~步驟S5能夠使用基板處理裝置100之複數個槽TA中的任意之槽TA而進 行執行。
例如，於步驟S11中，槽ONB1係利用藥液(DHF)對複數個基板W進行處理。於步驟S12中，槽ONB1係藉由沖洗液(DIW)自複數個基板W將藥液沖走。於步驟S2中，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而自基板W之凹部92將沖洗液去除。於步驟S3中，槽ONB1係利用蝕刻液(TMAH)對複數個基板W進行蝕刻。於步驟S4中，槽ONB1係藉由沖洗液自複數個基板W將蝕刻液沖走。於步驟S5中，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而自複數個基板W將沖洗液去除。於該例中，利用兩個槽TA(槽ONB1及槽LPD1)執行步驟S1~步驟S5。因此，與對步驟S1~步驟S5各者準備槽TA的情形相比，能夠降低基板處理裝置100之成本。又，能夠簡化藉由搬送機構CV所進行之基板W之搬入及搬出的控制。
例如，能夠將圖2所示之藥液供給源23及蝕刻液供給源27連接於圖3所示之槽LPD1。於此情形時，例如於步驟S11中，槽LPD1係利用藥液(DHF)對複數個基板W進行處理。於步驟S12中，槽LPD1係藉由沖洗液(DIW)自複數個基板W將藥液沖走。於步驟S2中，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而自基板W之凹部92將沖洗液去除。於步驟S3中，槽LPD1係利用蝕刻液(TMAH)對複數個基板W進行蝕刻。於步驟S4中，槽LPD1係藉由沖洗液自複數個基板W將蝕刻液沖走。於步驟S5中，槽LPD1係對複數個基板W進行乾燥，而自複數個基板W將沖洗液去除。於該例中，步驟S1~步驟S5在一個槽LPD1中被執行。因此，能夠進而降低基板處理裝置100之成本。又，進而能夠簡化藉由搬送 機構CV所進行之基板W之搬入及搬出的控制。
又，圖5所示之步驟S1、步驟S2及步驟S3中之至少兩個以上步驟可在同一槽TA內被執行。其原因在於，能夠抑制未被使用之槽TA的存在，從而提高基板W之處理之產能。步驟S1、步驟S2及步驟S3亦可皆在同一槽TA內被執行。其原因在於，能夠進而提高基板W之處理之產能。又，步驟S11與步驟S12可在同一槽TA內被執行，亦可在不同之槽TA內被執行。
再者，步驟S1~步驟S5中之至少兩個以上步驟可在同一槽TA內被執行。又，步驟S1~步驟S5亦可皆在同一槽TA內被執行。
又，於圖5所示之步驟S2中，亦能夠如下述般對複數個基板W進行乾燥，而代替在槽TA中使複數個基板W乾燥。
即，於搬送機構CV使複數個基板W自進行步驟S1之處理的槽TA(例如槽ONB1)向進行步驟S3之蝕刻處理的其他之槽TA(例如槽CHB1)移動時的路徑中，向複數個基板W吹送惰性氣體(例如氮氣)，對複數個基板W進行乾燥，而將處理液自凹部92去除。
(實施形態2)
參照圖6及圖7，對本發明之實施形態2之基板處理裝置100A及基板處理方法進行說明。實施形態2與實施形態1之不同點主要在於，實施形態2之基板處理裝置100A為單片式。所謂單片式係指每次對一片基板W進行處理之方式。以下，主要對實施形態2與實施形態1之不同點進行說明。
首先，參照圖6對實施形態2之基板處理裝置100A進行說明。圖6係表示基板處理裝置100A之示意性剖面圖。如圖6所示，基板處理裝置100A具備有處理部SP2。
處理部SP2係一面使基板W旋轉，一面向基板W噴出處理液，而對基板W進行處理。具體而言，處理部SP2包含有腔室105、旋轉夾頭107、旋轉馬達95、噴嘴111、噴嘴移動部113、噴嘴115、噴嘴117、噴嘴移動部119、流體供給單元121、及單元移動部126。
腔室105具有大致箱形狀。腔室105收納有基板W、旋轉夾頭107、旋轉馬達95、噴嘴111、噴嘴移動部113、噴嘴115、噴嘴117、噴嘴移動部119、流體供給單元121、及單元移動部126。
旋轉夾頭107係保持基板W並進行旋轉。具體而言，旋轉夾頭107係一面將基板W水平地保持在腔室105內，一面使基板W圍繞旋轉軸線AX1旋轉。
旋轉夾頭107包含有複數個夾頭構件170及旋轉台171。複數個夾頭構件170被設置於旋轉台171。複數個夾頭構件170以水平之姿勢保持基板W。旋轉台171為大致圓板狀，以水平之姿勢支撐複數個夾頭構件170。旋轉馬達95係使旋轉台171圍繞旋轉軸線AX1旋轉。因此，旋轉台171圍繞旋轉軸線AX1旋轉。其結果為，以被設置於旋轉台171的複數個夾頭構件170所保持的基板W係圍繞旋轉軸線AX1旋轉。
噴嘴111係於基板W旋轉時向基板W噴出藥液。藥液係與參照圖2所說明之實施形態1的藥液相同。於實施形態2中，藥液為DHF。噴嘴移動部113係圍繞旋動軸線AX2旋動，使噴嘴 111水平地於噴嘴111之處理位置與待機位置之間移動。
噴嘴115係於基板W旋轉時向基板W噴出沖洗液。沖洗液係與參照圖2所說明之實施形態1的沖洗液相同。於實施形態2中，沖洗液為純水(DIW)。
