JP3120425B2 - レジスト剥離方法及び装置 - Google Patents
レジスト剥離方法及び装置Info
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S68/00—Textiles: fluid treating apparatus
- Y10S68/902—Devices for storage and reuse of soap suds
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト剥離方法及
び装置に係り、特にリフトオフ法で基板上から不要にな
ったレジストを除去するレジスト剥離方法及び装置に関
する。
び装置に係り、特にリフトオフ法で基板上から不要にな
ったレジストを除去するレジスト剥離方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、配線表面や
配線間の絶縁膜表面を平坦化する方法の１つにリフトオ
フがある。このリフトオフは、配線をエッチングなどに
より形成した際、マスクとして用いたレジストを除去し
ないで、その上に配線と同じ厚さの絶縁膜を気相反応法
などで形成する方法である。かかる方法によれば、前記
絶縁膜を形成すると、レジストがない領域に絶縁膜が堆
積し、配線がない領域が絶縁膜で埋まるので、その後、
レジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離除去
し、更にその上に絶縁膜を形成する。これにより、配線
上に表面の平坦な絶縁膜を形成することができる。
配線間の絶縁膜表面を平坦化する方法の１つにリフトオ
フがある。このリフトオフは、配線をエッチングなどに
より形成した際、マスクとして用いたレジストを除去し
ないで、その上に配線と同じ厚さの絶縁膜を気相反応法
などで形成する方法である。かかる方法によれば、前記
絶縁膜を形成すると、レジストがない領域に絶縁膜が堆
積し、配線がない領域が絶縁膜で埋まるので、その後、
レジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離除去
し、更にその上に絶縁膜を形成する。これにより、配線
上に表面の平坦な絶縁膜を形成することができる。
【０００３】ところで、このリフトオフでは、上記のよ
うにレジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離
除去する工程が必要となり、従来、この工程は基板をレ
ジスト剥離液中に浸漬させることにより行っていた。
うにレジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離
除去する工程が必要となり、従来、この工程は基板をレ
ジスト剥離液中に浸漬させることにより行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
レジスト剥離液中に浸漬して剥離除去する従来の方法で
は、レジスト剥離液の化学的作用のみでレジストを剥離
除去するため、時間がかかるという欠点があった。ま
た、剥離除去する際に、配線と絶縁膜との境でバリが生
じるという欠点もあった。
レジスト剥離液中に浸漬して剥離除去する従来の方法で
は、レジスト剥離液の化学的作用のみでレジストを剥離
除去するため、時間がかかるという欠点があった。ま
た、剥離除去する際に、配線と絶縁膜との境でバリが生
じるという欠点もあった。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、短時間で効率的にレジストの剥離を行うこと
ができるレジスト剥離方法及び装置を提供することを目
的とする。
たもので、短時間で効率的にレジストの剥離を行うこと
ができるレジスト剥離方法及び装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、基板上から不要になったレジストを除去する
レジスト剥離方法において、前記基板上にノズルを往復
移動して、前記ノズルから高圧のレジスト剥離液を３Ｍ
Ｐａ〜５０ＭＰａの噴射圧力で噴射されて微粒化するこ
とを特徴とする。本発明は、前記目的を達成する為に、
基板上から不要となったレジストを除去するレジスト剥
離装置において、前記基板上にノズルを往復移動して高
圧のレジスト剥離液を噴射するレジスト剥離液噴射手段
を備え、前記レジスト剥離液は、３ＭＰａ〜５０ＭＰａ
の噴射圧力で噴射して微粒化することを特徴とする。本
発明によれば、噴射による物理的な作用とレジスト剥離
液自身による化学的な作用によって基板上のレジストが
剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用によ
る相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効率的
に剥離除去することができる。
する為に、基板上から不要になったレジストを除去する
レジスト剥離方法において、前記基板上にノズルを往復
移動して、前記ノズルから高圧のレジスト剥離液を３Ｍ
Ｐａ〜５０ＭＰａの噴射圧力で噴射されて微粒化するこ
とを特徴とする。本発明は、前記目的を達成する為に、
基板上から不要となったレジストを除去するレジスト剥
離装置において、前記基板上にノズルを往復移動して高
圧のレジスト剥離液を噴射するレジスト剥離液噴射手段
を備え、前記レジスト剥離液は、３ＭＰａ〜５０ＭＰａ
の噴射圧力で噴射して微粒化することを特徴とする。本
発明によれば、噴射による物理的な作用とレジスト剥離
液自身による化学的な作用によって基板上のレジストが
剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用によ
る相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効率的
に剥離除去することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係るレジスト剥離方法及び装置の好ましい実施の形態に
ついて詳説する。図１は、本発明が適用されたジェット
式レジスト剥離装置の第１の実施の形態の全体構成図で
ある。
係るレジスト剥離方法及び装置の好ましい実施の形態に
ついて詳説する。図１は、本発明が適用されたジェット
式レジスト剥離装置の第１の実施の形態の全体構成図で
ある。
【０００８】同図に示すように、本実施の形態のジェッ
ト式レジスト剥離装置１０は、ウェーハ（基板）Ｗを保
持するウェーハ保持装置１２と、そのウェーハ保持装置
１２に保持されたウェーハＷに薬液（レジスト剥離液）
を噴射する薬液噴射装置３０とから構成されている。ま
ず、ウェーハ保持装置１２の構成について説明する。架
