JP2002305174A - 半導体ウェハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウェハの洗浄方法Info
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- JP2002305174A JP2002305174A JP2001107943A JP2001107943A JP2002305174A JP 2002305174 A JP2002305174 A JP 2002305174A JP 2001107943 A JP2001107943 A JP 2001107943A JP 2001107943 A JP2001107943 A JP 2001107943A JP 2002305174 A JP2002305174 A JP 2002305174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ表面全体が同等な圧力で純水噴射される
工程を伴ない、ダイシング汚れをむら無く洗浄する半導
体ウェハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷＦ（底部の支持テ
ープＴＰ）をチャックして回転制御する。半導体ウェハ
ＷＦはダイシング工程を経たダイシング済みのものでダ
イシング汚れ（切削屑等）を含んでおり洗浄の必要性が
ある。（ａ）に示すように、ウェハの直径以上の長さの
純水ＤＩＷの噴出領域を有するノズル１２が純水噴出を
伴いつつスキャン移動を行う。これにより、ウェハＷＦ
全域に略均一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハＷ
Ｆ表面上には溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの
汚染物を浮遊させる。次に、（ｂ）に示すように、支持
台１１を高速回転させ溜水ごとウェハ表面上の汚染物が
振り落とされる。
工程を伴ない、ダイシング汚れをむら無く洗浄する半導
体ウェハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷＦ（底部の支持テ
ープＴＰ）をチャックして回転制御する。半導体ウェハ
ＷＦはダイシング工程を経たダイシング済みのものでダ
イシング汚れ（切削屑等）を含んでおり洗浄の必要性が
ある。（ａ）に示すように、ウェハの直径以上の長さの
純水ＤＩＷの噴出領域を有するノズル１２が純水噴出を
伴いつつスキャン移動を行う。これにより、ウェハＷＦ
全域に略均一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハＷ
Ｆ表面上には溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの
汚染物を浮遊させる。次に、（ｂ）に示すように、支持
台１１を高速回転させ溜水ごとウェハ表面上の汚染物が
振り落とされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造に係
り、特に半導体ウェハのダイシング加工後のダイシング
汚れを除去するを半導体ウェハの洗浄方法に関する。
り、特に半導体ウェハのダイシング加工後のダイシング
汚れを除去するを半導体ウェハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの製造工程には各種洗浄工
程が組込まれており、ダイシング加工後の洗浄工程もそ
の一つである。一般に半導体ウェハは、ダイシング装置
によって個々のチップに切断されるが、ウェハ底部にお
ける支持用のテープ及びフレームによりウェハの状態を
保ったまま搬送される。ダイシング汚れ（切削屑等）
は、ウェハテーブルを回転させながら純水等を高圧噴射
し洗浄される。
程が組込まれており、ダイシング加工後の洗浄工程もそ
の一つである。一般に半導体ウェハは、ダイシング装置
によって個々のチップに切断されるが、ウェハ底部にお
ける支持用のテープ及びフレームによりウェハの状態を
保ったまま搬送される。ダイシング汚れ（切削屑等）
は、ウェハテーブルを回転させながら純水等を高圧噴射
し洗浄される。
【０００３】図３は、半導体ウェハのダイシング汚れの
洗浄方法における従来例を示す概観図である。回転制御
可能な支持台３１の上にダイシング済みの半導体ウェハ
ＷＦが支持用のテープＴＰ及びフレームＦＲを伴なって
固定されている。ウェハＷＦの洗浄は、支持台３１によ
るウェハの高速回転を伴い上部のノズル３２から高圧で
純水ＤＩＷが噴出しウェハＷＦ表面に供給される。
洗浄方法における従来例を示す概観図である。回転制御
可能な支持台３１の上にダイシング済みの半導体ウェハ
ＷＦが支持用のテープＴＰ及びフレームＦＲを伴なって
固定されている。ウェハＷＦの洗浄は、支持台３１によ
るウェハの高速回転を伴い上部のノズル３２から高圧で
純水ＤＩＷが噴出しウェハＷＦ表面に供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄方法では、ウェハＷＦの局所表面上への純水噴射と
高速回転による洗浄であり、ウェハ表面で純水噴射の圧
力が著しく不均一のままに洗浄を終えることになる。こ
れにより、パッシベーション膜等の撥水能力の高い部位
に付着した汚れに関しては問題ないが、電極パッド部等
凹凸の激しい部位に入り込んだ汚れは除去し難いのが現
状であった。電極パッド部にパーティクルとして残留し
た屑は端子間ショート、ボンディング不良の原因とな
る。
洗浄方法では、ウェハＷＦの局所表面上への純水噴射と
高速回転による洗浄であり、ウェハ表面で純水噴射の圧
力が著しく不均一のままに洗浄を終えることになる。こ
れにより、パッシベーション膜等の撥水能力の高い部位
に付着した汚れに関しては問題ないが、電極パッド部等
凹凸の激しい部位に入り込んだ汚れは除去し難いのが現