噴嘴117向基板W噴出蝕刻液。蝕刻液係與參照圖2所說明之實施形態1的蝕刻液相同。於實施形態2中，蝕刻液為包含TMAH之水溶液。噴嘴移動部119係圍繞旋動軸線AX3旋動，使噴嘴117水平地於噴嘴117之處理位置與待機位置之間移動。
流體供給單元121位於旋轉夾頭107之上方。流體供給單元121係自噴出口122a向基板W噴出氮氣(N2)。流體供給單元121係自噴出口123a向基板W噴出沖洗液。沖洗液係與參照圖2說明之實施形態1的沖洗液相同。於實施形態2中，沖洗液為純水(DIW)。流體供給單元121係自噴出口124a向基板W噴出水溶性有機溶劑之蒸氣。於實施形態2中，與參照圖3所說明之實施形態1相同，水溶性有機溶劑之蒸氣為IPA之蒸氣。
單元移動部126係使流體供給單元121沿著鉛直方向上升或下降。在流體供給單元121向基板W噴出氮氣、沖洗液、及IPA之時，單元移動部126使流體供給單元121下降。
其次，參照圖4(a)、圖6、及圖7，對實施形態2之基板處理方法進行說明。圖7係表示基板處理方法之流程圖。如圖7所示，基板處理方法包含有步驟S21~步驟S29。基板處理方法係藉由基板處理裝置100A被執行，對基板W進行處理。具體而言，處理部SP2執行步驟S21~步驟S29。
如圖6及圖7所示，於步驟S21中，搬送機構(未圖 示)將一片基板W搬入至處理部SP2。
於步驟S22中，處理部SP2開始基板W之旋轉。於實施形態2中，旋轉夾頭107開始基板W之旋轉。
於步驟S23中，處理部SP2係一面使基板W在腔室105內旋轉，一面向基板W供給處理液，而利用處理液對基板W進行處理。步驟S23相當於「處理步驟」之一例。
於步驟S23之後，於步驟S24中，處理部SP2係一面使基板W在腔室105內旋轉，一面將進入至基板W之凹部92的處理液自基板W去除。於實施形態2中，處理部SP2係一面使基板W在腔室105內旋轉，一面對基板W進行乾燥，而去除進入至基板W之凹部92的處理液。步驟S24相當於「去除步驟」之一例。
於步驟S24之後，於步驟S25中，處理部SP2係一面使基板在於腔室105內旋轉，一面向基板W供給蝕刻液(TMAH)，利用蝕刻液對基板W進行蝕刻。於實施形態2中，噴嘴117係向基板W噴出蝕刻液，而對基板W進行蝕刻。步驟S25相當於「蝕刻步驟」之一例。
於步驟S25之後，於步驟S26中，處理部SP2係一面使基板W在腔室105內旋轉，一面向基板W供給沖洗液(DIW)，藉由沖洗液將蝕刻液自基板W沖走。於實施形態2中，噴嘴115係向基板W噴出沖洗液，從而將蝕刻液自基板W沖走。
於步驟S26之後，於步驟S27中，處理部SP2係一面使基板W在腔室105內旋轉，一面對基板W進行乾燥。
於步驟S27之後，於步驟S28中，處理部SP2停止基板W之旋轉。
於步驟S28之後，於步驟S29中，搬送機構(未圖示)將一片基板W自處理部SP2搬出。
以上，如參照圖6及圖7進行說明般，根據實施形態2，於步驟S25之蝕刻處理之前，於步驟S24中將處理液自基板W去除。即，於蝕刻處理之前將處理液自凹部92去除。因此，蝕刻液直接進入至處理液未進入的凹部92。其結果為，能夠抑制對於基板W的蝕刻效果之降低。
又，於實施形態2中，步驟S23包含有步驟S231及步驟S232。
於步驟S231中，處理部SP2係一面使基板W旋轉，一面對基板W進行前處理。具體而言，處理部SP2係一面使基板W旋轉，一面向基板W供給藥液(DHF)，利用藥液對基板W進行處理。步驟S231相當於「藥液步驟」之一例。於實施形態2中，噴嘴111係向基板W噴出藥液，利用藥液對基板W進行處理。
尤其是，於步驟S231中，噴嘴111係藉由藥液(DHF)去除被形成於基板W的自然氧化膜93。
於步驟S232中，處理部SP2係一面使基板W旋轉，一面向基板W供給沖洗液(DIW)，藉由沖洗液將藥液自基板W沖走。步驟S232相當於「沖洗步驟」之一例。於實施形態2中，流體供給單元121係自噴出口123a向基板W噴出沖洗液，藉由沖洗液將藥液自基板W沖走。
並且，於步驟S232之後之步驟S24中，處理部SP2係一面使基板W旋轉一面對基板W進行乾燥，將進入至基板W之凹部92的沖洗液自基板W去除。於實施形態2中，於步驟S24中， 流體供給單元121係自噴出口122a向基板W噴出作為載氣的氮氣。進而，流體供給單元121係自噴出口124a向基板W噴出水溶性有機溶劑(IPA)之蒸氣，一面對基板W進行旋轉，一面對基板W進行乾燥。
因此，根據實施形態2，於步驟S25之蝕刻處理之前，於步驟S24中自基板W之凹部92將沖洗液去除。因此，蝕刻液直接進入至沖洗液未進入的凹部92。其結果為，能夠抑制對於基板W的蝕刻效果之降低。
再者，步驟S23可包含有步驟S231及步驟S232中之任一個步驟。例如，於步驟S23僅包含有步驟S231的情形下，於步驟S24中，處理部SP2係將進入至基板W之凹部92的藥液自基板W去除。具體而言，處理部SP2係對基板W進行乾燥，而去除進入至基板W之凹部92的藥液。
以上，參照圖式對本發明之實施形態進行了說明。但，本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內於各種樣態中進行實施。又，上述實施形態所揭示之複數個構成要素可進行適當改變。例如，可向其他實施形態之構成要素追加某實施形態所示之所有構成要素中之某構成要素，或可將某實施形態所示之所有構成要素中之幾個構成要素自實施形態刪除。