台１４上に設置されたシンク（洗浄槽）１６の内部に
は、円盤状に形成されたターンテーブル１８が配設され
ている。ターンテーブル１８の上部には真空チャック２
０が設けられており、この真空チャック２０上にウェー
ハＷが吸着保持される。ターンテーブル１８の下部には
スピンドル２２が連結されており、該スピンドル２２の
下端部にはターンテーブル駆動モータ２４の出力軸が連
結されている。ターンテーブル１８は、このターンテー
ブル駆動モータ２４を駆動することにより回転する。
ト式レジスト剥離装置１０は、ウェーハ（基板）Ｗを保
持するウェーハ保持装置１２と、そのウェーハ保持装置
１２に保持されたウェーハＷに薬液（レジスト剥離液）
を噴射する薬液噴射装置３０とから構成されている。ま
ず、ウェーハ保持装置１２の構成について説明する。架
台１４上に設置されたシンク（洗浄槽）１６の内部に
は、円盤状に形成されたターンテーブル１８が配設され
ている。ターンテーブル１８の上部には真空チャック２
０が設けられており、この真空チャック２０上にウェー
ハＷが吸着保持される。ターンテーブル１８の下部には
スピンドル２２が連結されており、該スピンドル２２の
下端部にはターンテーブル駆動モータ２４の出力軸が連
結されている。ターンテーブル１８は、このターンテー
ブル駆動モータ２４を駆動することにより回転する。
【０００９】次に、薬液噴射装置３０の構成について説
明する。薬液噴射装置３０の圧力源を構成するポンプ３
２はエアモータ３４を駆動源としている。エアモータ３
４は、その入力側にパイプ３６及びバルブ３８を介して
エアコンプレッサ４０が接続されており、このエアコン
プレッサ４０から圧縮エアが供給されることによって作
動される。
明する。薬液噴射装置３０の圧力源を構成するポンプ３
２はエアモータ３４を駆動源としている。エアモータ３
４は、その入力側にパイプ３６及びバルブ３８を介して
エアコンプレッサ４０が接続されており、このエアコン
プレッサ４０から圧縮エアが供給されることによって作
動される。
【００１０】ポンプ３２の入力側には、パイプ４２を介
して薬液タンク４４及び洗浄液タンク４６が接続されて
いる。薬液タンク４４にはレジスト剥離用の薬液（レジ
スト剥離液）が貯留されており、洗浄液タンク４６には
リンス用の洗浄液（純水）が貯留されている。また、パ
イプ４２には、第１バルブ４８と第２バルブ５０が配設
されており、この第１バルブ４８と第２バルブ５０の開
閉を操作することにより、ポンプ３２との接続が切り換
えられる。なお、この第１バルブ４８と第２バルブ５０
の開閉は図示しない制御装置の駆動信号に基づいて行わ
れる。
して薬液タンク４４及び洗浄液タンク４６が接続されて
いる。薬液タンク４４にはレジスト剥離用の薬液（レジ
スト剥離液）が貯留されており、洗浄液タンク４６には
リンス用の洗浄液（純水）が貯留されている。また、パ
イプ４２には、第１バルブ４８と第２バルブ５０が配設
されており、この第１バルブ４８と第２バルブ５０の開
閉を操作することにより、ポンプ３２との接続が切り換
えられる。なお、この第１バルブ４８と第２バルブ５０
の開閉は図示しない制御装置の駆動信号に基づいて行わ
れる。
【００１１】ポンプ３２の出力側には、吐出圧力を一定
にするためのアキュームレータ５２及びパイプ５４を介
して洗浄用のガン５６が接続されている。ガン５６の先
端部にはノズル５８が設けられており、このノズル５８
から高圧の薬液又は洗浄液がウェーハＷに向けて噴射さ
れる。また、このガン５６はモータ６０の出力軸に連結
されたアーム６２の先端に支持されており、モータ６０
を駆動してアーム６２を旋回させると、ウェーハＷの上
方から退避する。
にするためのアキュームレータ５２及びパイプ５４を介
して洗浄用のガン５６が接続されている。ガン５６の先
端部にはノズル５８が設けられており、このノズル５８
から高圧の薬液又は洗浄液がウェーハＷに向けて噴射さ
れる。また、このガン５６はモータ６０の出力軸に連結
されたアーム６２の先端に支持されており、モータ６０
を駆動してアーム６２を旋回させると、ウェーハＷの上
方から退避する。
【００１２】以上の構成の薬液噴射装置３０では、エア
モータ３４によってポンプ３２が駆動されると、薬液タ
ンク４４内の薬液（又は洗浄液タンク４６内の洗浄液）
がポンプ３２内に吸引され、高圧力を加えられた状態で
ガン５６側に供給される。そして、ガン５６側に供給さ
れた薬液（又は洗浄液）は、ノズル５８の吐出口から霧
化（微粒化）された状態で噴射される。
モータ３４によってポンプ３２が駆動されると、薬液タ
ンク４４内の薬液（又は洗浄液タンク４６内の洗浄液）
がポンプ３２内に吸引され、高圧力を加えられた状態で
ガン５６側に供給される。そして、ガン５６側に供給さ
れた薬液（又は洗浄液）は、ノズル５８の吐出口から霧
化（微粒化）された状態で噴射される。
【００１３】前記のごとく構成された第１の実施の形態
のジェット式レジスト剥離装置１０の作用は次の通りで
ある。図示しない搬送ロボットによってウェーハＷが真
空チャック２０上に載置されると、該真空チャック２０
によってウェーハＷが吸着保持される。次に、ターンテ
ーブル駆動モータ２４が駆動され、ターンテーブル１８
が回転する。これにより、ターンテーブル１８上に保持
されているウェーハＷが回転する。これと同時に、モー
タ６０が駆動されてアーム６２が旋回し、ガン５６がウ
ェーハＷの上方に位置する。
のジェット式レジスト剥離装置１０の作用は次の通りで
ある。図示しない搬送ロボットによってウェーハＷが真
空チャック２０上に載置されると、該真空チャック２０
によってウェーハＷが吸着保持される。次に、ターンテ
ーブル駆動モータ２４が駆動され、ターンテーブル１８
が回転する。これにより、ターンテーブル１８上に保持
されているウェーハＷが回転する。これと同時に、モー
タ６０が駆動されてアーム６２が旋回し、ガン５６がウ
ェーハＷの上方に位置する。
【００１４】次に、コンプレッサ４０が駆動されてエア
モータ３４に圧縮エアが供給される。これにより、エア
モータ３４が駆動され、該エアモータ３４によってポン
プ３２が駆動される。ここで、第１バルブ４８と第２バ
ルブ５０は、第１バルブ８が開いており、第２バルブ５
０が閉じた状態にある。このため、ポンプ３２が駆動さ
れると、薬液タンク４４内の薬液がポンプ３２内に吸引
される。そして、ポンプ３２内に吸引された薬液は、高
圧力を加えられた状態でガン５６側に供給され、ガン５
６のノズル５８からウェーハＷに向けて霧化された状態
で噴射される。
モータ３４に圧縮エアが供給される。これにより、エア
モータ３４が駆動され、該エアモータ３４によってポン
プ３２が駆動される。ここで、第１バルブ４８と第２バ
ルブ５０は、第１バルブ８が開いており、第２バルブ５