状であった。電極パッド部にパーティクルとして残留し
た屑は端子間ショート、ボンディング不良の原因とな
る。
【０００５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、ウェハ表面全体が同等な圧力で純水噴射さ
れる工程を伴ない、ダイシング汚れをむら無く洗浄する
半導体ウェハの洗浄方法を提供しようとするものであ
る。
れたもので、ウェハ表面全体が同等な圧力で純水噴射さ
れる工程を伴ない、ダイシング汚れをむら無く洗浄する
半導体ウェハの洗浄方法を提供しようとするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハの
洗浄方法は、ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処理
に関し、半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、
このウェハの直径以上の長さの純水の噴出領域を有する
ノズルが純水噴出を伴いつつスキャン移動を行うことに
より、前記半導体ウェハ表面上の溜水に汚染物を浮遊さ
せた後、前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜
水ごと汚染物を遠心力によって振り落とすことを特徴と
する。
洗浄方法は、ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処理
に関し、半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、
このウェハの直径以上の長さの純水の噴出領域を有する
ノズルが純水噴出を伴いつつスキャン移動を行うことに
より、前記半導体ウェハ表面上の溜水に汚染物を浮遊さ
せた後、前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜
水ごと汚染物を遠心力によって振り落とすことを特徴と
する。
【０００７】上記本発明の半導体ウェハの洗浄方法によ
れば、ウェハの直径以上の長さの純水の噴出領域を有す
るノズルを利用する。このノズルにおいて純水噴出を伴
いつつスキャン移動を行うことによって、ウェハ全域に
略均一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハ表面上に
は溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮
遊させる。その後、ウェハは高速回転され、溜水ごとウ
ェハ表面上の汚染物が振り落とされる。
れば、ウェハの直径以上の長さの純水の噴出領域を有す
るノズルを利用する。このノズルにおいて純水噴出を伴
いつつスキャン移動を行うことによって、ウェハ全域に
略均一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハ表面上に
は溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮
遊させる。その後、ウェハは高速回転され、溜水ごとウ
ェハ表面上の汚染物が振り落とされる。
【０００８】また、本発明の半導体ウェハの洗浄方法
は、ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処理に関し、
半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、このウェ
ハの半径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズルが
純水噴出を伴いつつ所定位置に固定されると共にウェハ
表面全域に溜水ができるように前記支持台の低速回転を
行い、前記半導体ウェハ上の溜水に汚染物を浮遊させた
後、前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜水ご
と汚染物を遠心力によって振り落とすことを特徴とす
る。
は、ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処理に関し、
半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、このウェ
ハの半径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズルが
純水噴出を伴いつつ所定位置に固定されると共にウェハ
表面全域に溜水ができるように前記支持台の低速回転を
行い、前記半導体ウェハ上の溜水に汚染物を浮遊させた
後、前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜水ご
と汚染物を遠心力によって振り落とすことを特徴とす
る。
【０００９】上記本発明の半導体ウェハの洗浄方法によ
れば、ウェハの半径以上の長さの純水の噴出領域を有す
るノズルを利用する。このノズルにおいて純水噴出を伴
いつつウェハを低速回転することによってウェハ表面全
域に溜水ができるようにする。ウェハ全域に略均一な純
水噴出の圧力がかけられることにより、この溜水にダイ
シング汚れの汚染物を浮遊させる。その後、ウェハは高
速回転され、溜水ごとウェハ表面上の汚染物が振り落と
される。なお、上記支持台の低速回転は毎分５０回転以
下で行うことで、ウェハ表面全域に溜水ができ易くな
る。
れば、ウェハの半径以上の長さの純水の噴出領域を有す
るノズルを利用する。このノズルにおいて純水噴出を伴
いつつウェハを低速回転することによってウェハ表面全
域に溜水ができるようにする。ウェハ全域に略均一な純
水噴出の圧力がかけられることにより、この溜水にダイ
シング汚れの汚染物を浮遊させる。その後、ウェハは高
速回転され、溜水ごとウェハ表面上の汚染物が振り落と
される。なお、上記支持台の低速回転は毎分５０回転以