又，為了容易地理解發明，圖式係示意性地將各構成要素作為主體而進行表示，亦存在有圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等因在製作圖式之關係上而與實際不同的情形。又，在上述實施形態所示之各構成要素之構成為一例，並無特別限定，可於實質上不脫離本發明之效果之範圍內進行各種變更。
(產業上之可利用性)
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置，具有產業上之可利用性。

Claims (19)

  1. 一種基板處理方法，係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其包含有：處理步驟，其利用處理液對上述基板進行處理；蝕刻步驟，其利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；及去除步驟，其於上述處理步驟之後且於上述蝕刻步驟之前，對上述基板進行乾燥，並將進入上述凹部的上述處理液自上述基板去除；於上述蝕刻步驟中，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至上述凹部之內部，藉此蝕刻上述凹部之側面，於上述基板之面方向形成複數個凹槽。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，上述圖案更進一步包含有積層膜，上述積層膜係相互地積層有第一膜及與上述第一膜不同的第二膜，在上述蝕刻步驟中，藉由對上述第一膜及上述第二膜之一者進行蝕刻，於上述基板之面方向形成上述複數個凹槽。
  3. 一種基板處理方法，係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其包含有：處理步驟，其利用處理液對上述基板進行處理；蝕刻步驟，其利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；及去除步驟，其於上述處理步驟之後且於上述蝕刻步驟之前，對上述基板進行乾燥，並將進入上述凹部的上述處理液自上述基板去除； 於上述蝕刻步驟中，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至較上述凹部之一半更深的位置為止，藉此進行蝕刻。
  4. 一種基板處理方法，係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其包含有：處理步驟，其利用處理液對上述基板進行處理；蝕刻步驟，其利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；及去除步驟，其於上述處理步驟之後且於上述蝕刻步驟之前，對上述基板進行乾燥，並將進入上述凹部的上述處理液自上述基板去除；於上述蝕刻步驟中，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至上述凹部之內部，藉此進行蝕刻，在執行上述處理步驟之前，上述凹部之深度相對於寬度的比率即上述圖案之縱橫比為2以上。
  5. 一種基板處理方法，係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其包含有：處理步驟，其利用處理液對上述基板進行處理；蝕刻步驟，其利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；及去除步驟，其於上述處理步驟之後且於上述蝕刻步驟之前，對上述基板進行乾燥，並將進入上述凹部的上述處理液自上述基板去除；於上述蝕刻步驟中，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至上述凹部之內部，藉 此進行蝕刻，上述圖案包含有較在進入有上述處理液的狀態下上述蝕刻液藉由流動所到達的位置更深的上述凹部。
  6. 如請求項3至5中任一項之基板處理方法，其中，上述圖案更進一步包含有積層膜，上述積層膜係相互地積層有第一膜及與上述第一膜不同的第二膜，在上述蝕刻步驟中，對上述第一膜及上述第二膜之一者進行蝕刻。
  7. 如請求項1至5中任一項之基板處理方法，其中，上述處理步驟包含有：藥液步驟，其利用藥液對上述基板進行處理；及沖洗步驟，其藉由作為上述處理液的沖洗液將上述藥液自上述基板沖走。
  8. 如請求項7之基板處理方法，其中，於上述藥液步驟中，藉由上述藥液去除被形成於上述基板的自然氧化膜。
  9. 如請求項1至5中任一項之基板處理方法，其中，上述處理步驟、上述去除步驟及上述蝕刻步驟係在上述基板處理裝置之內部所執行的一連串之步驟，而無需將上述基板取出至具備有複數個槽的基板處理裝置之外部。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中，於上述去除步驟中，向上述複數個槽中之收納有上述基板的槽內供給水溶性有機溶劑之蒸氣，且對上述槽內進行減壓，藉此對上述基板進行乾燥。
