JP5037241B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Description
本発明は半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関し、半導体ウエハの表面及び裏面に形成した絶縁膜を除去する工程を含む半導体装置の製造方法及びそれに用いる半導体装置の製造装置に関する。
半導体装置の製造方法においては、半導体ウエハの表面（半導体素子を形成すべき面）に絶縁膜を形成する。しかしながら、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や熱酸化法等により半導体ウエハに絶縁膜を形成すると、半導体ウエハの表面及び裏面（表面の反対の面）の両面に絶縁膜が形成される。このようにして半導体ウエハの表面に形成された絶縁膜を除去する場合、一括処理（バッチ処理）のウェットエッチングにより半導体ウエハの表面及び裏面の絶縁膜を同時に除去する。
特許文献１には、半導体ウエハの裏面に付着したダストや異物を除去するため、半導体ウエハの裏面に純水を噴射により選択処理し、その後半導体ウエハを一括薬液処理する技術が開示されている。特許文献２には、裏面に薄膜が形成された半導体ウエハの裏面の薄膜上に付着したパーティクルを除去するため、裏面の薄膜を一部エッチングする技術が開示されている。
特開２００３−５９９３１号公報
特開２００４−３５６５９３号公報
一括処理（バッチ処理）のウェットエッチングにより半導体ウエハの表面及び裏面の絶縁膜を同時に除去する場合、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着してしまう。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、半導体ウエハの両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制することを目的とする。
本発明は、半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面及び該表面の反対の面である裏面に絶縁膜を形成する工程と、前記半導体ウエハの前記裏面に選択的に第１薬液を供給することにより、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、第２薬液に複数の前記半導体ウエハを同時に浸漬させることにより、前記表面に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、半導体ウエハの表面及び裏面両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制することができる。
上記構成において、前記絶縁膜は、酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも一方を含む構成とすることができる。この構成によれば、絶縁膜の除去において発生するコロイダルシリカが半導体ウエハの表面に付着することを抑制することができる。
上記構成において、前記絶縁膜は酸化シリコン膜である構成とすることができる。
上記構成において、前記第１薬液及び前記第２薬液は、酸である構成とすることができる。この構成によれば、半導体ウエハの表面へのパーティクルの転写が生じ易い酸を用いて絶縁膜を除去する場合もパーティクル転写を抑制することができる。
上記構成において、前記第１薬液及び前記第２薬液は弗酸を含む構成とすることができる。
上記構成において、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程の前に、前記半導体ウエハの前記表面にイオン注入する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、半導体ウエハの裏面にパーティクルが付着し易いイオン注入する工程を行った場合も、半導体ウエハの表面へのパーティクルの付着を抑制することができる。
上記構成において、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程の前に、前記裏面が半導体製造装置のチャックに接触する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、半導体ウエハの裏面にパーティクルが付着し易い半導体ウエハの裏面が半導体製造装置のチャックに接触する工程を行った場合も、半導体ウエハの表面へのパーティクルの付着を抑制することができる。