下で行うことで、ウェハ表面全域に溜水ができ易くな
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ
本発明の第１実施形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を
工程順に示す概観図である。図は、枚葉スピン方式であ
り、図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの
支持台１１が配備されている。半導体ウェハＷＦはダイ
シング工程を経たダイシング済みのものでダイシング汚
れ（切削屑等）を含んでおり洗浄の必要性がある。支持
台１１上は、ウェハＷＦ底部に張り付けられた支持用の
テープＴＰ、その周囲を支持するフレームＦＲを伴な
う。支持台１１は、ウェハＷＦ（底部の支持テープ）を
チャックして回転制御する。ウェハＷＦのチャックは、
ウェハ裏面の真空吸着によるものでも、図示しないがフ
レーム端面の所定箇所を押さえるタイプによるものでも
よい。
本発明の第１実施形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を
工程順に示す概観図である。図は、枚葉スピン方式であ
り、図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの
支持台１１が配備されている。半導体ウェハＷＦはダイ
シング工程を経たダイシング済みのものでダイシング汚
れ（切削屑等）を含んでおり洗浄の必要性がある。支持
台１１上は、ウェハＷＦ底部に張り付けられた支持用の
テープＴＰ、その周囲を支持するフレームＦＲを伴な
う。支持台１１は、ウェハＷＦ（底部の支持テープ）を
チャックして回転制御する。ウェハＷＦのチャックは、
ウェハ裏面の真空吸着によるものでも、図示しないがフ
レーム端面の所定箇所を押さえるタイプによるものでも
よい。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、ウェハの
直径以上の長さの純水ＤＩＷの噴出領域を有するノズル
１２が純水噴出を伴いつつスキャン移動を行う。例えば
ノズル１２がスキャン移動しながらウェハ面に６０ｋｇ
ｆ／ｃｍ-2程度の圧力で純水ＤＩＷが供給されるように
する。これにより、ウェハＷＦ全域に略均一な純水噴出
の圧力がかけられる。ウェハＷＦ表面上には溜水がで
き、この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮遊させる。
直径以上の長さの純水ＤＩＷの噴出領域を有するノズル
１２が純水噴出を伴いつつスキャン移動を行う。例えば
ノズル１２がスキャン移動しながらウェハ面に６０ｋｇ
ｆ／ｃｍ-2程度の圧力で純水ＤＩＷが供給されるように
する。これにより、ウェハＷＦ全域に略均一な純水噴出
の圧力がかけられる。ウェハＷＦ表面上には溜水がで
き、この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮遊させる。
【００１２】次に、図１（ｂ）に示すように、支持台１
１を高速回転させる。ウェハＷＦは高速に回転し（毎分
１０００〜２０００回転）、これにより、溜水ごとウェ
ハ表面上の汚染物が振り落とされる。このウェハの高速
回転時、所定時間ノズル１２からの純水噴出が続行され
ている。所定時間経過後、ノズル１２からの純水噴出は
停止され、ウェハＷＦの高速回転を伴なう乾燥工程に移
行する。
１を高速回転させる。ウェハＷＦは高速に回転し（毎分
１０００〜２０００回転）、これにより、溜水ごとウェ
ハ表面上の汚染物が振り落とされる。このウェハの高速
回転時、所定時間ノズル１２からの純水噴出が続行され
ている。所定時間経過後、ノズル１２からの純水噴出は
停止され、ウェハＷＦの高速回転を伴なう乾燥工程に移
行する。
【００１３】上記実施形態の方法によれば、ウェハＷＦ
の直径以上の長さの純水ＤＩＷの噴出領域を有するノズ
ル１２を利用する。このノズル１２が純水噴出を伴いつ
つスキャン移動を行うことによって、ウェハ全域に略均
一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハＷＦの表面上
には溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの汚染物を
浮遊させる。その後、ウェハＷＦは高速回転され、溜水
ごとウェハ表面上の汚染物が振り落とされる。これによ
り、ウェハＷＦの電極パッド部近傍の凹凸部に入り込ん
だ切削屑等、ダイシング汚れをむら無く洗浄することが
できる。
の直径以上の長さの純水ＤＩＷの噴出領域を有するノズ
ル１２を利用する。このノズル１２が純水噴出を伴いつ
つスキャン移動を行うことによって、ウェハ全域に略均
一な純水噴出の圧力がかけられる。ウェハＷＦの表面上
には溜水ができ、この溜水にダイシング汚れの汚染物を
浮遊させる。その後、ウェハＷＦは高速回転され、溜水
ごとウェハ表面上の汚染物が振り落とされる。これによ
り、ウェハＷＦの電極パッド部近傍の凹凸部に入り込ん
だ切削屑等、ダイシング汚れをむら無く洗浄することが
できる。
【００１４】図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の
第２実施形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に
示す概観図である。第１実施形態（図１）と同様の箇所
には同一の符号を付す。すなわち、ダイシング工程後の
半導体ウェハＷＦはウェハ底部に張り付けられた支持用
のテープＴＰ、その周囲を支持するフレームＦＲを伴な
い、回転制御可能な支持台２１上にチャックされる。
第２実施形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に
示す概観図である。第１実施形態（図１）と同様の箇所