０が閉じた状態にある。このため、ポンプ３２が駆動さ
れると、薬液タンク４４内の薬液がポンプ３２内に吸引
される。そして、ポンプ３２内に吸引された薬液は、高
圧力を加えられた状態でガン５６側に供給され、ガン５
６のノズル５８からウェーハＷに向けて霧化された状態
で噴射される。
【００１５】薬液の噴射を受けたウェーハＷは、その薬
液による化学的な作用によってレジストが剥離除去され
る。これに加え、高圧の薬液が噴射されることによる衝
撃でレジスト層にクラックが入り薬液の浸食作用が促進
される。また、高圧の薬液が噴射されることにより、剥
離されたクラックが順次洗い流されてゆくため、効率的
にレジストを剥離除去することができる。さらに、薬液
を高圧で霧化させて噴射することにより、狭い隙間まで
効果的に薬液が噴射され、バリ等を生じさせることな
く、良好にレジストを剥離除去することができるように
なる。
液による化学的な作用によってレジストが剥離除去され
る。これに加え、高圧の薬液が噴射されることによる衝
撃でレジスト層にクラックが入り薬液の浸食作用が促進
される。また、高圧の薬液が噴射されることにより、剥
離されたクラックが順次洗い流されてゆくため、効率的
にレジストを剥離除去することができる。さらに、薬液
を高圧で霧化させて噴射することにより、狭い隙間まで
効果的に薬液が噴射され、バリ等を生じさせることな
く、良好にレジストを剥離除去することができるように
なる。
【００１６】なお、噴射された薬液は、シンク１６の排
水口１６ａから排水パイプ２６を介して廃棄される。薬
液の噴射は所定時間継続して行われ、所定時間経過後、
エアコンプレッサ４０の駆動が停止される。そして、そ
の後、第１バルブ４８と第２バルブ５０の開閉が切り換
えられる。すなわち、第１バルブ４８が閉じられ、第２
バルブ５０が開けられる。
水口１６ａから排水パイプ２６を介して廃棄される。薬
液の噴射は所定時間継続して行われ、所定時間経過後、
エアコンプレッサ４０の駆動が停止される。そして、そ
の後、第１バルブ４８と第２バルブ５０の開閉が切り換
えられる。すなわち、第１バルブ４８が閉じられ、第２
バルブ５０が開けられる。
【００１７】第１バルブ４８と第２バルブ５０の開閉が
切り換えられると、再びエアモータ３４が駆動され、該
エアモータ３４によってポンプ３２が駆動される。ポン
プ３２が駆動されると、洗浄液タンク４６内の洗浄液が
ポンプ３２内に吸引され、高圧力を加えられた状態でガ
ン５６側に供給される。そして、ガン５６のノズル５８
からウェーハＷに向けて霧化された状態で噴射される。
切り換えられると、再びエアモータ３４が駆動され、該
エアモータ３４によってポンプ３２が駆動される。ポン
プ３２が駆動されると、洗浄液タンク４６内の洗浄液が
ポンプ３２内に吸引され、高圧力を加えられた状態でガ
ン５６側に供給される。そして、ガン５６のノズル５８
からウェーハＷに向けて霧化された状態で噴射される。
【００１８】薬液の噴射を受けたウェーハＷは、その洗
浄液によって表面に付着した薬液等が洗い流され洗浄さ
れる。この洗浄液の噴射も所定時間継続して行われ、所
定時間経過後、エアコンプレッサ４０の駆動が停止され
る。そして、そのエアコンプレッサ４０の駆動停止後、
モータ６０が駆動されてアーム６２が旋回し、ガン５６
がウェーハＷの上方から退避する。
浄液によって表面に付着した薬液等が洗い流され洗浄さ
れる。この洗浄液の噴射も所定時間継続して行われ、所
定時間経過後、エアコンプレッサ４０の駆動が停止され
る。そして、そのエアコンプレッサ４０の駆動停止後、
モータ６０が駆動されてアーム６２が旋回し、ガン５６
がウェーハＷの上方から退避する。
【００１９】一方、この洗浄液の噴射停止後もターンテ
ーブル１８の回転は継続して行われ、このターンテーブ
ル１８の回転による遠心力でウェーハＷ上に残留した洗
浄液が振り切られる。そして、これによりウェーハＷが
乾燥する。このウェーハＷの乾燥は所定時間継続して行
われ、所定時間経過後、ターンテーブル駆動モータ２４
の駆動が停止される。そして、ターンテーブル１８の回
転が完全に停止したところで、真空チャック２０による
チャックが解除され、図示しない搬送ロボットによって
真空チャック２０上のウェーハＷが次工程に搬送されて
ゆく。
ーブル１８の回転は継続して行われ、このターンテーブ
ル１８の回転による遠心力でウェーハＷ上に残留した洗
浄液が振り切られる。そして、これによりウェーハＷが
乾燥する。このウェーハＷの乾燥は所定時間継続して行
われ、所定時間経過後、ターンテーブル駆動モータ２４
の駆動が停止される。そして、ターンテーブル１８の回
転が完全に停止したところで、真空チャック２０による
チャックが解除され、図示しない搬送ロボットによって
真空チャック２０上のウェーハＷが次工程に搬送されて
ゆく。
【００２０】このように、本実施の形態のジェット式レ
ジスト剥離装置１０によれば、高圧な薬液が噴射される
ことによる物理的な作用と薬液の持つ化学的な作用によ
る相乗効果によってウェーハＷ上のレジストを短時間で
かつ効率的に除去することができる。また、これによ
り、配線と絶縁膜との境でバリが生じるのを効果的に抑
制することができる。
ジスト剥離装置１０によれば、高圧な薬液が噴射される
ことによる物理的な作用と薬液の持つ化学的な作用によ
る相乗効果によってウェーハＷ上のレジストを短時間で
かつ効率的に除去することができる。また、これによ
り、配線と絶縁膜との境でバリが生じるのを効果的に抑
制することができる。
【００２１】なお、本実施の形態では、ノズル５８から
噴射する薬液又は洗浄液の噴射圧力については特に言及
していないが、３ＭＰａ未満では薬液による物理的な作
用を十分に得ることができず、また、素子へのダメージ
を考慮すると５０ＭＰａ以下が好ましい。したがって、
噴射する圧力は３ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内で設定す
るのが好ましい。
噴射する薬液又は洗浄液の噴射圧力については特に言及
していないが、３ＭＰａ未満では薬液による物理的な作
用を十分に得ることができず、また、素子へのダメージ
を考慮すると５０ＭＰａ以下が好ましい。したがって、
噴射する圧力は３ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内で設定す
るのが好ましい。
【００２２】また、本実施の形態では、ガン５６を一定
位置に固定した状態で薬液又は洗浄液を噴射している
が、ガン５６を水平に移動させながら薬液又は洗浄液を
噴射してもよい。すなわち、薬液又は洗浄液の噴射中に
モータ６０を駆動して、アーム６２を所定の角度範囲で
揺動させ、ガン５６を往復移動させながら薬液又は洗浄
液を噴射するようにしてもよい。また、移動機構はこれ