上記構成において、前記絶縁膜を形成する工程は、トンネル酸化膜を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、トンネル酸化膜として半導体ウエハの両面に絶縁膜を形成した場合に、半導体ウエハの表面へのパーティクルの付着を抑制することができる。
本発明は、半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面の反対の面である裏面に選択的に第１薬液を供給することにより、前記裏面に形成された第１絶縁膜を除去する第１処理部と、第２薬液に複数の前記半導体ウエハを浸漬させることにより、前記表面に形成された前記第２絶縁膜を除去する第２処理部と、複数の前記半導体ウエハを１枚ずつ前記第１処理部で処理させ、その後前記複数の半導体ウエハを同時に前記第２処理部で処理させる制御部と、を具備する半導体装置の製造装置である。本発明によれば、半導体ウエハの表面へのパーティクルの付着を抑制することが可能な半導体装置の製造装置を提供することができる。
上記構成において、前記第１薬液及び前記第２薬液は、酸である構成とするこことができる。また、前記第１薬液及び前記第２薬液は弗酸を含む構成とすることができる。
本発明によれば、半導体ウエハの表面及び裏面両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制することができる。
まず、一括処理方式の薬液処理装置について説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）は一括処理方式の薬液処理装置の模式図である。薬液槽５２内は薬液６２が満たされており、薬液６２内に半導体ウエハ５０が浸漬される。図１（ｂ）は薬液槽５２を側面から見た図である。薬液槽５２には複数の半導体ウエハ５０が浸漬されている。前の半導体ウエハ５０ｂの裏面４２が後ろの半導体ウエハ５０ａの表面４０に対向している。図１（ａ）を参照に、薬液槽５２から溢れた薬液６２は回収槽５４からポンプ５６、温度調整部５８及びフィルタ６０を循環している。この循環の際、フィルタ６０により薬液６２中のパーティクルが除去される。図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した薬液処理装置は、複数の半導体ウエハ５０を一括して薬液処理できるため、スループットが大きく、経済性に優れている。
しかしながら、半導体ウエハ５０の裏面４２に形成された絶縁膜を一括処理方式で除去すると、後ろの半導体ウエハ５０の表面４０にパーティクルが付着してしまう。以下に、絶縁膜として酸化シリコン膜、薬液として弗酸水溶液を用いた実験について説明する。
図２（ａ）を参照に、処理１として、絶縁膜等の形成されていない８インチのシリコン半導体ウエハ５０を薬液槽５２内の薬液に１０分間浸漬する。薬液６２はＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：５０の弗酸水溶液である。図２（ｂ）を参照に、処理２として、熱酸化法を用い膜厚が１００ｎｍの酸化シリコン膜５１を半導体ウエハ５０ｂの両面に形成する。半導体ウエハ５０ｂの裏面４２に半導体ウエハ５０ａの表面４０が対向するようにし、処理１と同様に薬液槽５２内の薬液に１０分間浸漬する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、それぞれ、処理１前及び処理１後の半導体ウエハ５０ａの表面４０を塵検査装置で検査した結果を示す図である。また、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、それぞれ、処理２前及び処理２後の半導体ウエハ５０ａの表面４０を塵検査装置で検査した結果を示す図である。図３（ａ）から図４（ｂ）には直径が０．０７μｍ以上のパーティクルの個数を示している。処理１では、薬液処理前のパーティクル個数は１４２個、薬液処理後は２５１個であり、薬液処理前後で半導体ウエハ５０ａの表面４０のパーティクルの数はほとんど増加していない。一方、処理２では、薬液処理前のパーティクル個数は４８個、薬液処理後は３４８８２個であり、薬液処理前後でパーティクルの数が激増している。