  11. 如請求項9之基板處理方法，其中，上述處理步驟、上述去 除步驟及上述蝕刻步驟中之至少兩個以上步驟在同一槽內被執行。
  12. 如請求項1至5中任一項之基板處理方法，其中，於上述處理步驟中，一面使上述基板在腔室內旋轉，一面向上述基板供給上述處理液，而對上述基板進行處理；於上述去除步驟中，一面使上述基板在上述腔室內旋轉，一面去除進入至上述凹部的上述處理液；於上述蝕刻步驟中，一面使上述基板在上述腔室內旋轉，一面向上述基板供給上述蝕刻液，而對上述基板進行蝕刻。
  13. 如請求項1至5中任一項之基板處理方法，上述蝕刻液包含有氫氧化四甲基銨。
  14. 一種基板處理裝置，其係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其具備有：處理部，其對上述基板進行處理，上述處理部係進行以下：利用處理液對上述基板進行處理；利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；於利用上述處理液對上述基板進行處理之後且於利用上述蝕刻液對上述基板進行蝕刻之前，對上述基板進行乾燥，並將進入至上述凹部的上述處理液自上述基板去除；及在利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻之時，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至上述凹部之內部，藉此蝕刻上述凹部之側面，於上述基板之面方向形成複數個凹槽。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中， 上述圖案更進一步包含有積層膜，上述積層膜係相互地積層有第一膜及與上述第一膜不同的第二膜，在上述蝕刻中，藉由對上述第一膜及上述第二膜之一者進行蝕刻，於上述基板之面方向形成上述複數個凹槽。
  16. 一種基板處理裝置，其係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其具備有：處理部，其對上述基板進行處理，上述處理部係進行以下：利用處理液對上述基板進行處理；利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；於利用上述處理液對上述基板進行處理之後且於利用上述蝕刻液對上述基板進行蝕刻之前，對上述基板進行乾燥，並將進入至上述凹部的上述處理液自上述基板去除；及在利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻之時，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至較上述凹部之一半更深的位置為止，藉此對上述基板進行蝕刻。
  17. 一種基板處理裝置，其係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其具備有：處理部，其對上述基板進行處理，上述處理部係進行以下：利用處理液對上述基板進行處理；利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；於利用上述處理液對上述基板進行處理之後且於利用上述蝕刻 液對上述基板進行蝕刻之前，對上述基板進行乾燥，並將進入至上述凹部的上述處理液自上述基板去除；及在利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻之時，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至上述凹部之內部，藉此對上述基板進行蝕刻；在利用上述處理液處理上述基板之前，上述凹部之深度相對於寬度的比率即上述圖案之縱橫比為2以上。
  18. 一種基板處理裝置，其係對具有包含凹部之圖案的基板進行處理者，其具備有：處理部，其對上述基板進行處理，上述處理部係進行以下：利用處理液對上述基板進行處理；利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻；於利用上述處理液對上述基板進行處理之後且於利用上述蝕刻液對上述基板進行蝕刻之前，對上述基板進行乾燥，並將進入至上述凹部的上述處理液自上述基板去除；及在利用蝕刻液對上述基板進行蝕刻之時，在上述處理液自上述凹部被去除的狀態下，藉由上述蝕刻液之流動而使上述蝕刻液進入至上述凹部之內部，藉此對上述基板進行蝕刻；上述圖案包含有較在進入有上述處理液的狀態下上述蝕刻液藉由流動所到達的位置更深的上述凹部。
  19. 如請求項16至18中任一項之基板處理裝置，其中，上述圖案更進一步包含有積層膜，上述積層膜係相互地積層有第一膜及與上述第一膜不同的第二 膜，在上述蝕刻中，對上述第一膜及上述第二膜之一者進行蝕刻。
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