に限らず、水平にスライドさせる構成としてもよい。
位置に固定した状態で薬液又は洗浄液を噴射している
が、ガン５６を水平に移動させながら薬液又は洗浄液を
噴射してもよい。すなわち、薬液又は洗浄液の噴射中に
モータ６０を駆動して、アーム６２を所定の角度範囲で
揺動させ、ガン５６を往復移動させながら薬液又は洗浄
液を噴射するようにしてもよい。また、移動機構はこれ
に限らず、水平にスライドさせる構成としてもよい。
【００２３】さらに、本実施の形態では、薬液又は洗浄
液を噴射するノズルは、１つのみの構成としているが、
複数のノズルを配設し、複数箇所から薬液又は洗浄液を
噴射するようにしてもよい。なお、この場合、複数のノ
ズルは、同一直線上に直列させて配置してもよいし、同
心円上に等間隔に配置してもよい。また、本実施の形態
では、ポンプ３２の駆動源にエアモータ３４を用いてい
るが、これに限らず、油圧モータ、電動プランジャ等を
用いて駆動してもよい。さらに、洗浄液としては、純水
に限らず、薬品が混合されたものでもよい。
液を噴射するノズルは、１つのみの構成としているが、
複数のノズルを配設し、複数箇所から薬液又は洗浄液を
噴射するようにしてもよい。なお、この場合、複数のノ
ズルは、同一直線上に直列させて配置してもよいし、同
心円上に等間隔に配置してもよい。また、本実施の形態
では、ポンプ３２の駆動源にエアモータ３４を用いてい
るが、これに限らず、油圧モータ、電動プランジャ等を
用いて駆動してもよい。さらに、洗浄液としては、純水
に限らず、薬品が混合されたものでもよい。
【００２４】図２は、本発明に係るレジスト剥離装置の
第２の実施の形態の全体構成図である。同図に示すよう
に、第２の実施の形態のレジスト剥離装置１００は、ジ
ェット式レジスト剥離装置１０２、搬送ロボット１０
４、ウェーハ回収装置１０６、カセット搬送装置１０８
及び浸漬式レジスト剥離装置１１０を主要構成装置とし
て構成されている。
第２の実施の形態の全体構成図である。同図に示すよう
に、第２の実施の形態のレジスト剥離装置１００は、ジ
ェット式レジスト剥離装置１０２、搬送ロボット１０
４、ウェーハ回収装置１０６、カセット搬送装置１０８
及び浸漬式レジスト剥離装置１１０を主要構成装置とし
て構成されている。
【００２５】前記ジェット式レジスト剥離装置１０２
は、ターンテーブル１８が昇降自在に構成されている点
が、上記第１の実施の形態のレジスト剥離装置１０と相
違している。すなわち、ターンテーブル１８を駆動する
ターンテーブル駆動モータ２４が昇降装置１１２の昇降
テーブル１１２ａ上に設置されており、この昇降装置１
１２を駆動することにより、ターンテーブル１８が昇降
する。
は、ターンテーブル１８が昇降自在に構成されている点
が、上記第１の実施の形態のレジスト剥離装置１０と相
違している。すなわち、ターンテーブル１８を駆動する
ターンテーブル駆動モータ２４が昇降装置１１２の昇降
テーブル１１２ａ上に設置されており、この昇降装置１
１２を駆動することにより、ターンテーブル１８が昇降
する。
【００２６】なお、他の構成は上述した第１の実施の形
態のレジスト剥離装置１０と同じなので、同一部材には
同一符号を付して、その説明を省略する。前記搬送ロボ
ット１０４は、所定の受渡位置まで上昇したターンテー
ブル１８の真空チャック２０上からウェーハＷを受け取
り、次述するウェーハ回収装置１０６の回収カセット１
１４内に収納する。この搬送ロボット１０４は、多関節
形のロボットであり、旋回自在な第１アーム１０４Ａの
先端に、旋回自在な第２アーム１０４Ｂが設けられてお
り、更にその第２アーム１０４Ｂの先端に、旋回自在な
ハンド部１０４Ｃが設けられて構成されている。そし
て、ウェーハＷは、そのハンド部１０４Ｃの先端に設け
られた吸着パッド１０４Ｄで吸着保持されて水平に搬送
される。
態のレジスト剥離装置１０と同じなので、同一部材には
同一符号を付して、その説明を省略する。前記搬送ロボ
ット１０４は、所定の受渡位置まで上昇したターンテー
ブル１８の真空チャック２０上からウェーハＷを受け取
り、次述するウェーハ回収装置１０６の回収カセット１
１４内に収納する。この搬送ロボット１０４は、多関節
形のロボットであり、旋回自在な第１アーム１０４Ａの
先端に、旋回自在な第２アーム１０４Ｂが設けられてお
り、更にその第２アーム１０４Ｂの先端に、旋回自在な
ハンド部１０４Ｃが設けられて構成されている。そし
て、ウェーハＷは、そのハンド部１０４Ｃの先端に設け
られた吸着パッド１０４Ｄで吸着保持されて水平に搬送
される。
【００２７】前記ウェーハ回収装置１０６は、架台１１
６上にカセット昇降装置１１８が設置されて構成されて
いる。このカセット昇降装置１１８の昇降テーブル１１
８Ａ上には回収カセット１１４が位置決めして載置さ
れ、この回収カセット１１４内にウェーハＷが一枚ずつ
分離された状態で収納される。なお、カセット昇降装置
１１８は、回収カセット１１４にウェーハが一枚収納さ
れるごとに回収カセット１１４を一段階上昇させる。こ
れにより、前記搬送ロボット１０４で水平に搬送される
ウェーハＷがカセット１１４内に一枚ずつ順に収納され
てゆく。
６上にカセット昇降装置１１８が設置されて構成されて
いる。このカセット昇降装置１１８の昇降テーブル１１
８Ａ上には回収カセット１１４が位置決めして載置さ
れ、この回収カセット１１４内にウェーハＷが一枚ずつ
分離された状態で収納される。なお、カセット昇降装置
１１８は、回収カセット１１４にウェーハが一枚収納さ
れるごとに回収カセット１１４を一段階上昇させる。こ
れにより、前記搬送ロボット１０４で水平に搬送される
ウェーハＷがカセット１１４内に一枚ずつ順に収納され
てゆく。
【００２８】前記カセット搬送装置１０８はベルトコン
ベアで構成されており、前記ウェーハ回収装置１０６の
昇降テーブル１１８Ａ上から次述する浸漬式レジスト剥
離装置１１０の昇降テーブル１２６Ａ上に搬送する。前
記浸漬式レジスト剥離装置１１０は、浸漬によりウェー
ハＷ上のレジストを剥離する。この浸漬式レジスト剥離
装置１１０は、架台１２０上に剥離槽１２２が設置され
て構成されており、該剥離槽１２２内には薬液（レジス
ト剥離液）１２４が貯留されている。この剥離槽１２２
内には前記回収カセット１１４が載置される昇降テーブ
ル１２６Ａが配設されており、該昇降テーブル１２６Ａ
は昇降装置１２６に駆動されて剥離槽１２２内を昇降す
る。
ベアで構成されており、前記ウェーハ回収装置１０６の
昇降テーブル１１８Ａ上から次述する浸漬式レジスト剥
離装置１１０の昇降テーブル１２６Ａ上に搬送する。前
記浸漬式レジスト剥離装置１１０は、浸漬によりウェー
ハＷ上のレジストを剥離する。この浸漬式レジスト剥離
装置１１０は、架台１２０上に剥離槽１２２が設置され