これは、処理２では、酸化シリコン膜５１をエッチングする際にコロイダルシリカが発生し、半導体ウエハ５０ａの表面４０に付着したものである。一括処理方式の場合、図１（ａ）のように薬液６２を循環し薬液６２中のパーティクルを除去しても、図１（ｂ）のように、半導体ウエハ５０同士が近接して配置されているため、半導体ウエハ５０ａの裏面４２で発生したパーティクルが半導体ウエハ５０ｂの表面４０に付着してしまう。以下、半導体ウエハの両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制する実施例について説明する。
図５は比較例１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。半導体ウエハ５０の表面４０にイオン注入を行う（ステップＳ２０）。半導体ウエハ５０の両面に膜厚が１７ｎｍから１８ｎｍ程度の酸化シリコン膜を熱酸化法を用い形成する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２は、イオン注入されたドーパントの活性化熱処理とイオン注入された半導体ウエハ５０の表面の清浄化のために行われる工程である。一括処理方式によりＨＦ処理（ＨＦ：Ｈ２Ｏが１：５０混合液による処理）を行う（ステップＳ３０）。一括処理方式によりＡＰＭ処理（ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＨ２Ｏ混合液による処理）を行う（ステップＳ３２）。一括処理方式によりＨＰＭ処理（ＨＦ、Ｈ２Ｏ２、及びＨ２Ｏ混合液による処理）を行う（ステップＳ３４）。これにより、半導体ウエハ５０の表面及び裏面の酸化シリコン膜が除去される。
図６は実施例１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。比較例１に対し、ステップＳ２６において、枚葉処理方式の薬液処理装置により、半導体ウエハ５０の裏面４２に弗酸水溶液（ＨＦ：Ｈ２Ｏが１：５０の混合液）を噴出し、酸化シリコン膜を選択的に除去する。その後、ステップＳ３０からＳ３６において、半導体ウエハ５０の表面４０の酸化シリコン膜を除去する。
図７は、半導体ウエハ５０の裏面４２を選択的に薬液処理する枚葉処理方式の薬液処理装置の模式図である。半導体ウエハ５０が表面４０を下にしステージ７０上に配置される。ステージ７０の表面の周辺部からは窒素ガス７６が噴出しており、半導体ウエハ５０の表面４０がステージ７０に接触することを抑制している。ステージ７０を矢印７９のように回転させる。薬液タンク７４から供給された薬液７８をノズル７２から半導体ウエハ５０の裏面４２に噴出し供給する。裏面４２の薬液７８は遠心力により半導体ウエハ５０の周辺に飛散する。このとき、ステージ７０の表面から噴出した窒素ガス７６はステージ７０と半導体ウエハ５０の表面４０との間を周辺に向かって流れる。これにより、薬液が半導体ウエハ５０の表面４０に回りこむことを抑制できる。
比較例１及び実施例１において、検査１から検査３を行った。検査１から検査３は半導体ウエハ５０の裏面４２の０．７μｍ以上のパーティクルをカウントしたものである。図５を参照に、比較例１においては、ステップＳ２２とＳ３０との間に検査１（ステップＳ２４）を、ステップＳ３４の後に検査３（ステップＳ３６）を行った。図６を参照に、実施例１においては、ステップＳ２２とＳ２６の間に検査１（ステップＳ２４）を、ステップＳ２６とＳ３０との間に検査２（ステップＳ２８）を、ステップＳ３４の後に検査３（ステップＳ３６）を行った。
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、それぞれ比較例１における検査１及び検査２の結果を示す図である。図９（ａ）から図９（ｃ）は、それぞれ実施例１における検査１から検査３の結果を示す図である。図８（ａ）から図９（ｃ）にそれぞれのパーティクルの個数を示した。図８（ａ）を参照に、比較例１の検査１では１０９８６個のパーティクルが測定されている。これは、ステップＳ２０のイオン注入時等の半導体ウエハ５０を半導体製造装置のステージ上に配置した際に、半導体ウエハ５０の裏面４２にパーティクルが付着することに起因する。図８（ｂ）を参照に、比較例１の検査３ではパーティクル数は７２０６個に減少している。検査１から検査３の間に減少したパーティクルは、一括処理方式の薬液処理装置の薬液槽５２内に放出されたと考えられる。これにより、図１（ｂ）を参照に、放出されたパーティクルは、薬液槽５２内で半導体ウエハ５０ｂの裏面４２に対向する半導体ウエハ５０ａの表面４０に付着する可能性がある。