には同一の符号を付す。すなわち、ダイシング工程後の
半導体ウェハＷＦはウェハ底部に張り付けられた支持用
のテープＴＰ、その周囲を支持するフレームＦＲを伴な
い、回転制御可能な支持台２１上にチャックされる。
【００１５】まず、図２（ａ）に示すように、ウェハＷ
Ｆの半径以上の長さの純水ＤＩＷの噴出領域を有するノ
ズル２２が純水噴出を伴いつつ所定位置に固定され、か
つウェハＷＦ表面全域に溜水ができるように支持台２１
の低速回転が行われる。支持台２１の低速回転は毎分５
０回転以下にし、これにより、回転するウェハ面に対し
６０ｋｇｆ／ｃｍ-2程度の圧力で純水ＤＩＷが供給され
る。これにより、ウェハＷＦ全域に略均一な純水噴出の
圧力がかけられる。ウェハＷＦ表面上には溜水ができ、
この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮遊させる。
Ｆの半径以上の長さの純水ＤＩＷの噴出領域を有するノ
ズル２２が純水噴出を伴いつつ所定位置に固定され、か
つウェハＷＦ表面全域に溜水ができるように支持台２１
の低速回転が行われる。支持台２１の低速回転は毎分５
０回転以下にし、これにより、回転するウェハ面に対し
６０ｋｇｆ／ｃｍ-2程度の圧力で純水ＤＩＷが供給され
る。これにより、ウェハＷＦ全域に略均一な純水噴出の
圧力がかけられる。ウェハＷＦ表面上には溜水ができ、
この溜水にダイシング汚れの汚染物を浮遊させる。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、支持台１
１を高速回転に移行させる。ウェハＷＦは高速に回転し
（毎分１０００〜２０００回転）、これにより、溜水ご
とウェハ表面上の汚染物が振り落とされる。このウェハ
ＷＦの高速回転時において、ノズル２２からの純水噴出
は所定時間続行されている。所定時間経過後、ノズル２
２からの純水噴出は停止され、ウェハＷＦの高速回転を
伴なう乾燥工程に移行する。
１を高速回転に移行させる。ウェハＷＦは高速に回転し
（毎分１０００〜２０００回転）、これにより、溜水ご
とウェハ表面上の汚染物が振り落とされる。このウェハ
ＷＦの高速回転時において、ノズル２２からの純水噴出
は所定時間続行されている。所定時間経過後、ノズル２
２からの純水噴出は停止され、ウェハＷＦの高速回転を
伴なう乾燥工程に移行する。
【００１７】上記実施形態の方法によれば、ウェハＷＦ
の半径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズル２１
を利用する（もちろん図１のノズル１１でもよい）。こ
のノズル２１において純水噴出を伴いつつウェハＷＦを
低速回転することによってウェハ表面全域に溜水ができ
るようにする。このようにウェハＷＦ全域に略均一な純
水噴出の圧力がかけられることにより、この溜水にダイ
シング汚れの汚染物を浮遊させる。その後、ウェハＷＦ
は高速回転され、溜水ごとウェハ表面上の汚染物が振り
落とされる。これにより、ウェハＷＦの電極パッド部近
傍の凹凸部に入り込んだ切削屑等、ダイシング汚れをむ
ら無く洗浄することができる。
の半径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズル２１
を利用する（もちろん図１のノズル１１でもよい）。こ
のノズル２１において純水噴出を伴いつつウェハＷＦを
低速回転することによってウェハ表面全域に溜水ができ
るようにする。このようにウェハＷＦ全域に略均一な純
水噴出の圧力がかけられることにより、この溜水にダイ
シング汚れの汚染物を浮遊させる。その後、ウェハＷＦ
は高速回転され、溜水ごとウェハ表面上の汚染物が振り
落とされる。これにより、ウェハＷＦの電極パッド部近
傍の凹凸部に入り込んだ切削屑等、ダイシング汚れをむ
ら無く洗浄することができる。
【００１８】なお、上記各実施形態における支持台の回
転制御、ノズルでの純水供給に関する時間は特に限定さ
れない。特に第２実施形態の低速回転では、スループッ
トを大きく低下させないように時間を配慮すべきであ
る。
転制御、ノズルでの純水供給に関する時間は特に限定さ
れない。特に第２実施形態の低速回転では、スループッ
トを大きく低下させないように時間を配慮すべきであ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ノ
ズルのスキャン移動またはウェハの低回転制御により、
ウェハ全域に略均一な純水噴出の圧力がかけられる。こ
れにより一旦ウェハ面に汚染物（切削屑等）を溜水に浮
遊させる。その後、高速回転により汚染物は溜水ごと振
り落とされる。この結果、ウェハ表面全体が同等な圧力
で純水噴射される工程を伴ない、ダイシング汚れをむら
無く洗浄する半導体ウェハの洗浄方法を提供することが
できる。
ズルのスキャン移動またはウェハの低回転制御により、
ウェハ全域に略均一な純水噴出の圧力がかけられる。こ
れにより一旦ウェハ面に汚染物（切削屑等）を溜水に浮
遊させる。その後、高速回転により汚染物は溜水ごと振
り落とされる。この結果、ウェハ表面全体が同等な圧力
で純水噴射される工程を伴ない、ダイシング汚れをむら
無く洗浄する半導体ウェハの洗浄方法を提供することが
できる。
【図１】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第1実施
形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に示す概観
図である。
形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に示す概観
図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第２実施
形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に示す概観
図である。