て構成されており、該剥離槽１２２内には薬液（レジス
ト剥離液）１２４が貯留されている。この剥離槽１２２
内には前記回収カセット１１４が載置される昇降テーブ
ル１２６Ａが配設されており、該昇降テーブル１２６Ａ
は昇降装置１２６に駆動されて剥離槽１２２内を昇降す
る。
【００２９】前記のごとく構成された第２の実施の形態
のレジスト剥離装置１００の作用は次の通りである。ま
ず、ジェット式レジスト剥離装置１０２の真空チャック
２０上に図示しない搬送ロボットによってウェーハＷが
載置され、その真空チャック２０によって吸着保持され
る。
のレジスト剥離装置１００の作用は次の通りである。ま
ず、ジェット式レジスト剥離装置１０２の真空チャック
２０上に図示しない搬送ロボットによってウェーハＷが
載置され、その真空チャック２０によって吸着保持され
る。
【００３０】次に、ターンテーブル駆動モータ２４が駆
動され、ターンテーブル１８が回転する。これにより、
ターンテーブル１８上に保持されているウェーハＷが回
転する。これと同時に、モータ６０が駆動されてアーム
６２が旋回し、ガン５６がウェーハＷの上方に位置す
る。次に、ポンプ３２が駆動され（図１参照）、ガン５
６のノズル５８からウェーハＷに向けて高圧の薬液が霧
化された状態で噴射される。薬液の噴射を受けたウェー
ハＷは、その薬液による化学的な作用によってレジスト
が剥離除去されるとともに、高圧の薬液が噴射されるこ
とによる衝撃でレジスト層にクラックが入り、その浸食
作用が促進される。この薬液の噴射は所定時間継続して
行われ、所定時間経過後、ポンプ３２の駆動が停止す
る。
動され、ターンテーブル１８が回転する。これにより、
ターンテーブル１８上に保持されているウェーハＷが回
転する。これと同時に、モータ６０が駆動されてアーム
６２が旋回し、ガン５６がウェーハＷの上方に位置す
る。次に、ポンプ３２が駆動され（図１参照）、ガン５
６のノズル５８からウェーハＷに向けて高圧の薬液が霧
化された状態で噴射される。薬液の噴射を受けたウェー
ハＷは、その薬液による化学的な作用によってレジスト
が剥離除去されるとともに、高圧の薬液が噴射されるこ
とによる衝撃でレジスト層にクラックが入り、その浸食
作用が促進される。この薬液の噴射は所定時間継続して
行われ、所定時間経過後、ポンプ３２の駆動が停止す
る。
【００３１】ポンプ３２の駆動が停止すると、モータ６
０が駆動されてアーム６２が旋回し、ガン５６がウェー
ハＷの上方から退避する。これと同時に、ターンテーブ
ル駆動モータ２４の駆動が停止され、ターンテーブル１
８の回転が停止する。ターンテーブル１８の回転が停止
すると、昇降装置が駆動されてターンテーブル１８が所
定の受渡位置まで上昇する。そして、その上昇後、真空
チャック２０によるウェーハＷの吸着が解除される。こ
の後、ウェーハＷは、搬送ロボット１０４によって真空
チャック２０上から受け取られ、そのまま、ウェーハ回
収装置１０６の回収カセット１１４内に収納される。
０が駆動されてアーム６２が旋回し、ガン５６がウェー
ハＷの上方から退避する。これと同時に、ターンテーブ
ル駆動モータ２４の駆動が停止され、ターンテーブル１
８の回転が停止する。ターンテーブル１８の回転が停止
すると、昇降装置が駆動されてターンテーブル１８が所
定の受渡位置まで上昇する。そして、その上昇後、真空
チャック２０によるウェーハＷの吸着が解除される。こ
の後、ウェーハＷは、搬送ロボット１０４によって真空
チャック２０上から受け取られ、そのまま、ウェーハ回
収装置１０６の回収カセット１１４内に収納される。
【００３２】以上の一連の工程で一枚目のウェーハＷの
ジェット式レジスト剥離が終了する。以下同様の手順で
２枚目、３枚目のウェーハＷのジェット式レジスト剥離
を行ってゆく。そして、回収カセット１１４の空き領域
に全てのウェーハＷが収納されると、ジェット式レジス
ト剥離は終了する。次に、カセット搬送装置１０８が駆
動されて昇降テーブル１１８Ａ上に載置されている回収
カセット１１４が浸漬式レジスト剥離装置１１０の昇降
テーブル１２６Ａ上に搬送される。なお、この際、昇降
テーブル１２６Ａは所定の受取位置まで上昇して待機し
ている。
ジェット式レジスト剥離が終了する。以下同様の手順で
２枚目、３枚目のウェーハＷのジェット式レジスト剥離
を行ってゆく。そして、回収カセット１１４の空き領域
に全てのウェーハＷが収納されると、ジェット式レジス
ト剥離は終了する。次に、カセット搬送装置１０８が駆
動されて昇降テーブル１１８Ａ上に載置されている回収
カセット１１４が浸漬式レジスト剥離装置１１０の昇降
テーブル１２６Ａ上に搬送される。なお、この際、昇降
テーブル１２６Ａは所定の受取位置まで上昇して待機し
ている。
【００３３】回収カセット１１４が移載された昇降テー
ブル１２６Ａは、昇降装置１２６に駆動されて加工し、
これにより、回収カセット１１４が浸漬槽１２２内に貯
留された薬液１２４中に浸漬される。薬液１２４中に浸
漬された回収カセット１１４中の各ウェーハＷ、Ｗ、…
は、薬液１２４の化学的作用によってレジストが剥離除
去される。
ブル１２６Ａは、昇降装置１２６に駆動されて加工し、
これにより、回収カセット１１４が浸漬槽１２２内に貯
留された薬液１２４中に浸漬される。薬液１２４中に浸
漬された回収カセット１１４中の各ウェーハＷ、Ｗ、…
は、薬液１２４の化学的作用によってレジストが剥離除
去される。
【００３４】ここで、この薬液１２４中へのウェーハＷ
の浸漬は所定時間をもって行われるが、各ウェーハＷは
前もってジェット式のレジスト剥離が行われているの
で、この浸漬は短時間で済ませることができる。また、
前もって行われたジェット式のレジスト剥離でレジスト
層にクラックが付けられているため、薬液による浸食作
用が促進され、容易にレジストが剥離される。
の浸漬は所定時間をもって行われるが、各ウェーハＷは
前もってジェット式のレジスト剥離が行われているの
で、この浸漬は短時間で済ませることができる。また、
前もって行われたジェット式のレジスト剥離でレジスト
層にクラックが付けられているため、薬液による浸食作
用が促進され、容易にレジストが剥離される。
【００３５】回収カセット１１４が薬液１２４中に浸漬
されてから所定時間が経過すると、昇降装置１２６が駆
動されて昇降テーブル１２６Ａが上昇する。これによ
り、薬液１２４中から回収カセット１１４が引き上げら
れる。そして、引き上げられた回収カセット１１４は、
図示しない搬送手段によって次工程に搬送される。この
ように、本実施の形態のレジスト剥離装置１００によれ
ば、ジェット式のレジスト剥離と浸漬式のレジスト剥離
を併用することにより、より確実にレジスト剥離を行う
ことができる。すなわち、前もってジェット式のレジス
ト剥離を行っておくことにより、レジスト層にクラック