図９（ａ）を参照に、実施例１の検査１では１２２２８個のパーティクルが測定されている。図９（ｂ）を参照に、実施例１の検査２ではパーティクル数は３１７６個に減少している。これは、枚葉処理式の薬液処理装置を用い、半導体ウエハ５０の裏面４２に弗酸水溶液の酸化シリコン膜を除去することにより、半導体ウエハ５０の裏面４２に付着していたパーティクルが除去されたものである。図９（ｃ）を参照に、実施例１の検査３ではパーティクル数は３６４２個であり、検査２からほとんど変化していない。これにより、一括処理方式の薬液処理装置の薬液槽５２内に放出されるパーティクルはほとんどないものと考えられる。
実施例１によれば、図６のステップＳ２２のように、半導体ウエハ５０表面４０及び裏面４２に酸化シリコン膜（絶縁膜）を形成する。ステップＳ２６のように、半導体ウエハ５０の裏面４２に選択的に弗酸水溶液（第１薬液）を供給することにより、裏面４２に形成された酸化シリコン膜を除去する。ステップＳ３０のように、弗酸水溶液（第２薬液）に複数の半導体ウエハ５０を同時に浸漬させることにより、表面４０に形成された酸化シリコン膜を除去する。
このような工程により、まず、ステップＳ３０の一括処理方式において、半導体ウエハ５０の表面４０の酸化シリコン膜を除去する際は、半導体ウエハ５０の裏面４２には酸化シリコン膜が設けられていない。よって、図２（ａ）から図４（ｂ）を用い説明したように、半導体ウエハ５０ａの表面４０にコロイダルシリカからなるパーティクルが付着することを抑制することができる。また、図６から図９（ｃ）を用い説明したように、半導体ウエハ５０ｂの裏面４２に付着しているパーティクルが一括処理方式において、半導体ウエハ５０ａの表面４０に付着することを抑制することができる。さらに、図８（ｂ）と図９（ｃ）の比較から、半導体ウエハ５０の裏面４２に付着しているパーティクルを削減することができる。
さらに、半導体ウエハ５０の裏面４２の絶縁膜を除去する際はステップＳ２６のように枚葉処理方式を用いることにより、半導体ウエハ５０の表面４０のパーティクルの増加を抑制し、かつ、半導体ウエハ５０の表面４２の絶縁膜を除去する際はステップＳ３０のように一括処理方式を用いることにより、製造コストを削減することができる。
実施例１においては、半導体ウエハ５０の両面に形成する絶縁膜として熱酸化シリコン膜を例に説明したが、例えば熱ＣＶＤを用い形成した酸化シリコン膜でもよい。さらに、酸化シリコン膜以外の膜でもよい。絶縁膜が酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも一方を含む場合、絶縁膜の除去においてコロイダルシリカが発生しやすい。よって、この場合、本発明を用いることが有効である。
さらに、実施例１のように、絶縁膜が酸化シリコン膜の場合、コロイダルシリカがより発生しやすい。よって、この場合、本発明を用いることが特に有効である。
実施例１においては、ステップＳ２６において用いる薬液（第１薬液）及びステップＳ３０において用いる薬液（第２薬液）としてＨＦ：Ｈ２Ｏが１：５０の弗酸水溶液を例に説明した。第１薬液及び第２薬液は、ステップＳ２２において、半導体ウエハ５０の表面及び裏面に形成される絶縁膜を除去することが可能な薬液であればよい。例えば、ＨＦ：Ｈ２Ｏが１：２００の弗酸水溶液を用いることができる。このように、ＨＦとＨ２Ｏの比が異なる弗酸水溶液を用いることができる。また、第２薬液が酸の場合、半導体ウエハ５０ｂの裏面４２から半導体ウエハ５０ａの表面４０へのパーティクルの転写が生じ易い。よって、本発明を用いることが有効である。
さらに、実施例１のように、第２薬液が弗酸を含む薬液の場合、パーティクルの転写がより生じ易い。よって、本発明を用いることがより有効である。
実施例２は絶縁膜がイオン注入のスルー膜の例である。図１０（ａ）を参照に、半導体ウエハであるシリコン半導体基板１０の表面４０にＳＴＩ（Ｓｈａｒｒｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）酸化層１４を形成する。半導体基板１０の表面４０及び裏面４２にＣＶＤ法を用い酸化シリコン膜１２ａ及び１２ｂを形成する。図１０（ｂ）を参照に、酸化シリコン膜１２ａをスルー膜として、半導体基板１０にイオン注入を行う。これにより、半導体基板１０内に拡散層１６が形成される。図１０（ｃ）を参照に、実施例１の図６のステップＳ２６と同様に、図７の枚葉処理方式の薬液処理装置を用い、半導体基板１０の裏面４２の酸化シリコン膜１２ｂを除去する。図１０（ｄ）を参照に、実施例１の図６のステップＳ３０と同様に、図１（ａ）及び図１（ｂ）の一括処理方式の薬液処理装置を用い、半導体基板１０の表面４０の酸化シリコン膜１２ａを除去する。その後の半導体装置の製造工程を行うことにより、半導体装置が完成する。