形態に係る半導体ウェハの洗浄方法を工程順に示す概観
図である。
【図３】半導体ウェハのダイシング汚れの洗浄方法にお
ける従来例を示す概観図である。
ける従来例を示す概観図である。
１１，２１，３１…支持台 １２，２２，３２…ノズル ＷＦ…ウェハ ＴＰ…支持用のテープ ＦＲ…フレーム ＤＩＷ…純水（脱イオン水）
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処
理に関し、 半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、このウェ
ハの直径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズルが
純水噴出を伴いつつスキャン移動を行うことにより、前
記半導体ウェハ表面上の溜水に汚染物を浮遊させた後、
前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜水ごと汚
染物を遠心力によって振り落とすことを特徴とする半導
体ウェハの洗浄方法。 - 【請求項２】 ダイシング済みの半導体ウェハの洗浄処
理に関し、 半導体ウェハが回転可能な支持台に固定され、このウェ
ハの半径以上の長さの純水の噴出領域を有するノズルが
純水噴出を伴いつつ所定位置に固定されると共にウェハ
表面全域に溜水ができるように前記支持台の低速回転を
行い、前記半導体ウェハ上の溜水に汚染物を浮遊させた
後、前記支持台の高速回転によりこのウェハ上の溜水ご
と汚染物を遠心力によって振り落とすことを特徴とする
半導体ウェハの洗浄方法。 - 【請求項３】 前記支持台の低速回転は毎分５０回転以
下で達成されることを特徴とする請求項２記載のウェハ
の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107943A JP2002305174A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 半導体ウェハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107943A JP2002305174A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 半導体ウェハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002305174A true JP2002305174A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18960176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001107943A Withdrawn JP2002305174A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 半導体ウェハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002305174A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095916A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| CN102486989A (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-06 | 天威新能源控股有限公司 | 一种硅片脱胶清洗方法及其装载板 |
| CN105904029A (zh) * | 2015-02-23 | 2016-08-31 | 株式会社迪思科 | 切削装置 |
| US9941165B2 (en) | 2016-03-14 | 2018-04-10 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing method |
-
2001
- 2001-04-06 JP JP2001107943A patent/JP2002305174A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095916A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP4731265B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-07-20 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| CN102486989A (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-06 | 天威新能源控股有限公司 | 一种硅片脱胶清洗方法及其装载板 |
| CN105904029A (zh) * | 2015-02-23 | 2016-08-31 | 株式会社迪思科 | 切削装置 |
| JP2016157723A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| CN105904029B (zh) * | 2015-02-23 | 2019-08-16 | 株式会社迪思科 | 切削装置 |
| US9941165B2 (en) | 2016-03-14 | 2018-04-10 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing method |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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