が付けられ、浸漬式のレジスト剥離を行った際に薬液の
浸食作用が促進され、短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
されてから所定時間が経過すると、昇降装置１２６が駆
動されて昇降テーブル１２６Ａが上昇する。これによ
り、薬液１２４中から回収カセット１１４が引き上げら
れる。そして、引き上げられた回収カセット１１４は、
図示しない搬送手段によって次工程に搬送される。この
ように、本実施の形態のレジスト剥離装置１００によれ
ば、ジェット式のレジスト剥離と浸漬式のレジスト剥離
を併用することにより、より確実にレジスト剥離を行う
ことができる。すなわち、前もってジェット式のレジス
ト剥離を行っておくことにより、レジスト層にクラック
が付けられ、浸漬式のレジスト剥離を行った際に薬液の
浸食作用が促進され、短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
【００３６】なお、本実施の形態では、ジェット式のレ
ジスト剥離を薬液を噴射することにより行っているが純
水等の液体を噴射することによって行ってもよい。この
場合、薬液のように化学的作用によるレジスト剥離はで
きないが、高圧の液体を噴射することによりレジスト層
にクラックを付けることができるため、次に行う浸漬式
のレジスト剥離の際に短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
ジスト剥離を薬液を噴射することにより行っているが純
水等の液体を噴射することによって行ってもよい。この
場合、薬液のように化学的作用によるレジスト剥離はで
きないが、高圧の液体を噴射することによりレジスト層
にクラックを付けることができるため、次に行う浸漬式
のレジスト剥離の際に短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
【００３７】また、本実施の形態では、ジェット式のレ
ジスト剥離を行ったのち、浸漬式のレジスト剥離を行う
ようにしているが、この順番を逆にしてレジスト剥離を
行うようにしてもよい。すなわち、初めにウェーハＷを
所定時間薬液中に浸漬させたのち、ウェーハＷに高圧の
薬液を所定時間噴射してレジストを剥離させるようにし
てもよい。この場合、浸漬式のレジスト剥離では除去し
きれなかった細かい箇所をジェット式のレジスト剥離で
良好に除去することができるようになる。なお、この場
合、第１の実施の形態で説明したように、薬液を噴射し
たのち、高圧の洗浄液を所定時間噴射し、次いでスピン
乾燥を実施すれば、レジストの剥離と同時にウェーハの
洗浄と乾燥を行うことができるようになり、ウェーハの
処理効率が向上する。
ジスト剥離を行ったのち、浸漬式のレジスト剥離を行う
ようにしているが、この順番を逆にしてレジスト剥離を
行うようにしてもよい。すなわち、初めにウェーハＷを
所定時間薬液中に浸漬させたのち、ウェーハＷに高圧の
薬液を所定時間噴射してレジストを剥離させるようにし
てもよい。この場合、浸漬式のレジスト剥離では除去し
きれなかった細かい箇所をジェット式のレジスト剥離で
良好に除去することができるようになる。なお、この場
合、第１の実施の形態で説明したように、薬液を噴射し
たのち、高圧の洗浄液を所定時間噴射し、次いでスピン
乾燥を実施すれば、レジストの剥離と同時にウェーハの
洗浄と乾燥を行うことができるようになり、ウェーハの
処理効率が向上する。
【００３８】また、次のようなフローで剥離を実施する
ことにより、より良好にレジストを剥離除去することが
できる。すなわち、まず、レジスト層にクラックを付け
るために高圧（約１５ＭＰａ）の液体（薬液に限定され
ない）をウェーハＷに所定時間噴射する。次いで、その
ウェーハＷを薬液中に所定時間浸漬させる。そして、再
びウェーハＷに高圧（約５ＭＰａ）の薬液を所定時間噴
射する。これにより、より良好にレジストを除去するこ
とができる。なお、この場合も前記同様、薬液によるジ
ェット剥離を実施したのち、高圧の洗浄液を所定時間噴
射し、次いでスピン乾燥を実施すれば、レジストの剥離
と同時にウェーハの洗浄と乾燥を行うことができるよう
になり、ウェーハの処理効率が向上する。
ことにより、より良好にレジストを剥離除去することが
できる。すなわち、まず、レジスト層にクラックを付け
るために高圧（約１５ＭＰａ）の液体（薬液に限定され
ない）をウェーハＷに所定時間噴射する。次いで、その
ウェーハＷを薬液中に所定時間浸漬させる。そして、再
びウェーハＷに高圧（約５ＭＰａ）の薬液を所定時間噴
射する。これにより、より良好にレジストを除去するこ
とができる。なお、この場合も前記同様、薬液によるジ
ェット剥離を実施したのち、高圧の洗浄液を所定時間噴
射し、次いでスピン乾燥を実施すれば、レジストの剥離
と同時にウェーハの洗浄と乾燥を行うことができるよう
になり、ウェーハの処理効率が向上する。
【００３９】なお、本実施の形態でも前記第１の実施の
形態と同様な理由から、ノズル５８からの噴射圧力を３
ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内に設定するのが好ましい。
形態と同様な理由から、ノズル５８からの噴射圧力を３
ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内に設定するのが好ましい。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレジスト
剥離方法及び装置によれば、３ＭＰａ〜５０ＭＰａの噴
射による物理的な作用と、微粒化された状態のレジスト
剥離液自身による化学的な作用によって基板上のレジス
トが剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用
による相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効
率的に剥離除去することができる。
剥離方法及び装置によれば、３ＭＰａ〜５０ＭＰａの噴
射による物理的な作用と、微粒化された状態のレジスト
剥離液自身による化学的な作用によって基板上のレジス
トが剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用
による相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効
率的に剥離除去することができる。
【図１】本発明が適用されたジェット式レジスト剥離装
置の第１の実施の形態の全体構成図
置の第１の実施の形態の全体構成図
【図２】本発明に係るレジスト剥離装置の第２の実施の
形態の全体構成図
形態の全体構成図