イオン注入装置のステージの表面にはフォトレジスト等のパーティクルが付着し易いため、イオン注入工程後、半導体ウエハ５０の裏面４２にはパーティクルが付着しやすい。よって、実施例１のように、イオン注入工程（図６のステップＳ２０）後に半導体ウエハ５０の両面に絶縁膜を形成（図６のステップＳ２２）した場合、または、実施例２のように、イオン注入工程（図１０（ｂ））の前に半導体ウエハ５０の両面に絶縁膜を形成（図１０（ａ））した場合、その後、半導体ウエハ５０表面４０の絶縁膜を除去する際に一括処理方式の薬液処理装置を用いると、半導体ウエハ５０の表面４０にパーティクルが付着し易い。よって、裏面４２に形成された絶縁膜を除去する工程（図６のステップ２６、図１０（ｃ））の前に、半導体ウエハ５０の表面４０にイオン注入する工程（図６のステップＳ２０、図１０（ｂ））を有する場合、本発明を用いることが有効である。
半導体ウエハ５０の裏面４２にパーティクルが付着する例としてイオン注入工程の実施例を説明したが、半導体ウエハ５０の裏面４２が半導体製造装置のチャックに接触する工程は、半導体ウエハ５０の裏面にパーティクルが付着しやすい。よって、裏面４２に形成された絶縁膜を除去する工程の前に、半導体ウエハ５０の裏面４２が半導体製造装置のチャックに接触する工程を有する場合にも、本発明を用いることができる。なお、チャックとは、機械的または電気的な手段により半導体ウエハを固定するステージである。
実施例３は絶縁膜がトンネル酸化膜の例である。図１１（ａ）を参照に、シリコン半導体基板１０の表面４０及び裏面４２に酸化シリコン膜からなるトンネル酸化膜２０ａ及び酸化膜２０ｂを例えば熱酸化法を用い形成する。図１１（ｂ）を参照に、半導体基板１０の表面４０側のトンネル酸化膜２０ａ上にトラップ層２２を形成する。トラップ層２２上に酸化シリコン膜からなる犠牲層２４を形成し、犠牲層２４に開口部２８を形成する。開口部２８の側面にポリシリコンからなる側壁層２６を形成する。犠牲層２４及び側壁層２６をマスクにトラップ層２２をエッチングする。図１１（ｃ）を参照に、実施例１の図６のステップＳ２６と同様に、図７の枚葉処理方式の薬液処理装置を用い、半導体基板１０の裏面４２の酸化膜２０ｂを除去する。
図１２（ａ）を参照に、実施例１の図６のステップＳ３０と同様に、図１（ａ）及び図１（ｂ）の一括処理方式の薬液処理装置を用い、半導体基板１０の表面４０のトンネル酸化膜２０ａを除去する。図１２（ｂ）を参照に、側壁層２６を除去後、開口部２８内及び犠牲層２４上に酸化シリコン膜からなるトップ酸化膜３０を形成する。開口部２８内及びトップ酸化膜３０上にポリシリコンからなるワードライン３２を形成する。ワードライン３２をマスクにトップ酸化膜３０、犠牲層２４、トラップ層２２及びトンネル酸化膜２０ａを除去する。半導体基板１０内にビットライン３４を形成する。以上により、ＯＮＯ膜（酸化膜／窒化膜／酸化膜）を有する不揮発性メモリトランジスタが完成する。
実施例３のように、実施例１の図６のステップＳ２２において、半導体ウエハ５０の両面に形成する絶縁膜はトンネル酸化膜２０ａ及び酸化膜２０ｂであってもよい。トンネル酸化膜２０ａは膜質が重要であるため、熱酸化法が用いられる。熱酸化法を用いると半導体基板１０の表面４０及び裏面４２に酸化膜が形成される。よって、本発明を用いることが有効である。
実施例４は実施例１から実施例３を実現するために用いられる半導体装置の製造装置の例である。図１３を参照に、実施例４に係る半導体製造装置８０は、搬送部８２、枚葉搬送部８４、枚葉処理部８６、槽８８から９４、乾燥部９６及び制御部９８を有している。枚葉処理部８６（第１処理部）は図７に示した枚葉処理方式の薬液処理部である。薬液槽８８（第２処理部）は図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した一括処理方式の薬液処理部である。水洗槽９０、９４は薬液槽８８と同じ構造であるが、薬液の代わりに水を用い、半導体ウエハに付着した薬液を水に置換する。乾燥部９６は水洗後の半導体ウエハを乾燥する。搬送部８２は、処理バッチ毎にウエハキャリアに収納された複数の半導体ウエハ５０を枚葉搬送部８４、槽８８から９４及び乾燥部９６に搬送する。制御部９８は搬送部８２、枚葉搬送部８４、枚葉処理部８６、各槽８８から９４及び乾燥部９６を制御する。