１０…ジェット式レジスト剥離装置 １８…ターンテーブル ３２…ポンプ ４４…薬液タンク ４６…洗浄液タンク ５６…ガン ５８…ノズル １００…レジスト剥離装置 １０２…ジェット式レジスト剥離装置 １０４…搬送ロボット １０６…ウェーハ回収装置 １０８…カセット搬送装置 １１０…浸漬式レジスト剥離装置 １２４…薬液 Ｗ…ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−41217（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−173336（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−154463（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−274722（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−6830（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027,21/306 G03F 7/42
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上から不要になったレジストを除去
するレジスト剥離方法において、前記基板上にノズルを
往復移動して、前記ノズルから高圧のレジスト剥離液を
３ＭＰａ〜５０ＭＰａの噴射圧力で噴射されて微粒化す
ることを特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項２】 基板上から不要となったレジストを除去
するレジスト剥離装置において、前記基板上にノズルを
往復移動して高圧のレジスト剥離液を噴射するレジスト
剥離液噴射手段を備え、前記レジスト剥離液は、３ＭＰ
ａ〜５０ＭＰａの噴射圧力で噴射して微粒化することを
特徴とするレジスト剥離装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143043A JP3120425B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レジスト剥離方法及び装置 |
| US09/315,853 US6553792B1 (en) | 1998-05-25 | 1999-05-21 | Resist stripping method and apparatus |
| US10/378,818 US6913027B2 (en) | 1998-05-25 | 2003-03-05 | Resist stripping method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143043A JP3120425B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レジスト剥離方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340188A JPH11340188A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3120425B2 true JP3120425B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=15329586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10143043A Expired - Fee Related JP3120425B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レジスト剥離方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6553792B1 (ja) |
| JP (1) | JP3120425B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3120425B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2000-12-25 | 旭サナック株式会社 | レジスト剥離方法及び装置 |
| JP2002273926A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Shibuya Machinery Co Ltd | グレーズ基板の製造方法 |
| JP4358486B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2009-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
| JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
| JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4377285B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2009-12-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4986566B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4986565B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2007242892A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Asahi Sunac Corp | ノズル装置、及び該ノズル装置を備えた洗浄装置 |
| JP5154102B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2013-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5037241B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-09-26 | スパンション エルエルシー | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| KR101121194B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2012-03-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP5373656B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-12-18 | 株式会社テラミクロス | 導体層の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2016039186A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN104317174B (zh) * | 2014-10-30 | 2016-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种膜层去除装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4544446A (en) * | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
| US4746397A (en) * | 1986-01-17 | 1988-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Treatment method for plate-shaped substrate |
| US4716093A (en) * | 1986-03-17 | 1987-12-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solvent developable photoresist composition and process of use |
| JPS6441217A (en) | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Method and device for manufacturing semiconductor integrated circuit |
| JPH01152457A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | レジスト除去方法 |
| JPH06103687B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1994-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置 |
| US5294261A (en) | 1992-11-02 | 1994-03-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using an argon or nitrogen aerosol |
| US5442828A (en) * | 1992-11-30 | 1995-08-22 | Ontrak Systems, Inc. | Double-sided wafer scrubber with a wet submersing silicon wafer indexer |
| US5429912A (en) * | 1993-08-02 | 1995-07-04 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Method of dispensing fluid onto a wafer |
| US5378312A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls |
| US5723019A (en) * | 1994-07-15 | 1998-03-03 | Ontrak Systems, Incorporated | Drip chemical delivery method and apparatus |
| US5792275A (en) * | 1995-06-06 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Film removal by chemical transformation and aerosol clean |
| TW359854B (en) * | 1996-06-21 | 1999-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
| JP3600384B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2004-12-15 | 株式会社東芝 | 噴流加工装置、噴流加工システムおよび噴流加工方法 |
| US5938860A (en) * | 1997-08-28 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Reticle cleaning without damaging pellicle |
| US5962197A (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-05 | Analyze Inc. | Alkaline organic photoresist stripper |
| JP3120425B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2000-12-25 | 旭サナック株式会社 | レジスト剥離方法及び装置 |
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1998
- 1998-05-25 JP JP10143043A patent/JP3120425B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
- 1999-05-21 US US09/315,853 patent/US6553792B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-05 US US10/378,818 patent/US6913027B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030127116A1 (en) | 2003-07-10 |
| US6553792B1 (en) | 2003-04-29 |
| US6913027B2 (en) | 2005-07-05 |
| JPH11340188A (ja) | 1999-12-10 |
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