実線の矢印１００に沿って、半導体ウエハの処理の流れを説明する。まず、ウエハキャリアに収納された複数の半導体ウエハが搬送部８２に導入される。搬送部８２は枚葉搬送部８４に複数の半導体ウエハが収納されたウエハキャリアを搬送する。枚葉搬送部８４は搬送部８２から搬送されたウエハキャリアに収納されたバッチ単位の複数の半導体ウエハのうち１枚を枚葉処理部８６に搬送する。枚葉処理部８６において、薬液処理が終了すると、半導体ウエハをウエハキャリアに戻し、次の半導体ウエハ１枚を枚葉処理部８６に搬送する。このようにして、バッチ内の全ての半導体ウエハの処理が終了すると、枚葉搬送部８４は、ウエハキャリアに収納された複数の半導体ウエハを搬送部８２に戻す。搬送部８２は、薬液槽８８、水洗槽９０、薬液槽９２、水洗槽９４及び乾燥部９６に順次半導体ウエハをウエハキャリアに収納したまま搬送する。各槽８４から９４及び乾燥部９６は各処理を行う。一連の処理が終了すると、搬送部８２は半導体ウエハを外部に搬出する。
実施例４に係る半導体製造装置は、半導体ウエハの裏面４２に選択的に弗酸水溶液（第１薬液）を供給することにより、裏面４２に形成された酸化シリコン膜（第１絶縁膜）を除去する枚葉処理部（第１処理部）と、弗酸水溶液（第２薬液）に複数の半導体ウエハを浸漬させることにより、表面に形成された酸化シリコン膜（第２絶縁膜）を除去する薬液槽８８（第２処理部）と、複数の半導体ウエハを１枚ずつ枚葉処理部８６で処理させ、その後複数の半導体ウエハを同時に薬液槽８８で処理させる制御部９８と、を有している。これにより、実施例１から実施例３に係る半導体装置の製造方法を自働で行うことができる。
枚葉処理を行わない場合は、図１３の破線矢印１０２のように、制御部９８は、枚葉処理部８６を経由せず、薬液処理を行うこともできる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である
１０ 半導体基板
１２ａ、１２ｂ 酸化シリコン膜
２０ａ トンネル酸化膜
２０ｂ 酸化膜
４０ 表面
４２ 裏面
５０ 半導体ウエハ
５２ 薬液槽
６２ 薬液
１２ａ、１２ｂ 酸化シリコン膜
２０ａ トンネル酸化膜
２０ｂ 酸化膜
４０ 表面
４２ 裏面
５０ 半導体ウエハ
５２ 薬液槽
６２ 薬液
Claims (11)
- 半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面及び該表面の反対の面である裏面に絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉処理装置を用い、処理対象の前記半導体ウエハの前記裏面に選択的に第１薬液を供給することにより、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、
複数の前記半導体ウエハを、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去した後に、第２薬液に同時に浸漬させることにより、前記表面に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１薬液及び前記第２薬液は、酸であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１薬液及び前記第２薬液は弗酸を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程の前に、前記半導体ウエハの前記表面にイオン注入する工程を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程の前に、前記裏面が半導体製造装置のチャックに接触する工程を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する工程は、トンネル酸化膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面の反対の面である裏面に選択的に第１薬液を供給することにより、前記裏面に形成された第１絶縁膜を除去する第１処理部と、
第２薬液に複数の前記半導体ウエハを浸漬させることにより、前記表面に形成された第２絶縁膜を除去する第２処理部と、
複数の前記半導体ウエハを１枚ずつ前記第１処理部で処理させ、その後前記複数の半導体ウエハを同時に前記第２処理部で処理させる制御部と、を具備する半導体装置の製造装置。 - 前記第１薬液及び前記第２薬液は、酸であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
- 前記第１薬液及び前記第２薬液は弗酸を含むことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
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